CN102829445A - 具有平衡机制的集成式led及其制造工艺 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种具有平衡机制的集成式LED，其特征在于，包括若干个并联的多晶串，上述多晶串的两端分别与正负极连接，上述多晶串包括若干个LED芯片以及一个用于镭射调整阻值的碳膜或金属膜。此外还公开了该集成式LED的制造工艺。有益之处在于：本发明的具有平衡机制的集成式LED，封装更稳定，电流平衡从而使其寿命获得保障，并且制造工艺简单易行，成本低。

Description

具有平衡机制的集成式LED及其制造工艺
技术领域
本发明涉及一种LED及其制造工艺，具体涉及一种具有平衡机制的集成式LED及其制造工艺。
背景技术
目前cob集成式LED均采多晶串并连，但LED是一种电流元件，其电压是非固定的，故每颗LED有些许电压差(0-0.5V)，但是多颗LED串连后电压差会累积增加，直接并联则造成各路的电流不平衡，即便事先分选亦会因LED因工作温度与发光效率不同造成再次不平衡。使用过程中，电流部分大部分小则会造成电流大的支路加速老化，可以通过设置补偿电阻来解决电流不均衡的问题，若将每串拉线出来接一个电阻补偿差异限制电流，可使其不平衡程度受到控制,但是cob多串并联的电路中，若要将每串支路均拉线出来串补偿电阻，将使产品变得非常复杂，所以现有技术中都对此问题采取了忽视和不作为的态度，导致了LED的使用寿命大打折扣，目前对于该问题的解决尚为空白。
发明内容
为解决现有技术的不足，本发明的目的在于克服现有技术的缺陷，提供一种具有平衡机制的集成式LED及其制造工艺，使得集成式LED封装更稳定，寿命更有保障，并且制造工艺简单易行，成本低。
为了实现上述目标，本发明采用如下的技术方案：
具有平衡机制的集成式LED，其特征在于，包括若干个并联的多晶串，上述多晶串的两端分别与正负极连接，上述多晶串包括若干个LED芯片以及一个用于镭射调整阻值的碳膜或金属膜。
前述的具有平衡机制的集成式LED，其特征在于，在多晶串与正极或负极连接的位置事先预留一跳线点，上述碳膜或金属膜填补于跳线点处。
前述的具有平衡机制的集成式LED，其特征在于，对碳膜或金属膜进行镭射烧除，使得在相同的电流下，每个多晶串的总电压均等于同一个设定电压。
前述的具有平衡机制的集成式LED，其特征在于，采用cob板以印刷技术将碳膜或金属膜填补。
前述的具有平衡机制的集成式LED，其特征在于，集成式LED为cob集成式LED，采用金线焊接。
前述的具有平衡机制的集成式LED的制造工艺，其特征在于，包括以下步骤：
（1）、采用cob金丝焊技术，在电路的正极和负极之间形成若干个并联的多晶串的集成式LED，每个多晶串上有若干个LED芯片，在每个多晶串与正极或负极连接的位置设置一跳线点；
（2）、采用cob板以印刷技术将跳线点处以碳膜或金属膜填补，然后执行cob固晶与打线使其成为回路；
（3）、使用探针对单一的多晶串回路通以定电流并测量在定电流下的总电压；
（4）、使用镭射将部分碳膜或金属膜烧除，当总电压到达设定电压时停止镭射；
（5）、采用同样的步骤对其他多晶串进行镭射；
（6）、用导线将每个多晶串与总电极并联，然后进行荧光粉与覆胶制程，然后将其烘干。
本发明的有益之处在于：本发明的具有平衡机制的集成式LED，封装更稳定，电流平衡从而使其寿命获得保障，并且制造工艺简单易行，成本低。 
附图说明
图1是本发明的具有平衡机制的集成式LED的一个优选实施例的结构示意图。 
图中附图标记的含义：1、LED芯片，2、平衡膜，3、金线。
具体实施方式
以下结合附图和具体实施例对本发明作具体的介绍。
参见图1，本发明的具有平衡机制的集成式LED包括若干个并联的多晶串，其中，多晶串连接于电路中，其两端分别与正负极连接，包括若干个LED芯片1以及一个用于镭射调整阻值的平衡膜2，具体为碳膜或金属膜。作为一种优选，我们采用cob板以印刷技术将碳膜或金属膜填补。
作为一种具体结构，碳膜或金属膜填补于多晶串与正极或者负极连接的位置处，所以，在实际工艺过程中，在多晶串与正极或负极连接的位置事先预留一跳线点，碳膜或金属膜填补于跳线点处。
具体来说，镭射时应满足以下条件：对碳膜或金属膜进行镭射烧除，使得在相同的电流下，每个多晶串的总电压均等于同一个设定电压。
作为一种优选，集成式LED为cob集成式LED，采用金线3焊接。
前面我们已经介绍了该集成式LED的结构，下面我们介绍其制造工艺包括以下步骤：
（1）、采用cob金丝焊技术，在电路的正极和负极之间形成若干个并联的多晶串的集成式LED，每个多晶串上有若干个LED芯片1，在每个多晶串与正极或负极连接的位置设置一跳线点；
（2）、采用cob板以印刷技术将跳线点处以平衡膜2填补，具体为碳膜或金属膜，然后执行cob固晶与打线使其成为回路；
（3）、使用探针对单一的多晶串回路通以定电流并测量在定电流下的总电压；
（4）、使用镭射将部分碳膜或金属膜烧除，当总电压到达设定电压时停止镭射；
（5）、采用同样的步骤对其他多晶串进行镭射；
（6）、用导线将每个多晶串与总电极并联，然后进行荧光粉与覆胶制程，然后将其烘干。
以上显示和描述了本发明的基本原理、主要特征和优点。本行业的技术人员应该了解，实施例不以任何形式限制本发明，凡采用等同替换或等效变换的方式所获得的技术方案，均落在本发明的保护范围内。

Claims (6)

1.具有平衡机制的集成式LED，其特征在于，包括若干个并联的多晶串，上述多晶串的两端分别与正负极连接，上述多晶串包括若干个LED芯片以及一个用于镭射调整阻值的碳膜或金属膜。
2.根据权利要求1所述的具有平衡机制的集成式LED，其特征在于，在多晶串与正极或负极连接的位置事先预留一跳线点，上述碳膜或金属膜填补于跳线点处。
3.根据权利要求2所述的具有平衡机制的集成式LED，其特征在于，对碳膜或金属膜进行镭射烧除，使得在相同的电流下，每个多晶串的总电压均等于同一个设定电压。
4.根据权利要求2所述的具有平衡机制的集成式LED，其特征在于，采用cob板以印刷技术将碳膜或金属膜填补。
5.根据权利要求1-4任一项所述的具有平衡机制的集成式LED，其特征在于，集成式LED为cob集成式LED，采用金线焊接。
6.权利要求1-5任一项所述的具有平衡机制的集成式LED的制造工艺，其特征在于，包括以下步骤：
（1）、采用cob金丝焊技术，在电路的正极和负极之间形成若干个并联的多晶串的集成式LED，每个多晶串上有若干个LED芯片，在每个多晶串与正极或负极连接的位置设置一跳线点；
（2）、采用cob板以印刷技术将跳线点处以碳膜或金属膜填补，然后执行cob固晶与打线使其成为回路；
（3）、使用探针对单一的多晶串回路通以定电流并测量在定电流下的总电压；
（4）、使用镭射将部分碳膜或金属膜烧除，当总电压到达设定电压时停止镭射；
（5）、采用同样的步骤对其他多晶串进行镭射；
（6）、用导线将每个多晶串与总电极并联，然后进行荧光粉与覆胶制程，然后将其烘干。
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