JP2010225607A - 発光装置 - Google Patents

Abstract

【課題】光反射率が高く熱伝導性および表面粗さが良好な基板を備え、発光効率ならびに放熱性、印刷性が向上された発光装置を得る。
【解決手段】本発明の発光装置は、アルミナ含有量が９６重量％を超える高純度アルミナ基板からなり、波長５６０〜５８０ｎｍの光の全光線反射率が厚さ１ｍｍで９０％以上である基板１と、発光素子であるＬＥＤチップ３を備えている。基板１の平均表面粗さ（Ｒａ）は０．３０〜０．８０の範囲となっている。また、基板１の厚さは０．５〜１．５ｍｍの範囲とし、かつ熱伝導率（２５℃）を３０Ｗ／ｍ・Ｋ以上とすることができる。さらに、基板１の上に印刷により形成された配線層２を設けることができる。
【選択図】図１

Description

本発明は、発光ダイオード（ＬＥＤ：Light Emitting Diode）ランプ等の発光装置に関する。

発光ダイオード（ＬＥＤ：Light Emitting Diode）チップを用いた発光装置は、液晶ディスプレイ、携帯電話、情報端末等のバックライト、屋内外広告等、多方面への展開が飛躍的に進んでいる。また、長寿命、低消費電力、耐衝撃性、高速応答性、高純度表示色、軽薄短小化の実現等の特徴を有することから、産業用のみならず一般照明用途への適用も試みられている。このような発光装置を種々の用途に適用するには、白色光を得ることが重要となる。

ＬＥＤチップを用いた発光装置（ＬＥＤランプ）で白色光を実現する代表的な方式としては、（１）青、緑および赤の各色に発光する３つのＬＥＤチップを使用する方式、（２）青色光を発するＬＥＤチップと黄色光等を発する蛍光体とを組合せる方式、（３）紫外線を発するＬＥＤチップと青色、緑色および赤色発光の三色混合蛍光体とを組合せる方式、の３つが挙げられる。これらのうちで、（２）の方式が広く実用化されている。

上記した（２）および（３）の方式を適用したＬＥＤランプとして、ＬＥＤチップを装備したカップ型のフレーム内やリフレクタの枠内に蛍光体を混合した樹脂を流し込み固化させて、蛍光体を含有する樹脂層を凸状に形成した砲弾型構造が知られている。また、主面に配線パターンが形成された基板の上にＬＥＤチップを実装し、さらにこの基板上に蛍光体含有樹脂による封止部を形成した構造（表面実装タイプあるいはモジュールタイプ）が知られている。

近年、これらのＬＥＤランプでは大光量化や高効率化が進行しており、それに伴い、高い放熱性を有する基板が求められている。また、ＬＥＤランプの使用環境によっては、耐熱性も必要とされている。これらの要求に対応するため、アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）等のセラミックスから成る基板が用いられている（例えば、特許文献１参照）。

しかしながら、従来から使用されているアルミナ基板は、アルミナ含有量が９６重量％以下のものであり、大光量で高効率の発光装置を得るには、光反射性および熱伝導性が低いという問題があった。また、従来からのアルミナ基板は表面粗さが大きい（粗い）ため、基板上に配線層をスクリーン印刷やインクジェット印刷により形成する際の印刷性が悪く、ファインピッチの配線パターンを形成することが難しいという問題があった。

特開２００６−６２９１２公報

本発明はこのような問題を解決するためになされたもので、光反射率が高く熱伝導性および表面粗さが良好な基板を備え、発光効率ならびに放熱性、印刷性が向上された発光装置を提供することを目的としている。

請求項１記載の発光装置は、アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）含有量が９６重量％を超える高純度アルミナ基板であって、波長５６０〜５８０ｎｍの光の全光線反射率が厚さ１ｍｍで９０％以上である基板と；前記基板に配設された発光素子と；を具備することを特徴とする。

請求項２記載の発光装置は、請求項１記載の発光装置において、前記基板の平均表面粗さ（Ｒａ）が０．３０〜０．８０であることを特徴とする。

請求項３記載の発光装置は、請求項１または２記載の発光装置において、前記基板は０．５〜１．５ｍｍの厚さを有し、かつ熱伝導率（２５℃）が３０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることを特徴とする。

