JP2006032804A - 発光装置およびその製造方法 - Google Patents
発光装置およびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006032804A JP2006032804A JP2004212270A JP2004212270A JP2006032804A JP 2006032804 A JP2006032804 A JP 2006032804A JP 2004212270 A JP2004212270 A JP 2004212270A JP 2004212270 A JP2004212270 A JP 2004212270A JP 2006032804 A JP2006032804 A JP 2006032804A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- emitting device
- light emitting
- light
- led element
- thermal conductivity
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/49105—Connecting at different heights
- H01L2224/49107—Connecting at different heights on the semiconductor or solid-state body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
【解決手段】 発光装置1は、セラミックスからなる積層基板5と、積層基板5の上に設けられたLED素子2と、LED素子2を囲むように積層基板5上に設けられ、LED素子2の発光光を上方に反射するパッケージ3と、LED素子2を封止するモールド樹脂4とを有して概略構成されており、積層基板5の一部にはLED素子2の放熱を促すため、積層基板5の熱伝導度よりも大きい熱伝導度を有する部材からなる放熱部材20を形成している。
【選択図】 図1
Description
また、第5の従来例として、基板およびパッケージは、成形品に切削等の加工を施して形成する場合があった。
図1は、本発明の第1の実施の形態に係る発光装置を示す。この発光装置1は、焼結材料からなる複数の基板が積層された積層基板5と、積層基板5に形成され、熱伝導率が積層基板5より大きい熱伝導率を有し、積層基板5の焼結温度よりも高い融点を有する熱伝導部材としての放熱部材20と、放熱部材20の上面に設けられたLED素子2と、LED素子2を囲むように積層基板5上に設けられ、LED素子2の発光光を上方に反射する反射面3aを有するパッケージ3と、LED素子2を封止するモールド樹脂4とを有して概略構成されている。なお、積層基板5と放熱部材20とにより基体を構成する。
次に、この発光装置1の製造方法の一例について説明する。まず、積層基板5およびパッケージ3を形成するように、所定の穴15a、15b、スルーホール10A、導電パターン11A〜11D等を形成したセラミックグリーンシートを積層する。
第1の実施の形態に係る発光装置1によれば、下記の効果を奏する。
(イ)放熱部材20は、積層基板5よりも熱伝導率の大きい材料により形成したため、LED素子2が発生する熱は、放熱部材20の温度勾配に従って流れるので、LED素子2の発熱を効率よく放散することができる。そのため、LED素子2に大電流を流すことが可能となるのでより高輝度の発光を実現することができる。
(ロ)放熱部材20は、熱伝導率の大きい材料により形成したため、ヒートシンク等の放熱部材を別途設ける必要がないので、発光装置の大型化を回避することができる。
(ハ)焼結温度の低いセラミックグリーンシートが焼結する際には、融点の高い純銅が焼結温度の低いセラミックグリーンシートの収縮を抑制する。一方、焼結温度の低いセラミックグリーンシートの焼結温度を超えると、焼結したセラミックグリーンシートが融点の高い純銅の収縮を抑制するので、積層基板5および放熱部材20の収縮が抑制される。したがって、焼結の際に積層基板5および放熱部材20の変形量が少なくなるので、製造の際の歩留りが向上する。
(ニ)耐熱性を有するセラミックスにより積層基板5を形成するため、LED素子2に供給する電流を大にした場合、LED素子2からの発熱により積層基板5が高温になっても、積層基板5の破壊等が生じない。
(ホ)セラミックグリーンシートを焼結して積層基板5を形成するため、例えば、純金属により形成する場合に比べて低い温度で積層基板5を成形することができるので、加熱のための設備を大型化する必要がない。
(ヘ)焼結することにより積層基板5と放熱部材20とを一体成形することができるため、製造工数を減らし、加工費や原料費等を削減することができる。
(ト)熱膨張率が小さいセラミックスにより積層基板5を形成するため、精度よく基板を製作することができるので、製造の際の歩留りが向上する。
(チ)耐熱性、耐食性に富むセラミックスにより積層基板5およびパッケージ3を製作するため、耐熱性、耐食性に優れた発光装置を得ることができる。
図2は、本発明の第2の実施の形態に係る発光装置を示す。この発光装置1は、第1の実施の形態とは、LED素子2および第2の電極6Bが相違し、他は第1の実施の形態と同様に構成される。
第2の実施の形態によれば、第1の実施の形態と同様の効果を奏するとともに、下記の効果を奏する。
(イ)第2の電極6Bが放熱部材を兼ねるため、LED素子2に駆動電力を供給する構造を簡素化することができる。
