JP3469890B2 - 発光ダイオード及びこれを用いた発光装置とその製造方法 - Google Patents
発光ダイオード及びこれを用いた発光装置とその製造方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は発光ダイオード、こ
れを用いた発光装置及びその製造方法に関するものとし
て、詳しくは放熱特性に優れ大面積のディスプレイ及び
照明設備に適する高密度実装用発光ダイオード及びこれ
を用いた発光装置とその製造方法に関するものである。
れを用いた発光装置及びその製造方法に関するものとし
て、詳しくは放熱特性に優れ大面積のディスプレイ及び
照明設備に適する高密度実装用発光ダイオード及びこれ
を用いた発光装置とその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】発光ダイオード(以下、ＬＥＤという。)
は固体発光表示素子(indicator)の一種である。ＬＥＤ
は光の３原色である赤(Ｒ)、緑(Ｇ)、青(Ｂ)を含んだ単
色ＬＥＤから、より多様な分野に応用できる白色光(Ｗ)
ＬＥＤが具現された。最近はランプ形態のＬＥＤから基
板に実装が容易なチップ(ＳＭＤ)形態のＬＥＤに発展し
大面積の高密度ＬＥＤ実装がより可能になった。これに
伴ってＬＥＤの応用分野は一般表示装置からディスプレ
イのバックライト用発光源はもちろん、白熱電球や蛍光
ランプ、街灯を代替できる次世代照明設備へと漸次その
活用範囲が拡大しつつある。ＬＥＤ照明設備の場合、一
般蛍光灯とは異なって点灯回路が単純でインバータ回路
と鉄心安定器が不要である。更に、ＬＥＤを用いた照明
設備は蛍光灯に比して電力消耗が少なく寿命が１０倍以
上長い為維持や補修費を省けるという長所がある。
は固体発光表示素子(indicator)の一種である。ＬＥＤ
は光の３原色である赤(Ｒ)、緑(Ｇ)、青(Ｂ)を含んだ単
色ＬＥＤから、より多様な分野に応用できる白色光(Ｗ)
ＬＥＤが具現された。最近はランプ形態のＬＥＤから基
板に実装が容易なチップ(ＳＭＤ)形態のＬＥＤに発展し
大面積の高密度ＬＥＤ実装がより可能になった。これに
伴ってＬＥＤの応用分野は一般表示装置からディスプレ
イのバックライト用発光源はもちろん、白熱電球や蛍光
ランプ、街灯を代替できる次世代照明設備へと漸次その
活用範囲が拡大しつつある。ＬＥＤ照明設備の場合、一
般蛍光灯とは異なって点灯回路が単純でインバータ回路
と鉄心安定器が不要である。更に、ＬＥＤを用いた照明
設備は蛍光灯に比して電力消耗が少なく寿命が１０倍以
上長い為維持や補修費を省けるという長所がある。
【０００３】前記照明設備に応用される白色ＬＥＤの代
表例として、特開２０００-３１５８２６号公報にはＬ
ＥＤと蛍光体(phosphor)とから成る発光素子が開示され
ている。前記特開２０００-３１５８２６号公報による
発光素子は図１５（ａ）、（ｂ）に示す如く、セラミッ
ク基板３０１に実装された青色ＬＥＤ３０３、青色ＬＥ
Ｄチップ３０３を覆っている第１透明性コーティング部
３０６、前記ＬＥＤチップ及び第１透明性コーティング
部上に配置されて蛍光物質を含有する第２透明性コーテ
ィング部３０６ａ及び前記ＬＥＤチップとワイヤー３０
５により電気的に接続された電極３０４とを含んで成
る。こうした発光装置はＬＥＤチップから放たれる可視
光と、該可視光を吸収し異なる可視光を放つ蛍光物質か
ら放たれる光との混合光である白色光を照射する。前記
発光装置は発光効率が優れ均一な白色の混色光を誘導で
きる。この他にも白色光を具現できるＬＥＤは多数提案
されている(米国特許第５,９９８,９２５号、第６,０６
９,４４０号)。
表例として、特開２０００-３１５８２６号公報にはＬ
ＥＤと蛍光体(phosphor)とから成る発光素子が開示され
ている。前記特開２０００-３１５８２６号公報による
発光素子は図１５（ａ）、（ｂ）に示す如く、セラミッ
ク基板３０１に実装された青色ＬＥＤ３０３、青色ＬＥ
Ｄチップ３０３を覆っている第１透明性コーティング部
３０６、前記ＬＥＤチップ及び第１透明性コーティング
部上に配置されて蛍光物質を含有する第２透明性コーテ
ィング部３０６ａ及び前記ＬＥＤチップとワイヤー３０
５により電気的に接続された電極３０４とを含んで成
る。こうした発光装置はＬＥＤチップから放たれる可視
光と、該可視光を吸収し異なる可視光を放つ蛍光物質か
ら放たれる光との混合光である白色光を照射する。前記
発光装置は発光効率が優れ均一な白色の混色光を誘導で
きる。この他にも白色光を具現できるＬＥＤは多数提案
されている(米国特許第５,９９８,９２５号、第６,０６
９,４４０号)。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、こうしたＬ
ＥＤを用いた応用製品の特性劣化及び故障に係わる最大
の原因に挙げられるものは熱的ストレス(thermal stres
s)である。前記提案された諸ＬＥＤチップはもちろん一
般のＬＥＤチップを図１５（ｂ）の如く、直接同一基板
上に高密度実装し信号灯や照明設備等に用いる場合にＬ
ＥＤチップはより多くの熱を発散し、総発光面積に比例
して放熱量が増大する傾向を呈する。特に、青色ＬＥＤ
の場合、他の色の高輝度ＬＥＤに比して相対的に高い駆
動電圧を有する為に温度が増加する現象を見せる。その
上、照明設備の面積が大きいほど、ＬＥＤチップが高密
度に実装されるほど、ＬＥＤの特性劣化及び故障の発生
がより甚だしいことと思われる。また、既存の発光装置
は図１５（ｂ）の如き構造を有し放熱特性が良好ではな
く大面積の高密度ＬＥＤチップ実装に限界がある。
ＥＤを用いた応用製品の特性劣化及び故障に係わる最大
の原因に挙げられるものは熱的ストレス(thermal stres
s)である。前記提案された諸ＬＥＤチップはもちろん一
般のＬＥＤチップを図１５（ｂ）の如く、直接同一基板
上に高密度実装し信号灯や照明設備等に用いる場合にＬ
ＥＤチップはより多くの熱を発散し、総発光面積に比例
して放熱量が増大する傾向を呈する。特に、青色ＬＥＤ
の場合、他の色の高輝度ＬＥＤに比して相対的に高い駆
動電圧を有する為に温度が増加する現象を見せる。その
上、照明設備の面積が大きいほど、ＬＥＤチップが高密
度に実装されるほど、ＬＥＤの特性劣化及び故障の発生
がより甚だしいことと思われる。また、既存の発光装置
は図１５（ｂ）の如き構造を有し放熱特性が良好ではな
く大面積の高密度ＬＥＤチップ実装に限界がある。
【０００５】本発明は、このような従来の課題に鑑みて
なされたものであり、その目的は、放熱性が優れ高密度
実装に適したＬＥＤを提供することである。本発明の異
なる目的は、こうしたＬＥＤを容易に製造せしめる方法
を提供することである。
なされたものであり、その目的は、放熱性が優れ高密度
実装に適したＬＥＤを提供することである。本発明の異
なる目的は、こうしたＬＥＤを容易に製造せしめる方法
を提供することである。
【０００６】本発明の更に異なる目的は、前記ＬＥＤを
用いて大面積に高密度実装する場合にも放熱特性の優れ
た発光装置を提供することである。また、本発明の他の
目的は、こうした発光装置を容易に製造せしめる方法を
提供することである。そして、本発明の更に異なる他の
目的は、こうした発光装置を用いた大面積の発光ユニッ
トアセンブリー(light emitting unit assembly for la
rge area)を提供することである。
用いて大面積に高密度実装する場合にも放熱特性の優れ
た発光装置を提供することである。また、本発明の他の
目的は、こうした発光装置を容易に製造せしめる方法を
提供することである。そして、本発明の更に異なる他の
目的は、こうした発光装置を用いた大面積の発光ユニッ
トアセンブリー(light emitting unit assembly for la
rge area)を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記目的を成し遂げる為
に、本発明によるＬＥＤは、１個の放熱穴(a hole for
heat sink)を設けるセラミック基板と、前記セラミック
基板上に位置されＬＥＤ素子を実装できるよう前記放熱
穴を覆う一定形態の補助セラミックシートと、前記補助
セラミックシート上で前記放熱穴を中心に一定パターン
を形成する電極と、前記電極とワイヤーにより電気的に
接続され前記補助セラミックシート上に実装されるＬＥ
Ｄ素子と、前記ＬＥＤ素子を囲みながら補助セラミック
シート上に積層される上部セラミックシートと、前記上
部セラミックシート内のＬＥＤ素子を密封する絶縁層と
を備えたことを要旨とする。従って、放熱性が優れ高密
度実装に適したものとなる。前記放熱穴の内側には前記
補助セラミックシートとセラミック基板の接触部分に沿
って金属ペーストが塗布されることを要旨とする。前記
放熱穴の内側には金属ペーストが充填されることを要旨
とする。前記放熱穴の内側に充填される金属ペーストの
下部には前記セラミック基板に沿って金属板が付着され
ることを要旨とする。前記放熱穴の内側には金属ペース
トが充填され前記セラミック基板の下部には金属ペース
トが塗布されることを要旨とする。前記放熱穴の内側に
は金属塊(lump or slug)が挿入されることを要旨とす
る。前記セラミック基板及び補助セラミックシート又は
当該セラミック基板若しくは補助セラミックシートはア
ルミナまたはＳｉＣであることを要旨とする。前記電極
はセラミック基板側からＡｇ、Ｎｉ及びＡｕ層で成るこ
とを要旨とする。前記絶縁層はエポキシまたはＳｉ系透
明性樹脂であることを要旨とする。前記補助セラミック
シートはＬＥＤ素子の下部に１個の放熱穴を更に設ける
ことを要旨とする。
に、本発明によるＬＥＤは、１個の放熱穴(a hole for
heat sink)を設けるセラミック基板と、前記セラミック
基板上に位置されＬＥＤ素子を実装できるよう前記放熱
穴を覆う一定形態の補助セラミックシートと、前記補助
セラミックシート上で前記放熱穴を中心に一定パターン
を形成する電極と、前記電極とワイヤーにより電気的に
接続され前記補助セラミックシート上に実装されるＬＥ
Ｄ素子と、前記ＬＥＤ素子を囲みながら補助セラミック
シート上に積層される上部セラミックシートと、前記上
部セラミックシート内のＬＥＤ素子を密封する絶縁層と
を備えたことを要旨とする。従って、放熱性が優れ高密
度実装に適したものとなる。前記放熱穴の内側には前記
補助セラミックシートとセラミック基板の接触部分に沿
って金属ペーストが塗布されることを要旨とする。前記
放熱穴の内側には金属ペーストが充填されることを要旨
とする。前記放熱穴の内側に充填される金属ペーストの
下部には前記セラミック基板に沿って金属板が付着され
ることを要旨とする。前記放熱穴の内側には金属ペース
トが充填され前記セラミック基板の下部には金属ペース
トが塗布されることを要旨とする。前記放熱穴の内側に
は金属塊(lump or slug)が挿入されることを要旨とす
る。前記セラミック基板及び補助セラミックシート又は
当該セラミック基板若しくは補助セラミックシートはア
ルミナまたはＳｉＣであることを要旨とする。前記電極
はセラミック基板側からＡｇ、Ｎｉ及びＡｕ層で成るこ
とを要旨とする。前記絶縁層はエポキシまたはＳｉ系透
明性樹脂であることを要旨とする。前記補助セラミック
シートはＬＥＤ素子の下部に１個の放熱穴を更に設ける
ことを要旨とする。
【０００８】また、前記目的を成し遂げる為に、本発明
によるＬＥＤの製造方法は、１個の放熱穴を設けるセラ
ミック基板を備える段階と、前記セラミック基板上に補
助セラミックシートを積層する段階と、前記補助セラミ
ックシート上に前記放熱穴を中心に両側に一定形態のパ
ターン電極を設ける段階と、前記パターン電極の一部が
露出されるよう所定形状の開口部(opening)を設ける上
部セラミックシートを前記セラミック基板上に積層する
段階と、前記積層されるセラミック基板を同時焼成(co-
fire)する段階と、前記補助セラミック基板のパターン
電極上に電極を設けた後に放熱穴と対向する位置でＬＥ
Ｄ素子を補助セラミックシート上に実装する段階と、前
記電極とＬＥＤ素子を各々電気的に接続させた後に前記
上部セラミックシート内のＬＥＤ素子を絶縁樹脂で密封
する段階とを備えたことを要旨とする。従って、放熱性
が優れ高密度実装に適したＬＥＤを容易に製造せしめ
る。前記セラミック基板及び補助セラミックシート又は
当該セラミック基板若しくは補助セラミックシートはア
ルミナまたはＳｉＣを用いることを要旨とする。前記電
極はセラミック基板上のＡｇペースト層にＮｉ及びＡｕ
層をめっきして成ることを要旨とする。前記絶縁樹脂は
エポキシまたはＳｉ系透明性樹脂を用いて充填すること
を要旨とする。前記積層されるセラミック基板は８００
〜１０５０℃で同時焼成されることを要旨とする。前記
放熱穴の内側には前記補助セラミックシートとセラミッ
ク基板との接触部分に沿って金属ペーストを塗布するこ
とを要旨とする。前記放熱穴の内側には金属ペーストを
充填することを要旨とする。前記放熱穴の内側に金属ペ
ーストを充填し前記セラミック基板の下部に金属板を付
着することを要旨とする。前記放熱穴の内側には金属ペ
ーストを充填し前記セラミック基板の下部に金属ペース
トを塗布することを要旨とする。前記放熱穴の内側には
金属塊(lump or slug)を挿入することを要旨とする。前
記補助セラミックシートには前記放熱穴より小さくＬＥ
Ｄ素子より小さい他放熱穴を更に設けることを要旨とす
る。
によるＬＥＤの製造方法は、１個の放熱穴を設けるセラ
ミック基板を備える段階と、前記セラミック基板上に補
助セラミックシートを積層する段階と、前記補助セラミ
ックシート上に前記放熱穴を中心に両側に一定形態のパ
ターン電極を設ける段階と、前記パターン電極の一部が
露出されるよう所定形状の開口部(opening)を設ける上
部セラミックシートを前記セラミック基板上に積層する
段階と、前記積層されるセラミック基板を同時焼成(co-
fire)する段階と、前記補助セラミック基板のパターン
電極上に電極を設けた後に放熱穴と対向する位置でＬＥ
Ｄ素子を補助セラミックシート上に実装する段階と、前
記電極とＬＥＤ素子を各々電気的に接続させた後に前記
上部セラミックシート内のＬＥＤ素子を絶縁樹脂で密封
する段階とを備えたことを要旨とする。従って、放熱性
が優れ高密度実装に適したＬＥＤを容易に製造せしめ
る。前記セラミック基板及び補助セラミックシート又は
当該セラミック基板若しくは補助セラミックシートはア
ルミナまたはＳｉＣを用いることを要旨とする。前記電
極はセラミック基板上のＡｇペースト層にＮｉ及びＡｕ
層をめっきして成ることを要旨とする。前記絶縁樹脂は
エポキシまたはＳｉ系透明性樹脂を用いて充填すること
を要旨とする。前記積層されるセラミック基板は８００
〜１０５０℃で同時焼成されることを要旨とする。前記
放熱穴の内側には前記補助セラミックシートとセラミッ
ク基板との接触部分に沿って金属ペーストを塗布するこ
とを要旨とする。前記放熱穴の内側には金属ペーストを
充填することを要旨とする。前記放熱穴の内側に金属ペ
ーストを充填し前記セラミック基板の下部に金属板を付
着することを要旨とする。前記放熱穴の内側には金属ペ
ーストを充填し前記セラミック基板の下部に金属ペース
トを塗布することを要旨とする。前記放熱穴の内側には
金属塊(lump or slug)を挿入することを要旨とする。前
記補助セラミックシートには前記放熱穴より小さくＬＥ
Ｄ素子より小さい他放熱穴を更に設けることを要旨とす
る。
【０００９】更に、前記目的を成し遂げる為に、本発明
によるＬＥＤは、１個の放熱穴(a hole for heat sink)
を設け該穴の両側に一定形態の電極を設けたセラミック
基板と、前記セラミック基板上に位置されＬＥＤ素子を
実装できるよう前記放熱穴を覆う一定形態の補助セラミ
ックシートと、前記電極とワイヤーによって電気的に接
続され前記補助セラミックシート上に実装されたＬＥＤ
素子と、前記ＬＥＤ素子を囲みながらセラミック基板上
に設けられた上部セラミックシートと、及び前記上部セ
ラミックシート内のＬＥＤ素子を密封している絶縁層と
を含んで成る。従って、放熱性が優れ高密度実装に適し
たものとなる。前記補助セラミックシートはＬＥＤ素子
の下部に１個の放熱穴を更に設けることを要旨とする。
によるＬＥＤは、１個の放熱穴(a hole for heat sink)
を設け該穴の両側に一定形態の電極を設けたセラミック
基板と、前記セラミック基板上に位置されＬＥＤ素子を
実装できるよう前記放熱穴を覆う一定形態の補助セラミ
ックシートと、前記電極とワイヤーによって電気的に接
続され前記補助セラミックシート上に実装されたＬＥＤ
素子と、前記ＬＥＤ素子を囲みながらセラミック基板上
に設けられた上部セラミックシートと、及び前記上部セ
ラミックシート内のＬＥＤ素子を密封している絶縁層と
を含んで成る。従って、放熱性が優れ高密度実装に適し
たものとなる。前記補助セラミックシートはＬＥＤ素子
の下部に１個の放熱穴を更に設けることを要旨とする。
