JP2004111937A - 発光装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 本発明は、導電体105を内部に配した凹部を有するセラミックパッケージと、凹部内にて導電体105と接続された発光素子103とを有し、凹部をモールド部材107で封止した発光装置100であって、凹部の内壁は、開口方向に広くなる形状を有するセラミック素地部に設けられた光反射部102と、光反射部102の周囲に露出しているセラミック素地部106とを備え、モールド部材107が、光反射部102とセラミック素地部106を被覆することを特徴とする。
【選択図】 図1
Description
本願発明者は、種々の実験の結果、セラミックパッケージにおける凹部内の壁面の一部に光反射部を設け、該光反射部の周辺にセラミック素地部を光反射部から露出させることによって、モールド部材のセラミックパッケージからの剥離を抑制し、発光特性及び信頼性が飛躍的に向上しうることを見出し本願発明を成すに至った。
さらに本願発明者らは、光反射部の周囲に露出させた第一のセラミック素地部とともに、発光装置の主面方向から見て光反射部の内側に、発光素子を包囲するように第二のセラミック素地部を設け、第一および第二のセラミック素地部が互いにほぼ平行な面を凹部内に少なくとも一対備えるように構成する。また、モールド部材は、少なくとも光反射部と第一および第二のセラミック素地部とを被覆するようにする。互いにほぼ平行な面をセラミック素地部に設けることにより、例えば傾斜させた光反射部等、光反射部の形状に関係なく、モールド部材にかかる種々の方向からの応力を緩和することができる。従って、このように構成することによって、モールド部材のセラミックパッケージからの剥離を抑制し、発光特性及び信頼性が飛躍的に向上しうることを見出し本願発明を成すに至った。以下、本願発明の構成要件について種々詳述する。
本願発明に用いられるセラミックパッケージとは、外部環境などからLEDチップを保護するためにセラミック材料で形成されたものであり、凹部内にLEDチップが配置されると共にLEDチップと外部とを電気的に接続する部材が設けられたものである。具体的に、セラミック材料は、アルミナ、窒化アルミニウム、ムライトなどが好ましい。特に、原料粉末の90〜96重量%がアルミナであり、焼結助剤として粘度、タルク、マグネシア、カルシア及びシリカ等が4〜10重量%添加され1500から1700℃の温度範囲で焼結させたセラミックスや原料粉末の40〜60重量%がアルミナで焼結助剤として60〜40重量%の硼珪酸硝子、コージュライト、フォルステライト、ムライトなどが添加され800〜1200℃の温度範囲で焼結させたセラミックス等が挙げられる。
光反射部102は、セラミックパッケージの主面側(発光観測面側)において、凹部を形成する内壁面の一部に対して設けられ、セラミックパッケージのセラミック素地部と直接接し第二の金属層の下地となる第一の金属層と、LEDチップから放出された光を反射させ効率よく外部に取り出すための反射機能を有する第二の金属層とを含む。以下、第一の金属層と第二の金属層について詳述する。
第一の金属層は、セラミックパッケージに直接接して形成されると共に第二の金属層を形成させる下地となるものである。したがって、セラミック焼成と同時に形成される第一の金属層は、セラミック形成時に溶融しないことが必要となる。このような第一の金属層に用いられる高融点金属としては、タングステン、クロム、チタン、コバルト、モリブデンやこれらの合金などが挙げられる。これらの金属粒子を樹脂ペーストに混合させグリーンシートの凹部内壁に塗布或いは印刷などしグリーンシートと共に焼成することによって第一の金属層を形成することができる。金属粒子の粒径を制御することによってセラミックや第一の金属層上に形成される第二の金属層さらには、その上に形成されるモールド部材との密着性をも制御することができる。第一の金属層に用いられる金属粒径によって、その上に形成される第二の金属層の表面粗さも制御することができる。そのため、第一の金属層に含有される金属粒子の粒径としては、0.3から100μmであることが好ましく、1から20μmがより好ましい。
本願発明の第二の金属層は、第一の金属層上に形成させるものであって、LEDチップから放出された光を効率よく外部に取り出すための反射機能を有するものである。このような第二の金属層は、第一の金属層上にメッキや蒸着などを利用して比較的簡単に形成させることができる。第二の金属層として具体的には、金、銀、白金、銅、アルミニウム、ニッケル、パラジウムやそれらの合金、それらの多層膜などLEDチップから放出された光に対して90%以上の反射率を有する金属が好適に挙げられる。
本願発明に用いられるLEDチップ103は、基板上にGaAlN、ZnS、ZnSe、SiC、GaP、GaAlAs、AlN、InN、AlInGaP、InGaN、GaN、AlInGaN等の半導体を発光層として形成させたものが用いられる。半導体の構造としては、MIS接合、PIN接合やPN接合を有したホモ構造、ヘテロ構造あるいはダブルへテロ構成のものが挙げられる。半導体層の材料やその混晶度によって発光波長を紫外光から赤外光まで種々選択することができる。発光層は、量子効果が生ずる薄膜とした単一量子井戸構造や多重量子井戸構造としても良い。
モールド部材とは、セラミックパッケージの開口部内に配されるものであり外部環境からの外力や水分などからLEDチップを保護すると共にLEDチップからの光を効率よく外部に放出させるためのものである。このような、モールド部材を構成する具体的材料としては、エポキシ樹脂、ユリア樹脂、シリコーンなどの耐候性に優れた透明樹脂や硝子などが好適に用いられる。高密度にLEDチップを配置させた場合は、熱衝撃による導電性ワイヤーの断線などを考慮しエポキシ樹脂、シリコーン樹脂やそれらの組み合わせたものなどを使用することがより好ましい。また、モールド部材中には、視野角をさらに増やすために拡散剤を含有させても良い。具体的な拡散剤としては、チタン酸バリウム、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化珪素等が好適に用いられる。また、所望外の波長をカットする目的で有機や無機の着色染料や着色顔料を含有させることができる。さらに、LEDチップからの光の少なくとも一部を波長変換させる蛍光物質を含有させることもできる。
本願発明に用いられる蛍光物質は、発光素子から放出された可視光や紫外光の一部を吸収し、その吸収した光の波長と異なる波長を有する光を発光するものである。本実施の形態における蛍光物質は、上述したモールド部材中に含有される他、モールド部材とは別にLEDチップを覆うように設けられるコーティング部材の中や、LEDチップをパッケージに固定するための絶縁性接着剤(例えば、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、硝子のような透光性無機部材)の中に含有される。また、本実施の形態における蛍光物質は、モールド部材の表面を被覆するように設けられる他、モールド部材の表面および発光素子から間隔を設けた位置に、蛍光体を含む層としてモールド部材中に設けることもできる。
(1)Ca10(PO4)6FCl:Sb,Mn
(2)M5(PO4)3Cl:Eu(但し、MはSr、Ca、Ba、Mgから選択される少なくとも一種)
(3)BaMg2Al16O27:Eu
(4)BaMg2Al16O27:Eu、Mn
(5)3.5MgO・0.5MgF2・GeO2:Mn
(6)Y2O2S:Eu
(7)Mg6As2O11:Mn
(8)Sr4Al14O25:Eu
(9)(Zn、Cd)S:Cu
(10)SrAl2O4:Eu
(11)Ca10(PO4)6ClBr:Mn、Eu
(12)Zn2GeO4:Mn
(13)Gd2O2S:Eu、及び
(14)La2O2S:Eu等が挙げられる。
本実施の形態に用いられるアルミニウム・ガーネット系蛍光体とは、Alを含み、かつY、Lu、Sc、La、Gd、Tb、Eu及びSmから選択された少なくとも一つの元素と、Ga及びInから選択された一つの元素とを含み、希土類元素から選択された少なくとも一つの元素で付活された蛍光体であり、LEDチップから発光された可視光や紫外線で励起されて発光する蛍光体である。例えば、上述したYAG系蛍光体の他、Tb2.95Ce0.05Al5O12、Y2.90Ce0.05Tb0.05Al5O12、Y2.94Ce0.05Pr0.01Al5O12、Y2.90Ce0.05Pr0.05Al5O12等が挙げられる。これらのうち、本実施の形態において、特にYを含み、かつCeあるいはPrで付活され組成の異なる2種類以上のイットリウム・アルミニウム酸化物系蛍光体が利用される。
本実施の形態における蛍光物質は、Nを含み、かつBe、Mg、Ca、Sr、Ba、及びZnから選択された少なくとも一つの元素と、C、Si、Ge、Sn、Ti、Zr、及びHfから選択された少なくとも一つの元素とを含み、希土類元素から選択された少なくとも一つの元素で付活された窒化物系蛍光体とすることができる。また、本実施の形態に用いられる窒化物系蛍光体としては、LEDチップから発光された可視光、紫外線、及びYAG系蛍光体からの発光を吸収することによって励起され発光する蛍光体をいう。例えば、Ca−Ge−N:Eu,Z系、Sr−Ge−N:Eu,Z系、Sr−Ca−Ge−N:Eu,Z系、Ca−Ge−O−N:Eu,Z系、Sr−Ge−O−N:Eu,Z系、Sr−Ca−Ge−O−N:Eu,Z系、Ba−Si−N:Eu,Z系、Sr−Ba−Si−N:Eu,Z系、Ba−Si−O−N:Eu,Z系、Sr−Ba−Si−O−N:Eu,Z系、Ca−Si−C−N:Eu,Z系、Sr−Si−C−N:Eu,Z系、Sr−Ca−Si−C−N:Eu,Z系、Ca−Si−C−O−N:Eu,Z系、Sr−Si−C−O−N:Eu,Z系、Sr−Ca−Si−C−O−N:Eu,Z系、Mg−Si−N:Eu,Z系、Mg−Ca−Sr−Si−N:Eu,Z系、Sr−Mg−Si−N:Eu,Z系、Mg−Si−O−N:Eu,Z系、Mg−Ca−Sr−Si−O−N:Eu,Z系、Sr−Mg−Si−O−N:Eu,Z系、Ca−Zn−Si−C−N:Eu,Z系、Sr−Zn−Si−C−N:Eu,Z系、Sr−Ca−Zn−Si−C−N:Eu,Z系、Ca−Zn−Si−C−O−N:Eu,Z系、Sr−Zn−Si−C−O−N:Eu,Z系、Sr−Ca−Zn−Si−C−O−N:Eu,Z系、Mg−Zn−Si−N:Eu,Z系、Mg−Ca−Zn−Sr−Si−N:Eu,Z系、Sr−Zn−Mg−Si−N:Eu,Z系、Mg−Zn−Si−O−N:Eu,Z系、Mg−Ca−Zn−Sr−Si−O−N:Eu,Z系、Sr−Mg−Zn−Si−O−N:Eu,Z系、Ca−Zn−Si−Sn−C−N:Eu,Z系、Sr−Zn−Si−Sn−C−N:Eu,Z系、Sr−Ca−Zn−Si−Sn−C−N:Eu,Z系、Ca−Zn−Si−Sn−C−O−N:Eu,Z系、Sr−Zn−Si−Sn−C−O−N:Eu,Z系、Sr−Ca−Zn−Si−Sn−C−O−N:Eu,Z系、Mg−Zn−Si−Sn−N:Eu,Z系、Mg−Ca−Zn−Sr−Si−Sn−N:Eu,Z系、Sr−Zn−Mg−Si−Sn−N:Eu,Z系、Mg−Zn−Si−Sn−O−N:Eu,Z系、Mg−Ca−Zn−Sr−Si−Sn−O−N:Eu,Z系、Sr−Mg−Zn−Si−Sn−O−N:Eu,Z系など種々の組み合わせの蛍光体を製造することができる。希土類元素であるZは、Y、La、Ce、Pr、Nd、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Luのうち少なくとも1種以上が含有されていることが好ましいが、Sc、Sm、Tm、Ybが含有されていてもよい。これらの希土類元素は、単体の他、酸化物、イミド、アミド等の状態で原料中に混合する。希土類元素は、主に安定な3価の電子配置を有するが、Yb、Sm等は2価、Ce、Pr、Tb等は4価の電子配置を有する。酸化物の希土類元素を用いた場合、酸素の関与が蛍光体の発光特性に影響を及ぼす。つまり酸素を含有することにより発光輝度の低下を生じる場合もある。その反面、残光を短くするなどの利点もある。但し、Mnを用いた場合は、MnとOとのフラックス効果により粒径を大きくし、発光輝度の向上を図ることができる。
例えば、共付活剤としてLaを使用する。酸化ランタン(La2O3)は、白色の結晶で、空気中に放置すると速やかに炭酸塩に代わるため、不活性ガス雰囲気中で保存する。
例えば、共付活剤としてPrを使用する。酸化プラセオジム(Pr6O11)は、通常の希土類酸化物Z2O3と異なり、非化学量論的酸化物で、プラセオジムのシュウ酸塩、水酸化物、炭酸塩などを空気中で焼く800℃に加熱するとPr6O11の組成をもつ黒色の粉体として得られる。Pr6O11はプラセオジム化合物合成の出発物質となり、高純度のものも市販されている。
Lは、Sr、Ca、SrとCaのいずれかである。SrとCaは、所望により配合比を変えることができる。
蛍光体の組成にSiを用いることにより安価で結晶性の良好な蛍光体を提供することができる。
蛍光体には、基本構成元素中に、若しくは、基本構成元素とともに、Mg、Ga,In,Li、Na,K、Re、Mo、Fe,Sr、Ca、Ba、Zn、B、Al、Cu、Mn、Cr、O及びNiからなる群より選ばれる少なくとも1種以上を含有する。これらの元素は、粒径を大きくしたり、発光輝度を高めたりする等の作用を有している。また、B、Al、Mg、Cr及びNiは、残光を抑えることができるという作用を有している。
3Ca + N2 → Ca3N2 ・・・(式2)
Sr、Caを、窒素雰囲気中、600〜900℃、約5時間、窒化する。Sr、Caは、混合して窒化しても良いし、それぞれ個々に窒化しても良い。これにより、Sr、Caの窒化物を得ることができる。Sr、Caの窒化物は、高純度のものが好ましいが、市販のものも使用することができる。
ケイ素Siも、窒素雰囲気中、800〜1200℃、約5時間、窒化する。これにより、窒化ケイ素を得る。本発明で使用する窒化ケイ素は、高純度のものが好ましいが、市販のものも使用することができる。
同様に、Siの窒化物を粉砕する。また、同様に、Euの化合物Eu2O3を粉砕する。Euの化合物として、酸化ユウロピウムを使用するが、金属ユウロピウム、窒化ユウロピウムなども使用可能である。このほか、原料のZは、イミド化合物、アミド化合物を用いることもできる。酸化ユウロピウムは、高純度のものが好ましいが、市販のものも使用することができる。粉砕後のアルカリ土類金属の窒化物、窒化ケイ素及び酸化ユウロピウムの平均粒径は、約0.1μmから15μmであることが好ましい。
本実施の形態における発光装置は、発光素子が発光した光の一部を吸収し、その吸収した光の波長と異なる波長を有する光を発光する蛍光体として、ユウロピウムで付活されたアルカリ土類金属珪酸塩を有することもできる。該アルカリ土類金属珪酸塩は、以下のような一般式で表されるアルカリ土類金属オルト珪酸塩が好ましい。
