JP2008177445A - 配線基板 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】発光ダイオード(発光素子)18の搭載面6を有し且つWまたはMoなどの金属成分を含有するセラミック層s1(s11〜s13)と、上記搭載面6において、その3分の2以上の面積で形成され、且つ表層にAgメッキ膜12およびAuメッキ膜13の少なくとも一方が被覆されているパッド(導体)8a,9aと、上記金属成分を含有するセラミック層s1の搭載面6(上層)側に積層され、当該搭載面6とかかる搭載面6の周辺から斜めに立ち上がる側面7aとからなるキャビティ5aを形成すると共に、上記金属成分を含有するセラミック層s1よりも白色度が大きいセラミック層s21と、を含む、配線基板1a。
【選択図】 図2
Description
前記発光装置に用いられる放熱部材は、LED素子が発する熱を効果的に外部に放熱するため、かかるLED素子を搭載し且つ前記積層基板の上面に露出する断面積の小さな上部と、かかる積層基板の下面に露出する断面積の大きな下部とが、平面視で互いに相似形の矩形または円形を呈するものである。
即ち、本発明の配線基板(請求項1)は、発光素子の搭載面を有し且つ金属成分を含有するセラミック層と、上記搭載面において、その3分の2以上の面積で形成され、且つ表層にAgメッキ膜およびAuメッキ膜の少なくとも一方が被覆されている導体と、を含む、ことを特徴とする。
上記導体の面積率を搭載面の3分の2以上としたのは、導体の面積率が3分の2未満になると、搭載面に搭載する発光素子が発する光を、効率良く反射して外部に放射し難くなるので、かかる事態を防ぐためである。
また、前記導体は、前記搭載面に形成されたWまたはMoのメタライズ層の表面にNiメッキ層を介して、AgまたはAuメッキ層を表層に被覆したものである。かかる導体を複数とし、このうち1個の導体の表層には、Agメッキ層を被覆して、発光素子を搭載し且つその光を容易に反射し、残りの導体には、表層にAuメッキ層を被覆し、発光素子とワイヤーボンディングする電極としても良い。
更に、前記導体は、複数個とし、これら全体の総面積が前記搭載面の3分の2以上であれば良い。
加えて、発光素子は、発光ダイオード(LED)のほか、半導体レーザも含み、前記セラミック層の搭載面に形成された前記導体の上に、ロウ材または樹脂層を介して搭載される。この際、複数の導体ごとの上に、発光素子を搭載しても良い。
これによれば、搭載面に搭載される発光素子が発する光を、白色度が大きいセラミック層に形成された上記キャビティの側面に反射させて、外部に放射することができる。あるいは、キャビティの底面である搭載面に形成された前記導体の表層に被覆されている前記Agメッキ層によって予め反射された上記光を、キャビティの側面で更に反射させて外部に放射することもできる。従って、発光素子の光を一層効果的に放射できると共に、発光素子が発する熱を、前記金属成分を含有するセラミック層を介して、効率良く外部に放熱することが可能となる。
また、前記キャビティの側面は、その底面である搭載面の周辺から垂直に立ち上がる垂直面のほか、斜め上方に拡がるように傾斜して立ち上がる傾斜面も含まれる。
更に、キャビティの側面には、WまたはMoのメタライズ層、Niメッキ層、およびAgメッキ層からなる光反射層を形成しても良い。
また、前記金属成分を含有するセラミック層は、白色度が大きい前記セラミック層よりも、熱伝導率が高い。かかる白色度は、分光測色計で測定される。
加えて、白色度が大きい前記セラミック層は、アルミナ、あるいはガラス−アルミナで構成するものである。
これによる場合、導体の上に搭載される発光素子が発する熱を一層効率良く外部に放熱することが可能となる。特に、前記金属成分を含有するセラミック層の周辺側に沿って形成する上記ビア導体は、かかるセラミック層の裏面の周辺側に形成される端子と接続することで、放熱性を更に高めることが可能となる。
尚、上記ビア導体は、例えば、WまたはMoからなり、発光素子を搭載した導体と前記金属成分を含有するセラミック層の内部またはその裏面との間に、1本または複数本が上記セラミック層に形成したビアホールに沿って形成される。
図1は、本発明における一形態の配線基板1aを示す平面図、図2は、図1中のX−X線の矢視に沿った垂直断面図、図3は、図2中の部分拡大断面図である。 配線基板1aは、図1,図2に示すように、平面視がほぼ正方形の表面3および裏面4と、金属成分を含有するセラミック層s1と、その搭載面6(上層)側に積層し且つセラミック層s1よりも白色度が大きいセラミック層s21と、表面3に開口するキャビティ5aと、からなる基板本体2aを備えている。
上記セラミック層s1は、金属成分の金属(WまたはMo)あるいは金属酸化物の粉末(平均粒径10μm以下)を、アルミナなどのセラミックに5〜50wt%含有したもので、黒色を呈している。かかるセラミック層s1は、キャビティ5aの底面である搭載面6を形成する上層側のセラミック層s13、中層のセラミック層s12、および基板本体2aの裏面4を形成する下層側のセラミック層s11を積層したものである。尚、上記金属粉末の含有率が5wt%未満では、熱伝導率の向上が過少であり、一方、含有率が50wt%を越えると、内設すべき配線層同士の間で短絡を生じるおそれがあるため、上記範囲とした。
更に、図1,図2に示すように、キャビティ5aは、その底面である平面視が円形の搭載面6と、かかる搭載面6から表面3に向かって斜めに立ち上がって傾斜するほぼ円錐形の側面7aと、からなる。搭載面6は、前記セラミック層s1における上層側のセラミック層s13の上面であり、側面7aは、前記セラミック層s21に形成した貫通孔の内周面である。
図2中のパッド9a付近を拡大した図3に示すように、大きなパッド8aは、WまたはMoのメタライズ層10の表面にNiメッキ層11およびAgメッキ層12を被覆したもので、表層のAgメッキ層12には、図示しないロウ材を介して発光ダイオード(発光素子:以下、LEDと称する)18が搭載される。
以上のようなパッド8a(9a)の表層におけるAgメッキ層12によって、搭載面6の中央部であるパッド8aの上に搭載されるLED18が発する光を反射して、キャビティ5aから外部に放射させることができる。
尚、キャビティ5aの前記側面7aにも、メタライズ層10、Niメッキ層11、およびAgメッキ層12からなる光反射層を形成しても良い。
更に、セラミック層s1(s11〜s13)の中央部には、LED18が搭載されるパッド8aから基板本体2aの裏面4に達する複数のビア導体Vが貫通している。
尚、上記配線層14,15、ビア導体v,V、および端子16は、前記同様のWまたはMoからなる。また、前記ビア導体Vの下端は、最下層のセラミック層s11の内部に位置させても良い。
予め、アルミナ粉末、樹脂バインダ、溶剤などを配合してセラミックスラリを作成し、かかるセラミックスラリをドクターブレード法によって、前記セラミック層s21用のグリーンシートを製作した。別途に、上記アルミナ粉末などに対し、更に平均粒径が10μm以下のMo粉末を5〜50wt%の割合で含有させたセラミックスラリを作成し、これに上記同様の方法を施して、前記セラミック層s1用の金属成分含有グリーンシートを3層製作した。
次に、前記セラミック層s21用のグリーンシートに対し、ポンチと、当該ポンチの外径よりも大きな内径の受け入れ孔を有するダイとによる打ち抜き加工を施して、傾斜した内周面を有する貫通孔を穿設した。
次いで、上記3層の金属成分含有グリーンシートの表面および裏面の少なくとも一方に、前記同様の導電性ペーストをスクリーン印刷して、パッド8a,9a、配線層14,15、および端子16を形成した。尚、前記Mo粉末に替えて、W粉末を用いても良い。
更に、上層側から、傾斜した内周面を有する貫通孔が形成されたグリーンシートと、パッド8a,9a、ビア導体v,V、配線層14,15、および端子16が適宜形成された3層の金属成分含有グリーンシートと、を順次積層し且つ圧着することで、前記キャビティ5aを有するグリーンシート積層体を形成した。
その結果、前記セラミック層s1,s21、キャビティ5a、搭載面6、パッド8a,9aなどを備えた配線基板1aを製造することができた。
尚、以上の各工程は、多数個取りの形態で行った後、前記同様に焼成し、AgおよびAuメッキしたセラミック積層体を切断・分割して、複数の配線基板1aを同時に製造しても良い。
一方、搭載されるLED18が発する光は、パッド8a(9a)表層のAgメッキ層12に効率良く反射させて、外部に放射させることが可能となる。尚、キャビティ5aの前記側面7aにも、メタライズ層10、Niメッキ層11、およびAgメッキ層12を形成すると、LED18の光を一層効率良く反射させることが可能となる。
配線基板1bは、図4,図5に示すように、前記同様のセラミック層s1とその上層側に積層したセラミック層s22とからなる基板本体2bを備えている。
