JP2008016593A - 発光素子搭載用配線基板 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】セラミック層(絶縁材)c1〜c3からなり、表面3および裏面4を有する基板本体2と、かかる基板本体2の表面3に開口し、底面6および側面7を有するキャビティ5と、かかるキャビティ5の底面に形成され、表層にAuメッキ層を有する第1導体層10と、上記キャビティ2の底面6に形成され、表層にAgメッキ層を有する第2導体層15と、を備え、かかる第2導体層15の表層に形成されるAgメッキ層19の厚みは、5μm以上である、発光素子搭載用配線基板1a。
【選択図】 図2
Description
即ち、本発明の発光素子搭載用配線基板(請求項1)は、絶縁材からなり、表面および裏面を有する基板本体と、かかる基板本体の表面に開口し、底面および側面を有するキャビティと、かかるキャビティの底面に形成され、表層にAuメッキ層を有する第1導体層と、上記キャビティの底面およびかかるキャビティの側面の少なくとも一方に形成され、表層にAgメッキ層を有する第2導体層と、を備え、上記第2導体層の表層に形成されるAgメッキ層の厚みは、5μm以上である、ことを特徴とする。
また、前記キャビティには、平面視が円形の底面で且つほぼ円錐形状の側面、平面視が長円形の底面で且つ側面がほぼ長円錐形の側面、あるいは、平面視が楕円形の底面で且つほぼ楕円錐形状の側面からなる形態などが含まれる。
更に、前記第1導体層には、発光素子とボンディングワイヤを介して導通され且つ基板本体内の配線層とビア導体を介して導通される電極(パッド)が含まれており、かかる電極は、搭載すべき1個の発光素子に対し、1個または2個が形成されるが、これらに限定されるものではない。
また、前記第2導体層には、キャビティの底面のみに形成する形態、キャビティの側面のみに形成する形態、あるいはキャビティの底面および側面の双方に形成する形態が含まれる。このうち、キャビティの底面を含む上記各形態では、かかる底面における第2導体層の一部に発光素子の搭載部を有すると共に、かかる搭載部を除いた第2導体層は、そのAgメッキ層による光反射部を構成している。
以上のような第1導体層と第2導体層とは、それぞれの表層のメッキ層が相違することを区別する呼称である。
加えて、発光素子には、発光ダイオードのほか、半導体レーザも含まれる。
図1は、本発明の発光素子搭載用配線基板1aを示す平面図、図2は、図1中のX−X線の矢視に沿った垂直断面図、図3は、図2中の一点鎖線部分Yの部分拡大図である。
発光素子搭載用配線基板1aは、図1,図2に示すように、平面視がほぼ正方形で表面3および裏面4を有する基板本体2と、かかる基板本体2の表面3に開口し、平面視が円形の底面6およびかかる底面6から表面3に向かってほぼ円錐形状に広がる側面7を有するキャビティ5と、かかるキャビティ5の底面6に形成されたパッドの第1導体層10と、当該パッド10付近を除くキャビティ5の底面6に形成された平面視がほぼ半円形の第2導体層15と、を備えている。尚、キャビティ5の側面7の仰角は、例えば、30度から70度の範囲である。
また、パッドである第1導体層10は、図3に示すように、キャビティ5の底面6に形成されたメタライズ層11の表面に、Niメッキ層12を介して表層にAuメッキ層13を形成したものである。上記メタライズ層11は、厚みが数10μmのW、Mo、またはCuからなり、Niメッキ層12の厚みは約2〜15μm、Auメッキ層13の厚みは約0.5〜4μmである。
第2導体15の上に前記ハンダを介し且つ導通可能に搭載されたLED8は、図2中の二点鎖線で示すワイヤ9を介して、パッドである第1導体層10とボンディングされている。即ち、第1・第2導体層10,15は、LED8が本配線基板1aと導通するための電極でもある。
尚、LED8は、上記ボンディング用のワイヤ9を介して、第2導体層15の表面と接続する形態としても良い。上記LED8が搭載され且つワイヤ9がボンディング(接続)された後で、キャビティ5内には、固化前の封止樹脂(図示せず)が充填され、ほぼ基板本体2の表面3と同じレベルにして固化される。
尚、上記LED8から発光された光は、キャビティ5のほぼ円錐形状である側面7においても、その白色系の表面によって、反射され且つ外部に放射される。また、上記配線基板1aを縦横に複数個併設した多数個取り用配線基板の形態とし、隣接する配線基板1a,1a間の切断予定面に沿って切断・分割しても良い。
予め、アルミナを主成分とする平面視がほぼ正方形である3層のグリーンシートを用意した。そのうちの1層のグリーンシートに対し、所定のクリアランスを有するパンチとダイの受入孔とによる打ち抜き加工を行って、当該グリーンシートの表面と裏面との厚み方向に沿って、全体がほぼ円錐形の貫通孔を形成した。
また、残り2層のグリーンシートに対し、クリアランスが最少のパンチとダイの受入孔とによる打ち抜き加工を行って、複数のビアホールを形成し、且つビアボールごとにWまたはMo粉末粒子を含む導電性ペーストを充填して、ビア導体vを形成した。更に、かかる2層のグリーンシートの表面および裏面の少なくとも一方に対し、所定パターンに倣って、WまたはMo粉末粒子を含む導電性ペーストをスクリーン印刷して、前記メタライズ層11,16,配線層27,接続端子28を形成した。この際、メタライズ層11,16,配線層27,および接続端子28は、それぞれビア導体vを介して接続された。
そして、メタライズ層11,16に対し、電解Niメッキおよび電解Auメッキをそれぞれ施し、更にメタライズ層16には、電解Agメッキを施した。その結果、前記図3で示したように、メタライズ層11の表面にNiメッキ層12およびAuメッキ層13を形成した第1導体層(パッド)10と、メタライズ層16の表面にNiメッキ層17、Auメッキ層18、およびAgメッキ層19を形成した第2導体層15とが形成され、前記配線基板1aを得ることができた。
尚、以上の各製造工程は、多数個取り用の大版タイプのグリーンシートに対して行うことで、複数の配線基板1aを併設した多数個取り用配線基板が得られる。
アルミナからなり同じ厚みの複数のグリーンシートを用意し、その表面にW粉末粒子を含む導電性ペーストをスクリーン印刷して、同じパターンのメタライズ層を形成した。かかる複数のグリーンシートを所定の温度帯に加熱・焼成して、セラミック層とした。
焼成後の上記メタライズ層の表面に対し、同じ条件で電解Niメッキおよび電解Auメッキをそれぞれ施して、同じ厚みのNiメッキ層およびAuメッキ層を形成した。更に、各セラミック層ごとの上記Auメッキ層の表面に対し、表1に示す厚み1〜25μmのAgメッキ層を電解Agメッキによって、各厚みごとにそれぞれ10個ずつに形成した。
加熱後におけるAgメッキ層の変色の有無を目視で観察し、1個でも変色した厚みの例の組を「有」とし、10個全てに変色がなかつた例の組を「なし」として、表1に示した。
かかる結果から、前記第2導体層15に形成するAgメッキ層19の厚みは、5〜20μmとすることで、ハンダのリフローに伴う変色を防ぎ、且つ隣接する第1導体層との短絡を防止できると共に、コスト的にも支障が少ないことが判明した。以上の実施例の結果から、本発明の効果が裏付けられた。
更に、Au−Sn系合金からなり、同じ形状にプリフォームされたハンダを各Agメッキ層の上に載置し、前記同様の温度帯で加熱(リフロー)した。
加熱後に凝固した各例ごとのAgメッキ層および上記ハンダを、垂直に切断し、目視で観察して、ハンダ内に1個でも気泡があつた組を「有」とし、10個全てに気泡がなかった例の組を「なし」として、表2に示した。
以上の結果から、第2導体層15に形成するAgメッキ層は、厚みが5〜20μmで且つその表面粗(Ra)さが3.00μm以下である形態が、本発明として望ましい範囲であることが判明した。
発光素子搭載用配線基板1bは、図4,図5に示すように、前記配線基板1aと同様の基板本体2、キャビティ5、第1導体層(パッド)10、および配線層27などを、有している。かかる配線基板1bが前記配線基板1aと相違するの点は、第2導体層20が、キャビティ5の底面6に形成された前記第2導体層15と同じ水平部15と、キャビティ5の側面7に形成された傾斜部21とからなることである。
尚、上記傾斜部21は、前記ほぼ円錐形状の貫通孔を形成したグリーンシートにおける当該貫通孔の内面に、前記導電性ペーストを負圧を伴って吸引塗布し、前記同様のグリーンシート積層体を形成し且つ焼成した後、前記同様に、Ni、Au、およびAgメッキを順次施すことで形成される。
かかる配線基板配線基板1cは、図7に示すように、同様の基板本体2やキャビティ5を有している。キャビティ5の底面6には、図7で左右一対の第1導体層(パッド)10a,10bが周縁側に形成され、これらの間に平面視がほぼ長円形である第2導体層15cが底面6の中心部を通過するように形成されている。
