JP2012142429A - 発光装置および発光装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基材1と、基材1上に配置された複数の発光素子2a,2bと、発光素子2a,2bを被覆する封止部材7a,7bと、を備える発光装置100であって、封止部材は、第1蛍光体を含有して基材1上に第1領域10aを形成する第1封止部材7aと、第1蛍光体の発光波長と異なる発光波長の第2蛍光体を含有して基材1上に第2領域10bを形成する第2封止部材7bと、を含み、発光素子は、第1蛍光体および第2蛍光体を励起し、第1蛍光体および第2蛍光体よりも短い波長を発光する第1発光素子2aと、第1発光素子2aの発光波長と第1蛍光体および第2蛍光体の発光波長との間の波長を発光する第2発光素子2bと、からなり、第1領域10aには、第1発光素子2aおよび第2発光素子2bが配置され、第2領域10bには、第1発光素子2aが配置されていることを特徴とする。
【選択図】図2
Description
特許文献1に記載の発光装置では、青色発光素子のみで蛍光体を励起しているため、演色性の向上が図れないという問題がある。また、特許文献2に記載の発光装置では、隔壁を設けないものについては2種類の蛍光体が混在しているため、短波側の蛍光体による波長変換光の一部が長波側の蛍光体に吸収され、発光効率が低下するという問題がある。さらに、1種の蛍光体を1種の発光素子で励起しているため、2種類の発光素子の発光はいずれも蛍光体を励起するために吸収される構造であり、さらに発光効率が低下するという問題がある。
前記第1蛍光体としては、例えば、発光波長が前記第2蛍光体の発光波長よりも短いものを用いることができる。なお、蛍光体を少なくとも一部に含む封止部材(透明部材も含む)が設けられた領域を、以下、適宜、蛍光体領域という。また、発光波長は、ピーク波長を意味する。
このような構成によれば、第1領域からの発光と第2領域からの発光が均一に混ざりやすくなり、色ムラが低減される。
このような構成によれば、第1領域と第2領域が光反射部材によって仕切られていることで、長波側の蛍光体による短波側の蛍光体の波長変換光の吸収がさらに抑制される。
このような構成によれば、列毎に同じ種類の発光素子が配置されることで、輝度ムラの発生や輝度分布の差の発生が抑制される。
このような構成によれば、第2発光素子からの発光が蛍光体によって光散乱されることがなく、光の取り出し効率が向上する。
このような製造方法によれば、第1領域と第2領域が光反射部材によって仕切られ、蛍光体による短波の吸収がさらに抑制されることで、発光効率がさらに向上した発光装置とすることができる。
本発明の実施形態に係る発光装置100について、図1、2を参照しながら詳細に説明する。以下の説明では、まず発光装置100の全体構成について説明した後に、各構成について説明する。
発光装置100は、例えば、LED電球、スポットライト等の照明器具等に利用される装置である。発光装置100は、図1、2に示すように、基材1上に、基材1の実装領域1aに配置された複数の発光素子2a,2bと、基材1上に形成された正極3および負極4を構成する導電部材40と、発光素子2a,2bと正極3や負極4等とを接続するワイヤWと、基材1上に形成された光反射部材6a,6bと、発光素子2a,2bをそれぞれ被覆する封止部材(第1封止部材7aおよび第2封止部材7b:以下、適宜、封止部材7a,7bという)と、を主に備える。そして、蛍光体領域は、第1封止部材7aが設けられた領域である第1領域10aと、第2封止部材7bが設けられた領域である第2領域10bとに分離して設けられており、第1領域10aには、第1発光素子2aおよび第2発光素子2bが配置され、第2領域10bには、第1発光素子2aが配置されている。
基材1は、発光素子2a,2b等の電子部品を配置するためのものである。基材1は、図1および図2に示すように、矩形平板状に形成されている。また、基材1上には、図2に示すように複数の発光素子2a,2bを配置するための実装領域1aが区画されている。なお、基材1のサイズは特に限定されず、発光素子2a,2bの数や配列間隔等、目的および用途に応じて適宜選択することができる。なお、一例としては16mm×19mmである。
実装領域1aは、複数の発光素子2a,2bを配置するための領域である。実装領域1aは、図2に示すように、基材1の中央の領域に区画されている。実装領域1aは、互いに対向する辺を有する所定形状で形成されており、より具体的には、図2に示すように、角部を丸めた略矩形状に形成されている。なお、ここでは第1封止部材7aの外枠が実装領域1aの外枠となっている。実装領域1aのサイズは特に限定されず、発光素子2a,2bの数や配列間隔等、目的および用途に応じて適宜選択することができる。
発光素子2a,2bは、電圧を印加することで自発光する半導体素子であり、第1発光素子2aと、第2発光素子2bと、からなる。発光素子2a,2bは、図2に示すように、基材1の実装領域1aに複数配置され、当該複数の発光素子2a,2bが一体となって発光装置100の発光部、すなわち発光素子2a,2bからの発光が行なわれる部位を構成している。具体的には、ここでは、第1領域10aには第1発光素子2aおよび第2発光素子2bが複数配置されて第1領域10aの発光部を構成している。また、第2領域10bには第1発光素子2aが複数配置されて第2領域10bの発光部を構成している。
図2に示すように、第1領域10aには第1発光素子2aおよび第2発光素子2bが配置され、第2領域10bには第1発光素子2aが配置されている。発光素子2a,2bは、図2に示すように基材1上において、縦方向および横方向にそれぞれ所定の間隔で配列されており、ここでは、縦9個×横10個の合計90個配置されている。また、発光素子2a,2bは、図2に示すように、縦方向に隣り合う発光素子2a,2b同士が導電性のワイヤWによって電気的に接続され、直列接続されている。なお、ここでの直列接続とは、隣り合う発光素子2a,2bにおけるn電極21とp電極22とがワイヤWによって電気的に接続された状態を意味している。
導電部材40は正極3および負極4を構成するものであり、基材1上の複数の発光素子2a,2b等の電子部品と、外部電源とを電気的に接続し、これらの電子部品に対して外部電源からの電圧を印加するためのものである。すなわち、導電部材40(正極3および負極4)は、外部から通電させるための電極、またはその一部としての役割を担うものである。
光反射部材6a,6bは、第1光反射部材6aと、第2光反射部材6bとからなる。
図1および図2に示すように、第1光反射部材6aは、基材1上において第1領域10aを囲うように四角枠状に形成されることが好ましい。このように第1領域10aの周囲を囲うように第1光反射部材6aを形成することで、第1領域10aの周囲(外側)に向う光も第1光反射部材6aによって反射することができる。従って、出射光のロスを軽減することができ、発光装置100の光の取り出し効率を向上させることができる。
封止部材7a,7bは、蛍光体を含有するものであり、基材1に配置された発光素子2a,2bおよびワイヤW等を、塵芥、水分、外力等から保護するための部材である。封止部材7a,7bは、第1蛍光体を含有して基材1上に第1領域10aを形成する第1封止部材7aと、第1蛍光体の発光波長と異なる発光波長の第2蛍光体を含有して基材1上に第2領域10bを形成する第2封止部材7bと、を含む。一例として、第1蛍光体の発光波長が第2蛍光体の発光波長よりも短い場合、具体的には、第1蛍光体が黄色蛍光体であり、第2蛍光体が赤色蛍光体である場合を挙げられる。
蛍光体は、波長変換部材として発光素子2a,2bからの光の少なくとも一部を吸収して異なる波長を有する光を発する蛍光部材である。蛍光体は、第1封止部材7a中に含有される第1蛍光体と、第2封止部材7b中に含有される、第1蛍光体の発光波長と異なる発光波長の第2蛍光体とからなる。
ワイヤWは、発光素子2a,2b等の電子部品と、正極3、負極4等を電気的に接続するための導電性の配線である。ワイヤWの材料としては、Au、Cu(銅)、Pt(白金)、Al(アルミニウム)等の金属、および、それらの合金を用いたものが挙げられるが、特に、熱伝導率等に優れたAuを用いるのが好ましい。なお、ワイヤWの径は特に限定されず、目的および用途に応じて適宜選択することができる。
図3において、Aは本願の発明の発光装置100、BはYAG系蛍光体およびSCASN系蛍光体に、クロロシリケートを加えた3種の蛍光体を単一の封止樹脂中に混合し、これによって青色発光素子を封止した従来の発光装置(3ブレンド型の発光装置)についてのデータである。なお、発光装置100は、第1封止部材7aにYAG系蛍光体、第2封止部材7bにSCASN系蛍光体を含有し、第1発光素子2aとして青色発光素子、第2発光素子2bとして青緑色発光素子を用いたものである。各蛍光体および青色発光素子は、従来の発光装置と同じものを用いている。また、Raは平均演色評価数、R9は特殊演色評価数(赤)である。
このように、本発明の発光装置は、従来の3ブレンド型の発光装置に比べて演色性がほとんど低下せず、SCASN系蛍光体にYAG系蛍光体の発光が吸収されていないため、発光効率(lm/w)が向上したものとなる。
次に、本発明の実施形態に係る発光装置の製造方法について、ここでは図1、2の形態のものを例にとり、適宜、図面を参照しながら説明する。
基材作製工程は、めっき用配線が形成された基材1を作製する工程である。基材作製工程では、基材1上の実装領域1aや、正極3および負極4となる部位を所定の形状にパターニングすることで形成する。また、基材作製工程では、電解めっきによって基材1上の実装領域1aに金属膜を形成するためのめっき用配線を形成する。
めっき工程は、前記めっき配線が形成された基材1上に、少なくとも正極3および負極4を構成する導電部材40を形成する工程である。めっき工程では、好ましくは無電解めっきにより正極3および負極4を構成する導電部材40を形成するとともに、基材1上の実装領域1a上に、電解めっきにより金属膜を形成する。また、正極3および負極4を形成するときと同様の工程でその他の導電部位が形成される。
ダイボンディング工程は、基材1上(ここでは金属膜上)に、第1領域10aが形成される部位に第1発光素子2aおよび第2発光素子2bを載置するとともに、第2領域10bが形成される部位に第1発光素子2aを載置する工程である。すなわち、この工程において基材1上の所定位置に第1発光素子2aおよび第2発光素子2bを配置する。
ワイヤボンディング工程は、ダイボンディング工程の後に、発光素子2a,2bと、この発光素子2a,2bに電圧を印加する導電部材40とをワイヤWによって電気的に接続する工程である。すなわち、導電部材40の正極3と、発光素子2a,2b上部にある電極端子(パッド電極)とを、ワイヤWで電気的に接続する工程である。同じく、発光素子2a,2b上部にある電極端子(パッド電極)と導電部材40の負極4とを、ワイヤWで電気的に接続する工程である。さらにこの工程では、複数の発光素子2a,2bを、それぞれ電極端子(パッド電極)を介して接続する。ワイヤWの接続方法は、特に限定されるものではなく、通常用いられる方法で行えばよい。
光反射部材形成工程は、ダイボンディング工程と封止部材充填工程との間に、第1領域10aが形成される箇所と第2領域10bが形成される箇所の間に第2光反射部材6bを設ける工程である。またここでは、第1領域10aが形成される箇所の周囲に第1光反射部材6aを設ける。すなわち、実装領域1aの周縁に沿って、導電部材40の一部、すなわち、少なくとも正極3および負極4の配線部3b,4bの一部を被覆するように第1光反射部材6aを形成する。また、第1封止部材7aと第2封止部材7bが仕切られるように、所定位置に第2光反射部材6bを設ける。なお、第1光反射部材6aと第2光反射部材6bはどちらを先に形成してもよく、同時に形成してもよい。また、いずれか一方のみ形成してもよい。
封止部材充填工程は、第1封止部材7aによって第1領域10aが形成される部位の第1発光素子2aおよび第2発光素子2bを被覆して第1領域10aを形成するとともに、第2封止部材7bによって第2領域10bが形成される部位の第1発光素子2aを被覆して第2領域10bを形成する工程である。すなわち、ここでは、第1光反射部材6aと第2光反射部材6bとの間に第1蛍光体を含有する第1封止部材7aを充填し、かつ第2光反射部材6bの内側に、第2蛍光体を含有する第2封止部材7bを充填する。その後、加熱や光照射等によってこれらの部材を硬化することで、発光素子2a,2b、金属膜およびワイヤW等を被覆する透光性の封止部材7a,7bを形成する。
すなわち、前記に示す発光装置の形態は、本発明の技術思想を具体化するための発光装置を例示するものであって、本発明は、発光装置を前記の形態に限定するものではない。また、特許請求の範囲に示される部材等を、実施の形態の部材に特定するものではない。特に、実施の形態に記載されている構成部品の寸法、材質、形状、その相対的配置等は、特定的な記載がない限りは、本発明の範囲をそれのみに限定する趣旨ではなく、単なる説明例にすぎない。
例えば、他の実施形態として以下の構成としてもよい。
図4、5を参照して、他の実施形態に係る発光装置101,102について説明する。なお、前記した発光装置100と同一構成のものについては同一の符号を付して、以下では主に相違点についてのみ説明する。
図4に示すように、発光装置101では、第1領域10aの一部が、蛍光体を含有しない透明部材7cからなる透明領域11であり、透明領域11に第2発光素子2bが配置されている。この場合、封止部材は、第1封止部材7a、第2封止部材7b、および透明部材7cからなり、第1封止部材7aが第1領域10aの一部を形成し、透明部材7cが第1領域10aの残りの一部を形成していることとなる。具体的には、図2を正面視した場合において、最上部および最下部に位置する第2発光素子2bが透明部材7cにより被覆されており、この部位で透明領域11が形成されている。このように、第2発光素子2bが配置される領域を透明領域11とすることで、第2発光素子2bからの発光が蛍光体によって光散乱されないので、光の取り出し効率を向上させることができ、発光効率を向上させることができる。そのため、出力の向上を図ることができる。なお、透明部材7cの材料としては、封止部材7a,7bと同様のものを用いることができる。
図5に示すように、発光装置102では、発光装置100では実装領域1aが略矩形状であったのに対し、実装領域1aが円形を呈している。そして、第1光反射部材6aは、基材1上において実装領域1aのうち第1領域(第1封止部材7a)を囲うように円状に形成されている。また、第2光反射部材6bは、第1領域(第1封止部材7a)と、第2領域(第2封止部材7b)との間に設けられ、これらを区切る壁として円形に形成されている。また、封止部材7a,7bも円形に形成されている。このように、実装領域1aを円形とすることで、発光装置102の周辺のどの方向から見ても、発光強度が均一となる。なお、図中の矢印は、発光が均一に進行することを模式的に示したものである。また、実装領域1aは楕円形であってもよい。
1a 実装領域
2a 第1発光素子
2b 第2発光素子
3 正極
3a パッド部
3b 配線部
4 負極
4a パッド部
4b 配線部
6a 第1光反射部材
6b 第2光反射部材
7a 第1封止部材
7b 第2封止部材
7c 透明部材
10a 第1領域
10b 第2領域
11 透明領域
21 n電極
22 p電極
40 導電部材
80 温度計測ポイント
100,101,102 発光装置
AM アノードマーク
CM カソードマーク
W ワイヤ
Claims (11)
- 基材と、前記基材上に配置された複数の発光素子と、前記発光素子を被覆する封止部材と、を備える発光装置であって、
前記封止部材は、第1蛍光体を含有して前記基材上に第1領域を形成する第1封止部材と、前記第1蛍光体の発光波長と異なる発光波長の第2蛍光体を含有して前記基材上に第2領域を形成する第2封止部材と、を含み、
前記発光素子は、前記第1蛍光体および前記第2蛍光体を励起し、前記第1蛍光体および前記第2蛍光体の発光波長よりも短い波長を発光する第1発光素子と、前記第1発光素子の発光波長と前記第1蛍光体および前記第2蛍光体の発光波長との間の波長を発光する第2発光素子と、からなり、
前記第1領域には、前記第1発光素子および前記第2発光素子が配置され、前記第2領域には、前記第1発光素子が配置されていることを特徴とする発光装置。 - 前記第1蛍光体の発光波長が前記第2蛍光体の発光波長よりも短いことを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
- 前記第1領域および前記第2領域が、前記第2領域を内側にして同心形状に形成されていることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の発光装置。
- 前記第1領域と、前記第2領域との間に光反射部材が設けられていることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の発光装置。
- 前記複数の発光素子が前記基材上に縦列横列に整列して配置され、前記縦列横列のいずれかの列において、前記列毎に、全ての発光素子が第1発光素子または第2発光素子からなることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の発光装置。
- 前記第1発光素子と前記第2発光素子を含む列において、前記第1発光素子と前記第2発光素子とが、直列接続されていることを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか一項に記載の発光装置。
- 前記直列接続された列が複数あり、1つの列における前記第1発光素子および前記第2発光素子の数が、前記複数の列毎に、互いに同数であることを特徴とする請求項6に記載の発光装置。
- 前記第1領域の一部が、蛍光体を含有しない透明部材からなる透明領域であり、前記透明領域に前記第2発光素子が配置されていることを特徴とする請求項1から請求項7のいずれか一項に記載の発光装置。
- 請求項1から請求項7のいずれか一項に記載の発光装置の製造方法であって、
基材上に、第1領域が形成される部位に第1発光素子および第2発光素子を載置するとともに、第2領域が形成される部位に第1発光素子を載置するダイボンディング工程と、
第1封止部材によって前記第1領域が形成される部位の第1発光素子および第2発光素子を被覆して第1領域を形成するとともに、第2封止部材によって前記第2領域が形成される部位の第1発光素子を被覆して第2領域を形成する封止部材充填工程と、を含むことを特徴とする発光装置の製造方法。 - 請求項8に記載の発光装置の製造方法であって、
基材上に、第1領域が形成される部位に第1発光素子および第2発光素子を載置するとともに、第2領域が形成される部位に第1発光素子を載置するダイボンディング工程と、
透明部材によって前記第2発光素子を被覆し、かつ第1封止部材によって前記第1領域が形成される部位の第1発光素子を被覆して第1領域を形成するとともに、第2封止部材によって前記第2領域が形成される部位の第1発光素子を被覆して第2領域を形成する封止部材充填工程と、を含むことを特徴とする発光装置の製造方法。 - 前記ダイボンディング工程と前記封止部材充填工程との間に、前記第1領域が形成される箇所と前記第2領域が形成される箇所の間に光反射部材を設ける光反射部材形成工程を行なうことを特徴とする請求項9または請求項10に記載の発光装置の製造方法。
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Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015076527A (ja) * | 2013-10-09 | 2015-04-20 | シチズン電子株式会社 | Led発光装置 |
KR101517977B1 (ko) * | 2013-03-12 | 2015-05-07 | 우리조명 주식회사 | 반도체 발광소자 조명장치 |
JP2015103614A (ja) * | 2013-11-22 | 2015-06-04 | 東芝ライテック株式会社 | 発光装置 |
USD751046S1 (en) | 2014-06-16 | 2016-03-08 | Citizen Electronics Co., Ltd. | Light emitting diode |
USD751045S1 (en) | 2014-06-16 | 2016-03-08 | Citizen Electronics Co., Ltd. | Light emitting diode |
USD751517S1 (en) | 2014-06-16 | 2016-03-15 | Citizen Electronics Co., Ltd. | Light emitting diode |
JP2016092373A (ja) * | 2014-11-11 | 2016-05-23 | 豊田合成株式会社 | 発光装置 |
US9746145B2 (en) | 2014-03-14 | 2017-08-29 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Light-emitting device with non-successive placement of light-emitting elements of one color, illumination light source having the same, and illumination device having the same |
JP2018046113A (ja) * | 2016-09-13 | 2018-03-22 | シチズン電子株式会社 | 発光装置 |
JP2018060842A (ja) * | 2016-09-30 | 2018-04-12 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010034183A (ja) * | 2008-07-28 | 2010-02-12 | Citizen Electronics Co Ltd | 発光装置 |
-
2010
- 2010-12-28 JP JP2010293984A patent/JP5598323B2/ja active Active
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010034183A (ja) * | 2008-07-28 | 2010-02-12 | Citizen Electronics Co Ltd | 発光装置 |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101517977B1 (ko) * | 2013-03-12 | 2015-05-07 | 우리조명 주식회사 | 반도체 발광소자 조명장치 |
JP2015076527A (ja) * | 2013-10-09 | 2015-04-20 | シチズン電子株式会社 | Led発光装置 |
JP2015103614A (ja) * | 2013-11-22 | 2015-06-04 | 東芝ライテック株式会社 | 発光装置 |
US9746145B2 (en) | 2014-03-14 | 2017-08-29 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Light-emitting device with non-successive placement of light-emitting elements of one color, illumination light source having the same, and illumination device having the same |
USD751046S1 (en) | 2014-06-16 | 2016-03-08 | Citizen Electronics Co., Ltd. | Light emitting diode |
USD751045S1 (en) | 2014-06-16 | 2016-03-08 | Citizen Electronics Co., Ltd. | Light emitting diode |
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