上層側のセラミック層s22は、基板本体2bの表面3およびキャビティ5bを形成する側面7bを有し、前記セラミック層s21と同様にセラミック層s1よりも白色度が大きい。一方、金属成分を含有する下層側のセラミック層s1は、基板本体2bの裏面4を有し、前記同様のWまたはMoの金属粉末を含有させたもので、上層側のセラミック層s22よりも熱伝導率が高い。
図4,図5に示すように、搭載面6の中央部には、前記同様のパッド(導体)8a,9aとが形成されており、大きなパッド8aには、LED18が搭載され、小さなパッド9aは、前記同様に、LED18との間をボンディングワイヤを介して導通される。
図5に示すように、セラミック層s1には、前記同様のビア導体v,V、配線層14,15、および端子16が形成されている。
以上のような配線基板1bによっても、前記配線基板1aと同様に、LED18からの熱の優れた放熱性、これに伴うLED18の発光量の増大、LED18が発する光の放射性、および比較的簡単で且つ少ない工数で製造できる、という効果を奏することができる。
尚、キャビティ5bの前記側面7bにも、パッド8aと同様に、メタライズ層10、Niメッキ層11、Agメッキ層12からなる光反射層を形成しても良い。
かかる配線基板1cも、前記セラミック層s1(s11〜s13)およびセラミック層s21からなる基板本体2a、およびキャビティ5aなどを備えている。かかる配線基板1cが前記配線基板1aと相違するのは、図6に示すように、キャビティ5aの底面である搭載面6に、平面視が円形且つその周縁の一部にほぼ矩形の切り欠き8dを有する形状の大きなパッド(導体)8bと、切り欠き8d内に位置し且つパッド8bと間隔を置き平面視でほぼ矩形の小さなパッド(導体)9bと、が形成されていることである。かかるパッド8b,9b全体は、搭載面6の面積の3分の2以上を占め、パッド8b単独でも、3分の2以上である。
尚、前記配線基板1bにおいて、前記キャビティ5bの底面である搭載面6に対し、前記パッド8b,9bを形成しても良い。
図7に示すように、基板本体2cには、平面視が長円形の搭載面6cと、その周辺から斜めに傾斜して立ち上がるほぼ長円錐形の側面7cとからなるキャビティ5cが形成されている。かかるキャビティ5cの底面である搭載面6cには、その長軸方向に沿った一対の大きなパッド8cと、それらの長軸方向に沿った両端側に設けた一対の切り欠き8e内ごとに前記同様のパッド9bが形成されている。かかるパッド8c,9bの総面積は、搭載面6cの3分の2以上である。
一対のパッド8cの上に個別に搭載される各LED18が発する光は、各パッド8cのAgメッキ層12に反射して、外部に放射される。
尚、キャビティ5cの側面7cにも、メタライズ層10、Niメッキ層11、およびAgメッキ層12からなる光反射層を形成しても良い。
以上のような配線基板1c,1dは、前記配線基板1aと同様にして製造され、前記配線基板1aと同様にして、LED18からの熱の優れた放熱性、これに伴うLED18の発光量の増大、LED18からの光の放射性、および比較的簡単で且つ少ない工数で製造できる、という効果を奏することができる。
尚、前記配線基板1dのキャビティ5cに替えて、前記搭載面6cの周辺から垂直に立設する長円柱形の側面を有するキャビティを、形成しても良い。
配線基板20aは、図8,図9に示すように、平面視がほぼ正方形を呈し、前記同様の金属成分を含有するセラミック層s1(s11〜s13)とからなり、表面である搭載面23および裏面24を有する基板本体21を備える。
図8〜図10に示すように、搭載面23には、平面視がほぼ矩形のパッド22と、その一辺に設けた切り欠き25内に位置し且つ平面視がほぼ矩形のパッド26とが形成され、かかるパッド22,26の総面積は、搭載面3の3分の2以上である。尚、パッド22単独の総面積も、搭載面23の3分の2以上である。
大きなパッド22は、図10に示すように、前記同様のメタライズ層10、Niメッキ層11、および表層のAgメッキ層12からなり、その中央付近には、図示しないロウ材を介してLED18が搭載される。
図9に示すように、セラミック層s1には、前記同様のビア導体v,V、配線層14,15、端子16が形成されている。尚、図9の左側で例示するように、一部のビア導体Vは、大きなパッド22の周辺部と、基板本体21の裏面24の周辺寄りに形成された端子14との間を接続している。
以上のような配線基板20aは、前記キャビティ5aなどを形成する工程を除いて、前記配線基板1aなどと同様にして製造できた。
更に、搭載されるLED18が発する光は、パッド22(26)表層のAgメッキ層12に効率良く反射して、外部に放射させることが可能となる。
しかも、金属成分を含有するセラミック層s1(s11〜s13)のみで基板本体21を形成するため、従来の放熱部材を挿入する構造に比べ、配線層14,15をセラミック層s1,s2の間に自在に形成できる。加えて、セラミック層s1に放熱部材を挿入するための貫通孔を複数のグリーンシートに形成したり、かかる貫通孔内に放熱部材をセットし且つロウ付けする工程が不要となるため、一層簡単且つ少ない工程で製作することが可能となる。
配線基板20bが前記配線基板20aと相違するのは、セラミック層s1の搭載面23に、その大半を占め且つ平面視がほぼ矩形のパッド27と、かかるパッド27の一辺寄りに設けた平面視が長円形の切り欠き27a内に当該切り欠き27aの周縁と間隔を置いた小さなパッド28と、が形成されていることである。かかるパッド27,28の総面積は、搭載面23の3分の2以上である。尚、大きなパッド27単独の総面積も、搭載面23の3分の2以上である。
パッド27は、前記同様のメタライズ層10、Niメッキ層11、および表層のAgメッキ層12からなり、その中央部に搭載されるLED18が発する光を反射して、外部に放射させる。一方、パッド28は、前記同様のメタライズ層10、Niメッキ層11、および表層のAgメッキ層12またはAuメッキ層13からなり、LED18との間を図示しないボンディングワイヤで導通される。
かかる配線基板20cが前記配線基板20aと相違するのは、セラミック層s1の搭載面23に、その3分の2以上を占め且つ平面視がほぼ矩形の大きなパッド29と、かかるパッド29の一辺に沿った搭載面23に設けた平面視がほぼ長方形の小さなパッド30と、が形成されていることである。かかるパッド29,30は、前記配線基板20bのパッド27,28と同様である。
前記配線基板20b,20cも、前記配線基板20aと同様に製造することができ、配線基板20aと同様の効果を奏することが可能である。
更に、配線基板20b,20cにおいても、セラミック層s1を貫通する前記ビア導体Vは、前記パッド27,29の周辺側に形成することで、基板本体21の裏面24に位置する複数の端子16に直に接続させることができ、LED18の熱を一層効率良く放熱することが可能となる。
例えば、前記セラミック層s1,s21,s22は、ガラス−アルミナからなる低温焼成セラミックとしても良く、かかる形態においては、前記パッド8a,9aなど、ビア導体v,V、配線層14,15、端子16は、AgまたはCuによって形成したり、セラミック層s1の金属成分には、AgまたはCu粉末を用いても良い。
また、前記比較的大きなパッド8a〜8c,22,27,29には、複数の発光素子を搭載するようにしても良い。一方、比較的小さなパッド9a,9b,26,28,30は、1個パッド8aなどの両側に一対を対称に形成しても良い。かかる形態では、LED18は、樹脂層を介してパッド8aなどに搭載される。
更に、前記配線基板1a〜1dのキャビティ5a〜5cには、それらの搭載面6にLED18を搭載した後に、光透過性の封止樹脂を充填・固化しても良い。
6,6c,23……………………搭載面
5a〜5c…………………………キャビティ
7a〜7c…………………………側面
8a〜8c,22,27,29…パッド(導体)
9a,9b,26,28,30…パッド(導体)
12…………………………………Agメッキ層
13…………………………………Auメッキ層
18…………………………………LED(発光素子)
v,V………………………………ビア導体
s1(s11〜s13)……………金属成分を含有するセラミック層
s21,s22……………………白色度が大きいセラミック層
Claims (2)
- 発光素子の搭載面を有し且つ金属成分を含有するセラミック層と、
上記搭載面において、その3分の2以上の面積で形成され、且つ表層にAgメッキ膜およびAuメッキ膜の少なくとも一方が被覆されている導体と、を含む、
ことを特徴とする配線基板。 - 前記金属成分を含有するセラミック層の前記搭載面側に積層され、当該搭載面とかかる搭載面の周辺から立ち上がる側面とからなるキャビティを形成すると共に、上記金属成分を含有するセラミック層よりも白色度が大きいセラミック層を、備えている、
ことを特徴とする請求項1に記載の配線基板。
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