請求項４記載の発光装置は、請求項１乃至３のいずれか１項記載の発光装置において、前記基板の上に印刷により形成された配線層を有することを特徴とする。

上記した請求項１〜請求項４記載の発明において、用語の定義および技術的意味は、特に指定しない限り以下の通りである。

基板は、後述する発光素子が搭載される平板状の部材である。この基板は、アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）の含有量（割合）が９６重量％を超える高純度アルミナで構成されている。

全光線反射率は、以下の通り定義され、直線反射率および拡散反射率との関係で説明することができる。すなわち、直線反射とは、図１（ａ）に模式的に示すように、反射面Ｓに入射した光束Ｌ1が正反射することを指しており、その正反射した光束Ｌ2の光量は、光束Ｌ1の入射点での吸収があるために、光束Ｌ1の光量より少なくなる。光束Ｌ1に対する光束Ｌ2の比を直線反射率（正反射率）と称する。拡散反射とは、図１（ｂ）に模式的に示すように、反射面Ｓに入射した光束Ｌ1が、その入射点で吸収された分を除いて入射点を中心として各方面に乱反射することを指している。乱反射光は直線反射する光束Ｌ3を含む。直線反射する光束Ｌ3を除く残りの光束Ｌ4を拡散反射光と称するとともに、この光束Ｌ4の光束Ｌ1に対する比を拡散反射率と称する。したがって、全光線反射率とは、直線反射率（正反射率）と拡散反射率を合計した値を指している。本発明において、基板の厚さ１ｍｍでの波長５６０〜５８０ｎｍの光の全光線反射率は９０％以上となっている。また、同じ厚さにおける前記波長の光の全光線反射率に対する拡散反射率の比が高い方が好ましい。

表面粗さは、対象物である基板の表面からランダムに抜き取った部分における表面の粗さ（凹凸）を表すパラメータである。表面粗さとしては、算術平均の表面粗さ（Ｒａ）、最大高さＲｙ、および十点平均表面粗さＲｚがあり、いずれもＪＩＳ Ｂ ０６０１で規格化されている。本発明においては、平均表面粗さ（Ｒａ）により、基板表面の粗さ（凹凸）の程度を示す。

発光素子は、光を放射する素子である。例えば、放射した光により蛍光体を励起して可視光を発光させるものであり、青色発光タイプのＬＥＤチップや紫外発光タイプのＬＥＤチップなどが挙げられる。ただし、これらに限定されるものではなく、発光装置の用途や目的とする発光色などに応じて、種々の発光素子を使用することができる。

請求項１記載の発光装置によれば、アルミナ含有量（割合）が９６重量％を超える高純度アルミナから構成される基板であって、５６０〜５８０ｎｍの波長の光の全光線反射率が厚さ１ｍｍで９０％以上と極めて高い基板を備えているので、光の取出し効率を高め、発光効率を向上させることができる。

請求項２記載の発光装置によれば、基板の表面粗さが十分に細かく、表面状態が良好になっているので、基板上に配線層を印刷により形成する場合の印刷性に優れ、ファインピッチの配線パターンを良好に形成することができる。

請求項３記載の発光装置によれば、基板が必要かつ十分な厚さを有し、さらに高い熱伝導率を有しているので、放熱性が向上しており、発光素子の温度上昇を抑制することができる。したがって、発光素子に大電流を供給することが可能となり、大光量で高効率の発光装置を実現することができる。

請求項４記載の発光装置によれば、ファインピッチの配線パターンを良好に形成することができる。

全光線反射率を説明するために反射形態を模式的に示す図である。 本発明の発光装置をＬＥＤランプに適用した第１の実施形態の構成を示す断面図である。 図２に示すＬＥＤランプを複数配置したＬＥＤモジュールの一例を示す平面図である。 図３に示すＬＥＤモジュールをＡ−Ａ線に沿って切断した断面図である。 本発明の第２の実施形態であるＬＥＤモジュールの一例を示す平面図である。 図５に示すＬＥＤモジュールをＦ−Ｆ線に沿って切断した断面図である。

以下、本発明を実施するための形態について、図面を参照して説明する。なお、以下に参照する複数の図面において、同一または相当部分には同一符号を付している。

図２は、本発明の発光装置の第１の実施形態であるＬＥＤランプ１０の構成を示す断面図、図３は、図２に示すＬＥＤランプ１０を一平面上に３行３列のマトリックス状に複数配置したＬＥＤモジュール２０の一例を示す平面図、図４は、図３に示すＬＥＤモジュール２０をＡ−Ａ線に沿って切断した断面図である。

図２乃至図４に示すＬＥＤランプ１０は、基板１と、その上に形成された配線層２と、発光素子としてのＬＥＤチップ３と、枠部材４、および封止部材５を備えている。

基板１は、アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）の含有量（割合）が９６重量％を超える高純度アルミナから構成される基板であり、以下に示すように高い光反射率を有している。すなわち、この基板１は、厚さ１ｍｍでの波長５６０〜５８０ｎｍの光の全光線反射率（直線反射率と拡散反射率とを合計した値）が９０％以上となっている。また、同じ厚さにおける前記波長の光の拡散反射率の比（対全光線反射率）は、極めて高い値となっている。光反射率ならびに後述する表面粗さおよび熱伝導性の観点から、基板１のアルミナ含有量は高いほど良く、例えば９９．６重量％以上とすることが好ましい。

また、基板１の平均表面粗さ（Ｒａ）（μｍ）は０．３０〜０．８０であることが好ましい。ここで、平均表面粗さ（Ｒａ）は、ＪＩＳ Ｂ０６０１−１９９４に拠り測定した値とする。基板１の平均表面粗さ（Ｒａ）が０．８０を超える場合には、基板１上に形成される配線層２の印刷性が悪くなり、ファインピッチのパターンを形成することが難しくなる。また、平均表面粗さ（Ｒａ）が０．３０未満の場合には、配線層２の接合強度が低下して剥離しやすくなる。

さらに、基板１は０．５〜１．５ｍｍの厚さを有し、かつ２５℃における熱伝導率が３０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることが好ましい。基板１の厚さが０．５ｍｍ未満の場合には、強度が十分でなくなり、器具等への取り付けや動作中に割れが生じることがある。また、基板１の厚さが１．５ｍｍを超える場合には、熱伝導率が３０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であっても基板１全体としての放熱性が不十分となり好ましくない。熱伝導率は、例えば、熱抵抗測定装置を用いて、ジャンクション温度と基板最冷点との温度差と構造から算出することができる。

配線層２は、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）等の導体金属を主体とする層である。スクリーン印刷等の方法で形成された印刷層とすることが好ましい。配線層２を印刷により形成するには、Ａｇ等の導電体粉末（微粒子）を含むペースト（インク）を、基板１の表面に所望のパターンで印刷（スクリーン印刷あるいはインクジェット印刷）した後、塗布層を乾燥・焼成し形成する。この方法は、メッキにより配線層を形成する方法に比べて、排水処理等のユーティリティが不要で簡便である。

発光素子であるＬＥＤチップ３としては、例えば、主波長が４２０〜４８０ｎｍ（例えば４６０ｎｍ）の青色光を発するＬＥＤチップが用いられる。ＬＥＤチップ３は、基板１上に接着（ダイボンド）されており、１対の上面電極がそれぞれ配線層２と金線のようなボンディングワイヤ６を介して接続されている。

枠部材４は、上方に向けて徐々に拡径する円錐台状の凹部４ａを形成するフレームであり、基板１上に配設されている。フレームは、例えばポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、ポリフタルアミド（ＰＰＡ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ガラスエポキシ樹脂等の高反射性の樹脂材料等により形成されており、凹部４ａは、例えば深さが０．５〜１．０ｍｍの円錐台状に形成されている。フレームの凹部４ａの形状は、基板１に搭載されたＬＥＤチップ３の周囲を所要の間隔をおいて取り囲むような形状であれば特に限定されない。このようなフレームの凹部４ａ内にＬＥＤチップ３が配置されている。

ＬＥＤチップ３が配置された凹部４ａ内には、封止部材５が充填されている。封止部材５は、熱硬化性の透明樹脂を主体とし蛍光体を含有している。すなわち、封止部材５として蛍光体含有樹脂層が設けられており、ＬＥＤチップ３はこの蛍光体含有樹脂層により封止されている。

蛍光体含有樹脂層を形成するには、液状の透明樹脂（熱硬化性樹脂）に１種類または２種類以上の蛍光体を混合・分散させた蛍光体含有樹脂を、ＬＥＤチップ３が配置された凹部４ａ内にディスペンサなどの注入装置を用いて注入し、樹脂を加熱・硬化させる。透明樹脂としては、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂等が挙げられる。液状のシリコーン樹脂の使用が好ましい。なお、図２および図４では、封止部材５である蛍光体含有樹脂層の上面が凹部４ａの上端とほぼ面一に形成されているが、特にこれに限定されるものではない。透明樹脂に含有させる蛍光体の主波長も、特に限定されるものではなく、目的とするＬＥＤランプ１の発光色などに応じて適宜選択することができる。

蛍光体としては、ＬＥＤチップ３からの青色光により励起され黄色光乃至橙色光を発する黄色系蛍光体を用いることができる。また、演色性等の向上を図るために、黄色系蛍光体に加えて赤色蛍光体を使用してもよい。黄色系蛍光体としては、例えばＲＥ_３（Ａｌ，Ｇａ）_５Ｏ_１２：Ｃｅ蛍光体（ＲＥはＹ、ＧｄおよびＬａから選ばれる少なくとも１種を示す。以下同じ）等のＹＡＧ蛍光体、ＡＥ_２ＳｉＯ_４：Ｅｕ蛍光体（ＡＥはＳｒ、Ｂａ、Ｃａ等のアルカリ土類元素である。以下同じ）等のケイ酸塩蛍光体、サイアロン系蛍光体（例えば、Ｃａ_ｘＳｉ_ｙＡｌ_ｚＯＮ：Ｅｕ^２＋）等が用いられる。赤色蛍光体としては、例えばＬａ_２Ｏ_２Ｓ：Ｅｕ蛍光体のような酸硫化物蛍光体、窒化物系蛍光体（例えば、ＡＥ_２Ｓｉ_５Ｎ_８：Ｅｕ^２＋やＳｒＣａＡｌＳｉＮ_３：Ｅｕ^２＋やＣａＡｌＳｉＮ_３：Ｅｕ^２＋）等が用いられる。

このように構成される第１の実施形態のＬＥＤランプ１およびＬＥＤモジュール２０では、印加された電気エネルギーが、ＬＥＤチップ３で主波長が例えば４６０ｎｍの青色光に変換されて放射され、放射された青色光は、封止部材５である蛍光体含有樹脂層に含有された蛍光体で、より長波長の光に変換される。そして、ＬＥＤチップ３から放射される青色光と蛍光体の発光色との混色による白色光が放出される。この実施形態のＬＥＤランプ１およびＬＥＤモジュール２０においては、ＬＥＤチップ３を搭載している基板１が、アルミナ含有量が９６重量％を超える高純度アルミナ基板であり、極めて高い全光線反射率を有しているので、光の取出し効率が高く、発光効率が従来のものより向上する。

また、この基板１（高純度アルミナ基板）は、表面粗さが十分に細かく良好であるので、配線層２の印刷性に優れ、パターンのはみ出しによる電気特性の低下等が生じることがない。さらに、基板１は必要かつ十分な厚さを有し、高い熱伝導率を有しているので、放熱性が向上しており、搭載されたＬＥＤチップ３の温度上昇を抑制することができる。したがって、ＬＥＤチップ３に供給する電流を増大させることができ、大光量で高効率の発光を実現することができる。

図５および図６は、本発明の発光装置の第２の実施形態であるＣＯＢ（Chip on Board）型のＬＥＤモジュール２０の一例を示している。図５は、このＬＥＤモジュール２０の平面図であり、図６は、図５に示すＬＥＤモジュール２０をＦ−Ｆ線に沿って切断した断面図である。なお、図５および図６おいて、第１の実施形態に係る発光装置の構成と同一の構成部分には、同一の符号を付して、その説明を簡略化または省略する。

図５および図６に示すＬＥＤモジュール２０は、基板１とその上に形成された配線層２とからなる配線板７と、発光素子としてのＬＥＤチップ３と、枠部材４、および封止部材５を備えている。

基板１は、第１の実施形態と同様に、アルミナの含有割合が９６重量％を超える高純度アルミナから構成される。この基板１の波長５６０〜５８０ｎｍの光の全光線反射率（基板の厚さ１ｍｍ）は９０％以上となっている。また、前記波長の光の全光線反射率に対する拡散反射率の比は極めて高くなっている。

また、この基板１は、０．３０〜０．８０の範囲の平均表面粗さ（Ｒａ）を有している。さらに、この基板１は０．５〜１．５ｍｍの厚さを有し、かつ２５℃において３０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の熱伝導率を有している。

配線層２は、基板１上に所定のパターンで（例えば縦横に整列して）設けられている。この配線層２は、スクリーン印刷やインクジェット印刷等の方法により形成された印刷層とすることが好ましい。印刷法により配線層２を形成するには、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）等の導電体粉末（微粒子）を含む導電体ペーストを、基板１の表面に所望のパターンで印刷（例えばスクリーン印刷）した後、加熱・焼成する方法が採られる。

発光素子であるＬＥＤチップ３としては、例えば主波長が４６０ｎｍの青色光を発するＬＥＤチップが用いられる。このＬＥＤチップ３は、サファイア等からなる絶縁性の素子基板３ｂの上に半導体発光層３ａを積層し、さらにこの半導体発光層３ａの上に１対の素子電極（図示を省略。）を設けて形成されている。

このＬＥＤチップ３の素子基板３ｂは、ダイボンド材８により基板１の所定の位置に接着されている。そして、ＬＥＤチップ３の素子電極と両側に近接配置された配線層２とが、金線のようなボンディングワイヤ６により接続されている。この接続により、複数のＬＥＤチップ３は直列に接続されており、この直列回路の一端は電極端子２ａに接続され、他端は電極端子２ｂに接続されている。なお、電極端子２ａ，２ｂは、配線層２と同様に印刷等の方法により基板１上に形成されたものである。

枠部材４は、長方形の枠状をなしており、基板１の表面に取り付けられている。枠部材４は、１個または数個のＬＥＤチップ３ごとに個別に設けられるものではなく、基板１上の全てのＬＥＤチップ３を包囲するように設けられている。

そして、このような枠部材４の内側に封止部材５が充填されている。封止部材５は、熱硬化性の透明樹脂を主体として蛍光体を含有しており、配線基板７（基板１および配線層２）表面とその上に配置された各ＬＥＤチップ３およびボンディングワイヤ６を埋めるように充填され、これらを封止している。透明樹脂に含有された蛍光体の主波長は、特に限定されるものではなく、目的とするＬＥＤモジュール２０の発光色などに応じて適宜選択することができる。

このように構成される第２の実施形態のＬＥＤモジュール２０においても、第１の実施形態と同様に、ＬＥＤチップ３が実装されている配線基板７が、アルミナ含有量が９６重量％を超える高純度アルミナから構成され、波長５６０〜５８０ｎｍの光の全光線反射率が９０％以上と極めて高い基板１を有しているので、光の取出し効率が高く、発光効率が向上している。また、この基板１は、表面粗さが十分に細かく良好になっているので、配線層２の印刷性に優れ、パターンはみ出しによる電気特性の低下等が生じることがない。さらに、基板１が高い熱伝導率を有しているので、放熱性が向上しており、大光量で高効率の発光を実現することができる。

次に、本発明の具体的実施例およびその評価結果について記載する。

実施例１，２、比較例
アルミナ含有量が９７重量％、９９．６重量％、および９６重量％のアルミナ基板をそれぞれ用意した。これらの基板の全光線反射率および拡散反射率比、熱伝導率、平均表面粗さ（Ｒａ）、および十点平均表面粗さ（Ｒｚ）の値を、それぞれ表１に示す。なお、これらの物性値は、それぞれ以下の方法で測定されたものである。
［全光線反射率および拡散反射率比］
積分球付き分光光度計を用いて測定した。なお、拡散反射率比は、全光線反射率に対する比で示した。
［熱伝導率］
熱抵抗測定装置を用いて測定した。
［平均表面粗さ（Ｒａ）および十点平均表面粗さ（Ｒｚ）］
ＪＩＳ Ｂ０６０１−１９９４に準拠し、キーエンスレーザー顕微鏡ＶＫ−９７００を使用して測定した。

次いで、これらのアルミナ基板を使用し、以下に示すようにして、図２に示すＬＥＤランプ１０を作製した。すなわち、実施例１においては、アルミナ含有量が９７重量％である高純度アルミナ基板１上に、Ａｇペーストをスクリーン印刷し焼成することによって配線層（配線パターン）２を形成した後、その上に、カップ（凹部４ａ）を形成するフレームを配置し、カップ（深さ１．０ｍｍ、開口径３ｍｍ）内に波長４６０ｎｍの青色光を発光するＬＥＤチップ３を配置した。次いで、ＬＥＤチップ３が配置されたカップ内に、ピーク波長が５７０ｎｍの黄色蛍光体をシリコーン樹脂中に１０重量％の配合割合で混合し分散させて得られた蛍光体含有樹脂を、ディスペンサを用いて充填した後、シリコーン樹脂を硬化させ、ＬＥＤランプ１０を作製した。

また、実施例２においては、アルミナ含有量が９９．６重量％である高純度アルミナ基板１を使用し、実施例１と同様にしてＬＥＤランプ１０を作製した。さらに、比較例においては、アルミナ含有量が９６重量％であるアルミナ基板１を使用し、実施例１と同様にしてＬＥＤランプ１０を作製した。

こうして実施例１，２および比較例で得られたＬＥＤランプ１０をそれぞれ発光させ、積分球を用いて光束を測定する方法により発光効率を測定した。また、基板１に対する印刷性および放熱性をそれぞれ測定し評価した。印刷性の測定・評価は、スクリーン印刷により形成された配線層２のパターンを画像処理し、得られた処理画像の基準線からのはみ出し率を数値化して求めた。そして、その数値が極めて低いものを◎、十分に低いものを○、それほど低くないものを△と判定した。

また、放熱性の測定・評価は、ＬＥＤチップ３のジャンクション温度（Ｔｊ）を熱電対で測定することにより行なった。ジャンクション温度が低いほど、放熱性に優れているといえる。これらの測定結果を、基板１の物性値（全光線反射率および拡散反射率の比、熱伝導率、平均表面粗さ（Ｒａ）および十点平均表面粗さ（Ｒｚ））とともに、表１に示す。なお、表１において、ジャンクション温度は、比較例のＬＥＤランプ１０におけるジャンクション温度に対する値として示す。また、発光効率は、比較例のＬＥＤランプ１０の効率を１００％としたときの相対値で示す。

表１から明らかなように、アルミナ含有量が９６重量％を超える高純度アルミナ基板１を使用した実施例１および実施例２のＬＥＤランプ１０は、アルミナ含有量が９６重量％のアルミナ基板１を使用した比較例のＬＥＤランプ１０に比べて、発光効率が高くなっており、かつ印刷性が向上している。特に、アルミナ含有量が９９．６重量％のアルミナ基板１を使用した実施例２のＬＥＤランプ１０は、比較例のＬＥＤランプ１０に比べて、基板１の拡散反射率と全光線反射率および熱伝導率が大幅に高くなっており、かつ表面粗さが低減されているので、印刷性に極めて優れ、発光効率が大幅に向上しているうえに、ジャンクション温度が低下しており、放熱性が向上している。

１…基板、２…配線層、３…ＬＥＤチップ、４…枠部材、５…封止部材、１０…ＬＥＤランプ、２０…ＬＥＤモジュール。

Claims (4)

1. アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）含有量が９６重量％を超える高純度アルミナ基板であって、波長５６０〜５８０ｎｍの光の全光線反射率が厚さ１ｍｍで９０％以上である基板と；
   前記基板に配設された発光素子と；
   を具備することを特徴とする発光装置。
2. 前記基板の平均表面粗さ（Ｒａ）が０．３０〜０．８０であることを特徴とする請求項１記載の発光装置。
3. 前記基板は０．５〜１．５ｍｍの厚さを有し、かつ熱伝導率（２５℃）が３０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることを特徴とする請求項１または２記載の発光装置。
4. 前記基板の上に印刷により形成された配線層を有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項記載の発光装置。

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