JP2004022802A - 半導体発光装置のパッケージに用いられる熱放散構造とその製造方法 - Google Patents

半導体発光装置のパッケージに用いられる熱放散構造とその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2004022802A
JP2004022802A JP2002175578A JP2002175578A JP2004022802A JP 2004022802 A JP2004022802 A JP 2004022802A JP 2002175578 A JP2002175578 A JP 2002175578A JP 2002175578 A JP2002175578 A JP 2002175578A JP 2004022802 A JP2004022802 A JP 2004022802A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
cup
electrode
emitting device
light emitting
package
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2002175578A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3627186B2 (ja
Inventor
Shoyu Sha
謝 正雄
Shien Gan
顔 志遠
Kensei Ko
洪 建成
Bisetsu Ho
彭 美雪
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Optotech Corp
Original Assignee
Optotech Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Optotech Corp filed Critical Optotech Corp
Priority to JP2002175578A priority Critical patent/JP3627186B2/ja
Publication of JP2004022802A publication Critical patent/JP2004022802A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3627186B2 publication Critical patent/JP3627186B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93Batch processes
    • H01L24/95Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/97Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/12Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204Optical Diode
    • H01L2924/12041LED
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191Disposition
    • H01L2924/19101Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19107Disposition of discrete passive components off-chip wires

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

【課題】発光装置の熱放散構造を提供し、熱放散構造を有する発光装置の高温化を避け、高輝度、高電流、小サイズの応用に適用する。
【解決手段】杯状部になっている上表面と金属ハンダ層が形成されている下表面を有し、杯状部の外表面上には金属酸化物層が形成され、前記金属酸化物層上と前記杯状部の内表面上には、杯状部の内表面上に形成される電極と、杯状部の外表面上に形成される電極と、の両電極を有する電極層が形成される金属基板と、
前記杯状部内に充填され、杯状部の内表面に局限されている電気絶縁クーラントと、
前記金属基板に密着し、前記杯状部に充填される前記電気絶縁クーラントを杯状部内に密封する透明蓋部と、を備え、前記透明蓋部が前記発光装置の凸面に面して形成された内表面を有することを特徴とする発光装置のパッケージに用いられる熱放散構造を提供する。
【選択図】  図1

