JP2011151268A - 発光装置 - Google Patents

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誠 英賀谷
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智一 名田
Toshio Hata
俊雄 幡
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Abstract

【課題】直並列接続された複数のＬＥＤが基板に実装された構成において、輝度ムラの改善、および、発光効率の向上を達成することができる発光装置を提供する。
【解決手段】セラミック基板１０１と、複数のＬＥＤチップ１０５と、複数のＬＥＤチップ１０５に並列に接続された印刷抵抗１０７とを備えてなる発光装置１００において、低い光透過率の樹脂からなるダム樹脂１０８と、蛍光体含有樹脂層１０９とを備え、セラミック基板１０１の主表面には、該主表面内にある第１方向に沿って対向するように配置されたアノード用電極１０２ｂ・１０２ｅ・１０２ｈ並びにカソード用電極１０２ｃ・１０２ｆ・１０２ｉが形成され、アノード用電極１０２ｂ・１０２ｅ・１０２ｈ並びにカソード用電極１０２ｃ・１０２ｆ・１０２ｉは、ダム樹脂１０８、蛍光体含有樹脂層１０９、または、その両方の下部に配置されている。
【選択図】図２

Description

本発明は、直並列接続された複数の発光素子と、複数の発光素子に電気的に接続された保護素子とを備える発光装置に関するものであり、特に、輝度ムラ改善や発光効率向上の技術に関するものである。
ＬＥＤ（Light Emitting Diode：発光ダイオード）は、近年の効率向上に伴い、電球あるいは蛍光灯よりも省エネルギーの光源として、表示装置のバックライトや照明器具に広く用いられるようになってきている。このような用途においては、エネルギー効率が非常に重要である。
ここで、ＬＥＤ、特に窒化ガリウム系ＬＥＤは、静電気放電（Electrostatic discharge）によって故障を起こしやすい。すなわち、逆耐圧が小さいという性質がある。このため、その対策として、ＬＥＤにツェナーダイオードを逆並列に配した技術が開示されている（例えば、特許文献１参照。）。
上記ツェナーダイオードを用いた構成では、順方向の過電圧に対してはツェナーブレイクダウンにより過電流がバイパスされ、逆方向の過電圧に対しては通常の順方向ダイオードとして過電流がバイパスされるので、ＬＥＤはいずれの方向の過電圧からも保護される。また、ＬＥＤの順方向電圧は、ツェナーダイオードのツェナーブレイクダウン電圧よりも小さいので、ＬＥＤに順方向電圧を印加してもツェナーダイオードに電流が流れることは無く、エネルギー損失は生じない。
一方、別の対策として、ＬＥＤに抵抗を並列に接続した技術が開示されている（例えば、特許文献２，３参照。）。
図１３は、特許文献２に記載されたＬＥＤ集合ランプ１０００の回路構成図である。ＬＥＤ集合ランプ１０００では、直列に接続された複数のＬＥＤ１１００のそれぞれに、抵抗器（Ｒｂ）１２００が並列に接続されている。これにより、あるＬＥＤ１１００が断線した場合にも、各抵抗器１２００がバイパス抵抗として働くことによって、他のＬＥＤ１１００が消灯することを防止することができる。また、ＬＥＤ１１００の劣化を防止することができる。
ところが、バイパス抵抗がその目的を果たすためには、断線していない他のＬＥＤ１１００を点灯させるに足りる電流をバイパス抵抗に流す必要があるため、使用する抵抗器１２００の抵抗値を低くせねばならない。このため、バイパス抵抗に流れる電流は、大きなエネルギー損失を生じるという問題がある。
また、特許文献３には、ＬＥＤに流れる電流を調整するために、複数のＬＥＤのそれぞれに可変抵抗が並列または直列に接続された半導体発光装置が記載されている。この半導体発光装置においても、可変抵抗の抵抗値を低くせねばならないため、大きなエネルギー損失を生じるという問題がある。
なお、ＬＥＤに接続する抵抗の形成例として、特許文献４には、複数のＬＥＤのそれぞれに厚膜抵抗素子が直列に接続されたＬＥＤアレーが記載されている。
特開平１１−２９８０４１号公報（１９９９年１０月２９日公開） 特開平１１−３０７８１５号公報（１９９９年１１月５日公開） 特開２００７−２９４５４７号公報（２００７年１１月８日公開） 実開昭６３−１８０９５７号公報（１９８８年１１月２２日公開）
ところで、本発明者は、高輝度・高出力の発光を得るために、直並列接続された複数のＬＥＤを基板に実装した場合、ＬＥＤ間には電気的接続のための電極配線パターンが配置されるため、輝度ムラが発生したり、電極配線パターンが光を吸収することによって発光効率の低下が生じるという問題があることを見つけた。
しかしながら、上記特許文献１〜４には、上記問題や、上記問題を解決するための手段について何ら記載されていない。
また、上記特許文献１〜３に記載されたツェナーダイオードまたは抵抗を用いた構成では、次のような問題がある。
ツェナーダイオードを用いた構成の場合、直列接続された複数のＬＥＤが実装されるパッケージにおいて断線の影響を最小限にするためには、できるだけ多くのツェナーダイオードを接続しなければならない。それゆえ、パッケージサイズの大型化や、ツェナーダイオードの実装工程の追加などの問題がある。
また、ツェナーダイオードをワイヤボンディングするためには、ツェナーダイオードをＬＥＤの近傍、かつ、ＬＥＤを封止する封止樹脂の範囲内に配置する必要があるが、このような配置は、ツェナーダイオードの光吸収による輝度（光出力）の低下を招くので好ましくない。しかも、封止樹脂の範囲内にツェナーダイオードを搭載すると、ＬＥＤが中央に配置できないという問題が生じる。
このように、ツェナーダイオードは、ＬＥＤに対する実装などでの負担が大きい。また、ツェナーダイオードは、その製造が抵抗に比較して容易ではなく、さらには、長期間にわたる信頼性が抵抗に比較して劣るという問題もある。
しかし、抵抗を用いた構成の場合であっても、抵抗による光吸収が生じる。また、抵抗による光吸収を回避すべく封止樹脂外に抵抗を配置すると、パッケージサイズの大型化などの問題が生じる。さらに、比較的大きい抵抗器や厚膜抵抗素子には、配置領域の制限もある。
本発明は、上記従来の問題点に鑑みなされたものであって、その目的は、直並列接続された複数のＬＥＤが基板に実装された構成において、輝度ムラの改善、および、発光効率の向上を達成することができる発光装置を提供することにある。また、本発明のさらなる目的は、さらに、保護素子を光吸収が最小限となる箇所に設置することで、発光効率をさらに向上することができる発光装置を提供することにある。
本発明の発光装置は、上記課題を解決するために、基板と、上記基板の主表面に実装された複数の発光素子と、上記複数の発光素子に並列に接続された保護素子とを備えてなる発光装置において、上記複数の発光素子が実装された実装領域を囲むように上記基板の主表面に環状に設けられた、低い光透過率の樹脂からなる樹脂枠体と、上記複数の発光素子を覆うように上記樹脂枠体の内側に隣接して設けられた、蛍光体を含有する樹脂からなる蛍光体含有樹脂層とを備え、上記基板の主表面には、該主表面内にある第１方向に沿って対向するように配置された第１発光素子接続用電極および第２発光素子接続用電極が形成され、上記複数の発光素子は、２以上の発光素子が直列に接続されてなる直列回路部が、上記第１発光素子接続用電極と上記第２発光素子接続用電極との間において２以上並列に接続された回路構成を有し、上記各直列回路部は、上記第１発光素子接続用電極と上記第２発光素子接続用電極との間において、上記主表面内にあり上記第１方向と直交する第２方向に沿って並べられ、上記各直列回路部における各発光素子は、上記第１方向に沿って並べられ、上記第１発光素子接続用電極および上記第２発光素子接続用電極は、上記樹脂枠体、上記蛍光体含有樹脂層、または、その両方の下部に配置されていることを特徴としている。
上記の構成によれば、第１発光素子接続用電極と第２発光素子接続用電極とは、発光素子の実装領域を挟むように配置される。また、直列回路部における各発光素子間は、例えばワイヤボンディングなどで直接接続することにより電気的に接続することによって、従来用いられていた電極配線パターンが不要となる。よって、各発光素子間の距離を縮めて、発光素子の実装密度を増加することが可能となる。したがって、各発光素子の発光が輝点状に見えることを軽減し、発光装置としての面内での輝度ムラを改善すること可能となるとともに、小型化することが可能となる。
また、第１発光素子接続用電極および第２発光素子接続用電極を、できる限り樹脂枠体の下部に配置することによって、これらによる光の吸収を抑制することが可能となる。さらに、電極配線パターンによる光の吸収も低減されている。よって、発光効率を向上することが可能となる。また、保護素子が発光素子に並列に接続されていることによって、発光素子の劣化を防止することが可能となり、長寿命化を図って信頼性を確保することが可能となる。したがって、発光効率が良く、かつ信頼性に優れた発光装置を提供することが可能となる。
本発明の発光装置は、上記複数の発光素子と上記第１発光素子接続用電極と上記第２発光素子接続用電極とからなるグループが、上記第２方向に沿って複数並べられ、上記基板の主表面には、隣り合うグループ間を直列に接続するように配置された接続用配線が形成され、上記保護素子は、上記グループ毎に設けられていることが好ましい。
上記の構成によれば、発光素子の個数および回路構成に応じて、発光素子をグループに分けて配置することで、発光素子の実装領域を最小限に収めることが可能となる。またこれにより、第１発光素子接続用電極および第２発光素子接続用電極や、樹脂枠体などの配置領域も小さくすることが可能となる。よって、小型化を図ることが可能となる。また、保護素子はグループ毎に設けられているので、直列回路部の断線時の光出力の低下を最小限にすることが可能となる。
本発明の発光装置は、上記樹脂枠体を形成する樹脂は、白色または乳白色に着色されていることが好ましい。これにより、樹脂枠体を形成する樹脂の光透過率を低く設定すること、または、樹脂枠体を形成する樹脂が光反射性を有することが可能となる。
本発明の発光装置は、上記各直列回路部における隣り合う発光素子間は、ワイヤボンディングによって、一方の発光素子のカソード電極と他方の発光素子のアノード電極とが金属ワイヤで直接接続されていることが好ましい。これにより、各発光素子間の距離を縮めて、発光素子の実装密度を増加することが可能となる。
本発明の発光装置は、上記保護素子は、上記基板の主表面に部分的に形成された薄膜印刷抵抗であり、上記保護素子は、上記第１発光素子接続用電極と上記第２発光素子接続用電極とに電気的に接続されるように、上記実装領域の周辺であって、かつ、上記樹脂枠体、上記蛍光体含有樹脂層、または、その両方の下部に配置されていることが好ましい。
本発明の発光装置は、上記各保護素子は、上記基板の主表面に部分的に形成された薄膜印刷抵抗であり、上記各保護素子は、対応するグループにおける上記第１発光素子接続用電極と上記第２発光素子接続用電極とに電気的に接続されるように、上記実装領域の周辺であって、かつ、上記樹脂枠体、上記蛍光体含有樹脂層、または、その両方の下部に配置されていることが好ましい。
上記の各構成によれば、樹脂枠体および蛍光体含有樹脂層などを保護素子上に容易に作成することが可能となる。それゆえ、保護素子の配置領域の自由度が高くなり、保護素子を、発光素子の近傍や、樹脂枠体および蛍光体含有樹脂層の下部に配置することが可能となる。また、保護素子を、できる限り樹脂枠体の下部に配置し樹脂枠体で覆い隠すことによって、保護素子による光吸収を最小限に抑制することが可能となる。
本発明の発光装置は、上記基板は、セラミックからなるセラミック基板であることが好ましい。
本発明の発光装置は、上記各発光素子のカソード電極およびアノード電極は、対向して配置されており、上記複数の発光素子は全て、同じ向きであって、かつ、上記カソード電極および上記アノード電極の対向方向が上記第１方向に沿うような向きで配置されていることが好ましい。
本発明の発光装置は、上記各発光素子のカソード電極およびアノード電極は、対向して配置されており、上記複数の発光素子は全て、同じ向きであって、かつ、上記カソード電極および上記アノード電極の対向方向が上記第２方向に沿うような向きで配置されていることが好ましい。
上記の各構成によれば、全ての発光素子は同じ向きで配置されているので、発光素子の向きを変えずに各発光素子をダイボンドすることが可能となり、ダイボンド装置／工程を簡略化することが可能となる。また、発光素子の形状に応じて上記対向方向の向きを選択することによって、各発光素子間の距離を好適に縮めて、発光素子の実装密度を最大限増加することが可能となる。
本発明の発光装置は、上記薄膜印刷抵抗の抵抗値は、１ＭΩ〜１０ＧΩであることが好ましい。
本発明の発光装置は、上記樹脂枠体は、平面視円環形の形状を有していることが好ましい。これにより、蛍光体含有樹脂層は平面視円形の形状を有するので、発光素子からの発光が全方向へ均一に放射され易くなり、発光装置を汎用照明器具へ応用することや、その設計が容易となる。
以上のように、本発明の発光装置は、基板と、上記基板の主表面に実装された複数の発光素子と、上記複数の発光素子に並列に接続された保護素子とを備えてなる発光装置において、上記複数の発光素子が実装された実装領域を囲むように上記基板の主表面に環状に設けられた、低い光透過率の樹脂からなる樹脂枠体と、上記複数の発光素子を覆うように上記樹脂枠体の内側に隣接して設けられた、蛍光体を含有する樹脂からなる蛍光体含有樹脂層とを備え、上記基板の主表面には、該主表面内にある第１方向に沿って対向するように配置された第１発光素子接続用電極および第２発光素子接続用電極が形成され、上記複数の発光素子は、２以上の発光素子が直列に接続されてなる直列回路部が、上記第１発光素子接続用電極と上記第２発光素子接続用電極との間において２以上並列に接続された回路構成を有し、上記各直列回路部は、上記第１発光素子接続用電極と上記第２発光素子接続用電極との間において、上記主表面内にあり上記第１方向と直交する第２方向に沿って並べられ、上記各直列回路部における各発光素子は、上記第１方向に沿って並べられ、上記第１発光素子接続用電極および上記第２発光素子接続用電極は、上記樹脂枠体、上記蛍光体含有樹脂層、または、その両方の下部に配置されている構成である。
上記の構成によれば、第１発光素子接続用電極と第２発光素子接続用電極とは、発光素子の実装領域を挟むように配置される。また、直列回路部における各発光素子間は、例えばワイヤボンディングなどで直接接続することにより電気的に接続することによって、従来用いられていた電極配線パターンが不要となる。よって、各発光素子間の距離を縮めて、発光素子の実装密度を増加することが可能となる。したがって、各発光素子の発光が輝点状に見えることを軽減し、発光装置としての面内での輝度ムラを改善することができるとともに、小型化することができるという効果を奏する。
また、第１発光素子接続用電極および第２発光素子接続用電極を、できる限り樹脂枠体の下部に配置することによって、これらによる光の吸収を抑制することが可能となる。さらに、電極配線パターンによる光の吸収も低減されている。よって、発光効率を向上することが可能となる。また、保護素子が発光素子に並列に接続されていることによって、発光素子の劣化を防止することが可能となり、長寿命化を図って信頼性を確保することが可能となる。したがって、発光効率が良く、かつ信頼性に優れた発光装置を提供することができるという効果を奏する。
