KR20110095279A - 발광 소자 패키지용 기판 및 발광 소자 패키지 - Google Patents

발광 소자 패키지용 기판 및 발광 소자 패키지 Download PDF

Info

Publication number
KR20110095279A
KR20110095279A KR1020117012453A KR20117012453A KR20110095279A KR 20110095279 A KR20110095279 A KR 20110095279A KR 1020117012453 A KR1020117012453 A KR 1020117012453A KR 20117012453 A KR20117012453 A KR 20117012453A KR 20110095279 A KR20110095279 A KR 20110095279A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
metal
light emitting
insulating layer
emitting element
thick portion
Prior art date
Application number
KR1020117012453A
Other languages
English (en)
Inventor
모토히로 스즈키
나오미 요네무라
데쓰로 마에다
에이지 요시무라
Original Assignee
덴끼 가가꾸 고교 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 덴끼 가가꾸 고교 가부시키가이샤 filed Critical 덴끼 가가꾸 고교 가부시키가이샤
Publication of KR20110095279A publication Critical patent/KR20110095279A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/641—Heat extraction or cooling elements characterized by the materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/642—Heat extraction or cooling elements characterized by the shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01004—Beryllium [Be]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01012—Magnesium [Mg]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01046—Palladium [Pd]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01057—Lanthanum [La]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

본 발명은, 발광 소자의 패키지화를 위한 기판으로서, 발광 소자로부터 충분한 방열(放熱) 효과가 얻어지고, 또한 저비용화나 소형화가 가능한 발광 소자 패키지용 기판, 및 이것을 사용한 발광 소자 패키지를 제공하고자 한 것으로서, 열전도성(熱傳導性) 필러(1b, 1c)를 포함하는 수지(1a)로 구성된 절연층(1)과, 발광 소자(4)의 실장 위치의 아래쪽에 형성된 금속의 두꺼운 부분(2)과, 절연층(1)의 실장 측면에 금속의 두꺼운 부분(2)과는 별개로 형성된 표면 전극부(3)를 포함한다.

Description

발광 소자 패키지용 기판 및 발광 소자 패키지{SUBSTRATE FOR LIGHT EMITTING ELEMENT PACKAGE, AND LIGHT EMITTING ELEMENT PACKAGE}
본 발명은, LED 칩 등의 발광 소자를 패키지화할 때 사용하는 발광 소자 패키지용 기판, 및 이것을 사용한 발광 소자 패키지에 관한 것이다.
최근, 경량·박형화 및 전력 절약화가 가능한 조명·발광 수단으로서, 발광 다이오드가 주목받고 있다. 발광 다이오드의 실장(實裝) 형태로서는, 발광 다이오드의 베어 칩(bare chip)(LED 칩)을 배선 기판에 직접 실장하는 방법과, LED 칩을 배선 기판에 실장하기 쉽게 LED 칩을 소형 기판에 본딩하여 패키지화하고, 이 LED 패키지를 배선 기판에 실장하는 방법이 알려져 있다.
종래의 LED 패키지는, LED 칩을 소형 기판에 다이 본딩(die bonding)하고, LED 칩의 전극 부분과 리드의 전극 부분과의 사이를 와이어 본딩 등으로 접속하고, 투광성을 가지는 봉지(封止) 수지로 봉지한 구조였다.
한편, LED 칩은, 조명 기구로서의 통상의 사용 온도 영역에 있어서, 저온으로 될수록 발광 효율이 높고, 고온으로 될수록 발광 효율이 저하되는 성질을 가진다. 그러므로, 발광 다이오드를 사용하는 광원 장치에서는, LED 칩에 의해 발생한 열을 신속하게 외부로 방열(放熱)하고, LED 칩의 온도를 저하시키는 것이, LED 칩의 발광 효율을 향상시키는 데 있어서 매우 중요한 과제로 된다. 또한, 방열 특성을 높이는 것에 의해, LED 칩에 큰 전류를 통전(通電)하여 사용할 수 있어, LED 칩의 광출력을 증대시킬 수 있다.
그래서, 종래의 발광 다이오드 대신에, LED 칩의 방열 특성을 개선하기 위해, LED 칩을 열전도성(熱傳導性)의 기판에 직접 다이 본딩한 광원 장치도 몇가지 제안되어 있다. 예를 들면, 하기 특허 문헌 1에는, 알루미늄의 박판(薄板)으로 이루어지는 기판에 프레스 가공을 행함으로써 오목한 곳을 형성하고, 그 표면에 절연체 박막을 형성한 후, 오목한 곳의 저면(底面)에 절연체 박막을 통하여 LED 칩을 다이 본딩하고, 절연체막층 상에 형성된 배선 패턴과 LED 칩 표면의 전극과의 사이를 본딩 와이어를 통하여 전기적으로 접속하고, 오목한 곳 내에 투광성(透光性)을 가지는 봉지 수지를 충전한 것이 알려져 있다. 그러나, 이 기판에서는, 구조가 복잡해져, 가공 비용이 높아지는 등의 문제가 있었다.
또한, 하기 특허 문헌 2에는, 발광 소자 탑재용 기판으로서, 금속 기판과, 그 금속 기판의 발광 소자의 탑재 위치에 에칭에 의해 형성된 금속 기둥형체(금속 볼록부)와, 그 금속 기둥형체의 주위에 형성된 절연층과, 상기 금속 기둥형체의 근방에 형성된 전극부를 구비하는 것이 개시되어 있다.
일본공개특허 제2002―94122호 공보 일본공개특허 제2005―167086호 공보
그러나, 본 발명자들의 검토에 의하면, LED 칩을 배선 기판에 실장하는 경우에는, 그 탑재 위치에 금속 기둥형체를 설치하는 것이 중요해지지만, LED 패키지를 실장하는 경우에는, 배선 기판에는 반드시 금속 기둥형체를 설치할 필요가 없는 것이 판명되었다. 즉, LED 패키지를 실장하는 경우에는, LED 패키지를 탑재하는 기판의 절연층의 재료로서, 열전도성이 높은 무기(無機) 필러(filler)를 함유하는 수지를 사용함으로써, 충분한 방열성을 얻을 수 있는 것이 판명되었다.
이 관점에서, 특허 문헌 2를 참조로 하면, 특허 문헌 2에 기재된 발광 소자 탑재용 기판에서는, LED 칩을 패키지화할 때, 금속 기둥형체의 관통 구조, 급전(給電)을 위한 배선, 절연층 등에 대하여, 보다 개량의 여지가 있었다.
그리고, LED 칩의 패키지화를 위한 소형 기판으로서, 절연층이 세라믹스로 이루어진 것이 알려져 있지만, 제조 시에 세라믹스의 소성(燒成) 등이 필요하기 때문에, 제조 비용 등의 면에서 유리하다고는 할 수 없었다.
그래서, 본 발명의 목적은, 발광 소자의 패키지화를 위한 기판으로서, 발광 소자로부터 충분한 방열 효과가 얻어지고, 또한 저비용화나 소형화가 가능한 발광 소자 패키지용 기판, 및 이것을 사용한 발광 소자 패키지를 제공하는 것에 있다.
상기 목적은, 하기와 같은 본 발명에 의해 달성할 수 있다.
본 발명의 발광 소자 패키지용 기판은, 열전도성 필러를 포함하는 수지로 구성된 1.0W/mK 이상의 열전도율을 가지는 절연층과, 발광 소자의 실장 위치의 아래쪽에 형성된 금속의 두꺼운 부분과, 상기 절연층의 실장 측면에 상기 금속의 두꺼운 부분과는 별개로 형성된 표면 전극부를 구비하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 발광 소자 패키지용 기판에 의하면, 발광 소자의 실장 위치의 아래쪽에 형성된 금속의 두꺼운 부분에 의해, 발광 소자에서 발생하는 열이 양호한 효율로 전열(傳熱)되고, 그 열이 보다 열전도율이 높은 절연층을 양호한 효율로 전열함으로써, 패키지화를 위한 기판으로서 충분한 방열 효과가 얻어진다. 또한, 금속의 두꺼운 부분이 배면에 관통할 필요가 없기 때문에, 구조가 간단해져 제조가 용이해지므로, 저비용화나 소형화가 가능해진다.