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は発光ダイオード(LED)の熱放散構造に関し、特に極めて高い駆動電流のもとで操作可能なLEDに係り、極めて高い輝度が求められる際の応用において、必要な輝度を発することができる。
【従来の技術】
【0002】
発光ダイオード(LED)とは、その字面の通り、半導体p−n接合ダイオードから成る発光装置である。近年、LEDはその低輝度が悪影響を及ぼさないような器械表示器又はその表示信号にのみ応用されている。例えば、テレビ等の電源指示器、又は時計及び電子パネル上の数字表示信号など肉眼が至近距離で認識できる輝度範囲内での応用に過ぎない。即ち、その電力消費は極めて小さく、その熱放散効果を考慮にいれなくて済む。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、LED技術の近年の進歩によって、LEDは既により高い輝度と、青色から可視光を超えるものまでを含む多種多様な色彩を持つようになった。そのため、可視光範囲でのLEDの応用は、例えば、室外のカラーモニター、交通信号、自動車のライト信号等、先人の予想を遥かに超えるものとなっている。これらの応用において、密集したLED電球を用いて十分な輝度を得ているが、クラスター構造は組み立てに密集した高い労力を必要とするだけでなく、パッケージが非常に巨大になるため、関連する光学設計及びその熱放散効果が両立できないという問題を生じる。
【0004】
このため、目下単一チップ若しくは一配列のチップを密集した構造内に嵌め込んで高輝度の光線を射出することができるLEDデバイスが関連産業の主要課題となっている。
【0005】
本発明は、上述の問題に鑑みてなされたものであって、発光装置の熱放散構造を提供することを目的とし、熱放散構造を有する発光装置の高温化を避け、高輝度、高電流、小サイズの応用に適用する。
【0006】
本発明は、発光装置のパッケージ構造を提供し、このパッケージの構造により、射出された光線を密集させて特定の応用に適用される光ビームとすると同時に、発生した熱量を極めて容易に放散することをもう一つの目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明による第1実施の形態は、杯状部を形成する上表面と、及び前記上表面に対応する下表面に形成された金属ハンダ層を有し、前記杯状部が内表面及び外表面を有し、前記外表面がその上に形成された金属酸化物を有し、前記金属酸化物と前記杯状部の前記内表面はともにその上に形成された電極層を有し、また前記電極層が前記杯状部の前記内表面上に形成された電極層と、前記杯状部の前記外表面上に形成された別の電極、の分かれた二電極を有する金属基板と、
前記杯状部内に充填されて、前記杯状部の前記内表面に局限される電気絶縁クーラントと、
前記金属基板と密着して、前記杯状部内に充填された前記電気絶縁クーラントを前記杯状部内に密封し、また発光装置の凸面に面して形成された内表面を有する透明蓋部と、を備える発光装置のパッケージ熱放散構造を提供する。
【0008】
金属基板は熱伝導材料によって構成されるのが好ましい。
【0009】
金属酸化物層は前記熱伝導材料の一酸化物で構成されるのが好ましい。
【0010】
又、発光装置パッケージの熱放散構造は更に印刷回路板を備え、前記印刷回路板が少なくとも前記熱伝導材料からなり、前記印刷回路板の表面上に少なくとも一の電極が形成され、また前記少なくとも一の電極を前記金属ハンダ層へ接合することにより、また別の少なくとも一の電極を各杯状部の外表面の底部にある前記の別の電極に接合することにより前記発光装置のパッケージを前記印刷回路板に電気接続する。
【0011】
電極層は光を反射する金属で構成されるのが好ましい。
【0012】
透明蓋部は、内表面の前記凸面と対向する別の凸面を形成する外表面を有するのが好ましい。
【0013】
本発明による第2実施の形態である発光装置のパッケージに用いられる熱放散構造の製造方法は、複数の杯状部が形成され、研磨処理が施された上表面を有する金属基板を提供するステップと、
金属ハンダ層を前記金属基板の下表面上に電気メッキをするステップと、
絶縁インキの上縁部と各杯状部の上縁部が実質的に揃うように、絶縁インキを前記複数の杯状部内に充填するステップと、
各杯状部の内表面を除去した前記金属基板の上表面上に金属酸化物層を形成し、且つ各杯状部の内表面が絶縁インキによって保護されて金属酸化物層を形成しないアノード酸化ステップと、
絶縁インキを除去するステップと、
電極層を前記金属酸化物層と各杯状部の内表面上に電気メッキをするステップと、
各杯状部の前記上縁部の内側を除去すると同時に、各杯状部の前記上縁部の内側にある前記金属酸化物層及び前記電極層を除去して、前記電極層を各杯状部の内表面上に位置する電極と、各杯状部の外表面上に位置する別の電極とに分ける電極分離ステップと、
発光装置の電極を各杯状部の内表面の底部の前記電極上に実装し、ワイヤボンディング法によって発光装置の別の電極を各杯状部の外表面上にある前記別の電極に接続する実装ステップと、
電気絶縁クーラントを前記複数の杯状部に充填して、前記クーラントの上縁部が各杯状部の上縁部と実質的に揃うようにする充填ステップと、
接着剤を各杯状部の外表面の底部の周縁に塗装するステップと、
透明蓋部で各杯状部を覆い、前記接着剤によって前記透明蓋部の前周縁と各杯状部の外表面の底部の前記周縁を密着させるカバーステップと、
前記金属基板を切断し、前記発光装置のパッケージを形成する切断ステップと、を含んでいる。
【0014】
前記提供ステップにおいて、前記金属基板は熱伝導材料によって構成されるのが好ましい。
【0015】
前記アノード酸化ステップにおいて、前記金属酸化物層は前記熱伝導材料の一酸化物によって構成されるのが好ましい。
【0016】
また、発光装置のパッケージに用いられる熱放散構造の製造方法は、更に、前記発光装置のパッケージを印刷回路板上に実装するための実装ステップを含み、このうち、前記印刷回路板が少なくとも前記熱伝導材料から成り、前記印刷回路板の表面上に少なくとも一電極が形成され、また前記少なくとも一の電極を前記金属ハンダ層と接合することにより、また前記別の少なくとも一の電極を各杯状部の外表面の底部にある前記別の電極と接合することによって前記発光装置のパッケージは前記印刷回路板と電気接続される。
【0017】
前記電極層を前記金属酸化物層と各杯状部の内表面上に電気メッキをするステップにおいて、前記電極層は光を反射する金属で構成されるのが好ましい。
【0018】
前記カバーステップにおいて、前記透明蓋部の内表面は凸面を形成し、前記透明蓋部の外表面は前記凸面と対向する別の凸面を形成するのが好ましい。
【0019】
【発明の実施の形態】
以下、図1を参照しながら、本発明による第1実施の形態である発光装置のパッケージに用いられる熱放散構造を説明する。
【0020】
熱放散構造を有する半導体発光装置のパッケージ1は、金属基板10と、少なくとも一のLEDチップ20と、電気絶縁クーラント30と、透明蓋部40と印刷回路板(PCB)50を備える。
【0021】
好ましくはアルミニウム、銅など最良の熱伝導性を持つ材料から成る金属基板10はその表面上に直立した壁部16を形成するので、金属基板10の前記表面は杯状部11を形成する。又、杯状部11と対向する金属基板10の別の表面上には、例えば銅、銀、もしくは金等の金属ハンダ層12を有し、PCB50の電極51に接続され、又、PCB50はアルミニウム基(aluminium−based)のPCBが好ましい。例えば、表面実装技術(SMT)によって金属ハンダ層12を電極51に電気接続することができる。又、絶縁層として機能し且つ好ましくはアルミナ層である金属酸化物層14は、先ず杯状部11の外表面上に形成されるが、杯状部11の内表面には形成されない。次に、好ましくは銀、金、若しくはアルミニウム等光を反射する金属からなる電極層15は、アルミナ層14上及び杯状部11の内表面上に形成・カバーする。
【0022】
詳細に、電極層15はアルミナ層14と杯状部11の内表面全体上に形成される。この状態で適切な処理によって、杯状部11の上縁の内側を除去すると同時に、杯状部の前記上縁部の内側にあるアルミナ層14及び電極層15を除去して、電極層15を、杯状部の内表面上に位置し実質的に金属基板10と接続される電極15bと、杯状部の外表面にあり、絶縁機能を有するアルミナ層14上に位置し、金属基板10の個別な外部電極として用いられる電極15aと、の二部分に分けることができる。電極15aと電極15bを形成するために採用される前記適切な処理は機械式研磨法が好ましい。
【0023】
金属基板10は上述の構造を備えた上で、少なくとも一のLEDチップ20は電極15bにおける杯状部11の内表面の底部に位置する一区域に実装されており、前記少なくとも一のLEDチップ20の一面と電極15bを電気接続させる。又、前記少なくとも一のLEDチップ20のもう一面は、杯状部11の外表面の上縁に位置する、電極15aの少なくとも一の区域に電気接続される。この状態において、杯状部11内に局限されている、例えば、純水、液体ケイ素樹脂等の電気絶縁クーラント30は杯状部11の所定高度まで充填され、次いでその内表面と杯状部11の外表面が緊密に合わさっている状態で透明蓋部40は接着剤によってその前周縁が対向する金属基板10の局部と密着されて、蓋部40は杯状部11上に固定される。充填不足によって生じる泡31が杯状部11内に残留し、LEDチップ20の射出する光線が残留泡31を透過しておこる不利な散乱現象を避けるため、電気絶縁クーラント30と接触する透明蓋部40の内表面は、好ましくは乳首状表面の凸面に設計される。よって、泡31は浮力効果のためLEDチップ20が射出する光線の通路に残留しない。
【0024】
電極15aとPCB50の電極52が適切に電気接続された後、本発明による第1実施の形態である熱放散構造を有する半導体発光装置のパッケージ1は、極めて大きい外部熱シンクとして機能する外部基板60上に実装されるので、本発明の熱放散構造によって、発光する少なくとも一つのLEDチップ20から発生するジュール熱は迅速に電気絶縁クーラント30を経て直立した杯状部11に拡散し、杯状部11に沿って金属基板10へ下向きに拡散し、又金属基板10はPCB50を介して熱放散用の外部基板60と接合するため、発光するLEDチップ20の温度上昇を避けることができる。
【0025】
さらに、それぞれの屈折率が非常に近い電気絶縁クーラント30と透明蓋部40を選択することにより、両構成材料が引き起こす屈折効果を最小限にすることができる。この他、透明蓋部40の外表面は選択的に光学的外形に成形され、少なくとも一のLEDが射出する光線を特定用途の光ビームに収集することができる。
【0026】
以下図2A〜2Lを参照して、本発明による第2の実施の形態である熱放散構造を有する半導体発光装置のパッケージ1の製造方法を説明する。
【0027】
先ず、図2Aに示すように、金属基板10を提供し、金属基板10の表面上に複数の杯状部11を形成し、前記表面に研磨処理を行う。
【0028】
次に、図2Bに示すように、好ましくは銅、銀、又は金から成る金属ハンダ層12を前記金属基板の別の表面上に電気メッキをする。
【0029】
次に、図2Cに示すように、絶縁インキ13の上縁部が各杯状部11の上縁部と実質的に揃うように、前記絶縁インキ13を前記複数の杯状部11内に充填する。
【0030】
次に、図2Dに示すように、アノード酸化処理を行って、各杯状部11の内表面を除去した金属基板10の表面上に金属酸化物層14を形成し、且つ各杯状部11の内表面が絶縁インキ13によって保護されるため、前記金属酸化物層14を形成しない。金属酸化物層14は、アルミナ層が好ましい。
【0031】
次に、図2Eに示すように、前記絶縁インキ13を除去する。
【0032】
次に、図2Fに示すように、電極層15を金属酸化物層14と各杯状部11の内表面上に電気メッキをし、電極層15を構成する金属は、例えば銀、金、又はアルミニウム等光を反射する金属で構成されるのが好ましい。
【0033】
次に、図2Gに示すように、回転するドリル17によって各杯状部11の上縁部の内側を除去すると同時に、各杯状部11の上縁部の内側にある金属酸化物層14と電極層15とを除去して、前記電極層15を各杯状部11の内表面上に位置する電極15bと、各杯状部11の外表面上に位置する電極15aと、に分ける。
【0034】
次に、図2Hに示すように、少なくとも一のLEDチップ20の電極を各杯状部11の内表面の底部の電極15bに実装して、ワイヤボンディング法によって前記少なくとも一のLEDチップ20の別の電極を各杯状部の外表面上にある前記別の電極15aに接続する。
【0035】