(2−x−y)SrO・x(Ba,Ca)O・(1−a−b−c−d)SiO2・aP2O5bAl2O3cB2O3dGeO2:yEu2+(式中、0<x<1.6、0.005<y<0.5、0<a、b、c、d<0.5である。)
(2−x−y)BaO・x(Sr,Ca)O・(1−a−b−c−d)SiO2・aP2O5bAl2O3cB2O3dGeO2:yEu2+(式中、0.01<x<1.6、0.005<y<0.5、0<a、b、c、d<0.5である。)
ここで、好ましくは、a、b、cおよびdの値のうち、少なくとも一つが0.01より大きい。
次に、本実施の形態におけるアルカリ土類金属珪酸塩からなる蛍光体の製造工程を説明する。
パッケージ凹部内に形成された導体配線105とLEDチップ103の電極との接続は、導電性ワイヤや、導電性部材を介してLEDチップ103の電極を導体配線105に対向させることにより行うことができる。導電性ワイヤー104としては、LEDチップ103の電極とセラミックパッケージ内に設けられた導体配線105とを接続させる電気的接続部材の1種であり、オーミック性、機械的接続性、電気伝導性及び熱伝導性がよいものが求められる。熱伝導度としては0.01cal/cm2/cm/℃以上が好ましく、より好ましくは0.5cal/cm2/cm/℃以上である。また、作業性などを考慮して導電性ワイヤーの直径は、好ましくは、Φ10μm以上、Φ45μm以下である。このような導電性ワイヤーとして具体的には、金、銅、白金、アルミニウム等の金属及びそれらの合金を用いた導電性ワイヤーが挙げられる。このような導電性ワイヤーは、各LEDチップの電極と、基板に設けられた導電性パターンなどと、をワイヤーボンディング機器によって容易に接続させることができる。以下、本発明に係る実施例について詳述する。なお、本発明は以下に示す実施例のみに限定されないことは言うまでもない。
エッチングによりPN各半導体表面を露出させた後、スパッタリング法により各電極をそれぞれ形成する。こうして出来上がった半導体ウエハーに対してスクライブラインを引いた後、外力により分割させ発光素子としてLEDチップとする。この青色系が発光可能なLEDチップ103をエポキシ樹脂でセラミック パッケージ開口部内の所定底辺にダイボンディング後、熱硬化により固定させる。その後、金線を導電性ワイヤ104として用い、LEDチップの各電極と、セラミック素地部202上の導体配線105とにワイヤ−ボンディングさせることにより電気的接続をとる。モールド部材107の形成材料としてシリコーン樹脂をLEDチップが配置された凹部内に注入する。このとき、シリコーン樹脂が、第一のセラミック素地部106aおよび光反射部102の上にあるように注入する。注入後、シリコーン樹脂を150℃1.5時間で硬化させ、第一のセラミック素地部106aおよび光反射部102の上にモールド部材107を形成する。
102・・・光反射部
102a・・・第一の光反射部
102b・・・第二の光反射部
103、301・・・LEDチップ
104・・・導電性ワイヤー
105、302・・・導体配線
106、202、203、204、205、304・・・セラミック素地部
106a・・・第一のセラミック素地部
106b・・・第二のセラミック素地部
107、303・・・モールド部材
201・・・スルーホール
401・・・保護素子
402・・・絶縁性接着剤
Claims (8)
- 導電体を内部に配した凹部を有するセラミックパッケージと、該凹部内にて前記導電体と接続される発光素子とを有し、前記凹部内をモールド部材で封止した発光装置であって、
前記凹部は、開口方向に内径が広くなる形状を有するセラミック素地部に設けられ前記発光素子の光を反射させる光反射部と、前記発光装置の主面方向から見て該光反射部の周囲に露出している第一のセラミック素地部とを備え、前記モールド部材が少なくとも前記光反射部と前記第一のセラミック素地部とを被覆することを特徴とする発光装置。 - 前記凹部は、前記発光装置の主面方向から見て前記発光素子を少なくとも部分的に包囲するとともに前記光反射部の内側に設けられる第二のセラミック素地部をさらに備え、前記モールド部材がさらに前記第二のセラミック素地部を被覆する請求項1に記載の発光装置。
- 前記第一のセラミック素地部と前記第二のセラミック素地部が、少なくとも一対の互いにほぼ平行な面を備えるように構成され、前記モールド部材が、前記第一のセラミック素地部と前記第二のセラミック素地部の互いにほぼ平行な面に設けられる請求項1または2に記載の発光装置。
- 前記凹部は、開口部に階段状のセラミック素地部を有する請求項1乃至3に記載の発光装置。
- 前記凹部の底面は、該底面に載置された発光素子に対し互いにほぼ対称な形状を含む複数のセラミック素地部を有する請求項1乃至4に記載の発光装置。
- 前記光反射部は、高融点金属粒子で構成される第一の金属層と、該第一の金属層に設けられる第二の金属層とを有する請求項1乃至5に記載の発光装置。
- 前記発光素子は、Alを含み、かつY、Lu、Sc、La、Gd、Tb、Eu及びSmから選択された少なくとも一つの元素と、Ga及びInから選択された一つの元素とを含み、希土類元素から選択された少なくとも一つの元素で付活された蛍光体を備える請求項1乃至6に記載の発光装置。
- 前記発光素子は、Nを含み、かつBe、Mg、Ca、Sr、Ba、及びZnから選択された少なくとも一つの元素と、C、Si、Ge、Sn、Ti、Zr、及びHfから選択された少なくとも一つの元素とを含み、希土類元素から選択された少なくとも一つの元素で付活された蛍光体を備える請求項1乃至7に記載の発光装置。
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Cited By (54)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005303071A (ja) * | 2004-04-13 | 2005-10-27 | Nichia Chem Ind Ltd | パッケージ、発光装置並びにこれらの製造方法 |
JP2005310911A (ja) * | 2004-04-19 | 2005-11-04 | Kyocera Corp | 発光素子収納用パッケージおよび発光装置ならびに照明装置 |
WO2005106973A1 (ja) * | 2004-04-27 | 2005-11-10 | Kyocera Corporation | 発光素子用配線基板 |
JP2006004987A (ja) * | 2004-06-15 | 2006-01-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光半導体素子用パッケージとそれを用いた発光装置 |
WO2006008935A1 (ja) * | 2004-06-30 | 2006-01-26 | Mitsubishi Chemical Corporation | 蛍光体、及び、それを用いた発光素子、並びに、画像表示装置、照明装置 |
JP2006128701A (ja) * | 2004-10-29 | 2006-05-18 | Ledengin Inc | ユニバーサル結合パッド及び接続構造を備えた高出力ledパッケージ |