상기에 있어서, 상기 금속의 두꺼운 부분은, 발광 소자의 실장면이 노출되어 있고, 그 실장면으로부터 상기 절연층의 배면측을 향해 두껍게 형성되므로, 그 저면측이 상기 절연층의 일부 또는 전부를 관통하고 있는 것이 바람직하다. 이 구조에 의해, 발광 소자의 실장면이 노출되어 있으므로, 보다 양호한 효율로 발광 소자에서 발생하는 열이 전열된다. 또한, 금속의 두꺼운 부분의 저면측이 열전도율이 높은 절연층에 매립되어 전열 면적이 넓어지므로, 금속의 두꺼운 부분으로부터의 열을 보다 양호한 효율로 패키지 전체에 전열되게 할 수 있다.
또한, 상기 표면 전극부와 상기 절연층의 배면을 통전시키는 층간 통전부를 더 구비하는 것이 바람직하다. 표면 전극부와 상기 절연층의 배면을 통전시키는 층간 통전부를 가짐으로써, 발광 소자 패키지용 기판의 배면으로부터 발광 소자에 급전할 수 있어, 리플로우 솔더링(reflow soldering) 등에 의해 간단한 공정에서 패키지를 표면 실장 가능하게 된다.
한편, 본 발명의 발광 소자 패키지는, 상기한 발광 소자 패키지용 기판과, 상기 금속의 두꺼운 부분의 위쪽에 실장된 발광 소자와, 그 발광 소자를 봉지하는 봉지 수지를 구비한 것을 특징으로 한다. 따라서, 발광 소자의 실장 위치의 아래쪽에 형성된 금속의 두꺼운 부분에 의해, 발광 소자에서 발생하는 열이 양호한 효율로 전열되고, 그 열이 보다 열전도율이 높은 절연층을 양호한 효율로 전열되므로, 발광 소자 패키지로서 충분한 방열 특성을 얻을 수 있다. 또한, 금속의 두꺼운 부분이 배면에 관통할 필요가 없기 때문에, 구조가 간단하므로, 제조가 용이해져, 저비용화나 소형화가 가능해진다.
또한, 본 발명의 바람직한 발광 소자 패키지는, 상기 금속의 두꺼운 부분이, 발광 소자의 실장면이 노출되어 있고, 그 실장면으로부터 상기 절연층의 배면측을 향해 두껍게 형성되어, 그 저면측이 상기 절연층의 일부 또는 전부를 관통하고 있는 발광 소자 패키지용 기판과, 상기 금속의 두꺼운 부분의 실장면에 실장된 발광 소자와, 그 발광 소자를 봉지하는 봉지 수지를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이 발광 소자 패키지에 의하면, 발광 소자의 실장면이 노출되어 있으므로, 보다 양호한 효율로 발광 소자에서 발생하는 열이 전열된다. 또한, 금속의 두꺼운 부분의 저면측이 열전도율이 높은 절연층에 매립되어 전열 면적이 넓어지므로, 금속의 두꺼운 부분으로부터의 열을 보다 양호한 효율로 패키지 전체에 전열되도록 할 수 있다.
도 1은 본 발명의 발광 소자 패키지용 기판의 일례를 나타낸 단면도이다.
도 2는 본 발명의 발광 소자 패키지용 기판의 다른 예를 나타낸 단면도이다.
도 3은 본 발명의 발광 소자 패키지용 기판의 다른 예를 나타낸 단면도이다.
도 4는 본 발명의 발광 소자 패키지용 기판의 다른 예를 나타낸 단면도이다.
도 5는 본 발명의 발광 소자 패키지용 기판의 다른 예를 나타낸 단면도이다.
도 6은 본 발명의 발광 소자 패키지용 기판의 다른 예를 나타낸 단면도이다.
도 7은 본 발명의 발광 소자 패키지의 다른 예를 나타낸 단면도이다.
이하, 본 발명의 실시예에 대하여, 도면을 참조하면서 설명한다. 도 1은 본 발명의 발광 소자 패키지용 기판의 일례를 나타낸 단면도이며, 발광 소자를 실장하여 패키지화한 상태를 나타내고 있다.
본 발명의 발광 소자 패키지용 기판은, 도 1에 나타낸 바와 같이, 열전도성 필러(1b, 1c)를 포함하는 수지(1a)로 구성된 절연층(1)과, 발광 소자(4)의 실장 위치의 아래쪽에 형성된 금속의 두꺼운 부분(2)과, 절연층(1)의 실장 측면에 금속의 두꺼운 부분(2)과는 별개로 형성된 표면 전극부(3)를 구비한다.
본 실시예에서는, 금속의 두꺼운 부분(2)은, 발광 소자(4)의 실장면(2a)이 노출되어 있고, 그 실장면(2a)으로부터 절연층(1)의 배면측을 향해 두껍게 형성되어, 그 저면측이 절연층(1)의 일부를 관통하고 있는 예를 나타낸다. 이와 같이, 금속의 두꺼운 부분(2)의 저면측이 절연층(1)을 관통되지 않는 구조의 경우, 후술하는 바와 같이 열프레싱만으로 제조가 가능하므로, 저비용화나 소형화가 가능해진다.
이 실시예에서는, 절연층(1)의 배면측의 금속 패턴(5)은 표면 전극부(3)와 통전하고 있지 않는 예이지만, 도 7에 나타낸 바와 같이, 표면 전극부(3)와 절연층(1)의 배면(1d)을 통전시키는 층간 통전부(10)를 더 구비하는 것이 바람직하다.
본 발명에서의 절연층(1)은, 1.0W/mK 이상의 열전도율을 가지고, 1.2W/mK 이상의 열전도율을 가지는 것이 바람직하고, 1.5W/mK 이상의 열전도율을 가지는 것이 보다 바람직하다. 이로써, 금속의 두꺼운 부분(2)으로부터의 열을 양호한 효율로 패키지 전체에 방열할 수 있다. 여기서, 절연층(1)의 열전도율은, 적절하게, 열전도성 필러의 배합량 및 입도(粒度) 분포를 고려한 배합을 선택함으로써 결정되지만, 경화(硬化) 전의 절연성 접착제의 도공성(塗工性)을 고려하면, 일반적으로는 10W/mK 정도가 상한으로서 바람직하다.
절연층(1)은 금속 산화물 및/또는 금속 질화물인 열전도성 필러(1b, 1c)와 수지(1a)로 구성되는 것이 바람직하다. 금속 산화물 및 금속 질화물은, 열전도성이 우수하고, 또한 전기 절연성을 가지는 것이 바람직하다. 금속 산화물로서는 산화 알루미늄, 산화규소, 산화베릴륨, 산화마그네슘이, 금속 질화물로서는 질화붕소, 질화규소, 질화알루미늄이 선택되고, 이들을 단독 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. 특히, 상기 금속 산화물 중, 산화알루미늄은 전기 절연성, 열전도성 모두 양호한 절연 접착제층을 용이하게 얻을 수 있고, 또한 염가로 입수 가능하다는 이유로, 또한 상기 금속 질화물 중 질화붕소는 전기 절연성, 열전도성이 우수하고, 또한 유전율(誘電率)이 작은 이유에서 바람직하다.
열전도성 필러(1b, 1c)로서는, 소경(小徑) 필러(1b)와 대경(大徑) 필러(1c)를 포함하는 것이 바람직하다. 이와 같이 2종 이상의 크기가 상이한 입자(입도 분포가 상이한 입자)를 사용함으로써, 대경 필러(1c) 자체에 의한 전열 기능과, 소경 필러(1b)에 의해 대경 필러(1c) 사이의 수지의 전열성을 높이는 기능에 의해, 절연층(1)의 열전도율을 보다 향상시킬 수 있다. 이와 같은 관점에서, 소경 필러(1b)의 평균 입자 직경은, 3~20㎛이 바람직하게 4~10㎛이 보다 바람직하다. 또한, 대경 필러(1c)의 평균 입자 직경은, 20~200㎛이 바람직하게 30~80㎛이 보다 바람직하다.
또한, 본 실시예와 같이, 금속의 두꺼운 부분(2)의 저면측이 절연층(1)을 관통하지 않는 구조의 경우라도, 금속의 두꺼운 부분(2)의 저면(2b)과 금속 패턴(5)과의 사이에 대경 필러(1c)가 개재(介在)되어, 열프레싱 시에 저면(2b)과 금속 패턴(5)에 접촉되기 쉬워진다. 그 결과, 열전도의 패스(path)가, 금속의 두꺼운 부분(2)의 저면(2b)과 금속 패턴(5)과의 사이에 형성되어, 금속의 두꺼운 부분(2)으로부터 금속 패턴(5)에 대한 방열성이 보다 향상된다.
절연층(1)을 구성하는 수지(1a)로서는, 전술한 금속 산화물 및/또는 금속 질화물을 포함하면서도, 경화 상태 하에 있어서, 표면 전극부(3) 및 금속 패턴(5)과의 접합력이 우수하고, 또한 내전압(耐電壓) 특성 등을 손상시키지 않는 것이 선택된다.
이와 같은 수지로서, 에폭시 수지, 페놀 수지, 폴리이미드 수지 외에, 각종 고성능 플라스틱을 단독 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있지만, 이 중 에폭시 수지가 금속끼리의 접합력이 우수하므로 바람직하다. 특히, 에폭시 수지 중에서는, 유동성이 높고, 전술한 금속 산화물 및 금속 질화물과의 혼합성이 우수한 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지가 보다 바람직한 수지이다.
본 발명에서의 금속의 두꺼운 부분(2), 표면 전극부(3) 및 금속 패턴(5)은, 각종 금속을 사용할 수 있지만, 통상, 동, 알루미늄, 니켈, 철, 주석, 은, 티타늄 중 어느 하나, 또는 이들 금속을 포함하는 합금 등을 사용할 수 있고, 특히 열전도성이나 전기 전도성의 점으로부터, 동이 바람직하다.
금속의 두꺼운 부분(2)이란, 그 두께가 표면 전극부(3)의 두께보다 두꺼운 것을 의미하고 있다. 즉, 본 발명의 금속의 두꺼운 부분(2)은, 표면 전극부(3)보다 두께가 두꺼운 부분을 가지고 있으면 되고, 금속의 두꺼운 부분(2)과 일체화된 얇은 부분(2c)을 가지고 있어도 된다. 금속의 두꺼운 부분(2)의 두께[저면(2b)으로부터 실장면(2a)까지의 두께]로서는, 발광 소자(4)로부터의 열을 충분히 절연층(1)에 전열하는 관점에서, 31~275㎛이 바람직하고, 35~275㎛이 보다 바람직하다. 또한, 동일한 이유에서, 금속의 두꺼운 부분(2) 중 절연층(1)에 관통하는 부분의 두께는, 절연층(1)의 두께의 30~100%인 것이 바람직하고, 50~100%인 것이 보다 바람직하다.
또한, 발광 소자(4)로부터의 열을 충분히 절연층(1)에 전열하는 관점에서, 금속의 두꺼운 부분(2)의 평면에서 볼 때의 형상은, 적절하게 선택되지만, 보다 바람직하게는, 삼각형이나 사각형 등의 다각형이나, 5각형 별모양이나 6각형 별모양 등의 별모양 다각형, 이들의 모서리부를 적당한 원호로 둥글게 한 것, 또한 금속의 두꺼운 부분의 면(2a)으로부터 표면 전극부(3)를 향해 순차적으로 변화된 형상도 가능하다. 또한, 동일한 이유에서, 금속의 두꺼운 부분(2)의 평면에서 볼 때의 최대 폭은, 1~10mm가 바람직하고, 1~5mm가 보다 바람직하다.
금속의 두꺼운 부분(2)은, 2종 이상의 금속층으로 형성되어 있어도 되고, 예를 들면, 에칭에 의해 금속의 두꺼운 부분(2)을 형성할 때의 보호 금속층이 개재되어도 된다. 보호 금속층으로서는, 예를 들면, 금, 은, 아연, 팔라듐, 루테늄, 니켈, 로듐, 납-주석계 땜납 합금, 또는 니켈-금 합금 등을 사용할 수 있다.
표면 전극부(3)의 두께는, 예를 들면 25~70㎛ 정도가 바람직하다. 또한, 금속 패턴(5)을 형성하는 경우, 금속 패턴(5)의 두께는, 예를 들면 25~70㎛ 정도가 바람직하다. 그리고, 금속 패턴(5)은, 절연층(1)의 배면 전체를 덮는 것이어도 되지만, 표면 전극부(3)의 단락(短絡)을 피하는 데 있어서, 적어도 양쪽의 표면 전극부(3)의 배면의 금속 패턴(5)이 통전되지 않고 있는 것이 바람직하다.
금속의 두꺼운 부분(2)이나 표면 전극부(3)에는, 반사 효율을 높이기 위해 은, 금, 니켈 등의 귀금속에 의한 도금을 행하는 것이 바람직하다. 또한, 종래의 배선 기판과 마찬가지로 솔더 레지스트(solder resist)를 형성하거나, 부분적으로 납땜 도금을 행해도 된다.
