JP2007317701A - 光源用基板及びこれを用いた照明装置 - Google Patents

光源用基板及びこれを用いた照明装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2007317701A
JP2007317701A JP2006142552A JP2006142552A JP2007317701A JP 2007317701 A JP2007317701 A JP 2007317701A JP 2006142552 A JP2006142552 A JP 2006142552A JP 2006142552 A JP2006142552 A JP 2006142552A JP 2007317701 A JP2007317701 A JP 2007317701A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light source
source substrate
substrate
insulating layer
substrate according
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2006142552A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4880358B2 (ja
Inventor
Kazuo Aoki
和夫 青木
Yukio Yoshikawa
幸雄 吉川
Takekazu Ujiie
建和 氏家
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Koha Co Ltd
Original Assignee
Koha Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Koha Co Ltd filed Critical Koha Co Ltd
Priority to JP2006142552A priority Critical patent/JP4880358B2/ja
Publication of JP2007317701A publication Critical patent/JP2007317701A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4880358B2 publication Critical patent/JP4880358B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L24/17Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of a plurality of bump connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161Disposition
    • H01L2224/16151Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/17Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of a plurality of bump connectors

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Insulated Metal Substrates For Printed Circuits (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

【課題】熱抵抗が小さくヒートシンクなどを使用しなくても放熱効果が高く、発光素子を大電流領域で使用可能で高出力化にも対応可能な光源用基板及びこれを用いた照明装置を提供する。
【解決手段】光源用素子が実装される光源用基板であって、高い熱伝導性を有するベース基板と、ベース基板の光源用素子が実装される実装面側に形成された高い熱伝導性を有する絶縁層と、絶縁層を介して実装面側に形成された配線パターンと、実装面側と反対側の面に形成された高い熱放射性を有する放熱層とを有する構成とする。
【選択図】図1

Description

本発明は、光源用基板及びこれを用いた照明装置に関し、特に、光源用素子が発生する熱の放熱性に優れた光源用基板及びこれを用いた照明装置に関する。
環境問題、特にエネルギー削減において低消費電力であるLEDは、今後照明用としての需要が見込まれる。照明用のためには従来の数十ミリアンペアでは、蛍光灯と比較して明るさが不十分である。そのため、十分な明るさを確保するには、数百ミリアンペアの領域での使用が必須となる。しかし、数百ミリアンペアを流すと、熱の問題が発生するため、パッケージングにおいて、効率よく熱を逃がす必要がある。
そこで、金属ベ−スと、片面に絶縁体を介して設けられた電極とを具備し、絶縁体が第1絶縁層と第2絶縁層とからなり、第1絶縁層がガラス繊維不織布に酸化アルミニウム等からなる無機充填剤混合樹脂を塗布したもので、第2絶縁層が芳香族ポリアミド繊維不織布もしくはガラス繊維混抄芳香族ポリアミド繊維不織布に熱硬化性樹脂を塗布含浸した回路用金属基板が、放熱性と耐絶縁性に優れた回路用金属基板として提案されている(例えば、特許文献1参照)。
また、金属基板として、金属板に絶縁層及び配線性金属箔を順に積層してなる積層物の配線性金属箔をエッチングして配線回路を形成した金属ベース回路基板の裏面に、放熱フィンを半田付けするためのニッケルめっきまたは金めっきを施した金属ベース回路基板が提案されている(例えば、特許文献2参照)。
特開平08−236884号公報 特開平06−125155号公報
しかし、従来の多くのLEDパッケージングは配線パターンが形成されたエポキシ樹脂基板にLEDをマウントし、エポキシ樹脂基板をヒートシンクに実装する方法であり、素子から熱抵抗の大きいエポキシ樹脂を介してヒートシンクに接続している。総計としての熱抵抗は、各部材の熱抵抗の合計の為、他の部材の熱抵抗をいくら下げてもエポキシ樹脂の為に熱抵抗の総計は下がらないという欠点を有している。このため、発光素子を大電流領域で使用できず、高出力化にも限界が生じていた。
また、例えば、特許文献1に開示された回路用金属基板では、実装面と反対側には放熱向上のための対策は施されてなく、放熱効果は十分とは言えず、また、特許文献2に開示された金属ベース回路基板では、基板下に放熱フィンを装着して熱を逃がしたり、強制冷風の方法を用いていたが、いずれの方法においても、厚み方向においてスペースが必要となるため、照明器具としても大きくなるという問題がある。
また、実装面から効率よくLEDからの光を照射させることが必要であるが、従来の金属基板を用いた回路基板では、主に放熱性を考慮し、他の機能、例えば、光源用基板として要求される高い反射率等が考慮されていなかった。
従って、本発明の目的は、熱抵抗が小さくヒートシンクなどを使用しなくても放熱効果が高く、発光素子を大電流領域で使用可能で高出力化にも対応可能な光源用基板及びこれを用いた照明装置を提供することにある。
本発明は、上記目的を達成するために、光源用素子が実装される光源用基板であって、高い熱伝導性を有するベース基板と、前記ベース基板の前記光源用素子が実装される実装面側に形成された高い熱伝導性を有する絶縁層と、前記絶縁層を介して前記実装面側に形成された配線パターンと、前記実装面側と反対側の面に形成された高い熱放射性を有する放熱層とを有することを特徴とする光源用基板を提供する。
また、前記ベース基板は、金属基板であってもよく、アルミニウム、アルミニウム合金、銅、又は銅系合金であってもよい。また、前記絶縁層は、セラミック、アルミナ、窒化アルミニウム、及び、アルミアルマイトのいずれかにより形成されていてもよく、プラズマ溶射、陽極酸化、スピンコート、CVD、PVD、及び、蒸着のいずれかの方法により形成されているものであってもよい。また、前記絶縁層は、可視光領域では高い反射率を示す材料により形成されるものであってもよく、また、前記光源用素子の反射板として利用できる白色の絶縁材料により形成されるものであってもよく、具体的には、溶射アルミナ又は溶射Yであってもよい。また、前記放熱層は、表面が粗面又は凹凸面により形成されているものでもよく、アルミアルマイト、アルミナ、及び、窒化アルミニウムのいずれかにより形成されていてもよく、プラズマ溶射、陽極酸化、スピンコート、CVD、PVD、及び、蒸着のいずれかの方法により形成されているものであってもよい。
また、本発明は、上記目的を達成するために、光源用基板に光源用素子が実装された照明装置であって、前記光源用基板は、上記いずれかに記載の光源用基板であることを特徴とする照明装置を提供する。
本発明の光源用基板及びこれを用いた照明装置によれば、熱抵抗が小さくヒートシンクなどを使用しなくても放熱効果が高く、発光素子を大電流領域で使用可能で高出力化にも対応可能な光源用基板及びこれを用いた照明装置を可能とすることができる。
(第1の実施の形態)
図1は、本発明の第1の実施の形態に係る光源用基板及び光源用基板に光源用素子が実装された照明装置を示す図である。図1(a)は、第1の実施の形態に係る光源用基板及び照明装置の構成を断面図で示すものであり、(b)は、LEDで発生する熱の放熱モデルを示す等価熱回路を示す図である。
第1の実施の形態に係る光源用基板11は、高い熱伝導性を有するベース基板1と、光源用素子が実装される実装面側に形成された第1の絶縁層2と、実装面と反対側に形成された放熱層5と、第1の絶縁層2を介して実装面上に形成された配線パターン6とからなる。ここで、光源用素子とは、LED,LD等の光源となる発光素子と、この発光素子を駆動あるいは制御するために必要となる回路素子あるいは周辺素子を含む。
また、照明装置12は、ベース基板1上にはんだバンプ7を介して金属の配線パターン6と電極8が電気的に接続されてLED10が実装されている。発光素子としては、LEDの他に、レーザ等の光を出射するものであれば本装置に適用できる。
ベース基板1は、高い熱伝導性を有するものとするが、熱伝導率が高く、従来から一般に実装基板として使用されている、例えば、エポキシ樹脂基板の熱伝導率より高ければよく、金属基板であることが好ましい。特に、アルミニウム、アルミニウム合金、銅、銅系合金等の熱伝導率に優れる材質で形成された基板であることが好ましい。本実施の形態では、3mm厚のアルミニウム基板を用いた。
第1の絶縁層2は、ベース基板1と配線パターン6との絶縁性が十分確保され、高い熱伝導性を有するものであればよいが、例えば、セラミック、アルミナ、窒化アルミニウム、及び、アルミアルマイト等が挙げられる。本実施の形態では、80μm厚のアルミナ層を用いた。
放熱層5は、高い熱放射性を有する材料により形成され、空気に接する側の表面を粗面あるいは凹凸面に形成してもよく、また、一般的なヒートシンクと同様の形状に形成したものであってもよい。放熱層5を構成する材料としては、例えば、アルミアルマイト、アルミナ、及び、窒化アルミニウム等が挙げられる。本実施の形態では、50μm厚のアルミアルマイト層を用いた。また、放熱層5は、例えば、プラズマ溶射、陽極酸化、スピンコート、CVD、PVD、蒸着により形成することができる。
LED10は、バンプ7によりベース基板1に固着され、ベース基板1に所定のパターンで配線された金属の配線パターン6とLED10の2つの電極8で電気的に接続されている。
尚、上記の説明、及び、図1では、照明装置12は、ベース基板1にLED10が1個実装されたものを示したが、これに限らず、ベース基板1にLED10を複数個実装して照明装置12を構成するようにしてもよい。
(第1の実施の形態による作用効果)
高い熱伝導性を有するベース基板1を用いた場合、アルミニウム等の金属は高い熱伝導率を有し、熱抵抗が小さく、LED10で発生する熱がベース基板1を通して拡散されるので、LED10の放熱に有利な効果を有する。
また、放熱層5の放射率は大きいため、LED10を大電流領域で使用しても、効率的に熱を放射することができ、高輝度の照明が可能となる。
(従来例との比較)
図4は、従来の回路用金属基板及びこれに光源用素子が実装された照明装置を示す図である。図4(a)は、回路用金属基板及び照明装置の構成を断面図で示すものであり、(b)は、LEDで発生する熱の放熱モデルを示す等価熱回路を示す図である。
図4(a)において、従来の照明装置は、エポキシ樹脂で形成されたエポキシ基板102とアルミニウム基板101とが貼り合わされた実装基板上に、はんだバンプ107を介して配線パターン106と電極108が電気的に接続されてLED110が実装されている。
ここで、図1(b)に示した第1の実施の形態に係る照明装置のLEDで発生する熱の放熱モデルと、図4(b)に示した従来の照明装置のLEDで発生する熱の放熱モデルとを比較する。各図の点線で囲まれた部分の熱抵抗を比較する。実装面10mm×10mm、エポキシ樹脂層厚80μm、LEDと基板の接合部でのジャンクション温度100℃、周囲温度30℃と仮定する。
従来の照明装置における実装では、エポキシ樹脂で形成されたエポキシ基板102からアルミニウム基板101までの伝導による熱抵抗は次のようになる。エポキシ基板の熱抵抗R102=2.67℃/Wとアルミニウム基板の熱抵抗R101=0.13℃/Wを合成して2.8℃/W。また、放射の熱抵抗R103=10270.28℃/Wと自然対流の熱抵抗R104=837.62℃/Wを合成して、774.46℃/Wである。よって、卜一タルの熱抵抗777.26℃/Wとなる。
一方、本発明の第1の実施の形態に係る照明装置では、裏面に高い熱放射性材料の放熱層5を形成しているので、第1の絶縁層2であるアルミナ層からベース基板1であるアルミニウム基板までの伝導による熱抵抗は次のようになる。ベース基板1の熱抵抗R=0.13℃/Wと第1の絶縁層2の熱抵抗R=0.02℃/W、放熱層5の熱抵抗R=0.0059℃/Wを合成して0.1559℃/W。また、放射の熱抵抗R13=1165.87℃/Wと自然対流の熱抵抗R14=837.62℃/Wを合成して487.43℃/Wである。よって、トータルの熱抵抗は487.59℃/Wとなる。
ベース基板1の裏面に高い熱放射性材料の放熱層5を薄くコーティングしたことにより放射による熱抵抗が小さくなり、第1の実施の形態では従来に比べて、トータルでの熱抵抗が37%減少して大きな放熱効果を有する。また、放熱層の空気に触れる側の表面を粗面又は凹凸面により形成することにより、放射面積の増大及び対流伝熱の増大を図ることができ、さらに放熱効果を向上させることができる。
また、本発明の第1の実施の形態に係る光源用基板に発光素子を実装することにより、大電流領域においても使用可能で、高出力化にも対応可能な照明装置が可能となる。
(第2の実施の形態)
図2は、本発明の第2の実施の形態に係る光源用基板及び光源用基板に光源用素子が実装された照明装置を示す図である。図2は、第2の実施の形態に係る光源用基板及び照明装置の構成を断面図で示すものである。
第2の実施の形態に係る光源用基板11は、高い熱伝導性を有するベース基板1と、光源用素子が実装される実装面側に形成された第2の絶縁層3と、実装面と反対側に形成された放熱層5と、第2の絶縁層3を介して実装面側に形成された金属の配線パターン6とからなる。ここで、光源用素子とは、LED,LD等の光源となる発光素子と、この発光素子を駆動あるいは制御するために必要となる回路素子あるいは周辺素子を含む。
また、照明装置12は、ベース基板1上にはんだバンプ7を介して金属の配線パターン6と電極8が電気的に接続されてLED10が実装されている。発光素子としては、LEDの他に、レーザ等の光を出射するものであれば本装置に適用できる。
ベース基板1は、第1の実施の形態と同様であるので、説明を省略する。
第2の絶縁層3は、ベース基板1と配線パターン6との絶縁性が十分確保され、高い熱伝導性を有し、かつ、可視光領域では高い反射率を示し、赤外領域では高い放射性を示す材料により形成されている。また、可視光領域で高い反射率となるために、光源用素子の反射板として利用できる白色の絶縁材料により形成されている。尚、白色に限られず、本発明の実施の形態に係る照明装置が照明として利用できるものであればよく、上記照明色が得られる反射スペクトル特性を有していれば光源用素子の反射板として利用できる。
第2の絶縁層3を構成する材料としては、例えば、溶射アルミナ又は溶射Yが挙げられる。この第2の絶縁層3は、絶縁性と共に高い熱伝導性を十分発揮させるために、層厚さは厚い方が好ましく、本実施の形態では80μmとしている。
放熱層5は、第1の実施の形態と同様であるので、説明を省略する。
図3は、第2の実施の形態に係る光源用基板に光源用素子が実装され、光源用素子及び第2の絶縁層3を覆うようにカバー13が形成された照明装置を示す図である。光源用素子から発光した光は、カバー13を通して照明装置の外へ出射すると共に、高い反射率を有する第2の絶縁層3を反射板として反射し、カバー13を通して照明装置の外へ出射される。
(第2の実施の形態による効果)
第1の実施の形態による効果に加え、実装面側に高い反射率を有する第2の絶縁層3を形成しているので、放熱に優れると共に反射効率の高い照明装置が可能となる。また、図3に示したように、カバーを有する照明装置等では、カバー内部で反射した光が高い反射率を有する第2の絶縁層3を反射板として再度反射されて照明装置の外へ出射するので、特に反射効率の高い照明装置が可能となる。
(実施の形態の効果)
本発明の実施の形態によれば、以下のような効果を有する。
(1)高い熱伝導性を有するベース基板1を用いた場合、アルミニウム等の金属は高い熱伝導性を有し、熱抵抗が小さく、LED10で発生する熱がベース基板1を通して拡散されるので、LED10の放熱に有利な効果を有する。
(2)放熱層5の放射率は大きいため、LED10を大電流領域で使用しても、効率的に熱を放射することができ、高輝度の照明が可能となる。
(3)ベース基板1の実装面側に高い反射率を有する第2の絶縁層3を形成しているので、放熱に優れると共に反射効率の高い照明装置が可能となる。
従って、以上をまとめると、本発明の光源用基板によれば、熱抵抗が小さく放熱効果及び反射効率が高いので、これを用いて照明装置を構成すれば、発光素子を大電流領域で使用可能となり、また、高出力化にも対応可能な照明装置を可能とすることができる。
(a)は、第1の実施の形態に係る光源用基板及び照明装置の構成を断面図で示すものであり、(b)は、LEDで発生する熱の放熱モデルを示す等価熱回路を示す図である。 本発明の第2の実施の形態に係る光源用基板及び光源用基板に光源用素子が実装された照明装置を示す図である。 第2の実施の形態に係る光源用基板に光源用素子が実装され、光源用素子及び第2の絶縁層3を覆うようにカバー13が形成された照明装置を示す図である。 (a)は、回路用金属基板及び照明装置の構成を断面図で示すものであり、(b)は、LEDで発生する熱の放熱モデルを示す等価熱回路を示す図である。
符号の説明
1 ベース基板
2 第1の絶縁層
3 第2の絶縁層
5 放熱層
6 配線パターン
7 はんだバンプ
8 電極
10 LED
11 光源用基板
12 照明装置
13 カバー