JP2006148051A (ja) * | 2004-06-30 | 2006-06-08 | Mitsubishi Chemicals Corp | 発光装置、照明、表示装置用バックライトユニット及び表示装置 |
JP2006165491A (ja) * | 2004-11-12 | 2006-06-22 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体装置 |
JP2006222358A (ja) * | 2005-02-14 | 2006-08-24 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 発光素子実装用配線基板 |
JP2006295018A (ja) * | 2005-04-14 | 2006-10-26 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 配線基板 |
JP2006351611A (ja) * | 2005-06-13 | 2006-12-28 | Rohm Co Ltd | 発光素子搭載用基板及びそれを用いた光半導体装置 |
JP2007012792A (ja) * | 2005-06-29 | 2007-01-18 | Kyocera Corp | 発光素子収納用パッケージ、光源および発光装置 |
JP2007095722A (ja) * | 2005-09-27 | 2007-04-12 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置 |
JP2007110060A (ja) * | 2005-09-15 | 2007-04-26 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置 |
JP2007242738A (ja) * | 2006-03-06 | 2007-09-20 | Sumitomo Metal Electronics Devices Inc | 発光素子収納用パッケージ |
JP2007329249A (ja) * | 2006-06-07 | 2007-12-20 | Nichia Chem Ind Ltd | 表面実装型発光装置及びその製造方法 |
JP2008177445A (ja) * | 2007-01-22 | 2008-07-31 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 配線基板 |
JP2008244399A (ja) * | 2007-03-29 | 2008-10-09 | Nichia Corp | 発光装置 |
JP2008544488A (ja) * | 2005-06-10 | 2008-12-04 | クリー インコーポレイテッド | Ledパッケージ |
EP1670075A3 (en) * | 2004-12-07 | 2008-12-31 | Ngk Spark Plug Co., Ltd | Wiring substrate for mounting light emitting element |
JP2009506185A (ja) * | 2005-08-30 | 2009-02-12 | ロイヒトシュトッフヴェルク ブライトゥンゲン ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | カーバイドニトリドシリケート発光物質 |
US7508008B2 (en) | 2006-07-10 | 2009-03-24 | Nec Lighting, Ltd. | Light-emitting device |
JP2009534818A (ja) * | 2006-04-21 | 2009-09-24 | レクセディス ライティング ゲー・エム・ベー・ハー | 膜上にledチップを有するledプラットフォーム |
JP2009267274A (ja) * | 2008-04-30 | 2009-11-12 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 発光素子実装用配線基板 |
EP2365549A1 (en) | 2010-03-12 | 2011-09-14 | Asahi Glass Company, Limited | Light-emitting device |
USD656906S1 (en) | 2008-01-10 | 2012-04-03 | Cree Hong Kong Limited | LED package |
USD662902S1 (en) | 2007-12-14 | 2012-07-03 | Cree Hong Kong Limited | LED package |
US8221649B2 (en) | 2004-04-27 | 2012-07-17 | Panasonic Corporation | Phosphor composition and method for producing the same, and light-emitting device using the same |
US8246216B2 (en) | 2008-10-14 | 2012-08-21 | Ledengin, Inc. | Total internal reflection lens with pedestals for LED emitter |
US8324641B2 (en) | 2007-06-29 | 2012-12-04 | Ledengin, Inc. | Matrix material including an embedded dispersion of beads for a light-emitting device |
JP2012238633A (ja) * | 2011-05-10 | 2012-12-06 | Rohm Co Ltd | Ledモジュール |
JP2012244027A (ja) * | 2011-05-23 | 2012-12-10 | Nippon Carbide Ind Co Inc | 発光素子搭載用基板及び発光装置 |
US8362605B2 (en) | 2006-04-26 | 2013-01-29 | Cree Huizhou Opto Limited | Apparatus and method for use in mounting electronic elements |
US8368112B2 (en) | 2009-01-14 | 2013-02-05 | Cree Huizhou Opto Limited | Aligned multiple emitter package |
US8367945B2 (en) | 2006-08-16 | 2013-02-05 | Cree Huizhou Opto Limited | Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements |
US8507300B2 (en) | 2008-12-24 | 2013-08-13 | Ledengin, Inc. | Light-emitting diode with light-conversion layer |