다음에, 이상의 같은 본 발명의 발광 소자 패키지용 기판의 바람직한 제조 방법에 대하여 설명한다. 먼저, 금속의 두꺼운 부분(2)과 같은 두께를 가지는 금속판 또는 금속 적층판을 사용하여, 포토리소그래피법에 의한 에칭 등에 의해, 에칭 레지스트 형성 부분이 두꺼워진 금속판을 제작한다.
금속 패턴(5)을 형성하기 위한 금속판과, 절연층(1)을 형성하기 위한 절연층 형성재를, 별개로 또는 일체로 한 것을 사용하여, 금속의 두꺼운 부분(2)을 가지는 금속판과 열프레싱하여 일체로 한다. 이로써, 양면에 금속판을 가지고, 금속의 두꺼운 부분(2)이 내부에 부분적으로 관통한 양면 금속 적층판을 형성할 수 있다. 금속의 두꺼운 부분(2)이 절연층(1) 전체에 관통한 양면 금속 적층판을 형성하는 데는, 일본특허 제3907062호 공보에 기재된 방법을 이용하는 것이 바람직하다.
상기 양면 금속 적층판을 사용하여, 포토리소그래피법에 의한 에칭 등에 의해, 양면을 패턴 형성함으로써, 금속의 두꺼운 부분(2), 표면 전극부(3), 및 금속 패턴(5)을 형성한다. 이것을, 다이서(dicer), 라우터(router), 라인 커터, 슬리터(slitter) 등의 절단 장치를 사용하여, 소정의 사이즈로 절단함으로써, 본 발명의 발광 소자 패키지용 기판을 얻을 수 있다.
그 때, 본 발명의 발광 소자 패키지용 기판은, 도 1에 나타낸 바와 같이, 단수의 발광 소자를 실장하는 타입이라도, 또한 복수 개의 발광 소자를 실장하는 타입이라도 된다. 특히, 후자의 경우, 표면 전극부(3) 사이를 배선하는 배선 패턴을 가지는 것이 바람직하다.
본 발명의 발광 소자 패키지용 기판은, 예를 들면, 도 1에 나타낸 바와 같이, 발광 소자 패키지용 기판의 금속의 두꺼운 부분(2)의 위쪽에 발광 소자(4)를 실장하고, 봉지 수지(7)에 의해 발광 소자(4)가 봉지되어 사용된다.
즉, 본 발명의 발광 소자 패키지는, 열전도성 필러(1b, 1c)를 포함하는 수지(1a)로 구성된 절연층(1)과, 발광 소자(4)의 실장 위치의 아래쪽에 형성된 금속의 두꺼운 부분(2)과, 절연층(1)의 실장 측면에 금속의 두꺼운 부분(2)은 별개로 형성된 표면 전극부(3)를 구비하는 발광 소자 패키지용 기판과, 금속의 두꺼운 부분(2)의 위쪽에 실장된 발광 소자(4)와, 그 발광 소자(4)를 봉지하는 봉지 수지(7)를 구비하고 있다.
본 발명의 바람직한 발광 소자 패키지는, 금속의 두꺼운 부분(2)의 발광 소자(4)의 실장면(2a)이 노출되어 있고, 그 실장면(2a)으로부터 절연층(1)의 배면측을 향해 두껍게 금속의 두꺼운 부분(2)이 형성되어, 그 저면측이 절연층(1)의 일부 또는 전부를 관통하고 있는 경우이다.
실장하는 발광 소자(4)로서는, LED 칩, 반도체 레이저 칩 등을 들 수 있다. LED 칩에서는, 상면에 양 전극이 존재하는 페이스업형(face-up type) 외에, 배면의 전극에 의해, 캐소드 타입, 애노드 타입, 페이스다운형(face-down type)(플립 칩 타입) 등이 있다. 본 발명에서는, 페이스업형을 사용하는 것이, 방열성의 점에서 우수하다.
금속의 두꺼운 부분(2)의 실장면에 대한 발광 소자(4)의 탑재 방법은, 도전성 페이스트, 양면 테이프, 납땜에 의한 접합, 방열 시트(바람직하게는 실리콘계 방열 시트), 실리콘계 또는 에폭시계 수지 재료를 사용하는 방법 등 어느 쪽의 본딩 방법이라도 되지만, 금속에 의한 접합이 방열성의 점에서 보다 바람직하다.
본 실시예에서는, 발광 소자(4)는, 양쪽의 표면 전극부(3)와 도전 접속되어 있다. 이 도전 접속은, 발광 소자(4)의 상부 전극과 각각의 표면 전극부(3)를, 금속 세선(細線)(8)에 의한 와이어 본딩 등에 의해 결선함으로써 행할 수 있다. 와이어 본딩으로서는, 초음파나, 초음파와 가열을 병용한 것 등이 가능하다.
본 실시예의 발광 소자 패키지는, 봉지 수지(7)를 본딩할 때의 뱅크부(bank portion)(6)를 설치한 예를 나타내지만, 도 2에 나타낸 바와 같이, 뱅크부(6)를 생략하는 것도 가능하다. 뱅크부(6)를 형성하는 방법으로서는, 환형 부재를 접착하는 방법, 디스펜서로 자외선 경화 수지 등을 입체적으로 환형으로 도포하여 경화시키는 방법 등을 들 수 있다.
본딩에 사용하는 수지로서는, 실리콘계 수지, 에폭시계 수지 등을 사용하는 것이 바람직하다. 봉지 수지(7)의 본딩은, 볼록 렌즈의 기능을 부여하는 관점에서 상면을 볼록형으로 형성하는 것이 바람직하지만, 상면을 평면형이나 오목형으로 형성해도 된다. 본딩한 봉지 수지(7)의 상면 형상은, 사용하는 재료의 점도, 도포 방법, 도포 표면과의 친화성 등에 의해 제어할 수 있다.
본 발명에서는, 봉지 수지(7)의 위쪽에, 볼록면의 투명 수지 렌즈를 구비하고 있어도 된다. 투명 수지 렌즈가 볼록면을 가짐으로써, 양호한 효율로 기판으로부터 위쪽으로 광을 발사(發射)시킬 수 있는 경우가 있다. 볼록면을 가지는 렌즈로서는, 평면에서 볼 때 형상이 원형, 타원형의 것 등을 예로 들 수 있다. 그리고, 투명 수지나 투명 수지 렌즈는, 착색된 것 또는 형광 물질을 포함하는 것이어도 된다. 특히, 옐로우계 형광 물질을 포함하는 경우, 청색 발광 다이오드를 사용하여, 백색광을 발생시킬 수 있다.
[다른 실시예]