本発明における発光装置の第１実施形態（封止樹脂無し）を示す上面図である。 本発明における発光装置の第１実施形態（完成品）を示す上面図である。 図２の発光装置のＸ−Ｘ’線断面図である。 （ａ）は図１の発光装置の回路構成を示す等価回路図であり、（ｂ）は（ａ）の比較例を示す等価回路図である。 本発明における発光装置の第２実施形態を示す上面図である。 本発明における発光装置の第３実施形態を示す上面図である。 本発明における発光装置の第４実施形態を示す上面図である。 本発明における発光装置の第５実施形態を示す上面図である。 本発明における発光装置の第６実施形態を示す上面図である。 本発明における発光装置の第７実施形態を示す上面図である。 本発明における発光装置の第８実施形態を示す上面図である。 本発明の発光装置を備えるＬＥＤ電球の実施の一形態を示す図であり、（ａ）は側面から見たときの外観を示し、（ｂ）は該発光装置が搭載された搭載面を示す。 従来の発光装置の回路構成を示す等価回路図である。
〔実施の形態１〕
本発明の一実施形態について図面に基づいて説明すれば、以下の通りである。以下では、まず全体構成について簡単に説明し、その後、特徴的構成や製造方法などについて順番に説明する。
（全体構成）
図１は、本実施の形態の発光装置１００の一構成例を示す上面図であり、セラミック基板１０１の主表面に実装されたＬＥＤチップ１０５などが樹脂モールドされる前の様子を示す。図２は、本実施の形態の発光装置１００の一構成例を示す上面図であり、セラミック基板１０１の主表面に実装されたＬＥＤチップ１０５などが樹脂モールドされ、完成パッケージとなった様子を示す。但し、樹脂モールド（後述の蛍光体含有樹脂層１０９）内には蛍光体が含有されており、着色されて光を吸収するので、光を透過し難く、ＬＥＤチップ１０５の実装面は見えない。また、後述するダム樹脂１０８（樹脂枠体）も光透過率が低いので、ダム樹脂１０８の下面は上から見えない。図２では、ＬＥＤチップ１０５の実装面を説明するために、これら不透明な部材を透視して記載した図面となっている。これは後述の他の実施例の図面（図５〜図１０）でも同様である。図３は、図２の発光装置１００のＸ−Ｘ’線断面図である。
なお、以下では、図１，２の上下方向および左右方向を、主表面の上下方向（第１方向）および左右方向（第２方向）とする。また、図３の上側および下側を、発光装置１００の上側および下側とする。さらに、セラミック基板１０１の主表面に垂直な方向から見たとき、すなわち図１，２に示す面視を、上面視（平面視）と呼ぶ。
図１〜図３に示すように、本実施の形態の発光装置１００は、セラミック基板１０１（基板）、ＬＥＤチップ１０５（発光素子）、ワイヤ１０６（金属ワイヤ）、印刷抵抗１０７（保護素子）、ダム樹脂１０８（樹脂枠体）、および蛍光体含有樹脂層１０９を備えている。
セラミック基板１０１は、セラミックからなる基板である。セラミック基板１０１は、上面視で矩形の外形形状を有している。セラミック基板１０１の主表面には、ＬＥＤチップ１０５、ワイヤ１０６、印刷抵抗１０７、ダム樹脂１０８、および蛍光体含有樹脂層１０９が設けられている。また、セラミック基板１０１の主表面には、電極配線パターン１０２、アノード用電極ランド１０３、およびカソード用電極ランド１０４が形成されている。
ＬＥＤチップ１０５は、発光ピーク波長が４５０ｎｍの青色ＬＥＤであるが、これに限るものではない。ＬＥＤチップ１０５としては、例えば、発光ピーク波長が３９０ｎｍ〜４２０ｎｍの紫外（近紫外）ＬＥＤチップを用いてもよく、これにより、さらなる発光効率の向上を図ることができる。複数（本実施例では４４個）のＬＥＤチップ１０５が、セラミック基板１０１の主表面にシリコーン樹脂接着剤により固定されている。ＬＥＤチップ１０５は、上面視で長方形の外形形状を有している。ＬＥＤチップ１０５の上面には、アノード電極およびカソード電極（以下、総称する場合はチップ電極と呼ぶ）が長手方向に沿って対向するように設けられている。ＬＥＤチップ１０５の電気的接続は、ワイヤ１０６を用いたワイヤボンディングによって行われている。ワイヤ１０６は、例えば金からなる。
印刷抵抗１０７は、印刷されたペースト状の抵抗成分が焼成によって定着されてなる、ＬＥＤチップ１０５の厚みよりも薄い薄膜の抵抗素子である。印刷抵抗１０７は、酸化ルテニウムＲｕＯ２からなる。印刷抵抗１０７は、ＬＥＤチップ１０５に並列に接続されるように、セラミック基板１０１の主表面に部分的に（本実施例では３箇所：印刷抵抗１０７ａ〜１０７ｃ）に形成されている。
ダム樹脂１０８は、白色のシリコーン樹脂（透光性のシリコーン樹脂を母材とし、光拡散フィラーとして酸化チタンＴｉＯ２含有させたもの）からなる、光透過率が低い、または、光反射性を有する樹脂枠体である。ダム樹脂１０８は、ＬＥＤチップ１０５の実装領域を囲むように、環状に設けられている。ダム樹脂１０８は、上面視で４つの角部が丸みを帯びた長方形の形状を有している。なお、ダム樹脂１０８の材料は、上記材料に限定されるものではなく、アクリル、ウレタン、エポキシ、ポリエステル、アクリロニトリルブタジエンスチレン（ＡＢＳ）、またはポリカーボネート（ＰＣ）樹脂などでもよい。また、ダム樹脂１０８の色も白色に限らず、例えば乳白色でもよい。樹脂を白色または乳白色に着色することで、その樹脂の光透過率を低く設定すること、または、その樹脂が光反射性を有することが可能となる。
蛍光体含有樹脂層１０９は、液状のシリコーン樹脂に粒子状蛍光体を分散させたものが硬化されてなる封止樹脂層である。本実施例では、粒子状蛍光体として、赤色蛍光体ＳｒＣａＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ、および、緑色蛍光体Ｃａ３（Ｓｃ，Ｍｇ）２Ｓｉ３Ｏ１２：Ｃｅを用いる。蛍光体含有樹脂層１０９は、ＬＥＤチップ１０５およびワイヤ１０６を覆うように、ダム樹脂１０８の内側に隣接して設けられている。蛍光体含有樹脂層１０９は、ダム樹脂１０８の形状に従って、上面視で４つの角部が丸みを帯びた長方形の形状を有している。セラミック基板１０１の主表面の上下方向が、蛍光体含有樹脂層１０９の短手方向となり、上記主表面の左右方向が、蛍光体含有樹脂層１０９の長手方向となっている。
なお、粒子状蛍光体はこれに限らず、例えば、ＢＯＳＥ（Ｂａ、Ｏ、Ｓｒ、Ｓｉ、Ｅｕ）などを好適に用いることができる。また、ＢＯＳＥの他、ＳＯＳＥ（Ｓｒ、Ｂａ、Ｓｉ、Ｏ、Ｅｕ）や、ＹＡＧ（Ｃｅ賦活イットリウム・アルミニウム・ガーネット）、ＣａＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ、αサイアロン（（Ｃａ）、Ｓｉ、Ａｌ、Ｏ、Ｎ、Ｅｕ）、βサイアロン（Ｓｉ、Ａｌ、Ｏ、Ｎ、Ｅｕ）などを好適に用いることもできる。ＬＥＤチップ１０５の発光色との組合せにより、発光装置１００から所定の色（色度）の発光を得るような蛍光体を用いる。
（電気回路の構成）
図４（ａ）に、発光装置１００におけるＬＥＤチップ１０５および印刷抵抗１０７の等価回路図を示す。
図４（ａ）に示すように、発光装置１００では、４４個のＬＥＤチップ１０５は、１１個のＬＥＤチップ１０５が直列に接続されてなる直列回路部が、４個並列に接続された回路構成を有している。そして、直列回路部内のチップ配線は、Ａ：３個直列部分、Ｂ：５個直列部分、Ｃ：３個直列部分、の３つのグループに分けられている。すなわち、３個のＬＥＤチップ１０５が直列に接続されてなる直列回路部が、４個並列に接続された回路構成を有するグループＡと、５個のＬＥＤチップ１０５が直列に接続されてなる直列回路部が、４個並列に接続された回路構成を有するグループＣと、３個のＬＥＤチップ１０５が直列に接続されてなる直列回路部が、４個並列に接続された回路構成を有するグループＣと、が直列に接続されているとも言える。
印刷抵抗１０７は、分けられたグループ毎に設けられている。グループＡの直列回路部に、印刷抵抗１０７ａが並列に接続されている。グループＢの直列回路部に、印刷抵抗１０７ｂが並列に接続されている。グループＣの直列回路部に、印刷抵抗１０７ｃが並列に接続されている。
グループＡ〜Ｃの直列回路部に並列接続された３つの印刷抵抗１０７ａ〜１０７ｃは、各ＬＥＤチップ１０５に均等に電圧が印加されるように、それぞれの抵抗値の比が、ＬＥＤチップ１０５の数の比に等しくなるように設定されている。
ここでは、印刷抵抗１０７ａ・１０７ｃの抵抗値をＲとし、印刷抵抗１０７ｂの抵抗値をＲ’とすると、
Ｒ：Ｒ’＝３：５
となるように、各抵抗値Ｒ，Ｒ’は調整されている。なお、各抵抗値Ｒ，Ｒ’は、各ＬＥＤチップ１０５発光時の無効電流が極力小さくなるようにするために、１ＭΩ〜１０ＧΩの抵抗値とする。
また、ＬＥＤチップ１０５に対するサージ破壊の防止などの効果を奏するためには、印刷抵抗１０７の抵抗値は、ＬＥＤチップ１０５の逆バイアス方向のインピーダンスの抵抗成分よりも小さいことが好ましく、１０ＧΩ以下であることが望ましい。さらに、発光装置として完成した後に微小領域の順方向電圧の測定を行う不良選別の検査工程で真の不良品との見分けがつく程度まで、印刷抵抗１０７に流れるリーク電流を抑える場合は、１ＭΩ以上にすることが望ましい。それゆえ、印刷抵抗１０７ａ〜１０７ｃの各抵抗値Ｒ，Ｒ’は、１ＭΩ〜１０ＧΩであることが好ましい。
このように、ＬＥＤチップ１０５をグループに分けて配置し、グループ毎に印刷抵抗１０７を設けることによって、１１個のＬＥＤチップ１０５が直列に接続されてなる直列回路部に１つの印刷抵抗１０７を並列に接続するよりも、直列回路部が断線した時の光出力の低下を最低限にする効果がある。
この効果について、比較例として図４（ｂ）を用いて説明する。図４（ｂ）は、１１個のＬＥＤチップ１０５を直列に接続し、それを４個並列に接続し、さらに並列に１個の印刷抵抗１０７を接続したときの等価回路図である。図４（ｂ）に示すように、１１個のＬＥＤチップ１０５をグループ分けせずに直列に接続した場合、ＬＥＤチップ１０５が１個でもオープン不良になると、１１個全部に電流が流れなくなり、１１個全部が発光しなくなる。
これに対し、図４（ａ）に示すように、１１個のＬＥＤチップ１０５を３個、５個、３個直列として分けて（グループ分け）接続すると、３個直列において１個オープン不良になった場合でも、３個は電流が流れなくなるが、別のグループの８個は発光する。また、５個直列において１個オープン不良になった場合でも、５個は電流が流れなくなるが、別のグループの６個は発光する。それゆえ、図４（ａ）に示す構成は、図４（ｂ）の場合のように１１個全部が発光しないということがない、という顕著な効果を奏する。
また、印刷抵抗１０７ａ〜１０７ｃがＬＥＤチップ１０５に並列に接続されていることによって、ＬＥＤチップ１０５の劣化を防止することが可能となり、長寿命化を図って信頼性を確保することが可能となる。したがって、信頼性に優れた発光装置１００を提供することが可能となる。
（セラミック基板１０１の構成）
次に、セラミック基板１０１の主表面の構成について具体的に説明する。上述のように、セラミック基板１０１の主表面には、電極配線パターン１０２、アノード用電極ランド１０３、およびカソード用電極ランド１０４が形成されている。
電極配線パターン１０２は、アノード用電極ランド１０３とカソード用電極ランド１０４との間において、ＬＥＤチップ１０５とアノード用電極ランド１０３とカソード用電極ランド１０４とを直接あるいは中継して電気的に接続するための配線パターンである。電極配線パターン１０２は、金（Ａｕ）からなり、回路構成に応じて配置（形成）されている。本実施例では、電極配線パターン１０２は、接続用配線１０２ａ・１０２ｄ・１０２ｇ・１０２ｊ、アノード用電極１０２ｂ・１０２ｅ・１０２ｈ（第１発光素子接続用電極）、並びに、カソード用電極１０２ｃ・１０２ｆ・１０２ｉ（第２発光素子接続用電極）からなる。
アノード用電極１０２ｂおよびカソード用電極１０２ｃは、図４（ａ）に示したグループＡのＬＥＤチップ１０５の接続に対応して設けられた電極である。アノード用電極１０２ｂおよびカソード用電極１０２ｃは、各ＬＥＤチップ１０５と、ワイヤ１０６により電気的に接続される。アノード用電極１０２ｂとカソード用電極１０２ｃとは、グループＡのＬＥＤチップ１０５群を挟み、かつ、蛍光体含有樹脂層１０９の短手方向に沿って対向するように配置されている。アノード用電極１０２ｂと、カソード用電極１０２ｃと、グループＡのＬＥＤチップ１０５とは、１つのグループＬ１を構成している。
アノード用電極１０２ｅおよびカソード用電極１０２ｆは、図４（ａ）に示したグループＢのＬＥＤチップ１０５の接続に対応して設けられた電極である。アノード用電極１０２ｅおよびカソード用電極１０２ｆは、各ＬＥＤチップ１０５と、ワイヤ１０６により電気的に接続される。アノード用電極１０２ｅとカソード用電極１０２ｆとは、グループＢのＬＥＤチップ１０５群を挟み、かつ、蛍光体含有樹脂層１０９の短手方向に沿って対向するように配置されている。アノード用電極１０２ｅと、カソード用電極１０２ｆと、グループＢのＬＥＤチップ１０５とは、１つのグループＬ２を構成している。
アノード用電極１０２ｈおよびカソード用電極１０２ｉは、図４（ａ）に示したグループＣのＬＥＤチップ１０５の接続に対応して設けられた電極である。アノード用電極１０２ｈおよびカソード用電極１０２ｉは、各ＬＥＤチップ１０５と、ワイヤ１０６により電気的に接続される。アノード用電極１０２ｈとカソード用電極１０２ｉとは、グループＣのＬＥＤチップ１０５群を挟み、かつ、蛍光体含有樹脂層１０９の短手方向に沿って対応するように配置されている。アノード用電極１０２ｈと、カソード用電極１０２ｉと、グループＣのＬＥＤチップ１０５とは、１つのグループＬ３を構成している。
グループＬ１〜Ｌ３は、蛍光体含有樹脂層１０９の長手方向に沿って並べられている。アノード用電極１０２ｂ・１０２ｅ・１０２ｈは、ＬＥＤチップ１０５の搭載領域よりも図１中上側に並べられている。カソード用電極１０２ｃ・１０２ｆ・１０２ｉは、ＬＥＤチップ１０５の搭載領域よりも図１中下側に並べられている。
接続用配線１０２ａ・１０２ｄ・１０２ｇ・１０２ｊは、アノード用電極ランド１０３とカソード用電極ランド１０４との間において、グループＬ１〜Ｌ３を直列に接続するための中継用配線である。接続用配線１０２ａは、アノード用電極ランド１０３−アノード用電極１０２ｂ間を電気的に接続する。接続用配線１０２ｄは、カソード用電極１０２ｃ−アノード用電極１０２ｅ間を電気的に接続する。接続用配線１０２ｇは、カソード用電極１０２ｆ−アノード用電極１０２ｈ間を電気的に接続する。接続用配線１０２ｊは、カソード用電極１０２ｉ−カソード用電極ランド１０４間を電気的に接続する。接続用配線１０２ａ・１０２ｄ・１０２ｇ・１０２ｊは、蛍光体含有樹脂層１０９の短手方向に沿って、かつ、グループＬ１〜Ｌ３の搭載領域のそれぞれの周辺に配置されている。
アノード用電極ランド１０３およびカソード用電極ランド１０４は、発光装置１００の外部電源と接続可能な電極である。アノード用電極ランド１０３およびカソード用電極ランド１０４は、銀（Ａｇ）−白金（Ｐｔ）からなる。アノード用電極ランド１０３は、セラミック基板１０１の主表面の隅付近（図１中右上）に配置されている。カソード用電極ランド１０４は、セラミック基板１０１の主表面の、アノード用電極ランド１０３に対向する隅付近（図１中左下）に配置されている。すなわち、アノード用電極ランド１０３とカソード用電極ランド１０４とは、セラミック基板１０１の主表面の対角線上に、対向するように配置されている。
なお、接続用配線１０２ａ・１０２ｊは、アノード用電極ランド１０３およびカソード用電極ランド１０４に接続するように延設されるため、一部がダム樹脂１０８や蛍光体含有樹脂層１０９に覆われない。このため、接続用配線１０２ａ・１０２ｊにおける、ダム樹脂１０８や蛍光体含有樹脂層１０９に覆われずに露出する部分には、絶縁保護膜１１０を形成することが望ましい。
以上のように、セラミック基板１０１の主表面では、アノード用電極１０２ｂ・１０２ｅ・１０２ｈと、カソード用電極１０２ｃ・１０２ｆ・１０２ｉとは、対応するＬＥＤチップ１０５の実装領域を挟むように配置される。また、グループＬ１〜Ｌ３（グループＡ〜Ｃ）のＬＥＤチップ１０５の実装領域では、後述するように各ＬＥＤチップ１０５間がワイヤボンディングで直接接続することにより電気的に接続されることによって、従来用いられていた電極配線パターンが不要となる。接続用配線１０２ａ・１０２ｄ・１０２ｇ・１０２ｊは、グループＬ１〜Ｌ３（グループＡ〜Ｃ）のＬＥＤチップ１０５群の周辺にそれぞれ配置されており、ＬＥＤチップ１０５群の配置内を横切らない。
よって、各ＬＥＤチップ１０５間の距離を縮めて、ＬＥＤチップ１０５の実装密度を増加することが可能となる。したがって、各ＬＥＤチップ１０５の発光が輝点状に見えることを軽減し、発光装置１００としての面内での輝度ムラを改善すること可能となる。また、小型化することが可能となる。
また、アノード用電極１０２ｅおよびカソード用電極１０２ｆは、その一部が、ダム樹脂１０８の下部に配置されている。よって、アノード用電極１０２ｅおよびカソード用電極１０２ｆによる光の吸収を抑制することが可能となる。このように、電極配線パターン１０２を、できる限り樹脂枠体の下部に配置することによって、これらによる光の吸収を抑制することが可能となる。また、接続用配線を極力少なくしている。したがって、発光効率を向上することが可能となる。
なお、接続用配線（特に接続用配線１０２ｄ・１０２ｇ）は、アノード用電極１０２ｂ・１０２ｅ・１０２ｈ、並びに、カソード用電極１０２ｃ・１０２ｆ・１０２ｉに比べて幅を細くし、面積を小さくすることが好ましい。これにより、蛍光体含有樹脂層１０９とセラミック基板１０１との界面、および、蛍光体含有樹脂層１０９と接続用配線との界面での、発光時や非発光時の熱サイクルなどの熱的な負荷による接着特性差や熱膨張係数差による、蛍光体含有樹脂層１０９の剥がれを低減できる。また、この構成によって、搭載面を横断して配置される接続用配線による光ロスや、発光装置としての面内輝度ムラを低減できる。
また、アノード用電極１０２ｂ・１０２ｅ・１０２ｈと、カソード用電極１０２ｃ・１０２ｆ・１０２ｉとを、それぞれ同じ側に配置させていることによって、ＬＥＤチップ１０５を搭載したときのチップ電極の極性方向を同じにすることが可能となる。これにより、チップ電極の極性方向を変更せずに、すなわちＬＥＤチップ１０５の向きを変えずにダイボンドすることが可能となり、ＬＥＤチップ１０５のダイボンド装置／工程を簡略化することが可能となる。
さらに、アノード用電極１０２ｂ・１０２ｈは、アノード用電極１０２ｅよりも内側に位置しており、カソード用電極１０２ｃ・１０２ｉは、カソード用電極１０２ｆよりも内側に位置している。このように、アノード用電極１０２ｂ−カソード用電極１０２ｃ間の間隔、および、アノード用電極１０２ｈ−カソード用電極１０２ｉの間隔を、アノード用電極１０２ｅ−カソード用電極１０２ｆ間の間隔よりも狭くすることによって、アノード用電極１０２ｂ・１０２ｈ、並びに、カソード用電極１０２ｃ・１０２ｉのワイヤボンドエリアの尤度が拡大し、ワイヤボンド作業性を向上することが可能となる。但し、電極配線パターン１０２による光吸収の低減を優先する場合は、この限りではない。
（ＬＥＤチップ１０５の配置）
次に、ＬＥＤチップ１０５の配置について具体的に説明する。４４個のＬＥＤチップ１０５は、上述した回路構成や搭載領域を考慮して、３つのグループＬ１〜Ｌ３に分けられている。
グループＬ１では、アノード用電極１０２ｂとカソード用電極１０２ｃとの間において、直列回路部が、蛍光体含有樹脂層１０９の長手方向に沿って４個並列状に配置され、電気的に並列接続するように並べられている。直列回路部における各ＬＥＤチップ１０５は、蛍光体含有樹脂層１０９の短手方向に沿って３個直列状に配置され、電気的に直列接続されて並べられている。
グループＬ２では、アノード用電極１０２ｅとカソード用電極１０２ｆとの間において、直列回路部が、蛍光体含有樹脂層１０９の長手方向に沿って４個並列状に配置され、電気的に並列接続するように並べられている。直列回路部における各ＬＥＤチップ１０５は、蛍光体含有樹脂層１０９の短手方向に沿って５個直列状に配置され、電気的に直列接続されて並べられている。
グループＬ３では、アノード用電極１０２ｈとカソード用電極１０２ｉとの間において、直列回路部が、蛍光体含有樹脂層１０９の長手方向に沿って４個並列状に配置され、電気的に並列接続するように並べられている。直列回路部における各ＬＥＤチップ１０５は、蛍光体含有樹脂層１０９の短手方向に沿って３個直列状に配置され、電気的に直列接続されて並べられている。
３つのグループＬ１〜Ｌ３は、全体としての実装領域が小さくなるように、蛍光体含有樹脂層１０９の角部付近でＬＥＤチップ１０５の数が少なくなるように配置されている。つまりは、グループＬ２は、セラミック基板１０１の主表面の中央付近に配置され、その両隣に蛍光体含有樹脂層１０９の長手方向に沿って、グループＬ１・Ｌ３がそれぞれ配置されている。グループＬ１・Ｌ３は、グループＬ２よりもＬＥＤチップ１０５の数が少ないので、蛍光体含有樹脂層１０９の形状に合うように、かつ、ワイヤボンドエリアを有する電極配線パターンエリアを確保できるように、尤度を持たせて配置される。
このように、複数のＬＥＤチップ１０５を３つのグループＬ１〜Ｌ３に分けて配置することで、ＬＥＤチップ１０５の実装領域をなるべく小さな矩形内に収めることが可能となる。またこれにより、アノード用電極ランド１０３、およびカソード用電極ランド１０４を含めて、セラミック基板１０１上のレイアウト配置を小さくすることが可能となり、より小型の発光装置１００を実現することが可能となる。
また、各グループＬ１〜Ｌ３においては、直列回路部における隣り合うＬＥＤチップ１０５間は、ワイヤボンディングによって、一方のＬＥＤチップ１０５のカソード電極と他方のＬＥＤチップ１０５のアノード電極とがワイヤ１０６で直接接続されている。よって、グループＬ１〜Ｌ３の各内部では、各ＬＥＤチップ１０５間を中継する電極配線パターン１０２は設けられていないので、各ＬＥＤチップ１０５間の距離を縮めて、ＬＥＤチップ１０５の実装密度を増加することが可能となる。
さらに、全てのＬＥＤチップ１０５は、同じ向きであって、かつ、カソード電極およびアノード電極の対向方向が蛍光体含有樹脂層１０９の短手方向に沿うような向きで配置されている。すなわち、全てのＬＥＤチップ１０５は、チップ電極の向きが揃っており、上面の長手方向が、蛍光体含有樹脂層１０９の短手方向に沿うように配置されている。本実施例では、アノード電極が図１中上側に位置している。これにより、チップ電極の極性方向を変更せずに、すなわちＬＥＤチップ１０５の向きを変えずにダイボンドすることが可能となる。
（印刷抵抗１０７の配置）
次に、印刷抵抗１０７の配置について具体的に説明する。印刷抵抗１０７は、分けられたグループ毎（Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３）に、印刷抵抗１０７ａ〜１０７ｃが配置されている。
印刷抵抗１０７ａは、接続用配線１０２ａとアノード用電極１０２ｅとに電気的に接続されるように形成されている。印刷抵抗１０７ａは、アノード用電極１０２ｅと一直線状になるように配置されている。印刷抵抗１０７ｂは、カソード用電極１０２ｃとカソード用電極１０２ｆとに電気的に接続されるように形成されている。印刷抵抗１０７ｂは、接続用配線１０２ｄと一直線状になるように配置されている。印刷抵抗１０７ｃは、カソード用電極１０２ｆと接続用配線１０２ｊとに電気的に接続されるように形成されている。印刷抵抗１０７ｃは、カソード用電極１０２ｆと一直線状になるように配置されている。
また、印刷抵抗１０７ａ〜１０７ｃは、ＬＥＤチップ１０５の実装領域の周辺に配置されている。さらに、印刷抵抗１０７ａ・１０７ｃの大部分、並びに、印刷抵抗１０７ｂの一部分は、光透過率が低いダム樹脂１０８の下部に配置されている。
このように、印刷抵抗１０７ａ〜１０７ｃを、できる限りダム樹脂１０８の下部に配置しダム樹脂１０８で覆い隠すことによって、印刷抵抗１０７ａ〜１０７ｃによる光吸収を最小限に抑制することが可能となる。それゆえ、発光装置１００の光出力の低下を防ぐことが可能となる。
（ダム樹脂１０８の構成）
次に、ダム樹脂１０８の構成について具体的に説明する。
図３に示すように、ダム樹脂１０８の断面形状は、上に凸のドーム形状（上辺＜下辺）となっている。この断面形状により、ＬＥＤチップ１０５からの横方向、特にダム樹脂１０８の方向へ放射される光が、ダム樹脂１０８に反射される。よって、光を基板前面方向へ取り出し易くする効果がある。
なお、ダム樹脂１０８の断面形状は、これに限らない。また、蛍光体含有樹脂層１０９の形成領域を最小限にするために、ダム樹脂１０８は、電極配線パターン１０２の一部、および、ワイヤ１０６の一部も覆うように形成されることが望ましい。
（蛍光体含有樹脂層１０９の構成）
次に、蛍光体含有樹脂層１０９の構成について具体的に説明する。
図３に示すように、蛍光体含有樹脂層１０９の断面形状は、上に凸のドーム形状（上辺＜下辺）となっている。つまりは、蛍光体含有樹脂層１０９は、外観から見ると、楕円球の一部を切り出した形状に形成されている。発光装置１００では、蛍光体含有樹脂層１０９のドーム状をなす表面（球面）が、発光装置１００の光出射面となっている。よって、上記形状の光出射面とすることにより、ＬＥＤチップ１０５からの光と蛍光体からの光とを効率良く取り出すことが可能となり、結果として、発光効率を向上させる効果を得ることが可能となる。
また、蛍光体含有樹脂層１０９の表面は、上述したドーム形状に限らず、蛍光体含有樹脂層の粘度の調整によって凸状の度合いが調整でき、平坦に近く、中央付近が少し凹んだ形状や、滑らかな曲面で少し凸状の形状にしてもよい。
（製造方法）
次に、上記構成を有する発光装置１００の製造方法について簡単に説明する。
なお、発光装置１００は、複数の発光装置群からなる一体ものとして１枚の大きなセラミック基板に形成され、製造工程の最後に個々の発光装置の周囲（四方）をダイシングにて分割することで、個々の発光装置１００として形成される。
まず、セラミック基板１０１の主表面に、電極配線パターン１０２、アノード用電極ランド１０３、およびカソード用電極ランド１０４を形成する。そして、上記セラミック基板１０１の主表面に、印刷抵抗１０７を、例えばプリント印刷により形成する。そして、上記セラミック基板１０１の主表面に、ＬＥＤチップ１０５をダイボンディングした後、ワイヤ１０６を用いてワイヤボンディングを行う。
続いて、上記セラミック基板１０１の主表面に、ダム樹脂１０８を形成する。具体的には、ディスペンサーにより、液状の白色シリコーン樹脂（光拡散フィラーＴｉＯ２含有）を描画することで形成する。このダム樹脂は、１２０℃、６０分の条件で硬化させる。
続いて、上記セラミック基板１０１の主表面に、図３に示すようなドーム状の蛍光体含有樹脂層１０９を形成する。具体的には、ダム樹脂１０８に囲まれた領域内に、ディスペンサーにより蛍光体含有樹脂層１０９を充填することで形成する。最後に、上記セラミック基板１０１を、個々の発光装置１００に個片化する。これにより、発光装置１００を作製し得る。この製造方法によれば、発光装置１００を容易で安価に製造することが可能となる。
なお、ダム樹脂１０８は、ダム樹脂１０８の代わりにダム樹脂１０８の形状に合わせて作製された成形シートを、上記セラミック基板１０１の主表面に張り付けて形成してもよい。成形シートは、フッ素ゴムやシリコーンゴムなどをシート状に成型したものであり、主表面に貼り付ける面側に接着シートを備えていてもよい。
さらに、本実施例では、ダム樹脂１０８を、発光装置１００に必ず組み込まれるように形成しているが、成形シートをセラミック基板１０１の主表面に張り付けて形成する方法の場合には、発光装置１００の所望の配光特性に応じて、成形シートを最終的に取り除いても構わない。
また、蛍光体含有樹脂層１０９も、上記のような、ダム樹脂１０８に囲まれた領域内にディスペンサーにより蛍光体含有樹脂層１０９を充填して形成する方法に限らない。蛍光体含有樹脂層１０９は、例えば、ダム樹脂１０８を使用せず、金型などを使用して圧縮成型やトランスファー成型などにより、ＬＥＤチップ１０５や電極配線パターン１０２などを、蛍光体を含有した透光性樹脂にて一括封止するように形成してもよい。
上記発光装置１００の製造方法では、ダム樹脂１０８および蛍光体含有樹脂層１０９を印刷抵抗１０７上に容易に作成することが可能となる。それゆえ、印刷抵抗１０７の配置領域の自由度が高くなり、印刷抵抗１０７を、ＬＥＤチップ１０５の近傍や、ダム樹脂１０８および蛍光体含有樹脂層１０９の下部に配置することが可能となる。
なお、上記製造方法は、ＬＥＤチップ１０５を搭載した後に、ワイヤボンディングを行い、その後ダム樹脂１０８を形成しているが、これに限らず、先にダム樹脂１０８を形成し、その後ＬＥＤチップ１０５を搭載し、ワイヤボンディングを行ってもよい。
ここで、上記構成を有する発光装置１００の寸法の一例を挙げる。
セラミック基板１０１：外形サイズ１２ｍｍ×１５ｍｍ、厚み１ｍｍ
電極配線パターン１０２：幅３００μｍ、厚み１０μｍ
アノード用電極ランド１０３およびカソード用電極ランド１０４：直径１．４ｍｍ、直線部２ｍｍ、厚み２０μｍ
ＬＥＤチップ１０５：幅２４０μｍ、長さ４００μｍ、高さ８０μｍ
ダム樹脂１０８：リング幅０．７ｍｍ、外形サイズ６．９×７．９ｍｍ、角部のＲ＝２ｍｍ
なお、これら寸法はあくまでも一例である。
（変形例）
上述した発光装置１００では、セラミック基板１０１を使用しているが、これに限らず、セラミック基板１０１の代わりに、例えば、金属基板表面に絶縁層を形成したメタルコア基板を使用してもよい。この場合、絶縁層は、印刷抵抗１０７および電極配線パターン１０２を形成するエリアにのみ形成し、複数のＬＥＤチップ１０５を金属基板表面に直に搭載する構成とすることができる。
また、セラミック基板１０１の外形形状は、矩形に限定されるものではない。さらに、主表面の上下方向（第１方向）および左右方向（第２方向）は、電極配線パターン１０２やＬＥＤチップ１０５などの相対的な位置関係によって決められるものであり、主表面の外形形状を基準として決定されるものではない。
また、ＬＥＤチップ１０５は、上面視で長方形であったが、正方形でもよい。ＬＥＤチップ１０５としては、例えば、３００μｍ四方の正方形、高さ１００μｍのものを用いることもできる。さらに、ＬＥＤチップ１０５の実装方法は、ワイヤボンドに限らず、例えばフリップチップ接合を用いてもよい（図示せず）。
また、ＬＥＤチップ１０５の個数や、グループ分け、回路構成は、上述したものに限らない。例えば、上記４４個のＬＥＤチップ１０５は、「Ａ：４個直列、Ｂ：４個直列、Ｃ：４個直列」などとグループ分けしても同様の効果を得ることが可能である。つまりは、複数のＬＥＤチップ１０５は、２個以上のＬＥＤチップ１０５が直列に接続されてなる直列回路部が、２個以上並列に接続された回路構成を有していればよい。
さらに、搭載エリアの自由度は低下するが、印刷抵抗１０７の代わりにツェナーダイオードを使用してもよい。この場合、直列接続部におけるＬＥＤチップ１０５の直列接続数に応じて、複数のツェナーダイオードを使用することができる。
次に、本発明の他の実施の形態について図面に基づいて説明する。なお、各実施の形態において説明すること以外の構成は、実施の形態１と同じである。また、説明の便宜上、各実施の形態においては、実施の形態１の図面に示した部材と同一の機能を有する部材については、同一の符号を付し、その説明を省略する。
〔実施の形態２〕
図５は、本実施の形態の発光装置２００の一構成例を示す上面図である。
本実施の形態の発光装置２００は、前記実施の形態１の発光装置１００と比較して、電気回路の構成が異なっている。それ以外は、前記実施の形態１の発光装置１００と同等の構成を有する。
図５に示すように、発光装置２００では、７個のＬＥＤチップ１０５を直線状に配列し、７個のＬＥＤチップ１０５間が直列に接続された直列回路部が、１４個並列に配置して並列接続された回路構成を有している。つまりは、７個直列×１４個並列の直並列接続された計９８個のＬＥＤチップ１０５が、セラミック基板１０１の主表面に実装されている。
電極配線パターン１０２は、アノード用電極１０２ｋ、および、カソード用電極１０２ｌからなる。アノード用電極１０２ｋおよびカソード用電極１０２ｌは、各ＬＥＤチップ１０５と、ワイヤ１０６により電気的に接続される。アノード用電極１０２ｋとカソード用電極１０２ｌとは、ＬＥＤチップ１０５群を挟み、かつ、蛍光体含有樹脂層１０９の短手方向（ＬＥＤチップ１０５を直線状に配列した方向）に沿って対向するように配置されている。
印刷抵抗１０７は、直列回路部に並列に接続されるように１個設けられている。つまりは、印刷抵抗１０７は、アノード用電極１０２ｋとカソード用電極１０２ｌとに接続されるように形成されている。印刷抵抗１０７は、上面視で、アノード用電極１０２ｋおよびカソード用電極１０２ｌに対し直交する方向に配置されている。
発光装置２００では、前記実施の形態１の発光装置１００と同様に、印刷抵抗１０７によって、ＬＥＤチップ１０５からなる直列回路部の断線不良を抑制する効果、および、ＬＥＤチップ１０５からなる直列回路部が断線したときの光出力低下を最低限にする効果を得ることが可能となる。
〔実施の形態３〕
図６は、本実施の形態の発光装置３００の一構成例を示す上面図である。
本実施の形態の発光装置３００は、前記実施の形態１の発光装置１００と比較して、ＬＥＤチップ１０５の実装方向（極性方向）と、それに応じたワイヤ１０６の配線方向とが異なっている。それ以外は、前記実施の形態１の発光装置１００と同等の構成を有する。
図６に示すように、発光装置３００では、グループＬ１は、４個のＬＥＤチップ１０５が直列に接続されてなる直列回路部が２個並列に接続され、グループＬ２は、８個のＬＥＤチップ１０５が直列に接続されてなる直列回路部が３個並列に接続され、グループＬ３は、４個のＬＥＤチップ１０５が直列に接続されてなる直列回路部が２個並列に接続されている。つまりは、直並列接続された計４０個のＬＥＤチップ１０５が、セラミック基板１０１の主表面に実装されている。
また、各ＬＥＤチップ１０５は、長手方向が蛍光体含有樹脂層１０９の長手方向と一致するような向きで配置されている。すなわち、発光装置３００のＬＥＤチップ１０５は、発光装置１００のＬＥＤチップ１０５の配置方向から９０度回転されている。このＬＥＤチップ１０５の配置に応じて、ワイヤ１０６は斜めに配線されている。
発光装置３００では、前記実施の形態１の発光装置１００と同様の効果に加え、ダム樹脂１０８のサイズを小さくすることが可能となり、より点光源に近づけることが可能となる。また、発光装置３００では、アノード用電極ランド１０３およびカソード用電極ランド１０４と、ＬＥＤチップ１０５の搭載領域との間のスペースを広く取ることができるので、ＬＥＤチップ１０５のボンディングが容易になるという効果がある。
但し、発光装置３００は、発光装置１００と比較して、ワイヤ１０６が長くなることによるワイヤ使用量の増加が生じる。このため、全体的に見ると、発光装置３００の実装方法よりも、発光装置１００の実装方法の方が好ましい。
〔実施の形態４〕
図７は、本実施の形態の発光装置４００の一構成例を示す上面図である。
本実施の形態の発光装置４００は、前記実施の形態１の発光装置１００と比較して、グループＬ２のＬＥＤチップ１０５およびワイヤ１０６の構成が異なっている。それ以外は、前記実施の形態１の発光装置１００と同等の構成を有する。
図７に示すように、発光装置４００では、グループＬ２は、８個のＬＥＤチップ１０５が直列に接続されてなる直列回路部が３個並列に接続されている。ゆえに、発光装置４００では、直並列接続された計４８個のＬＥＤチップ１０５が、セラミック基板１０１の主表面に実装されている。グループＬ２の各ＬＥＤチップ１０５は、長手方向が蛍光体含有樹脂層１０９の長手方向と一致するような向きで配置されている。このＬＥＤチップ１０５の配置に応じて、ワイヤ１０６は斜めに配線されている。
発光装置４００では、前記実施の形態３の発光装置３００のダム樹脂１０８と同じサイズのダム樹脂１０８の枠内に、より多くのＬＥＤチップ１０５を実装することが可能となる。このように、所望の数のＬＥＤチップ１０５が搭載されるように、グループ毎にＬＥＤチップ１０５の実装方向を変えてもよい。
〔実施の形態５〕
図８は、本実施の形態の発光装置５００の一構成例を示す上面図である。
本実施の形態の発光装置５００は、前記実施の形態１の発光装置１００と比較して、発光装置１００では４４個のＬＥＤチップ１０５が搭載されていたが、発光装置５００では４０個のＬＥＤチップ１０５および４個のＬＥＤチップ１０５’が搭載されている点が異なっている。それ以外は、前記実施の形態１の発光装置１００と同等の構成を有する。
ＬＥＤチップ１０５’は、ＬＥＤチップ１０５よりもチップサイズが小さい（例えば、上面視で０．３×０．３ｍｍの正方形）ものである。図８に示すように、ＬＥＤチップ１０５’は、全体的に見て、ＬＥＤチップ１０５の実装領域の４隅に配置されている。つまりは、ＬＥＤチップ１０５’は、蛍光体含有樹脂層１０９領域におけるダム樹脂１０８に近接した４隅に配置されている。
発光装置５００では、蛍光体含有樹脂層１０９領域におけるダム樹脂１０８に近接した４隅のＬＥＤチップ１０５’を、他に実装されたＬＥＤチップ１０５よりも小さいサイズとすることで、ダム樹脂１０８の枠を小さくすることが可能となり、発光面積を小さくすることが可能となる。
〔実施の形態６〕
図９は、本実施の形態の発光装置６００の一構成例を示す上面図である。
本実施の形態の発光装置６００は、前記実施の形態１の発光装置１００と比較して、ダム樹脂１０８および蛍光体含有樹脂層１０９の形状が異なっている。それ以外は、前記実施の形態１の発光装置１００と同等の構成を有する。
図９に示すように、発光装置６００では、ダム樹脂１０８は上面視で円環形の形状を有している。ダム樹脂１０８の大部分は、印刷抵抗１０７の上に形成されている。蛍光体含有樹脂層１０９は、ダム樹脂１０８の形状に沿って、上面視で円形の形状を有している。
発光装置６００では、蛍光体含有樹脂層１０９が円形に形成されていることにより、ＬＥＤチップ１０５からの発光が全方向へ均一に放射され易くなる。またこれにより、発光装置６００を汎用照明器具へ応用することや、その設計が容易となる。
〔実施の形態７〕
図１０は、本実施の形態の発光装置７００の一構成例を示す上面図である。
本実施の形態の発光装置７００は、前記実施の形態１の発光装置１００と比較して、印刷抵抗１０７ｂの設置領域と、ダム樹脂１０８の設置領域とが異なっている。それ以外は、前記実施の形態１の発光装置１００と同等の構成を有する。
図１０に示すように、発光装置７００では、印刷抵抗１０７ｂは、ダム樹脂１０８のカーブに沿った形状を有しており、ダム樹脂１０８の下部に配置されている。ダム樹脂１０８は、全ての印刷抵抗１０７ａ〜１０７ｃを覆うように太めに形成されている。
発光装置７００では、全ての印刷抵抗１０７ａ〜１０７ｃはダム樹脂１０８により覆われ、他の光学特性を損なわない位置に配置されているので、印刷抵抗１０７ａ〜１０７ｃの光吸収による発光効率ロスを最小限にすることが可能となる。
〔実施の形態８〕
図１１は、本実施の形態の発光装置８００の一構成例を示す上面図である。
本実施の形態の発光装置８００は、前記実施の形態１の発光装置１００と比較して、グループＬ２のＬＥＤチップ１０５の実装方向が異なっている。それ以外は、前記実施の形態１の発光装置１００と同等の構成を有する。なお、図１１では、ダム樹脂１０８および蛍光体含有樹脂層１０９を省略して記載しているが、それら部材は図２と同様に形成される。
図１１に示すように、発光装置８００では、グループＬ２のＬＥＤチップ１０５は、カソード電極が上側に位置するような向きで配置されている。すなわち、発光装置８００のグループＬ２のＬＥＤチップ１０５は、発光装置１００のグループＬ２のＬＥＤチップ１０５の実装方向から１８０度回転されている。これに応じて、電極配線パターン１０２は、アノード用電極１０２ｅとカソード用電極１０２ｆとの配置が逆になっている。また、印刷抵抗１０７は、電気回路の構成は発光装置１００のままで、形成領域のみが変更されている。
発光装置８００では、グループＬ１とグループＬ２との間を接続する接続用配線１０２ｄ、および、グループＬ２とグループＬ３との間を接続する接続用配線１０２ｇを、グループ間を横切るように配置させる必要がなくなるので、これら配線による光吸収ロスを軽減することが可能となる。
なお、上述した実施の形態１〜８においては印刷抵抗１０７を必ず備えた実施例を説明してきたが、静電耐圧をそれほど必要としない用途や、各ＬＥＤチップ１０５自体の静電耐圧が大きい場合には、印刷抵抗１０７を含まない構成としてもよい。
〔実施の形態９〕
本実施の形態では、前記実施の形態１〜８で説明した発光装置を備える電子機器について説明する。
例えば、裏面に電源回路を有し、放熱板と一体となった実装基板に、上記発光装置を実装してなる照明装置がある。上記発光装置のアノード用電極ランド１０３およびカソード用電極ランド１０４は、実装基板のアノード電極ランドおよびカソード電極ランドに、外部配線などにより電気的に接続される。上記発光装置の上面は、光拡散機能を備えたケース、あるいは透明なケースで覆われる。
また、上記発光装置は、１つだけではなく、矩形形状のセラミック基板１０１の一辺が平行になるように、あるいは、矩形形状のセラミック基板１０１の対角線方向が一直線上になるように複数搭載し、蛍光灯型の照明装置としてもよい。なお、１つのみを搭載し、電球型の照明装置としてもよい。
ここで、上記照明装置の具体例として、前記実施の形態１〜８で説明した発光装置を備えるＬＥＤ電球の構成について説明する。図１２は、ＬＥＤ電球９００の一構成例を示す図であり、（ａ）は側面から見たときの外観を示し、（ｂ）は発光装置９０９が搭載された搭載面を示す。
図１２に示すように、ＬＥＤ電球９００は、口金９０１に固着された放熱フィン９０２に、搭載板９０４が留めネジ９０５によって固定されるとともに、搭載板９０４を覆うように散乱材入りレンズドーム９０３が設けられた構成を有する。口金９０１は、電球における、ソケットにねじ込むための金属の部分である。口金９０１のサイズは、Ｅ２６やＥ１７などを好適に使用できる。特に、前記実施の形態１〜８で説明した発光装置は、表面積を１５ｍｍ×１２ｍｍと小さくすることが可能であるので、Ｅ１７の口金が好適である。
搭載板９０４には、発光装置９０９が搭載される。発光装置９０９は、押さえピン９０６によって固定されている。発光装置９０９としては、前記実施の形態１〜８で説明した発光装置のいずれを用いてもよい。発光装置９０９のアノード用電極ランド１０３およびカソード用電極ランド１０４は、外部配線と電気的に接続される（アノード結線９０７およびカソード結線９０８）。
ＬＥＤ電球９００は、発光装置９０９を備えることにより、輝度ムラが改善され、かつ、発光効率が向上されるので、非常に優れた照明装置となる。
さらに、複数の上記発光装置を筐体基板上にマトリクス状に配置し、面状光源を構成してもよい。この面状光源では、上記発光装置１つ１つに光の配光特性を調整する外付けレンズを設置することで、あるいは、図３に示したように蛍光体含有樹脂層１０９を凸状にしレンズ機能を持たせることで、光配向特性を有することが可能となる。このような面状光源をＢＬ（バックライト）光源とした液晶表示装置を構成することができる。
本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。
本発明は、直並列接続された複数のＬＥＤが基板に実装されてなる発光装置に関する分野に好適に用いることができるだけでなく、発光装置の製造方法に関する分野に好適に用いることができ、さらには、発光装置を備える電子機器などの分野にも広く用いることができる。
１００，２００，３００，４００，５００，６００，７００，８００ 発光装置
１０１ セラミック基板（基板）
１０２ 電極配線パターン
１０２ａ・１０２ｄ・１０２ｇ・１０２ｊ 接続用配線
１０２ｂ・１０２ｅ・１０２ｈ アノード用電極（第１発光素子接続用電極）
１０２ｃ・１０２ｆ・１０２ｉ カソード用電極（第２発光素子接続用電極）
１０３ アノード用電極ランド
１０４ カソード用電極ランド
１０５，１０５’ ＬＥＤチップ（発光素子）
１０６ ワイヤ（金属ワイヤ）
１０７，１０７ａ〜１０７ｃ 印刷抵抗（保護素子）
１０８ ダム樹脂（樹脂枠体）
１０９ 蛍光体含有樹脂層
９００ ＬＥＤ電球
９０９ 発光装置

Claims (11)

  1. 基板と、上記基板の主表面に実装された複数の発光素子と、上記複数の発光素子に並列に接続された保護素子とを備えてなる発光装置において、
    上記複数の発光素子が実装された実装領域を囲むように上記基板の主表面に環状に設けられた、低い光透過率の樹脂からなる樹脂枠体と、
    上記複数の発光素子を覆うように上記樹脂枠体の内側に隣接して設けられた、蛍光体を含有する樹脂からなる蛍光体含有樹脂層とを備え、
    上記基板の主表面には、該主表面内にある第１方向に沿って対向するように配置された第１発光素子接続用電極および第２発光素子接続用電極が形成され、
    上記複数の発光素子は、２以上の発光素子が直列に接続されてなる直列回路部が、上記第１発光素子接続用電極と上記第２発光素子接続用電極との間において２以上並列に接続された回路構成を有し、
    上記各直列回路部は、上記第１発光素子接続用電極と上記第２発光素子接続用電極との間において、上記主表面内にあり上記第１方向と直交する第２方向に沿って並べられ、
    上記各直列回路部における各発光素子は、上記第１方向に沿って並べられ、
    上記第１発光素子接続用電極および上記第２発光素子接続用電極は、上記樹脂枠体、上記蛍光体含有樹脂層、または、その両方の下部に配置されていることを特徴とする発光装置。
  2. 上記複数の発光素子と上記第１発光素子接続用電極と上記第２発光素子接続用電極とからなるグループが、上記第２方向に沿って複数並べられ、
    上記基板の主表面には、隣り合うグループ間を直列に接続するように配置された接続用配線が形成され、
    上記保護素子は、上記グループ毎に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
  3. 上記樹脂枠体を形成する樹脂は、白色または乳白色に着色されていることを特徴とする請求項１または２に記載の発光装置。
  4. 上記各直列回路部における隣り合う発光素子間は、ワイヤボンディングによって、一方の発光素子のカソード電極と他方の発光素子のアノード電極とが金属ワイヤで直接接続されていることを特徴とする請求項１または２に記載の発光装置。
  5. 上記保護素子は、上記基板の主表面に部分的に形成された薄膜印刷抵抗であり、
    上記保護素子は、上記第１発光素子接続用電極と上記第２発光素子接続用電極とに電気的に接続されるように、上記実装領域の周辺であって、かつ、上記樹脂枠体、上記蛍光体含有樹脂層、または、その両方の下部に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
  6. 上記各保護素子は、上記基板の主表面に部分的に形成された薄膜印刷抵抗であり、
    上記各保護素子は、対応するグループにおける上記第１発光素子接続用電極と上記第２発光素子接続用電極とに電気的に接続されるように、上記実装領域の周辺であって、かつ、上記樹脂枠体、上記蛍光体含有樹脂層、または、その両方の下部に配置されていることを特徴とする請求項２に記載の発光装置。
  7. 上記基板は、セラミックからなるセラミック基板であることを特徴とする請求項１または２に記載の発光装置。
  8. 上記各発光素子のカソード電極およびアノード電極は、対向して配置されており、
    上記複数の発光素子は全て、同じ向きであって、かつ、上記カソード電極および上記アノード電極の対向方向が上記第１方向に沿うような向きで配置されていることを特徴とする請求項４に記載の発光装置。
  9. 上記各発光素子のカソード電極およびアノード電極は、対向して配置されており、
    上記複数の発光素子は全て、同じ向きであって、かつ、上記カソード電極および上記アノード電極の対向方向が上記第２方向に沿うような向きで配置されていることを特徴とする請求項４に記載の発光装置。
  10. 上記薄膜印刷抵抗の抵抗値は、１ＭΩ〜１０ＧΩであることを特徴とする請求項５または６に記載の発光装置。
  11. 上記樹脂枠体は、平面視円環形の形状を有していることを特徴とする請求項１または２に記載の発光装置。
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