JP2008085036A - 表面実装型発光素子用配線基板ならびに発光装置 - Google Patents

表面実装型発光素子用配線基板ならびに発光装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2008085036A
JP2008085036A JP2006262420A JP2006262420A JP2008085036A JP 2008085036 A JP2008085036 A JP 2008085036A JP 2006262420 A JP2006262420 A JP 2006262420A JP 2006262420 A JP2006262420 A JP 2006262420A JP 2008085036 A JP2008085036 A JP 2008085036A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
emitting element
light emitting
light
metal
wiring
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2006262420A
Other languages
English (en)
Inventor
Minako Izumi
美奈子 泉
Hidehiro Arikawa
秀洋 有川
Tomohide Hasegawa
智英 長谷川
Yasuhiro Sasaki
康博 佐々木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kyocera Corp
Original Assignee
Kyocera Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kyocera Corp filed Critical Kyocera Corp
Priority to JP2006262420A priority Critical patent/JP2008085036A/ja
Publication of JP2008085036A publication Critical patent/JP2008085036A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/1517Multilayer substrate
    • H01L2924/15172Fan-out arrangement of the internal vias
    • H01L2924/15174Fan-out arrangement of the internal vias in different layers of the multilayer substrate

Landscapes

  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

【課題】熱放散性に優れ、低コストで製造可能な表面実装型発光素子用配線基板並びに発光装置を提供する。
【解決手段】上面に発光素子を搭載する搭載部11を備えるとともに、側方に向けて張出部12bを備えた突起部12が一方の主面の一部に形成された焼結金属からなる平板状の金属基体1と、前記金属基体1を貫通するセラミックスからなる貫通絶縁体3と、前記金属基体1と電気的に絶縁された、前記貫通絶縁体3の内側を貫通する貫通導体5と、該貫通導体5と電気的に接続されるとともに、前記金属基体1と絶縁され、前記搭載部11の周囲に設けられた配線7と、前記搭載部11と前記配線7とを取り囲むように形成された焼結金属からなる反射部9とを備え、前記金属基体1と前記貫通絶縁体3と前記貫通導体5と前記配線7と前記反射部9とが同時焼成されてなることを特徴とする。
【選択図】図1

Description

本発明は、例えば、発光ダイオード等の発光素子を搭載するための表面実装型発光素子用配線基板ならびに発光装置に関する。
従来、LEDを用いた発光装置は、非常に発光効率が高く、しかも、白熱電球などと比較すると発光に伴い発生する熱量が小さいために様々な用途に用いられてきた。しかしながら、白熱電球や蛍光灯などよりも発光量が小さいために、照明用ではなく、表示用の光源として用いられ、通電量も30mA程度と非常に小さいものであった(例えば特許文献1を参照。)。
そして、近年では、発光素子を用いた発光装置の高輝度、白色化に伴い、携帯電話や大型液晶TV等のバックライトに発光装置が多く用いられてきている。しかしながら、発光素子の輝度が向上するとともに、発光装置から発生する熱も増加している。
そのため、発光素子を樹脂で覆った形態の発光装置においては、樹脂が光や熱で劣化し、樹脂が剥離したり脱落したりするなどの課題がある。
樹脂が剥離や脱落、発光素子の輝度の低下を防止するためには、このような熱を素子より速やかに放散する、高い熱放散性を有する発光素子用配線基板が必要となっている(例えば特許文献2、3を参照。)。
そして、発光素子用配線基板の放熱性を改善する手段として、発光素子用配線基板に放熱穴を形成するとともに、発光素子が形成される側の放熱穴を覆う補助セラミックシートを設け、この補助セラミックシートに発光素子を搭載することが提案されている。また、この手法では、放熱穴に導体ペーストを充填することも提案されている(例えば特許文献4を参照)。
また、発光素子用配線基板においては、発光素子からの光を有効に利用するために発光素子を取り囲むように反射部を設けること提案されている。この反射部は例えば金属により形成されるもので発光素子用配線基板とは別途作製され、発光素子用配線基板に接着剤などを用いて取り付けられている(例えば特許文献5を参照。)。
特開2002−134790号公報 特開平11−112025号公報 特開2003−347600号公報 特許3469890号公報 特開2004−335518号広報
しかしながら、特許文献4に記載の方法では、放熱穴を形成した場合においても放熱穴の内部は熱伝導性の悪い空気が存在するのみで、放熱性を格段に向上させることは望めない。
また、引用文献5に記載された反射部を設けた場合でも、光の有効利用はできるものの、基体平面部に発光素子を搭載する搭載部を設けている為、発光素子からの光の取り出し効率が十分でないという問題があった。また、別途作製した反射部を取り付ける工程が必要であることから、高価となり、しかも熱伝導性の高い金属性の反射部を用いているにもかかわらず、他の大部分が樹脂やセラミックにより形成されているため、熱が反射部にまで到達しにくく、放熱性の向上にはほとんど寄与していなかった。
従って本発明は、安価で熱放散性に優れ光の取り出し効率を高くすることができる表面実装型発光素子用配線基板ならびに発光装置を提供することを目的とする。また、発光素子を覆う樹脂の剥離や脱落を抑制することを改善することを目的とする。
本発明の表面実装型発光素子用配線基板は、上面に発光素子を搭載する搭載部を備えるとともに、側方に向けて張出部を備えた突起部が一方の主面の一部に形成された焼結金属からなる平板状の金属基体と、前記金属基体を貫通するセラミックスからなる貫通絶縁体と、前記金属基体と電気的に絶縁された、前記貫通絶縁体の内側を貫通する貫通導体と、該貫通導体と電気的に接続されるとともに、前記金属基体と絶縁され、前記搭載部の周囲に設けられた配線と、前記搭載部と前記配線とを取り囲むように形成された焼結金属からなる反射部とを備え、前記金属基体と前記貫通絶縁体と前記貫通導体と前記配線と前記反射部とが同時焼成されてなることを特徴とする。
また、本発明の表面実装型発光素子用配線基板は、前記張出部が上方に向かって小さくなっていることが望ましい。
本発明の発光装置は、以上説明した表面実装型発光素子用配線基板の前記搭載部に発光素子が搭載され、該発光素子および前記突起部を樹脂が覆っていることを特徴とする。
本発明の表面実装型発光素子用配線基板は、基体を焼結金属で形成することにより、樹脂モールド基板やアルミナなどのセラミック基板などよりも高い熱伝導率を有し、発光素子から発生する熱を基体全体から効率良く、速やかに系外へ放散することができ、発光素子が過剰に加熱されることを防止できる。
さらに、金属基体の主面の突起部の側方に張出部を設けることで、発光素子および突起部を樹脂で覆った場合には、この張出部が樹脂を物理的に係止するため、樹脂の剥離や脱落を抑制することができる。
そのため輝度低下防止あるいは、さらなる高輝度化が可能となり、しかも長寿命化が達成される。
また、張出部を上方に向かって小さくすることで突起部の側面が傾斜し、この突起部の側面が光を基板とは逆側に誘導することができるので、柱状に形成される素子搭載部に比べて光の取り出し効率の高い表面実装型発光素子用配線基板が実現される。
以上説明した本発明の表面実装型発光素子用配線基板に発光素子を搭載し、発光素子および突起部を樹脂で覆った本発明の発光装置によれば、発光素子からの発熱を速やかに装置外に放出することができるため、発熱による輝度低下を抑制できる。また、樹脂の剥離や脱落を抑制できるため、寿命の長い発光装置となる。
本発明の表面実装型発光素子用配線基板は、例えば、図1(a)に示すように、焼結金属により形成された金属基体1と、この金属基体1を貫通して設けられた貫通絶縁体3と、この貫通絶縁体3を貫通して金属基体1と絶縁されるように設けられた貫通導体5と、この貫通導体5の端面と電気的に接続され、金属基体1と絶縁された配線7と、この配線7を取り囲むように設けられ、焼結金属により形成された反射部9とを備えている。
配線7は、配線7が形成された側の金属基体1の主面に搭載される発光素子の搭載部11の周囲に配置されている。言い換えると、反射部9は搭載部11と配線7とを取り囲むように配置されている。
この金属基体1の一方の主面1aの一部は突起状に形成されて突起部12が設けられている。この突起部12の上面12aを搭載部11とすることで、搭載部11に搭載される発光素子から発せられる光のうち、発光素子の側面から出力される光の利用効率が向上するため発光効率を向上させることができる。
また、この突起部12には側方に張り出した張出部12bが設けられており、これにより、発光素子および突起部12を樹脂で覆った場合に、張出部12bが樹脂を物理的に係止することができ、樹脂の剥離や脱落を抑制することができる。
また、搭載面11に搭載される発光素子は、金属基体1と反対側の光の取り出し方向に光を放射するだけでなく、発光素子の側面からも光を放射する。従って、突起部12の上面に搭載部11を設けることで発光素子の側面から出た光が直接反射部9に反射する割合が増加し、反射による光の損失を抑制することができるため、光の取り出し効率の高い表面実装型発光素子用配線基板が実現される。
また、金属基体1に、貫通絶縁体3を貫通して金属基体1と絶縁されるように設けられた貫通導体5を設けることで、多層化が可能となり複雑な配線設計への対応や表面実装型発光素子用配線基板の小型化が可能となる。すなわち、金属基体1を用いた場合であっても、金属基体1の上下面で電気的に接続された配線回路を容易に形成することができるため、表面実装を可能とすることができるのである。
また、張出部12を上方に向かって小さくする、言い換えると、上方からみた突起部12の断面積が上方で小さくなるように形成させて突起部12の側面12cの少なくとも一部を傾斜させることが望ましい。すなわち、突起部12の側面12cにおいて裾状に広がっている部分があることが望ましい。また、他の表現をすると、この突起部12は上方に突出するにつれて小さくなることが望ましい。上方に突出するとは、具体的には金属基体1の厚み方向の主面1aを含む仮想一平面から突出することを意味する。
なお、突起部12は金属基体1と一体的に形成されていてもよく、金属基体1の表面に金属基体1とは異なる材質からなる突起部12が配置されていても良い。例えば、突起部12は四角錐台状に形成され、主面1aから突出するにつれて先細状に形成される。また、上面12aは正方形となるように形成され、各辺が反射部9の各辺とそれぞれ平行に形成される。このような形態とすることで、搭載部11に搭載される発光素子から発せられる光のうち、金属基体1側に入射する光を突起部12の側面12cから反射部9の内壁面9aに垂直に反射させることができ、またあるいは金属基体1と逆側、言い換えると表面実装型発光素子用配線基板13の開口部側に光を誘導できるため、発光効率を向上させることができる。
また、突起部12の高さを反射部9の高さよりも低くすることで、突起部12を反射部9内に収められるので、表面実装型発光素子用配線基板13の取り扱い性が向上する。また、表面実装型発光素子用配線基板13に搭載される発光素子の上面よりも反射部9の高さを大きくした場合には発光素子を保護することもできる。
そして、本発明の表面実装型発光素子用配線基板13においては、これらの金属基体1と貫通絶縁体3と貫通導体5と配線7と反射部9とが同時焼成されている。
本発明の表面実装型発光素子用配線基板13によれば、金属基体1ならびに反射部9の材料として焼結金属を用いるとともに、金属基体1を貫通するように貫通絶縁体3および貫通導体5を設けることが重要である。即ち、金属基体1ならびに反射部9の材料として焼結金属を用いることにより、樹脂モールド基板やセラミック基板よりも高い放熱性を確保し、発光素子から発生する熱を表面実装型発光素子用配線基板13全体から効率よく放出することができる。
また、金属基体1に貫通絶縁体3および貫通導体5を設けることにより、表面実装型発光素子用配線基板13の多層化、配線設計の多様化、小型化が可能となる。そして、金属基体1に焼結金属からなる反射部9を設けることで発光素子から生じる光を反射させて、光の取り出し効率を向上させるとともに、発光素子から発生した熱を放散し、表面実装型発光素子用配線基板13の放熱性を向上させることができる。
また、金属基体1および反射部9を焼結金属により形成することで、金属基体1と、貫通絶縁体3と貫通導体5と配線7および反射部9とを同時焼成にて作製することができるため、部材の数や工程数を削減することができ、コストを低減することができる。
また、金属基体1からだけでなく反射部9からも発光素子が生じる熱を放散することができる。そして反射部9によって発光素子を保護できるとともに、発光素子の周辺に蛍光体などを容易に配置することができる。また、反射部9により発光素子が発する光を反射させて光の取り出し効率を増加させ、高輝度化を実現することができる。
また、図1(b)に示すように、金属基体1と貫通絶縁体3との境界は、クラックの発生や隙間の発生が起こりやすいことから、被覆絶縁層15で覆うことが望ましい。なお、この被覆絶縁層15は貫通導体5を露出させて配線7と接続させるため、例えばリング状に形成されている。この被覆絶縁層15は貫通絶縁体3との接合性を考慮すれば、貫通絶縁体3と同様の組成物で作製することが望ましい。
また、前記金属基体1の搭載部11が形成された側の主面1aに金属めっき(図示せず)が施されていることが望ましい。また、反射部11の内壁面9aにも金属めっき(図示せず)が施されていることが望ましい。これにより、発光素子から出た光が金属めっきによく反射され、発光装置の取り出し効率を向上させることができる。本発明では、金属めっきを施す面が焼結金属で形成されているため、樹脂モールド基板やセラミック基板のようにめっき形成部位への金属層の転写や印刷等を行う必要がなく、工程を簡略化することができる。
この金属めっきは、反射率の点からAgめっきとすることが望ましく、安価である点ではNiメッキが望ましい。
さらに、金属基体1の熱伝導率が、150W/(m・K)以上であることが望ましい。これにより、良好な放熱性を実現することができ、発光素子から生じる熱を速やかに放散することができる。
そして、前記金属基体1が、W、MoおよびCuのうち、少なくとも1種を主成分とすることが望ましい。WおよびMoは高融点金属であるため1300〜1600℃程度の高温焼成セラミックスと同時焼成することができる。さらに、熱膨張率が絶縁層を形成するセラミックスに近いため信頼性の高い表面実装型発光素子用配線基板を作製することができる。また、Cuは熱伝導率が高く、特に放熱性に優れている。また、例えば、貫通絶縁体3としていわゆるガラスセラミックスを用いて、Cuの含有率を高めた場合には、1000℃程度の低い温度で表面実装型発光素子用配線基板13を焼成することもできる。
また、これらの金属を組み合わせることにより、所望の熱伝導率や熱膨張率をもつ金属基体1を形成することができる。
また、反射部9は、金属基体1と同じ主成分からなることが望ましい。これにより金属基体9と金属基体1との間で合金が形成されるなどして、緻密化の挙動が乱れたりするなどの不具合の発生を抑制することができる。
また、反射部9が、金属基体1と同じ組成からなることが望ましい。これにより金属基体1と反射部9の同時焼成による変形を抑制することができ、高寸法精度の表面実装型発光素子用配線基板13を容易に得ることができる。
また、貫通導体5や配線7が、W、Mo、CuおよびAgのうち少なくとも1種を主成分とすることが望ましい。これにより電気抵抗の低い貫通導体5や配線7を形成できる為、優れた電気特性を有する表面実装型発光素子用配線基板13を得ることができる。
また、他にも多少高価ではあるが、金属基体1や貫通導体5および配線7としてAl、Ag、AuおよびPtなどの金属を用いることができるのは言うまでもない。
また、貫通絶縁体3ならびに被覆絶縁層15が、アルミナ、ムライト、ジルコニア、マグネシア、カルシア、窒化アルミニウム、窒化珪素、そしてガラスセラミックスのうち、少なくとも1種を主成分とすることが望ましい。絶縁性の優れたこれらの材料を用いることにより、貫通絶縁体3ならびに被覆絶縁層15が薄くても貫通導体5や配線7が金属基体1と充分に絶縁をとることが可能となり、貫通絶縁体3ならびに被覆絶縁層15を高密度で形成する事ができ、さらに金属基体1との同時焼成も容易となる。
なお、本発明の表面実装型発光素子用配線基板13においては、表面実装型発光素子用配線基板13の搭載部11が設けられた側の主面1aと逆側の主面1bには、外部配線基板との接続端子17が設けられており、被覆絶縁層15が設けられていることが望ましい。
また、例えば図2に示すように、金属基体1は多層であってもよく、反射部9の内壁面9aには傾斜が設けられていてもよいことはいうまでもない。
そして、例えば図2に示すように表面実装型発光素子用配線基板13の内部で平面方向に回路が延設されていてもよい。この場合は表面実装型発光素子用配線基板13の内部に平面方向に延設された内部配線19は金属基体1と絶縁する必要があるため、貫通導体1との接続部を除いた周囲を内部絶縁層20で取り囲むことが重要である。この内部絶縁層20は貫通絶縁体3と同様の組成とすることが望ましい。また、内部配線19は貫通金属体5や配線7と同様の組成とすることが望ましい。
そして、例えば図2に示すように、以上説明した本発明の表面実装型発光素子用配線基板13の搭載部11に金属や樹脂からなる接続層21を介して発光素子23を搭載し、この発光素子23の端子(図示せず)と、配線7とをワイヤ25で接続し、発光素子23と配線7やワイヤ25をモールド材などの透光性の樹脂27等で覆うことで、本発明の発光装置29となる。
そして、図2からも明らかなように樹脂27は、突起部12の張出部12bにより表面実装型発光素子用配線基板13に係止されており、樹脂27の剥離や脱落が起こりにくくなっている。
この発光素子23に給電することにより、発光素子23の放射する光を金属基体1や反射部9に反射させ、光の取り出し効率を高めることができるため、高効率の発光装置29となる。また、金属基体1並びに反射部9の熱伝導率が高いため、発光素子23からの発熱を速やかに放出することができ、発熱による輝度低下を抑制でき、また、発光素子23を反射部9内に搭載することにより保護することもできる。
なお、図2に示した例では、発光素子23は、接続層21により表面実装型発光素子用配線基板13に固定され、電力の供給はワイヤ25によりなされているが、表面実装型発光素子用配線基板13との接続形態は、フリップチップ接続であってもよいことはいうまでもない。
また、発光素子23は、モールド材27により被覆されているが、モールド材27を用いずに、蓋体(図示せず)を用いて封止してもよく、また、モールド材27と蓋体とを併用してもよい。蓋体を用いる場合であって、発光素子23を用いる場合には蓋体は、ガラスなどの透光性の素材を用いることが望ましい。
なお、発光素子23を搭載する場合には、必要に応じて、このモールド材27に発光素子23が放射する光を波長変換するための蛍光体(図示せず)を含有させてもよい。
また、発光素子23の熱を金属基体1に効率よく伝達するという観点から、接続層21として半田、インジウム、AuSn合金などの金属を用いることが望ましい。
なお、本発明においてもヒートシンクを設けることで、更に放熱性が向上することはもちろんであり、例えば、ヒートシンクのような冷却装置を設けることを排除するものではない。
以上説明した本発明の表面実装型発光素子用配線基板13に発光素子23を搭載した本発明の発光装置によれば、発光素子23からの発熱を速やかに装置外に放出することができるため、発熱による輝度低下を抑制できる。
次に、本発明における表面実装型発光素子用配線基板13の製造方法について、図3を用いて具体的に説明する。
まず、以下に説明するように焼成することによって金属基体1となる金属シート40と貫通絶縁体3となるセラミックグリーンシート43および貫通金属体5となる導体ペースト45を作製する。また、必要に応じセラミックペースト46を作製する。
金属シート40は、金属粉末と樹脂と溶剤とを所定の割合で混合して調整した金属スラリーから、従来周知のドクターブレード法などによりシート上に形成される。なお、金属スラリーには必要に応じてセラミック粉末を含有させてもよい。
また、セラミックグリーンシート43も、セラミック粉末、樹脂および溶剤などから形成されるセラミックスラリーからドクターブレード法などによりシート状に形成される。
金属シート40並びにセラミックグリーンシート43に用いるセラミック粉末、金属粉末の粒径は平均粒径で0.01〜10μm程度のものが好適に用いられ、特に、1〜5μmの範囲の粉末が取り扱いや焼結性に優れている。
また、望ましくはW、Mo、CuおよびAgのうち少なくとも1種を主成分とする導体ペースト45を作製する。金属粉末、樹脂および溶剤を所定の割合で混合し、溶剤を減圧過熱等によって除くことにより作製される。また、導体ペーストには必要に応じてセラミック粉末を含有させてもよい。
そして、セラミックペーストはセラミック粉末、樹脂および溶剤を混合し、溶剤を除くことによって作製される。
導体ペーストおよびセラミックペーストに用いる金属粉末、セラミック粉末の粒径は平均粒径で0.01〜10μm程度のものが好適に用いられ、特に、1〜5μmの範囲の粉末が取り扱いや焼結性に優れている。
まず、図3(a)に示すように、例えばセラミックグリーンシート43にマイクロドリル、レーザー等により直径50〜250μmのビアホール47を形成し、図3(b)に示すように、このビアホール47に導体ペースト45を印刷等により埋め込んで貫通導体成形体45aを形成し、導体埋め込みシート49を作製する。
また、図3(c)に示すように、打ち抜き穴51を具備する金型53の上面に、金属シート40を配置し、図3(d)に示すように、押し金型55で金属シート40を打ち抜く。
さらに図4(e)に示すように打ち抜いた金属シート40の上に、予めセラミックグリーンシート43に導体ペースト45を埋め込んでおいた導体埋め込みシート49を配置し、図4(f)に示すように、押し金型55で導体埋め込みシート49を打ち抜くと同時に、導体埋め込みシート49の一部を金属シート40に形成された穴に挿入する。そして、金属シート40と導体埋め込みシート49の不要な部分を除去することにより、図4(g)に示すような焼成後に貫通導体5や貫通絶縁体3および金属基体1となる複合成形体57を作製することができる。なお、金属シート40とセラミックグリーンシート43は略同一厚みであることが望ましい。
そして、例えば、図4(h)に示すように、この複合成形体57の表面に金属シート40と接触しないように、また、貫通導体成形体45aの端面を覆うように導体ペーストを印刷等により形成することで、焼成後に配線7となる配線成形体59を形成することができる。また、導体ペーストによって形成された配線成形体59は、例えば焼成後に接続端子17や内部配線19とすることもできることはいうまでもない。
この配線成形体59は貫通絶縁体3と貫通導体5との境界にクラックや隙間が発生することを抑制するために、セラミックグリーンシート43と貫通導体成形体45aとの境界を覆うように形成することが望ましい。
また、例えば、配線成形体59を形成する前に、図5(a)に示すように図4(g)で作製した複合成形体57の表面にセラミックペーストを塗布して、焼成後に被覆絶縁層15となる被覆絶縁層成形体61を、貫通導体成形体45aを露出させるとともに金属シート40とセラミックグリーンシート43との境界を覆うように形成することが望ましい。これにより、金属基体1と貫通絶縁体3との境界にクラックや隙間が発生することを抑制することができる。なお、貫通導体成形体45aを露出させるためには、被覆絶縁層成形体61をリング状あるいはドーナツ状に形成すればよい。
そして、さらに図5(b)に示すように、貫通導体成形体45aと接続させ、金属シート40と接続しないように配線成形体59を形成することで、被覆絶縁層成形体61と配線成形体59とを備えた複合成形体57を作製することができる。
なお、例えば配線成形体59や被覆絶縁層成形体61を備えた複数の複合成形体57を積層した場合には配線成形体59は焼成後に内層配線19となる場合があり、また、被覆絶縁層成形体61は焼成後に内部絶縁層20となる場合がある。
次に、突起部12の形成方法について説明する。まず、図6(a)に示すように、先に作製していた複合成形体57の上に、打ち抜き穴を備えた金型53と金属シート40とを配置し、図6(b)に示すように、金属シート40を押し金型55で金属シート40を打ち抜くとともに、打ち抜かれた金属シート40を複合成形体57の主面に押し当てた後、金型を取り除くことで、図6(c)に示すように、複合成形体57の主面に突起部63の一部となる突起部成形体63aを形成する。
さらに、図7(a)に示すように、先に作製した突起部成形体63aの上に、先ほど用いた金型53よりも打ち抜き穴径が大きな金型53と金属シート40を配置する。次に、図7(b)に示すように、穴径よりも小さな押し金型55で金属シート40を打ち抜くとともに、打ち抜かれた金属シート40を先に作製した突起部成形体63aの上に押し当てた後、金型を取り除くことで、図7(c)に示すように、突起部63の一部となる突起部成形体63aの上にさらに突起部63の一部となる突起部成形体63bを形成する。
そして、この突起部成形体63bの側方に張り出した部分が、焼成後に突起部12の張り出し部12bとなるのである。
このように、金型53の打ち抜き穴の内径と押し金型55の外形との比率を変化させることにより突起部12の角度を任意に設定でき、例えば押し金型55の外径よりも金型53の打ち抜き穴の内径を0.05〜1mm程度大きくすることが望ましい。
以下に反射部9の形成方法について説明する。まず、図8(a)に示すように、金属シート40に貫通孔71を形成し、焼成後に反射部11となる反射部成形体71を作製し、図8(b)に示すように、この反射部成形体73と図7(c)に示す突起部成形体63を備えた複合成形体57とを積層し、焼成することで本発明の表面実装型発光素子用配線基板13を容易に作製することができる。
なお、図3〜図7で示した図は貫通導体5を形成する部分の要部拡大図であり、図3〜図7で示した貫通導体成形体45aは金属シート40に複数形成してもよいことはいうまでもない。
なお、反射部9の表面9aは、図1(a)に示すように金属基体に対して垂直に配設されていてもよいし、図2のように傾斜を有するように配設されてもよい。反射部表面9aが垂直な反射部9は、通常の金型で打ち抜いて作製すればよく、また、反射部表面9aが傾斜を有する反射部9は、例えばパンチの外径よりもダイスの内径が0.05〜1mm程度大きな打ち抜き金型を用いて金属シート40を打ち抜き加工して作製することができる。
なお、貫通絶縁体3や貫通導体5の形状は、四角や角柱形状でも良いし、その他円形あるいは円柱形状など所望の形状にすることが可能である。
また、配線成形体59は、薄膜法により形成したり、金属箔を成形体の表面に転写するなどして形成できることはいうまでもない。
純度99%以上、平均粒径2.0μmのW、Mo、およびCuを表1に示す割合で混合し、さらに成形用有機樹脂(バインダ)としてアクリル系バインダと、トルエンを溶媒として添加し、金属シートとなるスラリーを調整した。しかる後に、ドクターブレード法にて金属シートを作製した。
また、純度99%以上、平均粒子径2μmのW粉末70質量%および純度99%以上、平均粒子径2μmのCu粉末30質量%にアクリル系バインダおよび溶媒としてアセトンを混合したのち、減圧過熱によりアセトンを取り除いて導体ペーストを作製した。
また、原料粉末として純度99%以上、平均粒径が1.5μmのAl粉末を90質量%と、純度99%以上、平均粒子径1.3μmのMn粉末を5質量%と、純度99%以上、平均粒径1.0μmのSiO粉末を5質量%の割合で混合して、金属シートと同様に、アクリル系バインダとトルエンを混合し、スラリーを調整した。しかる後に、ドクターブレード法にてAlを主成分とし、金属シートと略同一厚みのセラミックグリーンシートを作製した。
また、セラミックグリーンシートと同様の比率でAl粉末とMn粉末とSiO粉末とを混合し、これにアクリル系バインダおよびアセトンを添加し、その後減圧過熱することにより溶剤を除き、セラミックペーストを作製した。
次に、上記のセラミックグリーンシートに対して、打ち抜き加工を施し、直径が200μmのビアホールを形成し、このビアホール内に、導体ペーストをスクリーン印刷法によって充填し、導体埋め込みシートを作製した。
そして、金属シートの所定箇所に貫通孔を形成し、金属シートにおける貫通孔形成部分を導体埋め込みシートから押圧することによって、導体埋め込みシートの一部を貫通孔内に嵌め込み、金属シートと導体埋め込みシートとを一体化し、複合成形体を形成した。
そして、セラミックペーストを用いてスクリーン印刷により複合成形体の主面側、および対向面側に、金属シートとセラミックグリーンシートとの境界を覆うように被覆絶縁層成形体をリング状に形成した。なお、このとき複合成形体に設けられたビアホールに充填された貫通導体となる導体ペーストが露出するようにした。さらに、貫通導体成形体を覆うように、被覆絶縁層成形体上に、導体ペーストを印刷塗布し、焼成後に配線および接続端子となるように配線成形体を形成した。
このようにして被覆絶縁層成形体および配線成形体を備えた複合成形体を組み合わせ、位置合わせし、積層圧着して積層体を作製した。
さらに、パンチの外径よりもダイスの内径が大きな打ち抜き金型を用いて金属シートに傾斜を有する貫通孔を形成した。これを金属基体の主面上に位置するように積層体上に積層して焼成後に反射部となる金属シートを形成した。これにより、焼成後の寸法が5mm×5mm×1mmとなる表面実装型発光素子用配線基板の成形体を得た。なお、表面実装型発光素子用配線基板のうち、反射部は外形5mm×5mm×0.4mm、搭載部11側の内径φ3.0mm、逆側の内径3.2mmである。
また、金属シートにより突起部成形体を形成して、焼成後に図1(a)に示すような側方に張り出し部を備えた突起部を作製した。なお、作製した突起部は、図10に示すように焼成後の全体の厚みが0.2mmで張出部のある上部と下部から構成したものである。上面と下面はいずれも1.4mm角で張出部の上から見た最大の断面は1.8mm角とした。
そして、露点+25℃の窒素水素混合雰囲気にて脱脂を行った後、引き続き、露点+25℃の窒素水素混合雰囲気にて1300℃の最高温度で2時間焼成した。
こうして、図1に示すような表面実装型発光素子用配線基板を作製した。なお、本実施例においては、いずれも3層の金属シートの積層体により、表面実装型発光素子用配線基板を作製し、これらの金属シートのうち一層を反射部とした。
また、比較例として基体がセラミックスからなる試料を以下のようにして作製した。上記のセラミックグリーンシートに対して、打ち抜き加工を施し、直径が200μmのビアホールを形成し、このビアホール内に、導体ペーストをスクリーン印刷法によって充填するとともに、配線パターン状に印刷塗布した。次いで、金属層となる導体ペーストを塗布されたセラミックシートを組み合わせ、位置合わせし、積層圧着し、焼成後に外形5mm×5mm×厚み0.6mmとなる積層体を作製した。
そして、反射部をセラミックグリーンシートにより形成する試料については、絶縁基体と反射部とをセラミックシートにて一体物として形成した。その後、露点+25℃の窒素水素混合雰囲気にて脱脂を行った後、引き続き、露点+25℃の窒素水素混合雰囲気にて1300℃の最高温度で2時間焼成した。
また、金属製の反射部としては、Al製の金属枠体を用いた。接続端子並びに外部電極端子を形成する導体ペーストを用いて、絶縁基体の搭載部側の反射部が搭載される部分に金属層を形成したのち、共晶Ag−Cuのロウ材を用いて、850℃の条件で、反射部を絶縁基体に接合して作製した。
その後、接続端子並びに外部電極端子の表面にNi、AuおよびAgめっきを順次施した。
これらの表面実装型発光素子用配線基板に接着剤として半田を用いて出力1.5Wの発光素子である1mm角のLED素子を搭載部に実装し、ボンディングワイヤによりLED素子と接続端子とを結線し、さらに、LED素子と接続端子とをエポキシ樹脂からなるモールド材で覆い、発光装置を得た。
得られた発光装置に0.4Aの電流を通電し、全放射束測定を行った。
また、金属基体および絶縁基体の熱伝導率は、それぞれを個別に形成した試料を用いてレーザーフラッシュ法により測定した。
以上の工程により作製した表面実装型発光素子用配線基板の特性と、試験結果を表2に示す。
得られた本発明の発光装置ならびに比較例の発光装置に対して、−40℃〜125℃の温度サイクル試験を100サイクル行った。その後、発光装置の封止樹脂の1mm角の範囲に接着剤を用いて金具を接着した。なお、接着の際には、マスキングテープを用いて接着剤が1mm角を超えて広がらないようにした。そして、この金具を上方に引っ張り速度0.5mm/minの条件で引き上げ、引張り試験を行った。そして、引っ張り荷重が0.005Nを超えたものを合格と判定した。実施例、比較例ともに20個ずつ試験をしたところ、比較例では13個の封止樹脂が剥離したが、実施例の封止樹脂に剥離は見られなかった。
本発明の表面実装型発光素子用配線基板の断面図である。 本発明の発光装置の断面図である。 本発明の表面実装型発光素子用配線基板の製造方法を説明するための要部拡大断面図である。 本発明の表面実装型発光素子用配線基板の製造方法を説明するための要部拡大断面図である。 本発明の表面実装型発光素子用配線基板の製造方法を説明するための要部拡大断面図である。 本発明の表面実装型発光素子用配線基板の製造方法を説明するための要部拡大断面図である。 本発明の表面実装型発光素子用配線基板の製造方法を説明するための断面図である。 本発明の表面実装型発光素子用配線基板の製造方法を説明するための断面図である。 本発明の表面実装型発光素子用配線基板の製造方法を説明するための断面図である。 本発明の実施例の突起部の形状を説明するための断面図である。
符号の説明
1・・・金属基体
3・・・貫通絶縁体
5・・・貫通導体
7・・・配線
9・・・反射部
9a・・・反射部の内壁面
11・・・搭載部
12・・・突起部
12a・・・突起部の上面
12b・・・張出部
12c・・・突起部の側面
13・・・表面実装型発光素子用配線基板
15・・・被覆絶縁層
17・・・接続端子
19・・・内部配線
20・・・内部絶縁層
21・・・接続層
23・・・発光素子
25・・・ワイヤ
29・・・発光装置

Claims (3)

  1. 上面に発光素子を搭載する搭載部を備えるとともに、側方に向けて張出部を備えた突起部が一方の主面の一部に形成された焼結金属からなる平板状の金属基体と、前記金属基体を貫通するセラミックスからなる貫通絶縁体と、前記金属基体と電気的に絶縁された、前記貫通絶縁体の内側を貫通する貫通導体と、該貫通導体と電気的に接続されるとともに、前記金属基体と絶縁され、前記搭載部の周囲に設けられた配線と、前記搭載部と前記配線とを取り囲むように形成された焼結金属からなる反射部とを備え、前記金属基体と前記貫通絶縁体と前記貫通導体と前記配線と前記反射部とが同時焼成されてなることを特徴とする表面実装型発光素子用配線基板。
  2. 前記張出部が上方に向かって小さくなっていることを特徴とする請求項1に記載の表面実装型発光素子用配線基板。
  3. 請求項1または2に記載の表面実装型発光素子用配線基板の前記搭載部に発光素子が搭載され、該発光素子および前記突起部を樹脂が覆っていることを特徴とする発光装置。

JP2006262420A 2006-09-27 2006-09-27 表面実装型発光素子用配線基板ならびに発光装置 Pending JP2008085036A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006262420A JP2008085036A (ja) 2006-09-27 2006-09-27 表面実装型発光素子用配線基板ならびに発光装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006262420A JP2008085036A (ja) 2006-09-27 2006-09-27 表面実装型発光素子用配線基板ならびに発光装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2008085036A true JP2008085036A (ja) 2008-04-10

Family

ID=39355586

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006262420A Pending JP2008085036A (ja) 2006-09-27 2006-09-27 表面実装型発光素子用配線基板ならびに発光装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2008085036A (ja)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4789671B2 (ja) 発光素子用配線基板ならびに発光装置
US8314346B2 (en) Wiring board for light-emitting element
JP4804109B2 (ja) 発光素子用配線基板および発光装置並びに発光素子用配線基板の製造方法
JP2008109079A (ja) 表面実装型発光素子用配線基板および発光装置
JP2006093565A (ja) 発光素子用配線基板ならびに発光装置およびその製造方法
US9596747B2 (en) Wiring substrate and electronic device
JP4841284B2 (ja) 発光素子用配線基板ならびに発光装置
JP2007273602A (ja) 発光素子用配線基板および発光装置
JP2006066519A (ja) 発光素子用配線基板ならびに発光装置
JP4780939B2 (ja) 発光装置
JP2007273603A (ja) 発光素子用配線基板および発光装置
JP2007250899A (ja) 発光モジュールとこれを用いた表示装置及び照明装置
JP4895777B2 (ja) 発光素子用配線基板ならびに発光装置
JP2007273592A (ja) 発光素子用配線基板および発光装置
JP5046507B2 (ja) 発光素子用配線基板および発光装置
JP2007227737A (ja) 発光素子用配線基板ならびに発光装置
JP2006156447A (ja) 発光素子用配線基板ならびに発光装置およびその製造方法
JP2007227738A (ja) 発光素子用配線基板ならびに発光装置
JP2011205009A (ja) 表面実装型発光素子用配線基板および発光装置
JP2008159937A (ja) 発光素子用集合基板および発光装置集合基板
JP2007123481A (ja) 発光素子用配線基板ならびに発光装置
JP2007266222A (ja) 発光素子搭載用基板、発光素子収納用パッケージ、発光装置および照明装置
JP2006066409A (ja) 発光素子用配線基板および発光装置ならびに発光素子用配線基板の製造方法
JP2006128265A (ja) 発光素子用配線基板ならびに発光装置
JP2006100364A (ja) 発光素子用配線基板および発光装置ならびに発光素子用配線基板の製造方法