(1) 전술한 실시예에서는, 페이스업형의 발광 소자를 탑재하는 예를 나타냈으나, 본 발명에서는, 한쌍의 전극을 저면에 구비하는 페이스다운형의 발광 소자를 탑재해도 된다. 그 경우, 솔더 접합을 행하는 것 등에 의해, 와이어 본딩 등을 불필요로 하게 할 수 있는 경우가 있다. 또한, 발광 소자의 표면과 배면에 전극을 가지는 경우에는, 와이어 본딩 등을 1개로 할 수 있다.
(2) 전술한 실시예에서는, 금속의 두꺼운 부분(2)이 절연층(1) 측(아래쪽)에 볼록형으로 형성되고, 그 실장면(2a)이 평탄한 면으로 되는 예를 나타냈으나, 본 발명에서는, 도 3에 나타낸 바와 같이, 금속의 두꺼운 부분(2)이 실장면(2a)의 측(위쪽)에 볼록형으로 형성되어 있어도 된다. 이 경우에도, 발광 소자(4)로부터의 열이 금속의 두꺼운 부분(2)의 전체에 양호한 효율로 전열되어, 또한 절연층(1)을 전열하기 때문에, 발광 소자(4)로부터 충분한 방열 효과가 얻어지고, 또한 저비용화나 소형화가 가능한 발광 소자 패키지용 기판으로 된다.
이 구조의 기판을 제작하는 경우, 금속의 두꺼운 부분(2)이 형성된 금속판을, 전술한 실시예와는 역방향(위쪽)으로 하여, 양면 금속 적층판을 제작하면 된다. 패턴 형성 시에는, 금속의 두꺼운 부분(2)을 보호하도록 에칭 레지스트를 남기는 것이 바람직하다.
(3) 전술한 실시예에서는, 금속의 두꺼운 부분(2)이 1단으로 형성되어 있는 예를 나타냈으나, 본 발명에서는, 도 4에 나타낸 바와 같이, 금속의 두꺼운 부분(2)이 복수 단(段)으로 형성되어 있어도 된다. 즉, 금속의 두꺼운 부분(2)이 실장면(2a)의 측(위쪽)에 볼록형으로 형성되고, 또한 금속 패턴(5)에도 볼록형부(5a)가 형성되고, 양자가 상하로 접촉된 상태로 금속의 두꺼운 부분(2)이 형성되어 있어도 된다. 이 경우, 발광 소자(4)로부터의 열을, 금속의 두꺼운 부분(2)을 통하여 기판 전체에 보다 양호한 효율로 전열되도록 할 수 있다. 그리고, 금속의 두꺼운 부분(2)이 복수 단으로 형성하는 경우, 각각이 접촉하고 있지 않아도 되지만, 접촉되어 있는 것이 바람직하다. 특히, 전열성의 관점에서, 양자가 도금으로 접합되어 있는 것이 바람직하다.
이 구조의 기판을 제작하는 경우, 볼록형부가 형성된 금속판을 2개 사용하여, 양자의 볼록형부가 위쪽으로 되도록 열프레싱하여, 양면 금속 적층판을 제작하면 된다.
(4) 도 4에 나타낸 실시예에서는, 금속 패턴(5)에도 볼록형부(5a)가 형성됨으로써 금속의 두꺼운 부분(2)이 복수 단으로 형성되어 있는 예를 나타냈으나, 본 발명에서는, 도 5에 나타낸 바와 같이, 금속 패턴(5)에 볼록형부(5a)가 형성되고, 실장 패드(2e)와 접촉된 상태로 금속의 두꺼운 부분(2)이 형성되어 있어도 된다. 그 경우, 실장 패드(2e)와 볼록형부(5a)는 접촉하고 있는 것이 바람직하고, 전열성의 관점에서, 양자가 도금으로 접합되어 있는 것이 보다 바람직하다.
또한, 도 6에 나타낸 바와 같이, 실장 패드(2e)를 생략하고, 금속 패턴(5)에도 볼록형부(5a)의 상면에 직접, 발광 소자(4)를 본딩하는 등 해도 된다.
(5) 전술한 실시예에서는, 표면 전극부(3)와 절연층(1)의 배면이 통전하고 있지 않는 구조의 예를 나타냈으나, 본 발명에서는, 도 7에 나타낸 바와 같이, 표면 전극부(3)와 절연층(1)의 배면을 통전시키는 층간 통전부(10)를 더 구비하는 것이 바람직하다. 층간 통전부(10)로서는, 스루홀 도금(through hole plating), 도전성 페이스트, 금속 범프 등 어느 쪽이라도 된다.
본 발명에서는, 도 7에 나타낸 바와 같은 발광 소자 패키지용 기판을, 층간 통전부(10)와 금속의 두꺼운 부분(2)을 금속 범프로서 금속판에 형성하여 두고, 절연층 형성재와 금속판을 열프레싱에 의해 접착·일체화하고, 금속 범프의 상면을 노출시켜 패턴 성형함으로써, 간단하고 용이하게 제작할 수 있다. 금속 범프의 상면을 노출시키는 방법으로서는, 연마, 노광 현상, 화학 처리, 등을 들 수 있다.
이 예에서는, 볼록면을 가지는 렌즈(9)가 봉지 수지(7)의 상면과 접합되어, 뱅크부(6)가 형성되어 있지만, 렌즈(9)나 뱅크부(6)를 생략할 수 있다. 또한, 금속 범프의 상면에 패드를 설치하는 것도 가능하다.
그리고, 도 7에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 발광 소자 패키지는, 예를 들면, 탑재용 기판(CB)에 대하여, 솔더 접합된다. 탑재용 기판(CB)으로서는, 예를 들면, 방열용 금속판(12)과, 절연층(11)과, 배선 패턴(13)을 가지는 것이 사용된다. 솔더 접합은, 발광 소자 패키지의 배면측 전극[금속 패턴(5)]과 배선 패턴(13)이, 솔더(15)를 통하여 접합된다. 또한, 금속의 두꺼운 부분(2)과 배선 패턴(13)이, 솔더(15)를 통하여 접합된다.
(6) 전술한 실시예에서는, 배선층이 단층인 배선 기판에 대하여 발광 소자를 탑재하는 예를 나타냈으나, 본 발명에서는, 배선층이 2층 이상의 다층 배선 기판에 대하여 발광 소자를 탑재해도 된다. 그 경우의 도전 접속 구조의 형성 방법의 자세한 것은, 국제공개공보 WO00/52977호에 기재되어 있고, 이들을 모두 적용할 수 있다.
1: 절연층
2: 금속의 두꺼운 부분
3: 표면 전극부
4: 발광 소자
7: 봉지 수지
10: 층간 통전부

Claims (4)

  1. 열전도성(熱傳導性) 필러(filler)를 포함하는 수지로 구성된 1.0W/mK 이상의 열전도율을 가지는 절연층과, 발광 소자의 실장(實裝) 위치의 아래쪽에 형성된 금속의 두꺼운 부분과, 상기 절연층의 실장 측면에 상기 금속의 두꺼운 부분과는 별개로 형성된 표면 전극부와, 상기 절연층의 배면측에 형성된 금속 패턴을 포함하고,
    상기 금속의 두꺼운 부분은, 발광 소자의 실장면이 노출되어 있고, 상기 실장면으로부터 상기 절연층의 배면측을 향해 두껍게 형성되고, 상기 금속의 두꺼운 부분의 저면(底面)측이 상기 절연층의 일부를 관통하여, 상기 금속의 두꺼운 부분의 저면측과 상기 금속 패턴과의 사이에는 상기 절연층이 개재(介在)되어 있는, 발광 소자 패키지용 기판.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 표면 전극부와 상기 절연층의 배면을 통전(通電)시키는 층간 통전부를 더 포함하는, 발광 소자 패키지용 기판.
  3. 열전도성 필러를 포함하는 수지로 구성된 1.0W/mK 이상의 열전도율을 가지는 절연층과, 발광 소자의 실장 위치의 아래쪽에 형성된 금속의 두꺼운 부분과, 상기 절연층의 실장 측면에 상기 금속의 두꺼운 부분과는 별개로 형성된 표면 전극부와, 상기 절연층의 배면측에 형성된 금속 패턴을 포함하고, 상기 금속의 두꺼운 부분은, 발광 소자의 실장면이 노출되어 있고, 상기 실장면으로부터 상기 절연층의 배면측을 향해 두껍게 형성되고, 상기 금속의 두꺼운 부분의 저면측이 상기 절연층의 일부를 관통하여, 상기 금속의 두꺼운 부분의 저면측과 상기 금속 패턴과의 사이에는 상기 절연층이 개재되어 있는 발광 소자 패키지용 기판과,
    상기 금속의 두꺼운 부분의 위쪽에 실장된 발광 소자와,
    상기 발광 소자를 봉지(封止)하는 봉지 수지를 포함하는, 발광 소자 패키지.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 표면 전극부와 상기 절연층의 배면을 통전시키는 층간 통전부를 더 포함하는, 발광 소자 패키지.
KR1020117012453A 2008-10-31 2008-10-31 발광 소자 패키지용 기판 및 발광 소자 패키지 KR20110095279A (ko)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2008/069950 WO2010050067A1 (ja) 2008-10-31 2008-10-31 発光素子パッケージ用基板及び発光素子パッケージ

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20110095279A true KR20110095279A (ko) 2011-08-24

Family

ID=42128445

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020117012453A KR20110095279A (ko) 2008-10-31 2008-10-31 발광 소자 패키지용 기판 및 발광 소자 패키지

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20110272731A1 (ko)
KR (1) KR20110095279A (ko)
CN (1) CN102197498A (ko)
DE (1) DE112008004058T5 (ko)
WO (1) WO2010050067A1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101370078B1 (ko) * 2012-11-15 2014-03-06 희성전자 주식회사 열전도체를 포함하는 ｌｅｄ 광원체

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI364122B (en) * 2009-07-06 2012-05-11 Led package structure for increasing light-emitting efficiency and controlling light-projecting angle and method for manufacturing the same
JP5882910B2 (ja) * 2010-01-19 2016-03-09 エルジー イノテック カンパニー リミテッド パッケージおよびその製造方法
JP2012049278A (ja) * 2010-08-26 2012-03-08 I-Chiun Precision Industry Co Ltd 熱電分離型発光ダイオードブラケットの製作方法
US20120126399A1 (en) * 2010-11-22 2012-05-24 Bridge Semiconductor Corporation Thermally enhanced semiconductor assembly with bump/base/flange heat spreader and build-up circuitry
KR101242218B1 (ko) 2011-01-07 2013-03-11 에이텍 테크놀로지 코포레이션 발광 소자 및 그의 형성 방법
JP5404705B2 (ja) 2011-07-25 2014-02-05 京セラコネクタプロダクツ株式会社 半導体発光素子取付用モジュールの製造方法、及び、半導体発光素子モジュールの製造方法
JP5988073B2 (ja) * 2011-11-01 2016-09-07 東芝ライテック株式会社 発光モジュールおよび照明装置
JP6211795B2 (ja) * 2012-05-16 2017-10-11 ローム株式会社 Ｌｅｄ光源モジュール
KR101548223B1 (ko) * 2013-10-11 2015-08-31 (주)포인트엔지니어링 방열 물질이 내재된 칩 실장 기판용 방열체 제조 방법
JP2019114624A (ja) * 2017-12-22 2019-07-11 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置及びその製造方法
JP7113390B2 (ja) * 2018-12-21 2022-08-05 豊田合成株式会社 発光装置の製造方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE59303215D1 (de) * 1992-02-07 1996-08-22 Ciba Geigy Ag Füllstoff für wärmeleitende Kunststoffe
EP1168900A1 (en) 1999-03-03 2002-01-02 Daiwa Co., Ltd. Method of manufacturing multilayer wiring board
JP4432275B2 (ja) * 2000-07-13 2010-03-17 パナソニック電工株式会社 光源装置
CN1784785A (zh) * 2003-05-09 2006-06-07 松下电器产业株式会社 电路元件内置模块
JP4255367B2 (ja) 2003-12-04 2009-04-15 デンカＡｇｓｐ株式会社 発光素子搭載用基板及びその製造方法
JP2006222406A (ja) * 2004-08-06 2006-08-24 Denso Corp 半導体装置
TWI420686B (zh) * 2004-12-10 2013-12-21 Panasonic Corp 半導體發光裝置、發光模組及照明裝置
JP4915058B2 (ja) * 2005-06-06 2012-04-11 パナソニック株式会社 Ｌｅｄ部品およびその製造方法
JP4915052B2 (ja) * 2005-04-01 2012-04-11 パナソニック株式会社 Ｌｅｄ部品およびその製造方法
JP2007214471A (ja) * 2006-02-13 2007-08-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光モジュールとその製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101370078B1 (ko) * 2012-11-15 2014-03-06 희성전자 주식회사 열전도체를 포함하는 ｌｅｄ 광원체

Also Published As

Publication number Publication date
CN102197498A (zh) 2011-09-21
US20110272731A1 (en) 2011-11-10
WO2010050067A1 (ja) 2010-05-06
DE112008004058T5 (de) 2013-02-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20110095279A (ko) 발광 소자 패키지용 기판 및 발광 소자 패키지
US8421088B2 (en) Surface mounting type light emitting diode
JP5864289B2 (ja) Ｌｅｄおよび関連アセンブリの一体化熱拡散器
US20110311831A1 (en) Method for manufacturing substrate for light emitting element package, and light emitting element package
JP4122784B2 (ja) 発光装置
US8604506B2 (en) Surface mounting type light emitting diode and method for manufacturing the same
TW554553B (en) Sub-mount for high power light emitting diode
US20110284914A1 (en) Method for manufacturing substrate for light emitting element package, and light emitting element package
TW201205904A (en) LED module, LED package, and wiring substrate and method of making same
JP2013033910A (ja) 発光素子搭載用基板、ｌｅｄパッケージ、及びｌｅｄパッケージの製造方法
TW201228489A (en) Flexible LED device for thermal management and method of making
JP5940799B2 (ja) 電子部品搭載用パッケージ及び電子部品パッケージ並びにそれらの製造方法
US9425373B2 (en) Light emitting module
US20120043886A1 (en) Integrated Heat Conductive Light Emitting Diode (LED) White Light Source Module
JP2014093148A (ja) 車両用灯具の半導体型光源、車両用灯具
JP5178089B2 (ja) 発光素子パッケージ用基板の製造方法および発光素子パッケージ
JP2008300542A (ja) 発光素子パッケージ用基板及び発光素子パッケージ
JP2006032804A (ja) 発光装置およびその製造方法
JP4960194B2 (ja) 発光素子パッケージ用基板の製造方法および発光素子パッケージ
JP2009123829A (ja) 発光装置
KR101259052B1 (ko) 방열 반사판을 구비한 발광다이오드 소자용 패키지, 방열 반사판을 구비한 발광다이오드 소자용 패키지 어셈블리 및 그 제조방법
TW201006000A (en) Light emitting diode and method of making the same
JP2009123828A (ja) 発光装置
TW201025670A (en) Manufacturing process of a substrate for packaging light-emitting device and light-emitting device packaging
JP2009123823A (ja) 発光素子パッケージおよびそれを実装した発光装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right