US8564004B2 (en) | 2011-11-29 | 2013-10-22 | Cree, Inc. | Complex primary optics with intermediate elements |
US8592855B2 (en) | 2008-05-23 | 2013-11-26 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device package including a substrate having at least two recessed surfaces |
US8735920B2 (en) | 2006-07-31 | 2014-05-27 | Cree, Inc. | Light emitting diode package with optical element |
US8748915B2 (en) | 2006-04-24 | 2014-06-10 | Cree Hong Kong Limited | Emitter package with angled or vertical LED |
US8791471B2 (en) | 2008-11-07 | 2014-07-29 | Cree Hong Kong Limited | Multi-chip light emitting diode modules |
US8802459B2 (en) | 2006-12-28 | 2014-08-12 | Nichia Corporation | Surface mount lateral light emitting apparatus and fabrication method thereof |
US8816369B2 (en) | 2004-10-29 | 2014-08-26 | Led Engin, Inc. | LED packages with mushroom shaped lenses and methods of manufacturing LED light-emitting devices |
US9012938B2 (en) | 2010-04-09 | 2015-04-21 | Cree, Inc. | High reflective substrate of light emitting devices with improved light output |
US9035439B2 (en) | 2006-03-28 | 2015-05-19 | Cree Huizhou Solid State Lighting Company Limited | Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements |
US9070850B2 (en) | 2007-10-31 | 2015-06-30 | Cree, Inc. | Light emitting diode package and method for fabricating same |
US9502624B2 (en) | 2006-05-18 | 2016-11-22 | Nichia Corporation | Resin molding, surface mounted light emitting apparatus and methods for manufacturing the same |
US9601670B2 (en) | 2014-07-11 | 2017-03-21 | Cree, Inc. | Method to form primary optic with variable shapes and/or geometries without a substrate |
US9711703B2 (en) | 2007-02-12 | 2017-07-18 | Cree Huizhou Opto Limited | Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements |
US9865779B2 (en) | 2015-09-30 | 2018-01-09 | Nichia Corporation | Methods of manufacturing the package and light-emitting device |
US9897284B2 (en) | 2012-03-28 | 2018-02-20 | Ledengin, Inc. | LED-based MR16 replacement lamp |
US9929326B2 (en) | 2004-10-29 | 2018-03-27 | Ledengin, Inc. | LED package having mushroom-shaped lens with volume diffuser |
US10256385B2 (en) | 2007-10-31 | 2019-04-09 | Cree, Inc. | Light emitting die (LED) packages and related methods |
US10622522B2 (en) | 2014-09-05 | 2020-04-14 | Theodore Lowes | LED packages with chips having insulated surfaces |
-
2003
- 2003-08-22 JP JP2003298801A patent/JP4407204B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (86)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005303071A (ja) * | 2004-04-13 | 2005-10-27 | Nichia Chem Ind Ltd | パッケージ、発光装置並びにこれらの製造方法 |
JP4670251B2 (ja) * | 2004-04-13 | 2011-04-13 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP2005310911A (ja) * | 2004-04-19 | 2005-11-04 | Kyocera Corp | 発光素子収納用パッケージおよび発光装置ならびに照明装置 |
US8419975B2 (en) | 2004-04-27 | 2013-04-16 | Panasonic Corporation | Phosphor composition and method for producing the same, and light-emitting device using the same |
WO2005106973A1 (ja) * | 2004-04-27 | 2005-11-10 | Kyocera Corporation | 発光素子用配線基板 |
US8314346B2 (en) | 2004-04-27 | 2012-11-20 | Kyocera Corporation | Wiring board for light-emitting element |
US8226853B2 (en) | 2004-04-27 | 2012-07-24 | Panasonic Corporation | Phosphor composition and method for producing the same, and light-emitting device using the same |