次に、図2Iに示すように、電気絶縁クーラント30を前記複数の杯状部11内に充填して、前記電気絶縁クーラント30の上縁部が各杯状部11の上縁部と実質的に揃うようにする。電気絶縁クーラント30は、純水、液体ケイ素樹脂等電気絶縁性を持つ流動体が好ましい。
【0036】
次に、図2Jに示すように、接着剤41を各杯状部11の外表面の底部の周縁上に塗装する。接着剤41は紫外線で硬化する接着剤が好ましい。
【0037】
次に、図2Kに示すように、透明蓋部40で各杯状部11を覆い、接着剤41によって透明蓋部40の前周縁と各杯状部11の外表面の底部の周縁を密着させ、透明蓋部40の内表面は杯状部11の外表面と緊密に合わさる状態である。
【0038】
最後に、図2Lに示すように、前記金属基板10を切断し、前記発光装置のパッケージ1を形成する。
【0039】
以上、本発明の具体的な構成はこの実施の形態に限られるものではなく、例えば、一配列の半導体発光装置のパッケージ1(図3)の中に任意の電気絶縁クーラント30が充填される。
【0040】
また、例えば、レーザー・ダイオード(LD)・パッケージ1’(図4)の中に、任意の電気絶縁クーラント30が充填される。本発明の熱放散構造がLDパッケージ1’に応用されると、LEDと比較してLDはその低効率若しくは高効率に拘らず、ともに温度上昇の影響を受けやすい装置であるため、その熱放散効果はより著しい。また本発明の熱放散構造は操作するレーザー・ダイオードを冷却し、さらに光学拡大率機能、信頼性、及び更に重要なのはある状況下の波長の安定性を高める。
【0041】
又、例えば、有機発光ダイオード(OLED)パッケージに任意の電気絶縁クーラント30が充填される。
【0042】
以上、本発明の実施例を図面を参照しながら詳述してきたが、具体的な構成はこの実施例に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲の設計変更等があっても本発明に含まれる。
【図面の簡単な説明】
【図1】既にパッケージが外部基板に実装されている本発明の第1実施の形態による熱放散構造を有するLEDパッケージを示す構造図である。
【図2A】本発明の第2実施の形態による発光装置のパッケージに用いられる熱放散構造の製造方法を示す略図である。
【図2B】本発明の第2実施の形態による発光装置のパッケージに用いられる熱放散構造の製造方法を示す略図である。
【図2C】本発明の第2実施の形態による発光装置のパッケージに用いられる熱放散構造の製造方法を示す略図である。
【図2D】本発明の第2実施の形態による発光装置のパッケージに用いられる熱放散構造の製造方法を示す略図である。
【図2E】本発明の第2実施の形態による発光装置のパッケージに用いられる熱放散構造の製造方法を示す略図である。
【図2F】本発明の第2実施の形態による発光装置のパッケージに用いられる熱放散構造の製造方法を示す略図である。
【図2G】本発明の第2実施の形態による発光装置のパッケージに用いられる熱放散構造の製造方法を示す略図である。
【図2H】本発明の第2実施の形態による発光装置のパッケージに用いられる熱放散構造の製造方法を示す略図である。
【図2I】本発明の第2実施の形態による発光装置のパッケージに用いられる熱放散構造の製造方法を示す略図である。
【図2J】本発明の第2実施の形態による発光装置のパッケージに用いられる熱放散構造の製造方法を示す略図である。
【図2K】本発明の第2実施の形態による発光装置のパッケージに用いられる熱放散構造の製造方法を示す略図である。
【図2L】本発明の第2実施の形態による発光装置のパッケージに用いられる熱放散構造の製造方法を示す略図である。
【図3】本発明の第1実施の形態の変化を示した構造図である。
【図4】本発明の第1実施の形態の別の変化を示した構造図である。
【符号の説明】
1、 1’    発光装置のパッケージ
10       金属基板
11       杯状部
12       金属ハンダ層
13       絶縁インキ
14      金属酸化物層
15      電極層
15a、15b、51、52     電極
16       壁部
17       ドリル
20    LEDチップ
30    クーラント
31    泡
40    蓋部
41    接着剤
50    印刷回路板
60    外部基板

Claims (12)

  1. 杯状部になっている上表面と金属ハンダ層が形成される下表面を有し、杯状部の外表面上には金属酸化物層が形成され、前記金属酸化物層上と前記杯状部の内表面上には、杯状部の内表面上に形成される電極と、杯状部の外表面上に形成される電極と、の両電極を有する電極層が形成される金属基板と、
    前記杯状部内に充填され、杯状部の内表面に局限されている電気絶縁クーラントと、
    前記金属基板に密着し、前記杯状部に充填される前記電気絶縁クーラントを杯状部内に密封する透明蓋部と、を備え、前記透明蓋部が発光装置の凸面に面して形成された内表面を有することを特徴とする発光装置のパッケージに用いられる熱放散構造。
  2. 前記金属基板が熱伝導材料からなることを特徴とする請求項1に記載の発光装置のパッケージに用いられる熱放散構造。
  3. 前記金属酸化物層が前記熱伝導材料の一酸化物で構成されていることを特徴とする請求項2に記載の発光装置のパッケージに用いられる熱放散構造。
  4. 少なくとも前記熱伝導材料からなり、
    前記印刷回路板の表面上に少なくとも一の電極を形成し、
    前記少なくとも一の電極と前記金属ハンダ層を接合することにより、又別の少なくとも一の電極を各杯状部の外表面の底部にある前記別の電極に接合することにより前記発光装置のパッケージと電気接続する印刷回路板と、
    をさらに備えることを特徴とする請求項2に記載の発光装置のパッケージに用いられる熱放散構造。
  5. 前記電極層が光を反射する金属から成ることを特徴とする請求項1に記載の発光装置のパッケージに用いられる熱放散構造。
  6. 前記透明蓋部が、内表面の前記凸面と対向する別の凸面を形成する外表面を有することを特徴とする請求項1に記載の発光装置のパッケージに用いられる熱放散構造。
  7. 複数の杯状部が形成され且つ研磨処理された上表面を有する金属基板を提供するステップと、
    金属ハンダ層を前記金属基板の下表面上に電気メッキをするステップと、
    絶縁インキの上縁部が前記複数の杯状部の上縁部と実質的に揃うように、前記絶縁インキを前記複数の杯状部内に充填するステップと、
    前記複数の杯状部の内表面を除去した前記金属基板の前記上表面上に金属酸化物層を形成し、且つ各杯状部の内表面が前記絶縁インキによって保護されて金属酸化物層を形成しないアノード酸化ステップと、
    絶縁インキを除去するステップと、
    電極層を前記金属酸化物層及び前記複数の杯状部の内表面に電気メッキをするステップと、
    前記複数の杯状部の前記上縁部の内側を除去すると同時に、前記複数の杯状部の前記上縁部の内側にある前記金属酸化物層及び前記電極層を除去して、前記電極層を前記複数の杯状部の内表面上に位置する電極と、前記複数の杯状部の外表面上に位置する別の電極と、に分ける電極分離ステップと、
    発光装置の電極を前記複数の杯状部の内表面の底部の前記電極に実装し、ワイヤボンディング法によって前記発光装置の別の電極を前記複数の杯状部の外表面上にある前記別の電極に接続する実装ステップと、
    電気絶縁クーラントを前記複数の杯状部内に充填し、前記クーラントの上縁部が前記複数の杯状部の上縁部と実質的に揃うようにする充填ステップと、
    接着剤を前記複数の杯状部の外表面の底部の周縁に塗装するステップと、
    透明蓋部で前記複数の杯状部を覆い、前記接着剤によって透明蓋部の前周縁と前記複数の杯状部の外表面の底部の前記周縁を密着させるカバーステップと、
    前記金属基板を切断し、前記発光装置のパッケージを形成する切断ステップと、
    を含むことを特徴とする発光装置のパッケージの熱放散構造の製造方法。
  8. 前記提供ステップにおいて、前記金属基板が熱伝導材料から成ることを特徴とする請求項7に記載の発光装置のパッケージの熱放散構造の製造方法。
  9. 前記アノード酸化ステップにおいて、前記金属酸化物層が前記熱伝導材料の一酸化物から成ることを特徴とする請求項8に記載の発光装置のパッケージに用いられる熱放散構造の製造方法。
  10. 前記発光装置のパッケージを印刷回路板上に実装する実装ステップをさらに含み、このうち、
    前記印刷回路板が少なくとも前記熱伝導材料によって構成され、
    前記印刷回路板の表面上に少なくとも一の電極を形成し、
    前記少なくとも一の電極と前記金属ハンダ層を接合することにより、又別の少なくとも一の電極を前記複数の杯状部の外表面の底部にある前記別の電極と接合することにより、前記発光装置のパッケージを前記印刷回路板と電気接続することを特徴とする請求項8に記載の発光装置のパッケージに用いられる熱放散構造の製造方法。
  11. 前記電極層を前記金属酸化物層及び前記複数の杯状部の内表面上に電気メッキをするステップにおいて、前記電極層が光を反射する金属から成ることを特徴とする請求項7に記載の発光装置のパッケージに用いられる熱放散構造の製造方法。
  12. 前記カバーステップにおいて、前記透明蓋部の一内表面が凸面を形成し、前記透明蓋部の外表面が前記凸面と対向する別の凸面を形成することを特徴とする請求項7に記載の発光装置のパッケージに用いられる熱放散構造の製造方法。
JP2002175578A 2002-06-17 2002-06-17 半導体発光装置のパッケージに用いられる熱放散構造とその製造方法 Expired - Fee Related JP3627186B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002175578A JP3627186B2 (ja) 2002-06-17 2002-06-17 半導体発光装置のパッケージに用いられる熱放散構造とその製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002175578A JP3627186B2 (ja) 2002-06-17 2002-06-17 半導体発光装置のパッケージに用いられる熱放散構造とその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2004022802A true JP2004022802A (ja) 2004-01-22
JP3627186B2 JP3627186B2 (ja) 2005-03-09

Family

ID=31174185

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002175578A Expired - Fee Related JP3627186B2 (ja) 2002-06-17 2002-06-17 半導体発光装置のパッケージに用いられる熱放散構造とその製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3627186B2 (ja)

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006179894A (ja) * 2004-12-08 2006-07-06 National Central Univ 発光素子
KR100714602B1 (ko) 2005-09-29 2007-05-07 삼성전기주식회사 발광다이오드 패키지
WO2007097240A1 (ja) * 2006-02-23 2007-08-30 Hamamatsu Photonics K.K. 光送受信デバイス
JP2007242792A (ja) * 2006-03-07 2007-09-20 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte Ltd 発光ダイオード
JP2007300110A (ja) * 2006-04-28 2007-11-15 Taida Electronic Ind Co Ltd 発光装置
JP2007300111A (ja) * 2006-04-28 2007-11-15 Taida Electronic Ind Co Ltd 発光装置
JP2008084990A (ja) * 2006-09-26 2008-04-10 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置及び照明器具
JP2009038125A (ja) * 2007-07-31 2009-02-19 Sanyo Electric Co Ltd 発光モジュールおよびその製造方法
JP2009231276A (ja) * 2008-03-21 2009-10-08 Liquidleds Lighting Corp Led電球及びその製造方法
JP2009260395A (ja) * 2009-08-07 2009-11-05 Hitachi Aic Inc 配線基板及びその製造方法
JP2012190841A (ja) * 2011-03-08 2012-10-04 Panasonic Corp Ledパッケージ及びled照明装置
JP2014011364A (ja) * 2012-06-29 2014-01-20 Hoya Candeo Optronics株式会社 Ledモジュール
JP2019103747A (ja) * 2017-12-14 2019-06-27 豊田合成株式会社 紫外光照射殺菌装置
JP2019147114A (ja) * 2018-02-27 2019-09-05 豊田合成株式会社 流体殺菌装置

Cited By (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006179894A (ja) * 2004-12-08 2006-07-06 National Central Univ 発光素子
KR100714602B1 (ko) 2005-09-29 2007-05-07 삼성전기주식회사 발광다이오드 패키지
EP1993148A1 (en) * 2006-02-23 2008-11-19 Hamamatsu Photonics K. K. Optical transmission/reception device
WO2007097240A1 (ja) * 2006-02-23 2007-08-30 Hamamatsu Photonics K.K. 光送受信デバイス
JP2007225923A (ja) * 2006-02-23 2007-09-06 Hamamatsu Photonics Kk 光送受信デバイス
TWI398969B (zh) * 2006-02-23 2013-06-11 Hamamatsu Photonics Kk Light receiving device
EP1993148A4 (en) * 2006-02-23 2010-12-22 Hamamatsu Photonics Kk OPTICAL TRANSMISSION / RECEPTION DEVICE
JP2007242792A (ja) * 2006-03-07 2007-09-20 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte Ltd 発光ダイオード
JP2007300110A (ja) * 2006-04-28 2007-11-15 Taida Electronic Ind Co Ltd 発光装置
JP2007300111A (ja) * 2006-04-28 2007-11-15 Taida Electronic Ind Co Ltd 発光装置
JP2008084990A (ja) * 2006-09-26 2008-04-10 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置及び照明器具
JP2009038125A (ja) * 2007-07-31 2009-02-19 Sanyo Electric Co Ltd 発光モジュールおよびその製造方法
JP2009231276A (ja) * 2008-03-21 2009-10-08 Liquidleds Lighting Corp Led電球及びその製造方法
US8366503B2 (en) 2008-03-21 2013-02-05 Liquidleds Lighting Corp. LED lamp and production method of the same
JP2009260395A (ja) * 2009-08-07 2009-11-05 Hitachi Aic Inc 配線基板及びその製造方法
JP2012190841A (ja) * 2011-03-08 2012-10-04 Panasonic Corp Ledパッケージ及びled照明装置
JP2014011364A (ja) * 2012-06-29 2014-01-20 Hoya Candeo Optronics株式会社 Ledモジュール
JP2019103747A (ja) * 2017-12-14 2019-06-27 豊田合成株式会社 紫外光照射殺菌装置
JP7035499B2 (ja) 2017-12-14 2022-03-15 豊田合成株式会社 紫外光照射殺菌装置
JP2019147114A (ja) * 2018-02-27 2019-09-05 豊田合成株式会社 流体殺菌装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP3627186B2 (ja) 2005-03-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6480389B1 (en) Heat dissipation structure for solid-state light emitting device package
KR100958024B1 (ko) 발광 다이오드 패키지 및 그 제조방법
JP3956965B2 (ja) チップ部品型発光装置及びそのための配線基板
TWI602322B (zh) 發光二極體組件及製作方法
US7642704B2 (en) Light-emitting diode with a base
US8319320B2 (en) LED module
JP4825095B2 (ja) 発光装置
US7708427B2 (en) Light source device and method of making the device
US20140054622A1 (en) Light emitting package
JP4865525B2 (ja) Sml型発光ダイオードランプ用素子およびその製造方法
JP2011146709A (ja) 発光装置、照明システム
JP3627186B2 (ja) 半導体発光装置のパッケージに用いられる熱放散構造とその製造方法
JP5940799B2 (ja) 電子部品搭載用パッケージ及び電子部品パッケージ並びにそれらの製造方法
TW201501364A (zh) 發光組件及製作方法
JP2009027129A (ja) 超薄型サイドビュー発光ダイオード(led)パッケージおよびその製造方法
TWM498387U (zh) 熱電分離的發光二極體封裝模組及電連接模組
JP2007059894A (ja) 発光ダイオード素子搭載光源
JP2009295912A (ja) 半導体発光装置
JP2006190814A (ja) 発光素子用の配線基板
US8476662B2 (en) Light emitting device, method for manufacturing the same, and backlight unit
JP2010129923A (ja) 発光部材、発光装置、照明装置、バックライト装置および発光部材の製造方法
JP4593201B2 (ja) チップ部品型発光装置及びそのための配線基板
JP2006073699A (ja) 発光素子収納用パッケージ
JP2011151112A (ja) 発光装置及び発光装置の製造方法
JP2006165138A (ja) 表面実装型led

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20041022

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20041102

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20041125

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees