JP2014515560A5 - - Google Patents

Claims (15)

1. ボディ、及び前記ボディの全体の厚さを貫通する複数のビアを有する支持基板と、
   ｎ型領域とｐ型領域との間に挟まれる発光層を有し、誘電性接合層を介して前記支持基板に接合された半導体発光デバイスとを有し、
   前記支持基板の幅は、前記半導体発光デバイスの幅以下である、構造体。
2. 前記ｎ型領域は、前記半導体発光デバイスの端から後退している、請求項１に記載の構造体。
3. 前記ｎ型領域の端と前記半導体発光デバイスの端との間に配置されたポリマー層をさらに有する、請求項２に記載の構造体。
4. 前記ｎ型領域上に配置された金属コンタクトをさらに有する、請求項１に記載の構造体。
5. 前記金属コンタクトは、前記ｎ型領域の端の側壁を超えて延在する、請求項４に記載の構造体。
6. 前記金属コンタクトは、前記ｎ型領域の端から後退しており、
   前記ｎ型領域の外側部分及び側壁上に反射性誘電構造体が配置されている、請求項４に記載の構造体。
7. 前記接合層は、少なくとも一つの誘電領域によって分離された複数の金属領域を含む、請求項１に記載の構造体。
8. 前記ボディの全体の厚さを貫通する前記複数のビアは、前記複数の金属領域を露出する、請求項７に記載の構造体。
9. 前記接合層は、ポリマーを含む、請求項１に記載の構造体。
10. 前記ボディの全体の厚さを貫通する前記複数のビアは、前記ポリマー接合層を貫通して前記半導体発光デバイス上の金属層まで延在する、請求項９に記載の構造体。
11. 前記接合層は、前記半導体発光デバイス上に形成された第一接合層であり、前記構造体は、前記支持基板上に形成された第二接合層をさらに有する、請求項１に記載の構造体。
12. 前記第一及び第二接合層は、誘電層である、請求項１１に記載の構造体。
13. 前記第一及び第二接合層のうちの少なくとも一つは、ケイ素酸化物を含む、請求項１１に記載の構造体。
14. 前記ボディの全体の厚さを貫通して延在する前記複数のビアは、前記半導体発光デバイス上の金属層を露出するよう、前記第一及び第二接合層の両方を貫通して延在する、請求項１１に記載の構造体。
15. 前記半導体発光デバイス上に配置された波長変換層をさらに含む、請求項１に記載の構造体。