第1導体10a,10bは、前記同様のメタライズ層11の表面に、Niメッキ層12およびAuメッキ層13を形成したものであり、前記ビア導体vと個別に接続されている。また、第2導体層15cも、前記同様のメタライズ層16の表面に、Niメッキ層17、Auメッキ層18、および厚みが5〜20μmのAgメッキ層19を形成したものであり、前記ビア導体vと接続されている。
図8は、前記配線基板1cの応用形態である発光素子搭載用配線基板1dを示す平面図である。かかる配線基板1dが前記配線基板1cと相違する点は、第2導体層20dがキャビティ5の底面6に形成された前記第2導体層15cと同じ水平部15dと、キャビティ5の側面7に形成された傾斜部21dとからなることである。
尚、発光素子搭載用配線基板1c,1dも、前述した方法と同様にして製造することが可能である。
尚、前記第2導体層20,20dが、キャビティ5の側面7に形成された傾斜部21,21dのみからなる発光素子搭載用配線基板1b,1dとしても良い。
発光素子搭載用配線基板30aは、図9に示すように、平面視が長方形で表面33およびこれと同じ裏面を有する前記同様の複数のセラミック層からなる基板本体32と、かかる基板本体32の表面33に開口し、平面視が長円形の底面36および上記表面33に向かってほぼ長円錐形状に広がる側面37を有するキャビティ35と、を備えている。かかるキャビティ35の底面36における長軸方向の両端付近には、図9で左右一対の第1導体層(パッド)38,39が形成され、これらの中間の底面36の中央部には、平面視が長方形の第2導体層40が形成されている。
尚、発光素子搭載用配線基板30a,30bも、前述と同様な方法で製造することが可能である。
尚、前記第2導体層42が、キャビティ35の側面37に形成された傾斜部41のみからなる形態の発光素子搭載用配線基板30bとしても良い。
図11に示すように、3個の第2導体層40a〜40cの上には、前記同様にしてLED8がそれぞれ搭載され、これらのLED8は、前記ワイヤ9を介して隣接する第1導体層38と個別にボンディングされる。
尚、上記配線基板30cにおけるキャビティ35の側面37全体に第2導体層の一部となる前記傾斜部41を形成した形態とすることで、更に広い面積により、フルカラーの光を反射させ且つ外部に効率良く放射することが可能となる。また、配線基板30cの第2導体層を、キャビティ35の側面37形成する前記傾斜部41のみとし、3個のLEDをキャビティ35の底面36上に直に搭載する形態としても良い。
例えば、キャビティの側面は、基板本体の厚み方向に沿った垂直な面としても良く、アルミナのような白色系のセラミックの場合はねそのままで光を反射させたり、前記第2導体層またはその一部(垂直部)としても良い。
また、前記基板本体は、エポキシ系などの樹脂層を複数積層して接着したものとしても良い。
更に、キャビティの側面における基板本体の表面側には、前記封止樹脂の浮き上がりを防ぐ突起または突条を中心部に向けて、単数または複数で突設しても良い。
2,32…………………………………………………基板本体
3,33…………………………………………………表面
4…………………………………………………………裏面
5,35…………………………………………………キャビティ
6,36…………………………………………………底面
7,37…………………………………………………側面
8…………………………………………………………発光ダイオード(発光素子)
10,38,39………………………………………第1導体層
13………………………………………………………Auメッキ層
15,15c,15d,40,40a〜40c,42…第2導体層
19,25………………………………………………Agメッキ層
Claims (1)
- 絶縁材からなり、表面および裏面を有する基板本体と、
上記基板本体の表面に開口し、底面および側面を有するキャビティと、
上記キャビティの底面に形成され、表層にAuメッキ層を有する第1導体層と、
上記キャビティの底面およびかかるキャビティの側面の少なくとも一方に形成され、表層にAgメッキ層を有する第2導体層と、を備え、
上記第2導体層の表層に形成されるAgメッキ層の厚みは、5μm以上である、
ことを特徴とする発光素子搭載用配線基板。
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