【００１０】また、前記目的を成し遂げる為に、本発明
によるＬＥＤの製造方法は、１個の放熱穴(a hole for
heat sink)を設けたセラミックシートを備え当該セラミ
ックシート上に一定形態のパターン電極を設けセラミッ
ク基板を製造する段階と、前記放熱穴を覆うよう前記セ
ラミック基板上に一定形態の補助セラミックシートを積
層する段階と、前記パターン電極の一部と補助セラミッ
クシートの一部または全部が露出されるよう所定形状の
開口部(opening)を設けた上部セラミックシートをセラ
ミック基板上に積層する段階と、前記セラミック基板を
同時焼成(co-fire)する段階と、前記セラミック基板の
パターン電極上に電極を設けた後、前記補助セラミック
シート上にＬＥＤ素子を実装する段階と、及び前記電極
とＬＥＤ素子を電気的に接続させた後、前記上部セラミ
ックシート内のＬＥＤ素子を絶縁樹脂で密封する段階と
を含んで成る。従って、放熱性が優れ高密度実装に適し
たＬＥＤを容易に製造せしめる。
によるＬＥＤの製造方法は、１個の放熱穴(a hole for
heat sink)を設けたセラミックシートを備え当該セラミ
ックシート上に一定形態のパターン電極を設けセラミッ
ク基板を製造する段階と、前記放熱穴を覆うよう前記セ
ラミック基板上に一定形態の補助セラミックシートを積
層する段階と、前記パターン電極の一部と補助セラミッ
クシートの一部または全部が露出されるよう所定形状の
開口部(opening)を設けた上部セラミックシートをセラ
ミック基板上に積層する段階と、前記セラミック基板を
同時焼成(co-fire)する段階と、前記セラミック基板の
パターン電極上に電極を設けた後、前記補助セラミック
シート上にＬＥＤ素子を実装する段階と、及び前記電極
とＬＥＤ素子を電気的に接続させた後、前記上部セラミ
ックシート内のＬＥＤ素子を絶縁樹脂で密封する段階と
を含んで成る。従って、放熱性が優れ高密度実装に適し
たＬＥＤを容易に製造せしめる。
【００１１】更に、前記目的を成し遂げる為に、本発明
によるＬＥＤは、１個の放熱穴を設けるセラミック基板
と、前記セラミック基板上に位置されＬＥＤ素子を実装
できるよう前記放熱穴を覆う補助セラミックシートと、
前記補助セラミックシート上で放熱穴を中心に両側に設
けられる一定形態の電極と、前記放熱穴と対向して補助
セラミックシートとＬＥＤとの間に位置し補助セラミッ
クシート上に設けられる一定パターンの他電極と、前記
補助セラミックシート上の他電極上に実装され補助セラ
ミック基板の電極とワイヤーにより電気的に接続される
ＬＥＤ素子と、前記ＬＥＤ素子を囲みながら補助セラミ
ックシート上に積層される上部セラミックシートと、前
記上部セラミックシート内のＬＥＤ素子を密封する絶縁
層とを備えたことを要旨とする。従って、放熱性が優れ
高密度実装に適したものとなる。
によるＬＥＤは、１個の放熱穴を設けるセラミック基板
と、前記セラミック基板上に位置されＬＥＤ素子を実装
できるよう前記放熱穴を覆う補助セラミックシートと、
前記補助セラミックシート上で放熱穴を中心に両側に設
けられる一定形態の電極と、前記放熱穴と対向して補助
セラミックシートとＬＥＤとの間に位置し補助セラミッ
クシート上に設けられる一定パターンの他電極と、前記
補助セラミックシート上の他電極上に実装され補助セラ
ミック基板の電極とワイヤーにより電気的に接続される
ＬＥＤ素子と、前記ＬＥＤ素子を囲みながら補助セラミ
ックシート上に積層される上部セラミックシートと、前
記上部セラミックシート内のＬＥＤ素子を密封する絶縁
層とを備えたことを要旨とする。従って、放熱性が優れ
高密度実装に適したものとなる。
【００１２】前記他の目的を成し遂げる為に、本発明に
よるＬＥＤを用いた発光装置は、多数個の放熱穴(holes
for heat sink)を設けるセラミック基板と、前記セラ
ミック基板上に位置されＬＥＤ素子を実装できるよう前
記放熱穴を覆う一定形態の補助セラミックシートと、前
記補助セラミックシート上で前記放熱穴を中心に設けら
れる一定パターンの電極と、前記電極とワイヤーにより
電気的に接続され前記補助セラミックシート上に実装さ
れるＬＥＤ素子と、前記ＬＥＤ素子を囲みながら補助セ
ラミックシート上に積層される上部セラミックシート
と、前記上部セラミックシート内のＬＥＤ素子を密封す
る絶縁層とを備えたことを要旨とする。従って、前記Ｌ
ＥＤを用いて大面積に高密度実装する場合にも放熱特性
の優れたものとする。前記補助セラミックシートは各々
のＬＥＤ素子の下部に１個の放熱穴を更に設けることを
要旨とする。
よるＬＥＤを用いた発光装置は、多数個の放熱穴(holes
for heat sink)を設けるセラミック基板と、前記セラ
ミック基板上に位置されＬＥＤ素子を実装できるよう前
記放熱穴を覆う一定形態の補助セラミックシートと、前
記補助セラミックシート上で前記放熱穴を中心に設けら
れる一定パターンの電極と、前記電極とワイヤーにより
電気的に接続され前記補助セラミックシート上に実装さ
れるＬＥＤ素子と、前記ＬＥＤ素子を囲みながら補助セ
ラミックシート上に積層される上部セラミックシート
と、前記上部セラミックシート内のＬＥＤ素子を密封す
る絶縁層とを備えたことを要旨とする。従って、前記Ｌ
ＥＤを用いて大面積に高密度実装する場合にも放熱特性
の優れたものとする。前記補助セラミックシートは各々
のＬＥＤ素子の下部に１個の放熱穴を更に設けることを
要旨とする。
【００１３】また、前記他の目的を成し遂げる為に、本
発明によるＬＥＤを用いた発光装置の製造方法は、多数
個の放熱穴を設けるセラミック基板を備える段階と、前
記セラミック基板上に補助セラミックシートを積層する
段階と、前記補助セラミックシート上で前記放熱穴を中
心に両側に一定形態のパターン電極を設ける段階と、前
記パターン電極の一部が露出されるよう所定形状の開口
部を設ける上部セラミックシートを補助セラミックシー
ト上に積層する段階と、前記積層されるセラミック基板
を同時焼成する段階と、前記補助セラミックシートのパ
ターン電極上に電極を設けた後に放熱穴と対向する位置
でＬＥＤ素子を補助セラミックシート上に実装する段階
と、前記電極とＬＥＤ素子を各々電気的に接続させた後
に前記上部セラミックシート内のＬＥＤ素子を絶縁樹脂
で密封する段階とを有することを要旨とする。従って、
前記ＬＥＤを用いて大面積に高密度実装する場合にも放
熱特性の優れたものとする発光装置を容易に製造せしめ
る。前記補助セラミックシートには前記放熱穴より小さ
くＬＥＤ素子より小さい他放熱穴を更に設けることを要
旨とする。
発明によるＬＥＤを用いた発光装置の製造方法は、多数
個の放熱穴を設けるセラミック基板を備える段階と、前
記セラミック基板上に補助セラミックシートを積層する
段階と、前記補助セラミックシート上で前記放熱穴を中
心に両側に一定形態のパターン電極を設ける段階と、前
記パターン電極の一部が露出されるよう所定形状の開口
部を設ける上部セラミックシートを補助セラミックシー
ト上に積層する段階と、前記積層されるセラミック基板
を同時焼成する段階と、前記補助セラミックシートのパ
ターン電極上に電極を設けた後に放熱穴と対向する位置
でＬＥＤ素子を補助セラミックシート上に実装する段階
と、前記電極とＬＥＤ素子を各々電気的に接続させた後
に前記上部セラミックシート内のＬＥＤ素子を絶縁樹脂
で密封する段階とを有することを要旨とする。従って、
前記ＬＥＤを用いて大面積に高密度実装する場合にも放
熱特性の優れたものとする発光装置を容易に製造せしめ
る。前記補助セラミックシートには前記放熱穴より小さ
くＬＥＤ素子より小さい他放熱穴を更に設けることを要
旨とする。
【００１４】更に、前記他の目的を成し遂げる為に、本
発明によるＬＥＤを用いた発光装置は、多数個の放熱穴
(holes for heat sink)を設け各穴の両側に一定形態の
電極を設けたセラミック基板と、前記セラミック基板上
に位置されＬＥＤ素子を実装できるよう前記各放熱穴を
覆う一定形態の補助セラミックシートと、前記各電極と
ワイヤーによって電気的に接続され前記補助セラミック
シート上に各々実装された多数個のＬＥＤ素子と、前記
多数個のＬＥＤ素子を囲みながらセラミック基板上に設
けられた上部セラミックシートと、及び前記上部セラミ
ックシート内のＬＥＤ素子を密封する絶縁層とを含んで
成る。従って、前記ＬＥＤを用いて大面積に高密度実装
する場合にも放熱特性の優れたものとする。前記補助セ
ラミックシートはセラミック基板上に位置され各々１個
の放熱穴を覆うよう独立した補助セラミックシートであ
ることを要旨とする。前記補助セラミックシートはセラ
ミック基板上に位置され各々少なくとも１個以上の放熱
穴を覆うよう独立した補助セラミックシートであること
を要旨とする。
発明によるＬＥＤを用いた発光装置は、多数個の放熱穴
(holes for heat sink)を設け各穴の両側に一定形態の
電極を設けたセラミック基板と、前記セラミック基板上
に位置されＬＥＤ素子を実装できるよう前記各放熱穴を
覆う一定形態の補助セラミックシートと、前記各電極と
ワイヤーによって電気的に接続され前記補助セラミック
シート上に各々実装された多数個のＬＥＤ素子と、前記
多数個のＬＥＤ素子を囲みながらセラミック基板上に設
けられた上部セラミックシートと、及び前記上部セラミ
ックシート内のＬＥＤ素子を密封する絶縁層とを含んで
成る。従って、前記ＬＥＤを用いて大面積に高密度実装
する場合にも放熱特性の優れたものとする。前記補助セ
ラミックシートはセラミック基板上に位置され各々１個
の放熱穴を覆うよう独立した補助セラミックシートであ
ることを要旨とする。前記補助セラミックシートはセラ
ミック基板上に位置され各々少なくとも１個以上の放熱
穴を覆うよう独立した補助セラミックシートであること
を要旨とする。
【００１５】また、前記他の目的を成し遂げる為に、本
発明によるＬＥＤを用いた発光装置の製造方法は、多数
個の放熱穴を設けたセラミックシートを備え当該セラミ
ックシート上に一定形態のパターン電極を設けてセラミ
ック基板を製造する段階と、前記各放熱穴を覆うよう前
記セラミック基板上に一定形態の補助セラミックシート
を積層する段階と、前記パターン電極の一部と補助セラ
ミックシートの一部または全部が露出されるよう所定形
状の開口部を設けた上部セラミックシートをセラミック
基板上に積層する段階と、前記セラミック基板を同時焼
成する段階と、前記セラミック基板のパターン電極上に
電極を設けた後、前記補助セラミックシート上に多数個
のＬＥＤ素子を各々実装する段階と、前記電極とＬＥＤ
素子を各々電気的に接続させた後、前記上部セラミック
シート内のＬＥＤ素子を絶縁樹脂で密封する段階とを含
んで成る。従って、前記ＬＥＤを用いて大面積に高密度
実装する場合にも放熱特性の優れたものとする発光装置
を容易に製造せしめる。前記セラミック基板上には各々
１個の放熱穴を覆うよう独立した補助セラミックシート
を積層することを要旨とする。前記セラミック基板上に
は少なくとも１個以上の放熱穴を覆うよう独立した補助
セラミックシートを積層することを要旨とする。前記セ
ラミック基板は放熱穴とは別途の放熱開口部(openings
for heat sink)を更に設けることを要旨とする。前記補
助セラミックシートには各々のＬＥＤ素子の下部に１個
の放熱穴を更に設けることを要旨とする。
発明によるＬＥＤを用いた発光装置の製造方法は、多数
個の放熱穴を設けたセラミックシートを備え当該セラミ
ックシート上に一定形態のパターン電極を設けてセラミ
ック基板を製造する段階と、前記各放熱穴を覆うよう前
記セラミック基板上に一定形態の補助セラミックシート
を積層する段階と、前記パターン電極の一部と補助セラ
ミックシートの一部または全部が露出されるよう所定形
状の開口部を設けた上部セラミックシートをセラミック
基板上に積層する段階と、前記セラミック基板を同時焼
成する段階と、前記セラミック基板のパターン電極上に
電極を設けた後、前記補助セラミックシート上に多数個
のＬＥＤ素子を各々実装する段階と、前記電極とＬＥＤ
素子を各々電気的に接続させた後、前記上部セラミック
シート内のＬＥＤ素子を絶縁樹脂で密封する段階とを含
んで成る。従って、前記ＬＥＤを用いて大面積に高密度
実装する場合にも放熱特性の優れたものとする発光装置
を容易に製造せしめる。前記セラミック基板上には各々
１個の放熱穴を覆うよう独立した補助セラミックシート
を積層することを要旨とする。前記セラミック基板上に
は少なくとも１個以上の放熱穴を覆うよう独立した補助
セラミックシートを積層することを要旨とする。前記セ
ラミック基板は放熱穴とは別途の放熱開口部(openings
for heat sink)を更に設けることを要旨とする。前記補
助セラミックシートには各々のＬＥＤ素子の下部に１個
の放熱穴を更に設けることを要旨とする。
【００１６】更に、前記目的を成し遂げる為に、本発明
によるＬＥＤを用いた発光装置は、多数個の放熱穴を設
けるセラミック基板と、前記セラミック基板上に位置さ
れＬＥＤ素子を実装できるよう前記放熱穴を覆う補助セ
ラミックシートと、前記補助セラミックシート上で放熱
穴を中心に両側に設けられる一定形態の電極と、前記放
熱穴と対向し前記補助セラミックシートとＬＥＤとの間
に位置して補助セラミックシート上に設けられる一定パ
ターンの他電極と、前記補助セラミックシート上の他電
極上に実装され補助セラミック基板の電極とワイヤーに
より電気的に接続されるＬＥＤ素子と、前記ＬＥＤ素子
を囲みながら補助セラミックシート上に積層される上部
セラミックシートと、前記上部セラミックシート内のＬ
ＥＤ素子を密封する絶縁層とを備えたことを要旨とす
る。従って、前記ＬＥＤを用いて大面積に高密度実装す
る場合にも放熱特性の優れたものとする。
によるＬＥＤを用いた発光装置は、多数個の放熱穴を設
けるセラミック基板と、前記セラミック基板上に位置さ
れＬＥＤ素子を実装できるよう前記放熱穴を覆う補助セ
ラミックシートと、前記補助セラミックシート上で放熱
穴を中心に両側に設けられる一定形態の電極と、前記放
熱穴と対向し前記補助セラミックシートとＬＥＤとの間
に位置して補助セラミックシート上に設けられる一定パ
ターンの他電極と、前記補助セラミックシート上の他電
極上に実装され補助セラミック基板の電極とワイヤーに
より電気的に接続されるＬＥＤ素子と、前記ＬＥＤ素子
を囲みながら補助セラミックシート上に積層される上部
セラミックシートと、前記上部セラミックシート内のＬ
ＥＤ素子を密封する絶縁層とを備えたことを要旨とす
る。従って、前記ＬＥＤを用いて大面積に高密度実装す
る場合にも放熱特性の優れたものとする。
【００１７】前記更に他の目的を成し遂げる為に、本発
明によるＬＥＤを用いた発光ユニットアセンブリー発光
装置は、請求項２６記載の発光ダイオードを用いた発光
装置を多数個備えることを要旨とする。従って、大面積
の発光ユニットアセンブリーを実現できる。
明によるＬＥＤを用いた発光ユニットアセンブリー発光
装置は、請求項２６記載の発光ダイオードを用いた発光
装置を多数個備えることを要旨とする。従って、大面積
の発光ユニットアセンブリーを実現できる。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。
本発明は多様な放熱設計によりＬＥＤ及びこれを用いた
発光装置の熱的ストレスを最小化したものである。これ
に伴って、本発明はＬＥＤ特性を向上させ次世代照明設
備の発光源として大変有用なものとなる。
本発明は多様な放熱設計によりＬＥＤ及びこれを用いた
発光装置の熱的ストレスを最小化したものである。これ
に伴って、本発明はＬＥＤ特性を向上させ次世代照明設
備の発光源として大変有用なものとなる。
【００１９】（ＬＥＤ及びその製造方法）図１は本発明
によるＬＥＤの一例を示す。図１（ａ）は本発明の一実
施の形態であるＬＥＤの断面構成図で、図１（ｂ）はそ
の平面図である。本発明によるＬＥＤは図１（ａ）、
（ｂ）に示す如く、大別するとセラミック基板１１、前
記セラミック基板１１上に積層された補助セラミックシ
ート１２、上部セラミックシート１６、発光素子１３及
び電極１４を含んでから成る。
によるＬＥＤの一例を示す。図１（ａ）は本発明の一実
施の形態であるＬＥＤの断面構成図で、図１（ｂ）はそ
の平面図である。本発明によるＬＥＤは図１（ａ）、
（ｂ）に示す如く、大別するとセラミック基板１１、前
記セラミック基板１１上に積層された補助セラミックシ
ート１２、上部セラミックシート１６、発光素子１３及
び電極１４を含んでから成る。
【００２０】本実施の形態において前記セラミック基板
１１は１個の放熱穴１１ａを備える。更に、セラミック
基板１１の表面上には前記放熱穴１１ａの両側に一定形
態のパターン電極を設ける。 前記放熱穴はＬＥＤ素子
の下部に配置されＬＥＤ素子から発生した熱を直接空中
に放出しＬＥＤの熱的ストレスを最小化するのに大変適
している。もちろん放熱穴は必ずしも円形の必要はなく
四角または多角形等如何なる形状でも構わない。前記セ
ラミック基板はＬＥＤ素子を高密度実装できる基板であ
れば如何なるものでも構わない。例えば、こうしたセラ
