JP2007123789A - 電子モジュールにおける電子部品実装構造 - Google Patents
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Abstract
【課題】電子モジュールを他の基板へ搭載する際、半田の再溶融によって生じる電子モジュールの電子部品の短絡を抑制すること。
【解決手段】表面22に電極パッド21を備えた基板2と、電極パッド21に半田付けされる電極11を有する電子部品1と、基板2の表面22と電子部品1とを封止すると共にフィラーを含有する封止樹脂とを有し、電子部品1が実装された状態において、基板2の表面22と電子部品1の一対の電極11が存在しない部分の電子部品1の底面12との間に空間4が形成され、空間4内へ封止樹脂が流入可能になるように、空間4の高さ寸法を少なくとも封止樹脂のフィラーの最大粒径より大きくした。
【選択図】図1
【解決手段】表面22に電極パッド21を備えた基板2と、電極パッド21に半田付けされる電極11を有する電子部品1と、基板2の表面22と電子部品1とを封止すると共にフィラーを含有する封止樹脂とを有し、電子部品1が実装された状態において、基板2の表面22と電子部品1の一対の電極11が存在しない部分の電子部品1の底面12との間に空間4が形成され、空間4内へ封止樹脂が流入可能になるように、空間4の高さ寸法を少なくとも封止樹脂のフィラーの最大粒径より大きくした。
【選択図】図1
Description
本発明は、電子部品を基板に実装して製造する電子モジュールの電子部品実装構造に関する。
従来、電子部品を基板に実装して製造する電子モジュールは、集合基板であるセラミック多層基板上に電子部品を実装した後、印刷工法等の手段を用いて電子部品面を樹脂封止し、この樹脂封止された集合基板を電子モジュール毎にダイシングによって切断分離して製造する。そして、このような製造工程により完成した電子モジュールは、それぞれ他の基板上に半田付け等の手段を用いて搭載される。
図6及び図7は、電子モジュールの製造工程を示す断面説明図である。図6において、部品実装用の極小の電子部品101はその両端に一対の電極111を備えている。この電子部品101の各電極111は、集合基板である多層基板102の表面122に形成された一対の電極パッド121に、それぞれ半田103により半田付けされる。この電子モジュールに用いる基板102の厚さは、例えば、約0.6mmであり、また、電子部品101の高さは約0.3mmである。
そして、図7に示すように、電子部品101の実装を完了した集合基板である多層基板102の電子部品面を、印刷工法等を用いて熱硬化性樹脂である封止樹脂107により封止する。そして、封止樹脂107の硬化後に、ダイシングにより各電子モジュールを切断分離し電子モジュールが完成される。即ち、多数の電子モジュールが単一の集合基板である基板102から製造される。
しかし、上記のような製造工程により完成した電子モジュールを他の基板に搭載する際の半田付け工程における加熱により、電子部品101の両電極111の短絡が発生する場合があるという問題点がある。
電子部品101の電極111を基板102の電極パッド121に半田付けした状態、即ち、図6に示す状態において、上記の樹脂封止工程を行うと、空間104に封止樹脂107が流入せず、当該封止樹脂107が存在しない空間104が残存したまま基板102と電子部品101とが樹脂封止されることがある。これは、封止樹脂107に含有されているフィラーの粒径が空間104の高さ寸法よりも大きいと、封止樹脂107の空間104内への流入を妨害するからである。
このような空間104が存在する完成した電子モジュールを他の基板に半田付け等により搭載しようとすると、その半田付けの熱により電子部品101の電極111と基板102の電極パッド121とを半田付けしていた半田103が再溶融(再溶解)し、この空間104に流れ込むことがある。そして、図7に示すように、空間104に再溶融した半田103が流れ込むと、電子部品101の電極111間に短絡を生じてしまう。
また、この空間104に封止樹脂107が流入しているか否かという検査は、当該空間104の周囲が樹脂封止されているため事実上不可能である。また、汎用性がある電子モジュールは様々な基板へ搭載されるために、完成した電子モジュールを他の基板へ搭載する際の熱的条件を管理することも事実上不可能である。
本発明は、上述した課題を解決するためになされたもので、電子モジュールを他の基板へ搭載する際、半田の再溶融によって生じる電子モジュールの電子部品の短絡を抑制することができる電子モジュールにおける電子部品実装構造を提供することを目的とする。
本発明の実施形態に係る電子モジュールにおける電子部品実装構造は、表面に複数の電極パッドを備えた基板と、対応する一対の該電極パッドに半田付けされる一対の電極を有する電子部品と、該基板の表面と電子部品とを封止すると共にフィラーを含有する封止樹脂とを有し、該一対の電極が該基板の表面に設けられた該電極パッドに半田付けされ、該電子部品が実装された状態において、該基板の表面と該電子部品の該一対の電極が存在しない部分の該電子部品の底面との間に空間が形成される電子モジュールにおける電子部品実装構造であって、前記空間内へ前記封止樹脂が流入可能になるように、前記空間の高さ寸法を少なくとも前記封止樹脂のフィラーの最大粒径より大きくしたことを特徴とする。
さらに、本発明に係る電子モジュールにおける電子部品実装構造は、前記電極パッドの表面にはメッキ層が設けられていることが好ましい。
さらに、本発明に係る電子モジュールにおける電子部品実装構造は、前記基板の表面が、前記電極パッドが存在する部分において隆起していることが好ましい。
さらに、本発明に係る電子モジュールにおける電子部品実装構造は、前記電極パッドが、前記封止樹脂のフィラーの最大粒径よりも前記空間の寸法が大きくなるように、厚く形成されていることが好ましい。
さらに、本発明の他の実施形態に係る電子モジュールにおける電子部品実装構造は、表面に複数の電極パッドを備えた基板と、対応する一対の該電極パッドに半田付けされる一対の電極を有する電子部品と、該基板の表面と電子部品とを封止する封止樹脂とを有する電子モジュールにおける電子部品実装構造であって、前記基板の表面と前記電子部品の前記一対の電極が存在しない部分の前記電子部品の底面との間に短絡防止手段を設けたことを特徴とする。
さらに、本発明に係る電子モジュールにおける電子部品実装構造は、前記短絡防止手段が、前記基板の表面に設けたレジスト部であることが好ましい。
さらに、本発明に係る電子モジュールにおける電子部品実装構造は、前記短絡防止手段が、前記一対の電極が前記基板の表面に設けられた前記電極パッドに半田付けされ、前記電子部品が実装された状態において、前記基板の表面に施されると共にフィラーを含有していないアンダーフィル層であることが好ましい。
請求項1記載の本発明によれば、基板の表面と電子部品の一対の電極が存在しない部分の電子部品の底面との間の空間の高さ寸法が、少なくとも封止樹脂のフィラーの最大粒径より大きくなっているため、封止樹脂の空間内への流入が妨害されない。このため、空間内に流入した封止樹脂により、再溶融した半田による電子部品の電極の短絡を防止することができる。
請求項2記載の本発明によれば、電極パッドの表面にはメッキ層が設けられているため、電極パッドの厚さを厚くすることができ、前記空間の高さ寸法を容易に確保することができる。
請求項3記載の本発明によれば、基板の表面が、電極パッドが存在する部分において隆起しているため、前記空間の高さ寸法を容易に確保することができる。また、メッキ工程等を必要としないため、電子モジュールの製造コストを低減することができる。
請求項4記載の本発明によれば、電極パッドが、封止樹脂のフィラーの最大粒径よりも空間の寸法が大きくなるように、厚く形成されているため、前記空間の高さ寸法を容易に確保することができる。また、メッキ工程等を必要としないため、電子モジュールの製造コストを低減することができる。
請求項5記載の本発明によれば、基板の表面と電子部品の一対の電極が存在しない部分の電子部品の底面との間に短絡防止手段を設けたため、前記空間内へ再溶融した半田が流れ込むことを阻止することができる。このため、電子モジュールの信頼性を向上することができる。
請求項6記載の本発明によれば、短絡防止手段が、基板の表面に設けたレジスト部であるため、より確実に前記空間をレジスト部により封鎖することができ、前記空間内へ再溶融した半田が流れ込んでも短絡を防止することができる。
請求項7記載の本発明によれば、短絡防止手段が、電子部品が実装された状態において、基板の表面に施されると共にフィラーを含有していないアンダーフィル層であるため、前記空間内へ再溶融した半田が流れ込むことを完全に阻止し、短絡を防止することができる。
以下、本発明の第1実施形態について図面を参照して詳細に説明する。図1(a)及び(b)は、電子モジュールの製造工程を示す断面説明図である。この電子モジュールは、表面22に複数の電極パッド21を備えた基板2と、基板2の電極パッド21に半田付けされる一対の電極11を有する電子部品1と、基板2の表面22と電子部品1とを封止すると共にフィラーを含有する封止樹脂7とを有し、一対の電極11が基板2の表面22に設けられた電極パッド21に半田付けされ、電子部品1が実装された状態において、基板2の表面22と電子部品1の一対の電極11が存在しない部分の電子部品1の底面12との間に空間4が形成され、空間4内へ封止樹脂7が流入可能になるように、空間4の高さ寸法を少なくとも封止樹脂7のフィラーの最大粒径より大きくしたことを特徴とする。
電子部品1は、長さ0.6mm、幅0.3mm、高さ0.3mmという極上(極めて小さいとの意味でしょうか?)の部品実装用のチップである。この電子部品1の両端には、後述する基板2の電極パッド21と半田付けされる一対の電極11を備えている。
基板2は、例えば多層基板であるLTCC(Low Temperature Co-fired Ceramics/低温同時焼成セラミック)基板であり、その厚さは0.6mmである。そして、この基板2は、複数の電子モジュールを製造するために各電子モジュールを構成する基板を集合した集合基板であり、部品実装工程及び樹脂封止工程の後、ダイシングにより切断分離される。
基板2の表面22には複数の電極パッド21を備えている。この電極パッド21は、基板2側に設けた電極パッド基部21aと、この電極パッド基部21a表面にメッキ加工により設けたメッキ層21bとを備えている。このメッキ層21bは半田メッキ以外の金、銀、銅等の金属及び合金から成るメッキ層である。このメッキ層21bは、基板2の製造工程の後に行われるメッキ工程により形成される。
図1に示すように、電極11が電極パッド21に半田付けされ、電子部品1が基板2の表面22上に実装された状態において、基板2の表面22と、電子部品1の電極11が存在しない部分の電子部品1の底面12との間に空間4が形成される。
この空間4の高さは、空間4内へ封止樹脂が流入可能になるように、空間4の高さ寸法を少なくとも封止樹脂7のフィラーの最大粒径より大きい。(「空間4の高さをフィラーの最大粒径よりも大きくした」という点をご確認ください。フィラーの粒径は非常に小さいため、例えば、「フィラーの最大粒径の5倍以上とした」等の表現の方が適切ではないかと考えています。この点は、本発明の権利範囲をはっきりさせる上で重要ですので、是非ご検討ください。):「フィラーの最大粒径の5倍以上とした」に変更してください。この封止樹脂7はフィラーを含有する熱硬化性樹脂であり、電子モジュールの基板2の表面22と電子部品1とを封止するために、部品実装工程後に印刷工法等などの手段を用いて基板2の表面22に施される(図1(b)参照)。
本実施形態の電子モジュールは、樹脂封止工程に用いた熱硬化性樹脂の硬化後に、ダイシングにより各電子モジュールが切断分離され、個々の電子モジュールが完成される。
以下、第1実施形態の作用効果について説明する。
本実施形態においては、電極パッド21において、電極パッド基部21aの表面にメッキ層21bが設けられており、電極パッド21の表面が基板2の表面22から大きく突出している。そして、この電極パッド21の突出により、空間4の高さ寸法を少なくとも封止樹脂7のフィラーの最大粒径より大きくし、空間4内へ封止樹脂を確実に流入することができる。即ち、封止樹脂の基材となるフィラーの最大粒径よりも大きな空間4の高さを確保することにより、フィラーが空間4への封止樹脂7の流入を妨害できなくなるからである。
本実施形態においては、電極パッド21において、電極パッド基部21aの表面にメッキ層21bが設けられており、電極パッド21の表面が基板2の表面22から大きく突出している。そして、この電極パッド21の突出により、空間4の高さ寸法を少なくとも封止樹脂7のフィラーの最大粒径より大きくし、空間4内へ封止樹脂を確実に流入することができる。即ち、封止樹脂の基材となるフィラーの最大粒径よりも大きな空間4の高さを確保することにより、フィラーが空間4への封止樹脂7の流入を妨害できなくなるからである。
以下、図2を参照しつつ、第2実施形態に係る電子モジュールについて説明する。なお、第2実施形態においては、上記第1実施形態の各部材と同様の機能を備える部材に関し、同一の符号を用いて説明する。
この電子モジュールは、上記第1実施形態と略同様の構成を備えているが、図2に示すように、電極パッド21がメッキ層21bを有しておらず、その代わりに電極パッド21が存在する部分において基板2の表面22が隆起している点が異なる。
この基板2の表面22の隆起は、例えば、基板2にLTCC基板を用いる場合、その基板2の焼成工程の際に、電極パッド21を形成すべき部分を除いた部分を押型により圧力を加え圧縮する。この圧縮により、電極パッド21が存在する部分のみが隆起した基板2を得ることができる。
この電極パッド21の隆起高さは、上記第1実施形態と同様、空間4の高さ寸法が少なくとも封止樹脂のフィラーの最大粒径より大きくなるように設定する。
以下、第2実施形態の作用効果について説明する。
本実施形態によれば、上記第1実施形態におけるメッキ工程を必要とせず、上記第1実施形態と同等の作用効果を得ることができる。基板2の焼成工程において空間4への封止樹脂の流入に必要な空間4の高さを確保できるため、メッキ工程に必要な製造コストを削減することができる。
本実施形態によれば、上記第1実施形態におけるメッキ工程を必要とせず、上記第1実施形態と同等の作用効果を得ることができる。基板2の焼成工程において空間4への封止樹脂の流入に必要な空間4の高さを確保できるため、メッキ工程に必要な製造コストを削減することができる。
以下、図3を参照しつつ、第3実施形態に係る電子モジュールについて説明する。なお、第3実施形態においては、上記第1実施形態の各部材と同様の機能を備える部材に関し、同一の符号を用いて説明する。
この電子モジュールは、上記第1実施形態と略同様の構成を備えているが、図3に示すように、電極パッド21がメッキ層21bを有しておらず、その代わりに電極パッド21が厚くなるように形成されている点が異なる。
この電極パッド21の形成においては、基板2に電極パッド21を形成する際に、その電極パッド21の厚さが、空間4への封止樹脂の流入に必要な空間4の高さを確保できる厚さになるように一般的な電極パッドの厚さよりも厚く設定する。
以下、第3実施形態の作用効果を説明する。
本実施形態によれば、上記第1実施形態や第2実施形態における特別な製造工程を必要とすることなく、これら実施形態と同様の作用効果を得ることができる。電極パッド21を厚く形成することだけで空間4への封止樹脂の流入に必要な空間4の高さを確保できるため、製造コストの上昇を回避することができる。
本実施形態によれば、上記第1実施形態や第2実施形態における特別な製造工程を必要とすることなく、これら実施形態と同様の作用効果を得ることができる。電極パッド21を厚く形成することだけで空間4への封止樹脂の流入に必要な空間4の高さを確保できるため、製造コストの上昇を回避することができる。
以下、図4(a)及び(b)を参照しつつ、第4実施形態に係る電子モジュールについて説明する。なお、第4実施形態においては、上記第1実施形態の各部材と同様の機能を備える部材に関し、同一の符号を用いて説明する。
この電子モジュールは、表面22に複数の電極パッド21を備えた基板2と、基板2の電極パッド21に半田付けされる一対の電極11を有する電子部品1と、基板2の表面22と電子部品1とを封止する封止樹脂(図示せず)とを有し、基板2の表面22と電子部品1の一対の電極11が存在しない部分の電子部品1の底面12との間に短絡防止手段としてレジスト部5を設けたことを特徴とする。
レジスト部5は、基板2の製造工程において基板2の表面22上にガラスコート等により形成される。レジスト部5は、電子部品1を実装する前の基板2の平面視において、2つの電極パッド21の間を横切るように形成されている(図4(b)参照)。このレジスト部5の厚さは、図4に示すように、基板2の表面22と電子部品1の一対の電極11が存在しない部分の電子部品1の底面12との間の空間4の高さと同一である。
以下、第4実施形態の作用効果を説明する。
本実施形態によれば、短絡防止手段であるレジスト部5を設けることにより、基板2の表面22と電子部品1の一対の電極11が存在しない部分の電子部品1の底面12との間における短絡を防止することができる。即ち、半田3が再溶融した場合でも空間4内にこの半田3が流れ込むことを阻止することができる。
本実施形態によれば、短絡防止手段であるレジスト部5を設けることにより、基板2の表面22と電子部品1の一対の電極11が存在しない部分の電子部品1の底面12との間における短絡を防止することができる。即ち、半田3が再溶融した場合でも空間4内にこの半田3が流れ込むことを阻止することができる。
以下、図5を参照しつつ、第5実施形態に係る電子モジュールについて説明する。なお、第5実施形態においては、上記第1実施形態の各部材と同様の機能を備える部材に関し、同一の符号を用いて説明する。
この電子モジュールは、上記第4実施形態と略同様の構成を備えているが、図5に示すように、レジスト部5を有しておらず、その代わりにアンダーフィル層6を有している。
アンダーフィル層6は、電極11が基板2の表面22に設けられた電極パッド21に半田付けされ、電子部品1が基板2に実装された状態において、基板2の表面22に、例えばフィラーを含有していないアンダーフィル(エポキシ樹脂等)を施すことにより形成する。このアンダーフィルは、フィラーを含有していないため、空間4内へ円滑に流入することができる。
以下、第5実施形態の作用効果を説明する。
本実施形態によれば、短絡防止手段であるアンダーフィル層6を設けることにより、基板2の表面22と電子部品1の一対の電極11が存在しない部分の電子部品1の底面12との間における短絡を防止することができる。即ち、上記第4実施形態と同様に、半田3が再溶融した場合でも空間4内にこの半田3が流れ込むことを阻止することができる。
本実施形態によれば、短絡防止手段であるアンダーフィル層6を設けることにより、基板2の表面22と電子部品1の一対の電極11が存在しない部分の電子部品1の底面12との間における短絡を防止することができる。即ち、上記第4実施形態と同様に、半田3が再溶融した場合でも空間4内にこの半田3が流れ込むことを阻止することができる。
1、101 電子部品
11、111 電極
12 底面
2、102 基板
21、121 電極パッド
21a 電極パッド基部
21b メッキ層
22、122 表面
3、103 半田
4、104 空間
5 レジスト部
6 アンダーフィル層
7、107 封止樹脂
11、111 電極
12 底面
2、102 基板
21、121 電極パッド
21a 電極パッド基部
21b メッキ層
22、122 表面
3、103 半田
4、104 空間
5 レジスト部
6 アンダーフィル層
7、107 封止樹脂
Claims (7)
- 表面に複数の電極パッドを備えた基板と、対応する一対の該電極パッドに半田付けされる一対の電極を有する電子部品と、該基板の表面と電子部品とを封止すると共にフィラーを含有する封止樹脂とを有し、
該一対の電極が該基板の表面に設けられた該電極パッドに半田付けされ、該電子部品が実装された状態において、該基板の表面と、該電子部品の該一対の電極が存在しない部分の該電子部品の底面との間に空間が形成される電子モジュールにおける電子部品実装構造であって、
前記空間内へ前記封止樹脂が流入可能になるように、前記空間の高さ寸法を少なくとも前記封止樹脂のフィラーの最大粒径より大きくしたことを特徴とする電子モジュールにおける電子部品実装構造。 - 前記電極パッドの表面にはメッキ層が設けられている請求項1記載の電子モジュールにおける電子部品実装構造。
- 前記基板の表面は、前記電極パッドが存在する部分において隆起している請求項1記載の電子モジュールにおける電子部品実装構造。
- 前記電極パッドは、前記封止樹脂のフィラーの最大粒径よりも前記空間の寸法が大きくなるように、厚く形成されている請求項1記載の電子モジュールにおける電子部品実装構造。
- 表面に複数の電極パッドを備えた基板と、対応する一対の該電極パッドに半田付けされる一対の電極を有する電子部品と、該基板の表面と電子部品とを封止する封止樹脂とを有する電子モジュールにおける電子部品実装構造であって、
前記基板の表面と前記電子部品の前記一対の電極が存在しない部分の前記電子部品の底面との間に短絡防止手段を設けたことを特徴とする電子モジュールにおける電子部品実装構造。 - 前記短絡防止手段は、前記基板の表面に設けたレジスト部である請求項5記載の電子モジュールにおける電子部品実装構造。
- 前記短絡防止手段は、前記一対の電極が前記基板の表面に設けられた前記電極パッドに半田付けされ、前記電子部品が実装された状態において、前記基板の表面に施されると共にフィラーを含有していないアンダーフィル層である請求項5記載の電子モジュールにおける電子部品実装構造。
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110218 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A02 | Decision of refusal |
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