US8221649B2 (en) | 2004-04-27 | 2012-07-17 | Panasonic Corporation | Phosphor composition and method for producing the same, and light-emitting device using the same |
US8551362B2 (en) | 2004-04-27 | 2013-10-08 | Panasonic Corporation | Phosphor composition and method for producing the same, and light-emitting device using the same |
JP2006004987A (ja) * | 2004-06-15 | 2006-01-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光半導体素子用パッケージとそれを用いた発光装置 |
JP4525193B2 (ja) * | 2004-06-15 | 2010-08-18 | パナソニック株式会社 | 光半導体素子用パッケージとそれを用いた発光装置 |
US8384285B2 (en) | 2004-06-30 | 2013-02-26 | Mitsubishi Chemical Corporation | Phosphor, light-emitting device using same, image display and illuminating device |
JP2006148051A (ja) * | 2004-06-30 | 2006-06-08 | Mitsubishi Chemicals Corp | 発光装置、照明、表示装置用バックライトユニット及び表示装置 |
WO2006008935A1 (ja) * | 2004-06-30 | 2006-01-26 | Mitsubishi Chemical Corporation | 蛍光体、及び、それを用いた発光素子、並びに、画像表示装置、照明装置 |
JP2006128701A (ja) * | 2004-10-29 | 2006-05-18 | Ledengin Inc | ユニバーサル結合パッド及び接続構造を備えた高出力ledパッケージ |
US9842973B2 (en) | 2004-10-29 | 2017-12-12 | Ledengin, Inc. | Method of manufacturing ceramic LED packages with higher heat dissipation |
US9653663B2 (en) | 2004-10-29 | 2017-05-16 | Ledengin, Inc. | Ceramic LED package |
US8816369B2 (en) | 2004-10-29 | 2014-08-26 | Led Engin, Inc. | LED packages with mushroom shaped lenses and methods of manufacturing LED light-emitting devices |
US9929326B2 (en) | 2004-10-29 | 2018-03-27 | Ledengin, Inc. | LED package having mushroom-shaped lens with volume diffuser |
JP2006165491A (ja) * | 2004-11-12 | 2006-06-22 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体装置 |
US7683393B2 (en) | 2004-12-07 | 2010-03-23 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Wiring substrate for mounting light emitting element |
EP1670075A3 (en) * | 2004-12-07 | 2008-12-31 | Ngk Spark Plug Co., Ltd | Wiring substrate for mounting light emitting element |
JP2006222358A (ja) * | 2005-02-14 | 2006-08-24 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 発光素子実装用配線基板 |
JP4638761B2 (ja) * | 2005-04-14 | 2011-02-23 | 日本特殊陶業株式会社 | 配線基板 |
JP2006295018A (ja) * | 2005-04-14 | 2006-10-26 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 配線基板 |
JP2008544488A (ja) * | 2005-06-10 | 2008-12-04 | クリー インコーポレイテッド | Ledパッケージ |
US8669572B2 (en) | 2005-06-10 | 2014-03-11 | Cree, Inc. | Power lamp package |
JP2006351611A (ja) * | 2005-06-13 | 2006-12-28 | Rohm Co Ltd | 発光素子搭載用基板及びそれを用いた光半導体装置 |
JP2007012792A (ja) * | 2005-06-29 | 2007-01-18 | Kyocera Corp | 発光素子収納用パッケージ、光源および発光装置 |
JP2009506185A (ja) * | 2005-08-30 | 2009-02-12 | ロイヒトシュトッフヴェルク ブライトゥンゲン ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | カーバイドニトリドシリケート発光物質 |
KR101323481B1 (ko) * | 2005-08-30 | 2013-10-31 | 트리도닉 예너스도르프 게엠베하 | 카비도니트리도실리케이트 발광 물질 |
JP2007110060A (ja) * | 2005-09-15 | 2007-04-26 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置 |
JP4715422B2 (ja) * | 2005-09-27 | 2011-07-06 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP2007095722A (ja) * | 2005-09-27 | 2007-04-12 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置 |
JP2007242738A (ja) * | 2006-03-06 | 2007-09-20 | Sumitomo Metal Electronics Devices Inc | 発光素子収納用パッケージ |
US9035439B2 (en) | 2006-03-28 | 2015-05-19 | Cree Huizhou Solid State Lighting Company Limited | Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements |
JP2009534818A (ja) * | 2006-04-21 | 2009-09-24 | レクセディス ライティング ゲー・エム・ベー・ハー | 膜上にledチップを有するledプラットフォーム |
EP2387082A3 (en) * | 2006-04-21 | 2014-08-06 | Tridonic Jennersdorf GmbH | LED platform having a LED chip on a membrane |
US8748915B2 (en) | 2006-04-24 | 2014-06-10 | Cree Hong Kong Limited | Emitter package with angled or vertical LED |
US8362605B2 (en) | 2006-04-26 | 2013-01-29 | Cree Huizhou Opto Limited | Apparatus and method for use in mounting electronic elements |
US9502624B2 (en) | 2006-05-18 | 2016-11-22 | Nichia Corporation | Resin molding, surface mounted light emitting apparatus and methods for manufacturing the same |
US11631790B2 (en) | 2006-05-18 | 2023-04-18 | Nichia Corporation | Resin molding, surface mounted light emitting apparatus and methods for manufacturing the same |
US10971656B2 (en) | 2006-05-18 | 2021-04-06 | Nichia Corporation | Resin molding, surface mounted light emitting apparatus and methods for manufacturing the same |
US9929318B2 (en) | 2006-05-18 | 2018-03-27 | Nichia Corporation | Resin molding, surface mounted light emitting apparatus and methods for manufacturing the same |
US10263161B2 (en) | 2006-05-18 | 2019-04-16 | Nichia Corporation | Resin molding, surface mounted light emitting apparatus and methods for manufacturing the same |
US9634204B2 (en) | 2006-05-18 | 2017-04-25 | Nichia Corporation | Resin molding, surface mounted light emitting apparatus and methods for manufacturing the same |
US10686102B2 (en) | 2006-05-18 | 2020-06-16 | Nichia Corporation | Resin molding, surface mounted light emitting apparatus and methods for manufacturing the same |
JP2007329249A (ja) * | 2006-06-07 | 2007-12-20 | Nichia Chem Ind Ltd | 表面実装型発光装置及びその製造方法 |
US7508008B2 (en) | 2006-07-10 | 2009-03-24 | Nec Lighting, Ltd. | Light-emitting device |
US8735920B2 (en) | 2006-07-31 | 2014-05-27 | Cree, Inc. | Light emitting diode package with optical element |
US8367945B2 (en) | 2006-08-16 | 2013-02-05 | Cree Huizhou Opto Limited | Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements |
US8802459B2 (en) | 2006-12-28 | 2014-08-12 | Nichia Corporation | Surface mount lateral light emitting apparatus and fabrication method thereof |
US9190588B2 (en) | 2006-12-28 | 2015-11-17 | Nichia Corporation | Side-view type light emitting apparatus and package |
JP2008177445A (ja) * | 2007-01-22 | 2008-07-31 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 配線基板 |
US9711703B2 (en) | 2007-02-12 | 2017-07-18 | Cree Huizhou Opto Limited | Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements |
JP2008244399A (ja) * | 2007-03-29 | 2008-10-09 | Nichia Corp | 発光装置 |
US8324641B2 (en) | 2007-06-29 | 2012-12-04 | Ledengin, Inc. | Matrix material including an embedded dispersion of beads for a light-emitting device |
US10892383B2 (en) | 2007-10-31 | 2021-01-12 | Cree, Inc. | Light emitting diode package and method for fabricating same |
US10256385B2 (en) | 2007-10-31 | 2019-04-09 | Cree, Inc. | Light emitting die (LED) packages and related methods |
US9070850B2 (en) | 2007-10-31 | 2015-06-30 | Cree, Inc. | Light emitting diode package and method for fabricating same |
