JP2009267274A - 発光素子実装用配線基板 - Google Patents
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Abstract
【課題】発光素子が実装されるキャビティの底面やその側面に形成される導体からなる光反射層によって、上記発光素子が発する光を高い反射率で反射可能とした発光素子実装用配線基板を提供する。
【解決手段】複数のセラミック層(絶縁材)s1〜s6を積層してなり、表面3および裏面4を有する基板本体2aと、該基板本体2aの表面3に開口し、発光ダイオード(発光素子)Dが実装される底面6および側面7からなるキャビティ5aと、該キャビティ5aの底面6および側面7に形成された発光素子実装用パッド(光反射層)10、その対となる電極(光反射層)11、および光反射層9aと、を備え、これらの光反射層9a,9b,10,11は、表面粗さRaが0.5μm以下で且つ平均頂部間隔Sが30μm以上である、発光素子実装用配線基板1a。
【選択図】 図2
【解決手段】複数のセラミック層(絶縁材)s1〜s6を積層してなり、表面3および裏面4を有する基板本体2aと、該基板本体2aの表面3に開口し、発光ダイオード(発光素子)Dが実装される底面6および側面7からなるキャビティ5aと、該キャビティ5aの底面6および側面7に形成された発光素子実装用パッド(光反射層)10、その対となる電極(光反射層)11、および光反射層9aと、を備え、これらの光反射層9a,9b,10,11は、表面粗さRaが0.5μm以下で且つ平均頂部間隔Sが30μm以上である、発光素子実装用配線基板1a。
【選択図】 図2
Description
本発明は、発光素子が底面に実装されるキャビティ内において、該発光素子から発する光を高い反射率で反射し得る発光素子実装用配線基板に関する。
発光ダイオード(発光素子)の光を反射し且つ加熱による変色を抑制するため、少なくともキャビティの底面に形成され、上記発光ダイオードが実装される導体層の表面に被覆されたAgメッキ層の厚みを5μmとし、且つ該Agメッキ層の表面粗さ(Ra)を0.1〜3.0μmとした発光素子実装用配線基板が提案されている(例えば、特許文献1参照)。
しかしながら、前記特許文献1の発光素子実装用配線基板のように、発光素子が実装されるキャビティの底面や該キャビティの側面に形成される導体層の表面における表面粗さ(Ra)のみを規定するだけでは、必ずしも上記発光素子が発する光を高い反射率で反射させることは、不十分であった。
本発明は、背景技術において説明した問題点を解決し、発光素子が実装されるキャビティの底面やその側面に形成される導体からなる光反射層によって、上記発光素子が発する光を高い反射率で反射可能とした発光素子実装用配線基板を提供する、ことを課題とする。
本発明は、前記課題を解決するため、発光素子が実装されるキャビティの底面や側面に形成される導体からなる光反射層の表面における表面粗さと共に、該表面の平均頂部間隔を規定する、ことに着想して成されたものである。
即ち、本発明の発光素子実装用配線基板(請求項1)は、絶縁材からなり、表面および裏面を有する基板本体と、該基板本体の表面に開口し、発光素子が実装される底面および側面からなるキャビティと、該キャビティの底面および側面のうち、少なくとも該底面に形成された光反射層と、を備え、該光反射層は、表面粗さRaが0.5μm以下で且つ平均頂部間隔Sが30μm以上である、ことを特徴とする。
即ち、本発明の発光素子実装用配線基板(請求項1)は、絶縁材からなり、表面および裏面を有する基板本体と、該基板本体の表面に開口し、発光素子が実装される底面および側面からなるキャビティと、該キャビティの底面および側面のうち、少なくとも該底面に形成された光反射層と、を備え、該光反射層は、表面粗さRaが0.5μm以下で且つ平均頂部間隔Sが30μm以上である、ことを特徴とする。
また、本発明の発光素子実装用配線基板(請求項2)は、絶縁材からなり、表面および裏面を有する基板本体と、該基板本体の表面に開口し、底面および側面からなるキャビティと、該キャビティの底面および側面のうち、少なくとも該底面に形成された光反射層と、を備え、該光反射層は、表面粗さRa/平均頂部間隔Sが0.0167以下である、ことも特徴とする。
尚、前記平均頂部間隔Sは、JISには規定がないが、ISOなどで定められており、前記光反射層の表面に沿った単位距離(本例では)0.80mmにおいて、カットオフ値(本例では)0.25mmで最高の頂部を複数カ所抽出し、かかる頂部間(S1,S2,…,Sn)の平均距離(S=1/n(S1+S2+…+Sn))である。
尚、前記平均頂部間隔Sは、JISには規定がないが、ISOなどで定められており、前記光反射層の表面に沿った単位距離(本例では)0.80mmにおいて、カットオフ値(本例では)0.25mmで最高の頂部を複数カ所抽出し、かかる頂部間(S1,S2,…,Sn)の平均距離(S=1/n(S1+S2+…+Sn))である。
これらによれば、前記キャビティの底面および側面のうち、少なくとも該底面に形成された前記光反射層は、表面粗さRaが0.5μm以下で且つ平均頂部間隔Sが30μm以上であるか、あるいは、表面粗さRa/平均頂部間隔Sが0.0167以下である。即ち、光反射層の表面は、頂部・谷部の高低差が一定以下に小さく且つ頂部間の距離が一定以上であり、全体に起伏がなだらかなほぼ平面である。従って、前記キャビティの底面に実装される発光素子が発する光を高い反射率により外部に放射できるので、所要の明るさの照明を確実に提供することが可能となる。
前記表面粗さRaが0.5μm超であったり、平均頂部間隔Sが30μm未満である場合、あるいは、表面粗さRa/平均頂部間隔S(比)が0.0167を越える場合には、前記光反射層の表面は、頂部・谷部の高低差が大きく且つ頂部間の距離が短くなり、反射率が低下するおそれがあるので、これらの範囲を除外した。
前記表面粗さRaが0.5μm超であったり、平均頂部間隔Sが30μm未満である場合、あるいは、表面粗さRa/平均頂部間隔S(比)が0.0167を越える場合には、前記光反射層の表面は、頂部・谷部の高低差が大きく且つ頂部間の距離が短くなり、反射率が低下するおそれがあるので、これらの範囲を除外した。
尚、前記絶縁材は、セラミックあるいは樹脂からなる。該セラミックには、例えば、アルミナのような高温焼成セラミック(HTCC)や、ガラス−セラミックのように低温焼成セラミック(LTCC)が含まれ、上記樹脂には、例えば、エポキシ系樹脂が挙げられる。
また、前記光反射層は、キャビティ内において、該キャビティの底面に追って実装される発光素子が発した光が当たる導体層である。具体的には、キャビティの底面に形成される発光素子実装用パッド、その対極の電極、あるいは、キャビティの側面に形成される導体からなる光反射層である。
更に、前記光反射層は、W、Mo、Ag、あるいはCuからなるメタライズ層(導体層)の表面に、例えば、NiおよびAuメッキ層を介して、最表層に形成したAgメッキ層が被覆されたものである。
また、前記発光素子には、発光ダイオードのほか、半導体レーザも含まれる。
加えて、前記キャビティには、平面視が円形の底面およびその周辺から垂直に立設する円柱形の側面からなる形態、平面視が円形の底面およびその周辺から傾斜して立ち上がるほぼ逆円錐形の側面からなる形態、平面視が長円形の底面およびその周辺から垂直に立設する長円柱形の側面からなる形態、あるいは、平面視が長円形の底面およびその周辺から傾斜して立ち上がるほぼ逆長円錐形の側面からなる形態などが含まれる。
