JP2006173389A - 表面実装部品を搭載した回路基板の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】表面実装部品を搭載した回路基板の生産効率を高め、しかもスルーホール(貫通孔)を有する回路基板への表面実装部品の実装品質を高めることができる回路基板の製造方法を提供する。
【解決手段】回路基板の製造方法は、表面実装部品11が搭載された回路基板12が分割線Lに沿って分割可能に複数形成され、分割線L上に内壁面に側面電極12Fを有する貫通孔Hを有する第1の親基板を作製する工程と、貫通孔Hよりも大きな面積の表面電極を下面に有するプリプレグ状態の樹脂シート1を作製する工程と、表面電極で貫通孔Hを覆うように樹脂シートを第1の親基板に接合する工程と、第1の親基板を分割線Lに沿って分割する工程と、を備えている。
【選択図】図1
【解決手段】回路基板の製造方法は、表面実装部品11が搭載された回路基板12が分割線Lに沿って分割可能に複数形成され、分割線L上に内壁面に側面電極12Fを有する貫通孔Hを有する第1の親基板を作製する工程と、貫通孔Hよりも大きな面積の表面電極を下面に有するプリプレグ状態の樹脂シート1を作製する工程と、表面電極で貫通孔Hを覆うように樹脂シートを第1の親基板に接合する工程と、第1の親基板を分割線Lに沿って分割する工程と、を備えている。
【選択図】図1
Description
本発明は、表面実装部品を搭載した回路基板の製造方法に関し、更に詳しくは、生産効率及び表面実装部品の実装品質に優れた、スルーホール等の貫通孔を有する回路基板の製造方法に関する。
従来のこの種の技術として、例えば特許文献1及び特許文献2に記載の技術が知られている。特許文献1にはチップ部品およびその製造方法について記載され、特許文献2には電子装置の製造方法及び電子装置について記載されている。
特許文献1に記載のチップ部品の製造方法は、配線基板の導通穴(スルーホールに相当する)の一方の穴端面を絶縁性の膜状体で塞ぐ非貫通穴を有する配線基板に電子部品を実装する工程、非貫通穴を有する配線基板に電子部品素子、または電子部品をワイヤ・ボンディング法で実装接続する工程、必要な場合には、被覆材料で電子部品素子、または電子部品を被覆する工程を備えている。このように配線基板に導通穴の一方の穴端面部を絶縁性の膜状体の物質で塞いだブラインドスルーホール穴構造となる非貫通穴を形成することにより、電子部品等を実装搭載する工程、および絶縁材料やモールド樹脂等の被覆材料で実装部品を被覆する工程とでフラックス、半田、半田ペースト、接着剤、被覆材料(液状の塗料)、表面処理剤などが配線基板の反対面側へ流出することがない。
また、特許文献2に記載の電子装置の製造方法では、集合基板に、電子部品、スルーホールの開口を塞ぐ金属板をそれぞれ実装し、リフローした後、絶縁性弾性部材からなる中間層で集合基板上の電子部品、金属板を覆い、固化した樹脂部によって中間層を覆うようにしている。つまり、スルーホールの開口を塞ぐ場合には、電子部品を実装する場合と同様に、金属板をスルーホールの開口に半田付けして実装している。そして、電子部品を実装し、電子部品を樹脂層で被覆した後、集合基板を個々の電子装置に分離している。
しかしながら、特許文献1に記載の技術では、表面実装部品を実装する前に、フォトリソグラフィ技術を用いて、例えば図6に模式的に示すように配線基板1の貫通穴1Aの部分に膜状体2を形成して貫通穴1Aを塞ぐため、例えば半田印刷工法によって表面実装部品を実装する場合に種々の問題が生じる。半田印刷では図7に示すように印刷マスクを配線基板1に接触させて半田4を必要箇所に印刷する。この際、配線基板1に印刷される半田量は、印刷マスク5の膜厚によって決まる。ところが、印刷マスク5を配線基板1に接触させると、図7に示すように印刷マスク5が膜状体2の部分で浮き上がって配線基板1から離れて隙間が生じ、膜状体2に近いほど隙間が大きくなって半田量が増え、膜状体2の近傍では半田量を適正に制御することができない。このような半田量にバラツキが一つの表面実装部品内の異なる電極で生じると、リフロー工程でチップ立ち不良(片方のランド上にチップが立ち上がる)等の不具合を惹き起こすことがある。また、膜状体2の厚みによっては図7に示すように半田量の多い部分では隣合う半田同士が接触し、短絡不良を生じることがある。これに対処するために膜状体2を薄くすることも考えられるが、この場合には半田印刷後の工程で外力を受けて膜状体2が破れる虞がある。また、他の問題として、フォトリソグラフィ技術で膜状体2を形成すると、膜状体2以外の部分が汚染されて半田が付き難くなるため、例えばプラズマクリーニング等の洗浄方法で汚染物質を除去しなくてはならず、洗浄処理等のコストが嵩み、製造コストが高くなる。尚、図6において、3はモールド樹脂である。
また、特許文献2に記載の技術では、貫通孔を塞ぐために金属板を実装しているが、金属板を実装する場合には、金属板の形成、実装供給用マスク詰め若しくは供給リールへの梱包、実装と多くの工程が必要であり、製造コストの増大を引き起こす原因となる。また、薄い金属板を使用することから、実装するまでの工程で変形などが起こりやすく、生産効率が悪くなる。更には、金属板自体を電極としても使用するため、金属板を半田にて実装する必要があり、この金属板を固着するための半田が貫通孔内へ流れ出し、金属板の固着不良を発生する虞がある。この場合、金属板の使用目的である樹脂の流れ出しを防止することが完全には達成されず、品質不良をもたらす虞がある。
本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、表面実装部品を搭載した回路基板の生産効率を高め、しかもスルーホール(貫通孔)を有する回路基板への表面実装部品の実装品質を高めることができる表面実装部品を搭載した回路基板の製造方法を提供することを目的としている。
本発明の請求項1に記載の表面実装部品を搭載した回路基板の製造方法は、分割線に沿って複数の回路基板に分割可能に形成され且つこれらの回路基板の主面上に表面実装部品がそれぞれ搭載されており、上記分割線上に、内壁面に側面電極を有する貫通孔または凹部の開口部を設けてなる集合基板を作製する工程と、上記開口部よりも大きな面積を有する封止部材を第1主面に有するプリプレグ状態にある樹脂シートを作製する工程と、上記樹脂シートの封止部材が上記開口部を覆うように上記樹脂シートを上記集合基板に接合すると共に、上記表面実装部品の少なくとも一部を上記樹脂シート中に埋設する工程と、上記集合基板を上記分割線に沿って分割し、複数の回路基板を取り出す工程と、を含むことを特徴とするものである。
また、本発明の請求項2に記載の表面実装部品を搭載した回路基板の製造方法は、請求項1に記載の発明において、上記封止部材を金属部材とすることを特徴とするものである。
また、本発明の請求項3に記載の表面実装部品を搭載した回路基板の製造方法は、請求項2に記載の発明において、上記樹脂シートは、その第1主面に対向する第2主面にシールド用金属膜を有しており、且つ、上記第1主面と上記第2主面とを接続するビア導体を有しており、上記樹脂シートを上記集合基板にラミネートすることによって、上記金属部材及び上記ビア導体を介して、上記回路基板の上記側面電極と上記シールド用金属膜とを接続することを特徴とするものである。
また、本発明の請求項4に記載の表面実装部品を搭載した回路基板の製造方法は、請求項1〜請求項3のいずれか1項に記載の発明において、上記回路基板は、複数の低温焼結セラミック層を積層してなるセラミック多層回路基板であることを特徴とするものである。
本発明の請求項1〜請求項4に記載の発明によれば、表面実装部品を搭載した回路基板の生産効率を高め、しかもスルーホール(貫通孔)を有する回路基板への表面実装部品の実装品質を高めることができる表面実装部品を搭載した回路基板の製造方法を提供することができる。
以下、図1〜図5に示す実施形態に基づいて本発明を説明する。尚、図1の(a)、(b)はそれぞれ本発明の表面実装部品を搭載した回路基板の製造方法の一実施形態によって製造された回路基板の一例を示す図で、(a)はその断面図、(b)はその要部を示す斜視図、図2の(a)〜(d)はそれぞれ図1に示す表面実装部品を搭載した回路基板の製造工程の要部を示す工程図、図3の(a)、(b)はそれぞれ図1に示す表面実装部品を搭載した回路基板に用いられる樹脂シートの製造工程の要部を示す工程図、図4の(a)〜(d)はそれぞれ図1に示す表面実装部品を搭載した回路基板の組立工程の要部を示す工程図、図5は本発明の表面実装部品を搭載した回路基板の製造方法で製造された他の例を示す断面図である。
第1の実施形態
まず、本発明の製造方法の一実施形態によって製造された表面実装部品を搭載した回路基板(以下、「複合回路基板」と称す。)の一例について説明する。本実施形態において製造される複合回路基板10は、例えば図1の(a)に示すように、主面(以下、「上面」と称す。)に少なくとも一つ(本実施形態では複数)の表面実装部品11が搭載された回路基板12と、この回路基板12の上面に第1主面(図1では下面)で接合された樹脂部13と、この樹脂部13の第2主面(図1で上面)を被覆するシールド用金属膜14と、を備え、回路基板12の下面にLGAタイプの端子電極が形成され、プリント回路基板等のマザーボード(図示せず)に実装できるように構成されている。
まず、本発明の製造方法の一実施形態によって製造された表面実装部品を搭載した回路基板(以下、「複合回路基板」と称す。)の一例について説明する。本実施形態において製造される複合回路基板10は、例えば図1の(a)に示すように、主面(以下、「上面」と称す。)に少なくとも一つ(本実施形態では複数)の表面実装部品11が搭載された回路基板12と、この回路基板12の上面に第1主面(図1では下面)で接合された樹脂部13と、この樹脂部13の第2主面(図1で上面)を被覆するシールド用金属膜14と、を備え、回路基板12の下面にLGAタイプの端子電極が形成され、プリント回路基板等のマザーボード(図示せず)に実装できるように構成されている。
回路基板12は、例えば図1に示すように、複数のセラミック層12Aが積層されてなるセラミック積層体と、このセラミック積層体に所定のパターンで形成された回路パターン12Bと、を備えたセラミック多層回路基板として形成されている。そこで、以下では回路基板12はセラミック多層回路基板12として説明する。回路パターン12Bは、同図に示すように、上下のセラミック層12A、12Aの界面に所定のパターンで形成された面内導体12Cと、セラミック多層回路基板12の上下両面に所定のパターンで形成された端子電極12Dと、これらの面内導体12C及び端子電極12Dを互いに電気的に接続するように各セラミック層12Aをそれぞれ所定のパターンで貫通して形成されたビア導体12Eとを備えている。セラミック多層回路基板12の上面には上述のように複数の表面実装部品11が搭載され、これらの表面実装部品11はそれぞれ端子電極12Dに電気的に接続されている。
表面実装部品11としては、図1に示すように、例えばシリコン半導体素子、ガリウム砒素半導体素子等の能動素子11Aやコンデンサ、インダクタ、抵抗等の受動素子11Bがあり、これらの表面実装部品11は、それぞれ半田や導電性樹脂を介して、あるいはAu、Al、Cu等のボンディングワイヤを介してセラミック多層回路基板12に搭載されている。
樹脂部13は、図1に示すように、樹脂層13Aと、この樹脂層13Aに所定のパターンで形成された回路パターン13Bと、を備えている。回路パターン13Bは、樹脂層13Aの下面に所定のパターンで形成された表面電極13Cと、この表面電極13Cと上面を被覆するシールド用金属膜14とを電気的に接続するように樹脂層13Aを所定のパターンで貫通して形成されたビア導体13Dと、を備えている。樹脂層13Aは、セラミック多層回路基板12の上面に実装された表面実装部品11を封止している。つまり、複数の表面実装部品11は、いずれも樹脂層13A内に埋設されている。
さて、図1の(a)、(b)に示すように、セラミック多層回路基板12の外周面には、その上面から下面に渡って切欠部12Iが形成されており、この切欠部12Iの内壁面には上端から下方に延びる側面電極12Fが形成されている。また、樹脂層13Aのセラミック多層回路基板12の切欠部12I内に露出した下面にはその全面に樹脂部13の表面電極13Cの一部が露出している。そして、セラミック多層回路基板12の側面電極12Fと樹脂部13の表面電極13Cとが切欠部12Iの内側に露出しており、側面電極12Fと表面電極13Cは電気的に接続されている。側面電極12Fと表面電極13Cには、好ましくは半田や導電性樹脂等の接合材(図示せず)を介するのが良い。尚、図1の(b)は同図の(a)の上下を反転した状態を示す要部の斜視図である。
シールド用金属膜14は、図1に示すように、ビア導体13D、表面電極13C及び側面電極12Fを介してセラミック多層回路基板12の回路パターン12Bに接続され、延いてはグランド電位に接地され、外部の電磁界を遮蔽する機能を有している。また、シールド用金属膜14は、平坦面になっているため、回路基板10をマザーボード等へ実装する際のマウンターによるピックアップ面としての機能も有している。グランド電極は、セラミック多層回路基板12内にセラミック層12Aとの同時焼結によって形成することができる。
而して、セラミック多層回路基板12のセラミック層12Aを形成するセラミック材料は特に制限されないが、セラミック材料としては、例えば低温焼結セラミック(LTCC:Low Temperature Co-fired Ceramic)材料を使用することができる。低温焼結セラミック材料とは、1050℃以下の温度で焼結可能であって、比抵抗の小さな銀や銅等と同時焼成が可能なセラミック材料である。低温焼結セラミック材料としては、具体的には、アルミナやジルコニア、マグネシア、フォルステライト等のセラミック粉末にホウ珪酸系ガラスを混合してなるガラス複合系LTCC材料、ZnO−MgO−Al2O3−SiO2系の結晶化ガラスを用いた結晶化ガラス系LTCC材料、BaO−Al2O3−SiO2系セラミック粉末やAl2O3−CaO−SiO2−MgO−B2O3系セラミック粉末等を用いた非ガラス系LTCC材料等が挙げられる。また、低温焼結セラミック材料を用いることにより、セラミック焼結体を素体とするコンデンサやインダクタ等の受動素子をセラミック多層回路基板12内も組み込むことができる。
セラミック多層回路基板12の回路パターン12Bは、導電性金属によって形成することができる。導電性金属としては、Ag、Ag−Pt合金、Cu、Ni、Pt、Pd、W、Mo及びAuの少なくとも一種を主成分とする金属を用いることができる。これらの導電性金属のうち、Ag、Ag−Pt合金、Ag−Pd合金及びCuは、比抵抗が小さいため、特に回路パターンにおいてより好ましく用いることができる。また、セラミック層12Aの材料として低温焼結セラミック材料を用いる場合には、AgまたはCu等の低抵抗で1050℃以下の低融点をもつ金属を用いることができ、セラミック層12Aと回路パターン12Bとを1050℃以下の低温で同時焼成することができる。従って、面内導体12C、端子電極12D、ビア導体12E及び側面電極12Fは、いずれも焼結金属として形成されている。
また、セラミック多層回路基板12のセラミック層12Aとしては、高温焼結セラミック(HTCC:High Temperature Co-fired Ceramic)材料を使用することもできる。高温焼結セラミック材料としては、例えば、アルミナ、窒化アルミニウム、ムライト、その他の材料にガラスなどの焼結助材を加え、1100℃以上で焼結されたものが用いられる。この場合、回路パターン12Bとしては、モリブデン、白金、パラジウム、タングステン、ニッケル及びこれらの合金から選択される金属を使用する。また、セラミック層12Aとしては、樹脂材料を用いることもでき、その場合、後述する樹脂層13Aの材料と同様のものを使用することができる。
樹脂部13の樹脂層13Aは、熱硬化性樹脂と無機フィラーとの混合樹脂組成物によって形成されたものが好ましい。熱硬化性樹脂としては、例えば耐熱性、耐湿性に優れたエポキシ樹脂、フェノール樹脂、シアネート樹脂等を用いることができ、無機フィラーとしては例えばアルミナ、シリカ、チタニア等を用いることができる。このように無機フィラーを添加することによって、上述のように樹脂部13の熱膨張率を適宜調整することができると共に放熱性を向上させることができ、更に、樹脂部13の製造時に樹脂の流動性を適宜制御することができる。
樹脂部13の表面電極13C及びシールド用金属膜14は銅箔等の金属箔によって形成することができ、また、ビア導体13Dは導電性樹脂によって形成することができる。導電性樹脂は、例えば金属粒子と熱硬化性樹脂とを含む導電性樹脂組成物である。金属粒子としては、例えば金、銀、銅、ニッケル等の金属を用いることができ、熱硬化性樹脂としては、例えばエポキシ樹脂、フェノール樹脂、シアネート樹脂等の樹脂を用いることができる。また、ビア導体13Eは、必要に応じて、例えば無電解メッキ銅及び電解メッキ銅によって形成することができる。
次いで、本発明の表面実装部品を搭載した回路基板の製造方法の一実施形態について、図2〜図4を参照しながら説明する。本実施形態では、複数の複合回路基板がマトリックス状に配列された集合基板(親基板)を作製し、親基板を所定の分割ラインに沿って複数の回路基板(子基板)に分割することによって複数の回路基板を作製する。親基板を作製する場合には、セラミック多層回路基板12となる第1の親基板52と、樹脂部13となる第2の親基板53とを個別に作製する。ここでは、第1、第2の親基板52、53の作製方法を個別に説明した後、第1、第2の親基板52、53から親基板50を作製する方法について順次説明する。
1.第1の親基板の作製
まず、低温焼結セラミック粉末として例えばアルミナ粉末及びホウ珪酸ガラスからなる混合粉末を調製する。この混合粉末を有機ビヒクル中に分散させてスラリーを調製し、これをキャスティング法によって親基板に相当する大きさで厚み10〜200μmのシート状に成形することによって、図2の(a)に示すようにセラミックグリーンシート152Aを所定枚数作製する。次いで、例えばレーザ光や金型を用いて3枚のセラミックグリーンシート152Aそれぞれに直径0.1mm程度の第1のビアホールを所定のパターンで形成する。また、個々のセラミック多層回路基板12の側面電極12Fを形成するための第2のビアホールを第1のビアホールより大きな直径で形成する。第2のビアホールは、親基板を複数の子基板に分割する時の分割ラインに沿って配置されている。
まず、低温焼結セラミック粉末として例えばアルミナ粉末及びホウ珪酸ガラスからなる混合粉末を調製する。この混合粉末を有機ビヒクル中に分散させてスラリーを調製し、これをキャスティング法によって親基板に相当する大きさで厚み10〜200μmのシート状に成形することによって、図2の(a)に示すようにセラミックグリーンシート152Aを所定枚数作製する。次いで、例えばレーザ光や金型を用いて3枚のセラミックグリーンシート152Aそれぞれに直径0.1mm程度の第1のビアホールを所定のパターンで形成する。また、個々のセラミック多層回路基板12の側面電極12Fを形成するための第2のビアホールを第1のビアホールより大きな直径で形成する。第2のビアホールは、親基板を複数の子基板に分割する時の分割ラインに沿って配置されている。
その後、これらのセラミックグリーンシート152Aの第1、第2のビアホールに導電性ペーストを充填して第1、第2のビア導体部152E、152Fを形成する。第2のビア導体部152Fは、後述するように側面電極を形成する導体部である。導電性ペーストとしては、例えばAgまたはCuを主成分とし、樹脂、有機溶剤を混練して調整されたものを用いる。その後、例えばスクリーン印刷法によって同一の導電性ペーストをセラミックグリーンシート152A上に所定のパターンで印刷、乾燥して面内導体部152C及び端子電極部152Dを形成する。更に、同図の(a)に示すように、これと同一要領で他のセラミックグリーンシートにも面内導体部152C、端子電極部152D及び第1のビア導体部152Eを形成する。これら他のセラミックグリーンシート152Aには側面電極用の第2のビア導体部は形成されていない。
次いで、例えば図2の(a)に示すように、複数のセラミックグリーンシート152Aを所定の順序で配置し、積層した後、同図の(b)に示すようにその積層方向(上下方向)から10〜150MPaの圧力で圧着し、これらのセラミックグリーンシート152Aが一体化された積層体を得る。更に、レーザ光、金型等を用いて、この積層体の複数個所の第2のビア導体部152Fの中心部それぞれに貫通孔Hを形成する(図2の(c)参照)。
次いで、未焼成の第1の親基板152を例えば1050℃以下の所定温度で焼成して、図2の(c)に示すように貫通孔Hを有する第1の親基板52を得る。同図に示す第1の親基板52は、セラミック多層回路基板12としてAg系の導電ペーストを使用する場合には空気雰囲気下850℃前後で焼成し、Cu系の導電ペーストを使用する場合には窒素雰囲気下950℃前後で焼成する。必要に応じて、第1の親基板52の上面及び下面に形成された端子電極52D上に、例えばNi/Sn又はNi/Auなどを湿式メッキなどの手法を用いて成膜する。
然る後、図2の(c)に示す第1の親基板52の上面の端子電極52Dと表面実装部品11の位置合わせを行った後、表面実装部品11を、ワイヤボンディングや半田等公知の方法を用いて第1の親基板52に実装すると、同図の(d)に示した、表面実装部品11が搭載された第1の親基板52が得られる。貫通孔Hの略上半分の内壁面には側面電極12Fとなる円筒状の導体52Fが露呈している。尚、図2の(c)、(d)において、52Aはセラミック層である。
2.第2の親基板の作製
まず、樹脂部13の表面電極13C及び端子電極13Dを形成する。図3の(a)に示すように、例えばPETフィルム等の支持体100上に厚み10〜40μm程度の金属箔(例えば銅箔)を貼り付けた後、フォトレジストを塗布してレジスト層を銅箔上に形成し、所定のパターンで露光した後、現像して不要なレジスト層を除去する。次いで、エッチング処理を施して不要な銅箔部分を除去した後、レジスト膜を剥離して、図4の(a)に示すように支持体100上に所定のパターンで表面電極53Cを形成する。この表面電極53Cは、後述するように第1の親基板52に設けられた貫通孔Hの開口部よりも大きい面積を有し、貫通孔Hを封止する封止部材としても形成されている。同様にして同図の(a)に示すようにPET等からなる支持体100A上に銅箔をシールド用金属膜14として貼り付ける。
まず、樹脂部13の表面電極13C及び端子電極13Dを形成する。図3の(a)に示すように、例えばPETフィルム等の支持体100上に厚み10〜40μm程度の金属箔(例えば銅箔)を貼り付けた後、フォトレジストを塗布してレジスト層を銅箔上に形成し、所定のパターンで露光した後、現像して不要なレジスト層を除去する。次いで、エッチング処理を施して不要な銅箔部分を除去した後、レジスト膜を剥離して、図4の(a)に示すように支持体100上に所定のパターンで表面電極53Cを形成する。この表面電極53Cは、後述するように第1の親基板52に設けられた貫通孔Hの開口部よりも大きい面積を有し、貫通孔Hを封止する封止部材としても形成されている。同様にして同図の(a)に示すようにPET等からなる支持体100A上に銅箔をシールド用金属膜14として貼り付ける。
然る後、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂とアルミナ、シリカ、チタニア等の無機フィラーを混合したプリプレグ状態(半硬化状態)の樹脂シート153Aを作製する。樹脂シート153Aにレーザ光、金型等を用いてビアホールを所定のパターンで空け、これらのビアホール内に導電性樹脂を充填してビア導体53Dを形成する。樹脂シート153Aのビア導体53Dと支持体100の表面電極53Cとの位置合わせを行った後、樹脂シート153Aの上下両面に支持体100、100Aを積層する。そして、積層体を所定の圧力で圧着した後、上下の支持体100、100Aを樹脂シート153Aから剥離して、図3の(b)に示す半硬化状態の第2の親基板153を得る。ここでは一枚の樹脂シート153Aを作製する場合について説明したが、複数枚の樹脂シートを積層した樹脂積層体として形成しても良い。また、樹脂シート153Aのビアホール内に半田を充填してビア導体53Dを形成しても良い。ビアホール内に半田を充填する場合には、通常のリフロー工程により樹脂シート153Aのビア導体53Dと表面電極53C及びシールド用金属膜14との接続を行うことができる。即ち、後述のように第2の親基板153と第1の親基板52とを接合した後、リフローしたり、第1の親基板52の上面に表面実装部品11を実装した後のリフロー工程でビア導体53Dと表面電極53C及びシールド用金属膜14との溶融、接続を兼ねて行うことができる。
3.第1の親基板と第2の親基板との接合
図4の(a)に示すように、表面実装部品11が搭載された第1の親基板52の上方に、表面電極53Cを下向きにして半硬化状態の第2の親基板153を配置し、第1の親基板52の貫通孔Hと第2の親基板153の封止部材としての表面電極53Cとの位置合わせを行った後、第1の親基板52に対して半硬化状態の第2の親基板153を加熱圧着して表面電極53Cで貫通孔Hを塞ぐと共に樹脂シート153A内に表面実装部品11を埋設する。この際、表面実装部品11の排除効果で樹脂シート153Aの樹脂が流動するが、第1の親基板52の貫通孔Hは表面電極53Cで塞がれているため、樹脂が第1の親基板52の貫通孔H内に流れ出すことはない。この加熱圧着操作によって半硬化状態の樹脂シート153Aが樹脂シート53Aとして硬化して、同図の(b)に示すように第1の親基板52と第2の親基板53とが接合されて一体化した親基板50を得ることができる。圧着操作は等方圧プレス工法で行うことが好ましく、等方圧プレスによって表面実装部品11と第1の親基板52との間隙に樹脂を十分に行き渡たせることができる。
図4の(a)に示すように、表面実装部品11が搭載された第1の親基板52の上方に、表面電極53Cを下向きにして半硬化状態の第2の親基板153を配置し、第1の親基板52の貫通孔Hと第2の親基板153の封止部材としての表面電極53Cとの位置合わせを行った後、第1の親基板52に対して半硬化状態の第2の親基板153を加熱圧着して表面電極53Cで貫通孔Hを塞ぐと共に樹脂シート153A内に表面実装部品11を埋設する。この際、表面実装部品11の排除効果で樹脂シート153Aの樹脂が流動するが、第1の親基板52の貫通孔Hは表面電極53Cで塞がれているため、樹脂が第1の親基板52の貫通孔H内に流れ出すことはない。この加熱圧着操作によって半硬化状態の樹脂シート153Aが樹脂シート53Aとして硬化して、同図の(b)に示すように第1の親基板52と第2の親基板53とが接合されて一体化した親基板50を得ることができる。圧着操作は等方圧プレス工法で行うことが好ましく、等方圧プレスによって表面実装部品11と第1の親基板52との間隙に樹脂を十分に行き渡たせることができる。
次いで、図4の(c)に示すように、親基板50を分割ラインLに沿ってダイシングなどの公知の手法を用い分割すると、同図の(d)に示す子基板、つまり複数の複合回路基板10に分割され、各複合回路基板10の分割面(外周面)には親基板50の貫通孔Hが半分に分割されて、側面電極12Fが形成されている。
以上説明したように本実施形態によれば、分割線Lに沿って複数の回路基板12に分割可能に形成され且つこれらの回路基板12の上面上に表面実装部品11がそれぞれ搭載されており、分割線L上に、内壁面に側面電極12Fを有する貫通孔Hを設けてなる第1の親基板52を集合基板として作製する工程と、貫通孔Hの開口部よりも大きな面積を有する表面電極53Cを下面に有する半硬化状態の樹脂シート153Aからなる第2の親基板153を作製する工程と、第2の親基板153の表面電極53Cが貫通孔Hの開口部を覆うように樹脂シート153Aを第1の親基板52に接合すると共に、表面実装部品11を樹脂シート153A中に埋設して親基板50を作製する工程と、親基板50を分割線Lに沿って分割し、複数の回路基板10を取り出す工程と、を含むため、貫通孔Hをセラミック多層回路基板12毎に設けるのではなく第1の親基板52に一括して設けることができ、側面電極12Fを外周面に有する複合回路基板10を複数個同時に作製することができ、複合回路基板10の生産効率を高めることができる。
複合回路基10を製造する際、貫通孔Hを塞ぐ封止部材として表面電極53Cが第1の親基板52側ではなく半硬化状態の樹脂シート153A側に設けられているため、表面実装部品11の実装前に第1の親基板52が汚染されることがないため、第1の親基板52の表面を洗浄する必要がなく、表面実装部品11の実装性を良好にすることができる。しかも、封止部材を表面電極53Cと同一の金属部材によって形成し、表面電極53Cを兼ねさせることができるため、封止部材を表面電極53Cと同一工程で設けることができ、複合回路基板10の生産効率を更に高めることができる。更に、表面実装部品11を第1の親基板52に実装した後、半硬化状態の第2の親基板153を接合するため、半田印刷工法を用いても、貫通孔Hからの樹脂の流れ出しを防止する封止部材の影響を受けることなく、半田量を正確且つ確実に制御することができ、表面実装部品11の実装品質を高めることができ、実装不良等の不具合を生じることがない。
また、本実施形態によれば、樹脂シート153Aは、その下面に対向する上面にシールド用金属膜14を有しており、且つ、下面と上面とを接続するビア導体153Dを有しており、樹脂シート153Aを第2の親基板153として第1の親基板52に接合することによって、表面電極53C及びビア導体53Dを介して、第1の親基板52に形成された複数のセラミック多層回路基板12とシールド用金属膜14とを接続するため、表面実装部品11を外部の電磁界を確実に遮蔽できる複合回路基板10を一括して複数個製造することができる。
また、本実施形態によれば、セラミック多層回路基板12は、複数の低温焼結セラミック材料からなるセラミック層12Aを積層して形成されているため、セラミック多層回路基板12を1050℃以下の低温で焼成することができ、しかもAg、Pd及びCu等を主成分とする回路パターン12Bを形成することができる。
第2の実施形態
本実施形態の複合回路基板10Aは、図5に示すように、表面実装部品11、セラミック多層回路基板12及び樹脂部13を備えている点では第1の実施形態と同様に構成されている。しかし、本実施形態では、セラミック多層回路基板12の下面に二段構造のキャビティCが形成され、このキャビティC内に他の表面実装部品15が搭載されている。また、側面電極12Fがセラミック多層回路基板12の下面側に信号の入出力ポートとして形成されている。また、樹脂部13の上面にはシールド用金属膜が形成されていない。
本実施形態の複合回路基板10Aは、図5に示すように、表面実装部品11、セラミック多層回路基板12及び樹脂部13を備えている点では第1の実施形態と同様に構成されている。しかし、本実施形態では、セラミック多層回路基板12の下面に二段構造のキャビティCが形成され、このキャビティC内に他の表面実装部品15が搭載されている。また、側面電極12Fがセラミック多層回路基板12の下面側に信号の入出力ポートとして形成されている。また、樹脂部13の上面にはシールド用金属膜が形成されていない。
他の表面実装部品15はボンディングワイヤ15AによってキャビティCの内壁面の段部C1の水平面に露出する端子電極12Dに接続されている。他の表面実装部品15をキャビティC内に搭載する場合には、キャビティC内に他の表面実装部品15をワイヤボンディングによって実装した後、この表面実装部品15を樹脂によってボンディングワイヤ15Aごと封止する。
セラミック多層回路基板12を作製する場合には、側面電極12Fを形成する第1のビア導体部を有するセラミックグリーンシートに対してキャビティCに相当する二種類の大きさの貫通孔を形成し、二種類の大きさの貫通孔を有するセラミックグリーンシートを、それぞれの深さに則した枚数だけ作製すること以外は、第1の実施形態と同一要領で第1の親基板を作製する。また、樹脂部13を作製する場合には、樹脂シートの下面に所定のパターンで封止部材を兼ねる表面電極を形成し、この樹脂シートを第2の親基板として第1の親基板に接合した後、第1の実施形態と同様に親基板を分割線に沿って分割して本実施形態の複合回路基板10Aを作製する。本実施形態においても第1の実施形態と同様の作用効果を期することができる。
本発明は、上記各実施形態に何等制限されるものではない。例えば、本実施形態では回路基板12を低温焼結セラミック材料によって形成した場合について説明したが、低温焼結セラミック材料以外にも高温焼結セラミック材料や樹脂材料を用いても良い。また、上記各実施形態では、側面電極12Fを設ける時に第1の親基板52に貫通孔Hに設けた場合について説明したが、貫通孔Hに代えて第1の親基板に凹部を設け、この凹部の開口部に側面電極を設けても良い。また、側面電極12Fは、上記各実施形態のように貫通孔Hの途中までではなく貫通孔全長に渡って形成されていても良い。要は、本発明の趣旨に反しない限り、本発明の構成要素適宜設計変更したものであれば全て本発明に包含される。
本発明は、例えば種々の電子機器に用いられる表面実装部品を搭載した回路基板に対して広く利用することができる。
10、10A ケース付き複合回路基板
11 表面実装部品
12 セラミック多層回路基板(回路基板)
12A セラミック層
12B 回路パターン
12F 側面電極
13 樹脂部
13B 回路パターン
13C 表面電極
13D 端子電極
13E ビア導体
14 シールド用金属膜
52 第1の親基板(集合基板)
53 第2の親基板(集合基板)
53C 表面金属、封止部材
H 貫通孔
11 表面実装部品
12 セラミック多層回路基板(回路基板)
12A セラミック層
12B 回路パターン
12F 側面電極
13 樹脂部
13B 回路パターン
13C 表面電極
13D 端子電極
13E ビア導体
14 シールド用金属膜
52 第1の親基板(集合基板)
53 第2の親基板(集合基板)
53C 表面金属、封止部材
H 貫通孔
Claims (4)
- 分割線に沿って複数の回路基板に分割可能に形成され且つこれらの回路基板の主面上に表面実装部品がそれぞれ搭載されており、上記分割線上に、内壁面に側面電極を有する貫通孔または凹部の開口部を設けてなる集合基板を作製する工程と、
上記開口部よりも大きな面積を有する封止部材を第1主面に有するプリプレグ状態にある樹脂シートを作製する工程と、
上記樹脂シートの封止部材が上記開口部を覆うように上記樹脂シートを上記集合基板に接合すると共に、上記表面実装部品の少なくとも一部を上記樹脂シート中に埋設する工程と、
上記集合基板を上記分割線に沿って分割し、複数の回路基板を取り出す工程と、
を備えたことを特徴とする表面実装部品を搭載した回路基板の製造方法。 - 上記封止部材を金属部材とすることを特徴とする請求項1に記載の表面実装部品を搭載した回路基板の製造方法。
- 上記樹脂シートは、その第1主面に対向する第2主面にシールド用金属膜を有しており、且つ、上記第1主面と上記第2主面とを接続するビア導体を有しており、上記樹脂シートを上記集合基板に接合することによって、上記金属部材及び上記ビア導体を介して、上記回路基板の上記側面電極と上記シールド用金属膜とを接続することを特徴とする請求項2に記載の表面実装部品を搭載した回路基板の製造方法。
- 上記回路基板は、複数の低温焼結セラミック層を積層してなるセラミック多層回路基板であることを特徴とする請求項1〜請求項3のいずれか1項に記載の表面実装部品を搭載した回路基板の製造方法。
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- 2004-12-16 JP JP2004364599A patent/JP2006173389A/ja active Pending
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