US11791442B2 (en) | 2007-10-31 | 2023-10-17 | Creeled, Inc. | Light emitting diode package and method for fabricating same |
USD662902S1 (en) | 2007-12-14 | 2012-07-03 | Cree Hong Kong Limited | LED package |
USD656906S1 (en) | 2008-01-10 | 2012-04-03 | Cree Hong Kong Limited | LED package |
USD671661S1 (en) | 2008-01-10 | 2012-11-27 | Cree Hong Kong Limited | LED package |
JP2009267274A (ja) * | 2008-04-30 | 2009-11-12 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 発光素子実装用配線基板 |
US8878229B2 (en) | 2008-05-23 | 2014-11-04 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device package including a substrate having at least two recessed surfaces |
US8592855B2 (en) | 2008-05-23 | 2013-11-26 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device package including a substrate having at least two recessed surfaces |
US9190450B2 (en) | 2008-05-23 | 2015-11-17 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device package including a substrate having at least two recessed surfaces |
US9455375B2 (en) | 2008-05-23 | 2016-09-27 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device package including a substrate having at least two recessed surfaces |
US8430537B2 (en) | 2008-10-14 | 2013-04-30 | Ledengin, Inc. | Total internal reflection lens for color mixing |
US8246216B2 (en) | 2008-10-14 | 2012-08-21 | Ledengin, Inc. | Total internal reflection lens with pedestals for LED emitter |
US8791471B2 (en) | 2008-11-07 | 2014-07-29 | Cree Hong Kong Limited | Multi-chip light emitting diode modules |
US8507300B2 (en) | 2008-12-24 | 2013-08-13 | Ledengin, Inc. | Light-emitting diode with light-conversion layer |
US9722158B2 (en) | 2009-01-14 | 2017-08-01 | Cree Huizhou Solid State Lighting Company Limited | Aligned multiple emitter package |
US8368112B2 (en) | 2009-01-14 | 2013-02-05 | Cree Huizhou Opto Limited | Aligned multiple emitter package |
EP2365549A1 (en) | 2010-03-12 | 2011-09-14 | Asahi Glass Company, Limited | Light-emitting device |
US8319240B2 (en) | 2010-03-12 | 2012-11-27 | Asahi Glass Company, Limited | Light-emitting device |
US9012938B2 (en) | 2010-04-09 | 2015-04-21 | Cree, Inc. | High reflective substrate of light emitting devices with improved light output |
JP2012238633A (ja) * | 2011-05-10 | 2012-12-06 | Rohm Co Ltd | Ledモジュール |
JP2012244027A (ja) * | 2011-05-23 | 2012-12-10 | Nippon Carbide Ind Co Inc | 発光素子搭載用基板及び発光装置 |
US8564004B2 (en) | 2011-11-29 | 2013-10-22 | Cree, Inc. | Complex primary optics with intermediate elements |
US9897284B2 (en) | 2012-03-28 | 2018-02-20 | Ledengin, Inc. | LED-based MR16 replacement lamp |
US9601670B2 (en) | 2014-07-11 | 2017-03-21 | Cree, Inc. | Method to form primary optic with variable shapes and/or geometries without a substrate |
US10622522B2 (en) | 2014-09-05 | 2020-04-14 | Theodore Lowes | LED packages with chips having insulated surfaces |
US9865779B2 (en) | 2015-09-30 | 2018-01-09 | Nichia Corporation | Methods of manufacturing the package and light-emitting device |
US10367121B2 (en) | 2015-09-30 | 2019-07-30 | Nichia Corporation | Package and light-emitting device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4407204B2 (ja) | 2010-02-03 |
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