(ロ)第2の電極6Bは、高熱伝導性に富む純銅でできているため、LED素子2から発生する熱は、第2の電極6Bの温度勾配に従って流れるので、LED素子2の発熱をを効率よく放熱することができる。そのため、LED素子2に大電流を流すことが可能となるため、高輝度の発光を実現することができる。
(ハ)第2の電極6Bは、発光装置1の下面に形成されるため、プリント基板などに直接取り付けることができるので、実装工程が簡略化できる。
図3は、本発明の第3の実施の形態に係る発光装置を示す。この発光装置1は、第2の実施の形態とは、LED素子2が相違し、他は第2の実施の形態と同様に構成される。この発光装置1は、第2の電極6Bの上面にLED素子2を搭載する。第2の電極6Bは、LED素子2が発生する熱を放熱する放熱部を兼ねている。
図4は、本発明の第4の実施の形態に係る発光装置1を示す。この発光装置1は、第1の実施の形態とは、パッケージ3が相違し、他は第1の実施の形態と同様に構成される。
第4の実施の形態に係る発光装置1によれば、LED素子2による発光光を反射率の大きな反射面3aに反射して外部に出射させているので、直接出射する光量に加えて、反射光量が加重され、外部に高輝度の光を出射することができる。
図5は、本発明の第5の実施の形態に係る発光装置1を示す。この発光装置1は、一方のリードフレーム30の一端にAgペースト等の接着剤13を介して取り付けられたLED素子2と、LED素子2とワイヤ12を介して電気的に接続された他方のリードフレーム31と、一対のリードフレーム30,31を支持し、LED素子2の発光光を反射する反射面3aを有するパッケージ3と、パッケージ3に注入されて反射面3aおよびLED素子2を封止するモールド樹脂4とを備える。パッケージ3は、例えば、窒化アルミニウム等の高熱伝導性を有するセラミックスにより形成する。
この発光装置1の製造方法の一例について説明する。この発光装置1は、スラリー状のセラミックインジェクションモールド材料によりパッケージ3と一対のリードフレーム30,31とをインサート成形により一体に成形し、次に、セラミックインジェクションモールド材料を加熱し、セラミックインジェクションモールド材料によりリードフレーム30,31を保持するように焼結する。次に、LED素子2を一方のリードフレーム30の一端に接着剤13を介して取り付け、LED素子2と他のリードフレーム31とをワイヤ12により接続する。次に、例えば、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂等からなるモールド樹脂4によりパッケージ3内のLED素子2を封止する。
第5の実施の形態に係る発光装置1によれば、第1の実施の形態と同様の効果を奏するとともに、下記の効果を奏する。
(イ)この発光装置1によれば、リードフレーム30にLED素子2を取り付けるため、LED素子2から発生する熱は、リードフレーム30に伝導し、リードフレーム30に伝導した熱がリードフレーム30からパッケージ3に伝導する。したがって、LED素子2から発生する熱は、LED素子2からリードフレーム30を経てパッケージ3に至る温度勾配が生じるので、LED素子2から発生する熱を効率よく放熱することができる。
(ロ)インサート成形によりパッケージ3とリードフレーム30,31を一体に成形するため、工数が減少するので、簡易に発光装置1を製造することができる。
なお、本発明は、上記各実施の形態に限定されず、その要旨を変更しない範囲内で種々の変形が可能である。例えば、各実施の形態間の構成要素の組合せは任意に行うことができる。また、LEDチップは、使用目的に応じて種々の発光波長のものを選択することができ、2色、3色あるいはフルカラー発光するものでもよい。また、反射面は、高反射率性物質にメッキ、蒸着等の表面処理を施してもよい。このようにすることにより、光取り出し効率を向上させ、高輝度を達成することができる。また、熱伝導率や反射率の大きい部材は、板状体や棒状体であってもよい。
2 LED素子
3 パッケージ
3A 高反射率部
3a 反射面
4 モールド樹脂
5 積層基板
5A 上側基板
5B 下側基板
5a,5b 穴
6 電極
6A 第1の電極
6B 第2の電極
10,10A,10B スルーホール
11,11A,11B、11C,11D 導電パターン
12,12A,12B ワイヤ
13 接着剤
15a,15b 穴
20 放熱部材
30,31 リードフレーム
50 発光装置
52 LED素子
53 パッケージ
53a 反射面
54 モールド樹脂
55 積層基板
55A 上側基板
55B 下側基板
56A 第1の電極
56B 第2の電極
60,60A,60B スルーホール
61A、61B、61C、61D 導電パターン
62,62A,62B ワイヤ
63,70 接着剤
71 ヒートシンク
80,81 リードフレーム
Claims (8)
- 少なくとも一方が焼結材料からなり、熱伝導率が異なる第1および第2の部材からなる基体と、
前記第1および第2の部材のうち熱伝導率が大きい方の前記部材の表面に設けられた発光素子とを備えたことを特徴とする発光装置。 - 前記焼結材料は、セラミックスであることを特徴とする請求項1記載の発光装置。
- 前記熱伝導率が大きい方の前記部材は、セラミックスからなることを特徴とする請求項1記載の発光装置。
- 前記熱伝導率が大きい方の前記部材は、純金属からなることを特徴とする請求項1記載の発光装置。
- 前記熱伝導率が大きい方の前記部材は、純銅からなることを特徴とする請求項1記載の発光装置。
- 前記熱伝導率が大きい方の前記部材は、前記発光素子に電圧を印加する電極であることを特徴とする請求項1記載の発光装置。
- 少なくとも一方が焼結材料からなり、熱伝導率が異なる第1および第2の部材からなる基体と、
前記第1および第2の部材のうち熱伝導率が大きい方の前記部材の表面に設けられた発光素子と、
前記基体の前記表面上の前記発光素子の周囲に、前記基体と別体あるいは一体に設けられ、前記基体の反射率より大なる反射率を有する高反射率部とを備えたことを特徴とするの発光装置。 - 所定の形状を有する第1の部材を準備し、
前記第1の部材の融点より低い焼結温度を有する焼結粉を前記第1の部材に接するように配置して前記焼結粉を所定の形状に成形し、
前記焼結粉を焼結することにより、前記焼結粉からなる第2の部材を形成して、前記第2の部材と前記第1の部材とを一体成形し、
前記第1および第2の部材のうち熱伝導率の大きい方の前記部材の表面に発光素子を設けることを特徴とする発光装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004212270A JP2006032804A (ja) | 2004-07-20 | 2004-07-20 | 発光装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004212270A JP2006032804A (ja) | 2004-07-20 | 2004-07-20 | 発光装置およびその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006032804A true JP2006032804A (ja) | 2006-02-02 |
Family
ID=35898757
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004212270A Pending JP2006032804A (ja) | 2004-07-20 | 2004-07-20 | 発光装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2006032804A (ja) |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007251154A (ja) * | 2006-03-17 | 2007-09-27 | ▲こう▼▲きん▼電光科技股▲ふん▼有限公司 | 発光ダイオードリフレクターの形成方法とその構造、及びリフレクターを利用した発光ダイオード積載装置 |
WO2007119782A1 (ja) * | 2006-04-12 | 2007-10-25 | Showa Denko K.K. | 発光装置及びその製造方法 |
JP2007317956A (ja) * | 2006-05-26 | 2007-12-06 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置 |
JP2008072013A (ja) * | 2006-09-15 | 2008-03-27 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置 |
JP2008177445A (ja) * | 2007-01-22 | 2008-07-31 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 配線基板 |
US7521863B2 (en) | 2006-01-13 | 2009-04-21 | Nichia Corporation | Light emitting device and method for producing the same |
JP2009267279A (ja) * | 2008-04-30 | 2009-11-12 | Showa Denko Kk | 発光装置、表示装置 |
KR101000860B1 (ko) | 2009-03-12 | 2010-12-14 | 삼성전기주식회사 | 발광다이오드 패키지 및 그 제조 방법 |
CN103872211A (zh) * | 2012-12-14 | 2014-06-18 | Lg伊诺特有限公司 | 发光器件封装 |
CN105374915A (zh) * | 2014-08-06 | 2016-03-02 | 首尔伟傲世有限公司 | 高功率发光装置 |
CN106876563A (zh) * | 2015-12-14 | 2017-06-20 | 亿光电子工业股份有限公司 | 发光二极管封装结构及其制造方法 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000185972A (ja) * | 1998-12-21 | 2000-07-04 | Murata Mfg Co Ltd | セラミック組成物及びセラミック多層基板 |
JP2000281436A (ja) * | 1999-01-26 | 2000-10-10 | Murata Mfg Co Ltd | 誘電体セラミック組成物及びセラミック多層基板 |
JP2001160645A (ja) * | 1999-12-02 | 2001-06-12 | Yamaha Corp | 半導体レーザモジュール用パッケージおよびその製造方法 |
JP2002208737A (ja) * | 2001-01-11 | 2002-07-26 | Sanken Electric Co Ltd | 表面実装型半導体発光装置 |
JP2002353515A (ja) * | 2001-05-24 | 2002-12-06 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 発光ダイオード及びこれを用いた発光装置とその製造方法 |
JP2002359403A (ja) * | 2001-05-31 | 2002-12-13 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置 |
JP2003078174A (ja) * | 2001-09-05 | 2003-03-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光源ユニットの装着構造 |
JP2003092452A (ja) * | 2001-09-17 | 2003-03-28 | Yamaha Corp | 光半導体モジュール用パッケージおよびその製造方法 |
JP2003168829A (ja) * | 2001-09-19 | 2003-06-13 | Matsushita Electric Works Ltd | 発光装置 |
JP2004079211A (ja) * | 2002-08-09 | 2004-03-11 | Dowa Mining Co Ltd | 導電ペースト用銀粉及びその製造方法並びにその銀粉を用いた導電ペースト |
-
2004
- 2004-07-20 JP JP2004212270A patent/JP2006032804A/ja active Pending
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000185972A (ja) * | 1998-12-21 | 2000-07-04 | Murata Mfg Co Ltd | セラミック組成物及びセラミック多層基板 |
JP2000281436A (ja) * | 1999-01-26 | 2000-10-10 | Murata Mfg Co Ltd | 誘電体セラミック組成物及びセラミック多層基板 |
JP2001160645A (ja) * | 1999-12-02 | 2001-06-12 | Yamaha Corp | 半導体レーザモジュール用パッケージおよびその製造方法 |
JP2002208737A (ja) * | 2001-01-11 | 2002-07-26 | Sanken Electric Co Ltd | 表面実装型半導体発光装置 |
JP2002353515A (ja) * | 2001-05-24 | 2002-12-06 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 発光ダイオード及びこれを用いた発光装置とその製造方法 |
JP2002359403A (ja) * | 2001-05-31 | 2002-12-13 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置 |
JP2003078174A (ja) * | 2001-09-05 | 2003-03-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光源ユニットの装着構造 |
JP2003092452A (ja) * | 2001-09-17 | 2003-03-28 | Yamaha Corp | 光半導体モジュール用パッケージおよびその製造方法 |
JP2003168829A (ja) * | 2001-09-19 | 2003-06-13 | Matsushita Electric Works Ltd | 発光装置 |
JP2004079211A (ja) * | 2002-08-09 | 2004-03-11 | Dowa Mining Co Ltd | 導電ペースト用銀粉及びその製造方法並びにその銀粉を用いた導電ペースト |
Cited By (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7851999B2 (en) | 2006-01-13 | 2010-12-14 | Nichia Corporation | Light emitting device |
US7521863B2 (en) | 2006-01-13 | 2009-04-21 | Nichia Corporation | Light emitting device and method for producing the same |
JP2007251154A (ja) * | 2006-03-17 | 2007-09-27 | ▲こう▼▲きん▼電光科技股▲ふん▼有限公司 | 発光ダイオードリフレクターの形成方法とその構造、及びリフレクターを利用した発光ダイオード積載装置 |
WO2007119782A1 (ja) * | 2006-04-12 | 2007-10-25 | Showa Denko K.K. | 発光装置及びその製造方法 |
JP2007287713A (ja) * | 2006-04-12 | 2007-11-01 | Showa Denko Kk | 発光装置及びその製造方法 |
US8035125B2 (en) | 2006-04-12 | 2011-10-11 | Showa Denko K.K. | Light-emitting apparatus and method of manufacturing the same |
JP2007317956A (ja) * | 2006-05-26 | 2007-12-06 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置 |
JP2008072013A (ja) * | 2006-09-15 | 2008-03-27 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置 |
JP2008177445A (ja) * | 2007-01-22 | 2008-07-31 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 配線基板 |
JP2009267279A (ja) * | 2008-04-30 | 2009-11-12 | Showa Denko Kk | 発光装置、表示装置 |
KR101000860B1 (ko) | 2009-03-12 | 2010-12-14 | 삼성전기주식회사 | 발광다이오드 패키지 및 그 제조 방법 |
CN103872211A (zh) * | 2012-12-14 | 2014-06-18 | Lg伊诺特有限公司 | 发光器件封装 |
EP2744001A3 (en) * | 2012-12-14 | 2014-12-10 | LG Innotek Co., Ltd. | Light emitting device package |
US9437791B2 (en) | 2012-12-14 | 2016-09-06 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device package |
CN105374915A (zh) * | 2014-08-06 | 2016-03-02 | 首尔伟傲世有限公司 | 高功率发光装置 |
CN106876563A (zh) * | 2015-12-14 | 2017-06-20 | 亿光电子工业股份有限公司 | 发光二极管封装结构及其制造方法 |
US10347795B2 (en) | 2015-12-14 | 2019-07-09 | Everlight Electronics Co., Ltd. | Light emitting diode package structure with large luminous intensity in particular directions and manufacturing method thereof |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7161190B2 (en) | Semiconductor light-emitting device and method of manufacturing the same | |
JP4676335B2 (ja) | 照明装置 | |
JP4865525B2 (ja) | Sml型発光ダイオードランプ用素子およびその製造方法 | |
JP4808550B2 (ja) | 発光ダイオード光源装置、照明装置、表示装置及び交通信号機 | |
JP5940799B2 (ja) | 電子部品搭載用パッケージ及び電子部品パッケージ並びにそれらの製造方法 | |
JP2010219562A (ja) | 照明装置 | |
EP2188849B1 (en) | Light emitting device | |
JP2007250979A (ja) | 半導体パッケージ | |
JP2008027898A (ja) | 線光源用ledモジュール | |
KR20110095279A (ko) | 발광 소자 패키지용 기판 및 발광 소자 패키지 | |
JPH10321909A (ja) | 半導体装置 | |
JP2008085302A (ja) | 照明装置 | |
JP2006185967A (ja) | 発光素子収納パッケージ、発光装置および照明装置 | |
US20100301359A1 (en) | Light Emitting Diode Package Structure | |
JP2007194525A (ja) | 半導体発光装置 | |
JP2002033011A (ja) | 発光装置 | |
JP2006032804A (ja) | 発光装置およびその製造方法 | |
JP2005079167A (ja) | 発光素子収納用パッケージおよび発光装置 | |
JP2003115615A (ja) | 発光ダイオード装置 | |
JP2004342791A (ja) | Ledランプおよびled照明具 | |
JP2008047908A (ja) | 発光モジュールおよびその製造プロセス | |
JP5400290B2 (ja) | 発光装置 | |
JP2007300111A (ja) | 発光装置 | |
JP2006237571A (ja) | 発光ダイオード装置 | |
JP5400289B2 (ja) | 発光装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070606 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100219 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100302 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100428 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100831 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101029 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20110705 |