JPWO2015098322A1 - 発光装置用基板、発光装置、および、発光装置用基板の製造方法 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 613
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 44
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 188
- 238000007751 thermal spraying Methods 0.000 claims abstract description 55
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 87
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 78
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 74
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 46
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 46
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 12
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 12
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 225
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 225
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 869
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 86
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 84
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 70
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 49
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 49
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 48
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 48
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 44
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 38
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 28
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 24
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 22
- 238000010285 flame spraying Methods 0.000 description 22
- 239000010408 film Substances 0.000 description 21
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 19
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 19
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 18
- 238000007750 plasma spraying Methods 0.000 description 17
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 15
- 238000005422 blasting Methods 0.000 description 14
- 230000008569 process Effects 0.000 description 14
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 14
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 13
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 13
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 11
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 11
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 10
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 10
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 10
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 10
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 9
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 9
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 9
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 8
- 239000004519 grease Substances 0.000 description 8
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 8
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 7
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 7
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 7
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 6
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 6
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 6
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 6
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 6
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 5
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 5
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 5
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 4
- 229910003480 inorganic solid Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 4
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011343 solid material Substances 0.000 description 4
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 4
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- 239000000443 aerosol Substances 0.000 description 3
- 239000010407 anodic oxide Substances 0.000 description 3
- 238000007743 anodising Methods 0.000 description 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 3
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 3
- 238000007749 high velocity oxygen fuel spraying Methods 0.000 description 3
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 3
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 3
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L barium sulfate Chemical compound [Ba+2].[O-]S([O-])(=O)=O TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 2
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 2
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000010288 cold spraying Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L magnesium carbonate Chemical compound [Mg+2].[O-]C([O-])=O ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000001095 magnesium carbonate Substances 0.000 description 1
- 229910000021 magnesium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229920002545 silicone oil Polymers 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 239000011882 ultra-fine particle Substances 0.000 description 1
- 239000010456 wollastonite Substances 0.000 description 1
- 229910052882 wollastonite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
- NWONKYPBYAMBJT-UHFFFAOYSA-L zinc sulfate Chemical compound [Zn+2].[O-]S([O-])(=O)=O NWONKYPBYAMBJT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229960001763 zinc sulfate Drugs 0.000 description 1
- 229910000368 zinc sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
- H01L33/60—Reflective elements
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C28/00—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D
- C23C28/30—Coatings combining at least one metallic layer and at least one inorganic non-metallic layer
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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- C23C28/30—Coatings combining at least one metallic layer and at least one inorganic non-metallic layer
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C4/00—Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge
- C23C4/04—Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge characterised by the coating material
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
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Abstract
Description
例えば、セラミックス基板は、板状のセラミックス基体に電極パターンを形成して作製される。発光装置の高出力化傾向に伴って、発光素子を基板上に多数並べて、明るさを向上させることが追及された結果、年々、セラミックス基板は大型化の一途をたどってきた。
また例えば、セラミックス基板での上記課題を克服する目的で、高出力発光装置に使用する基板として、熱伝導性の高い金属基体を使用する場合がある。ここで、金属基体上に発光素子を搭載するためには、発光素子と接続する電極パターンを形成するために金属基体上に絶縁層を設けなくてはならない。また、高出力発光装置用基板において光利用効率を向上させるためには、上記絶縁層は、高光反射性を有している必要がある。
実施形態1について、図1および図2に基づいて説明すれば、以下のとおりである。
実施形態1に係る基板5Aの構造を、図1を参照して説明する。図1の(a)は、本実施形態に係る基板5A(発光装置用基板)の平面図であり、図1の(b)は図1の(a)のA−A線矢視断面図である。また、図1の(c)は、図1の(b)の部分拡大図である。
アルミニウム基体10としては、例えば、縦50mm、横50mmおよび厚み3mmtのアルミニウム板を用いることができる。アルミニウム材料の長所として、軽量で加工性に優れ、熱伝導率が高いことが挙げられる。アルミニウム基体10には保護層13の形成のための陽極酸化処理を妨げない程度のアルミニウム以外の成分が含まれていてもよい。
保護層13はアルミニウムの陽極酸化皮膜(アルマイト)である。
反射層12は、発光素子6(図16参照)からの光を反射する光反射性セラミックス(第1セラミックス)を含有し、絶縁性を有している。このため、反射層12は、発光素子6(図16参照)からの光を反射させる。反射層12は、電極パターン20と中間層11との間、言い換えると、電極パターン20とアルミニウム基体10との間に形成される。反射層12は、ガラス系バインダー、または、耐光・耐熱性を備えた樹脂バインダーに混ぜたセラミックス粒子を、乾燥または焼成などにより当該バインダーを硬化させて、セラミックス粒子を含む絶縁性反射層として基板5Aの最外層に形成される。本実施形態では、反射層12は、光反射性セラミックスとガラス質との混合層である。反射層12は、光反射性セラミックスとしてジルコニアを含有し、ガラス系バインダーを用いて焼結などにより形成されている。
中間層11は、溶射によりアルミニウム基体10にセラミックス層(第2セラミックス)を積層することで形成され、絶縁性を有している。言い換えると、中間層11は、溶射により形成したセラミックスを含有する。また、上述したように、反射層12は光反射機能を確保できる必要最低限の厚みとするため、基板5Aとして必要な絶縁耐圧性が不足する場合が考えられる。そこで、中間層11は、その反射層12だけでは不足する絶縁耐圧性を補強する。
溶射(Thermal Spraying)とは、溶融あるいはそれに近い状態に加熱した溶射材料から得られる溶融粒子を、基体面に高速で衝突させ、上記溶融粒子を基体面に積層させる方法である。溶射材料は、粉末あるいは線材の形態で溶射装置に供給される。
高速フレーム溶射(HVOF:High Velocity Oxygen Fuel)では、例えば、溶射材料にアルミナを用いる場合、高い密着力を有する緻密なアルミナ層を形成できる。具体的には、気孔率は1%以下に抑えることができ、安定して高い絶縁耐圧性が実現できる。この方法で得られる層の膜厚は400μm程度が、現在のところ限界である。
プラズマ溶射では、アーク放電によりアルゴンなどの作動ガスを電離しプラズマを発生させる。このプラズマを用いて例えばセラミックス粒子などの高融点の溶射材料を加熱・溶融させ、ノズルから噴き出るプラズマ流に載せて溶融粒子を加速、基体に高速で衝突させることで、基体にセラミックス層を形成する。
フレーム溶射では、酸素と可燃ガスとの燃焼炎を用いて、例えばセラミックス粒子を溶融させたものを圧縮空気で基体に吹付け、衝突させることで、基体にセラミックス層を形成する。セラミックス層形成時の基体の温度上昇は最大でも100℃程度と低いが、気孔率は5%〜10%と高くなる。このため必要な絶縁耐圧性を確保するためには、高速フレーム溶射またはプラズマ溶射により形成したセラミックス層よりも層を厚く形成する必要がある。
次に、実施形態1に係る基板5Aの製造方法を、図2を参照して説明する。図2の(a)〜(d)は、本発明の実施形態1に係る基板5Aの製造工程を説明する模式断面図である。
ここで、本実施形態に係る基板5Aが、他の金属基体を有する基板と比べて、熱抵抗が低くなり、絶縁耐圧性も良くなる理由について、図3〜図7に基づいて以下に説明する。
次の3つの基板、基板5A、比較例1として金属基体を有する基板100A、および、比較例2として金属基体を有する基板100Bについて、それぞれの熱抵抗を具体的数値に基づき試算し比較する。基板5A、基板100Aおよび基板100Bは、発光素子6とアルミニウム基体10との間に配置される絶縁層の構造のみが異なる。上記比較を図3〜図5を用いて説明する。図3の(a)は基板5Aの一例の概略断面図を示し、図3の(b)は図3の(a)に示した各層に対する熱伝導率σth(W/(m・℃))と、層厚d(mm)と、熱抵抗Rth(℃/W)と、温度上昇ΔT(℃)と、を示している。図4の(a)は比較例1の基板100Aの概略断面図を示し、図4の(b)は図4の(a)に示した各層に対する熱伝導率σth(W/(m・℃))と、層厚d(mm)と、熱抵抗Rth(℃/W)と、温度上昇ΔT(℃)と、を示している。図5の(a)は比較例2の基板100Bの概略断面図を示し、図5の(b)は図5の(a)に示した各層に対する熱伝導率σth(W/(m・℃))と、層厚d(mm)と、熱抵抗Rth(℃/W)と、温度上昇ΔT(℃)と、を示している。
次に基板5A、基板100Aおよび基板100Bにおける熱抵抗および温度上昇の絶縁層厚み依存性を、図6および図7を用いて説明する。図6は、基板5A、基板100Aおよび基板100Bにおける熱抵抗の絶縁層厚み依存性を示すグラフである。図6の横軸は絶縁層厚(mm)を示し、縦軸は基板の熱抵抗(℃/W)を示す。図7は、基板5A、基板100Aおよび基板100Bにおける温度上昇の絶縁層厚み依存性を示すグラフである。図7の横軸は絶縁層厚(mm)を示し、縦軸は基板の温度上昇(℃)を示す。
(1)基板5Aでは、反射層12(σ1:1W/(m・℃))の厚さを50μmで固定し、中間層11(σ3:15W/(m・℃))の厚さを変化させる。(2)基板100Aでは、反射層30(σ1:1W/(m・℃))の厚さを50μm以上1000μm以下に変化させる。(3)基板100Bでは、反射層30(σ1:1W/(m・℃))の厚さを50μmで固定し、熱伝導層31(σ2:5W/(m・℃))の厚さを変化させる。
本発明の実施形態1の変形例について、図20に基づいて説明すれば、以下のとおりである。図20は本実施形態に係る基板5Aの変形例を説明する図であり、図20の(a)は、基板5Aの変形例の平面図、図20の(b)は、図20の(a)のF−F線矢視断面図、図20の(c)は、図20の(b)の部分拡大図である。
本発明の実施形態2について、図8〜図9に基づいて説明すれば、以下のとおりである。
実施形態2に係る基板5Bの構造を、図8を参照して説明する。図8の(a)は、本実施形態に係る基板5B(発光装置用基板)の平面図であり、図8の(b)は図8の(a)のB−B線矢視断面図である。また、図8の(c)は、図8の(b)の部分拡大図である。
実施形態2に係る基板5Bの製造方法を、図9を参照して説明する。図9の(a)〜(d)は、本発明の実施形態2に係る基板5Bの製造工程を説明する模式図である。
本発明の実施形態2の変形例について、図21に基づいて説明すれば、以下のとおりである。図21は本実施形態に係る基板5Bの変形例を説明する図であり、図21の(a)は、基板5Bの変形例の平面図、図21の(b)は、図21の(a)のG−G線矢視断面図、図21の(c)は、図21の(b)の部分拡大図である。
本発明の実施形態3について、図10〜図11に基づいて説明すれば、以下のとおりである。
実施形態3に係る基板5Cの構造を、図10を参照して説明する。図10の(a)は、本実施形態に係る基板5C(発光装置用基板)の平面図であり、図10の(b)は図10の(a)のC−C線矢視断面図である。また、図10の(c)は、図10の(b)の部分拡大図である。
実施形態3に係る基板5Bの製造方法を、図11を参照して説明する。図11の(a)〜(d)は、本発明の実施形態3に係る基板5Cの製造工程を説明する模式図である。
本発明の実施形態3の変形例について、図12に基づいて説明すれば、以下のとおりである。図12は本実施形態に係る基板5Cの変形例を説明する図であり、図12の(a)は、基板5Cの変形例の平面図、図12の(b)は、図12の(a)のE−E線矢視断面図、図12の(c)は、図12の(b)の部分拡大図である。
本発明の実施形態3の変形例2について、図22に基づいて説明すれば、以下のとおりである。図22は本実施形態に係る基板5Cの変形例2を説明する図であり、図22の(a)は、基板5Cの変形例2の平面図、図22の(b)は、図22の(a)のH−H線矢視断面図、図22の(c)は、図22の(b)の部分拡大図である。
本実施形態では、アルミニウム基体10と溶射により形成されたセラミックス層(中間層11)の密着性を改善について、図13〜図15に基づいて説明する。
本発明の実施形態4の変形例について、図24および図25に基づいて説明すれば、以下のとおりである。図24は本実施形態の図14に係る基板5Aの変形例の概略断面図であり、図25は本実施形態の図15に係る基板5Aの他の例の変形例の他の例の概略断面図である。
実施形態1から4に示した発光装置用基板に用いられる緩衝層250は金属あるいは合金に限定されるものではなく、代わりにシート状に加工した樹脂またはペースト状の樹脂などを用いて緩衝層250としてもよい。
本実施形態では、実施形態1にて説明した基板5Aを用いて作成した発光装置4を説明する。本実施形態は、実施形態1〜5に係る、基板5A、基板5B、および基板5Cに適応可能である。図16の(a)は、本実施形態に係る発光装置4の平面図を示し、図16の(b)は、図16の(a)のD−D線矢視断面図を示している。なお、図面では、簡略化のために便宜上発光素子6の数を大幅に省略して描いている。
実施形態1から6において、発光素子6がサファイア基板で形成されている場合、発光素子6とアルミニウム基体10の間に、溶射で形成した高品位で緻密なセラミックス層、例えばアルミナ層、を介在させることにより、発光素子6と線膨張係数の近いセラミックス層が緩衝層として働く。そのため、アルミニウム基体10の膨張収縮に起因する発光素子6の寿命低下は起こらない。したがって、温度サイクルの負荷がかかったとしても発光素子6の出力低下、すなわち、寿命の低下が生じない。
本発明の態様1に係る発光装置用基板(基板5A・5B)は、金属材料からなる基体(アルミニウム基体10)と、発光素子(6)との電気的接続をとるための電極パターン(20)と前記基体との間に、前記発光素子からの光を反射する第1セラミックスを含有して形成された第1絶縁層(反射層12)と、溶射により形成した第2セラミックスを含有して前記第1絶縁層の絶縁耐圧性能を補強する第2絶縁層(中間層11・保護層14)とを備えている。
2 ヒートシンク
4 発光装置
5A・5B・5C 基板(発光装置用基板)
6 発光素子
7 封止樹脂
8 枠体
10 アルミニウム基体(基体)
11 中間層(第2絶縁層)
12 反射層(第1絶縁層)
13 保護層(アルマイト層)
14 保護層(第2絶縁層)
15 絶縁反射層(絶縁層)
20 電極パターン
21a 正極コネクタ(コネクタ)
21b 負極コネクタ(コネクタ)
250 緩衝層
Claims (6)
- 金属材料からなる基体と、
発光素子との電気的接続をとるための電極パターンと前記基体との間に、前記発光素子からの光を反射する第1セラミックスを含有して形成された第1絶縁層と、
溶射により形成した第2セラミックスを含有して前記第1絶縁層の絶縁耐圧性能を補強する第2絶縁層と、を備えたことを特徴とする発光装置用基板。 - 前記基体と前記第2絶縁層との間に、前記基体よりも線膨張率の小さい物質からなる緩衝層が形成されている請求項1に記載の発光装置用基板。
- 前記第1絶縁層は、前記第1セラミックスとガラス質との混合層、または、前記第1セラミックスと樹脂との混合層であり、
前記第2絶縁層の熱伝導率が、前記第1絶縁層の熱伝導率よりも高い請求項1または2に記載の発光装置用基板。 - 前記第2絶縁層は、前記第1絶縁層と前記基体との間に形成されている請求項1または2に記載の発光装置用基板。
- 請求項1または2に記載の発光装置用基板と、
前記発光素子と、
前記発光素子を、前記電極パターンを介して外部配線または外部装置に接続するためのランドまたはコネクタと、
前記発光素子を囲むように形成された枠体と、
前記枠体により囲まれた発光素子を封止する封止樹脂とを備えたことを特徴とする発光装置。 - 請求項4に記載の発光装置用基板の製造方法であって、
前記基体の上に前記第2絶縁層を溶射により形成し、
前記第2絶縁層の上に前記第1絶縁層を形成し、
前記第1絶縁層の上に前記電極パターンを形成することを特徴とする発光装置用基板の製造方法。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013273287 | 2013-12-27 | ||
JP2013273287 | 2013-12-27 | ||
JP2014089620 | 2014-04-23 | ||
JP2014089620 | 2014-04-23 | ||
PCT/JP2014/079848 WO2015098322A1 (ja) | 2013-12-27 | 2014-11-11 | 発光装置用基板、発光装置、および、発光装置用基板の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2015098322A1 true JPWO2015098322A1 (ja) | 2017-03-23 |
JP6215357B2 JP6215357B2 (ja) | 2017-10-18 |
Family
ID=53478200
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015554660A Expired - Fee Related JP6215357B2 (ja) | 2013-12-27 | 2014-11-11 | 発光装置用基板、発光装置、および、発光装置用基板の製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10276765B2 (ja) |
JP (1) | JP6215357B2 (ja) |
CN (1) | CN105830241B (ja) |
WO (1) | WO2015098322A1 (ja) |
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- 2014-11-11 CN CN201480069824.2A patent/CN105830241B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2014-11-11 JP JP2015554660A patent/JP6215357B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2014-11-11 US US15/104,649 patent/US10276765B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2014-11-11 WO PCT/JP2014/079848 patent/WO2015098322A1/ja active Application Filing
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN105830241B (zh) | 2019-10-18 |
CN105830241A (zh) | 2016-08-03 |
JP6215357B2 (ja) | 2017-10-18 |
WO2015098322A1 (ja) | 2015-07-02 |
US20160315235A1 (en) | 2016-10-27 |
US10276765B2 (en) | 2019-04-30 |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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