ミック基板としてアルミナ(alumina)、水晶(quartz)、
カルシウムジルコネート(calcium zirconate)、橄欖石
(forsterite)、ＳｉＣ、黒鉛、熔融シリカ(fused silic
a)、ムライト(mullite)、菫青石(cordierite)、ジルコ
ニア(zirconia)、ベリリア(beryllia)及び窒化アルミニ
ウム(aluminum nitride)等を挙げることができる。 従
って、セラミック基板の材質は特別限定されないが中で
もアルミナまたはＳｉＣ材質が適している。より好まし
くはアルミナを用いることである。アルミナセラミック
は電気絶縁性および熱伝導率が高い。 更に、アルミナ
セラミックは耐熱性、耐化学性及び機械的強度が優れて
おり、特に放射線放出が少ないという長所を有する。更
に、アルミナセラミックはその上に金属導体配線パター
ンを設け焼成工程により積層型セラミックパッケージ(m
ulti-layer ceramic package; MLP)として用いることが
できる。こうしたパッケージとして用いられる場合、気
密性が優れている。
１１は１個の放熱穴１１ａを備える。更に、セラミック
基板１１の表面上には前記放熱穴１１ａの両側に一定形
態のパターン電極を設ける。 前記放熱穴はＬＥＤ素子
の下部に配置されＬＥＤ素子から発生した熱を直接空中
に放出しＬＥＤの熱的ストレスを最小化するのに大変適
している。もちろん放熱穴は必ずしも円形の必要はなく
四角または多角形等如何なる形状でも構わない。前記セ
ラミック基板はＬＥＤ素子を高密度実装できる基板であ
れば如何なるものでも構わない。例えば、こうしたセラ
ミック基板としてアルミナ(alumina)、水晶(quartz)、
カルシウムジルコネート(calcium zirconate)、橄欖石
(forsterite)、ＳｉＣ、黒鉛、熔融シリカ(fused silic
a)、ムライト(mullite)、菫青石(cordierite)、ジルコ
ニア(zirconia)、ベリリア(beryllia)及び窒化アルミニ
ウム(aluminum nitride)等を挙げることができる。 従
って、セラミック基板の材質は特別限定されないが中で
もアルミナまたはＳｉＣ材質が適している。より好まし
くはアルミナを用いることである。アルミナセラミック
は電気絶縁性および熱伝導率が高い。 更に、アルミナ
セラミックは耐熱性、耐化学性及び機械的強度が優れて
おり、特に放射線放出が少ないという長所を有する。更
に、アルミナセラミックはその上に金属導体配線パター
ンを設け焼成工程により積層型セラミックパッケージ(m
ulti-layer ceramic package; MLP)として用いることが
できる。こうしたパッケージとして用いられる場合、気
密性が優れている。
【００２１】前記補助セラミックシート１２は前記セラ
ミック基板上に位置されＬＥＤ素子を実装できるよう前
記放熱穴を覆う。補助セラミックシート１２も前記と同
様にアルミナまたはＳｉＣ材質を用いるのが最も適して
いる。前記補助セラミックシートはその形態や形状に拘
わらず多様に構成され得る。図１（ｂ）では単に四角ま
たは菱形で示されているが、以後多様に提示される如
く、様々な形態から成り得る。発光素子のＬＥＤ１３は
前記補助セラミックシート上に実装されセラミック基板
上に設けられた電極１４とワイヤー１５やその他配線パ
ターン等によって電気的に接続される。本発明によるＬ
ＥＤはＬＥＤ素子の形態や種類に拘わらず適用できる。
従って、ＲＧＢ ＬＥＤはもちろん白色光ＬＥＤのみな
らず多様な色相のＬＥＤ素子にも適用し得ることは言う
までもない。ＬＥＤ素子はセラミック基板の周囲に沿っ
てセラミック基板上に設けられた上部セラミックシート
１７により囲まれて絶縁層１６により密封される。
ミック基板上に位置されＬＥＤ素子を実装できるよう前
記放熱穴を覆う。補助セラミックシート１２も前記と同
様にアルミナまたはＳｉＣ材質を用いるのが最も適して
いる。前記補助セラミックシートはその形態や形状に拘
わらず多様に構成され得る。図１（ｂ）では単に四角ま
たは菱形で示されているが、以後多様に提示される如
く、様々な形態から成り得る。発光素子のＬＥＤ１３は
前記補助セラミックシート上に実装されセラミック基板
上に設けられた電極１４とワイヤー１５やその他配線パ
ターン等によって電気的に接続される。本発明によるＬ
ＥＤはＬＥＤ素子の形態や種類に拘わらず適用できる。
従って、ＲＧＢ ＬＥＤはもちろん白色光ＬＥＤのみな
らず多様な色相のＬＥＤ素子にも適用し得ることは言う
までもない。ＬＥＤ素子はセラミック基板の周囲に沿っ
てセラミック基板上に設けられた上部セラミックシート
１７により囲まれて絶縁層１６により密封される。
【００２２】前記絶縁層１６は外部の物理的・化学的侵
蝕からＬＥＤ素子を保護し、ＬＥＤ素子から照射される
光を通過させるよう透明材質から成る。好ましき絶縁層
の材質としてはエポキシまたはＳｉ系透明性樹脂等を挙
げることができる。
蝕からＬＥＤ素子を保護し、ＬＥＤ素子から照射される
光を通過させるよう透明材質から成る。好ましき絶縁層
の材質としてはエポキシまたはＳｉ系透明性樹脂等を挙
げることができる。
【００２３】図２（ａ）、（ｂ）は本発明によるＬＥＤ
の異なる実施の形態を示す。図２（ａ）、（ｂ）の各種
ＬＥＤにおいて各符合は理解し易いよう図１（ａ）、
（ｂ）に対応している。先ず、図２（ａ）はＬＥＤ素子
２３が実装された前記補助セラミックシート２２に他放
熱穴２２ａが設けられたＬＥＤを示す。前記他放熱穴２
２ａはＬＥＤ素子２３より小さいことは当然である。更
に、セラミック基板２１の放熱穴２１ａより小さく設け
るのが好ましい。図２（ａ）のＬＥＤはＬＥＤ素子２３
が直接空気と接触する為に図１に示すＬＥＤに比して放
熱特性が優れることが予測される。
の異なる実施の形態を示す。図２（ａ）、（ｂ）の各種
ＬＥＤにおいて各符合は理解し易いよう図１（ａ）、
（ｂ）に対応している。先ず、図２（ａ）はＬＥＤ素子
２３が実装された前記補助セラミックシート２２に他放
熱穴２２ａが設けられたＬＥＤを示す。前記他放熱穴２
２ａはＬＥＤ素子２３より小さいことは当然である。更
に、セラミック基板２１の放熱穴２１ａより小さく設け
るのが好ましい。図２（ａ）のＬＥＤはＬＥＤ素子２３
が直接空気と接触する為に図１に示すＬＥＤに比して放
熱特性が優れることが予測される。
【００２４】図２（ｂ）には本発明の更に異なる実施の
形態のＬＥＤを例示する。図２（ａ）に示すＬＥＤとは
異なって、補助セラミックシート３２がセラミック基板
３１全体に亙って積層された構造から成る。更に、電極
３４もセラミック基板でない補助セラミックシート３２
に位置する。 こうした構造から成るＬＥＤは以後に説
明する如く製造工程において大きな利点を有する。
形態のＬＥＤを例示する。図２（ａ）に示すＬＥＤとは
異なって、補助セラミックシート３２がセラミック基板
３１全体に亙って積層された構造から成る。更に、電極
３４もセラミック基板でない補助セラミックシート３２
に位置する。 こうした構造から成るＬＥＤは以後に説
明する如く製造工程において大きな利点を有する。
【００２５】更に、図２（ｃ）に例示するＬＥＤは図２
（ｂ）のＬＥＤ構造において補助セラミックシート４２
に１個の放熱穴４２ａを更に設けている。 図２（ｃ）
に例示するＬＥＤは図２（ａ）と図２（ｂ）に例示した
ＬＥＤの長所を全て備えている。即ち、ＬＥＤから発生
した熱の放出が容易なばかりでなく製造工程においても
大きな利点を有する。
（ｂ）のＬＥＤ構造において補助セラミックシート４２
に１個の放熱穴４２ａを更に設けている。 図２（ｃ）
に例示するＬＥＤは図２（ａ）と図２（ｂ）に例示した
ＬＥＤの長所を全て備えている。即ち、ＬＥＤから発生
した熱の放出が容易なばかりでなく製造工程においても
大きな利点を有する。
【００２６】以上例示したＬＥＤは、ＬＥＤ素子として
窒化物化合物を用いた青色または白色光ＬＥＤ素子の使
用にあたって適した電極を有する場合に該当する。しか
し、他の半導体化合物、即ちＧａＡｓ、ＧａＰ、Ｓｉ
Ｃ、ＺｎＳｅ等から成るＬＥＤ素子の場合は基板自体の
電気伝導度に因り電界印加方式がＬＥＤ素子の上・下部
により行われる。従って、この場合のＬＥＤ素子は下方
に下部電極が設けられる。図２（ｄ）にはこうしたＬＥ
Ｄ素子に適するＬＥＤの一例を示している。図２（ｄ）
に例示するＬＥＤは先に例示したＬＥＤとは電極構造が
大きく異なる。従って、補助セラミックシート５２上に
実装されたＬＥＤ素子５３は下部の他電極５４ａがワイ
ヤー５５等により電極５４と電気的に接続され得る。こ
の場合、セラミック基板５１に放熱穴５１ａを設けてい
るが補助セラミックシートにも放熱穴を設けることがで
きる。
窒化物化合物を用いた青色または白色光ＬＥＤ素子の使
用にあたって適した電極を有する場合に該当する。しか
し、他の半導体化合物、即ちＧａＡｓ、ＧａＰ、Ｓｉ
Ｃ、ＺｎＳｅ等から成るＬＥＤ素子の場合は基板自体の
電気伝導度に因り電界印加方式がＬＥＤ素子の上・下部
により行われる。従って、この場合のＬＥＤ素子は下方
に下部電極が設けられる。図２（ｄ）にはこうしたＬＥ
Ｄ素子に適するＬＥＤの一例を示している。図２（ｄ）
に例示するＬＥＤは先に例示したＬＥＤとは電極構造が
大きく異なる。従って、補助セラミックシート５２上に
実装されたＬＥＤ素子５３は下部の他電極５４ａがワイ
ヤー５５等により電極５４と電気的に接続され得る。こ
の場合、セラミック基板５１に放熱穴５１ａを設けてい
るが補助セラミックシートにも放熱穴を設けることがで
きる。
【００２７】以上説明したＬＥＤは多様な放熱設計によ
り効果的にＬＥＤの熱的ストレスを抑えることができる
が、各々のＬＥＤは放熱穴に導電性材料を塗布したり充
填する方法でより効果的に放熱特性を増進させ得る。図
３には図１のＬＥＤに適用された方式を例示する。その
一方式として図３（ａ）は放熱穴１１ａの内側に補助セ
ラミックシート１２とセラミック基板１１との接触面に
沿って金属ペースト１８ａが塗布されたＬＥＤを示す。
更に、図３（ｂ）は前記放熱穴１１ａの内側に金属ペー
スト１８ｂが充填されたＬＥＤを例示する。更に、図３
（ｃ）は放熱穴１１ａの内側に金属ペーストが充填され
た図３（ｂ）のＬＥＤの下部にセラミック基板１１に沿
って金属板１９が付着されたＬＥＤである。図３（ｄ）
は放熱穴１１ａの内側に金属塊(lump or slug)１８ｄが
挿入されて金属ペーストで接着されたＬＥＤを示す。図
３（ｅ）に示したＬＥＤは放熱穴１１ａの内側に金属ペ
ーストが充填された上にセラミック基板１１の下部に沿
って全て金属ペースト１８ｅが塗布された構造である。
これらＬＥＤは全て放熱穴１１ａにより熱放出がより容
易に行う為に放熱穴だけ設ける場合に比して放熱特性が
優れている。こうした構造はもちろん図１に例示したＬ
ＥＤのみならず多様に放熱設計された図２のＬＥＤにも
同一に適用し得ることは言うまでもない。
り効果的にＬＥＤの熱的ストレスを抑えることができる
が、各々のＬＥＤは放熱穴に導電性材料を塗布したり充
填する方法でより効果的に放熱特性を増進させ得る。図
３には図１のＬＥＤに適用された方式を例示する。その
一方式として図３（ａ）は放熱穴１１ａの内側に補助セ
ラミックシート１２とセラミック基板１１との接触面に
沿って金属ペースト１８ａが塗布されたＬＥＤを示す。
更に、図３（ｂ）は前記放熱穴１１ａの内側に金属ペー
スト１８ｂが充填されたＬＥＤを例示する。更に、図３
（ｃ）は放熱穴１１ａの内側に金属ペーストが充填され
た図３（ｂ）のＬＥＤの下部にセラミック基板１１に沿
って金属板１９が付着されたＬＥＤである。図３（ｄ）
は放熱穴１１ａの内側に金属塊(lump or slug)１８ｄが
挿入されて金属ペーストで接着されたＬＥＤを示す。図
３（ｅ）に示したＬＥＤは放熱穴１１ａの内側に金属ペ
ーストが充填された上にセラミック基板１１の下部に沿
って全て金属ペースト１８ｅが塗布された構造である。
これらＬＥＤは全て放熱穴１１ａにより熱放出がより容
易に行う為に放熱穴だけ設ける場合に比して放熱特性が
優れている。こうした構造はもちろん図１に例示したＬ
ＥＤのみならず多様に放熱設計された図２のＬＥＤにも
同一に適用し得ることは言うまでもない。
【００２８】こうした多様な放熱構造を有するＬＥＤは
次の如き工程を経て製造される。即ち、例えば、図１の
ＬＥＤの製造方法は、先ず１個の放熱穴１１ａを設けた
セラミックシート１１を備える。前記セラミックシート
の放熱穴はパンチングにより簡単に設けることができ
る。次いで、セラミックシート上にはスクリーン印刷方
式等により一定形態のパターン電極１４を設ける。前記
パターン電極は設計により多様に変更し得ることは言う
までもない。本発明においてはパターン電極としてＡｇ
含有ペーストが適する。前記セラミック基板は１個また
は２個以上のセラミックシートを積層して構成すること
ができる。更に、セラミック基板には必要により他の配
線パターンを設けることができる。前記セラミック基板
を備えた後には前記放熱穴を覆うことのできる一定形態
の補助セラミックシート１２を積層する。図２（ｂ）に
例示されたＬＥＤの場合、補助セラミックシート３２を
セラミック基板３１と同一の大きさにすればよい。
次の如き工程を経て製造される。即ち、例えば、図１の
ＬＥＤの製造方法は、先ず１個の放熱穴１１ａを設けた
セラミックシート１１を備える。前記セラミックシート
の放熱穴はパンチングにより簡単に設けることができ
る。次いで、セラミックシート上にはスクリーン印刷方
式等により一定形態のパターン電極１４を設ける。前記
パターン電極は設計により多様に変更し得ることは言う
までもない。本発明においてはパターン電極としてＡｇ
含有ペーストが適する。前記セラミック基板は１個また
は２個以上のセラミックシートを積層して構成すること
ができる。更に、セラミック基板には必要により他の配
線パターンを設けることができる。前記セラミック基板
を備えた後には前記放熱穴を覆うことのできる一定形態
の補助セラミックシート１２を積層する。図２（ｂ）に
例示されたＬＥＤの場合、補助セラミックシート３２を
セラミック基板３１と同一の大きさにすればよい。
【００２９】次いで、前記パターン電極の一部と補助セ
ラミックシートの一部または全部が露出されるよう所定
形状の開口部(opening)が設けられた上部セラミックシ
ート１７を備え、これをセラミック基板上に積層する。
その後、前記セラミック基板は同時焼成を行う。この
際、同時焼成は約８００〜１０５０℃で行うことが好ま
しい。
ラミックシートの一部または全部が露出されるよう所定
形状の開口部(opening)が設けられた上部セラミックシ
ート１７を備え、これをセラミック基板上に積層する。
その後、前記セラミック基板は同時焼成を行う。この
際、同時焼成は約８００〜１０５０℃で行うことが好ま
しい。
【００３０】続いて、前記セラミック基板のパターン電
極上にめっきにより電極を設ける。本発明において電極
はセラミック基板上のＡｇペースト層にＮｉ及びＡｕを
順次にめっきすることが好ましい。前記電極を設けた後
には補助セラミックシート１２上に設けられたＬＥＤ素
子１３を実装する。その後、前記電極とＬＥＤ素子とを
ワイヤー１５により電気的に接続させてから、前記上部
セラミックシート１７内のＬＥＤ素子１３を絶縁樹脂で
密封する。
極上にめっきにより電極を設ける。本発明において電極
はセラミック基板上のＡｇペースト層にＮｉ及びＡｕを
順次にめっきすることが好ましい。前記電極を設けた後
には補助セラミックシート１２上に設けられたＬＥＤ素
子１３を実装する。その後、前記電極とＬＥＤ素子とを
ワイヤー１５により電気的に接続させてから、前記上部
セラミックシート１７内のＬＥＤ素子１３を絶縁樹脂で
密封する。
【００３１】（発光装置及びその製造方法）一方、本発
明は前記の多様な放熱設計により得られる基本的な単位
発光素子であるＬＥＤを用いて熱的ストレスが大幅に低
減される発光装置を提供する。本発明の発光装置は、前
記単品のＬＥＤを１個のＰＣＢ基板に実装せず、ＬＥＤ
素子を一体化したパッケージ内で連続する金属パターン
電極上に実装したものである。
明は前記の多様な放熱設計により得られる基本的な単位
発光素子であるＬＥＤを用いて熱的ストレスが大幅に低
減される発光装置を提供する。本発明の発光装置は、前
記単品のＬＥＤを１個のＰＣＢ基板に実装せず、ＬＥＤ
素子を一体化したパッケージ内で連続する金属パターン
電極上に実装したものである。
【００３２】図４は本発明のＬＥＤを用いた発光装置の
一例を示す。図４（ａ）は本発明の一実施の形態である
発光装置の断面構成で、図４（ｂ）はその平面図であ
る。本発明による発光装置は図４に示す如く、大別して
セラミック基板１１１、前記セラミック基板上に積層さ
れた補助セラミックシート１１２、１１２'、上部セラ
ミックシート１１６、発光素子１１３、１１３' 及び電
極１１４を含んで成る。こうした発光装置は図１の多数
のＬＥＤを組合せた如き構造を有する。
一例を示す。図４（ａ）は本発明の一実施の形態である
発光装置の断面構成で、図４（ｂ）はその平面図であ
る。本発明による発光装置は図４に示す如く、大別して
セラミック基板１１１、前記セラミック基板上に積層さ
れた補助セラミックシート１１２、１１２'、上部セラ
ミックシート１１６、発光素子１１３、１１３' 及び電
極１１４を含んで成る。こうした発光装置は図１の多数
のＬＥＤを組合せた如き構造を有する。
【００３３】具体的に、本実施の形態において前記セラ
ミック基板１１１は多数個の放熱穴１１１ａ、１１１
ａ'を設けている。 更に、セラミック基板１１１の表面
上には前記放熱穴１１１ａ、１１１ａ'の両側に一定形
態のパターン電極が設けられている。前述のとおり、前
記放熱穴はＬＥＤ素子の下部に配置されＬＥＤ素子から
発生した熱を直接空中に放出してＬＥＤの熱的ストレス
を最小化するのに大変適している。もちろん放熱穴は如
何なる形状でも構わない。セラミック基板はＬＥＤ素子
を高密度実装し得る基板であれば如何なるものでもよ
い。セラミック基板の材質は前述のとおり、特別限定さ
れはしないが中でもアルミナまたはＳｉＣ材質が適当で
ある。より好ましくはアルミナを用いることである。
ミック基板１１１は多数個の放熱穴１１１ａ、１１１
ａ'を設けている。 更に、セラミック基板１１１の表面
上には前記放熱穴１１１ａ、１１１ａ'の両側に一定形
態のパターン電極が設けられている。前述のとおり、前
記放熱穴はＬＥＤ素子の下部に配置されＬＥＤ素子から
発生した熱を直接空中に放出してＬＥＤの熱的ストレス
を最小化するのに大変適している。もちろん放熱穴は如
何なる形状でも構わない。セラミック基板はＬＥＤ素子
を高密度実装し得る基板であれば如何なるものでもよ
い。セラミック基板の材質は前述のとおり、特別限定さ
れはしないが中でもアルミナまたはＳｉＣ材質が適当で
ある。より好ましくはアルミナを用いることである。
【００３４】前記補助セラミックシート１１２、１１
２'は前記セラミック基板上に位置され各々のＬＥＤ素
子を実装できるよう前記放熱穴を覆っている。補助セラ
ミックシート１１２、１１２'も前記と同様にアルミナ
またはＳｉＣ材質を用いることが最も適する。前記補助
セラミックシートはその形態や形状に拘わらず多様に構
成することができる。図１（ｂ）においては単に四角ま
たは菱形から成っているが、以後に多様に提示する如
く、様々な形態から成ることができる。更に、図４
（ａ）において補助セラミックシートはセラミック基板
１１１上に位置され各々１個の放熱穴１１１ａを覆う独
立した補助セラミックシートや、各々少なくとも１個以
上の放熱穴を覆うよう独立した補助セラミックシートで
ある(図２（ｂ）、図２（ｃ）、図１１（ｂ）及び図１
２（ｂ）参照)。
２'は前記セラミック基板上に位置され各々のＬＥＤ素
子を実装できるよう前記放熱穴を覆っている。補助セラ
ミックシート１１２、１１２'も前記と同様にアルミナ
またはＳｉＣ材質を用いることが最も適する。前記補助
セラミックシートはその形態や形状に拘わらず多様に構
成することができる。図１（ｂ）においては単に四角ま
たは菱形から成っているが、以後に多様に提示する如
く、様々な形態から成ることができる。更に、図４
（ａ）において補助セラミックシートはセラミック基板
１１１上に位置され各々１個の放熱穴１１１ａを覆う独
立した補助セラミックシートや、各々少なくとも１個以
上の放熱穴を覆うよう独立した補助セラミックシートで
ある(図２（ｂ）、図２（ｃ）、図１１（ｂ）及び図１
２（ｂ）参照)。
【００３５】発光素子であるＬＥＤ１１３、１１３'は
前記補助セラミックシート上に実装され、セラミック基
板上に設けられた電極１１４とワイヤー１１５やその他
配線パターン等により電気的に接続される。本発明によ
る発光装置に実装されるＬＥＤはＬＥＤ素子の形態や種
類に拘わらず適用可能である。従って、ＲＧＢ ＬＥＤ
はもちろん白色光ＬＥＤのみならず多様な色相のＬＥＤ
素子にも適用し得ることは言うまでもない。 ＬＥＤ素
子はセラミック基板の周囲に沿ってセラミック基板上に
設けられた上部セラミックシート１１７により囲まれ絶
縁層１１６で密封される。 前記絶縁層１１６はエポキ
シまたはＳｉ系透明性樹脂等から成ることが好ましい。
前記補助セラミックシート上に実装され、セラミック基
板上に設けられた電極１１４とワイヤー１１５やその他
配線パターン等により電気的に接続される。本発明によ
る発光装置に実装されるＬＥＤはＬＥＤ素子の形態や種
類に拘わらず適用可能である。従って、ＲＧＢ ＬＥＤ
はもちろん白色光ＬＥＤのみならず多様な色相のＬＥＤ
素子にも適用し得ることは言うまでもない。 ＬＥＤ素
子はセラミック基板の周囲に沿ってセラミック基板上に
設けられた上部セラミックシート１１７により囲まれ絶
縁層１１６で密封される。 前記絶縁層１１６はエポキ
シまたはＳｉ系透明性樹脂等から成ることが好ましい。
【００３６】図５は本発明による発光装置の異なる実施
の形態を示す。図５の各種発光装置において各符合は理
解し易いよう図４に対応している。先ず、図５（ａ）は
ＬＥＤ素子１２３、１２３'が実装された前記補助セラ
ミックシート１２２、１２２'に他放熱穴１２２ａ、１
２２ａ'が設けられた発光装置を示す。こうした発光装
置は図２（ａ）の多くのＬＥＤを組合せた如き構造を有
する。図５（ａ）による発光装置において放熱穴１２２
ａ、１２２ａ'はＬＥＤ素子１２３、１２３'より小さい
ことは言うまでもない。更に、セラミック基板１２１の
放熱穴１２１ａ、１２１ａ'よりは小さく形成すること
が好ましい。図５（ａ）による発光装置はＬＥＤ素子１
２３、１２３'が直接空気と接触する為、図４に示した
発光装置に比して放熱特性が優れることが予測される。
の形態を示す。図５の各種発光装置において各符合は理
解し易いよう図４に対応している。先ず、図５（ａ）は
ＬＥＤ素子１２３、１２３'が実装された前記補助セラ
ミックシート１２２、１２２'に他放熱穴１２２ａ、１
２２ａ'が設けられた発光装置を示す。こうした発光装
置は図２（ａ）の多くのＬＥＤを組合せた如き構造を有
する。図５（ａ）による発光装置において放熱穴１２２
ａ、１２２ａ'はＬＥＤ素子１２３、１２３'より小さい
ことは言うまでもない。更に、セラミック基板１２１の
放熱穴１２１ａ、１２１ａ'よりは小さく形成すること
が好ましい。図５（ａ）による発光装置はＬＥＤ素子１
２３、１２３'が直接空気と接触する為、図４に示した
発光装置に比して放熱特性が優れることが予測される。
【００３７】図５（ｂ）には本発明の更に異なる実施の
形態の発光装置を例示する。図５（ｂ）に示す発光装置
は図４に例示された発光装置とは異なって、補助セラミ
ックシート１３２がセラミック基板１３１全体に亙って
積層される構造を有する。更に、電極１３４もセラミッ
ク基板ではなく補助セラミックシート１３２に位置す
る。こうした発光装置は図２（ｂ）に例示した多数のＬ
ＥＤを組合せた構造を有し、以後の製造過程に示す如く
大きな利点を有する。
形態の発光装置を例示する。図５（ｂ）に示す発光装置
は図４に例示された発光装置とは異なって、補助セラミ
ックシート１３２がセラミック基板１３１全体に亙って
積層される構造を有する。更に、電極１３４もセラミッ
ク基板ではなく補助セラミックシート１３２に位置す
る。こうした発光装置は図２（ｂ）に例示した多数のＬ
ＥＤを組合せた構造を有し、以後の製造過程に示す如く
大きな利点を有する。
【００３８】更に、図６（ａ）に例示する発光装置は図
５（ｂ）の発光装置の構造において補助セラミックシー
ト１４２に１個の放熱穴１４２ａ、１４２ａ'を更に設
けている。こうした発光装置は図２（ｃ）に例示した多
数のＬＥＤを組合せた構造を有する。
５（ｂ）の発光装置の構造において補助セラミックシー
ト１４２に１個の放熱穴１４２ａ、１４２ａ'を更に設
けている。こうした発光装置は図２（ｃ）に例示した多
数のＬＥＤを組合せた構造を有する。
【００３９】図６（ｂ）に示した発光装置は図２（ｂ）
に例示した多数のＬＥＤ素子を組合せた構造に適する場
合を示している。即ち、こうした発光装置は図２（ｄ）
に例示した多数のＬＥＤ素子を組合せた構造を有するも
のとして、基板自体の電気伝導度により電界印加方式が
ＬＥＤ素子の上・下部により行われる。前記発光装置は
補助セラミックシート１５２、１５２'上に実装された
ＬＥＤ素子１５３、１５３'の下部に位置する他電極１
５４ａ、１５４'がワイヤー１５５、１５５'等により電
極１５４、１５４'と電気的に接続される。この場合に
セラミック基板１５１に放熱穴１５１ａを設けている
が、補助セラミックシート上にも更に放熱穴を設けるこ
とができる。
に例示した多数のＬＥＤ素子を組合せた構造に適する場
合を示している。即ち、こうした発光装置は図２（ｄ）
に例示した多数のＬＥＤ素子を組合せた構造を有するも
のとして、基板自体の電気伝導度により電界印加方式が
ＬＥＤ素子の上・下部により行われる。前記発光装置は
補助セラミックシート１５２、１５２'上に実装された
ＬＥＤ素子１５３、１５３'の下部に位置する他電極１
５４ａ、１５４'がワイヤー１５５、１５５'等により電
極１５４、１５４'と電気的に接続される。この場合に
セラミック基板１５１に放熱穴１５１ａを設けている
が、補助セラミックシート上にも更に放熱穴を設けるこ
とができる。
【００４０】以上説明した発光装置は多様な放熱設計に
より効果的にＬＥＤの熱的ストレスを抑えることができ
るが、各々の発光装置は放熱穴に導電性材料を塗布した
り充填する方法でより効果的に放熱特性を増進すること
ができる。図７には図４の発光装置に適用された方式を
例示している。その一方式として図７（ａ）は放熱穴１
１１ａの内側に補助セラミックシート１１２とセラミッ
ク基板１１１との接触面に沿って金属ペースト１１８ａ
が塗布された発光装置を示す。更に、図７（ｂ）は前記
放熱穴１１１ａの内側に金属ペースト１１８ｂが充填さ
れた発光装置を例示している。更に、図７（ｃ）は放熱
穴１１１ａの内側に金属ペーストが充填された図７
（ｂ）の発光装置においてＬＥＤの下部にセラミック基
板１１１に沿って金属板１１９が付着された発光装置で
ある。図８（ａ）は放熱穴１１１ａの内側に金属塊(lum
p or slug)１１８ｄが挿入され金属ペーストで接着され
た発光装置を示す。図８（ｂ）に例示する発光装置は放
熱穴１１１ａの内側に金属ペーストが充填された上にセ
ラミック基板１１１の下部に沿って全て金属ペースト１
１８ｅが塗布された構造である。これらの発光装置は全
て放熱穴１１１ａにより熱放出をより容易に行い放熱穴
だけ設けられた場合に比して放熱特性が優れている。こ
うした構造はもちろん図４に例示した発光装置のみなら
ず多様に放熱設計された図５，６の発光装置にも同一に
適用し得ることは言うまでもない。
より効果的にＬＥＤの熱的ストレスを抑えることができ
るが、各々の発光装置は放熱穴に導電性材料を塗布した
り充填する方法でより効果的に放熱特性を増進すること
ができる。図７には図４の発光装置に適用された方式を
例示している。その一方式として図７（ａ）は放熱穴１
１１ａの内側に補助セラミックシート１１２とセラミッ
ク基板１１１との接触面に沿って金属ペースト１１８ａ
が塗布された発光装置を示す。更に、図７（ｂ）は前記
放熱穴１１１ａの内側に金属ペースト１１８ｂが充填さ
れた発光装置を例示している。更に、図７（ｃ）は放熱
穴１１１ａの内側に金属ペーストが充填された図７
（ｂ）の発光装置においてＬＥＤの下部にセラミック基
板１１１に沿って金属板１１９が付着された発光装置で
ある。図８（ａ）は放熱穴１１１ａの内側に金属塊(lum
p or slug)１１８ｄが挿入され金属ペーストで接着され
た発光装置を示す。図８（ｂ）に例示する発光装置は放
熱穴１１１ａの内側に金属ペーストが充填された上にセ
ラミック基板１１１の下部に沿って全て金属ペースト１
１８ｅが塗布された構造である。これらの発光装置は全
て放熱穴１１１ａにより熱放出をより容易に行い放熱穴
だけ設けられた場合に比して放熱特性が優れている。こ
うした構造はもちろん図４に例示した発光装置のみなら
ず多様に放熱設計された図５，６の発光装置にも同一に
適用し得ることは言うまでもない。
【００４１】こうした多様な放熱構造を有する発光装置
の製造工程は基本的に単品のＬＥＤ製造工程と類似する
のがより多様である。図４に例示された発光装置におけ
る本発明の製造方法を図９に基づいて説明すれば次のと
おりである。図９（ａ）と図９（ｂ）に示す如く、先ず
パンチング工程により多数個の放熱穴１１１ａ、１１１
ａ'を設けたセラミックシートを備える。該セラミック
シート上には図９（ｃ）の如くスクリーン印刷方式等に
より一定形態のパターン電極１１４を設ける。前記パタ
ーン電極１１４は設計により多様に変更し得ることは言
うまでもない。本発明においてはパターン電極としてＡ
ｇ含有ペーストが適する。セラミック基板は１個または
２個以上のセラミックシートを積層して構成することが
できる。更に、セラミック基板には必要によって他の配
線パターンを設けることができる。前記セラミック基板
を備えた後には、図９（ｄ）の如く前記放熱穴を覆うこ
とのできる一定形態の補助セラミックシート１１２、１
１２'を積層する。前記補助セラミックシートは前記セ
ラミック基板上に各々１個の放熱穴を覆うよう設けるこ
とができるが、少なくとも1個以上の放熱穴を覆うよう
独立した補助セラミックシートから構成することもでき
る。図１０はそうした一例を示している。図１０（ａ）
ないし図１０（ｃ）に示す放熱装置の製造工程において
は、セラミック基板１６１の一連の放熱穴１６１ａ、１
６１ｂ、１６１ｃを共に覆うことのできる独立した補助
セラミックシート１６２をセラミック基板１６１上に積
層した後、上部セラミックシート１６７を積層する過程
を示す。更に、前記補助セラミックシートは各々ＬＥＤ
素子の下部に1個の放熱穴を更に設けるよう構成するこ
ともできる(図５（ａ）参照)。
の製造工程は基本的に単品のＬＥＤ製造工程と類似する
のがより多様である。図４に例示された発光装置におけ
る本発明の製造方法を図９に基づいて説明すれば次のと
おりである。図９（ａ）と図９（ｂ）に示す如く、先ず
パンチング工程により多数個の放熱穴１１１ａ、１１１
ａ'を設けたセラミックシートを備える。該セラミック
シート上には図９（ｃ）の如くスクリーン印刷方式等に
より一定形態のパターン電極１１４を設ける。前記パタ
ーン電極１１４は設計により多様に変更し得ることは言
うまでもない。本発明においてはパターン電極としてＡ
ｇ含有ペーストが適する。セラミック基板は１個または
２個以上のセラミックシートを積層して構成することが
できる。更に、セラミック基板には必要によって他の配
線パターンを設けることができる。前記セラミック基板
を備えた後には、図９（ｄ）の如く前記放熱穴を覆うこ
とのできる一定形態の補助セラミックシート１１２、１
１２'を積層する。前記補助セラミックシートは前記セ
ラミック基板上に各々１個の放熱穴を覆うよう設けるこ
とができるが、少なくとも1個以上の放熱穴を覆うよう
独立した補助セラミックシートから構成することもでき
る。図１０はそうした一例を示している。図１０（ａ）
ないし図１０（ｃ）に示す放熱装置の製造工程において
は、セラミック基板１６１の一連の放熱穴１６１ａ、１
６１ｂ、１６１ｃを共に覆うことのできる独立した補助
セラミックシート１６２をセラミック基板１６１上に積
層した後、上部セラミックシート１６７を積層する過程
を示す。更に、前記補助セラミックシートは各々ＬＥＤ
素子の下部に1個の放熱穴を更に設けるよう構成するこ
ともできる(図５（ａ）参照)。
【００４２】次いで、図９（ｅ）の如く、前記パターン
電極の一部と補助セラミックシートの一部または全部が
露出するよう所定形状の開口部を設けた上部セラミック
シート１１７を備え、前記セラミック基板上に積層す
る。その後、前記セラミック基板は同時焼成を行う。こ
の際、同時焼成は約８００〜１０５０℃で行うことが好
ましい。続いて、図９（ｆ）の如く、前記セラミック基
板のパターン電極上にめっきにより電極を設ける。本発
明において電極はセラミック基板上のＡｇペースト層に
Ｎｉ及びＡｕを順次にめっきすることが好ましい。前記
電極を設けた後には補助セラミックシート１１２、１１
２'上に備えたＬＥＤ素子１１３、１１３'を実装する。
その後、前記電極１１４とＬＥＤ素子とをワイヤーによ
り電気的に接続させてから、前記上部セラミックシート
１１７内のＬＥＤ素子１１３、１１３'を絶縁樹脂で密
封する。
電極の一部と補助セラミックシートの一部または全部が
露出するよう所定形状の開口部を設けた上部セラミック
シート１１７を備え、前記セラミック基板上に積層す
る。その後、前記セラミック基板は同時焼成を行う。こ
の際、同時焼成は約８００〜１０５０℃で行うことが好
ましい。続いて、図９（ｆ）の如く、前記セラミック基
板のパターン電極上にめっきにより電極を設ける。本発
明において電極はセラミック基板上のＡｇペースト層に
Ｎｉ及びＡｕを順次にめっきすることが好ましい。前記
電極を設けた後には補助セラミックシート１１２、１１
２'上に備えたＬＥＤ素子１１３、１１３'を実装する。
その後、前記電極１１４とＬＥＤ素子とをワイヤーによ
り電気的に接続させてから、前記上部セラミックシート
１１７内のＬＥＤ素子１１３、１１３'を絶縁樹脂で密
封する。
【００４３】図１１は本発明による発光装置の更に異な
る製造工程を示す。こうした製造工程を経て得られる発
光装置は図６（ａ）の如き構造を有するであろう。図１
１に示した製造工程は図９の製造工程とは異なって、１
個の補助セラミックシート１５２を用いてもよいという
利点があり実際に製造工程が大幅に単純化され得る。図
１１に提案した発光装置の製造方法は放熱穴１５１ａ、
１５１ａ'を設けたセラミック基板１５１上にパターン
電極が設けられず、補助セラミックシート１５２上に設
けられる。即ち、パンチング過程により前記放熱穴１５
１ａ、１５１ａ'より小さく且つＬＥＤ素子より小さい
他放熱穴１５２ａ、１５２ａ'を設けた補助セラミック
シートを備え、前記セラミック基板上に放熱穴の中心線
が一致するよう積層した後(図１１（ｃ)）、補助セラミ
ックシート上に一定形態のパターン電極１５４を設ける
(図１１（ｄ)）。以後の製造工程は図９と同一である。
る製造工程を示す。こうした製造工程を経て得られる発
光装置は図６（ａ）の如き構造を有するであろう。図１
１に示した製造工程は図９の製造工程とは異なって、１
個の補助セラミックシート１５２を用いてもよいという
利点があり実際に製造工程が大幅に単純化され得る。図
１１に提案した発光装置の製造方法は放熱穴１５１ａ、
１５１ａ'を設けたセラミック基板１５１上にパターン
電極が設けられず、補助セラミックシート１５２上に設
けられる。即ち、パンチング過程により前記放熱穴１５
１ａ、１５１ａ'より小さく且つＬＥＤ素子より小さい
他放熱穴１５２ａ、１５２ａ'を設けた補助セラミック
シートを備え、前記セラミック基板上に放熱穴の中心線
が一致するよう積層した後(図１１（ｃ)）、補助セラミ
ックシート上に一定形態のパターン電極１５４を設ける
(図１１（ｄ)）。以後の製造工程は図９と同一である。
【００４４】本発明による発光装置の製造工程はこれに
限らず前記セラミック基板の放熱穴とは別途の放熱開口
部(openings for heat sink)を設けることもできる。図
１２はそうした例を示す。図１２にはセラミック基板１
７１を製造する際に放熱穴１７１ａ、１７１ａ'とは別
途に前記放熱穴の周囲に放熱開口部の如き別途の放熱手
段をパンチングにより打ち抜いた過程を示す。こうした
構造を有する発光装置はＬＥＤ素子から発生した熱をよ
り広い面積に至って空中に放熱できる為、多数の発光装
置を用い高密度で発光ユニットアセンブリーを組合せる
ことができ、更に発光ユニットアセンブリーの発光面を
より大面積に構成できるという利点を有する。
限らず前記セラミック基板の放熱穴とは別途の放熱開口
部(openings for heat sink)を設けることもできる。図
１２はそうした例を示す。図１２にはセラミック基板１
７１を製造する際に放熱穴１７１ａ、１７１ａ'とは別
途に前記放熱穴の周囲に放熱開口部の如き別途の放熱手
段をパンチングにより打ち抜いた過程を示す。こうした
構造を有する発光装置はＬＥＤ素子から発生した熱をよ
り広い面積に至って空中に放熱できる為、多数の発光装
置を用い高密度で発光ユニットアセンブリーを組合せる
ことができ、更に発光ユニットアセンブリーの発光面を
より大面積に構成できるという利点を有する。
【００４５】本発明の製造方法において上部セラミック
シート１７７は多様な形態から成ることができる。上部
セラミックシートはユーザーまたは使用条件等の外部環
境に合わせて多様な形状に設計することができる。図１
３は上部セラミックシートの多様な形状を例示してい
る。図１３に示す前記上部セラミックシートの開口部ま
たは窓(windows)にはＬＥＤ数を適切に配置して発光面
の面積と形態を効率的に決定し得る。
シート１７７は多様な形態から成ることができる。上部
セラミックシートはユーザーまたは使用条件等の外部環
境に合わせて多様な形状に設計することができる。図１
３は上部セラミックシートの多様な形状を例示してい
る。図１３に示す前記上部セラミックシートの開口部ま
たは窓(windows)にはＬＥＤ数を適切に配置して発光面
の面積と形態を効率的に決定し得る。
【００４６】（発光ユニットアセンブリー）本発明にお
いてはこれまで説明した発光装置を少なくとも１個以上
配置して大面積の発光ユニットアセンブリーを構成する
ことができる。図１４はそうした発光ユニットのアセン
ブリーの一例として、理解が容易なように図面において
上部セラミックシートは略した。本発明による発光ユニ
ットアセンブリーは発光ユニット２１０を適切に配置し
て成る。更に、発光ユニットアセンブリーでは上部に積
層される上部セラミックシートをパンチングにより形状
と形態を適切に形成し発光面積及び発光面の形状を調節
できるので、ＬＥＤ素子から照射される光の量も調節し
得る。特に、本発明の発光ユニットアセンブリーは多様
な放熱設計ができＬＥＤ素子から発生する熱の放出が容
易なので、ＬＥＤ素子を高密度大面積に設計することが
できる。
いてはこれまで説明した発光装置を少なくとも１個以上
配置して大面積の発光ユニットアセンブリーを構成する
ことができる。図１４はそうした発光ユニットのアセン
ブリーの一例として、理解が容易なように図面において
上部セラミックシートは略した。本発明による発光ユニ
ットアセンブリーは発光ユニット２１０を適切に配置し
て成る。更に、発光ユニットアセンブリーでは上部に積
層される上部セラミックシートをパンチングにより形状
と形態を適切に形成し発光面積及び発光面の形状を調節
できるので、ＬＥＤ素子から照射される光の量も調節し
得る。特に、本発明の発光ユニットアセンブリーは多様
な放熱設計ができＬＥＤ素子から発生する熱の放出が容
易なので、ＬＥＤ素子を高密度大面積に設計することが
できる。
【００４７】
【発明の効果】上述の如く、本発明によるＬＥＤは多様
な放熱設計によりＬＥＤ素子から発生する熱の放出を効
率的に行いＬＥＤ素子の熱的ストレスを最小化にできて
ＬＥＤ素子の安定的な動作を行える。更に、本発明は高
密度でＬＥＤ素子を大面積基板に実装し得る発光装置を
提供する。こうした発光装置は多様な色相(full color)
を呈するディスプレー等の発光源のみならず白熱電球や
蛍光灯、街灯を代替し得る次世代照明設備に大変適す
る。
な放熱設計によりＬＥＤ素子から発生する熱の放出を効
率的に行いＬＥＤ素子の熱的ストレスを最小化にできて
ＬＥＤ素子の安定的な動作を行える。更に、本発明は高
密度でＬＥＤ素子を大面積基板に実装し得る発光装置を
提供する。こうした発光装置は多様な色相(full color)
を呈するディスプレー等の発光源のみならず白熱電球や
蛍光灯、街灯を代替し得る次世代照明設備に大変適す
る。
【図１】本発明による発光ダイオードの構成図である。
【図２】本発明による異なる発光ダイオードの断面図で
ある。
ある。
【図３】本発明による更に異なる発光ダイオードの断面
図である。
図である。
【図４】本発明による発光装置の構成図である。
【図５】本発明による異なる発光装置の断面図である。
【図６】本発明による異なる発光装置の断面図である。
【図７】本発明による更に異なる発光装置の断面図であ
る。
る。
【図８】本発明による更に異なる発光装置の断面図であ
る。
る。
【図９】本発明による発光装置の製造工程図を例示する
ものである。
ものである。
【図１０】本発明による発光装置の異なる製造工程の一
部である。
部である。
【図１１】本発明による発光装置の更に異なる製造工程
図を例示するものである。
図を例示するものである。
【図１２】本発明による発光装置の更に異なる製造工程
の一部である。
の一部である。
【図１３】本発明による発光装置の上部セラミックシー
トの例示図である。
トの例示図である。
【図１４】本発明による発光素子を用いた大面積発光装
置の構成図である。
置の構成図である。
【図１５】（ａ）は従来の発光素子の断面図であり、
（ｂ）は（ａ）の発光素子を用いた発光装置の断面図で
ある。
（ｂ）は（ａ）の発光素子を用いた発光装置の断面図で
ある。
１１１、１２１、１３１、１４１、１５１、１６１、１
７１ セラミック基板 １１１ａ、１２１ａ、１３１ａ、１４１ａ、１５１ａ、
１６１ａ、１７１ａ放熱穴 １１２、１２２、１３２、１４２、１５２、１６２、１
７２ 補助セラミックシート １１３、１２３、１３３、１４３、１５３、１６３、１
７３ 発光ダイオード １１４、１２４、１３４、１４４、１５４、１６４、１
７４ 電極 １１５、１２５、１３５、１４５、１５５、１６５、１
７５ ワイヤー １１６、１２６、１３６、１４６、１５６、１６６、１
７６ 絶縁層 １１７、１２７、１３７、１４７、１５７、１６７、１
７７ 上部セラミックシート
７１ セラミック基板 １１１ａ、１２１ａ、１３１ａ、１４１ａ、１５１ａ、
１６１ａ、１７１ａ放熱穴 １１２、１２２、１３２、１４２、１５２、１６２、１
７２ 補助セラミックシート １１３、１２３、１３３、１４３、１５３、１６３、１
７３ 発光ダイオード １１４、１２４、１３４、１４４、１５４、１６４、１
７４ 電極 １１５、１２５、１３５、１４５、１５５、１６５、１
７５ ワイヤー １１６、１２６、１３６、１４６、１５６、１６６、１
７６ 絶縁層 １１７、１２７、１３７、１４７、１５７、１６７、１
７７ 上部セラミックシート
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(56)参考文献 特開 平６−310759（ＪＰ，Ａ)
特開2000−232186（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−263592（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 33/00
Claims (39)
- 【請求項１】 １個の放熱穴（ａ ｈｏｌｅ ｆｏｒｈ
ｅａｔ ｓｉｎｋ）を設けるセラミック基板と、 前記セラミック基板上に位置されＬＥＤ素子を実装でき
るよう前記放熱穴を覆う一定形態の補助セラミックシー
トと、 前記セラミック基板上で前記放熱穴を中心に一定パター
ンを形成するパターン電極と、 前記パターン電極とワイヤーにより電気的に接続され前
記補助セラミックシート上に実装されるＬＥＤ素子と、 前記ＬＥＤ素子を囲みながら前記セラミック基板上に積
層される上部セラミックシートと、 前記上部セラミックシート内のＬＥＤ素子を密封する絶
縁層と、 を備えたことを特徴とする発光ダイオード。 - 【請求項２】 前記放熱穴の内側には前記補助セラミッ
クシートとセラミック基板の接触部分に沿って金属ペー
ストが塗布されることを特徴とする請求項１記載の発光
ダイオード。 - 【請求項３】 前記放熱穴の内側には金属ペーストが充
填されることを特徴とする請求項１記載の発光ダイオー
ド。 - 【請求項４】 前記放熱穴の内側に充填される金属ペー
ストの下部には前記セラミック基板に沿って金属板が付
着されることを特徴とする請求項３記載の発光ダイオー
ド。 - 【請求項５】 前記放熱穴の内側には金属ペーストが充
填され前記セラミック基板の下部には金属ペーストが塗
布されることを特徴とする請求項３記載の発光ダイオー
ド。 - 【請求項６】 前記放熱穴の内側には金属塊（ｌｕｍｐ
ｏｒ ｓｌｕｇ）が挿入されることを特徴とする請求
項１記載の発光ダイオード。 - 【請求項７】 前記セラミック基板及び補助セラミック
シート又は当該セラミック基板若しくは補助セラミック
シートはアルミナまたはＳｉＣであることを特徴とする
請求項１記載の発光ダイオード。 - 【請求項８】 前記パターン電極はセラミック基板側か
らＡｇ、Ｎｉ及びＡｕ層で成ることを特徴とする請求項
１記載の発光ダイオード。 - 【請求項９】 前記絶縁層はエポキシまたはＳｉ系透明
性樹脂であることを特徴とする請求項１記載の発光ダイ
オード。 - 【請求項１０】 前記補助セラミックシートはＬＥＤ素
子の下部に１個の放熱穴を更に設けることを特徴とする
請求項１記載の発光ダイオード。 - 【請求項１１】 １個の放熱穴を設けるセラミック基板
を備える段階と、 前記セラミック基板上に補助セラミックシートを積層す
る段階と、 前記セラミック基板上に前記放熱穴を中心に両側にパタ
ーン電極のための導電性ペースト層を設ける段階と、 前記導電性ペースト層の一部が露出されるよう所定形状
の開口部（ｏｐｅｎｉｎｇ）を設ける上部セラミックシ
ートを前記セラミック基板上に積層する段階と、 前記積層されるセラミック基板を同時焼成（ｃｏ−ｆｉ
ｒｅ）する段階と、 前記セラミック基板の導電性ペースト層上にメッキを施
しパターン電極を設けた後に、放熱穴と対向する位置で
ＬＥＤ素子を前記補助セラミックシート上に実装する段
階と、 前記パターン電極とＬＥＤ素子を各々電気的に接続させ
た後に前記上部セラミックシート内のＬＥＤ素子を絶縁
樹脂で密封する段階と、 を有することを特徴とする発光ダイオードの製造方法。 - 【請求項１２】 前記セラミック基板及び補助セラミッ
クシート又は当該セラミック基板若しくは補助セラミッ
クシートはアルミナまたはＳｉＣを用いることを特徴と
する請求項１１記載の発光ダイオードの製造方法。 - 【請求項１３】 前記パターン電極はセラミック基板上
のＡｇペースト層にＮｉ及びＡｕ層をめっきして成るこ
とを特徴とする請求項１１記載の発光ダイオードの製造
方法。 - 【請求項１４】 前記絶縁樹脂はエポキシまたはＳｉ系
透明性樹脂を用いて充填することを特徴とする請求項１
１記載の発光ダイオードの製造方法。 - 【請求項１５】 前記積層されるセラミック基板は８０
０〜１０５０℃で同時焼成されることを特徴とする請求
項１１記載の発光ダイオードの製造方法。 - 【請求項１６】 前記放熱穴の内側には前記補助セラミ
ックシートとセラミック基板との接触部分に沿って金属
ペーストを塗布することを特徴とする請求項１１記載の
発光ダイオードの製造方法。 - 【請求項１７】 前記放熱穴の内側には金属ペーストを
充填することを特徴とする請求項１１記載の発光ダイオ
ードの製造方法。 - 【請求項１８】 前記放熱穴の内側に金属ペーストを充
填し前記セラミック基板の下部に金属板を付着すること
を特徴とする請求項１７記載の発光ダイオードの製造方
法。 - 【請求項１９】 前記放熱穴の内側には金属ペーストを
充填し前記セラミック基板の下部に金属ペーストを塗布
することを特徴とする請求項１７記載の発光ダイオード
の製造方法。 - 【請求項２０】 前記放熱穴の内側には金属塊（ｌｕｍ
ｐ ｏｒ ｓｌｕｇ）を挿入することを特徴とする請求
項１１記載の発光ダイオードの製造方法。 - 【請求項２１】 前記補助セラミックシートには前記放
熱穴より小さくＬＥＤ素子より小さい他放熱穴を更に設
けることを特徴とする請求項１１記載の発光ダイオード
の製造方法。 - 【請求項２２】 １個の放熱穴を設けて当該穴の両側に
一定形態のパターン電極を設けるセラミック基板と、 前記セラミック基板上に位置されＬＥＤ素子を実装でき
るよう前記放熱穴を覆う一定形態の補助セラミックシー
トと、 前記パターン電極とワイヤーにより電気的に接続され前
記補助セラミックシート上に実装されるＬＥＤ素子と、 前記ＬＥＤ素子を囲みながらセラミック基板上に設けら
れる上部セラミックシートと、 前記上部セラミックシート内のＬＥＤ素子を密封する絶
縁層と、 を備えたことを特徴とする発光ダイオード。 - 【請求項２３】 前記補助セラミックシートはＬＥＤ素
子の下部に１個の放熱穴を更に設けることを特徴とする
請求項２２記載の発光ダイオード。 - 【請求項２４】 １個の放熱穴を設けるセラミックシー
トを備えて当該セラミックシート上に一定形態のパター
ン電極を設けてセラミック基板を製造する段階と、 前記放熱穴を覆うよう前記セラミック基板上に一定形態
の補助セラミックシートを積層する段階と、 前記パターン電極の一部と補助セラミックシートの一部
または全部が露出されるよう所定形状の開口部を設ける
上部セラミックシートを前記セラミック基板上に積層す
る段階と、 前記セラミック基板を同時焼成する段階と、 前記セラミック基板のパターン電極上に前記補助セラミ
ックシート上にＬＥＤ素子を実装する段階と、 前記パターン電極とＬＥＤ素子を電気的に接続させた後
に前記上部セラミックシート内のＬＥＤ素子を絶縁樹脂
で密封する段階と、 を有することを特徴とする発光ダイオードの製造方法。 - 【請求項２５】 １個の放熱穴を設けるセラミック基板
と、 前記セラミック基板上に位置されＬＥＤ素子を実装でき
るよう前記放熱穴を覆う補助セラミックシートと、 前記セラミック基板上で放熱穴を中心に両側に設けられ
る一定形態のパターン電極と、 前記放熱穴と対向して前記補助セラミックシートとＬＥ
Ｄ素子との間に位置し当該補助セラミックシート上に設
けられる一定パターンの他電極と、 前記補助セラミックシート上の他電極上に実装され前記
セラミック基板のパターン電極とワイヤーにより電気的
に接続されるＬＥＤ素子と、 前記ＬＥＤ素子を囲みながら前記セラミック基板上に積
層される上部セラミックシートと、 前記上部セラミックシート内のＬＥＤ素子を密封する絶
