JP6215357B2 - 発光装置用基板、発光装置、および、発光装置用基板の製造方法 - Google Patents
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Description
例えば、セラミックス基板は、板状のセラミックス基体に電極パターンを形成して作製される。発光装置の高出力化傾向に伴って、発光素子を基板上に多数並べて、明るさを向上させることが追及された結果、年々、セラミックス基板は大型化の一途をたどってきた。
また例えば、セラミックス基板での上記課題を克服する目的で、高出力発光装置に使用する基板として、熱伝導性の高い金属基体を使用する場合がある。ここで、金属基体上に発光素子を搭載するためには、発光素子と接続する電極パターンを形成するために金属基体上に絶縁層を設けなくてはならない。また、高出力発光装置用基板において光利用効率を向上させるためには、上記絶縁層は、高光反射性を有している必要がある。
実施形態1について、図1および図2に基づいて説明すれば、以下のとおりである。
実施形態1に係る基板5Aの構造を、図1を参照して説明する。図1の(a)は、本実施形態に係る基板5A(発光装置用基板)の平面図であり、図1の(b)は図1の(a)のA−A線矢視断面図である。また、図1の(c)は、図1の(b)の部分拡大図である。
アルミニウム基体10としては、例えば、縦50mm、横50mmおよび厚み3mmtのアルミニウム板を用いることができる。アルミニウム材料の長所として、軽量で加工性に優れ、熱伝導率が高いことが挙げられる。アルミニウム基体10には保護層13の形成のための陽極酸化処理を妨げない程度のアルミニウム以外の成分が含まれていてもよい。
保護層13はアルミニウムの陽極酸化皮膜(アルマイト)である。
反射層12は、発光素子6(図16参照)からの光を反射する光反射性セラミックス(第1セラミックス)を含有し、絶縁性を有している。このため、反射層12は、発光素子6(図16参照)からの光を反射させる。反射層12は、電極パターン20と中間層11との間、言い換えると、電極パターン20とアルミニウム基体10との間に形成される。反射層12は、ガラス系バインダー、または、耐光・耐熱性を備えた樹脂バインダーに混ぜたセラミックス粒子を、乾燥または焼成などにより当該バインダーを硬化させて、セラミックス粒子を含む絶縁性反射層として基板5Aの最外層に形成される。本実施形態では、反射層12は、光反射性セラミックスとガラス質との混合層である。反射層12は、光反射性セラミックスとしてジルコニアを含有し、ガラス系バインダーを用いて焼結などにより形成されている。
中間層11は、溶射によりアルミニウム基体10にセラミックス層(第2セラミックス)を積層することで形成され、絶縁性を有している。言い換えると、中間層11は、溶射により形成したセラミックスを含有する。また、上述したように、反射層12は光反射機能を確保できる必要最低限の厚みとするため、基板5Aとして必要な絶縁耐圧性が不足する場合が考えられる。そこで、中間層11は、その反射層12だけでは不足する絶縁耐圧性を補強する。
溶射(Thermal Spraying)とは、溶融あるいはそれに近い状態に加熱した溶射材料から得られる溶融粒子を、基体面に高速で衝突させ、上記溶融粒子を基体面に積層させる方法である。溶射材料は、粉末あるいは線材の形態で溶射装置に供給される。
高速フレーム溶射(HVOF:High Velocity Oxygen Fuel)では、例えば、溶射材料にアルミナを用いる場合、高い密着力を有する緻密なアルミナ層を形成できる。具体的には、気孔率は1%以下に抑えることができ、安定して高い絶縁耐圧性が実現できる。この方法で得られる層の膜厚は400μm程度が、現在のところ限界である。