また、前記光反射層は、キャビティ内において、該キャビティの底面に追って実装される発光素子が発した光が当たる導体層である。具体的には、キャビティの底面に形成される発光素子実装用パッド、その対極の電極、あるいは、キャビティの側面に形成される導体からなる光反射層である。
更に、前記光反射層は、W、Mo、Ag、あるいはCuからなるメタライズ層(導体層)の表面に、例えば、NiおよびAuメッキ層を介して、最表層に形成したAgメッキ層が被覆されたものである。
また、前記発光素子には、発光ダイオードのほか、半導体レーザも含まれる。
加えて、前記キャビティには、平面視が円形の底面およびその周辺から垂直に立設する円柱形の側面からなる形態、平面視が円形の底面およびその周辺から傾斜して立ち上がるほぼ逆円錐形の側面からなる形態、平面視が長円形の底面およびその周辺から垂直に立設する長円柱形の側面からなる形態、あるいは、平面視が長円形の底面およびその周辺から傾斜して立ち上がるほぼ逆長円錐形の側面からなる形態などが含まれる。
更に、本発明には、前記光反射層は、表面粗さRaが0.4μm以下で且つ平均頂部間隔Sが35μm以上である、発光素子実装用配線基板(請求項3)も含まれる。
加えて、本発明には、前記光反射層は、表面粗さRa/平均頂部間隔Sが0.0114以下である、発光素子実装用配線基板(請求項4)も含まれる。
加えて、本発明には、前記光反射層は、表面粗さRa/平均頂部間隔Sが0.0114以下である、発光素子実装用配線基板(請求項4)も含まれる。
これらによれば、前記光反射層の表面が、全体に一層滑らかなほぼ平面となるので、前記キャビティの底面に実装される発光素子が発する光を、より高い反射率によって外部に放射することが可能となる。
前記表面粗さRaが0.4μm超となったり、平均頂部間隔Sが35μm未満である場合、あるいは、表面粗さRa/平均頂部間隔S(比)が0.0114を越える場合には、前記光反射層の表面は、前記のように、反射率が低下し得るので、これらの範囲を推奨しないこととした。
前記表面粗さRaが0.4μm超となったり、平均頂部間隔Sが35μm未満である場合、あるいは、表面粗さRa/平均頂部間隔S(比)が0.0114を越える場合には、前記光反射層の表面は、前記のように、反射率が低下し得るので、これらの範囲を推奨しないこととした。
以下において、本発明を実施するための最良の形態について説明する。
図1は、本発明による一形態の発光素子実装用配線基板(以下、単に、配線基板と称する)1aを示す平面図、図2は、図1中のX−X線の矢視に沿った垂直断面図である。
配線基板1aは、図1,図2に示すように、複数のセラミック層(絶縁材)s1〜s6を積層してなり、平面視がほぼ正方形(矩形)の表面3および裏面4を有する基板本体2aと、該基板本体2aの表面3に開口し、平面視が円形の底面6、およびその周辺から垂直に立設し全体が円柱形を呈する側面7を有するキャビティ5aと、を備えている。
上記セラミック層s1〜s6は、アルミナを主成分とする高温焼成セラミックからなる。
図1は、本発明による一形態の発光素子実装用配線基板(以下、単に、配線基板と称する)1aを示す平面図、図2は、図1中のX−X線の矢視に沿った垂直断面図である。
配線基板1aは、図1,図2に示すように、複数のセラミック層(絶縁材)s1〜s6を積層してなり、平面視がほぼ正方形(矩形)の表面3および裏面4を有する基板本体2aと、該基板本体2aの表面3に開口し、平面視が円形の底面6、およびその周辺から垂直に立設し全体が円柱形を呈する側面7を有するキャビティ5aと、を備えている。
上記セラミック層s1〜s6は、アルミナを主成分とする高温焼成セラミックからなる。
また、前記キャビティ5aの底面6には、その中心部を含む部分に発光素子実装用パッド(光反射層)10が形成され、該実装用パッド10の直線辺側に隣接して前記パッド10よりも比較的小面積である対極の電極(光反射層)11が形成されている。図2中の一点鎖線部分Yを拡大した図3で例示するように、前記実装用パッド10および電極11は、WまたはMoからなるメタライズ層15、その表面に順次被覆されたNiメッキ層16、Auメッキ層17、およびAgメッキ層18を有している。
尚、上記実装用パッド10の電極11側には、発光ダイオード(発光素子)Dが追って実装され、上記電極11には、該発光ダイオードDと導通する図示しないボンディングワイヤが接合される。
尚、上記実装用パッド10の電極11側には、発光ダイオード(発光素子)Dが追って実装され、上記電極11には、該発光ダイオードDと導通する図示しないボンディングワイヤが接合される。
更に、図2に示すように、前記キャビティ5aの側面7には、前記同様のメタライズ層、Niメッキ層、Auメッキ層、およびAgメッキ層からなり、全体がほぼ円筒形を呈する光反射層9aが形成されている。
図2に示すように、セラミック層s1〜s3間には、所定パターンの配線層12,13が形成され、基板本体2aの裏面4には、複数の接続端子14が形成されている。前記発光素子実装用パッド10、電極11、上記配線層12,13、および接続端子14は、セラミック層s1〜s3を貫通するビア導体vを介して、相互に導通可能とされている。尚、上記配線層12,13は、WまたはMoからなり、上記接続端子14は、WまたはMoからなるメタライズ層の表面にNiおよびAuメッキ層を被覆したものである。
尚、前記光反射層9aは、前記実装用パッド10、あるいは電極11と、導通可能に接続しても良い。
図2に示すように、セラミック層s1〜s3間には、所定パターンの配線層12,13が形成され、基板本体2aの裏面4には、複数の接続端子14が形成されている。前記発光素子実装用パッド10、電極11、上記配線層12,13、および接続端子14は、セラミック層s1〜s3を貫通するビア導体vを介して、相互に導通可能とされている。尚、上記配線層12,13は、WまたはMoからなり、上記接続端子14は、WまたはMoからなるメタライズ層の表面にNiおよびAuメッキ層を被覆したものである。
尚、前記光反射層9aは、前記実装用パッド10、あるいは電極11と、導通可能に接続しても良い。
図4は、本発明による異なる形態の配線基板1bを示す前記同様の垂直断面図である。
配線基板1bは、図4に示すように、複数のセラミック層s1〜s3,s7〜s9を積層してなり、平面視がほぼ正方形の表面3および裏面4を有する基板本体2bと、該基板本体2bの表面3に開口し、平面視が円形の底面7、およびその周辺から斜め上向きに立設して全体がほぼ逆円錐形を呈する側面8を有するキャビティ5bと、を備えている。
配線基板1bは、図4に示すように、複数のセラミック層s1〜s3,s7〜s9を積層してなり、平面視がほぼ正方形の表面3および裏面4を有する基板本体2bと、該基板本体2bの表面3に開口し、平面視が円形の底面7、およびその周辺から斜め上向きに立設して全体がほぼ逆円錐形を呈する側面8を有するキャビティ5bと、を備えている。
前記セラミック層s1〜s3,s7〜s9も、アルミナを主成分とする高温焼成セラミックからなる。また、キャビティ5bの側面8には、前記同様の光反射層9bが形成されている。
更に、図4に示すように、キャビティ6bの底面7には、前記同様の実装用パッド10、および電極11が形成され、前記セラミック層s1〜s3間には、前記同様の配線層12,13が形成されると共に、基板本体2aの裏面4には、複数の接続端子14が形成されている。尚、前記光反射層9bは、前記実装用パッド10、あるいは電極11と、導通可能に接続していても良い。
尚、以上のような配線基板1a,1bは、前記接続端子14と図示しないプリント基板(マザーボード)の表面電極とをハンダを介して接合され、該プリント基板に実装される。
更に、図4に示すように、キャビティ6bの底面7には、前記同様の実装用パッド10、および電極11が形成され、前記セラミック層s1〜s3間には、前記同様の配線層12,13が形成されると共に、基板本体2aの裏面4には、複数の接続端子14が形成されている。尚、前記光反射層9bは、前記実装用パッド10、あるいは電極11と、導通可能に接続していても良い。
尚、以上のような配線基板1a,1bは、前記接続端子14と図示しないプリント基板(マザーボード)の表面電極とをハンダを介して接合され、該プリント基板に実装される。
前記配線基板1a,1bにおけるキャビティ5a,5b内の光反射層である光反射層9a,9b、発光素子実装用パッド10、および電極11は、最表層のAgメッキ層18の表面において、表面粗さRaが0.5μm以下で且つ平均頂部間隔Sが30μm以上であると共に、表面粗さRa/平均頂部間隔Sの比が0.0167以下となるように設定されている。上記表面粗さRaおよび平均頂部間隔S、あるいは、表面粗さRa/平均頂部間隔Sの比を満たすには、少なくとも、前記メタライズ層15の金属粒の細粒化、および均粒化、Niメッキ条件およびその厚みの調整、前記Agメッキ層18の電解Agメッキ条件(電流密度、メッキ浴温度など)を調整することで可能となる。
尚、前記平均頂部間隔Sは、例えば、発光素子実装用パッド10の表面に沿って、表面粗さ計を走査し、図5に示すように、基準長さL内において測定された抽出折れ線f(x)のうち、単位距離:0.80mmごとに、カットオフ値:0.25mmで最高の頂部を複数カ所抽出し、該頂部間(S1,S2,Si,…,Sn)の平均距離(S=1/n(S1+S2+Si+…+Sn))である。また、図5中で矢印の水平線xは、抽出折れ線f(x)の垂直方向zにおける中心線(2RC)である。
以上のように、配線基板1a,1bは、それらのキャビティ5a,5b内の光反射層である光反射層9a,9b、発光素子実装用パッド10、および電極11を、最表層のAgメッキ層18の表面において、表面粗さRaが0.5μm以下とし且つ平均頂部間隔Sが30μm以上にすると共に、表面粗さRa/平均頂部間隔Sの比が0.0167以下とされている。そのため、光反射層9a,9bなどの表面は、頂部・谷部間の高低差が小さく、且つ頂部間の平均距離Sが一定値以上であるので、全体に起伏がなだらかなほぼ平面である。従って、前記キャビティ5a,5bの底面における前記実装用パッド10に実装される発光ダイオードDが発する光を高い反射率によって外部に放射できるので、所要の明るさの照明を確実に提供することができる。
以下において、本発明の具体的な実施例を、比較例と併せて説明する。
予め、光反射層における光の反射率と表面粗さとの関係を、予備的な実験によって調査した。即ち、アルミナを主成分とするセラミック層の表面に、同じ厚みのWからなるメタライズ層、およびNi−Co系合金のNiメッキ層を形成した試料を3個作成し、これらの表面ごとに表面粗さRaを替えたAgメッキ層を同じ厚みで形成した。該3個の試料に対し、同じ発光ダイオードDを実装し、これに同じ電圧の電流を通電して発光させ、個別に反射率測定計によって、発光した光に対する反射した光の割合である反射率を測定した。それらの結果を図6のグラフに示した。
図6のグラフによれば、表面粗さRaが大きくなるに連れて、反射率が低下する傾向となる関係が確認された。
予め、光反射層における光の反射率と表面粗さとの関係を、予備的な実験によって調査した。即ち、アルミナを主成分とするセラミック層の表面に、同じ厚みのWからなるメタライズ層、およびNi−Co系合金のNiメッキ層を形成した試料を3個作成し、これらの表面ごとに表面粗さRaを替えたAgメッキ層を同じ厚みで形成した。該3個の試料に対し、同じ発光ダイオードDを実装し、これに同じ電圧の電流を通電して発光させ、個別に反射率測定計によって、発光した光に対する反射した光の割合である反射率を測定した。それらの結果を図6のグラフに示した。
図6のグラフによれば、表面粗さRaが大きくなるに連れて、反射率が低下する傾向となる関係が確認された。
一方、光反射層における光の反射率と平均頂部間隔Sとの関係を、予備的な実験によって調査した。前記同様のセラミック層の表面に、同じ厚みのWからなるメタライズ層、およびNi−Co系合金のNiメッキ層を形成した試料を3個作成し、これらの表面ごとにおける平均頂部間隔Sを替えたAgメッキ層を同じ厚みで形成した。この際、単位距離は、0.80mmとし、カットオフ値は、0.25mmとした。上記3個の試料に対し、前記同様にして反射率を測定した。それらの結果を図7のグラフに示した。
図7のグラフによれば、平均頂部間隔Sが大きくなるに連れて、反射率が向上する傾向となる関係が確認された。
以上の2つの予備的な実験により、光反射層は、表面粗さRaが小さくなり、且つ平均頂部間隔Sが大きくなるほど、反射率が高くなることが確認できた。
図7のグラフによれば、平均頂部間隔Sが大きくなるに連れて、反射率が向上する傾向となる関係が確認された。
以上の2つの予備的な実験により、光反射層は、表面粗さRaが小さくなり、且つ平均頂部間隔Sが大きくなるほど、反射率が高くなることが確認できた。
次いで、前記同様のセラミック層の表面に、同じ厚みのWからなるメタライズ層、およびNi−Co系合金のNiメッキ層を形成した試料を複数個作成し、これらの表面ごとの表面粗さRaおよび平均頂部間隔Sを替えたAgメッキ層を同じ厚みで形成した。これらの試料に対し、同じ発光ダイオードDを実装し、これに同じ電圧の電流を通電して発光させ、個別に反射率測定計によって、前記同様に反射率を測定した。それらの結果を図8のグラフに示した。
図8のグラフによれば、実施例の光反射層は、反射率が約96%以上であった。これは、実施例の光反射層における表面粗さRa/平均頂部間隔Sの比が0.0167以下であって、表面粗さRaが0.4μm以下で且つ平均頂部間隔Sが35μm以上であったため、頂部・谷部の高低差が小さく、且つ起伏がなだらかなほぼ平面であったことによる、ものと推定される。
図8のグラフによれば、実施例の光反射層は、反射率が約96%以上であった。これは、実施例の光反射層における表面粗さRa/平均頂部間隔Sの比が0.0167以下であって、表面粗さRaが0.4μm以下で且つ平均頂部間隔Sが35μm以上であったため、頂部・谷部の高低差が小さく、且つ起伏がなだらかなほぼ平面であったことによる、ものと推定される。
一方、比較例の光反射層は、反射率が約95%以下であった。これは、比較例の光反射層における表面粗さRa/平均頂部間隔Sの比が0.022以上であって、表面粗さRaが0.5μm超で且つ平均頂部間隔Sが30μm未満であったので、頂部・谷部の高低差が大きく、且つ起伏に富んだほぼ波面状であったことによる、ものと推定される。
以上のような実施例によって、本発明による効果が裏付けられ、その結果、本発明の配線基板の有用性が確認された。
以上のような実施例によって、本発明による効果が裏付けられ、その結果、本発明の配線基板の有用性が確認された。
本発明は、以上において説明した各形態や実施例に限定されない。
例えば、前記配線基板の基板本体は、約40〜60質量%のガラス成分を含むガラス−セラミックなどの低温焼成セラミックからなる複数のセラミック層を積層したものにより構成しても良い。該形態の場合、前記光反射層9a,9b、実装用パッド10,電極11などのメタライズ層には、CuまたはAg、あるいはこれらの合金が用いられる。
また、前記配線基板の基板本体は、例えば、BT樹脂からなるコア基板と、その表面および裏面に順次積層したエポキシ系樹脂からなる複数の絶縁層とから構成される形態としても良い。該形態の場合、前記光反射層9a,9b、実装用パッド10などのメタライズ層には、フォトリソグラフィ技術により形成されるCuメッキ層が用いられる。
例えば、前記配線基板の基板本体は、約40〜60質量%のガラス成分を含むガラス−セラミックなどの低温焼成セラミックからなる複数のセラミック層を積層したものにより構成しても良い。該形態の場合、前記光反射層9a,9b、実装用パッド10,電極11などのメタライズ層には、CuまたはAg、あるいはこれらの合金が用いられる。
また、前記配線基板の基板本体は、例えば、BT樹脂からなるコア基板と、その表面および裏面に順次積層したエポキシ系樹脂からなる複数の絶縁層とから構成される形態としても良い。該形態の場合、前記光反射層9a,9b、実装用パッド10などのメタライズ層には、フォトリソグラフィ技術により形成されるCuメッキ層が用いられる。
更に、前記平均頂部間隔Sを算出する際用いる単位距離やカットオフ値は、光反射層の種類などに応じて、適宜変更することができる。
また、前記キャビティは、平面視が長円形の底面およびその周辺から垂直に立設する長円柱形の側面からなる形態や、平面視が長円形の底面およびその周辺から斜めに傾斜して立ち上がるほぼ逆長円錐形の側面からなる形態としても良い。
加えて、同じキャビティの底面に複数組の実装用パッドおよび電極を併設した形態としても良い。
また、前記キャビティは、平面視が長円形の底面およびその周辺から垂直に立設する長円柱形の側面からなる形態や、平面視が長円形の底面およびその周辺から斜めに傾斜して立ち上がるほぼ逆長円錐形の側面からなる形態としても良い。
加えて、同じキャビティの底面に複数組の実装用パッドおよび電極を併設した形態としても良い。
1a,1b…配線基板(発光素子実装用配線基板)
2a,2b…基板本体
3……………表面
4……………裏面
5a,5b…キャビティ
6……………底面
7,8………側面
9a,9b…光反射層
10…………発光素子実装用パッド(光反射層)
11…………電極(光反射層)
s1〜s9…セラミック層(絶縁材)
S……………平均頂部間隔
D……………発光ダイオード(発光素子)
2a,2b…基板本体
3……………表面
4……………裏面
5a,5b…キャビティ
6……………底面
7,8………側面
9a,9b…光反射層
10…………発光素子実装用パッド(光反射層)
11…………電極(光反射層)
s1〜s9…セラミック層(絶縁材)
S……………平均頂部間隔
D……………発光ダイオード(発光素子)
Claims (4)
- 絶縁材からなり、表面および裏面を有する基板本体と、
上記基板本体の表面に開口し、発光素子が実装される底面および側面からなるキャビティと、
上記キャビティの底面および側面のうち、少なくとも該底面に形成された光反射層と、を備え、
上記光反射層は、表面粗さRaが0.5μm以下で且つ平均頂部間隔Sが30μm以上である、
ことを特徴とする発光素子実装用配線基板。 - 絶縁材からなり、表面および裏面を有する基板本体と、
上記基板本体の表面に開口し、底面および側面からなるキャビティと、
上記キャビティの底面および側面のうち、少なくとも該底面に形成された光反射層と、を備え、
上記光反射層は、表面粗さRa/平均頂部間隔Sが0.0167以下である、
ことを特徴とする発光素子実装用配線基板。 - 前記光反射層は、表面粗さRaが0.4μm以下で且つ平均頂部間隔Sが35μm以上である、
ことを特徴とする請求項1に記載の発光素子実装用配線基板。 - 前記光反射層は、表面粗さRa/平均頂部間隔Sが0.0114以下である、
ことを特徴とする請求項2に記載の発光素子実装用配線基板。
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