縁層と、 を備えたことを特徴とする発光ダイオード。 - 【請求項２６】 多数個の放熱穴（ｈｏｌｅｓ ｆｏｒ
ｈｅａｔ ｓｉｎｋ）を設けるセラミック基板と、 前記セラミック基板上に位置されＬＥＤ素子を実装でき
るよう前記放熱穴を覆う一定形態の補助セラミックシー
トと、 前記セラミック基板上で前記放熱穴を中心に設けられる
一定形態のパターン電極と、 前記パターン電極とワイヤーにより電気的に接続され前
記補助セラミックシート上に実装されるＬＥＤ素子と、 前記ＬＥＤ素子を囲みながら前記セラミック基板上に積
層される上部セラミックシートと、 前記上部セラミックシート内のＬＥＤ素子を密封する絶
縁層と、 を備えたことを特徴とする発光ダイオードを用いた発光
装置。 - 【請求項２７】 前記補助セラミックシートは各々のＬ
ＥＤ素子の下部に１個の放熱穴を更に設けることを特徴
とする請求項２６記載の発光装置。 - 【請求項２８】 多数個の放熱穴を設けるセラミック基
板を備える段階と、 前記セラミック基板上に補助セラミックシートを積層す
る段階と、 前記セラミック基板上で前記放熱穴を中心に両側に一定
形態のパターン電極を設ける段階と、 前記パターン電極の一部が露出されるよう所定形状の開
口部を設ける上部セラミックシートを前記セラミック基
板上に積層する段階と、 前記積層されるセラミック基板を同時焼成する段階と、 前記セラミック基板のパターン電極上に放熱穴と対向す
る位置でＬＥＤ素子を補助セラミックシート上に実装す
る段階と、 前記パターン電極とＬＥＤ素子を各々電気的に接続させ
た後に前記上部セラミックシート内のＬＥＤ素子を絶縁
樹脂で密封する段階と、 を有することを特徴とする発光装置の製造方法。 - 【請求項２９】 前記補助セラミックシートには前記放
熱穴より小さくＬＥＤ素子より小さい他放熱穴を更に設
けることを特徴とする請求項２８記載の発光装置の製造
方法。 - 【請求項３０】 多数個の放熱穴を設け各穴の両側に一
定形態のパターン電極を設けるセラミック基板と、 前記セラミック基板上に位置されＬＥＤ素子を実装でき
るよう前記各々の放熱穴を覆う一定形態の補助セラミッ
クシートと、 前記各パターン電極とワイヤーにより電気的に接続され
前記補助セラミックシート上に各々実装される多数個の
ＬＥＤ素子と、 前記ＬＥＤ素子を囲みながらセラミック基板上に設けら
れる上部セラミックシートと、 前記上部セラミックシート内のＬＥＤ素子を密封する絶
縁層と、 を備えたことを特徴とする発光ダイオードを用いた発光
装置。 - 【請求項３１】 前記補助セラミックシートはセラミッ
ク基板上に位置され各々１個の放熱穴を覆うよう独立し
た補助セラミックシートであることを特徴とする請求項
３０記載の発光ダイオードを用いた発光装置。 - 【請求項３２】 前記補助セラミックシートはセラミッ
ク基板上に位置され各々少なくとも１個以上の放熱穴を
覆うよう独立した補助セラミックシートであることを特
徴とする請求項３０記載の発光ダイオードを用いた発光
装置。 - 【請求項３３】 多数個の放熱穴を設けるセラミックシ
ートを備え当該セラミックシート上に一定形態のパター
ン電極を設けてセラミック基板を製造する段階と、 前記各々の放熱穴を覆うよう前記セラミック基板上に一
定形態の補助セラミックシートを積層する段階と、 前記パターン電極の一部と補助セラミックシートの一部
または全部が露出されるよう所定形状の開口部を設ける
上部セラミックシートをセラミック基板上に積層する段
階と、 前記セラミック基板を同時焼成する段階と、 前記セラミック基板のパターン電極上に前記補助セラミ
ックシート上にＬＥＤ素子を各々実装する段階と、 前記パターン電極とＬＥＤ素子を各々電気的に接続させ
た後に前記上部セラミックシート内のＬＥＤ素子を絶縁
樹脂で密封する段階と、 を有することを特徴とする発光ダイオードを用いた発光
装置の製造方法。 - 【請求項３４】 前記セラミック基板上には各々１個の
放熱穴を覆うよう独立した補助セラミックシートを積層
することを特徴とする請求項３３記載の発光ダイオード
を用いた発光装置の製造方法。 - 【請求項３５】 前記セラミック基板上には少なくとも
１個以上の放熱穴を覆うよう独立した補助セラミックシ
ートを積層することを特徴とする請求項３３記載の発光
ダイオードを用いた発光装置の製造方法。 - 【請求項３６】 前記セラミック基板は放熱穴とは別途
の放熱開口部（ｏｐｅｎｉｎｇｓｆｏｒ ｈｅａｔ ｓ
ｉｎｋ）を更に設けることを特徴とする請求項３３記載
の発光ダイオードを用いた発光装置の製造方法。 - 【請求項３７】 前記補助セラミックシートには各々の
ＬＥＤ素子の下部に１個の放熱穴を更に設けることを特
徴とする請求項３３記載の発光ダイオードを用いた発光
装置の製造方法。 - 【請求項３８】 多数個の放熱穴を設けるセラミック基
板と、 前記セラミック基板上に位置されＬＥＤ素子を実装でき
るよう前記放熱穴を覆う補助セラミックシートと、 前記セラミック基板上で放熱穴を中心に両側に設けられ
る一定形態のパターン電極と、 前記放熱穴と対向し前記補助セラミックシートとＬＥＤ
との間に位置して補助セラミックシート上に設けられる
一定パターンの他電極と、 前記補助セラミックシート上の他電極上に実装され前記
セラミック基板のパターン電極とワイヤーにより電気的
に接続されるＬＥＤ素子と、 前記ＬＥＤ素子を囲みながら前記セラミック基板上に積
層される上部セラミックシートと、 前記上部セラミックシート内のＬＥＤ素子を密封する絶
縁層と、 を備えたことを特徴とする発光ダイオードを用いた発光
装置。 - 【請求項３９】 請求項２６記載の発光ダイオードを用
いた発光装置を多数個備えることを特徴とする大面積の
発光ユニットアセンブリー。
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|---|---|
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7521863B2 (en) | 2006-01-13 | 2009-04-21 | Nichia Corporation | Light emitting device and method for producing the same |
Families Citing this family (167)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7027304B2 (en) | 2001-02-15 | 2006-04-11 | Integral Technologies, Inc. | Low cost thermal management device or heat sink manufactured from conductive loaded resin-based materials |
| US6949771B2 (en) * | 2001-04-25 | 2005-09-27 | Agilent Technologies, Inc. | Light source |
| JP4027063B2 (ja) * | 2001-09-17 | 2007-12-26 | 松下電器産業株式会社 | 照明装置 |
| JP3948650B2 (ja) * | 2001-10-09 | 2007-07-25 | アバゴ・テクノロジーズ・イーシービーユー・アイピー（シンガポール）プライベート・リミテッド | 発光ダイオード及びその製造方法 |
| US6833671B2 (en) * | 2002-05-23 | 2004-12-21 | Kuan-Chang Peng | Organic electroluminescent device with efficient heat dissipation and method for manufacturing the same |
| JP2004259958A (ja) * | 2003-02-26 | 2004-09-16 | Kyocera Corp | 発光素子収納用パッケージおよび発光装置 |
| CN100587560C (zh) | 2003-04-01 | 2010-02-03 | 夏普株式会社 | 发光装置用组件、发光装置、背侧光照射装置、显示装置 |
| KR20040087121A (ko) * | 2003-04-04 | 2004-10-13 | 삼성전기주식회사 | 질화 갈륨계 반도체 ｌｅｄ 소자 |
| CA2464153A1 (en) * | 2003-04-14 | 2004-10-14 | Integral Technologies, Inc. | Low cost lighting circuits manufactured from conductive loaded resin-based materials |
| US7157745B2 (en) * | 2004-04-09 | 2007-01-02 | Blonder Greg E | Illumination devices comprising white light emitting diodes and diode arrays and method and apparatus for making them |
| US7777235B2 (en) | 2003-05-05 | 2010-08-17 | Lighting Science Group Corporation | Light emitting diodes with improved light collimation |
| US7095053B2 (en) * | 2003-05-05 | 2006-08-22 | Lamina Ceramics, Inc. | Light emitting diodes packaged for high temperature operation |
| US7528421B2 (en) * | 2003-05-05 | 2009-05-05 | Lamina Lighting, Inc. | Surface mountable light emitting diode assemblies packaged for high temperature operation |
| US7633093B2 (en) | 2003-05-05 | 2009-12-15 | Lighting Science Group Corporation | Method of making optical light engines with elevated LEDs and resulting product |
| US7300182B2 (en) * | 2003-05-05 | 2007-11-27 | Lamina Lighting, Inc. | LED light sources for image projection systems |
| US20070001177A1 (en) * | 2003-05-08 | 2007-01-04 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Integrated light-emitting diode system |
| JP2005175039A (ja) * | 2003-12-09 | 2005-06-30 | Kenichiro Miyahara | 発光素子搭載用基板及び発光素子 |
| EP1496551B1 (en) * | 2003-07-09 | 2013-08-21 | Nichia Corporation | Light emitting diode, method of manufacturing the same and lighting equipment incorporating the same |
| AT501081B8 (de) * | 2003-07-11 | 2007-02-15 | Tridonic Optoelectronics Gmbh | Led sowie led-lichtquelle |
| JP2005064047A (ja) * | 2003-08-13 | 2005-03-10 | Citizen Electronics Co Ltd | 発光ダイオード |
| US20050046003A1 (en) * | 2003-08-26 | 2005-03-03 | Chung-Che Tsai | Stacked-chip semiconductor package and fabrication method thereof |
| US7482636B2 (en) | 2003-10-15 | 2009-01-27 | Nichia Corporation | Light emitting device |
| DE10355600B4 (de) * | 2003-11-28 | 2021-06-24 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung von Halbleiterchips |
| US7196459B2 (en) * | 2003-12-05 | 2007-03-27 | International Resistive Co. Of Texas, L.P. | Light emitting assembly with heat dissipating support |
| JP4489423B2 (ja) | 2003-12-26 | 2010-06-23 | シャープ株式会社 | バックライト及び液晶表示装置 |
| KR100586944B1 (ko) * | 2003-12-26 | 2006-06-07 | 삼성전기주식회사 | 고출력 발광다이오드 패키지 및 제조방법 |
| US7397067B2 (en) * | 2003-12-31 | 2008-07-08 | Intel Corporation | Microdisplay packaging system |
| US7964883B2 (en) * | 2004-02-26 | 2011-06-21 | Lighting Science Group Corporation | Light emitting diode package assembly that emulates the light pattern produced by an incandescent filament bulb |
| KR100602847B1 (ko) * | 2004-02-27 | 2006-07-19 | 럭스피아 주식회사 | 방열판이 장착된 인쇄회로기판과 이 회로기판을 이용한발광다이오드 패캐지 및 그 제조방법 |
| DE102004014207A1 (de) | 2004-03-23 | 2005-10-13 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauteil mit mehrteiligem Gehäusekörper |
| US7517728B2 (en) * | 2004-03-31 | 2009-04-14 | Cree, Inc. | Semiconductor light emitting devices including a luminescent conversion element |
| US7279346B2 (en) * | 2004-03-31 | 2007-10-09 | Cree, Inc. | Method for packaging a light emitting device by one dispense then cure step followed by another |
| JP4586396B2 (ja) * | 2004-04-07 | 2010-11-24 | セイコーエプソン株式会社 | 光源装置及びこれを用いたプロジェクタ |
| DE102004016847A1 (de) | 2004-04-07 | 2005-12-22 | P.M.C. Projekt Management Consult Gmbh | Leuchtdiodenanordnung und Verfahren zum Herstellen einer Leuchtdiodenanordnung |
| US20050225222A1 (en) * | 2004-04-09 | 2005-10-13 | Joseph Mazzochette | Light emitting diode arrays with improved light extraction |
| US20080043444A1 (en) * | 2004-04-27 | 2008-02-21 | Kyocera Corporation | Wiring Board for Light-Emitting Element |
| KR100655894B1 (ko) * | 2004-05-06 | 2006-12-08 | 서울옵토디바이스주식회사 | 색온도 및 연색성이 우수한 파장변환 발광장치 |
| KR100658700B1 (ko) | 2004-05-13 | 2006-12-15 | 서울옵토디바이스주식회사 | Ｒｇｂ 발광소자와 형광체를 조합한 발광장치 |
| US7361938B2 (en) | 2004-06-03 | 2008-04-22 | Philips Lumileds Lighting Company Llc | Luminescent ceramic for a light emitting device |
| KR100665298B1 (ko) * | 2004-06-10 | 2007-01-04 | 서울반도체 주식회사 | 발광장치 |
| KR100665299B1 (ko) * | 2004-06-10 | 2007-01-04 | 서울반도체 주식회사 | 발광물질 |
| WO2006068359A1 (en) * | 2004-12-22 | 2006-06-29 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Light emitting device |
| US8318044B2 (en) * | 2004-06-10 | 2012-11-27 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Light emitting device |
| JP4359195B2 (ja) | 2004-06-11 | 2009-11-04 | 株式会社東芝 | 半導体発光装置及びその製造方法並びに半導体発光ユニット |
| DE102004064150B4 (de) * | 2004-06-29 | 2010-04-29 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Elektronisches Bauteil mit Gehäuse mit leitfähiger Beschichtung zum ESD-Schutz |
| DE102004045947A1 (de) * | 2004-06-30 | 2006-01-19 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Leuchtdiodenanordnung |
| KR100585014B1 (ko) * | 2004-07-01 | 2006-05-29 | 서울반도체 주식회사 | 일체형 열전달 슬러그가 형성된 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법 |
| KR100634379B1 (ko) | 2004-07-14 | 2006-10-16 | 삼성전자주식회사 | 반도체 패키지 |
| US7252408B2 (en) * | 2004-07-19 | 2007-08-07 | Lamina Ceramics, Inc. | LED array package with internal feedback and control |
| JP2006032804A (ja) * | 2004-07-20 | 2006-02-02 | Koha Co Ltd | 発光装置およびその製造方法 |
| JP2006041380A (ja) * | 2004-07-29 | 2006-02-09 | Nippon Leiz Co Ltd | 光源装置 |
| US7081667B2 (en) * | 2004-09-24 | 2006-07-25 | Gelcore, Llc | Power LED package |
| JP2006108216A (ja) * | 2004-10-01 | 2006-04-20 | Hitachi Aic Inc | Ｌｅｄ装置 |
| KR100644632B1 (ko) | 2004-10-01 | 2006-11-10 | 삼성전자주식회사 | Ｌｅｄ를 채용한 조명유닛 및 이를 채용한 화상투사장치 |
| US7812360B2 (en) | 2004-10-04 | 2010-10-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Light emitting device, lighting equipment or liquid crystal display device using such light emitting device |
| KR100603742B1 (ko) * | 2004-12-18 | 2006-07-24 | 박종만 | 발광장치 |
| CN100382344C (zh) * | 2004-12-31 | 2008-04-16 | 财团法人工业技术研究院 | 发光二极管封装结构及其制作方法 |
| JP4706825B2 (ja) | 2005-02-18 | 2011-06-22 | 日亜化学工業株式会社 | サイドビュー型発光装置 |
| JP4890775B2 (ja) * | 2005-03-23 | 2012-03-07 | パナソニック株式会社 | 発光モジュール |
| JP5159040B2 (ja) * | 2005-03-31 | 2013-03-06 | 株式会社光波 | 低温成長バッファ層の形成方法および発光素子の製造方法 |
| JP5320060B2 (ja) * | 2005-04-27 | 2013-10-23 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ | 発光半導体デバイス用冷却装置及びそのような冷却装置の製造方法 |
| US7595453B2 (en) * | 2005-05-24 | 2009-09-29 | M/A-Com Technology Solutions Holdings, Inc. | Surface mount package |
| JP2008543041A (ja) * | 2005-05-25 | 2008-11-27 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | Ｌｅｄを備える照明システム |
| JP4697533B2 (ja) * | 2005-06-08 | 2011-06-08 | ミネベア株式会社 | 面状照明装置 |
| KR20080042798A (ko) * | 2005-06-27 | 2008-05-15 | 라미나 라이팅, 인크. | 발광 다이오드 패키지 및 제작방법 |
| KR101232505B1 (ko) * | 2005-06-30 | 2013-02-12 | 엘지디스플레이 주식회사 | 발광다이오드 패키지 제조방법, 백라이트 유닛 및액정표시장치 |
| US7550319B2 (en) * | 2005-09-01 | 2009-06-23 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Low temperature co-fired ceramic (LTCC) tape compositions, light emitting diode (LED) modules, lighting devices and method of forming thereof |
| KR100682325B1 (ko) * | 2005-09-30 | 2007-02-15 | 주식회사 우영 | 백라이트 유닛의 방열 코팅제, 방열 코팅층 형성방법, 방열코팅층을 구비한 백라이트 유닛 |
| US20070081340A1 (en) * | 2005-10-07 | 2007-04-12 | Chung Huai-Ku | LED light source module with high efficiency heat dissipation |
| US7505275B2 (en) * | 2005-11-04 | 2009-03-17 | Graftech International Holdings Inc. | LED with integral via |
| KR101258397B1 (ko) * | 2005-11-11 | 2013-04-30 | 서울반도체 주식회사 | 구리 알칼리토 실리케이트 혼성 결정 형광체 |
| WO2007058438A1 (en) * | 2005-11-18 | 2007-05-24 | Amosense Co., Ltd. | Electronic parts packages |
| JP4798432B2 (ja) * | 2005-11-21 | 2011-10-19 | ミネベア株式会社 | 面状照明装置 |
| KR101055772B1 (ko) * | 2005-12-15 | 2011-08-11 | 서울반도체 주식회사 | 발광장치 |
| KR100764380B1 (ko) * | 2005-12-16 | 2007-10-08 | 삼성전기주식회사 | 슬림형 백라이트유닛 |
| WO2007075143A1 (en) | 2005-12-29 | 2007-07-05 | Lam Chiang Lim | High power led housing removably fixed to a heat sink |
| KR100715457B1 (ko) * | 2005-12-30 | 2007-05-07 | 서울반도체 주식회사 | 발광 다이오드 실장용 인쇄회로기판 제조방법 및 발광다이오드 패키지 |
| KR101305884B1 (ko) * | 2006-01-06 | 2013-09-06 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 다이오드 패키지, 이의 제조 방법 및 이를 구비하는백라이트 유닛 |
| US8044412B2 (en) | 2006-01-20 | 2011-10-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd | Package for a light emitting element |
| JP4654942B2 (ja) * | 2006-02-28 | 2011-03-23 | ミネベア株式会社 | 面状照明装置 |
| TW200737430A (en) * | 2006-03-17 | 2007-10-01 | Elit Fine Ceramics Co Ltd | Method for forming light emitting diode reflector, structure thereof, and light emitting diode mounting device using reflector |
| TWI322915B (en) | 2006-03-31 | 2010-04-01 | Au Optronics Corp | Heat dissipation structure of backliht module |
| KR100875443B1 (ko) | 2006-03-31 | 2008-12-23 | 서울반도체 주식회사 | 발광 장치 |
| KR100755615B1 (ko) * | 2006-04-14 | 2007-09-06 | 삼성전기주식회사 | 발광 다이오드를 이용한 액정 표시 장치의 백라이트 |
| TW200742111A (en) * | 2006-04-18 | 2007-11-01 | Harvatek Corp | LED chip encapsulation structure and method |
| KR100775922B1 (ko) * | 2006-05-10 | 2007-11-15 | 한솔엘씨디 주식회사 | 백라이트 유닛용 ｌｅｄ모듈 및 그 제조방법 |
| KR101258227B1 (ko) * | 2006-08-29 | 2013-04-25 | 서울반도체 주식회사 | 발광 소자 |
| US7667378B2 (en) * | 2006-11-14 | 2010-02-23 | Epson Imaging Devices Corporation | Illuminating device, electro-optic device, and electronic apparatus |
| TW200824142A (en) * | 2006-11-22 | 2008-06-01 | Lighthouse Technology Co Ltd | High power diode holder and thereof package is described |
| KR100947454B1 (ko) * | 2006-12-19 | 2010-03-11 | 서울반도체 주식회사 | 다단 구조의 열전달 슬러그 및 이를 채용한 발광 다이오드패키지 |
| KR100788265B1 (ko) * | 2006-12-28 | 2007-12-27 | 서울반도체 주식회사 | 다수의 수직형 발광소자를 구비하는 발광 다이오드 패키지 |
| TW200837925A (en) | 2007-01-11 | 2008-09-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Light source |
| JP2007123939A (ja) * | 2007-01-29 | 2007-05-17 | Kyocera Corp | 発光装置 |
| JP2007142476A (ja) * | 2007-02-27 | 2007-06-07 | Kyocera Corp | 発光装置 |
| JP2007142477A (ja) * | 2007-02-27 | 2007-06-07 | Kyocera Corp | 発光装置 |
| KR100763557B1 (ko) * | 2007-04-16 | 2007-10-04 | 이이근 | 고휘도 ｌｅｄ용 금속 인쇄회로기판 |
| US20080258167A1 (en) * | 2007-04-23 | 2008-10-23 | Liu Ming-Dah | Package structure for light-emitting elements |
| KR100855065B1 (ko) * | 2007-04-24 | 2008-08-29 | 삼성전기주식회사 | 발광 다이오드 패키지 |
| US8115305B2 (en) * | 2007-05-17 | 2012-02-14 | Stats Chippac Ltd. | Integrated circuit package system with thin profile |
| TWM328763U (en) * | 2007-05-21 | 2008-03-11 | Univ Nat Taiwan | Structure of heat dissipation substrate |
| KR101155991B1 (ko) * | 2007-06-27 | 2012-06-18 | 삼성전자주식회사 | 잉크젯 화상형성기기의 헤드칩 및 그 제조방법 |
| KR100880638B1 (ko) | 2007-07-06 | 2009-01-30 | 엘지전자 주식회사 | 발광 소자 패키지 |
| TWI340441B (en) * | 2007-07-20 | 2011-04-11 | Kuanchun Chen | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| CN100583433C (zh) * | 2007-07-26 | 2010-01-20 | 江苏宏微科技有限公司 | 非绝缘双塔型二极管模块 |
| KR20090015734A (ko) | 2007-08-09 | 2009-02-12 | 엘지이노텍 주식회사 | 광원 장치 |
| CN101784636B (zh) * | 2007-08-22 | 2013-06-12 | 首尔半导体株式会社 | 非化学计量四方铜碱土硅酸盐磷光体及其制备方法 |
| KR101055769B1 (ko) | 2007-08-28 | 2011-08-11 | 서울반도체 주식회사 | 비화학양론적 정방정계 알칼리 토류 실리케이트 형광체를채택한 발광 장치 |
| CN101409320B (zh) * | 2007-10-09 | 2010-06-23 | 富士迈半导体精密工业（上海）有限公司 | 基板制作方法 |
| CN100546058C (zh) * | 2007-10-15 | 2009-09-30 | 佛山市国星光电股份有限公司 | 功率发光二极管封装结构 |
| US8207607B2 (en) * | 2007-12-14 | 2012-06-26 | Denso Corporation | Semiconductor device with resin mold |
| KR101468696B1 (ko) * | 2007-12-31 | 2014-12-08 | 서울반도체 주식회사 | 발광 소자 |
| KR101443365B1 (ko) * | 2007-12-31 | 2014-10-01 | 서울반도체 주식회사 | 발광 효율이 개선된 발광 다이오드 |
| CN101493216B (zh) * | 2008-01-24 | 2011-11-09 | 富士迈半导体精密工业（上海）有限公司 | 发光二极管光源模组 |
| US8304660B2 (en) * | 2008-02-07 | 2012-11-06 | National Taiwan University | Fully reflective and highly thermoconductive electronic module and method of manufacturing the same |
| JP4544316B2 (ja) * | 2008-03-10 | 2010-09-15 | セイコーエプソン株式会社 | 光源及び光源実装方法 |
| US8461613B2 (en) * | 2008-05-27 | 2013-06-11 | Interlight Optotech Corporation | Light emitting device |
| JP5152502B2 (ja) * | 2008-06-09 | 2013-02-27 | スタンレー電気株式会社 | 灯具 |
| TW201003991A (en) * | 2008-07-03 | 2010-01-16 | jia-han Xie | Package structure of LED and light bar using the same |
| DE102008040727A1 (de) * | 2008-07-25 | 2010-01-28 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Ermittlung der Rotortemperatur einer permanenterregten Synchronmaschine |
| CN101816076B (zh) * | 2008-08-26 | 2012-05-23 | 潘定国 | 发光二极管多芯片贴片及装有该贴片的灯条 |
| TWI420695B (zh) * | 2008-10-21 | 2013-12-21 | Advanced Optoelectronic Tech | 化合物半導體元件之封裝模組結構及其製造方法 |
| US8083382B1 (en) * | 2008-11-24 | 2011-12-27 | Sebek Gavin D | Illumination system |
| US20100149771A1 (en) * | 2008-12-16 | 2010-06-17 | Cree, Inc. | Methods and Apparatus for Flexible Mounting of Light Emitting Devices |
| KR101055762B1 (ko) * | 2009-09-01 | 2011-08-11 | 서울반도체 주식회사 | 옥시오소실리케이트 발광체를 갖는 발광 물질을 채택한 발광 장치 |
| DE102009030205A1 (de) * | 2009-06-24 | 2010-12-30 | Litec-Lp Gmbh | Leuchtstoffe mit Eu(II)-dotierten silikatischen Luminophore |
| WO2010151600A1 (en) | 2009-06-27 | 2010-12-29 | Michael Tischler | High efficiency leds and led lamps |
| JP2009218625A (ja) * | 2009-07-03 | 2009-09-24 | Hitachi Aic Inc | Ｌｅｄ装置 |
| WO2011013808A1 (ja) * | 2009-07-31 | 2011-02-03 | 京セラ株式会社 | 発光素子搭載用セラミックス基体 |
| TWI381564B (zh) * | 2009-08-06 | 2013-01-01 | Everlight Electronics Co Ltd | 發光二極體 |
| US8089086B2 (en) * | 2009-10-19 | 2012-01-03 | Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Light source |
| CN101728474B (zh) * | 2009-11-16 | 2014-04-16 | 李亚平 | 高热传导大功率led基板制备工艺 |
| US8653539B2 (en) | 2010-01-04 | 2014-02-18 | Cooledge Lighting, Inc. | Failure mitigation in arrays of light-emitting devices |
| US8384121B2 (en) | 2010-06-29 | 2013-02-26 | Cooledge Lighting Inc. | Electronic devices with yielding substrates |
| US9480133B2 (en) | 2010-01-04 | 2016-10-25 | Cooledge Lighting Inc. | Light-emitting element repair in array-based lighting devices |
| TWM387376U (en) * | 2010-03-03 | 2010-08-21 | Azurewave Technologies Inc | Lightemitting diode package structure to increase the illumination efficiency |
| KR101779205B1 (ko) | 2010-10-06 | 2017-09-26 | 엘지이노텍 주식회사 | 방열회로기판 및 이를 포함하는 발열소자 패키지 |
| KR101775428B1 (ko) * | 2010-12-28 | 2017-09-06 | 삼성전자 주식회사 | 발광 소자 패키지 및 그 제조 방법 |
| TWI450425B (zh) | 2010-12-31 | 2014-08-21 | Ind Tech Res Inst | 晶粒結構、其製造方法及其基板結構 |
| GB201109095D0 (en) | 2011-05-31 | 2011-07-13 | Led Lighting South Africa Close Corp | Cooling of LED illumination devices |
| KR101209376B1 (ko) | 2011-06-23 | 2012-12-06 | (주)엘이디스튜디오 | 엘이디램프 |
| JP2013026510A (ja) * | 2011-07-22 | 2013-02-04 | Rohm Co Ltd | Ｌｅｄモジュールおよびｌｅｄモジュールの実装構造 |
| DE102011115314B4 (de) | 2011-09-29 | 2019-04-25 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | LED-Modul |
| CN102322601A (zh) * | 2011-10-12 | 2012-01-18 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种led背光模组及液晶显示装置 |
| TWM441212U (en) * | 2012-04-12 | 2012-11-11 | Jin-Huan Ni | New plasticized ceramic heat dissipation module |
| KR101369300B1 (ko) * | 2012-04-27 | 2014-03-06 | 엘지이노텍 주식회사 | 방열성을 향상시킨 칩 온 필름 패키지 |
| CN105742459A (zh) * | 2012-05-18 | 2016-07-06 | 九尊城网络科技（深圳）有限公司 | 发光二极管及其封装方法 |
| CN105720162B (zh) * | 2012-05-18 | 2018-03-06 | 深圳市百洲半导体光电科技有限公司 | 发光二极管及其封装方法 |
| CN105702841B (zh) * | 2012-05-18 | 2018-06-19 | 东莞市光华电子有限公司 | 发光二极管及其封装方法 |
| US8877561B2 (en) | 2012-06-07 | 2014-11-04 | Cooledge Lighting Inc. | Methods of fabricating wafer-level flip chip device packages |
| KR101363980B1 (ko) * | 2012-07-13 | 2014-02-18 | 주식회사 대원이노스트 | 광 모듈 및 그 제조 방법 |
| US9673162B2 (en) * | 2012-09-13 | 2017-06-06 | Nxp Usa, Inc. | High power semiconductor package subsystems |
| CN103682019B (zh) * | 2012-09-21 | 2017-04-19 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管及其制造方法 |
| KR20140039740A (ko) * | 2012-09-25 | 2014-04-02 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 패키지 |
| KR200473652Y1 (ko) | 2012-10-25 | 2014-07-17 | 차오-친 예 | Ｌｅｄ 방열 구조 |
| AT513780B1 (de) * | 2012-12-21 | 2015-02-15 | Hella Fahrzeugteile Austria Gmbh | Kühlvorrichtung für eine LED |
| CN203377255U (zh) * | 2013-06-27 | 2014-01-01 | 比亚迪股份有限公司 | Led散热支架 |
| WO2015109968A1 (zh) * | 2014-01-23 | 2015-07-30 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 晶圆级半导体器件及其制备方法 |
| US10775028B2 (en) | 2014-12-11 | 2020-09-15 | Datalogic Ip Tech S.R.L. | Printed circuit board aperture based illumination system for pattern projection |
| CN104681703A (zh) * | 2015-02-12 | 2015-06-03 | 苏州晶品新材料股份有限公司 | 立体发光式led点光源以及照明装置 |
| JP2017073411A (ja) * | 2015-10-05 | 2017-04-13 | ソニー株式会社 | 発光装置 |
| DE102016124270A1 (de) * | 2016-12-13 | 2018-06-14 | Infineon Technologies Ag | Halbleiter-package und verfahren zum fertigen eines halbleiter-package |
| CN107180799A (zh) * | 2017-04-26 | 2017-09-19 | 东莞市柏尔电子科技有限公司 | 一种大功率三极管的封装基板 |
| KR102453886B1 (ko) * | 2018-01-12 | 2022-10-11 | 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 | 발광소자 패키지 및 광원 장치 |
| KR102501895B1 (ko) * | 2018-05-30 | 2023-02-21 | 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 | 발광소자 패키지 및 광원 모듈 |
| US10804188B2 (en) * | 2018-09-07 | 2020-10-13 | Intel Corporation | Electronic device including a lateral trace |
| CN109036168A (zh) * | 2018-10-12 | 2018-12-18 | 广东德豪锐拓显示技术有限公司 | Led透明显示屏及其贴片灯 |
| CN111446353A (zh) * | 2019-01-16 | 2020-07-24 | 株式会社辉元 | 陶瓷发光二极管封装及其制造方法 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4916464A (en) * | 1987-04-22 | 1990-04-10 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Light emitting diode array print head having no bonding wire connections |
| JPH0361556A (ja) * | 1989-07-31 | 1991-03-18 | Ricoh Co Ltd | 光プリントヘッド |
| JPH03110963A (ja) * | 1989-09-26 | 1991-05-10 | Toshiba Lighting & Technol Corp | 発光ダイオードアレイ装置 |
| JPH06310762A (ja) * | 1993-04-21 | 1994-11-04 | Sanyo Electric Co Ltd | 発光ダイオード装置 |
| JPH06310759A (ja) * | 1993-04-26 | 1994-11-04 | Kyocera Corp | 画像装置 |
| TW383508B (en) | 1996-07-29 | 2000-03-01 | Nichia Kagaku Kogyo Kk | Light emitting device and display |
| JP2000315826A (ja) | 2000-01-01 | 2000-11-14 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置及びその形成方法、砲弾型発光ダイオード、チップタイプｌｅｄ |
| US6531328B1 (en) * | 2001-10-11 | 2003-03-11 | Solidlite Corporation | Packaging of light-emitting diode |
-
2001
- 2001-05-24 KR KR10-2001-0028685A patent/KR100419611B1/ko active IP Right Grant
- 2001-10-19 JP JP2001321283A patent/JP3469890B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2001-10-19 US US09/981,793 patent/US6670751B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2003
- 2003-08-07 US US10/635,496 patent/US7025651B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7521863B2 (en) | 2006-01-13 | 2009-04-21 | Nichia Corporation | Light emitting device and method for producing the same |
| US7851999B2 (en) | 2006-01-13 | 2010-12-14 | Nichia Corporation | Light emitting device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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