Claims (12)

  1. 光源用素子が実装される光源用基板であって、
    高い熱伝導性を有するベース基板と、
    前記ベース基板の前記光源用素子が実装される実装面側に形成された高い熱伝導性を有する絶縁層と、
    前記絶縁層を介して前記実装面側に形成された配線パターンと、
    前記実装面側と反対側の面に形成された高い熱放射性を有する放熱層とを有することを特徴とする光源用基板。
  2. 前記ベース基板は、金属基板であることを特徴とする請求項1に記載の光源用基板。
  3. 前記ベース基板は、アルミニウム、アルミニウム合金、銅、又は銅系合金であることを特徴とする請求項2に記載の光源用基板。
  4. 前記絶縁層は、セラミック、アルミナ、窒化アルミニウム、及び、アルミアルマイトのいずれかにより形成されることを特徴とする請求項1に記載の光源用基板。
  5. 前記絶縁層は、プラズマ溶射、陽極酸化、スピンコート、CVD、PVD、及び、蒸着のいずれかの方法により形成されることを特徴とする請求項4に記載の光源用基板。
  6. 前記絶縁層は、可視光領域では高い反射率を示す材料により形成されることを特徴とする請求項1に記載の光源用基板。
  7. 前記絶縁層は、前記光源用素子の反射板として利用できる白色の絶縁材料により形成されることを特徴とする請求項1に記載の光源用基板。
  8. 前記絶縁層は、溶射アルミナ又は溶射Yにより形成されることを特徴とする請求項6又は7に記載の光源用基板。
  9. 前記放熱層は、表面が粗面又は凹凸面により形成されていることを特徴とする請求項1に記載の光源用基板。
  10. 前記放熱層は、アルミアルマイト、アルミナ、及び、窒化アルミニウムのいずれかにより形成されることを特徴とする請求項1に記載の光源用基板。
  11. 前記放熱層は、プラズマ溶射、陽極酸化、スピンコート、CVD、PVD、及び、蒸着のいずれかの方法により形成されることを特徴とする請求項10に記載の光源用基板。
  12. 光源用基板に光源用素子が実装された照明装置であって、
    前記光源用基板は、請求項1から11のいずれかに記載の光源用基板であることを特徴とする照明装置。







JP2006142552A 2006-05-23 2006-05-23 光源用基板及びこれを用いた照明装置 Expired - Fee Related JP4880358B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006142552A JP4880358B2 (ja) 2006-05-23 2006-05-23 光源用基板及びこれを用いた照明装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006142552A JP4880358B2 (ja) 2006-05-23 2006-05-23 光源用基板及びこれを用いた照明装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2007317701A true JP2007317701A (ja) 2007-12-06
JP4880358B2 JP4880358B2 (ja) 2012-02-22

Family

ID=38851341

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006142552A Expired - Fee Related JP4880358B2 (ja) 2006-05-23 2006-05-23 光源用基板及びこれを用いた照明装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4880358B2 (ja)

Cited By (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009092851A1 (en) * 2008-01-22 2009-07-30 Valtion Teknillinen Tutkimuskeskus Method for arranging cooling for a component and a cooling element
JP2010278417A (ja) * 2009-05-28 2010-12-09 Samsung Electro-Mechanics Co Ltd メタル積層板及びこれを用いた発光ダイオードパッケージの製造方法
JP2011071264A (ja) * 2009-09-25 2011-04-07 Panasonic Electric Works Co Ltd 照明装置
WO2011077900A1 (ja) * 2009-12-22 2011-06-30 シャープ株式会社 発光ダイオード素子、光源装置、面光源照明装置、及び液晶表示装置
JP2011138640A (ja) * 2009-12-28 2011-07-14 Kyoritsu Densho:Kk トンネル用照明器具
WO2011096171A1 (ja) * 2010-02-08 2011-08-11 パナソニック株式会社 発光装置およびこれを用いた面光源装置
JP2012009834A (ja) * 2010-05-26 2012-01-12 Toshiba Lighting & Technology Corp 発光装置および照明装置
KR101194456B1 (ko) 2010-11-05 2012-10-24 삼성전기주식회사 방열기판 및 그 제조방법
JP2013229639A (ja) * 2013-08-13 2013-11-07 Nec Lighting Ltd 発光装置及び発光装置の製造方法
US8894245B2 (en) 2009-02-24 2014-11-25 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light-emitting device and method of manufacturing the same
KR101517930B1 (ko) * 2008-12-11 2015-05-06 주식회사 케이엠더블유 고방열 기판을 구비하는 멀티칩 엘이디 패키지
WO2015098322A1 (ja) * 2013-12-27 2015-07-02 シャープ株式会社 発光装置用基板、発光装置、および、発光装置用基板の製造方法
WO2015104928A1 (ja) * 2014-01-10 2015-07-16 シャープ株式会社 発光装置用基板、発光装置および発光装置用基板の製造方法
WO2015151686A1 (ja) * 2014-04-04 2015-10-08 シャープ株式会社 発光装置用基板、及び、発光装置
JP2015181257A (ja) * 2010-05-12 2015-10-15 クゥアルコム・インコーポレイテッドQualcomm Incorporated 無線周波数デバイスのための熱管理を提供する装置
JP2015532533A (ja) * 2012-10-05 2015-11-09 タイコ・エレクトロニクス・コーポレイションTyco Electronics Corporation 電気部品並びに電気部品を製造する方法及びシステム
JP2015220440A (ja) * 2014-05-21 2015-12-07 シチズン電子株式会社 放熱基板、その製造方法及びその放熱基板を利用したled発光装置
JP2016219484A (ja) * 2015-05-15 2016-12-22 豊田合成株式会社 発光素子用基板および発光装置
JP2017195258A (ja) * 2016-04-19 2017-10-26 市光工業株式会社 光源装置、移動体用発光装置
JP2020136470A (ja) * 2019-02-19 2020-08-31 日本特殊陶業株式会社 半導体モジュール用部品およびその製造方法ならびに半導体モジュール
JP2020178057A (ja) * 2019-04-19 2020-10-29 シチズン時計株式会社 回路基板及びその回路基板を用いた発光装置
CN112746242A (zh) * 2020-12-29 2021-05-04 佛山桃园先进制造研究院 一种提升电能利用效率和温度控制的电加热涂层及其制备方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55154564A (en) * 1979-05-18 1980-12-02 Sumitomo Electric Ind Ltd Lamination-covered sintered hard alloy parts
JPS62287676A (ja) * 1986-06-06 1987-12-14 Kobe Steel Ltd A1板にセラミツクス溶射したled用基板
JPH02191396A (ja) * 1988-12-14 1990-07-27 Showa Denko Kk 金属ベース基板の製造方法
JPH09331123A (ja) * 1996-06-13 1997-12-22 Furukawa Electric Co Ltd:The 金属ベース多層配線基板
JP2003060243A (ja) * 2001-08-17 2003-02-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd 複合発光素子
WO2005123627A1 (ja) * 2004-06-21 2005-12-29 Tokuyama Corporation 窒化物焼結体、及びその製造方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55154564A (en) * 1979-05-18 1980-12-02 Sumitomo Electric Ind Ltd Lamination-covered sintered hard alloy parts
JPS62287676A (ja) * 1986-06-06 1987-12-14 Kobe Steel Ltd A1板にセラミツクス溶射したled用基板
JPH02191396A (ja) * 1988-12-14 1990-07-27 Showa Denko Kk 金属ベース基板の製造方法
JPH09331123A (ja) * 1996-06-13 1997-12-22 Furukawa Electric Co Ltd:The 金属ベース多層配線基板
JP2003060243A (ja) * 2001-08-17 2003-02-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd 複合発光素子
WO2005123627A1 (ja) * 2004-06-21 2005-12-29 Tokuyama Corporation 窒化物焼結体、及びその製造方法

Cited By (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009092851A1 (en) * 2008-01-22 2009-07-30 Valtion Teknillinen Tutkimuskeskus Method for arranging cooling for a component and a cooling element
KR101517930B1 (ko) * 2008-12-11 2015-05-06 주식회사 케이엠더블유 고방열 기판을 구비하는 멀티칩 엘이디 패키지
US8894245B2 (en) 2009-02-24 2014-11-25 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light-emitting device and method of manufacturing the same
JP2010278417A (ja) * 2009-05-28 2010-12-09 Samsung Electro-Mechanics Co Ltd メタル積層板及びこれを用いた発光ダイオードパッケージの製造方法
TWI487138B (zh) * 2009-05-28 2015-06-01 Samsung Electro Mech 含金屬層板與應用其之發光二極體封裝體之製造方法
US8481171B2 (en) 2009-05-28 2013-07-09 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Metallic laminate and manufacturing method of light emitting diode package using the same
US8568861B2 (en) 2009-05-28 2013-10-29 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Metallic laminate and manufacturing method of light emitting diode package using the same
JP2011071264A (ja) * 2009-09-25 2011-04-07 Panasonic Electric Works Co Ltd 照明装置
US8902382B2 (en) 2009-12-22 2014-12-02 Sharp Kabushiki Kaisha Light emitting diode element, light source device, surface light source illumination device, and liquid crystal display device
WO2011077900A1 (ja) * 2009-12-22 2011-06-30 シャープ株式会社 発光ダイオード素子、光源装置、面光源照明装置、及び液晶表示装置
JP2011138640A (ja) * 2009-12-28 2011-07-14 Kyoritsu Densho:Kk トンネル用照明器具
WO2011096171A1 (ja) * 2010-02-08 2011-08-11 パナソニック株式会社 発光装置およびこれを用いた面光源装置
JP2015181257A (ja) * 2010-05-12 2015-10-15 クゥアルコム・インコーポレイテッドQualcomm Incorporated 無線周波数デバイスのための熱管理を提供する装置
JP2012009834A (ja) * 2010-05-26 2012-01-12 Toshiba Lighting & Technology Corp 発光装置および照明装置
KR101194456B1 (ko) 2010-11-05 2012-10-24 삼성전기주식회사 방열기판 및 그 제조방법
JP2015532533A (ja) * 2012-10-05 2015-11-09 タイコ・エレクトロニクス・コーポレイションTyco Electronics Corporation 電気部品並びに電気部品を製造する方法及びシステム
JP2013229639A (ja) * 2013-08-13 2013-11-07 Nec Lighting Ltd 発光装置及び発光装置の製造方法
US10276765B2 (en) 2013-12-27 2019-04-30 Sharp Kabushiki Kaisha Substrate for light emitting devices, light emitting device, and method for producing substrate for light emitting devices
CN105830241B (zh) * 2013-12-27 2019-10-18 夏普株式会社 发光装置用基板、发光装置及发光装置用基板的制造方法
CN105830241A (zh) * 2013-12-27 2016-08-03 夏普株式会社 发光装置用基板、发光装置及发光装置用基板的制造方法
WO2015098322A1 (ja) * 2013-12-27 2015-07-02 シャープ株式会社 発光装置用基板、発光装置、および、発光装置用基板の製造方法
JPWO2015098322A1 (ja) * 2013-12-27 2017-03-23 シャープ株式会社 発光装置用基板、発光装置、および、発光装置用基板の製造方法
US9806244B2 (en) 2014-01-10 2017-10-31 Sharp Kabushiki Kaisha Substrate for light emitting device, light emitting device, and manufacturing method of substrate for light emitting device
WO2015104928A1 (ja) * 2014-01-10 2015-07-16 シャープ株式会社 発光装置用基板、発光装置および発光装置用基板の製造方法
CN105874619A (zh) * 2014-01-10 2016-08-17 夏普株式会社 发光装置用基板、发光装置及发光装置用基板的制造方法
CN105874619B (zh) * 2014-01-10 2019-08-20 夏普株式会社 发光装置用基板、发光装置及发光装置用基板的制造方法
JPWO2015104928A1 (ja) * 2014-01-10 2017-03-23 シャープ株式会社 発光装置用基板、発光装置および発光装置用基板の製造方法
CN106134297A (zh) * 2014-04-04 2016-11-16 夏普株式会社 发光装置用基板及发光装置
JPWO2015151686A1 (ja) * 2014-04-04 2017-04-13 シャープ株式会社 発光装置用基板の製造方法、発光装置の製造方法、及び照明装置の製造方法
US9947850B2 (en) 2014-04-04 2018-04-17 Sharp Kabushiki Kaisha Substrate for light emitting devices and light emitting device
WO2015151686A1 (ja) * 2014-04-04 2015-10-08 シャープ株式会社 発光装置用基板、及び、発光装置
JP2015220440A (ja) * 2014-05-21 2015-12-07 シチズン電子株式会社 放熱基板、その製造方法及びその放熱基板を利用したled発光装置
JP2016219484A (ja) * 2015-05-15 2016-12-22 豊田合成株式会社 発光素子用基板および発光装置
JP2017195258A (ja) * 2016-04-19 2017-10-26 市光工業株式会社 光源装置、移動体用発光装置
JP2020136470A (ja) * 2019-02-19 2020-08-31 日本特殊陶業株式会社 半導体モジュール用部品およびその製造方法ならびに半導体モジュール
JP7240196B2 (ja) 2019-02-19 2023-03-15 日本特殊陶業株式会社 半導体モジュール用部品およびその製造方法ならびに半導体モジュール
JP2020178057A (ja) * 2019-04-19 2020-10-29 シチズン時計株式会社 回路基板及びその回路基板を用いた発光装置
CN112746242A (zh) * 2020-12-29 2021-05-04 佛山桃园先进制造研究院 一种提升电能利用效率和温度控制的电加热涂层及其制备方法
WO2022142091A1 (zh) * 2020-12-29 2022-07-07 佛山桃园先进制造研究院 一种提升电能利用效率和温度控制的电加热涂层及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP4880358B2 (ja) 2012-02-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4880358B2 (ja) 光源用基板及びこれを用いた照明装置
JP5082083B2 (ja) Led照明装置
KR101086548B1 (ko) 발광다이오드 램프 모듈 및 그 제조 방법
JP2007142173A (ja) 照明装置
JP4808550B2 (ja) 発光ダイオード光源装置、照明装置、表示装置及び交通信号機
JP5029822B2 (ja) 光源および照明装置
JP2010003674A (ja) 光源ユニット及び照明装置
JP2008293966A (ja) 発光ダイオードランプ
JP2013529370A (ja) Led光モジュール
JP2010250962A (ja) 発光モジュール及び照明器具
JP4683013B2 (ja) 発光装置
JP2004055800A (ja) Led点灯装置
JP2011205055A (ja) 発光モジュール及び照明装置
JP2009302186A (ja) 発光装置
TWI329181B (en) Illumination device
US20090026483A1 (en) High-power led package
EP2184790A1 (en) Light emitting diode and llght source module having same
JP6360180B2 (ja) Led照明装置
TW201209340A (en) Illustrator with light emitting diode
JP5131668B2 (ja) Led照明装置
KR101678337B1 (ko) Led용 방열 반사 기판
JP2012134072A (ja) 照明装置
US20140211475A1 (en) Light bulb
JP4492501B2 (ja) 照明器具
JP5617978B2 (ja) 発光モジュールおよび照明装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20090423

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20110713

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110719

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110915

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20111129

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20111201

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141209

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees