KR20090034995A - 발광 광원 및 그 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

발광 광원(1)은 기판(10); 상기 기판(10) 위에 형성된 단자(11) 및 랜드(12); 범프(13)를 통해 랜드(12) 위에 실장된 발광 소자(14); 및 발광 소자(14)를 덮고, 기판(10)의 주면과 발광 소자(14) 사이의 공극에 충전된 형광체층(15)을 포함하고, 상기 형광체층(15)은 형광체와 투광성 기재를 포함하도록 구성되고, 상기 공극에 충전된 형광체층(15)의 부분(15a)에서의 형광체의 체적 함유율과 상기 발광 소자(14)를 덮는 형광체층(15)의 부분(15a)에서의 형광체의 체적 함유율은 서로 거의 동일하다.

Description

발광 광원 및 그 제조 방법{ELECTROLUMINESCENT PHOSPHOR-CONVERTED LIGHT SOURCE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}
본 발명은 형광체층으로 덮여진 발광 소자를 포함하는 발광 광원 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
발광 다이오드(이후 "LED"라고 칭한다), 반도체 레이저 등의 발광 소자는 각종 발광 장치에 사용된다. 이들 중, LED 베어칩이 사용되는 발광 광원은, 방전 또는 복사를 활용하는 기존의 광원과 비교하여 소형이고 효율이 높을 뿐아니라, 최근에는 증가된 광속 밀도도 가진다. 그러므로, 이러한 발광 광원은 기존의 광원을 대체할 수 있다.
LED 베어칩을 사용하는 발광 광원의 예는, LED 베어칩을 포함하고, LED 베어칩에 접속된 기판, 및 형광체를 포함하고 LED 베어칩을 덮는 형광체층을 포함하는 발광 광원을 포함한다. 이러한 유형의 발광 광원 중에서, 청색광을 방사하는 LED 베어칩과, 형광체층 내에 포함되어 황색광을 방사하는 형광체를 사용하여 백색 출력광을 내는 발광 광원이 주목된다.
한편, LED 베어칩과 기판 사이의 전기 접속은, 예를 들면 비도전성 페이스트를 통해 기판에 접착된 LED 베어칩이 복수의 금 와이어를 사용하여 기판에 접속되 는 방법, 도전성 페이스트 또는 Au-Sn 공융 접착을 통해 기판에 접착된 LED 베어칩이 금 와이어를 사용하여 기판에 접속되는 방법, 또는 LED 베어칩이 범프를 통해 기판에 접속되는 플립칩 접속 방법에 의해 행해진다. LED 베어칩을 사용하는 상기 서술된 발광 광원이 조명 광원으로서 사용될 때, 와이어를 사용하여 전기 접속을 만드는 방법에서, 조사면 상에 와이어의 그림자가 투영되기 쉽기 때문에 와이어를 사용하지 않는 플립 칩 접속이 보다 적합하다.
플립칩 접속 방법에서, 일반적으로, LED 베어칩은 금 또는 땜납으로 형성된 범프를 통해, 기판위에 형성된 배선 패턴에 전기적으로 접속된다. 이 경우, 범프는 LED 베어칩 또는 기판 위에 형성된 배선 패턴(예를 들면, 랜드) 위에 직접 형성된다. 또한, LED 베어칩이 기판에 접속된 후, 또한 언더필이 LED 베어칩과 기판 사이의 갭에 충전되는 방법이 있다(예를 들면, 일본 특허 공개 JP 2003-101075A호 공보). 언더필은 일반적으로 예를 들면 에폭시 수지 등의 수지로 형성된 액체 물질이다. 이러한 사용으로 인해, LED 베어칩과 기판 사이의 접착은 보강될 수 있다.
그러나, 언더필은 LED 베어칩의 측면으로 흐르거나 LED 베어칩과 기판 사이의 영역 이외의 영역으로 퍼진다. 이러한 경우, 형광체층이 불안정한 형상을 가지게 되고, 즉, LED 베어칩을 덮고 있는 형광체층이 일정하지 않은 두께를 가지게 되고, 결국 출력광의 색도가 균일하지 않게 되어, 문제가 된다.
또한, 언더필과 형광체층이 서로 다른 재료로 형성되는 경우에, 특히, 형광체층이 접착성이 적은 실리콘 수지를 포함할 때, 언더필과 형광체층 사이의 인터페이스에서 박리가 생기기 쉬워, 이 또한 문제가 된다.
상기 서술된 문제를 해결하기 위해, 언더필을 사용하지 않고 형광 광원을 제조하는 방법이 제안되며, 이것은 발광 소자와 기판 사이에 형광체층 형성 재료의 투광성 기재를 배치함으로써 가능하다(WO 2006/041178 A3 참조).
그러나, WO 2006/041178 A3에 서술된 제조 방법에 따르면, 발광 소자와 기판 사이에 배치된 투광성 기재에 분산되는 형광체의 함유량은 감소한다. 그러므로, 투광성 기재에 분산되는 형광체의 함유량은 발광 소자를 덮는 형광체층에서 형광체의 함유량과는 현저하게 다르게 될 가능성이 있다. 그 결과, 발광 소자 상층의 방열성과 발광 소자 하층의 방열성 사이에 현저한 차이가 발생하고, 이러한 방열성의 현저한 차이는 열 응력을 가져와서, 형광체층이 기판으로부터 박리되게 한다.
본 발명은 종래 기술의 문제를 해결하기 위한 것으로, 발광 소자의 상하층의 방열성 사이의 차이가 감소될 수 있는 발광 광원 및 이러한 발광 광원을 제조하는 방법을 제공한다.
본 발명의 발광 광원은 기판; 기판 위에 형성된 단자 및 랜드; 범프를 통해 랜드 위에 실장된 발광 소자; 발광 소자를 덮고, 기판의 주면과 발광 소자 사이의 공극에 충전된 형광체층을 포함한다. 발광 광원에서, 형광체층은 형광체와 투광성 기재를 포함하고, 공극에 충전된 형광체층의 부분에서의 형광체의 체적 함유율과 발광 소자를 덮는 형광체층의 부분의 형광체의 체적 함유율은 거의 동일하다.
본 발명의 발광 광원을 제조하는 방법은, 단자와 랜드가 형성되어 있는 기판 위에 박리성 수지 코팅층이 단자를 덮도록 상기 박리성 수지 코팅층을 배치하는 단계; 범프를 통해 랜드 위에 발광 소자를 실장하는 단계; 형광체층 형성 재료가 발광 소자를 덮고, 기판의 주면과 발광 소자 사이의 공극에 충전되도록 감소된 압력하에서 형광체와 투광성기재를 함유하는 형광체층 형성재료를 배치하는 단계; 및 박리성 수지 코팅층을 박리하는 단계를 포함한다.
본 발명의 발광 광원과 발광 광원의 제조 방법에 따르면, 발광 소자 상하층의 방열성 사이의 차이를 감소시킬 수 있다. 그러므로, 기판으로부터 형광체층을 박리하는 등의 열응력에 의해 생긴 결함이 방지될 수 있다.
도 1A는 본 발명의 실시예에 따르는 발광 광원을 개략적으로 도시하는 사시도이고, 도 1B는 도 1A에 나타낸 발광 광원에서 사용되는 기판의 평면도이고, 도 1C는 도 1A에서 라인 I-I를 따라 취한 단면도이다.
도 2A ~ 2E는 본 발명의 실시예에 따르는 발광 광원의 바람직한 제조 방법의 단계들을 나타내는 단면도이다.
도 3은 점등시에 본 발명의 실시예 및 종래예 각각에 대해 형광체층의 상면의 중앙부와 기판의 하면의 중앙부의 온도 차이를 나타내는 그래프이다.
본 발명의 발광 광원은 기판, 기판 위에 형성된 단자와 랜드, 및 범프를 통해 랜드 위에 실장된 발광 소자를 포함한다.
기판을 형성하는 재료는 특별히 한정되지 않고, 예를 들면, Al2O3, AlN 등으 로 이루어진 세라믹 재료, 무기 필러 및 열경화성 수지를 포함하는 합성 재료 등이 사용될 수 있다. 또는, 기판의 방열성을 높이기 위해, 알루미늄 등으로 이루어진 금속 재료 위에 전기 절연층(예를 들면, 상기 서술된 합성 재료)을 형성함으로써 얻어진 적층 재료가 사용될 수 있다. 기판은 예를 들면 약 0.5㎜ ~ 3㎜의 두께를 갖는다.
단자, 랜드 및 범프를 형성하기 위해, 일반적으로 사용되는 재료가 사용될 수 있다. 예를 들면, 단자 및 랜드는 동을 사용하거나 또는 동에 니켈 및 금 등으로 도금하여 형성될 수 있고, 범프는 금, 땜납 등을 사용하여 형성될 수 있다.
발광 소자로서, 예를 들면, 420㎚ ~ 500㎚의 파장을 갖는 청색광을 방사하는 청색 LED, 380㎚ ~ 420㎚의 파장을 갖는 청자색광을 방사하는 청자색 LED 등이 사용될 수 있다. 청색 LED 및 청자색 LED로서, 예를 들면, InGaAIN 기재로 형성된 LED가 사용될 수 있다. 기판 위에 배치되는 발광 소자의 수는 특별히 제한되지 않고, 그 수는 필요한 광량에 따라서 적절히 설정될 수 있다.
상기 서술된 구성 소자에 더하여, 본 발명의 발광 광원은 발광 소자를 덮고 기판의 주면과 발광 소자 사이의 공극에 충전된 형광체층을 더 포함한다.
형광체층은 형광체 및 투광성 기재를 포함하고, 공극에 충전된 형광체층의 부분(이 부분이 형성되어 있는 영역을 이후 "제1 영역"이라고 칭한다)에서의 형광체의 체적함유율과, 발광 소자를 덮는 형광체층의 부분(이 부분이 형성되어 있는 영역을 이후 "제2 영역"이라고 칭한다)에서의 형광체의 체적함유율이 서로 거의 같다. 이것은 발광 소자의 광 출력측에 위치하는 제2 영역에서의 열전도율과, 반대측 에 위치하는 제1 영역에서의 열전도율을 서로 거의 같게 함으로서, 발광 소자의 상하층의 방열성이 감소될 수 있다. 따라서, 기판으로부터 형광체층을 박리하는 등의 열응력에 의해 생긴 결함이 방지될 수 있다. "거의 같다"는 것은 제1 및 제2 영역에서 각각의 열전도율이 서로 거의 같게 되도록 제1 및 제2 영역에 형광체가 포함되어 있는 것을 의미한다. 예를 들면, 제1 영역에서의 형광체의 체적 함유율이 제2 영역에서의 형광체의 체적 함유율의 80% 이상일 수 있고, 바람직하게는 제1 영역에서의 형광체의 체적 함유율이 제2 영역에서의 형광체의 체적 함유율의 90% 이상, 100% 이하일 수 있다.
형광체층에 포함된 형광체로서, 예를 들면, 적색 광을 방사하는 적색 형광체, 황색 광을 방사하는 황색 형광체, 녹색 광을 방사하는 녹색 형광체 등이 사용될 수 있다. 적색 형광체로서, 예를 들면, 니트라이드 실리케이트계의 Sr2Si5N8:Eu2+, 니트라이드 알루미노실리케이트계 CaAlSiN3:Eu2+, 옥소니트라이드 알루미노실리케이트계 Sr2Si4AlON7:Eu2+, LOS계 La2O2S:Eu3+ 등이 사용될 수 있다. 황색 형광체로서, 예를 들면, (Sr, Ba)2SiO4:Eu2+, (Y, Gd)3Al5O12:Ge3+등이 사용될 수 있다. 녹색 형광체로서, 예를 들면 BaMgAl10O17:Eu2+, BaMgAl10O17:Mn2+, SrAl2O4:Eu2+, 실리케이트계 (Ba, Sr)2SiO4:Eu2+ 등이 사용될 수 있다. 420㎚ 이하의 파장을 갖는 청 자색광을 방사하는 LED, 또는 380㎚ 이하의 파장을 갖는 자외광을 방사하는 LED가 발광 소자로서 사용되는 경우에, 형광체로서, 예를 들면 상기 서술된 적색 형광체 또는 녹색 형광체가 청색 광을 방사하는 청색 형광체와 함께 사용될 수 있는 것에 주의한다. 이 청색 형광체로서, 예를 들면, BaMgAl10O17:Eu2+ 등의 알루미네이트계 형광체, Ba3MgSi2O8:Eu2+ 등의 실리케이트 형광체 등이 사용될 수 있다.
형광체층을 형성하는 투광성 기재는, 형광체가 분산될 수 있고, 출력광이 투과될 수 있기만 하면 특별히 제한되지는 않지만, 실리콘 수지 또는 에폭시 수지 등의 투광성 수지가 바람직하다. 이들 중에서, 양호한 내광성과, 경화 전에 높은 유동성 때문에 실리콘 수지가 보다 바람직하고, 이들 성질은 후술하는 제조 공정에서 제1 영역에 충전하는 것을 더 용이하게 한다.
본 발명의 발광 광원에서, 바람직하게 각 랜드는 랜드 위에 실장된 각 발광 소자의 면적보다 큰 면적을 갖는다. 특히 바람직하게, 각 랜드는 각 발광 소자의 면적의 1.3배 이상의 영역을 갖는다. 이것은 이러한 구성이 후술하는 제조 공정에서 제1 영역에 충전하는 것을 더 용이하게 하기 때문이다.
다음은 본 발명의 발광 광원을 제조하는 방법을 서술한다. 아래에 서술하는 발광 광원을 제조하는 방법이 본 발명의 상기 서술된 발광 광원을 제조하는 바람직한 방법이기 때문에, 미리 서술된 내용의 중복 설명은 몇몇 경우에 생략한다.
본 발명의 발광 광원을 제조하는 방법은, 박리성 수지 코팅층이 단자를 덮는 방식으로, 단자와 랜드가 형성되어 있는 기판 위에 박리성 수지 코팅층을 배치하는 단계; 범프를 통해 랜드 위에 발광 소자를 실장하는 단계; 형광체층 형성 재료가 발광 소자를 덮고, 기판의 주면과 발광 소자 사이의 공극(즉, 제1 영역)에 충전되도록 감소된 압력하에서 형광체와 투광성기재를 함유하는 형광체층 형성재료를 배치하는 단계; 및 박리성 수지 코팅층을 박리하는 단계를 포함한다. 이 방법에서 형광체층 형성 재료는 감소된 압력하에서 배치되기 때문에, 형광체를 포함하는 형광체층 형성 재료는 제1 영역에 용이하게 충전될 수 있다. 그러므로, 제1 영역에서의 형광체의 체적함유율과 제2 영역에서의 형광체의 체적함유율이 서로 거의 동일한 본 발명의 발광 광원은 용이하게 제조될 수 있다. 또한, 형광체층 형성 재료를 배치하는 단계에서 단자가 박리성 수지 코팅층으로 덮여지기 때문에, 형광체층 형성 재료가 단자에 부착하는 것을 방지할 수 있다.
박리성 수지 코팅층은 형광체층 형성 재료가 단자에 부착하는 것을 방지하기 위해 단자에 밀접하게 부착될 수 있고, 단자로부터 용이하게 박리되는 임의의 재료로 형성될 수 있다. 예를 들면, 재료는 아크릴 수지, 염화 비닐 등으로 만들어질 수 있다.
형광체층 형성 재료를 배치하는 단계는 20 Pa 미만의 분위기압하에서 행해지고, 보다 바람직하게는 1Pa 이상 및 10Pa 이하의 분위기에서 행해지는 것이 더 바람직하다. 이것은 이 조건이 제1 영역에 더 용이하게 충전할 수 있게 하기 때문이다.
본 발명의 발광 광원을 제조하는 방법에서, 랜드의 면에 대한 형광체층 형성 재료의 접촉각(접촉각 θ1)이 기판의 주면에 대한 형광체층 형성 재료의 접촉각(접촉각 θ2) 보다 작은 것이 바람직하다. 특히 바람직하게는, θ1/θ2는 2/3 이하이다. 이것은 이 조건이 제1 영역에 충전하는 것을 더 용이하게 하기 때문이다. 예를 들면, 알루미나가 기판에 대한 재료로서 사용되는 경우에, 금이 랜드의 기판을 형성하는 재료로서 사용되고, 실리콘 수지가 형광체층 형성 재료의 투광성 기재로서 사용되고, 랜드면에 대한 형광체층 형성 재료의 접촉각은 대략 60°이고, 기판의 주면에 대한 형광체층 형성 재료의 접촉각은 대략 90°이다. 그러므로, 제1 영역에 충전하는 것은 더 용이하게 행해질 수 있다.
이하, 본 발명은 도면을 참조하여 도시예를 통해 설명한다. 참조되는 도면에서, 실질적으로 동일한 기능을 갖는 구성 요소는 동일한 도면 부호로 표시되어, 이러한 요소의 중복 설명이 몇몇 경우에 생략된다.
도 1A 및 1C에 나타낸 것같이, 발광 광원(1)은 기판(10), 및 기판(10)에 형성된 단자(11) 및 랜드(12), 범프(13)를 통해 랜드(12) 위에 실장된 발광 소자(14), 및 발광 소자(14)를 덮고 제1 영역(15a) 즉, 기판(10)의 주면과 발광 소자(14) 사이의 공극에 충전되는 형광체층(15)를 포함한다. 또한, 기판(10) 위에, 정전기 방지 부재(16)(예를 들면, 제너 다이오드, 바리스터 등)가 단자(11) 및 랜드(12) 위에 연장되도록 실장된다.
도 1B에 나타낸 것같이, 6×2=12의 수의 발광 소자(14)가 직렬로 접속되도록 단자(11) 및 랜드(12)가 배열된다.
형광체층(15)은 형광체 및 투광성 기재를 포함한다. 제1 영역(15a)에서의 형광체층(15)의 형광체의 체적함유율과, 발광 소자(14)를 덮는 영역인 제2 영역(15b)(도 1C 참조)에서의 형광체층(15)의 형광체의 체적함유율이 서로 거의 같다. 이것은 발광 소자(14)의 광 출력측에 위치하는 제2 영역(15b)에서의 열전도율과, 반대측에 위치하는 제1 영역(15a)에서의 열전도율을 서로 거의 같게 함으로써, 발광 소자(14) 상하층의 방열성 사이의 차이가 감소될 수 있다. 따라서, 기판(10)에서 형광체층(15)을 박리하는 등의 열 응력에 의해 생긴 결함이 방지될 수 있다.
또, 발광 광원(1)에서, 각 랜드(12)는 랜드(12) 위에 실장된 각 발광 소자(14)의 영역보다 더 넓은 영역을 가진다. 이것은 후술하는 발광 광원(1)의 제조 공정에서 제1 영역(15a)에 형광체층 형성 재료를 더 용이하게 충전하게 한다.
다음에, 발광 광원(1)을 제조하는 바람직한 방법을 설명한다. 여기서 참조되는 도 2A ~ 2E는 발광 광원(1)을 제조하는 바람직한 방법의 단계들을 나타내는 단면도이다.
우선, 도 2A에 나타낸 것같이, 박리성 수지 코팅층(20)이 단자(11)와 랜드(12)가 형성되는 기판(10) 위에 배치되므로, 박리성 수지 코팅층(20)이 단자(11)를 덮는다. 이 때문에, 형광체 및 실리콘 수지를 포함하는 형광체층 형성 재료(21)를 배치하는 단계에서(도 2C 참조), 형광체층 형성 재료(21)가 단자(11)에 부착하는 것을 방지할 수 있다.
다음에, 도 2B에 나타낸 것같이, 발광 소자(14) 및 정전기 방지 부재(16)가 범프(13)를 통해 랜드(12)에 실장된다.
다음에, 도 2C에 나타낸 것같이, 형광체층 형성 재료(21)이 다이(23)에 흘러들어가고, 발광 소자(14)와 정전기 방지 부재(16)가 형광체층 형성 재료(21)에 내장되는 방식으로 기판(10)이 다이(23) 위에 적재된다. 그러면, 압력이 다이(23)에서 20Pa 미만이 되도록 진공 펌프(22)에 의해 감소된다. 이 공정을 통해, 발광 소자(14)가 형광체층 형성 재료(21)에 의해 덮여지고, 형광체층 형성 재료(21)가 제1 영역(15a)에 충전된다. 또한, 1 ~ 5분 동안 100℃ ~ 180℃에서의 가열 처리가 동시에 행해짐으로써, 형광체층 형성 재료(21)에 대해 일차 경화 작업이 행해진다.
다음에, 다이(23)가 제거되고, 30 ~ 180분 동안 100℃ ~ 160℃에서의 가열 처리가 행해짐으로써, 형광체층 형성 재료(21)에 대해 이차 경화 작업이 행해진다. 이와 같이 행함으로써, 형광체층(15)이 도 2d에 도시된 것같이 형성된다.
다음에, 박리성 수지 코팅층(20)이 박리됨으로써, 도 2E에 도시된 발광 광원(1)이 얻어진다.
실시예
이후, 도시예를 통해 본 발명을 서술한다. 본 발명은 이 예에 한정되는 것이 아님에 주의한다.
본 발명의 실시예로서, 도 1A 및 1C에 도시된 것같은 발광 광원은 도 2A 및 2E에 도시된 방법에 의해 제조되었다. 도 2C에 나타낸 단계에서 다이(23)내가 5Pa가 되도록 압력이 감소되었던 것에 주의한다. 기판(10)으로서, Al2O3으로 만들어진 기판(두께 T1(도 1C 참조)이 사용되었다. 발광 소자(14)로서, 청색 LED가 사용되었다. GaN계 재료(1㎜×1㎜, 두께 T3(도 1C 참조): 300㎛)로 만들어진 청색 LED가 사용되었다. 형광체층(15)을 형성하는 투광성 기재로서, 실리콘 수지가 사용되었다. 형광체층(15)의 전체 중량에 대해 15 wt%의 함유율로 형광체가 포함되었다. 또한, 기판(10)의 주면에서 발광 소자(14)까지의 거리(T2)(도 1C참조)는 30㎛이고, 발광 소자(14)의 상면으로부터 형광체층(15)의 상면까지의 거리(T4)(도 1C참조)는 1200㎛이다.
1mA의 전류를 25℃의 실온에서 실내에 상기 서술된 실시예의 발광 광원에 공급하여, 한 시간동안 놓아 둔다. 발광 광원이 정상 상태가 된 후, 형광체층(15)의 상면의 중앙부(X)(도 1C 참조)에서의 온도와 형광체층(15)의 중앙부(Y)(도 1C 참조)에서의 온도가 자외 방사 온도계(일본 아비오닉스사 제(製)의 Thermoviewer)에 의해 측정되어, 온도차(Y-X)가 계산된다. 비교예 1, 2로서, 다이(23)에서 압력이 각각 0.1Pa 및 0.5Pa이 되도록 감압되는 것을 제외하고는 상기 서술된 실시예와 동일한 방법으로 제조된 발광 광원이 준비되고, 각 경우에 대해 동일한 방법으로 온도차(Y-X)가 계산된다. 결과가 도 3에 도시되어 있다. 실시예 및 비교예 1, 2에서, 형광체의 체적 함유량의 비(제1 영역(15a)/제2 영역(15b))는 각각 0.9, 0.6 및 0.1이다.
도 3에 나타낸 것같이, 실시예의 발광 광원의 온도차(Y-X)는 비교예 1, 2의 발광 광원과 비교할 때 더 작다. 그래서, 발광 소자(14) 상하층의 방열성의 차이가 감소된다.
본 발명의 진의 또는 요지를 벗어나지 않으면 다른 형태로 실시될 수 있다. 본 출원서에 개시된 실시예들은 모든 면에서 일 예로서 고려되어야 할 뿐, 이것에 제한되는 것은 아니다. 본 발명의 범위는 상기의 설명이 아니라 첨부된 청구범위에 의해 해석되며, 청구 범위와 동등한 의미 및 범위 내에서의 모든 변화가 여기에 포함되는 것이다.
본 발명의 발광 광원은 예를 들면, 일반적인 조명, 연출 조명(사인 등과 같은), 자동차 조명(특히, 헤드라이트) 등에 사용되는 조명 장치, 및 가두용 대형 디스플레이, 프로젝터 등에 사용되는 디스플레이 장치에 유용하다.

Claims (7)

  1. 기판;
    상기 기판 위에 형성된 단자 및 랜드;
    범프를 통해 상기 랜드 위에 실장된 발광 소자; 및
    상기 발광 소자를 덮고, 상기 기판의 주면과 상기 발광 소자 사이의 공극에 충전된 형광체층을 포함하고,
    상기 형광체층은 형광체와 투광성 기재를 포함하고,
    상기 공극에 충전된 상기 형광체층의 부분에서의 상기 형광체의 체적 함유율과 상기 발광 소자를 덮는 상기 형광체층의 부분에서의 상기 형광체의 체적 함유율은 서로 거의 동일한, 발광 광원.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 공극에 충전된 상기 형광체층의 부분에서의 상기 형광체의 체적 함유율은 상기 발광 소자를 덮는 상기 형광체층의 부분에서의 상기 형광체의 체적 함유율의 80% 이상인, 발광 광원.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 투광성 기재는 실리콘 수지인, 발광 광원.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 랜드의 면적은 상기 랜드 위에 실장된 상기 발광 소자의 면적보다 큰, 발광 광원.
  5. 단자와 랜드가 형성되어 있는 기판 위에 박리성 수지 코팅층이 단자를 덮도록 상기 박리성 수지 코팅층을 배치하는 단계;
    범프를 통해 랜드 위에 발광 소자를 실장하는 단계;
    형광체층 형성 재료가 발광 소자를 덮고 상기 기판의 주면과 상기 발광 소자 사이의 공극에 충전되도록 감소된 압력하에서, 형광체와 투광성기재를 함유하는 형광체층 형성재료를 배치하는 단계; 및
    상기 박리성 수지 코팅층을 박리하는 단계를 포함하는, 발광 광원 제조 방법.
  6. 청구항 5에 있어서,
    상기 형광체층 형성 재료를 배치하는 단계는, 20Pa 미만의 분위기 압력하에서 행해지는, 발광 광원 제조 방법.
  7. 청구항 5에 있어서,
    랜드의 표면에 대한 상기 형광체층 형성 재료의 접촉각이, 상기 기판의 주면에 대한 상기 형광체층 형성 재료의 접촉각보다 작은, 발광 광원 제조 방법.
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