JP2016219484A - 発光素子用基板および発光装置 - Google Patents
発光素子用基板および発光装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2016219484A JP2016219484A JP2015099675A JP2015099675A JP2016219484A JP 2016219484 A JP2016219484 A JP 2016219484A JP 2015099675 A JP2015099675 A JP 2015099675A JP 2015099675 A JP2015099675 A JP 2015099675A JP 2016219484 A JP2016219484 A JP 2016219484A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- emitting element
- substrate
- metal substrate
- ceramic layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
【課題】強度が高い上に、クラックや反り返りが生じることがなく、放熱性に優れた発光素子用基板を低コストに提供する。
【解決手段】発光素子用基板20には各LEDチップ31(各LEDチップ31)が実装され、金属基板21と、金属基板21における前記各LEDチップ31が実装される実装面に形成された第1セラミックス層25と、第1セラミックス層25における金属基板21に接する面の反対面に形成されて各LEDチップ31に接続される配線層27と、金属基板21における実装面の反対面に形成された第2セラミックス層26とを備え、金属基板21と各セラミックス層25,26とは拡散接合によって接合されている。
【選択図】 図3
【解決手段】発光素子用基板20には各LEDチップ31(各LEDチップ31)が実装され、金属基板21と、金属基板21における前記各LEDチップ31が実装される実装面に形成された第1セラミックス層25と、第1セラミックス層25における金属基板21に接する面の反対面に形成されて各LEDチップ31に接続される配線層27と、金属基板21における実装面の反対面に形成された第2セラミックス層26とを備え、金属基板21と各セラミックス層25,26とは拡散接合によって接合されている。
【選択図】 図3
Description
本発明は発光素子用基板および発光装置に係り、詳しくは、発光素子が実装される発光素子用基板と、その発光素子用基板を用いた発光装置とに関するものである。
特許文献1には、アルミナ、AlN、Siにより形成されて発光素子が実装される実装基板と、前記実装基板を支持する放熱基板とを備え、前記放熱基板はCuより熱膨張率の低い金属およびCuからなる複合材料により形成され、前記実装基板はハンダまたは接着剤によって前記放熱基板に接合される発光モジュールが開示されている。
特許文献2には、コア金属の表面にアルミナを添加したホーロー材料からなるホーロー層が設けられた発光素子実装用基板が開示されている。
特許文献2には、コア金属の表面にアルミナを添加したホーロー材料からなるホーロー層が設けられた発光素子実装用基板が開示されている。
特許文献3には、光源用素子が実装される光源用基板であって、ベース基板と、前記ベース基板の前記光源用素子が実装される実装面側の面に形成された絶縁層と、前記絶縁層を介して前記実装面側に形成された配線パターンと、前記ベース基板の前記実装面側と反対側の面に形成された放熱層とを有し、前記ベース基板は、アルミニウム、アルミニウム合金、銅、銅系合金の金属基板であり、前記絶縁層は、セラミック、アルミナ、窒化アルミニウム、アルミアルマイトのいずれかにより形成され、前記放熱層は、アルミナ、窒化アルミニウム、アルミアルマイトのいずれかにより形成され、前記絶縁層および前記放熱層は、プラズマ溶射、陽極酸化、スピンコート、CVD、PVD、蒸着のいずれかの方法により形成される光源用基板が開示されている。
特許文献1の技術では、実装基板と放熱基板の線膨張係数の違いにより、実装基板やハンダまたは接着剤に剪断応力が印加されてクラックが生じるという問題や、放熱基板の外周縁部が反り返って実装基板から剥離するという問題がある。
特許文献2の技術では、ホーロー層を形成するため、製造工程が複雑で製造コストが高いという問題がある。
特許文献2の技術では、ホーロー層を形成するため、製造工程が複雑で製造コストが高いという問題がある。
特許文献3の技術では、プラズマ溶射、陽極酸化、スピンコート、CVD、PVD、蒸着のいずれかの方法により絶縁層および放熱層を形成するため、絶縁層および放熱層の製造工程が複雑で製造コストが高いという問題や、絶縁層および放熱層の強度が低いという問題がある。
本発明は前記問題を解決するためになされたものであって、以下の目的を有するものである。
(1)強度が高い上に、クラックや反り返りが生じることがなく、放熱性に優れた発光素子用基板を低コストに提供する。
(2)前記(1)の発光素子用基板を用いた発光装置を提供する。
(1)強度が高い上に、クラックや反り返りが生じることがなく、放熱性に優れた発光素子用基板を低コストに提供する。
(2)前記(1)の発光素子用基板を用いた発光装置を提供する。
本発明者らは前記課題を解決するために鋭意検討を重ねた結果、下記のように本発明の各局面に想到した。
<第1の局面>
第1の局面は、
発光素子が実装される発光素子用基板であって、
金属基板と、
前記金属基板における前記発光素子が実装される実装面に形成された第1セラミックス層と、
前記第1セラミックス層における前記金属基板に接する面の反対面に形成されて前記発光素子に接続される配線層と、
前記金属基板における前記実装面の反対面に形成された第2セラミックス層と
を備え、
前記金属基板と前記各セラミックス層とは拡散接合によって接合されている。
第1の局面は、
発光素子が実装される発光素子用基板であって、
金属基板と、
前記金属基板における前記発光素子が実装される実装面に形成された第1セラミックス層と、
前記第1セラミックス層における前記金属基板に接する面の反対面に形成されて前記発光素子に接続される配線層と、
前記金属基板における前記実装面の反対面に形成された第2セラミックス層と
を備え、
前記金属基板と前記各セラミックス層とは拡散接合によって接合されている。
第1の局面では、金属基板と各セラミックス層とが拡散接合によって接合されているため、各セラミックス層の強度を高くできると共に、発光素子用基板を低コストに製造することができる。
特に、各セラミックス層を形成するためのグリーンシートを金属基板に貼着した積層物を加熱加圧し、グリーンシートを焼成して各セラミックス層を形成するのと同時に、金属基板と各セラミックス層とを拡散接合すれば、製造工程が単純であるため製造コストを低減できる。
特に、各セラミックス層を形成するためのグリーンシートを金属基板に貼着した積層物を加熱加圧し、グリーンシートを焼成して各セラミックス層を形成するのと同時に、金属基板と各セラミックス層とを拡散接合すれば、製造工程が単純であるため製造コストを低減できる。
また、第1の局面では、金属基板の表裏両面にそれぞれセラミックス層が形成されているため、金属基板の線膨張係数と各セラミックス層の線膨張係数との差が大きくても、金属基板と各セラミックス層との間に生じる剪断応力が抑制されることから、各セラミックス層にクラックが発生するのを防止できると共に、金属基板が反り返って各セラミックス層が剥離するのを防止できる。
また、第1の局面では、熱伝導性の高い金属基板を備えるため、単体のセラミックス基板を用いる場合に比べて放熱性に優れることから、発光素子が発生した熱を速やかに放熱することが可能であり、発光素子の故障を防止して長寿命化を図ることができる。
また、第1の局面では、第1セラミックス層の線膨張係数と発光素子の線膨張係数との差が小さいため、第1セラミックス層と発光素子との間に発生する剪断応力も小さくなることから、発光素子と配線層の接続が阻害されるのを防止できる。
また、第1の局面では、第1セラミックス層の線膨張係数と発光素子の線膨張係数との差が小さいため、第1セラミックス層と発光素子との間に発生する剪断応力も小さくなることから、発光素子と配線層の接続が阻害されるのを防止できる。
<第2の局面>
第2の局面は、第1の局面において、前記発光素子用基板を被取付物に取付部材を用いて取付固定するための固定部を更に備え、前記固定部における前記取付部材と当接する部分には前記第1セラミックス層が形成されておらず前記金属基板が露出している。
第2の局面では、取付部材が第1セラミックス層に当接しないため、取付部材からの印加力により第1セラミックス層にクラックが発生するのを防止できる。
第2の局面は、第1の局面において、前記発光素子用基板を被取付物に取付部材を用いて取付固定するための固定部を更に備え、前記固定部における前記取付部材と当接する部分には前記第1セラミックス層が形成されておらず前記金属基板が露出している。
第2の局面では、取付部材が第1セラミックス層に当接しないため、取付部材からの印加力により第1セラミックス層にクラックが発生するのを防止できる。
<第3の局面>
第3の局面は、第2の局面において、
前記固定部は、前記発光素子用基板の中心線に対して線対称に配置形成され、前記発光素子用基板の対向する側辺に穿設された切欠を備え、
前記切欠の周縁部は前記取付部材と当接する部分であり、
前記第1セラミックス層は、前記切欠の周縁部を除いて、前記金属基板における前記実装面の全面に形成されている。
第3の局面は、第2の局面において、
前記固定部は、前記発光素子用基板の中心線に対して線対称に配置形成され、前記発光素子用基板の対向する側辺に穿設された切欠を備え、
前記切欠の周縁部は前記取付部材と当接する部分であり、
前記第1セラミックス層は、前記切欠の周縁部を除いて、前記金属基板における前記実装面の全面に形成されている。
第3の局面では、取付部材として雄ネジ、リベット、スナップ、割ピンなどを用い、その取付部材を固定部の切欠に挿通して被取付物に固定することが可能であるため、第2の局面を容易に実現できる。
また、第3の局面では、固定部が発光素子用基板の中心線に対して線対称に配置形成されているため、発光素子用基板の全面に均一な力を印加して被取付物に固定することが可能であり、発光素子用基板の不要な変形を回避して各セラミック層にクラックや剥離が発生するのを防止できる。
また、第3の局面では、固定部が発光素子用基板の中心線に対して線対称に配置形成されているため、発光素子用基板の全面に均一な力を印加して被取付物に固定することが可能であり、発光素子用基板の不要な変形を回避して各セラミック層にクラックや剥離が発生するのを防止できる。
<第4の局面>
第4の局面は、第2の局面において、
前記固定部は、前記発光素子用基板の中心線に対して線対称に配置形成され、前記発光素子用基板の板厚方向に貫通形成された透孔を備え、
前記透孔の周縁部は前記取付部材と当接する部分であり、
前記第1セラミックス層は、前記透孔の周縁部を除いて、前記金属基板における前記実装面の全面に形成されている、
第4の局面は、第2の局面において、
前記固定部は、前記発光素子用基板の中心線に対して線対称に配置形成され、前記発光素子用基板の板厚方向に貫通形成された透孔を備え、
前記透孔の周縁部は前記取付部材と当接する部分であり、
前記第1セラミックス層は、前記透孔の周縁部を除いて、前記金属基板における前記実装面の全面に形成されている、
第4の局面では、取付部材として雄ネジ、リベット、スナップ、割ピンなどを用い、その取付部材を固定部の透孔に挿通して被取付物に固定することが可能であるため、第2の局面を容易に実現できる。
また、第4の局面では、固定部が発光素子用基板の中心線に対して線対称に配置形成されているため、発光素子用基板の全面に均一な力を印加して被取付物に固定することが可能であり、発光素子用基板の不要な変形を回避して各セラミック層にクラックや剥離が発生するのを防止できる。
また、第4の局面では、固定部が発光素子用基板の中心線に対して線対称に配置形成されているため、発光素子用基板の全面に均一な力を印加して被取付物に固定することが可能であり、発光素子用基板の不要な変形を回避して各セラミック層にクラックや剥離が発生するのを防止できる。
<第5の局面>
第5の局面は、第3の局面または第4の局面において、前記第2セラミックス層は、前記周縁部を含めて前記金属基板における前記実装面の反対面の全面に形成されている。
第5の局面では、被取付物に対して発光素子用基板の裏面(第2セラミックス層)の全面を密着させることが可能であり、発光素子用基板の取付強度および放熱性を高めることができる。
第5の局面は、第3の局面または第4の局面において、前記第2セラミックス層は、前記周縁部を含めて前記金属基板における前記実装面の反対面の全面に形成されている。
第5の局面では、被取付物に対して発光素子用基板の裏面(第2セラミックス層)の全面を密着させることが可能であり、発光素子用基板の取付強度および放熱性を高めることができる。
<第6の局面>
第6の局面は、第1〜第5の局面において、前記金属基板は、銅、銅系合金、アルミニウム、アルミニウム系合金から成るグループから選択されたいずれか一つの金属によって形成されており、これらの金属材料を用いれば第1〜第5の局面の前記作用・効果が確実に得られる。
第6の局面は、第1〜第5の局面において、前記金属基板は、銅、銅系合金、アルミニウム、アルミニウム系合金から成るグループから選択されたいずれか一つの金属によって形成されており、これらの金属材料を用いれば第1〜第5の局面の前記作用・効果が確実に得られる。
<第7の局面>
第7の局面は、第1〜第6の局面において、前記各セラミックス層は、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化シリコン、炭化シリコンから成るグループから選択されたいずれか一つの金属によって形成されており、これらのセラミック材料を用いれば第1〜第6の局面の前記作用・効果が確実に得られる。
第7の局面は、第1〜第6の局面において、前記各セラミックス層は、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化シリコン、炭化シリコンから成るグループから選択されたいずれか一つの金属によって形成されており、これらのセラミック材料を用いれば第1〜第6の局面の前記作用・効果が確実に得られる。
<第8の局面>
第8の局面では、第1〜第7の局面の発光素子用基板と、前記発光素子用基板に実装された発光素子とを備えた発光装置を提供できる。
第8の局面では、第1〜第7の局面の発光素子用基板と、前記発光素子用基板に実装された発光素子とを備えた発光装置を提供できる。
以下、本発明を具体化した各実施形態について図面を参照しながら説明する。尚、各実施形態において、同一の構成部材および構成要素については符号を等しくすると共に、同一内容の箇所については重複説明を省略する。
また、各図面では、説明を分かり易くするために、各実施形態の構成部材の寸法形状および配置箇所を誇張して模式的に図示してあり、各構成部材の寸法形状および配置箇所が実物とは必ずしも一致しないことがある。
また、各図面では、説明を分かり易くするために、各実施形態の構成部材の寸法形状および配置箇所を誇張して模式的に図示してあり、各構成部材の寸法形状および配置箇所が実物とは必ずしも一致しないことがある。
<第1実施形態>
図1〜図3に示すように、第1実施形態の発光装置10は、発光素子用基板20(発光部搭載領域20a)、金属基板21、固定部22a,22b(周縁部22c)、第1基準孔23、第2基準孔24、第1セラミックス層25、第2セラミックス層26、配線層27、ソルダーレジスト層28、発光部30、LED(Light Emitting Diode)チップ31、バンプ32、蛍光体板33、封止枠部34、封止樹脂部35、サーミスタ41、レジスタ42a,42b、コネクタ43(接続面43a)などを備え、雄ネジ50a,50b(座面50c)を用いて自動車のヘッドランプが備えるヒートシンク51(平坦面51a、雌ネジ穴52a,52b、基準突起53,54)に取付固定されている。
図1〜図3に示すように、第1実施形態の発光装置10は、発光素子用基板20(発光部搭載領域20a)、金属基板21、固定部22a,22b(周縁部22c)、第1基準孔23、第2基準孔24、第1セラミックス層25、第2セラミックス層26、配線層27、ソルダーレジスト層28、発光部30、LED(Light Emitting Diode)チップ31、バンプ32、蛍光体板33、封止枠部34、封止樹脂部35、サーミスタ41、レジスタ42a,42b、コネクタ43(接続面43a)などを備え、雄ネジ50a,50b(座面50c)を用いて自動車のヘッドランプが備えるヒートシンク51(平坦面51a、雌ネジ穴52a,52b、基準突起53,54)に取付固定されている。
発光素子用基板20は、金属基板21、固定部22a,22b、第1基準孔23、第2基準孔24、第1セラミックス層25、第2セラミックス層26、配線層27、ソルダーレジスト層28などを備え、発光装置10(発光素子用基板20)の中心線Lに対して線対称に形成されている。
金属基板(ベース基板)21は、矩形状で金属の薄板材によって形成されている。
固定部22a,22bは、発光装置10(発光素子用基板20)の中心線Lに対して線対称に配置形成され、発光素子用基板20(金属基板21)の対向する側辺に穿設された略U字状の切欠を備える。
第1基準孔23は、固定部22bの近傍において、発光素子用基板20の板厚方向に貫通形成された円形の透孔である。
第2基準孔24は、固定部22aの近傍において、発光素子用基板20の板厚方向に貫通形成された長円形の透孔である。
金属基板(ベース基板)21は、矩形状で金属の薄板材によって形成されている。
固定部22a,22bは、発光装置10(発光素子用基板20)の中心線Lに対して線対称に配置形成され、発光素子用基板20(金属基板21)の対向する側辺に穿設された略U字状の切欠を備える。
第1基準孔23は、固定部22bの近傍において、発光素子用基板20の板厚方向に貫通形成された円形の透孔である。
第2基準孔24は、固定部22aの近傍において、発光素子用基板20の板厚方向に貫通形成された長円形の透孔である。
第1セラミックス層25は、金属基板21の表面(実装面)において、各固定部22a,22bの切欠の周縁部22cを除く部分に形成されている。
第2セラミックス層26は、金属基板21の裏面の全面に形成されている。
配線層27は、第1セラミックス層23の表面に形成され、配線パターン(図示略)を構成する。
ソルダーレジスト層28は、第2セラミックス層26および配線層27の表面において、発光部搭載領域20aと、各固定部22a,22bの切欠の周縁部22cと、配線層27と各電子部品(サーミスタ41、レジスタ42a,42b、コネクタ43)との接続領域(図示略)とを除く部分に形成されている。
第2セラミックス層26は、金属基板21の裏面の全面に形成されている。
配線層27は、第1セラミックス層23の表面に形成され、配線パターン(図示略)を構成する。
ソルダーレジスト層28は、第2セラミックス層26および配線層27の表面において、発光部搭載領域20aと、各固定部22a,22bの切欠の周縁部22cと、配線層27と各電子部品(サーミスタ41、レジスタ42a,42b、コネクタ43)との接続領域(図示略)とを除く部分に形成されている。
発光部30は、LEDチップ31、バンプ32、蛍光体板33、封止枠部34、封止樹脂部35などを備え、発光装置10(発光素子用基板20)の中心線Lに対して線対称に形成され、発光素子用基板20における各固定部22a,22bの間に配置された発光部搭載領域20aに搭載されている。
同一構成の4個のLEDチップ31は略直方体であり、発光素子用基板20における各固定部22a,22bの間において、一列に並べて配置されている。
各LEDチップ31の下面にはアノード電極およびカソード電極(図示略)が形成され、それら電極と配線層27とがバンプ32を介してフリップチップボンディングされている。
同一構成の4個のLEDチップ31は略直方体であり、発光素子用基板20における各固定部22a,22bの間において、一列に並べて配置されている。
各LEDチップ31の下面にはアノード電極およびカソード電極(図示略)が形成され、それら電極と配線層27とがバンプ32を介してフリップチップボンディングされている。
蛍光体板33は、矩形平板状であり、各LEDチップ31の上面に接着剤(図示略)を用いて取付固定されている。
封止枠部(ダム材)34は矩形環状(額縁状)であり、各LEDチップ31を取り囲むように配置され、発光素子用基板20の第1セラミックス層25の表面に形成されている。
封止樹脂部35は、封止枠部34と封止枠部34の内部に設けられた各部材(LEDチップ31、バンプ32、蛍光体板33、第1セラミックス層25、配線層27)との間に充填されて前記各部材を封止している。
蛍光体板33の表面は封止樹脂部35から露出している。
封止枠部(ダム材)34は矩形環状(額縁状)であり、各LEDチップ31を取り囲むように配置され、発光素子用基板20の第1セラミックス層25の表面に形成されている。
封止樹脂部35は、封止枠部34と封止枠部34の内部に設けられた各部材(LEDチップ31、バンプ32、蛍光体板33、第1セラミックス層25、配線層27)との間に充填されて前記各部材を封止している。
蛍光体板33の表面は封止樹脂部35から露出している。
サーミスタ41は、チップ部品であり、発光装置10の中心線L上において、発光部30の近傍で各基準孔23,24の間に配置され、配線層27に接続されている。
各レジスタ42a,42bは、チップ部品であり、サーミスタ41の近傍で各基準孔23,24の間にて発光装置10の中心線Lに対して線対称に配置され、配線層27に接続されている。
コネクタ43は直方体状で配線層27に接続され、コネクタ43の接続面43aは、発光素子用基板20の各固定部22a,22bが形成されている辺とは異なる辺に隣接して配置されている。
各レジスタ42a,42bは、チップ部品であり、サーミスタ41の近傍で各基準孔23,24の間にて発光装置10の中心線Lに対して線対称に配置され、配線層27に接続されている。
コネクタ43は直方体状で配線層27に接続され、コネクタ43の接続面43aは、発光素子用基板20の各固定部22a,22bが形成されている辺とは異なる辺に隣接して配置されている。
[発光装置10の取付構造]
図2および図3に示すように、自動車のヘッドランプが備えるヒートシンク51には、発光装置10を取付固定するための平坦面51aが形成されている。
ヒートシンク51の平坦面51aには、2個の雌ネジ穴52a,52bが螺設されていると共に、2個の基準突起53,54が突設されている。
基準突起53は横断面が円形状の突起物であり、基準突起53は横断面の寸法形状は、発光素子用基板20の第1基準孔23の横断面の寸法形状に対応している。
基準突起54は横断面が長円形状の突起物であり、基準突起54の横断面の寸法形状は、発光素子用基板20の第2基準孔24の横断面の寸法形状に対応している。
図2および図3に示すように、自動車のヘッドランプが備えるヒートシンク51には、発光装置10を取付固定するための平坦面51aが形成されている。
ヒートシンク51の平坦面51aには、2個の雌ネジ穴52a,52bが螺設されていると共に、2個の基準突起53,54が突設されている。
基準突起53は横断面が円形状の突起物であり、基準突起53は横断面の寸法形状は、発光素子用基板20の第1基準孔23の横断面の寸法形状に対応している。
基準突起54は横断面が長円形状の突起物であり、基準突起54の横断面の寸法形状は、発光素子用基板20の第2基準孔24の横断面の寸法形状に対応している。
発光装置10をヒートシンク51に取付固定するには、まず、発光素子用基板20の裏面側(第2セラミックス層26側)をヒートシンク51の平坦面51aに対向させた状態で、発光素子用基板20の各基準孔23,24をそれぞれ、ヒートシンク51の各基準突起53,54に嵌合させることにより、ヒートシンク51に対する発光装置10の位置決めを行う。
すると、発光素子用基板20における各固定部22a,22bの切欠と、ヒートシンク51の各雌ネジ穴52a,52bとが合致した状態になる。
そこで、各固定部22a,22bの切欠に各雄ネジ50a,50bを挿通し、各雄ネジ50a,50bを各雌ネジ穴52a,52bに螺着させることにより、発光装置10をヒートシンク51に取付固定する。
ここで、図3に示すように、各雄ネジ50a,50bのネジ頭の座面50cは、発光素子用基板20における各固定部22a,22bの切欠の周縁部22cから露出した金属基板21の表面に密着している。
尚、発光装置10をヒートシンク51に取付固定する際には、第2セラミックス層26とヒートシンク51の平坦面51aとの間に、放熱用グリスを塗布するか、または、放熱用シートを挟設することが好ましく、そのようにすれば、発光装置10が発生した熱を放熱用グリスまたは放熱用シートを介して効率的に放熱することが可能になる。
すると、発光素子用基板20における各固定部22a,22bの切欠と、ヒートシンク51の各雌ネジ穴52a,52bとが合致した状態になる。
そこで、各固定部22a,22bの切欠に各雄ネジ50a,50bを挿通し、各雄ネジ50a,50bを各雌ネジ穴52a,52bに螺着させることにより、発光装置10をヒートシンク51に取付固定する。
ここで、図3に示すように、各雄ネジ50a,50bのネジ頭の座面50cは、発光素子用基板20における各固定部22a,22bの切欠の周縁部22cから露出した金属基板21の表面に密着している。
尚、発光装置10をヒートシンク51に取付固定する際には、第2セラミックス層26とヒートシンク51の平坦面51aとの間に、放熱用グリスを塗布するか、または、放熱用シートを挟設することが好ましく、そのようにすれば、発光装置10が発生した熱を放熱用グリスまたは放熱用シートを介して効率的に放熱することが可能になる。
コネクタ43の接続面43aに自動車のワイヤーハーネス(図示略)を接続すると、そのワイヤーハーネスからコネクタ43に印加された直流電源が、配線層27から成る配線パターンを経由してサーミスタ41と各レジスタ42a,42bと各LEDチップ31とから構成される回路に供給され、各LEDチップ31が点灯される。
発光装置10では、各LEDチップ31から放射された一次光(青色光)と、その一次光の一部が蛍光体板33に含有される蛍光体を励起することにより波長変換された二次光(黄色光)とが混色され、その混色により生成された白色光が、発光装置10の光放射面である蛍光体板33の表面から放射される。
発光装置10では、各LEDチップ31から放射された一次光(青色光)と、その一次光の一部が蛍光体板33に含有される蛍光体を励起することにより波長変換された二次光(黄色光)とが混色され、その混色により生成された白色光が、発光装置10の光放射面である蛍光体板33の表面から放射される。
[発光装置10の製造方法]
工程1(図4(A)を参照):プレス加工を用い、金属基板21に各固定部22a,22bおよび各基準孔23,24(図4では図示無)を打ち抜き形成する。
また、各セラミックス層25,26を形成するための各グリーンシートGa,Gbの片面側にインサート金属Mの薄膜を貼着する。
そして、プレス加工を用い、各グリーンシートGa,Gbおよびインサート金属Mに各固定部22a,22bおよび各基準孔23,24を打ち抜き形成する。
尚、グリーンシートは、セラミック材料とガラスなどの焼結助剤より成る原料粉末と、有機バインダーと可塑剤と溶剤とを混合してスラリー(液状混合物)を作製し、そのスラリーをドクターブレード成形機により柔軟性のあるシート材に加工したものである。
工程1(図4(A)を参照):プレス加工を用い、金属基板21に各固定部22a,22bおよび各基準孔23,24(図4では図示無)を打ち抜き形成する。
また、各セラミックス層25,26を形成するための各グリーンシートGa,Gbの片面側にインサート金属Mの薄膜を貼着する。
そして、プレス加工を用い、各グリーンシートGa,Gbおよびインサート金属Mに各固定部22a,22bおよび各基準孔23,24を打ち抜き形成する。
尚、グリーンシートは、セラミック材料とガラスなどの焼結助剤より成る原料粉末と、有機バインダーと可塑剤と溶剤とを混合してスラリー(液状混合物)を作製し、そのスラリーをドクターブレード成形機により柔軟性のあるシート材に加工したものである。
工程2(図4(B)を参照):金属基板21の各固定部22a,22bおよび各基準孔23,24と、各グリーンシートGa,Gbおよびインサート金属Mの各固定部22a,22bおよび各基準孔23,24との位置を合わせ、金属基板21の表面にインサート金属Mを挟んでグリーンシートGaを貼着すると共に、金属基板21の裏面にインサート金属Mを挟んでグリーンシートGbを貼着する。
工程3(図4(C)を参照):真空または不活性ガス雰囲気中にて、金属基板21と各グリーンシートGa,Gbと各インサート金属Mとの積層物を加熱加圧する。
これにより、各グリーンシートGa,Gbを焼成(焼結)して各セラミックス層25,26を形成するのと同時に、金属基板21と各セラミックス層25,26とを拡散接合法(熱圧着法)により接合する。
尚、JIS規格の定義において拡散接合とは、「母材を密着させ、母材の融点以下の温度条件で、塑性変形をできるだけ生じない程度に加圧して、接合面間に生じる原子の拡散を利用して接合する方法」とされている。
これにより、各グリーンシートGa,Gbを焼成(焼結)して各セラミックス層25,26を形成するのと同時に、金属基板21と各セラミックス層25,26とを拡散接合法(熱圧着法)により接合する。
尚、JIS規格の定義において拡散接合とは、「母材を密着させ、母材の融点以下の温度条件で、塑性変形をできるだけ生じない程度に加圧して、接合面間に生じる原子の拡散を利用して接合する方法」とされている。
ここで、金属基板21と各グリーンシートGa,Gbとの間に挟まれているインサート金属Mは、液相拡散接合(TLP接合:Transient Liquid Phase Diffusion Bonding)により、一時的に溶融した後に拡散を利用して等温凝固して金属基板21および各セラミックス層25,26に接合し、それらの接合面における清浄化および密着化を図る機能があるため、金属基板21と各セラミックス層25,26との拡散接合を促進する。
工程4(図4(D)を参照):メッキ法を用い、第1セラミックス層25の全面に配線層27を形成する。
そして、フォトリソグラフィ法およびエッチング法を用い、配線層27の不要部分を除去して配線パターンを形成する。
工程5(図4(E)を参照):印刷法を用い、第1セラミックス層25および配線層27の表面にソルダーレジスト層28を形成すると、発光素子用基板20が完成する。
そして、フォトリソグラフィ法およびエッチング法を用い、配線層27の不要部分を除去して配線パターンを形成する。
工程5(図4(E)を参照):印刷法を用い、第1セラミックス層25および配線層27の表面にソルダーレジスト層28を形成すると、発光素子用基板20が完成する。
工程6(図2を参照):発光素子用基板20に発光部30を形成する。まず、各LEDチップ31をバンプ32により配線層27にフリップチップボンディングし、次に、各LEDチップ31に蛍光体板33を取付固定し、続いて、第1セラミックス層25の表面に封止枠部34を形成し、その後に、封止樹脂部35を形成すると、発光部30が完成する。
そして、リフロー方式のハンダ付けを用い、各電子部品(サーミスタ41、レジスタ42a,42b、コネクタ43)を配線層27に接続すると、発光装置10が完成する。
そして、リフロー方式のハンダ付けを用い、各電子部品(サーミスタ41、レジスタ42a,42b、コネクタ43)を配線層27に接続すると、発光装置10が完成する。
ところで、工程3の以降に、金属基板21および各セラミックス層25,26に対して、プレス加工を用いて各固定部22a,22bおよび各基準孔23,24を打ち抜き形成することも考えられるが、その場合には、硬度が高く脆い各セラミックス層25,26にクラックが生じるおそれがあるため不適である。
[発光装置10の構成部材について]
発光素子用基板20の金属基板21は、高い熱伝導性と十分な強度とを有する金属材料によって形成され、例えば、銅、銅系合金、アルミニウム、アルミニウム系合金などを用いればよい。
発光素子用基板20の金属基板21は、高い熱伝導性と十分な強度とを有する金属材料によって形成され、例えば、銅、銅系合金、アルミニウム、アルミニウム系合金などを用いればよい。
これら金属材料のうち、銅は熱伝導性が高く、各セラミックス層25,26との拡散接合が容易であるため、最も好適である。
アルミニウムやアルミニウム系合金は、比重が小さいため発光装置10を軽量化できるものの、熱伝導性が銅や銅系合金よりも劣り、各セラミックス層25,26との拡散接合が困難である。
アルミニウムやアルミニウム系合金は、比重が小さいため発光装置10を軽量化できるものの、熱伝導性が銅や銅系合金よりも劣り、各セラミックス層25,26との拡散接合が困難である。
第1実施形態の金属基板21は銅を用いており、平面寸法は18×19mm、板厚は1mmである。
金属基板21に銅を用いる場合、板厚の範囲は0.5〜3mmが適当であり、望ましくは1〜2mmである。
金属基板21に銅を用いる場合、板厚の範囲は0.5〜3mmが適当であり、望ましくは1〜2mmである。
金属基板21の板厚がこの範囲より厚くなると、熱抵抗が高くなり放熱性が低下することに加えて、コストが増加することになる。
また、金属基板21の板厚がこの範囲より薄くなると、金属基板21に反り返りが発生し易くなり、各セラミックス層25,26が剥離することに加えて、ヒートシンク51との間に隙間が生じて熱伝導性が低下することになる。そして、金属基板21が反り返ると、各雄ネジ50a,50bにより発光装置10をヒートシンク51に螺着する際に、各雄ネジ50a,50bから発光素子用基板20に印加される応力が増大し、各セラミックス層25,26にクラックや剥離が発生するのを助長することになる。
尚、板厚が1mmの銅板は流通量が多いため特に安価であることから、発光装置10の低コスト化を図ることができる。
尚、板厚が1mmの銅板は流通量が多いため特に安価であることから、発光装置10の低コスト化を図ることができる。
発光素子用基板20における固定部22a,22bの切欠の寸法は、図1に示す第1実施形態では幅t=3.2mm、奥行d=3.6mmである。
固定部22a,22bの切欠の寸法は、発光装置10をヒートシンク51に取付固定する際に十分な強度が得られるような各雄ネジ50a,50bのネジ径に対応して設定すればよい。
固定部22a,22bの切欠の寸法は、発光装置10をヒートシンク51に取付固定する際に十分な強度が得られるような各雄ネジ50a,50bのネジ径に対応して設定すればよい。
各セラミックス層25,26は、高い絶縁性と十分な強度とを有するセラミック材料によって形成され、例えば、酸化アルミニウム(アルミナ)、窒化アルミニウム、窒化シリコン、炭化シリコンなどを用いればよい。
これらセラミック材料のうち、酸化アルミニウムは、高硬度で且つ安価である上に、線膨張係数=7.2ppm/℃であり、LEDチップ31の線膨張係数=3.6ppm/℃と近く、第1セラミックス層25と各LEDチップ31との間に発生する剪断応力が小さくなることから、バンプ32にクラックや剥離が発生するのを確実に防止可能である上に、安価であるため最も好適である。
窒化アルミニウムは、線膨張係数=4.6ppm/℃であり、酸化アルミニウムよりもLEDチップ31の線膨張係数と近いため各セラミックス層25,26にクラックや剥離が発生するのを確実に防止可能であり、熱伝導率=150W/(m・K)であり、酸化アルミニウムの熱伝導率=32W/(m・K)よりも高いため放熱性に優れるが、高価であるという欠点もある。
窒化アルミニウムは、線膨張係数=4.6ppm/℃であり、酸化アルミニウムよりもLEDチップ31の線膨張係数と近いため各セラミックス層25,26にクラックや剥離が発生するのを確実に防止可能であり、熱伝導率=150W/(m・K)であり、酸化アルミニウムの熱伝導率=32W/(m・K)よりも高いため放熱性に優れるが、高価であるという欠点もある。
窒化シリコンは、線膨張係数=2.8ppm/℃であり、酸化アルミニウムよりもLEDチップ31の線膨張係数と近いため各セラミックス層25,26にクラックや剥離が発生するのを確実に防止可能であり、熱伝導率=27W/(m・K)で酸化アルミニウムと同等であり、靱性=7Mpa√mであり、酸化アルミニウムの靱性=4〜5Mpa√mよりも高いため第1セラミックス層25を薄くすることが可能であるが、高価であるという欠点もある。
炭化シリコンは、線膨張係数=3.7ppm/℃でLEDチップ31と略同一であるため各セラミックス層25,26にクラックや剥離が発生するのを更に確実に防止可能であり、熱伝導率=200W/(m・K)で酸化アルミニウムよりも高いため放熱性に優れるが、高価であるという欠点もある。
第1実施形態の各セラミックス層25,26は酸化アルミニウムを用いており、層厚は0.3mmである。
第1セラミックス層25に酸化アルミニウムを用いる場合、層厚の範囲は0.1〜0.5mmが適当であり、望ましくは0.2〜0.4mm、特に望ましくは0.3mmである。
第1セラミックス層25に酸化アルミニウムを用いる場合、層厚の範囲は0.1〜0.5mmが適当であり、望ましくは0.2〜0.4mm、特に望ましくは0.3mmである。
各セラミックス層25,26の層厚がこの範囲より厚くなると、熱抵抗が高くなり放熱性が低下することに加えて、コストが増加することになる上に、厚みによる線膨張の変位差が大きくなるため、各セラミックス層25,26内で層内破壊が発生し、各セラミックス層25,26が横方向(厚みと交差する方向)に破断することが懸念される。
また、各セラミックス層25,26の層厚がこの範囲より薄くなると、絶縁性が低下することに加えて、焼成時にクラックが発生し易くなる。
また、各セラミックス層25,26の層厚がこの範囲より薄くなると、絶縁性が低下することに加えて、焼成時にクラックが発生し易くなる。
尚、各セラミックス層25,26の材料および層厚が異なる場合には、各セラミックス層25,26の線膨張も異なるものになるため、その線膨張の差により各セラミックス層25,26に反り返りが生じ、各セラミックス層25,26にクラックや剥離が発生することになる。
従って、各セラミックス層25,26の材料および層厚は略同一にする必要がある。
従って、各セラミックス層25,26の材料および層厚は略同一にする必要がある。
インサート金属Mは、前記のように、接合部における拡散、接合面間の密着化、接合面に生じる酸化被膜の破壊と除去などの効果を促進するものであり、例えば、チタンやチタン系合金などを用いればよく、チタンやチタン系合金は金属およびセラミックスの両者と共有結合を介した化合物を形成するという特徴があるため、最も好適である。
配線層27は多層の金属層によって形成され、その層構成として、第1セラミックス層25側より、例えば、チタンまたはニッケルと白金と金とを積層した層構成、銅とニッケルと低純度金と高純度金とを積層した層構成などを用いればよい。
ソルダーレジスト層28に黒色のソルダーレジストを用いれば、発光部30から放射された光が発光素子用基板20の表面で不要に反射し、その反射光が光学制御されていない迷光となるのを防止可能であるため、その迷光がヘッドライトのレンズ(図示略)を介して意図しない領域へ放射されるのを防止できる。
バンプ32は金・スズ合金のハンダバンプであり、金・スズ合金のハンダバンププは融点が約300℃と高いため、各LEDチップ31の発熱にも十分に耐えられる。
蛍光体板33は、蛍光体(例えば、YAG(Yttrium Aluminum Garnet)系など)の微粒子を含有した透明材料(例えば、合成樹脂材料、ガラス材料など)によって形成されており、前記のように波長変換部材(波長変換層)として機能する。
封止枠部34は、光反射性の高い材料(例えば、酸化チタン、酸化アルミニウムなど)の微粒子を含有する白色の合成樹脂材料(例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂など)、光反射性のセラミックス材料(例えば、酸化アルミニウムなど)、光反射性の金属材料(例えば、アルミニウム合金など)などによって形成されている。
封止樹脂部35は、封止枠部34の前記微粒子と同様の光反射性の高い材料の微粒子を含有する合成樹脂材料によって形成されている。
蛍光体板33は、蛍光体(例えば、YAG(Yttrium Aluminum Garnet)系など)の微粒子を含有した透明材料(例えば、合成樹脂材料、ガラス材料など)によって形成されており、前記のように波長変換部材(波長変換層)として機能する。
封止枠部34は、光反射性の高い材料(例えば、酸化チタン、酸化アルミニウムなど)の微粒子を含有する白色の合成樹脂材料(例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂など)、光反射性のセラミックス材料(例えば、酸化アルミニウムなど)、光反射性の金属材料(例えば、アルミニウム合金など)などによって形成されている。
封止樹脂部35は、封止枠部34の前記微粒子と同様の光反射性の高い材料の微粒子を含有する合成樹脂材料によって形成されている。
[第1実施形態の作用・効果]
第1実施形態によれば、以下の作用・効果を得ることができる。
第1実施形態によれば、以下の作用・効果を得ることができる。
[1]発光素子用基板20には各LEDチップ31(各LEDチップ31)が実装され、金属基板21と、金属基板21における前記各LEDチップ31が実装される実装面に形成された第1セラミックス層25と、第1セラミックス層25における金属基板21に接する面の反対面に形成されて各LEDチップ31に接続される配線層27と、金属基板21における実装面の反対面に形成された第2セラミックス層26とを備え、金属基板21と各セラミックス層25,26とは拡散接合によって接合されている。
そのため、各セラミックス層25,26の強度を高くできると共に、発光素子用基板20を低コストに製造することができる。
特に、各セラミックス層25,26を形成するためのグリーンシートGa,Gbを金属基板21に貼着した積層物を加熱加圧し、グリーンシートGa,Gbを焼成して各セラミックス層25,26を形成するのと同時に、金属基板21と各セラミックス層25,26とを拡散接合すれば、製造工程が単純であるため製造コストを低減できる。
特に、各セラミックス層25,26を形成するためのグリーンシートGa,Gbを金属基板21に貼着した積層物を加熱加圧し、グリーンシートGa,Gbを焼成して各セラミックス層25,26を形成するのと同時に、金属基板21と各セラミックス層25,26とを拡散接合すれば、製造工程が単純であるため製造コストを低減できる。
また、発光素子用基板20では、金属基板21の表裏両面にそれぞれ各セラミックス層25,26が形成されているため、金属基板21の線膨張係数と各セラミックス層25,26の線膨張係数との差が大きくても、金属基板21と各セラミックス層25,26との間に生じる剪断応力が抑制されることから、各セラミックス層25,26にクラックが発生するのを防止できると共に、金属基板21が反り返って各セラミックス層25,26が剥離するのを防止できる。
また、発光素子用基板20では、熱伝導性の高い金属基板21を備えるため、単体のセラミックス基板を用いる場合に比べて放熱性に優れることから、各LEDチップ31が発生した熱を速やかに放熱することが可能であり、各LEDチップ31の故障を防止して長寿命化を図ることができる。
また、発光素子用基板20では、第1セラミックス層25の線膨張係数と各LEDチップ31の線膨張係数との差が小さいため、第1セラミックス層25と各LEDチップ31との間に発生する剪断応力も小さくなることから、各LEDチップ31と配線層の接続が阻害されるのを防止できる。
また、発光素子用基板20では、第1セラミックス層25の線膨張係数と各LEDチップ31の線膨張係数との差が小さいため、第1セラミックス層25と各LEDチップ31との間に発生する剪断応力も小さくなることから、各LEDチップ31と配線層の接続が阻害されるのを防止できる。
[2]発光素子用基板20は、自動車のヘッドランプが備えるヒートシンク51(被取付物)に雄ネジ50a,50b(取付部材)を用いて取付固定するための固定部22a,22bを備える。
固定部22a,22bは、発光素子用基板20の中心線Lに対して線対称に配置形成され、発光素子用基板20の対向する側辺に穿設された切欠を備える。
固定部22a,22bは、発光素子用基板20の中心線Lに対して線対称に配置形成され、発光素子用基板20の対向する側辺に穿設された切欠を備える。
固定部22a,22bの切欠の周縁部22cは、雄ネジ50a,50bの座面50cと当接する部分であり、周縁部22cには第1セラミックス層25が形成されておらず金属基板21が露出している。
そのため、雄ネジ50a,50bの座面50cが第1セラミックス層25に当接しないため、雄ネジ50a,50bからの印加力により第1セラミックス層25にクラックが発生するのを防止できる。
そして、雄ネジ50a,50bを固定部22a,22bの切欠に挿通してヒートシンク51に固定することができる。
そのため、雄ネジ50a,50bの座面50cが第1セラミックス層25に当接しないため、雄ネジ50a,50bからの印加力により第1セラミックス層25にクラックが発生するのを防止できる。
そして、雄ネジ50a,50bを固定部22a,22bの切欠に挿通してヒートシンク51に固定することができる。
また、固定部22a,22bが発光素子用基板20の中心線Lに対して線対称に配置形成されているため、発光素子用基板20の全面に均一な力を印加してヒートシンク51に固定することが可能であり、発光素子用基板20の不要な変形を回避して各セラミック層25,26にクラックや剥離が発生するのを防止できる。
[3]第2セラミックス層26は、固定部22a,22bの切欠の周縁部22cを含めて金属基板21における裏面(実装面の反対面)の全面に形成されている。
そのため、ヒートシンク51に対して発光素子用基板20の裏面(第2セラミックス層26)の全面を密着させることが可能であり、発光素子用基板20の取付強度および放熱性を高めることができる。
そのため、ヒートシンク51に対して発光素子用基板20の裏面(第2セラミックス層26)の全面を密着させることが可能であり、発光素子用基板20の取付強度および放熱性を高めることができる。
<第2実施形態>
図5および図6に示すように、第2実施形態の発光装置100は、発光素子用基板20(発光部搭載領域20a)、金属基板21、固定部22a,22b(周縁部22c)、第1基準孔23、第2基準孔24、第1セラミックス層25、第2セラミックス層26、配線層、ソルダーレジスト層28、発光部30、LEDチップ31、バンプ、蛍光体板33、封止枠部34、封止樹脂部35、サーミスタ41、レジスタ42a,42b、コネクタ43(接続面43a)などを備え、雄ネジ50a,50b(座面50c)を用いて自動車のヘッドランプが備えるヒートシンク51(平坦面51a、雌ネジ穴52a,52b、基準突起53,54)に取付固定されている。
図5および図6に示すように、第2実施形態の発光装置100は、発光素子用基板20(発光部搭載領域20a)、金属基板21、固定部22a,22b(周縁部22c)、第1基準孔23、第2基準孔24、第1セラミックス層25、第2セラミックス層26、配線層、ソルダーレジスト層28、発光部30、LEDチップ31、バンプ、蛍光体板33、封止枠部34、封止樹脂部35、サーミスタ41、レジスタ42a,42b、コネクタ43(接続面43a)などを備え、雄ネジ50a,50b(座面50c)を用いて自動車のヘッドランプが備えるヒートシンク51(平坦面51a、雌ネジ穴52a,52b、基準突起53,54)に取付固定されている。
第2実施形態の発光装置100において、第1実施形態の発光装置10と異なるのは以下の事項である。
[ア]固定部22a,22bは、発光素子用基板20(金属基板21)の対向する側辺の近傍にて発光素子用基板20の板厚方向に貫通形成された円形の透孔を備える。
[イ]第1セラミックス層25は、金属基板21の表面(実装面)において、各固定部22a,22bの透孔の周縁部22cを除く部分に形成されている。
[ウ]発光部30は、発光素子用基板20における各基準孔23,24の間に配置された発光部搭載領域20aに搭載されている。
[ア]固定部22a,22bは、発光素子用基板20(金属基板21)の対向する側辺の近傍にて発光素子用基板20の板厚方向に貫通形成された円形の透孔を備える。
[イ]第1セラミックス層25は、金属基板21の表面(実装面)において、各固定部22a,22bの透孔の周縁部22cを除く部分に形成されている。
[ウ]発光部30は、発光素子用基板20における各基準孔23,24の間に配置された発光部搭載領域20aに搭載されている。
図6に示すように、発光装置100をヒートシンク51に取付固定するには、まず、発光素子用基板20の裏面側(第2セラミックス層26側)をヒートシンク51の平坦面51aに対向させた状態で、発光素子用基板20の各基準孔23,24をそれぞれ、ヒートシンク51の各基準突起53,54に嵌合させることにより、ヒートシンク51に対する発光装置100の位置決めを行う。
すると、発光素子用基板20における各固定部22a,22bの透孔と、ヒートシンク51の各雌ネジ穴52a,52bとが合致した状態になる。
そこで、各固定部22a,22bの透孔に各雄ネジ50a,50bを挿通し、各雄ネジ50a,50bを各雌ネジ穴52a,52bに螺着させることにより、発光装置100をヒートシンク51に取付固定する。
ここで、各雄ネジ50a,50bのネジ頭の座面50cは、発光素子用基板20における各固定部22a,22bの透孔の周縁部22cから露出した金属基板21の表面に密着している。
すると、発光素子用基板20における各固定部22a,22bの透孔と、ヒートシンク51の各雌ネジ穴52a,52bとが合致した状態になる。
そこで、各固定部22a,22bの透孔に各雄ネジ50a,50bを挿通し、各雄ネジ50a,50bを各雌ネジ穴52a,52bに螺着させることにより、発光装置100をヒートシンク51に取付固定する。
ここで、各雄ネジ50a,50bのネジ頭の座面50cは、発光素子用基板20における各固定部22a,22bの透孔の周縁部22cから露出した金属基板21の表面に密着している。
[第2実施形態の作用・効果]
第2実施形態によれば、第1実施形態の前記[1][3]の作用・効果が得られる。
そして、第2実施形態において、固定部22a,22bの透孔の周縁部22cは、雄ネジ50a,50bの座面50cと当接する部分であり、周縁部22cには第1セラミックス層25が形成されておらず金属基板21が露出している。
そのため、雄ネジ50a,50bの座面50cが第1セラミックス層25に当接しないため、雄ネジ50a,50bからの印加力により第1セラミックス層25にクラックが発生するのを防止できる。
そして、雄ネジ50a,50bを固定部22a,22bの透孔に挿通してヒートシンク51に固定することができる。
加えて、第2実施形態では、前記[ウ]により、発光部30をより精度よく位置決めすることが可能であるため、発光部30から放射される光の利用効率を高めることができる。
第2実施形態によれば、第1実施形態の前記[1][3]の作用・効果が得られる。
そして、第2実施形態において、固定部22a,22bの透孔の周縁部22cは、雄ネジ50a,50bの座面50cと当接する部分であり、周縁部22cには第1セラミックス層25が形成されておらず金属基板21が露出している。
そのため、雄ネジ50a,50bの座面50cが第1セラミックス層25に当接しないため、雄ネジ50a,50bからの印加力により第1セラミックス層25にクラックが発生するのを防止できる。
そして、雄ネジ50a,50bを固定部22a,22bの透孔に挿通してヒートシンク51に固定することができる。
加えて、第2実施形態では、前記[ウ]により、発光部30をより精度よく位置決めすることが可能であるため、発光部30から放射される光の利用効率を高めることができる。
<別の実施形態>
本発明は前記各実施形態に限定されるものではなく、以下のように具体化してもよく、その場合でも、前記各実施形態と同等もしくはそれ以上の作用・効果を得ることができる。
本発明は前記各実施形態に限定されるものではなく、以下のように具体化してもよく、その場合でも、前記各実施形態と同等もしくはそれ以上の作用・効果を得ることができる。
[A]LEDチップ11は、どのような半導体発光素子(例えば、LD(Laser Diode)など)に置き換えてもよい。
[B]発光装置10,100は、自動車のヘッドランプが備えるヒートシンク51に限らず、どのような被取付物(例えば、ヘッドランプのケース(ハウジング)、屋内・屋外の照明器具など)に取り付けてもよい。
[C]雄ネジ50a,50bは、固定部22a,22bの切欠または透孔に挿通して発光装置10,100を取付固定することが可能であれば、どのような取付部材(例えば、リベット、スナップ、割ピンなど)に置き換えてもよい。
[D]各LEDチップ31は、フリップチップボンディングに限らず、ワイヤボンディングによって配線層27と接続してもよい。
[E]各セラミックス層25,26となる各グリーンシートGa,Gbを金属基板21に貼着するのではなく、各セラミックス層25,26を予め焼成することにより作製しておき、その作製した各セラミックス層25,26と金属基板21を拡散接合させてもよい。
[F]低温同時焼成セラミックス(LTCC:Low Temperature Co-fired Ceramics)技術を利用し、銀などの導体を含んだペーストをスクリーン印刷法によって各グリーンシートGa,Gbの表面に印刷しておき、各セラミックス層25,26と金属基板21を拡散接合させるのと同時に、前記ペーストを焼成して配線層27を形成してもよい。
10…発光装置
20…発光素子用基板
21…金属基板
22a,22b…固定部
22c…周縁部
25…第1セラミックス層
26…第2セラミックス層
27…配線層
28…ソルダーレジスト層
30…発光部
31…LEDチップ(発光素子)
50a,50b…雄ネジ(取付部材)
51…自動車のヘッドランプが備えるヒートシンク(被取付物)
20…発光素子用基板
21…金属基板
22a,22b…固定部
22c…周縁部
25…第1セラミックス層
26…第2セラミックス層
27…配線層
28…ソルダーレジスト層
30…発光部
31…LEDチップ(発光素子)
50a,50b…雄ネジ(取付部材)
51…自動車のヘッドランプが備えるヒートシンク(被取付物)
Claims (8)
- 発光素子が実装される発光素子用基板であって、
金属基板と、
前記金属基板における前記発光素子が実装される実装面に形成された第1セラミックス層と、
前記第1セラミックス層における前記金属基板に接する面の反対面に形成されて前記発光素子に接続される配線層と、
前記金属基板における前記実装面の反対面に形成された第2セラミックス層と
を備え、
前記金属基板と前記各セラミックス層とは拡散接合によって接合された発光素子用基板。 - 前記発光素子用基板を被取付物に取付部材を用いて取付固定するための固定部を更に備え、
前記固定部における前記取付部材と当接する部分には前記第1セラミックス層が形成されておらず前記金属基板が露出している、
請求項1に記載の発光素子用基板。 - 前記固定部は、前記発光素子用基板の中心線に対して線対称に配置形成され、前記発光素子用基板の対向する側辺に穿設された切欠を備え、
前記切欠の周縁部は前記取付部材と当接する部分であり、
前記第1セラミックス層は、前記切欠の周縁部を除いて、前記金属基板における前記実装面の全面に形成されている、
請求項2に記載の発光素子用基板。 - 前記固定部は、前記発光素子用基板の中心線に対して線対称に配置形成され、前記発光素子用基板の板厚方向に貫通形成された透孔を備え、
前記透孔の周縁部は前記取付部材と当接する部分であり、
前記第1セラミックス層は、前記透孔の周縁部を除いて、前記金属基板における前記実装面の全面に形成されている、
請求項2に記載の発光素子用基板。 - 前記第2セラミックス層は、前記周縁部を含めて前記金属基板における前記実装面の反対面の全面に形成されている、
請求項3または請求項4に記載の発光素子用基板。 - 前記金属基板は、銅、銅系合金、アルミニウム、アルミニウム系合金から成るグループから選択されたいずれか一つの金属によって形成されている、
請求項1〜5のいずれか一項に記載の発光素子用基板。 - 前記各セラミックス層は、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化シリコン、炭化シリコンから成るグループから選択されたいずれか一つの金属によって形成されている、
請求項1〜6のいずれか一項に記載の発光素子用基板。 - 請求項1〜7のいずれか一項に記載の発光素子用基板と、
前記発光素子用基板に実装された発光素子と
を備えた発光装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015099675A JP6311887B2 (ja) | 2015-05-15 | 2015-05-15 | 発光素子用基板および発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015099675A JP6311887B2 (ja) | 2015-05-15 | 2015-05-15 | 発光素子用基板および発光装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016219484A true JP2016219484A (ja) | 2016-12-22 |
JP6311887B2 JP6311887B2 (ja) | 2018-04-18 |
Family
ID=57581494
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015099675A Active JP6311887B2 (ja) | 2015-05-15 | 2015-05-15 | 発光素子用基板および発光装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6311887B2 (ja) |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006132087A1 (ja) * | 2005-06-06 | 2006-12-14 | Dowa Electronics Materials Co., Ltd. | 金属-セラミック複合基板及びその製造方法 |
JP2007317701A (ja) * | 2006-05-23 | 2007-12-06 | Koha Co Ltd | 光源用基板及びこれを用いた照明装置 |
JP2010073724A (ja) * | 2008-09-16 | 2010-04-02 | Sanyo Electric Co Ltd | 発光モジュール |
JP2010129259A (ja) * | 2008-11-26 | 2010-06-10 | Kyocera Corp | プラズマ発生電極、およびプラズマ反応器 |
JP2010287753A (ja) * | 2009-06-12 | 2010-12-24 | Dainippon Printing Co Ltd | 発光ダイオード搭載用基板およびその製造方法 |
-
2015
- 2015-05-15 JP JP2015099675A patent/JP6311887B2/ja active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006132087A1 (ja) * | 2005-06-06 | 2006-12-14 | Dowa Electronics Materials Co., Ltd. | 金属-セラミック複合基板及びその製造方法 |
JP2007317701A (ja) * | 2006-05-23 | 2007-12-06 | Koha Co Ltd | 光源用基板及びこれを用いた照明装置 |
JP2010073724A (ja) * | 2008-09-16 | 2010-04-02 | Sanyo Electric Co Ltd | 発光モジュール |
JP2010129259A (ja) * | 2008-11-26 | 2010-06-10 | Kyocera Corp | プラズマ発生電極、およびプラズマ反応器 |
JP2010287753A (ja) * | 2009-06-12 | 2010-12-24 | Dainippon Printing Co Ltd | 発光ダイオード搭載用基板およびその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6311887B2 (ja) | 2018-04-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4789671B2 (ja) | 発光素子用配線基板ならびに発光装置 | |
KR20080014808A (ko) | Led용 기판 및 led 패키지 | |
JP2006196565A (ja) | 発光素子収納用パッケージ | |
JP2008288536A (ja) | 表面実装型セラミック基板 | |
JP2007234846A (ja) | 発光素子用セラミックパッケージ | |
JP2007273602A (ja) | 発光素子用配線基板および発光装置 | |
JP4841284B2 (ja) | 発光素子用配線基板ならびに発光装置 | |
JP4822883B2 (ja) | 発光素子収納用パッケージの製造方法 | |
JP2006287126A (ja) | Ledランプ、およびそのユニット板の製造方法 | |
JP2007273603A (ja) | 発光素子用配線基板および発光装置 | |
JP2006303351A (ja) | 発光素子収納用パッケージ | |
TWI499100B (zh) | 發光二極體載體組合及其製造方法 | |
JP2005079167A (ja) | 発光素子収納用パッケージおよび発光装置 | |
JP2007227737A (ja) | 発光素子用配線基板ならびに発光装置 | |
JP2009038161A (ja) | 発光素子収納用パッケージ | |
JP2012094679A (ja) | 基板の製造方法 | |
JP2012084786A (ja) | Ledパッケージ | |
CN108140705B (zh) | 发光模块用基板、发光模块、带制冷器的发光模块用基板及发光模块用基板的制造方法 | |
JP4895777B2 (ja) | 発光素子用配線基板ならびに発光装置 | |
JP2011124449A (ja) | 発光部品、発光器及び発光部品の製造方法 | |
US9488344B2 (en) | Method for producing a lighting device and lighting device | |
JP2009117124A (ja) | 光源ユニット | |
JP6311887B2 (ja) | 発光素子用基板および発光装置 | |
JP2008135526A (ja) | 発光素子用連結基板および発光装置連結基板 | |
JP2013008826A (ja) | 発光素子実装用配線基板およびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170626 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180221 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180306 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6311887 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |