JPH0459975A

JPH0459975A - 電子部品の銀メッキ方法

Info

Publication number: JPH0459975A
Application number: JP17006390A
Authority: JP
Inventors: Yoshima Hirose; 広瀬　義真
Original assignee: Electroplating Engineers of Japan Ltd
Current assignee: EEJA Ltd
Priority date: 1990-06-29
Filing date: 1990-06-29
Publication date: 1992-02-26

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〈産業上の利用分野〉この発明は銀メッキ方法、特に表面が銅である電子部品
のメッキ部位を銀メッキ浴に浸漬してメッキする、いわ
ゆる浸漬タイプの銀メッキ方法に関するものである。

〈従来の技術〉従来、鉄、ニッケル、ニッケル合金（例えば、Ｎｉ４２
％−Ｆｅ残部の「４２アロイ」や、Ｎｉ２９％−コバー
ル１７％−Ｆｅ残部のｒＫｏｖａｒ　Ｊ　）などを銀メ
ッキするには、−船釣には銀をシアン化銀カリウム等の
形で含んだアルカリシアン浴が用いられてきた（特開昭
５９−２０４９３号公報参照）。また、前記の如き金属
素材に銀メッキを行う場合は、あまり銀メッキ層の密着
性が良くないため、これを向上させるために、銀メッキ
浴による本メッキを行う前にメッキ部位に各種の前処理
が施されていた。

例えば、従来の銀メッキ工程を具体的に説明すると、■
電解脱脂→■化学研磨→■酸活性→■銅ストライクメッ
キ→■銅本メッキ→■銀ストライクメッキ→■銀本メッ
キ→■乾燥、の順でメッキ作業が行われていた。

〈発明が解決しようとする課題〉銀メッキの対象となる電子部品の中には、第２図及び第
３図に示す如く先端部に直径ＩＭ程度の微小径湾曲凹面
１が形成されたＬＥＤ　（発光ダイオード）部品２があ
る。このＬＥＤ部品２は、連続帯状部３から櫛歯状に複
数本形成されているものであり、ＬＥＤ部品２の全体に
銅のストライクメッキ及び本メッキによる銅メッキ層４
を施した後に、先端部のメッキ部位Ａを下に向けて銀メ
ッキ浴Ｓ中に浸漬し、銀メッキ浴Ｓ中にあるメッキ部位
Ａだけに銀のストライクメッキや本メッキを行うもので
ある。

ところが、このようにメッキ部位Ａだけを銀メッキ浴Ｓ
に浸漬してメッキを施す場合、前記工程中の■の銀スト
ライクメッキを行う時に、ＬＥＤ部品２の表面が銅メッ
キ層４であるため置換反応により密着性の悪い銀の銀ス
トライクメッキ層５が形成されていた。しかも、銀メッ
キ浴Ｓの表面張力により前記密着性の悪い銀ストライク
メッキ層５はメッキ部位Ａを越えた範囲にまで形成され
ていた。そして、その後に行われる銀の本メッキの場合
は、メッキ部位Ａが予め銀ストライクメッキ層５にて覆
われているため置換反応による析出は起こらず、しかも
略メッキ部位Ａの範囲にだけ銀の銀メッキ層６が形成さ
れることとなる。従って、銀メッキ層６の下から密着性
の悪い銀のストライクメッキ層５が一定の幅で露呈する
ため、この銀ストライクメッキ層５の存在により、この
部分への半田特性（半田ぬれ性）が低下し、ＬＥＤ部品
２としての品質を低下させていた。すなわち、このＬＥ
Ｄ部品２には、銀メッキ６を行って製品とした後に、前
記メッキ部位Ａ及びその周辺に半田付けが行われる訳で
あるが、半田等が前記の如き銀ストライクメッキ層５及
び銅メッキ層４にかかると、いわゆる半田の「のり」が
悪くなるものである。

また、ＬＥＤ部品２のように先端に微小径湾曲凹面ｌを
有するものは、どうしてもこの微小径湾曲凹面１内の洗
浄や、或いはこの微小径湾曲凹面ｌへの銀ストライクメ
ッキ５があまり良好に形成されないため、微小径湾曲凹
面１内に形成した銀ストライクメッキ層５、銀メッキ層
６が加熱処理等によりふくれて（うき上がって）しまう
等の不具合・も発生していた。

この発明はこのような従来の技術に着目してなされたも
のであり、前記の如き種々の不具合を解消することがで
きる銀メッキ方法を提供せんとするものである。

〈課題を解決するための手段〉この発明に係る銀メッキ方法は、上記の目的を達成する
ために、メッキ部位に置換防止剤を施し、次いで銀の中
性メッキ浴にて直接銀メッキ処理するようにしたもので
ある。

ここで、置換防止剤とは、銅に対する銀の置換反応を抑
制する機能を有するものであり、具体的にはＮ及びＳ系
有機化合物などが好適である。

また、銀の中性浴とは、シアン化銀カリウム、有機酸を
ベースとしたｐＨ７，５〜９．０のものであり、具体的
には以下のような組成の銀メッキ浴か好適である。

・シアン化銀カリウム　　８０〜１２０ｇ／Ａ−有機酸
塩　　　　　　１００〜２００ｇ／Ａ本発明による銀メ
ッキ方法によれば、置換防止剤の働きにより、銀ストラ
イクメッキを省略して直接銀の本メッキを行うことがで
き、且つ銅自体の半田特性も向上するので、銀メッキを
施した電子部品に対する全体的な半田特性が向上する。

また、銀のメッキ後に加熱処理を施しても銀メッキ層が
ふくれたりすることもない。

〈実　施　例〉以下、この発明の好適な一実施例を第１図に基づいて説
明する。尚、従来と共通する部分には同一の符号を付し
、重複する説明は省略する。

この実施例では、従来同様に４２７０イを素材としたＬ
ＥＤ部品２の先端部付近のメッキ部位Ａに銀メッキ処理
を行う試験を行ってみた。具体的には、この実施例では
、銀ストライクメッキ工程を行わず、■電解脱脂→■化
学研磨→■酸活性−■銅ストライクメッキ→■銅本メッ
キ→■置換防止剤→■銀メッキ→■洗浄→■乾燥、とい
う工程でＬＥＤ部品２の銀メッキを行った。

使用した置換防止剤は、日本エレクトロプレイティング
・エンジニャース社製のイードレックス（Ｗ−ＡＩＳ）
で、その施し方としては、銅メッキ後のＬＥＤ部品２に
、４０倍に希釈した前記置換防止剤を室温で１０秒間浸
漬処理する方法を採用した。

また、銀メッキ浴としては、以下のような中性浴を用い
た。

銀メッキ浴組成・シアン化銀カリウム　　　　　１００ｇ／ｌ・ｐＨ８
，５・温度　　　　３０°Ｃ・電流密度　　　　　約４Ａ／ｄｒｒｒ・時間　　　　
６０秒上記のような銀メッキ浴を用いて、従来同様にＬＥＤ部
品２のメッキ部位Ａだけを銀メッキ浴に浸漬して銀メッ
キを行った。銀メッキ後のＬＥＤ部品２の拡大断面図を
第１図に示す。図に示されているように本実施例による
銀メッキ方法によれば、予定していたメッキ部位Ａにだ
け厚さ２μｍの銀メッキ層６が形成されている。

そして、この銀メッキ層６を形成したＬＥＤ部品２に対
して、３００℃、５分間の耐熱テストを窒素雰囲気中で
行ったが、銀メッキ層６に変色がなく、下地メッキであ
る銅メッキ層４との密着性も良好であった。特に、先端
の微小径湾曲凹面ｌ内の銀メッキ層６もふくれたりする
ことはなかった。すなわち、この部分に置換防止剤が予
め施されることから、この置換防止剤の働きにより、こ
の微小径湾曲凹面１にも密着性のある確実な銀メッキ層
６を形成することができるものである。

更に、この銀メッキ層６付近に半田付けを行う試験も行
ってみたが、その半田付けも良好に行われた。その理由
としては、置換防止剤がメッキ部位Ａ付近の銅メッキ４
部分にも施されるため、この銀メッキ層６付近の銅メッ
キ層４部分も置換防止剤により酸化防止がされることと
なり、半田がこの銅メッキ層４部分にまで及んでも半田
特性等が低下しないからである。

以上ＬＥＤ部品を例に説明したが、これに限定されず、
本発明はトランジスターコム、コネクター、リードスイ
ッチ等の電子部品等にも広く適用できる。

〈発明の効果〉この発明に係る電子部品の銀メッキ方法は、以上説明し
てきた如き内容のものなので、銀ストライクメッキを省
略して、直接銀の本メッキを行うことができる。従って
、従来の銀メッキ方法に比べてその分工程が簡略化され
ると共にコスト的にも有利となる。

また、銀メッキの前に予め置換防止剤を施すので、銀メ
ッキした電子製品に対する半田特性が向上すると共に、
加熱処理等を施しても銀メッキ層がふくれたりすること
がない。従って、先端に微小径湾曲凹面を有するＬＥＤ
部品の銀メッキに最適である。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の一実施例を示すＬＥＤ部品の拡大断
面図、第２図は従来の銀メッキ方法を示す説明図、そして第３図は第２図中矢示■−■線に沿うＬＥＤ部品の拡大
断面図である。１　・・・・　微小径湾曲凹面２　・−・・　ＬＥＤ部品３　・°゛連続帯状部４−“銅メッキ層５　・・−・　銀ストライクメッキ層６　・・・・　銀メッキ層Ａ　・−・　メッキ部位Ｓ　−・・・　銀メッキ浴第第］図図１檄ノド径滝曲凹面第３図

Claims

【特許請求の範囲】表面が銅である電子部品のメッキ部位を銀メッキ浴に浸
漬してメッキする電子部品の銀メッキ方法において、上記メッキ部位に置換防止剤を施し、次いで銀の中性メ
ッキ浴にて直接銀メッキ処理することを特徴とする電子
部品の銀メッキ方法。