プラズマ溶射では、アーク放電によりアルゴンなどの作動ガスを電離しプラズマを発生させる。このプラズマを用いて例えばセラミックス粒子などの高融点の溶射材料を加熱・溶融させ、ノズルから噴き出るプラズマ流に載せて溶融粒子を加速、基体に高速で衝突させることで、基体にセラミックス層を形成する。
フレーム溶射では、酸素と可燃ガスとの燃焼炎を用いて、例えばセラミックス粒子を溶融させたものを圧縮空気で基体に吹付け、衝突させることで、基体にセラミックス層を形成する。セラミックス層形成時の基体の温度上昇は最大でも100℃程度と低いが、気孔率は5%〜10%と高くなる。このため必要な絶縁耐圧性を確保するためには、高速フレーム溶射またはプラズマ溶射により形成したセラミックス層よりも層を厚く形成する必要がある。
次に、実施形態1に係る基板5Aの製造方法を、図2を参照して説明する。図2の(a)〜(d)は、本発明の実施形態1に係る基板5Aの製造工程を説明する模式断面図である。
ここで、本実施形態に係る基板5Aが、他の金属基体を有する基板と比べて、熱抵抗が低くなり、絶縁耐圧性も良くなる理由について、図3〜図7に基づいて以下に説明する。
次の3つの基板、基板5A、比較例1として金属基体を有する基板100A、および、比較例2として金属基体を有する基板100Bについて、それぞれの熱抵抗を具体的数値に基づき試算し比較する。基板5A、基板100Aおよび基板100Bは、発光素子6とアルミニウム基体10との間に配置される絶縁層の構造のみが異なる。上記比較を図3〜図5を用いて説明する。図3の(a)は基板5Aの一例の概略断面図を示し、図3の(b)は図3の(a)に示した各層に対する熱伝導率σth(W/(m・℃))と、層厚d(mm)と、熱抵抗Rth(℃/W)と、温度上昇ΔT(℃)と、を示している。図4の(a)は比較例1の基板100Aの概略断面図を示し、図4の(b)は図4の(a)に示した各層に対する熱伝導率σth(W/(m・℃))と、層厚d(mm)と、熱抵抗Rth(℃/W)と、温度上昇ΔT(℃)と、を示している。図5の(a)は比較例2の基板100Bの概略断面図を示し、図5の(b)は図5の(a)に示した各層に対する熱伝導率σth(W/(m・℃))と、層厚d(mm)と、熱抵抗Rth(℃/W)と、温度上昇ΔT(℃)と、を示している。
次に基板5A、基板100Aおよび基板100Bにおける熱抵抗および温度上昇の絶縁層厚み依存性を、図6および図7を用いて説明する。図6は、基板5A、基板100Aおよび基板100Bにおける熱抵抗の絶縁層厚み依存性を示すグラフである。図6の横軸は絶縁層厚(mm)を示し、縦軸は基板の熱抵抗(℃/W)を示す。図7は、基板5A、基板100Aおよび基板100Bにおける温度上昇の絶縁層厚み依存性を示すグラフである。図7の横軸は絶縁層厚(mm)を示し、縦軸は基板の温度上昇(℃)を示す。
(1)基板5Aでは、反射層12(σ1:1W/(m・℃))の厚さを50μmで固定し、中間層11(σ3:15W/(m・℃))の厚さを変化させる。(2)基板100Aでは、反射層30(σ1:1W/(m・℃))の厚さを50μm以上1000μm以下に変化させる。(3)基板100Bでは、反射層30(σ1:1W/(m・℃))の厚さを50μmで固定し、熱伝導層31(σ2:5W/(m・℃))の厚さを変化させる。
本発明の実施形態1の変形例について、図20に基づいて説明すれば、以下のとおりである。図20は本実施形態に係る基板5Aの変形例を説明する図であり、図20の(a)は、基板5Aの変形例の平面図、図20の(b)は、図20の(a)のF−F線矢視断面図、図20の(c)は、図20の(b)の部分拡大図である。
本発明の実施形態2について、図8〜図9に基づいて説明すれば、以下のとおりである。
実施形態2に係る基板5Bの構造を、図8を参照して説明する。図8の(a)は、本実施形態に係る基板5B(発光装置用基板)の平面図であり、図8の(b)は図8の(a)のB−B線矢視断面図である。また、図8の(c)は、図8の(b)の部分拡大図である。
実施形態2に係る基板5Bの製造方法を、図9を参照して説明する。図9の(a)〜(d)は、本発明の実施形態2に係る基板5Bの製造工程を説明する模式図である。
本発明の実施形態2の変形例について、図21に基づいて説明すれば、以下のとおりである。図21は本実施形態に係る基板5Bの変形例を説明する図であり、図21の(a)は、基板5Bの変形例の平面図、図21の(b)は、図21の(a)のG−G線矢視断面図、図21の(c)は、図21の(b)の部分拡大図である。
本発明の実施形態3について、図10〜図11に基づいて説明すれば、以下のとおりである。
実施形態3に係る基板5Cの構造を、図10を参照して説明する。図10の(a)は、本実施形態に係る基板5C(発光装置用基板)の平面図であり、図10の(b)は図10の(a)のC−C線矢視断面図である。また、図10の(c)は、図10の(b)の部分拡大図である。
実施形態3に係る基板5Bの製造方法を、図11を参照して説明する。図11の(a)〜(d)は、本発明の実施形態3に係る基板5Cの製造工程を説明する模式図である。
本発明の実施形態3の変形例について、図12に基づいて説明すれば、以下のとおりである。図12は本実施形態に係る基板5Cの変形例を説明する図であり、図12の(a)は、基板5Cの変形例の平面図、図12の(b)は、図12の(a)のE−E線矢視断面図、図12の(c)は、図12の(b)の部分拡大図である。
本発明の実施形態3の変形例2について、図22に基づいて説明すれば、以下のとおりである。図22は本実施形態に係る基板5Cの変形例2を説明する図であり、図22の(a)は、基板5Cの変形例2の平面図、図22の(b)は、図22の(a)のH−H線矢視断面図、図22の(c)は、図22の(b)の部分拡大図である。
本実施形態では、アルミニウム基体10と溶射により形成されたセラミックス層(中間層11)の密着性を改善について、図13〜図15に基づいて説明する。
本発明の実施形態4の変形例について、図24および図25に基づいて説明すれば、以下のとおりである。図24は本実施形態の図14に係る基板5Aの変形例の概略断面図であり、図25は本実施形態の図15に係る基板5Aの他の例の変形例の他の例の概略断面図である。
実施形態1から4に示した発光装置用基板に用いられる緩衝層250は金属あるいは合金に限定されるものではなく、代わりにシート状に加工した樹脂またはペースト状の樹脂などを用いて緩衝層250としてもよい。
本実施形態では、実施形態1にて説明した基板5Aを用いて作成した発光装置4を説明する。本実施形態は、実施形態1〜5に係る、基板5A、基板5B、および基板5Cに適応可能である。図16の(a)は、本実施形態に係る発光装置4の平面図を示し、図16の(b)は、図16の(a)のD−D線矢視断面図を示している。なお、図面では、簡略化のために便宜上発光素子6の数を大幅に省略して描いている。
実施形態1から6において、発光素子6がサファイア基板で形成されている場合、発光素子6とアルミニウム基体10の間に、溶射で形成した高品位で緻密なセラミックス層、例えばアルミナ層、を介在させることにより、発光素子6と線膨張係数の近いセラミックス層が緩衝層として働く。そのため、アルミニウム基体10の膨張収縮に起因する発光素子6の寿命低下は起こらない。したがって、温度サイクルの負荷がかかったとしても発光素子6の出力低下、すなわち、寿命の低下が生じない。
2 ヒートシンク
4 発光装置
5A・5B・5C 基板(発光装置用基板)
6 発光素子
7 封止樹脂
8 枠体
10 アルミニウム基体(基体)
11 中間層(第2絶縁層)
12 反射層(第1絶縁層)
13 保護層(アルマイト層)
14 保護層(第2絶縁層)
15 絶縁反射層(絶縁層)
20 電極パターン
21a 正極コネクタ(コネクタ)
21b 負極コネクタ(コネクタ)
250 緩衝層
Claims (14)
- 金属材料からなる基体と、
発光素子との電気的接続をとるための電極パターンと前記基体との間に、前記発光素子からの光を反射する第1セラミックスを含有して形成された第1絶縁層と、
溶射された第2セラミックスからなる前記第1絶縁層の絶縁耐圧性能を補強する第2絶縁層と、
前記第2絶縁層が前記基体の一部を被覆し、前記基体の残りの一部または全部を被覆する保護層と、を備えていることを特徴とする発光装置用基板。 - 前記基体と前記第2絶縁層との間に、前記基体よりも線膨張率の小さい物質からなる緩衝層が形成されている請求項1に記載の発光装置用基板。
- 前記第1絶縁層は、前記第1セラミックスとガラス質との混合層、または、前記第1セラミックスと樹脂との混合層であり、
前記第2絶縁層の熱伝導率が、前記第1絶縁層の熱伝導率よりも高い請求項1または2に記載の発光装置用基板。 - 前記第2絶縁層は、前記第1絶縁層と前記基体との間に形成されている請求項1または2に記載の発光装置用基板。
- 前記第2絶縁層の厚みは、50μm以上500μm以下であり、前記第1絶縁層の厚みは、10μm以上100μm以下である請求項4に記載の発光装置用基板。
- 前記第2絶縁層は、アルミナ層を含み、
前記第1絶縁層は、ジルコニア粒子、酸化チタン粒子、アルミナ粒子、あるいは窒化アルミニウム粒子のいずれかをガラス質により覆って形成されている請求項1に記載の発光装置用基板。 - 前記第2絶縁層は、アルミナ層を含み、
前記第1絶縁層は、ジルコニア粒子、酸化チタン粒子、アルミナ粒子、あるいは窒化アルミニウム粒子のいずれかを含有する樹脂を含み、前記樹脂は、シリコーン樹脂、フッ素樹脂または、エポキシ樹脂である請求項1に記載の発光装置用基板。 - 前記基体は、アルミニウム材料を含み、
前記保護層はアルマイト層であることを特徴とする請求項1に記載の発光装置用基板。 - 金属材料からなる基体と、
溶射されたセラミックスと、前記セラミックスと同時に溶射され、前記セラミックスの白色度を向上させるための白色の無機材料とを含有して、発光素子との電気的接続をとるための電極パターンと前記基体との間に形成された絶縁層と、を備えていることを特徴とする発光装置用基板。 - 前記基体と前記絶縁層との間に、前記基体よりも線膨張率の小さい物質からなる緩衝層が形成されている請求項9に記載の発光装置用基板。
- 前記絶縁層は前記基体の一部を被覆し、前記基体の残りの一部または全部を被覆する保護層をさらに備えていることを特徴とする請求項9に記載の発光装置用基板。
- 前記基体は、アルミニウム材料を含み、
前記保護層はアルマイト層であることを特徴とする請求項11に記載の発光装置用基板。 - 請求項1または9に記載の発光装置用基板と、
前記発光素子と、
前記発光素子を、前記電極パターンを介して外部配線または外部装置に接続するためのランドまたはコネクタと、
前記発光素子を囲むように形成された枠体と、
前記枠体により囲まれた発光素子を封止する封止樹脂とを備えたことを特徴とする発光装置。 - 金属材料からなる基体を備えた発光装置用基板の製造方法であって、
前記基体の一部を被覆するように絶縁層を溶射により形成し、
前記絶縁層の上に発光素子からの光を反射するセラミックスを含有する絶縁層をさらに形成し、
前記基体の残りの一部または全部を被覆するように保護膜を形成し、
前記発光素子からの光を反射するセラミックスを含有する絶縁層の上に前記発光素子との電気的接続をとるための電極パターンを形成することを特徴とする発光装置用基板の製造方法。
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