JP2007300111A - 発光装置 - Google Patents

発光装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2007300111A
JP2007300111A JP2007117988A JP2007117988A JP2007300111A JP 2007300111 A JP2007300111 A JP 2007300111A JP 2007117988 A JP2007117988 A JP 2007117988A JP 2007117988 A JP2007117988 A JP 2007117988A JP 2007300111 A JP2007300111 A JP 2007300111A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light emitting
emitting device
layer
metal layer
insulating layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2007117988A
Other languages
English (en)
Inventor
Shoyu Cho
紹雄 張
Ikusen Chin
育川 陳
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Taida Electronic Industry Co Ltd
Original Assignee
Taida Electronic Industry Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Taida Electronic Industry Co Ltd filed Critical Taida Electronic Industry Co Ltd
Publication of JP2007300111A publication Critical patent/JP2007300111A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58Optical field-shaping elements
    • H01L33/60Reflective elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/12Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204Optical Diode
    • H01L2924/12044OLED

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

【課題】発光効率と放熱効果を向上するとともに、製造工程を簡略し、コストを低減する発光装置を提供する。
【解決手段】本発明に係わる発光装置は、基板と、前記基板上に設けられ、発光効率を上げるための構造を有する第1金属層と、前記第1金属層上の所定位置に設けられた、少なくとも一つの発光素子と、前記発光素子を覆う保護層とを備える。
発光素子を第1金属層上の所定位置に設けることにより、第1金属層の材料特性を利用して、直接にセラミックス化によって絶縁層を形成することができ、さらに第1金属層上の発光効率を上げるための構造が発光素子から発した光を反射して表示方向に集中する効果を有するため、光取り出し効率を向上することができる。
【選択図】図2

Description

本発明は、発光装置に関し、特に放熱特性に優れた発光装置に関する。
光電産業の進展に伴い、発光ダイオード(LED)などの発光素子が様々な電子製品の表示に広く適用されている。
従来のLED発光装置1は、図1に示すように、基板10に絶縁層11が設けられる。
そして、絶縁層11に設けられた複数のLED発光素子12は、ワイヤボンディング(wire bonding)方法によって、絶縁層11に設けられた金属層13と電気的に接続されている。
さらに、機械、熱や水の影響を受けないように、パッケージ層14を利用して、これらのLED発光素子12を保護する。
従来のLED発光装置1は、発光効果のみを提供し、LED発光素子12から発した光の一部が側辺から漏洩し、光取り出し面に完全に集中しないため、その発光効率がなかなか効果的に向上することができない。
さらに、発光装置1の高効率化と高輝度化に伴い、発光素子12が作動する際に、多くの熱が溜まり、温度が上昇するため、発光素子12の発光効率と使用寿命に悪影響を与える。
しかし、従来の発光素子12は、放熱性の良くない絶縁層11に設けられ、それに、パッケージ層14によって密閉されているため、発光素子12から発した熱がなかなか放散できず、放熱の問題がさらに悪化する。
本発明は、上記問題を鑑みてなされたものであり、発光効率と放熱効果を向上するとともに、製造工程を簡略し、コストを低減する発光装置を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明に係る発光装置は、基板と、前記基板上に設けられ、発光効率を上げるための構造を有する第1金属層と、前記第1金属層上の所定位置に設けられた、少なくとも一つの発光素子と、前記発光素子を覆う保護層とを備える。
本発明の発光装置によれば、発光素子を第1金属層上の所定位置に設けることにより、第1金属層の材料特性を利用して、発光素子を設置するための絶縁層を直接にセラミックス化によって形成することができ、さらに第1金属層上の発光効率を上げるための構造が発光素子から発した光を反射して表示方向に集中する効果を有するため、光取り出し効率を向上することができる。
さらに、熱伝導性(thermal conductivity)に優れ、面積の大きい基板を利用して、発光素子の作動による熱を放散させ、優れた放熱効果を果たし、発光装置の使用寿命をさらに延長することができる。
なお、従来技術と比較して、本発明は、放熱シートの設置と貼り付けを必要としないため、生産コストと時間を削減することができ、しかも、製造工程を簡略し、放熱シートの貼り付けによる熱抵抗や劣化を避け、放熱効果と製品の信頼性をさらに高めることができる。
以下、図面を参照しながら、本発明の好適な実施例における発光装置について説明する。
なお、共通する構成要素について、同一の符号を付すことによりその説明を省略する。
図2は、本発明の実施例1における発光装置2を示す断面図である。
図2に示すように、発光装置2は、基板20と、第1金属層23と、第1絶縁層21と、接続層26と、第2金属層23’と、少なくとも一つの発光素子22と、保護層29とを備える。
本実施例において、基板20は、発光装置2に好適な放熱効果を提供するために、例えば、銅や銅合金などの高熱伝導性材料から構成される。
第1金属層23は、基板20の上に設けられ、アルミニウム、マグネシウム、チタニウムからなる群から選ばれる少なくとも1種の金属またはその合金を材料として形成する。
そして第1金属層23の表面に酸化、窒化または炭化を行うことによって第1絶縁層21を形成することができる。
なお、第1絶縁層21は、例えば、アルミニウム、マグネシウム、チタニウムのうち少なくとも一つの酸化物、窒化物または炭化物から構成される。
また、第1金属層23の上に発光効率を上げるための構造201が設けられる。
本実施例において、発光素子22は、第1電極と、第2電極と、発光層(図示せず)とを有し、第1金属層23の所定位置上に設けられる。
具体的には、発光素子22は、例えば、発光ダイオード(LED)、レーザダイオード(LD)や有機発光ダイオード(OLED)である。
本実施例において、発光装置2は、第1絶縁層21上に設けられた第2金属層23’をさらに備える。
第2金属層23’は、発光素子22と直接電気的に接続され、例えば、銀、金、銅、アルミニウムからなる群から選ばれる少なくとも1種の金属またはその合金を材料として形成する。
なお、発光素子22は、ワイヤボンディング方法によって第2金属層23’と電気的に接続されているのが好ましい。
第2金属層23’を第1絶縁層21上に設けるために、第2金属層23’と第1絶縁層21との間に、さらに接続層26が設けられる。
接続層26は、接着性を有し、または、第2金属層23’をその上に形成させる特性を有し、例えばメッキ方法によって第2金属層23’を形成する際の所望の初期層を形成する。
なお、接続層26は、クロム、チタニウム、ニッケルなどの金属及びその合金からなる群から選ばれる少なくとも1種の材料を含む。
本実施例において、保護層29は、発光素子22を保護するために、発光素子22上に設けられる。
さらに、保護層29の表面がレンズのような形に形成され、発光素子22から発した光を発散または集中させることによって、多様な表示に対応する。
本実施例において、発光効率を上げるための構造201は凹溝であり、その形状が例えば、円球形、楕円球形または放物線形状である。
発光効率を上げるための構造201の好適な形状として、発光素子22が所定位置に位置する際に、発光素子22が凹溝の焦点に位置するように設計することができる。
これにより、発光素子22から側方へ出射された光は、発光効率を上げるための構造201に照射した場合、発光効率を上げるための構造201の形状によって反射して、表示方向に集中して出射するため、光取り出し効率を直接向上することができる。
また、図4に示すように、発光装置2は、さらに発光効率を上げるための構造201上に設けられた反射層28とを備える。
反射層28は、発光素子22から側方へ出射された光の反射を強化するために用いられ、例えば、銀、金またはニッケルから構成される。
図3は、本発明の実施例2における発光装置2を示す断面図である。
図3に示すように、発光装置2は、基板20上の発光効率を上げるための構造201の外に位置する第2絶縁層21’をさらに備える。
第1金属層23の材料がセラミックス化したアルミニウム、マグネシウム、チタニウムなどの金属及びその合金からなる群から選ばれるため、直接に第1金属層23の表面に酸化、窒化または炭化を行うことによって第2絶縁層21’を形成することができる。
第2絶縁層21’上には、さらに、リード24を介して発光素子22と電気的に接続された第3金属層23’’が設けられる。
第3金属層23’’を第2絶縁層21’上に設けるために、第3金属層23’’と第2絶縁層21’との間に、さらに接続層26が設けられる。
接続層26は接着性を有し、または、第3金属層23’’をその上に形成させる特性を有し、例えばメッキ方法によって第3金属層23’’を形成する際の所望の初期層を形成する。
なお接続層26は、クロム、チタニウム、ニッケルなどの金属及びその合金からなる群から選ばれる少なくとも1種の材料を含む。
本実施例において、発光素子22がリード24を介して第3金属層23’’と電気的に接続されているため、発光素子22が第1金属層23の所定位置に直接設けることができ、予めその所定位置に絶縁層を設置する必要がない。
図4は、本発明の実施例3における発光装置2を示す断面図である。
図4に示すように、発光素子22は、第2絶縁層21’上に設けられたリードフレーム27(lead frame)を介して外部回路と電気的に接続されている。
なお、リードフレーム27は、第1電極ピン271と、第2電極ピン272とを有し、第1電極ピン271と第2電極ピン272が、リード24を介して発光素子22の第1電極と第2電極にそれぞれ接続される。
図5は、本発明の実施例4における発光装置2を示す断面図である。
図5に示すように、第2絶縁層21’は、基板20に対向する外表面を覆うこともできる。
さらに、基板20の下方に複数の接続パッド25を設置することもできる。
第2絶縁層21’の上側に位置する第3金属層23’’が発光素子22の第1電極と第2電極にそれぞれ電気的に接続されているため、これらの接続パッド25は、リードまたは導電層24’を介して、それぞれこれらの第3金属層23’’と相互に導通することができる。
しかしこれに限らず、例えば、U字金具(図示せず)を発光装置2の一側で挟持することで、同時に第3金属層と接続パッドを形成することも、上述したような効果を果たすことができる。
なお接続パッド25は、例えば、表面実装技術(surface mount technology, SMT)によって、外部回路と電気的に接続されている。
以上、本発明の実施例を図面を参照して詳述してきたが、具体的な構成は、これらの実施例に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲の設計変更などがあっても、本発明に含まれる。
従来のLED発光装置を示す断面図である。 本発明の実施例1における発光装置を示す断面図である。 本発明の実施例2における発光装置を示す断面図である。 本発明の実施例3における発光装置を示す断面図である。 本発明の実施例4における発光装置を示す断面図である。
符号の説明
1 発光装置
10 基板
11 絶縁層
12 発光素子
13 金属層
14 パッケージ層
2 発光装置
20 基板
201 発光効率を上げるための構造
21 第1絶縁層
21’ 第2絶縁層
22 発光素子
23 第1金属層
23’ 第2金属層
23’’第3金属層
24 リード
24’ 導電層
25 接続パッド
26 接続層
27 リードフレーム
271 第1電極ピン
272 第2電極ピン
28 反射層
29 保護層

Claims (18)

  1. 基板と、
    前記基板上に設けられ、発光効率を上げるための構造を有する第1金属層と、
    前記第1金属層上の所定位置に設けられた少なくとも一つの発光素子と、
    前記発光素子を覆う保護層とを備えることを特徴とする
    発光装置。
  2. 前記基板は、銅、銅合金または高熱伝導性材料から構成され、前記第1金属層は、セラミックス化したアルミニウム、マグネシウム、チタニウムからなる群から選ばれる少なくとも1種の金属またはその合金を材料として形成することを特徴とする
    請求項1に記載の発光装置。
  3. 前記第1金属層と前記発光素子との間に設けられた第1絶縁層をさらに備え、
    前記第1絶縁層は、アルミニウム、マグネシウム、チタニウムのうち少なくとも一つの酸化物、窒化物または炭化物から構成されることを特徴とする
    請求項1に記載の発光装置。
  4. 前記第1絶縁層上に設けられた第2金属層をさらに備え、
    前記第2金属層は、銀、金、銅、アルミニウムからなる群から選ばれる少なくとも1種の金属またはその合金を材料として形成することを特徴とする
    請求項3に記載の発光装置。
  5. 前記発光素子は、ワイヤボンディング方法によって第2金属層と電気的に接続されているか、前記第2金属層と直接電気的に接続されていることを特徴とする
    請求項4に記載の発光装置。
  6. 前記第2金属層と前記第1絶縁層との間に設けられ、前記第2金属層を前記第1絶縁層上に設けるための第1接続層をさらに備え、
    前記第1接続層は、クロム、チタニウム、ニッケルからなる群から選ばれる少なくとも1種の金属またはその合金を材料として形成することを特徴とする
    請求項4に記載の発光装置。
  7. 前記第1金属層上の前記発光効率を上げるための構造の外に位置する第2絶縁層をさらに備え、
    前記第2絶縁層は、アルミニウム、マグネシウム、チタニウムのうち少なくとも一つの酸化物、窒化物または炭化物から構成されることを特徴とする
    請求項1、3〜6の何れか一つに記載の発光装置。
  8. 前記第1絶縁層または第2絶縁層は、前記第1金属層の表面に酸化、窒化または炭化を行うことによって形成されることを特徴とする
    請求項7に記載の発光装置。
  9. 前記第2絶縁層上に設けられ、前記発光素子とそれぞれ電気的に接続されている第1電極ピンと第2電極ピンとを有するリードフレームをさらに備えることを特徴とする
    請求項7に記載の発光装置。
  10. 前記第2絶縁層は、基板に対向する外表面を覆うとともに、
    前記基板の下方に、前記発光素子とそれぞれ電気的に接続されている複数の接続パッドが設けられ、
    前記発光素子は、U字金具を介して前記接続パッドと電気的に接続されていることを特徴とする
    請求項7に記載の発光装置。
  11. 前記第2絶縁層上に設けられ、少なくとも一つのリードを介して前記発光素子と直接電気的に接続されている第3金属層をさらに備えることを特徴とする
    請求項7に記載の発光装置。
  12. 少なくとも一つのリードを介して前記第3金属層と電気的に接続されている接続パッドをさらに備えることを特徴とする
    請求項11に記載の発光装置。
  13. 前記第3金属層と前記第2絶縁層との間に設けられ、前記第3金属層を前記第2絶縁層上に設けるための第2接続層をさらに備え、
    前記第2接続層は、クロム、チタニウム、ニッケルからなる群から選ばれる少なくとも1種の金属またはその合金を材料として形成することを特徴とする
    請求項11に記載の発光装置。
  14. 前記第1接続層または前記第2接続層は、接着性を有することを特徴とする
    請求項6または13に記載の発光装置。
  15. 前記発光効率を上げるための構造は凹溝であり、前記凹溝の形状が円球形、楕円球形、放物線形状からなる群から選ばれ、且つ、前記凹溝は焦点を有し、前記発光素子が前記所定位置に位置する際に、前記発光素子を前記凹溝の前記焦点上に位置することを特徴とする
    請求項1に記載の発光装置。
  16. 前記発光装置は、前記発光効率を上げるための構造上に設けられた反射層をさらに備え、
    前記反射層は、銀、金またはニッケルから構成されることを特徴とする
    請求項1に記載の発光装置。
  17. 前記発光素子は、発光ダイオード、レーザダイオードや有機発光ダイオードであり、かつ前記発光素子は、第1電極と、第2電極と、発光層とを有することを特徴とする
    請求項1に記載の発光装置。
  18. 前記保護層の表面がレンズのような形に形成され、前記発光素子から発した光を発散または集中させることを特徴とする
    請求項1に記載の発光装置。
JP2007117988A 2006-04-28 2007-04-27 発光装置 Pending JP2007300111A (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW095115255A TWI296036B (en) 2006-04-28 2006-04-28 Light emitting apparatus

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2007300111A true JP2007300111A (ja) 2007-11-15

Family

ID=38647498

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007117988A Pending JP2007300111A (ja) 2006-04-28 2007-04-27 発光装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20070252133A1 (ja)
JP (1) JP2007300111A (ja)
TW (1) TWI296036B (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010117073A1 (ja) * 2009-04-08 2010-10-14 岩谷産業株式会社 半導体装置
JP2012190841A (ja) * 2011-03-08 2012-10-04 Panasonic Corp Ledパッケージ及びled照明装置

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MX2009011735A (es) * 2008-10-28 2010-08-12 Abl Ip Holding Llc Luminarias con diodos emisores de luz y sus aplicaciones.
TWI646705B (zh) * 2010-09-08 2019-01-01 晶元光電股份有限公司 一種發光結構及其製造方法
TWI462340B (zh) 2010-09-08 2014-11-21 Epistar Corp 一種發光結構及其製造方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002344031A (ja) * 2001-03-14 2002-11-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd 照明装置
JP2004022802A (ja) * 2002-06-17 2004-01-22 Korai Kagi Kofun Yugenkoshi 半導体発光装置のパッケージに用いられる熱放散構造とその製造方法
JP2005072158A (ja) * 2003-08-22 2005-03-17 Hitachi Aic Inc 発光素子用基板
JP2005243744A (ja) * 2004-02-24 2005-09-08 Matsushita Electric Works Ltd Led実装用プリント基板及びその製造方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3821590A (en) * 1971-03-29 1974-06-28 Northern Electric Co Encapsulated solid state light emitting device
US3820237A (en) * 1971-05-17 1974-06-28 Northern Electric Co Process for packaging light emitting devices
US3821775A (en) * 1971-09-23 1974-06-28 Spectronics Inc Edge emission gaas light emitter structure
US5493170A (en) * 1994-09-09 1996-02-20 Philips Electronics North America Corporation High efficiency sealed beam reflector lamp
DE19640413A1 (de) * 1996-09-30 1998-04-02 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung barrierenfreier Halbleiterspeicheranordnungen
US6945672B2 (en) * 2002-08-30 2005-09-20 Gelcore Llc LED planar light source and low-profile headlight constructed therewith
US6707150B1 (en) * 2002-10-24 2004-03-16 Galaxy Pcb Co., Ltd. Package support member with high heat-removing ability
KR20040092512A (ko) * 2003-04-24 2004-11-04 (주)그래픽테크노재팬 방열 기능을 갖는 반사판이 구비된 반도체 발광장치
US7183587B2 (en) * 2003-09-09 2007-02-27 Cree, Inc. Solid metal block mounting substrates for semiconductor light emitting devices

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002344031A (ja) * 2001-03-14 2002-11-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd 照明装置
JP2004022802A (ja) * 2002-06-17 2004-01-22 Korai Kagi Kofun Yugenkoshi 半導体発光装置のパッケージに用いられる熱放散構造とその製造方法
JP2005072158A (ja) * 2003-08-22 2005-03-17 Hitachi Aic Inc 発光素子用基板
JP2005243744A (ja) * 2004-02-24 2005-09-08 Matsushita Electric Works Ltd Led実装用プリント基板及びその製造方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010117073A1 (ja) * 2009-04-08 2010-10-14 岩谷産業株式会社 半導体装置
JP2010245359A (ja) * 2009-04-08 2010-10-28 Iwatani Internatl Corp 半導体装置
JP2012190841A (ja) * 2011-03-08 2012-10-04 Panasonic Corp Ledパッケージ及びled照明装置

Also Published As

Publication number Publication date
TW200741135A (en) 2007-11-01
US20070252133A1 (en) 2007-11-01
TWI296036B (en) 2008-04-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2007300110A (ja) 発光装置
JP5273486B2 (ja) 照明装置
US9022613B2 (en) Semiconductor light emitting device comprising cut-and-bent portions
JP3872490B2 (ja) 発光素子収納パッケージ、発光装置および照明装置
JP2007300106A (ja) 発光装置
JP4808550B2 (ja) 発光ダイオード光源装置、照明装置、表示装置及び交通信号機
JP4678391B2 (ja) 照明装置
JP2008293966A (ja) 発光ダイオードランプ
JP2008294428A (ja) 発光ダイオードパッケージ
JP2008034622A (ja) 半導体発光素子アセンブリ
JP2007142173A (ja) 照明装置
JP2007317701A (ja) 光源用基板及びこれを用いた照明装置
JP4606302B2 (ja) 発光装置
JP4606382B2 (ja) 発光装置
US20100301359A1 (en) Light Emitting Diode Package Structure
JP2007300111A (ja) 発光装置
JP2005039194A (ja) 発光素子収納用パッケージおよび発光装置ならびに照明装置
JP4659515B2 (ja) 発光素子搭載用基板,発光素子収納用パッケージ,発光装置および照明装置
JP2010003956A (ja) 発光装置及び発光装置の製造方法
JP4557613B2 (ja) 発光素子収納用パッケージ、発光装置および照明装置
US8237188B2 (en) Light source
CN101079460B (zh) 发光装置
JP2007317956A (ja) 発光装置
JP2006165138A (ja) 表面実装型led
JP2006013237A (ja) 発光装置

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100713

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20101207