JP2007250899A - 発光モジュールとこれを用いた表示装置及び照明装置 - Google Patents

発光モジュールとこれを用いた表示装置及び照明装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2007250899A
JP2007250899A JP2006073327A JP2006073327A JP2007250899A JP 2007250899 A JP2007250899 A JP 2007250899A JP 2006073327 A JP2006073327 A JP 2006073327A JP 2006073327 A JP2006073327 A JP 2006073327A JP 2007250899 A JP2007250899 A JP 2007250899A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light emitting
light
emitting module
emitting element
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2006073327A
Other languages
English (en)
Inventor
Keiji Nishimoto
恵司 西本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP2006073327A priority Critical patent/JP2007250899A/ja
Publication of JP2007250899A publication Critical patent/JP2007250899A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484Connecting portions
    • H01L2224/48463Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/91Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
    • H01L2224/92Specific sequence of method steps
    • H01L2224/922Connecting different surfaces of the semiconductor or solid-state body with connectors of different types
    • H01L2224/9222Sequential connecting processes
    • H01L2224/92242Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector
    • H01L2224/92247Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector the second connecting process involving a wire connector

Landscapes

  • Led Device Packages (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

【課題】小型化及び高光束化が可能な上、発光素子から発せられた熱を効率良く放熱することができる発光モジュールと、これを用いた表示装置及び照明装置を提供する。
【解決手段】実装基板(10)と、実装基板(10)上に実装された発光素子ユニット(12)とを含み、実装基板(10)は、基材(14)と、基材(14)上に形成されたバリスタ層(15)と、バリスタ層(15)を貫通して設けられた複数のサーマルビア(16)とを含み、発光素子ユニット(12)は、直列接続された複数の発光素子(11)を含み、かつ、その両端が、異なる導体層(18)のそれぞれと電気的に接続されており、サーマルビア(16)のそれぞれは、発光素子(11)の裏面(11b)に接触するように配置されており、サーマルビア(16)と導体層(18)とは、電気的に絶縁されている発光モジュール(1)とする。
【選択図】図1

Description

本発明は、複数の発光素子を含む発光モジュールと、これを用いた表示装置及び照明装置に関する。
従来から、Light Emitting Diode(以下、「LED」と称する。)等の発光素子を用いた発光デバイスについて研究が進められている。例えば、特許文献1には、デバイス用基板内にバリスタ機能を有する層(バリスタ層)を設けた発光デバイスが提案されている。特許文献1に記載の発光デバイスによれば、ツェナーダイオード等の静電気対策部材を別途設ける必要がなくなるため、小型化及び高光束化が可能となる
特開2005−244220号公報
しかし、上記バリスタ層は放熱性の低い材料を含むため、特許文献1の発光デバイスを照明光源として使用すると、LEDから発せられた熱によって耐久性が劣化するおそれがある。特に、複数のLEDを用いた発光モジュールでは、LEDの発熱による熱劣化が顕著なため、放熱対策が望まれている。
本発明は、上記従来の課題を解決するもので、小型化及び高光束化が可能な上、発光素子から発せられた熱を効率良く放熱することができる発光モジュールと、これを用いた表示装置及び照明装置を提供する。
本発明の発光モジュールは、実装基板と、前記実装基板上に実装された発光素子ユニットとを含む発光モジュールであって、
前記実装基板は、基材と、前記基材上に形成されたバリスタ層と、前記バリスタ層を貫通して設けられた複数のサーマルビアとを含み、
前記バリスタ層は、誘電体層と、前記誘電体層内に設けられた、少なくとも1対の導体層とを含み、
前記1対の導体層は、互いの少なくとも一部が対向するように配置されており、
前記発光素子ユニットは、直列接続された複数の発光素子を含み、かつ、その両端が、異なる前記導体層のそれぞれと電気的に接続されており、
それぞれの前記発光素子は、その光取り出し側の主面に設けられた電極と、前記電極に接続するワイヤとを介して前記実装基板に実装されており、
前記サーマルビアのそれぞれは、前記発光素子の前記主面とは反対側に位置する裏面に接触するように配置されており、
前記サーマルビアと前記導体層とは、電気的に絶縁されていることを特徴とする。
本発明の表示装置及び照明装置は、いずれも上記本発明の発光モジュールを光源とする。
本発明の発光モジュール、表示装置及び照明装置によれば、実装基板がバリスタ層を含むため、小型化及び高光束化が可能な上、発光素子の裏面と接触し、かつバリスタ層を貫通して設けられたサーマルビアを含むため、発光素子から発せられた熱を効率良く放熱することができる。
本発明の発光モジュールは、実装基板と、この実装基板上に実装された発光素子ユニットとを含む。そして、上記実装基板は、基材と、この基材上に形成されたバリスタ層と、このバリスタ層を貫通して設けられた複数のサーマルビアとを含み、上記バリスタ層は、誘電体層と、この誘電体層内に設けられた、少なくとも1対の導体層とを含む。本発明の発光モジュールでは、実装基板がバリスタ層を含むため、小型化及び高光束化が可能となる。
上記基材の構成材料は特に限定されず、例えばAl23、AlN、SiC等のセラミックや、Cu、Fe等の金属が使用できる。特に、Cu等の熱伝導性の高い金属を使用すると、上記基材の放熱性が向上するため好ましい。なお、上記基材の厚みは、例えば0.1〜2mm程度である。
上記誘電体層の構成材料には、例えば酸化亜鉛を主成分とする誘電体材料が使用できる。特に、80質量%以上の酸化亜鉛と、20質量%以下のその他の酸化物(例えば、酸化ビスマス、酸化アンチモン、酸化マンガン、酸化コバルト等)とを含む誘電体材料を使用すると、バリスタ特性が向上するため好ましい。なお、上記誘電体層の厚みは、例えば15〜500μm程度である。
上記1対の導体層は、互いの少なくとも一部が、例えば5〜50μmの間隔で対向するように配置されている。上記導体層の材料は特に限定されず、銀等の金属を主成分とする導電性ペーストや、銅箔をパターニングしたもの等が使用できる。なお、本発明において導体層の個数は限定されず、少なくとも1対の導体層(2つの導体層)を含んでいればよい。
上記発光素子ユニットは、直列接続された複数の発光素子を含み、かつ、その両端が、異なる上記導体層のそれぞれと電気的に接続されている。また、それぞれの上記発光素子は、その光取り出し側の主面に設けられた電極(上面電極)と、この電極に接続するワイヤとを介して上記実装基板に実装されている。なお、本発明において上記発光素子ユニットの個数は特に限定されず、要求される光量等に応じて適宜設定すればよい。
上記発光素子としては、例えば発光ダイオードチップやレーザーダイオードチップが使用できる。発光ダイオードチップを用いた場合は、本発明の発光モジュールを照明装置や表示装置等に適用できる。また、レーザーダイオードチップを用いた場合は、本発明の発光モジュールを半導体レーザー装置等に適用できる。なお、本発明において上記発光素子の個数は特に限定されず、要求される光量等に応じて適宜設定すればよい。
上記サーマルビアを構成する材料は、放熱性の高い材料である限り特に限定されない。例えば、熱伝導率が1W/(m・K)以上の放熱性材料を使用することができる。好適な放熱性材料としては、例えば銀等の金属を主成分とする導電性ペーストが例示できる。また、上記サーマルビアのそれぞれは、上発光素子の光取り出し側の主面とは反対側に位置する裏面に接触するように配置されている。ここで、上記「接触」とは、上記サーマルビアと上発光素子の裏面とが熱伝導可能な程度に接触している場合を指し、直に接触していてもよく、他の熱伝導材料を介して接触していてもよい。そして、上記サーマルビアと上記導体層とは、電気的に絶縁されている。これにより、上記バリスタ層のバリスタ特性に影響を与えることなく、上記サーマルビアを介して上記発光素子から発せられた熱を効率良く放熱することができる。また、放熱性が向上した分だけ、従来に比べ発光素子に流す電流値を上げることができる。これにより、高光束化がより容易となる。なお、上記サーマルビアの径は、上記発光素子の大きさによるが、例えば200〜1500μm程度である。
また、本発明の発光モジュールは、上記発光素子を覆う蛍光体層を更に含んでいてもよい。例えば上記発光素子として紫外光を発光するLEDや、青色光を発光するLEDを用いた場合に、上記蛍光体層と組み合わせることによって白色光を発光する発光モジュールとすることができる。上記蛍光体層は、例えばシリコーン樹脂等のマトリクス樹脂に蛍光体を分散させたものが使用できる。上記蛍光体としては、アルミン酸塩系BaMgAl1017:Eu2+、シリケート系Ba3MgSi28:Eu2+等の青色光を発する蛍光体や、ガーネット構造系Y3(Al,Ga)512:Ce3+、シリケート系(Ba,Sr)2SiO4:Eu2+等の緑色光を発する蛍光体や、サイアロン系Ca−Al−Si−O−N:Eu2+、シリケート系(Sr,Ca)2SiO4:Eu2+、ガーネット構造系(Y,Gd)3Al612:Ce3+等の黄色光を発する蛍光体や、ニトリドシリケート系Sr2Si58:Eu2+、ニトリドアルミノシリケート系CaAlSiN3:Eu2+、オクソニトリゾアルミノシリケート系Sr2Si4AiON7:Eu2+、硫化物系CaS:Eu2+等の赤色光を発する蛍光体等が使用できる。
本発明の表示装置及び照明装置は、いずれも上記本発明の発光モジュールを光源とする。本発明の表示装置及び照明装置によれば、上述と同様の理由により、小型化及び高光束化が可能な上、発光素子から発せられた熱を効率良く放熱することができる。
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。なお、参照する図面においては、実質的に同一の機能を有する構成要素を同一の符号で示し、重複する説明を省略する場合がある。
(第1実施形態)
まず、本発明の第1実施形態に係る発光モジュールについて図1A〜C及び図2を参照して説明する。図1Aは、本発明の第1実施形態に係る発光モジュールの平面図である。また、図1Bは図1AのI-I線断面図であり、図1Cは図1AのII-II線断面図である。また、図2は図1Aの各素子間の接続方法を示す回路図である。
図1Aに示すように、発光モジュール1は、実装基板10と、実装基板10上に実装された、2つの発光素子11,11からなる発光素子ユニット12とを含む。
図1B,Cに示すように、実装基板10は、金属板材13と、金属板材13上に順次形成された基材14及びバリスタ層15と、基材14及びバリスタ層15を貫通して設けられた2つのサーマルビア16,16とを含む。サーマルビア16は、いずれも金属板材13と接触している。なお、金属板材13の厚みは、例えば0.1〜2mm程度である。また、本実施形態では金属板材13を使用しているが、金属板材13はなくてもよい。
図1Bに示すように、バリスタ層15は、誘電体層17と、誘電体層17内に設けられた、1対の導体層18,18とを含む。そして、1対の導体層18,18は、互いの一部が対向するように配置されている。
図1A〜Cに示すように、発光素子11は、その光取り出し側の主面11aに設けられた電極19、ワイヤ5、バリスタ層15上に設けられた導体パターン6及びバリスタ層15を貫通して設けられたビア導体7を介して、それぞれ異なる導体層18と電気的に接続されている。即ち、図2に示すような接続方法によって各素子間が接続されている。
図1Cに示すように、サーマルビア16のそれぞれは、発光素子の主面11aとは反対側に位置する裏面11bに接触するように配置されている。また、図1A,Cに示すように、サーマルビア16と導体層18とは、誘電体層17を介して電気的に絶縁されている。
以上のような構成を有する発光モジュール1によれば、実装基板10がバリスタ層15を含むため、小型化及び高光束化が可能な上、発光素子11の裏面11bと接触するサーマルビア16を含むため、発光素子11から発せられた熱を金属板材13から効率良く放熱することができる。
次に、上述した発光モジュール1の好適な製造方法について説明する。参照する図3A〜Jは、発光モジュール1の好適な製造方法を示す工程別断面図である。なお、図3A〜Jは、図1AのIII-III矢視方向から見た断面図である。
まず、基材14(図1B参照)となるアルミナグリーンシート23を用意する(図3A参照)。次に、図3Bに示すように、パンチング加工等の手段により、アルミナグリーンシート23にサーマルビア16(図1C参照)を設けるための孔部23a(径:200〜1500μm)を形成する。そして、図3Cに示すように、MoやW等からなる金属板材13とアルミナグリーンシート23とを積層して、これらを1600℃程度の温度で焼成する。
続いて、図3Dに示すように、誘電体材料からなるバリスタグリーンシート8を用意する。そして、図3Eに示すように、パンチング加工やレーザー加工等の手段により、孔部23a(図3B参照)と連通する孔部8aと、ビア導体7(図1B参照)を設けるための孔部8b(径:50〜500μm)を形成する。
続いて、図3Fに示すように、アルミナグリーンシート23上にバリスタグリーンシート8を積層する。この際、バリスタグリーンシート8の孔部8aとアルミナグリーンシート23の孔部23aとが連通するように位置合わせする。
次に、図3Gに示すように、例えばスクリーン印刷等の手段により孔部8a,8b,23aに銀ペースト9を充填し、かつ導体層18を形成する。なお、銀ペースト9を用いずに、めっきにより孔部8a,8b,23aに金属(例えば銅等)を充填してもよい。また、導体層18についても、金属(例えば銀等)を蒸着することによって形成してもよい。そして、図3D〜Gの操作を複数回繰り返した後、これらを900℃程度の温度で焼成することにより、実装基板10が形成される(図3H)。
続いて、サーマルビア16上の導体パターン6にAuめっき処理を施して、図3Iに示すように、この導体パターン6上に発光素子11をダイボンディングする。そして、図3Jに示すように、発光素子11の光取り出し側の主面11aに設けられた電極19(図1A参照)と導体パターン6とをワイヤ5により電気的に接続して、発光モジュール1が得られる。
以上、本発明の第1実施形態に係る発光モジュール1について説明したが、本発明はこれに限定されない。例えば、図4A,Bに示すように、4つの発光素子11が直列接続された発光素子ユニット12を用いてもよい。また、各素子間の接続方法も上記実施形態には限定されず、例えば図5A〜Cに示すように接続してもよい。
(第2実施形態)
次に、本発明の第2実施形態に係る発光モジュールについて図6A〜Cを参照して説明する。図6Aは、本発明の第2実施形態に係る発光モジュールの平面図である。また、図6Bは図6AのIV-IV線断面図であり、図6Cは図6AのV-V線断面図である。
図6A〜Cに示すように、発光モジュール2は、上述した発光モジュール1(図1A〜C参照)に対し、実装基板10の構成のみが異なる。発光モジュール2の実装基板10は、金属からなる基材14と、基材14上に順次積層されたバリスタ層15及びガラスセラミック層20とを含む。ガラスセラミック層20の構成材料としては、例えばアルミナセラミック粉末と、ホウケイ酸カルシウム/アルミニウム/ガラスからなる混合粉末とを50:50の質量比で混合したものなどを使用することができる。また、サーマルビア16は、ガラスセラミック層20及びバリスタ層15を貫通して形成され、かつ基材14と接触している。その他は、上述した発光モジュール1と同様である。よって、発光モジュール2によっても発光モジュール1と同様の効果を発揮させることができる。
次に、上述した発光モジュール2の好適な製造方法について説明する。参照する図7A〜Jは、発光モジュール2の好適な製造方法を示す工程別断面図である。なお、図7A〜Jは、図6AのVI-VI矢視方向から見た断面図である。
まず、誘電体材料からなるバリスタグリーンシート8を用意する(図7A参照)。そして、図7Bに示すように、パンチング加工等の手段により、バリスタグリーンシート8にサーマルビア16(図6C参照)を設けるための孔部8a(径:200〜1500μm)と、ビア導体7(図6B参照)を設けるための孔部8b(径:50〜500μm)とを形成する。
次に、Cu、Fe等からなる基材14を用意し、バリスタグリーンシート8と基材14とを積層する(図7C参照)。
次に、図7Dに示すように、例えばスクリーン印刷等の手段により孔部8a,8bに銀ペースト9を充填し、かつ導体層18を形成する。なお、銀ペースト9を用いずに、めっきにより孔部8a,8bに金属(例えば銅等)を充填してもよい。また、導体層18についても、金属(例えば銀等)を蒸着することによって形成してもよい。そして、図7A〜Dの操作を複数回繰り返す(図7E)。
次に、ガラスセラミック層20(図6B参照)となるガラスセラミックグリーンシート25を用意する(図7F参照)。なお、ガラスセラミックグリーンシート25の厚みは、例えば5〜500μm程度である。
続いて、図7Gに示すように、パンチング加工やレーザー加工等の手段により、孔部8a(図7B参照)と連通する孔部25aと、孔部8b(図7B参照)と連通する孔部25bを形成する。
そして、図7Hに示すように、バリスタグリーンシート8上にガラスセラミックグリーンシート25を積層し、孔部25a,25bに銀ペースト9を充填した後、これらを900℃程度の温度で焼成することにより、実装基板10が形成される。この焼成の際、バリスタグリーンシート8がガラスセラミックグリーンシート25で覆われているため、バリスタグリーンシート8の成分が大気中へ飛散するのを防止できる。これにより、バリスタ層15(図6B参照)のバリスタ特性の劣化を防ぐことができる。
続いて、サーマルビア16上の導体パターン6にAuめっき処理を施して、図7Iに示すように、この導体パターン6上に発光素子11をダイボンディングする。そして、図7Jに示すように、発光素子11の光取り出し側の主面11aに設けられた電極19(図6A参照)と導体パターン6とをワイヤ5により電気的に接続して、発光モジュール2が得られる。
(第3実施形態)
次に、本発明の第3実施形態に係る表示装置(画像表示装置)について図面を参照して説明する。参照する図8は、本発明の第3実施形態に係る画像表示装置の斜視図である。
図8に示すように、画像表示装置3は、パネル30を有しており、このパネル30の一主面30aには、光源として、上述した第1又は第2実施形態に係る発光モジュール31がマトリクス状に複数配置されている。このように構成された画像表示装置3は、上述した第1又は第2実施形態に係る発光モジュール31を光源とするため、小型化及び高光束化が可能な上、熱劣化を抑制できる画像表示装置を提供できる。
(第4実施形態)
次に、本発明の第4実施形態に係る照明装置(スタンド型照明装置)について図面を参照して説明する。参照する図9は、本発明の第4実施形態に係るスタンド型照明装置の斜視図である。
図9に示すように、スタンド型照明装置4は、胴部40と、胴部40の一端に固定され、胴部40を支える基部41と、胴部40の他端に固定された照明部42とを含む。そして、照明部42の一主面42aには、光源として、上述した第1又は第2実施形態に係る発光モジュール43がマトリクス状に複数配置されている。このように構成されたスタンド型照明装置4は、上述した第1又は第2実施形態に係る発光モジュール43を光源とするため、小型化及び高光束化が可能な上、熱劣化を抑制できるスタンド型照明装置を提供できる。
本発明は、例えば、一般照明、演出照明(サイン灯等)、バックライト、イルミネーションランプ、ディスプレイ等に有用である。
Aは本発明の第1実施形態に係る発光モジュールの平面図であり、BはAのI-I線断面図であり、CはAのII-II線断面図である。 本発明の第1実施形態に係る発光モジュールの各素子間の接続方法を示す回路図である。 A〜Jは、本発明の第1実施形態に係る発光モジュールの好適な製造方法を示す工程別断面図である。 Aは本発明の第1実施形態に係る発光モジュールの変形例を示す平面図であり、BはAの各素子間の接続方法を示す回路図である。 A〜Cは、本発明の第1実施形態に係る発光モジュールの変形例における各素子間の接続方法を示す回路図である。 Aは本発明の第2実施形態に係る発光モジュールの平面図であり、BはAのIV-IV線断面図であり、CはAのV-V線断面図である。 A〜Jは、本発明の第2実施形態に係る発光モジュールの好適な製造方法を示す工程別断面図である。 本発明の第3実施形態に係る画像表示装置の斜視図である。 本発明の第4実施形態に係るスタンド型照明装置の斜視図である。
符号の説明
1,2,31,43 発光モジュール
3 画像表示装置(表示装置)
4 スタンド型照明装置(照明装置)
5 ワイヤ
6 導体パターン
7 ビア導体
8 バリスタグリーンシート
8a,8b,23a,25a,25b 孔部
9 銀ペースト
10 実装基板
11 発光素子
11a 主面
11b 裏面
12 発光素子ユニット
13 金属板材
14 基材
15 バリスタ層
16 サーマルビア
17 誘電体層
18 導体層
19 電極
20 ガラスセラミック層
23 アルミナグリーンシート
25 ガラスセラミックグリーンシート
30 パネル
30a 一主面
40 胴部
41 基部
42 照明部
42a 一主面

Claims (5)

  1. 実装基板と、前記実装基板上に実装された発光素子ユニットとを含む発光モジュールであって、
    前記実装基板は、基材と、前記基材上に形成されたバリスタ層と、前記バリスタ層を貫通して設けられた複数のサーマルビアとを含み、
    前記バリスタ層は、誘電体層と、前記誘電体層内に設けられた、少なくとも1対の導体層とを含み、
    前記1対の導体層は、互いの少なくとも一部が対向するように配置されており、
    前記発光素子ユニットは、直列接続された複数の発光素子を含み、かつ、その両端が、異なる前記導体層のそれぞれと電気的に接続されており、
    それぞれの前記発光素子は、その光取り出し側の主面に設けられた電極と、前記電極に接続するワイヤとを介して前記実装基板に実装されており、
    前記サーマルビアのそれぞれは、前記発光素子の前記主面とは反対側に位置する裏面に接触するように配置されており、
    前記サーマルビアと前記導体層とは、電気的に絶縁されていることを特徴とする発光モジュール。
  2. 前記発光素子ユニットを複数含む請求項1に記載の発光モジュール。
  3. 前記基材は、金属からなる請求項1に記載の発光モジュール。
  4. 請求項1〜3のいずれか1項に記載の発光モジュールを光源とする表示装置。
  5. 請求項1〜3のいずれか1項に記載の発光モジュールを光源とする照明装置。
JP2006073327A 2006-03-16 2006-03-16 発光モジュールとこれを用いた表示装置及び照明装置 Withdrawn JP2007250899A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006073327A JP2007250899A (ja) 2006-03-16 2006-03-16 発光モジュールとこれを用いた表示装置及び照明装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006073327A JP2007250899A (ja) 2006-03-16 2006-03-16 発光モジュールとこれを用いた表示装置及び照明装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2007250899A true JP2007250899A (ja) 2007-09-27

Family

ID=38594860

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006073327A Withdrawn JP2007250899A (ja) 2006-03-16 2006-03-16 発光モジュールとこれを用いた表示装置及び照明装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2007250899A (ja)

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011522414A (ja) * 2008-05-27 2011-07-28 インテマティックス・コーポレーション 発光機器
JP2011151268A (ja) * 2010-01-22 2011-08-04 Sharp Corp 発光装置
JP2011524082A (ja) * 2008-05-21 2011-08-25 エプコス アクチエンゲゼルシャフト バリスタおよび半導体構成要素を備える電気的構成要素アセンブリ
JP2011211154A (ja) * 2010-03-12 2011-10-20 Asahi Glass Co Ltd 発光装置
JP2014179653A (ja) * 2014-06-05 2014-09-25 Sharp Corp 発光装置
US9024334B2 (en) 2009-11-13 2015-05-05 Sharp Kabushiki Kaisha Light-emitting device having a plurality of concentric light transmitting areas
WO2020135497A1 (en) * 2018-12-26 2020-07-02 Xiamen Chaoxuan Photoelectric Technology Co., Ltd. System and device with laser array illumination
JP2020123690A (ja) * 2019-01-31 2020-08-13 日機装株式会社 光照射装置
CN114242914A (zh) * 2021-12-17 2022-03-25 固安翌光科技有限公司 一种oled器件
US11362476B2 (en) 2016-09-12 2022-06-14 Guangyi (Xiamen) Technology Co., Ltd. System and device with laser array illumination

Cited By (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011524082A (ja) * 2008-05-21 2011-08-25 エプコス アクチエンゲゼルシャフト バリスタおよび半導体構成要素を備える電気的構成要素アセンブリ
US9196402B2 (en) 2008-05-21 2015-11-24 Epcos Ag Electronic component assembly comprising a varistor and a semiconductor component
JP2011522414A (ja) * 2008-05-27 2011-07-28 インテマティックス・コーポレーション 発光機器
TWI462262B (zh) * 2008-05-27 2014-11-21 Interlight Optotech Corp 發光元件
US9024334B2 (en) 2009-11-13 2015-05-05 Sharp Kabushiki Kaisha Light-emitting device having a plurality of concentric light transmitting areas
US9607970B2 (en) 2009-11-13 2017-03-28 Sharp Kabushiki Kaisha Light-emitting device having a plurality of concentric light transmitting areas
US9231023B2 (en) 2009-11-13 2016-01-05 Sharp Kabushiki Kaisha Light-emitting device having a plurality of concentric light transmitting areas
US9966367B2 (en) 2010-01-22 2018-05-08 Sharp Kabushiki Kaisha Light emitting device
US9679942B2 (en) 2010-01-22 2017-06-13 Sharp Kabushiki Kaisha Light emitting device
JP2011151268A (ja) * 2010-01-22 2011-08-04 Sharp Corp 発光装置
US8723195B2 (en) 2010-01-22 2014-05-13 Sharp Kabushiki Kaisha Light emitting device with plurality of LED chips and/or electrode wiring pattern
US9312304B2 (en) 2010-01-22 2016-04-12 Sharp Kabushiki Kaisha LED illuminating device comprising light emitting device including LED chips on single substrate
US9425236B2 (en) 2010-01-22 2016-08-23 Sharp Kabushiki Kaisha Light emitting device
US9093357B2 (en) 2010-01-22 2015-07-28 Sharp Kabushiki Kaisha Light emitting device
JP2011211154A (ja) * 2010-03-12 2011-10-20 Asahi Glass Co Ltd 発光装置
JP2014179653A (ja) * 2014-06-05 2014-09-25 Sharp Corp 発光装置
US11362476B2 (en) 2016-09-12 2022-06-14 Guangyi (Xiamen) Technology Co., Ltd. System and device with laser array illumination
WO2020135497A1 (en) * 2018-12-26 2020-07-02 Xiamen Chaoxuan Photoelectric Technology Co., Ltd. System and device with laser array illumination
JP2020123690A (ja) * 2019-01-31 2020-08-13 日機装株式会社 光照射装置
JP7210305B2 (ja) 2019-01-31 2023-01-23 日機装株式会社 流体殺菌装置
CN114242914A (zh) * 2021-12-17 2022-03-25 固安翌光科技有限公司 一种oled器件
CN114242914B (zh) * 2021-12-17 2024-03-05 固安翌光科技有限公司 一种oled器件

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2007250899A (ja) 発光モジュールとこれを用いた表示装置及び照明装置
JP3469890B2 (ja) 発光ダイオード及びこれを用いた発光装置とその製造方法
JP4789671B2 (ja) 発光素子用配線基板ならびに発光装置
CN101725854B (zh) 发光模块及照明装置
JP4804109B2 (ja) 発光素子用配線基板および発光装置並びに発光素子用配線基板の製造方法
JP2006093565A (ja) 発光素子用配線基板ならびに発光装置およびその製造方法
JP2008109079A (ja) 表面実装型発光素子用配線基板および発光装置
TW200921949A (en) Light emitting device and method of manufacturing the same
JP2012089555A (ja) 発光素子搭載用基板、発光装置およびこれらの製造方法
JP2006066519A (ja) 発光素子用配線基板ならびに発光装置
JP6511887B2 (ja) 発光装置
JP2016171147A (ja) 発光装置および照明装置
JP4780939B2 (ja) 発光装置
KR101135740B1 (ko) 발광 광원 및 그 제조 방법
JP2007227737A (ja) 発光素子用配線基板ならびに発光装置
JP2011233775A (ja) 半導体パッケージおよび半導体発光装置
JP5056327B2 (ja) 発光装置
JP2007220830A (ja) 発光モジュールとこれを用いた表示装置及び照明装置
JP2006156447A (ja) 発光素子用配線基板ならびに発光装置およびその製造方法
JP2007227738A (ja) 発光素子用配線基板ならびに発光装置
JP2007149810A (ja) 発光素子用配線基板および発光装置
JP2010245258A (ja) 配線基板および発光装置
JP2007123481A (ja) 発光素子用配線基板ならびに発光装置
JP2006066409A (ja) 発光素子用配線基板および発光装置ならびに発光素子用配線基板の製造方法
JP2008159937A (ja) 発光素子用集合基板および発光装置集合基板

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20090602