JP7385111B2 - 発光装置の製造方法及び発光装置 - Google Patents
発光装置の製造方法及び発光装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7385111B2 JP7385111B2 JP2019176162A JP2019176162A JP7385111B2 JP 7385111 B2 JP7385111 B2 JP 7385111B2 JP 2019176162 A JP2019176162 A JP 2019176162A JP 2019176162 A JP2019176162 A JP 2019176162A JP 7385111 B2 JP7385111 B2 JP 7385111B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- electrode
- emitting device
- external connection
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 63
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 218
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 218
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 129
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 85
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 46
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 44
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 32
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 16
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 68
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 58
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 34
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 28
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 17
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 13
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 13
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 12
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 11
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 11
- -1 etc. Substances 0.000 description 9
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 9
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 8
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 8
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 7
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 7
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 7
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 7
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 7
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 6
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 6
- 239000012463 white pigment Substances 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 4
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 4
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 4
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 3
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 238000005422 blasting Methods 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 3
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 3
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 2
- PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N (fluoren-9-ylideneamino) n-naphthalen-1-ylcarbamate Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2C1=NOC(=O)NC1=CC=CC2=CC=CC=C12 PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical compound C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XQUPVDVFXZDTLT-UHFFFAOYSA-N 1-[4-[[4-(2,5-dioxopyrrol-1-yl)phenyl]methyl]phenyl]pyrrole-2,5-dione Chemical compound O=C1C=CC(=O)N1C(C=C1)=CC=C1CC1=CC=C(N2C(C=CC2=O)=O)C=C1 XQUPVDVFXZDTLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 description 1
- QCEUXSAXTBNJGO-UHFFFAOYSA-N [Ag].[Sn] Chemical compound [Ag].[Sn] QCEUXSAXTBNJGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002679 ablation Methods 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- JWVAUCBYEDDGAD-UHFFFAOYSA-N bismuth tin Chemical compound [Sn].[Bi] JWVAUCBYEDDGAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 1
- QHIWVLPBUQWDMQ-UHFFFAOYSA-N butyl prop-2-enoate;methyl 2-methylprop-2-enoate;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.COC(=O)C(C)=C.CCCCOC(=O)C=C QHIWVLPBUQWDMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical compound [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000006355 external stress Effects 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- JVPLOXQKFGYFMN-UHFFFAOYSA-N gold tin Chemical compound [Sn].[Au] JVPLOXQKFGYFMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920003192 poly(bis maleimide) Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 230000001376 precipitating effect Effects 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 230000001568 sexual effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZVWKZXLXHLZXLS-UHFFFAOYSA-N zirconium nitride Chemical compound [Zr]#N ZVWKZXLXHLZXLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
Description
本発明の第1実施形態に係る発光装置について図1Aから図2Bを参照して説明する。
発光装置100は、光取出面201と、光取出面201の反対側に位置する電極形成面203とを有する半導体積層体23と、電極形成面203に位置する第1素子電極21及び第2素子電極22と、を備える発光素子20と、第1素子電極21及び第2素子電極22の下面を被覆する半田60と、半田60を介して第1素子電極21と接合される第1金属部材120と、半田60を介して第2素子電極22と接合される第2金属部材130と、電極形成面203及び半田60の側面を被覆する第1反射部材30と、第1金属部材120の下面を被覆する第1外部接続電極71と、第2金属部材130の下面を被覆する第2外部接続電極72と、を備えている。なお、発光装置100は、第1導光部材40或いは透光性部材50を備えることとしてもよい。
以下、発光装置100の各構成について説明する。
発光素子20は、電圧を印加することで自ら発光する半導体素子である。発光素子20は、発光装置100では、1つ場合について説明するが複数で用いられてもよい。この発光素子20は、窒化物半導体等から構成される既知の半導体素子を使用することができる。
発光素子20は、素子基板24及び素子基板24に積層される半導体積層体23と、半導体積層体23に設けられた一対の素子電極として第1素子電極21及び第2素子電極22とを備えている。発光素子20は、ここでは、素子基板24の上面を光取出面201とし、光取出面201の反対側に位置する半導体積層体23の下面を電極形成面203としている。
発光素子20としては、例えばLEDチップが挙げられる。発光素子20は、少なくとも半導体積層体23を備え、多くの場合に素子基板24をさらに備える。また、発光素子20は、第1素子電極21及び第2素子電極22を有し、第1素子電極21及び第2素子電極22が、金、銀、銅、錫、白金、ロジウム、チタン、アルミニウム、タングステン、パラジウム、ニッケル又はこれらの合金で構成することができる。半導体材料としては、窒化物半導体を用いることが好ましい。窒化物半導体は、主として一般式InxAlyGa1-x-yN(0≦x、0≦y、x+y≦1)で表される。
半田60は、発光素子20の第1素子電極21の側面及び下面を被覆し、かつ、第1金属部材120を接合するように形成されている。さらに、半田60は、発光素子20の第2素子電極22の側面及び下面を被覆し、かつ、第2金属部材130を接合するように形成されている。半田60は、発光素子20の第1素子電極21及び第2素子電極22、並びに、第1金属部材120及び第2金属部材130と共に第1外部接続電極71,第2外部接続電極72に電気的に接続する部材である。半田60の材料としては、錫-ビスマス系、錫-銅系、錫-銀系、金-錫系などの公知の材料を用いることができる。なお、本明細書において半田とは導電性の部材を意味する。つまり、半田60の材料としては、金、銀、銅などのバンプ、銀、金、銅、プラチナ、アルミニウム、パラジウムなどの金属粉末と樹脂バインダを含む金属ペースト、低融点金属などのろう材なども用いることができる。
また、半田60は、電極形成面203から第1外部接続電極71,第2外部接続電極72に向かって半田の下面の面積が大きくなるように第1素子電極21及び第2素子電極22の側面及び下面に形成されると共に、第1金属部材120及び第2金属部材130の上面及び側面に形成されている。
なお、半田60の下面と、第1金属部材120の下面と、第2金属部材130の下面と、後記する第1反射部材30の下面とは同一平面になるように形成されることが好ましい。これらの各下面が同一平面上になることで、後記する第1外部接続電極71,第2外部接続電極72が形成し易くなる。
透光性部材50は、発光素子20の光取出面201を被覆し、発光素子20を保護する透光性の部材である。透光性部材50は、上面視において発光素子20の光取出面201よりも大きな面積で形成されていることが好ましい。このようにすることで、発光装置の光取り出し効率が向上する。透光性部材50は、第1導光部材40を介して発光素子20の光取出面201に接続されてもよい。
透光性部材50は、波長変換粒子を含有しない透光層52と、波長変換粒子を含有する波長変換層51とを備えていてもよい。また、波長変換層51は、第1波長変換層51A1及び第2波長変換層51A2を有するようにしてもよい。透光性部材50の構成をこのようにすることで、発光装置100の色調整が容易になる。
また、波長変換層51では、第1波長変換層51A1と、第1波長変換層51A1を被覆する第2波長変換層51A2の構成とする場合、第2波長変換層51A2が、第1波長変換層51A1を直接被覆してもよく、透光性の別の層を介して第1波長変換層51A1を被覆してもよい。第1波長変換層51A1に含有される波長変換粒子の発光ピーク波長は、第2波長変換層51A2に含有される波長変換粒子の発光ピーク波長よりも短いことが好ましい。このようにすることで、発光素子20に励起された第1波長変換層51A1からの光によって、第2波長変換層51A2の波長変換粒子を励起することができる。これにより、第2波長変換層51A2の波長変換粒子からの光を増加させることができる。
第1導光部材40は、発光素子20と透光性部材50を固定し、発光素子20からの光を透光性部材50に導光する部材である。第1導光部材40の母材は、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、又はこれらの変性樹脂が挙げられる。第1導光部材40の材料として、エポキシ樹脂を用いることでシリコーン樹脂を用いた場合より発光装置100の硬度を向上させることができるので好ましい。また、シリコーン樹脂及び変性シリコーン樹脂は、耐熱性及び耐光性に優れているので好ましい。第1導光部材40は、前記した透光性部材50の波長変換層51と同様の波長変換粒子及び/又は拡散粒子を含有していてもよい。
第1反射部材30は、透光性部材50の光の取出面501側に光を反射する部材である。第1反射部材30は、発光素子20の素子側面202を直接又は第1導光部材40を介して被覆してもよい。また、第1反射部材30は、発光素子20の素子側面202、電極形成面203、半田60の側面及び透光性部材50の側面を被覆するように形成されてもよい。第1反射部材30は、発光素子20の発光ピーク波長における光反射率が、70%以上であることが好ましく、80%以上であることがより好ましく、90%以上であることがよりいっそう好ましい。第1反射部材30の材料としては、例えば、母材中に白色顔料を含有させた部材を用いることができる。
第1外部接続電極71及び第2外部接続電極72は、発光装置100を外部の電極に接続するためのものである。第1外部接続電極71は、半田60の下面、第1金属部材120の下面、及び第1反射部材30の下面に接するように形成されている。また、第2外部接続電極72は、半田60の下面、第2金属部材130の下面、及び第1反射部材30の下面に接するように形成されている。第1外部接続電極71は、半田60の下面及び第1金属部材120と同等の面積、或いは、前記面積よりも大きな面積に形成されていることが好ましい。また、第2外部接続電極72は、半田60の下面及び第2金属部材130と同等の面積、あるいは、前記面積よりも大きな面積に形成されていることが好ましい。第1外部接続電極71及び第2外部接続電極72は、互いに離れて形成されている。また、第1外部接続電極71及び第2外部接続電極72は、例えば、銀、白金、アルミニウム、ロジウム、金若しくはこれらの合金等を、層状に設けてよい。
発光装置の製造方法は、以下の工程を少なくとも含むように行われている。
(1)電極形成面に形成された第1素子電極及び第2素子電極を有する発光素子と、第1素子電極及び第2素子電極の下面を被覆する半田と、半田を介して第1素子電極及び第2素子電極と接合される金属部材を含み第1下面を有する支持体と、を備える第1中間体を準備する工程である第1中間体準備工程S11を行う。
(2)第1下面側から金属部材の一部までを除去して、第1素子電極と接合される第1金属部材と、第2素子電極と接合される第2金属部材とを形成し、第1金属部材及び第2金属部材の下面を含む第2下面を有する第2中間体を形成する工程である第2中間体形成工程S12を行う。
(3)第1金属部材の下面を被覆する第1外部接続電極と第2金属部材の下面を被覆する第2外部接続電極を形成する工程である外部接続電極形成工程S13を行う。
以下、各工程について説明する。なお、第1反射部材から露出する半田の下面を外部接続電極の代わりとする場合には、外部接続電極形成工程S13を行わなくてもよい。外部接続電極形成工程S13を行わない場合には、第2中間体形成工程S12の後に個片化工程を行うようにすることも可能である。
第1中間体準備工程S11は、支持体10に半田60を介して発光素子20を接続した第1中間体101を準備する工程である。ここでは、説明を簡単にするために、図4AのIVB-IVB線おける断面図の構成部分を主に説明する。つまり、第1中間体101では、行列方向に複数の発光素子20が配置されるが、2つの発光素子20が配置される部分を主に説明することとする。ただし、個片化された後では発光装置100として発光素子20は、1つを用いる構成として説明している。
図5A及び図5Bに示すように、第1中間体準備工程S11において、第1中間体101は、支持体10の配線部分となる金属部材12,13に発光素子20を接続して形成される。発光素子20は、支持体10の基材11の上面111に形成された一対の金属部材12,13に、半田60を介して、第1素子電極21,第2素子電極22を接続する。金属部材12,13の面積は、発光素子20の第1素子電極21及び第2素子電極22よりも広くてもよい。これにより、第1素子電極21及び第2素子電極22の側面を被覆する半田60を形成しやすくなる。金属部材12,13は、発光素子20の第1素子電極21及び第2素子電極22と対向する位置に、凸部を備えていてもよい。金属部材12,13が、凸部を備えることで、第1素子電極21及び第2素子電極22を半田60により接続する際にセルフアライメント効果により位置合せを容易に行うことができる。
金属部材12,13の面積は、発光素子20の第1素子電極21,第2素子電極22と同等でもよい。このようにすることで、金属部材12,13に対する発光素子20の位置精度を向上させることができる。
なお、支持体10は、基材11の上面に第1配線として形成した金属部材12,13の他に、基材11の下面に形成された第2配線を備えていてもよい。また、一対の金属部材とそれぞれ電気的に接続される第2配線を備えていてもよい。第2配線の材料としては、金属部材と同様の材料を用いることができる。
なお、基材11は、上面111から第1下面112までの最大厚みは、一例として、100μm以上500μm以下であることが好ましい。基材の強度は、上面111から第1下面112までの厚みを100μm以上にすることで向上する。また、後記するように支持体10を除去する際には、第1下面112から金属部材12,13の一部までを除去することで、発光装置の厚みを薄くしている。
なお、第1中間体101の支持体10は、基材11と金属部材12,13とが同じ金属材料で形成される構成であってもよい。つまり、基材11は、配線の部分となる金属部材12,13が一体に形成されている金属の部材であってもよい。
図5D及び図5Eに示すように、第1反射部材30が形成された第1中間体101が準備できると、次に、第1中間体101に第2下面113を形成した第2中間体102を形成する第2中間体形成工程S12を行う。第2中間体形成工程S12では、第1中間体101の第1下面112側から金属部材12,13の一部を除去して第2下面113を形成することで第2中間体102を形成している。例えば、研削機械により第1中間体101の一部を削ってもよい。なお、第2下面113を形成する場合、半田60の下面及び金属部材12,13の一部が第1金属部材120及び第2金属部材130として第1反射部材30から露出するよう第1中間体の一部が除去されればよい。一例として、図5Eの矢印DK1の範囲を基材11と共に研削してもよい。
なお、第2下面113を形成した後には、研削くずが第2中間体102の様々な部分に付着して残存しないように洗浄工程を施してもよい。洗浄工程は、エアを第2中間体102に吹き付けることや、或いは、洗浄用液体に浸漬或いは洗浄用液体(固体二酸化炭素を含む)を吹き付けることで行うことができる。
図5Fに示すように、続いて、外部接続電極形成工程S13を行う。外部接続電極形成工程S13は、半田60の下面、第1金属部材120の下面、第2金属部材130の下面を被覆する一対の第1外部接続電極71及び第2外部接続電極72を第2下面113に形成する工程である。一対の第1外部接続電極71及び第2外部接続電極72とは、正負電極として機能する2つの電極のことである。このため、第2中間体102は、正負一対の電極となるよう互いに離れた一対の第1外部接続電極71及び第2外部接続電極72を備える。なお、個片化前の一対の第1外部接続電極71及び第2外部接続電極72は隣り合う一対の第1外部接続電極71及び第2外部接続電極72と、離れていてもよく、繋がっていてもよい。なお、第1外部接続電極71及び第2外部接続電極72は、金属層或いは金属板により形成され、電気的な接続ができるものであればよい。
なお、第1外部接続電極71及び第2外部接続電極72を形成する場合、連続して被覆する金属層を形成してから、一対の第1外部接続電極71及び第2外部接続電極72となるように第2下面113に形成してもよい。これは、第1素子電極21,第2素子電極22に半田60を介して接合している第1金属部材120、第2金属部材130に連続して形成した金属層の少なくとも一部を除去することにより、第1素子電極21,第2素子電極22と電気的に接続される一対の第1外部接続電極71及び第2外部接続電極72を形成することとする。金属層の一部を除去する方法としては、レーザ光の照射、エッチング、ブラスト等の公知の方法を用いることができる。
金属層の一部を除去する方法としてレーザ光の照射を用いる場合には、レーザ光の波長は、金属層に対する反射率が低い波長、例えば反射率が90%以下である波長を選択することが好ましい。例えば、金属層の最表面がAuである場合には、赤色領域(たとえば640nm)のレーザよりも、緑色領域(例えば550nm)より短い発光波長のレーザを用いることが好ましい。これにより、アブレーションを効率よく発生させ、量産性を高めることができる。
なお、外部接続電極形成工程S13では、第1外部接続電極71及び第2外部接続電極72を新たに設けることなく、第2下面113を形成したときに第1反射部材30から露出している半田60の下面及び第1金属部材120の下面、並びに、半田60の下面及び第2金属部材130の下面をそのまま電極として利用するようにしてもよい。
図5Gに示すように、個片化工程S14は、発光装置100ごとに個片化する工程である。この個片化工程S14では、ブレードダイシング法やレーザダイシング法などによって、第2中間体102において隣接する発光素子20の側面との間に沿って、第1反射部材30を切断することで発光装置100毎に個片化される。このようにすることで、複数の発光装置100を製造することができる。
図6A及び図6Bを参照して第2実施形態に係る発光装置100Aについて説明する。
なお、発光装置100Aは、既に説明した発光装置100を2つ連続している構成と同等である。
発光装置100Aは、第1発光素子20A1及び第2発光素子20A2を備えると共に、第1透光性部材50A1及び第2透光性部材50A2をそれぞれ第1発光素子20A1及び第2発光素子20A2に対向して形成するような構成としている。
発光装置100Aは、既に説明した発光装置の製造方法と基本的には同等である。そして、第1反射部材30を形成する工程では、第1透光性部材50A1及び第2透光性部材50A2の上面を露出させるように形成される。そして、第1反射部材30は、半田60の側面と、電極形成面203と、第1導光部材40を介して第1発光素子20A1及び第2発光素子20A2の側面とを、一体的に被覆するように形成されている。
個片化工程を行う場合に、発光素子20(第1発光素子20A1及び第2発光素子20A2)を複数(2つ)含むように個片化することで発光装置100Aを製造することができる。
発光装置100Aでは、半田60が外部接続電極71A,72A,73Aと接しているので、発光装置の放熱性が向上する。さらに、発光装置100Aでは、複数の発光素子(図面では2つ)を使用することができるので、発光装置の色再現性を向上させやすい。尚、発光装置が3つ以上の発光素子を備えていてもよい。
次に、第3実施形態に係る発光装置100Bについて図7A及び図7Bを参照して説明する。なお、以下の説明において、第1発光素子20A1及び第2発光素子20A2を、発光素子20として説明する場合もある。
発光装置100Bとして、前記した100Aの構成と異なる点は、第1反射部材30Bと、第2反射部材90と、第1導光部材40Bと、第2導光部材41Bとを備え、1つの透光性部材50Bが第1発光素子20A1及び第2発光素子20A2に対向して形成されていることである。なお、既に説明した構成については同じ符号を付して適宜説明を省略する場合がある。
そして、第2導光部材41Bは、発光素子20の素子基板24の側面の全部又は一部を覆うように、第1導光部材40Bの下方に連続して形成されている。第1導光部材40B及び第2導光部材41Bは、両者が既に説明した第1導光部材40と同じ部材を使うことや、両者が前記した部材の中から異なる材料となるように形成されてもよい。
第2反射部材90は、透光性部材50Bの側面、第1導光部材40Bの側面、第2導光部材41Bの側面、及び、第1反射部材30Bの側面を覆うように枠状に形成されている。第2反射部材90は、発光装置100Bの外側面を形成している。
第1反射部材30B及び第2反射部材90は、既に説明した第1反射部材30と同じ材料で形成できる。また、第1反射部材30Bと第2反射部材90とを既に説明した中の異なる材料で形成することもできる。第1反射部材30Bが母材中に白色顔料を含む場合には、白色顔料が外部接続電極側になる下面側に偏在することが好ましい。このようにすることで発光素子20の光が白色顔料によって遮られにくくなり発光装置100Bの光取出効率が向上する。
発光装置の製造方法は、既に説明した製造方法のフローチャートと同じ工程で製造されるが、各工程の内容が異なる場合がある。特に、第1中間体を準備する第1中間体準備工程は、以下の点で異なる。つまり、第1中間体準備工程では、発光素子基材接続工程S111と、第1反射部材形成工程S112と、第2導光部材形成工程S113と、第1導光部材形成工程S114と、透光性部材形成工程S115と、溝部形成工程S116と、第2反射部材溝部充填工程S117とが行われる。
次に、第1中間体準備工程S11において、第2反射部材溝部充填工程S117が行われる。第2反射部材溝部充填工程S117では、形成した溝部3Bに第2反射部材90が充填される。そして、溝部3B内に第2反射部材90を充填することで、第1中間体101Bが形成される。第1中間体101Bは、その下面が基材11の下面である第1下面112Bを形成している。
次に、図9Hに示すように、外部接続電極形成工程S13において、第2中間体102Bの第2下面113Bに第1~第3外部接続電極71B,72B,73Bを形成する。第1~第3外部接続電極71B,72B,73Bは、ここでは、第1発光素子20A1及び第2発光素子20A2のそれぞれに、半田60及び第1金属部材120、並びに、半田60及び第2金属部材130を介して電気的に接続されるようにスパッタ等の手段により形成される。
第2下面113Bは、発光装置の側面及び/又は透光性部材の上面よりも表面粗さが大きいことが好ましい。このようにすることで、第2下面113Bと第1~第3外部接続電極71B,72B,73Bとの接合強度を向上させることができる。
発光装置100Bでは、半田60が第1~第3外部接続電極71B,72B,73Bと接しているので発光装置の放熱性が向上する。さらに、発光装置100Bでは、複数の発光素子20を使用することができるので、色再現性を向上させやすい。
発光装置100Bでは、発光素子20の電極形成面203を覆うように第1反射部材30Bが位置することにより、発光素子20からの光を透光性部材50B側に反射させることができるので、発光装置の光取出効率を向上させることができる。
また、図10、図11A~図11Fに示すような製造方法により発光装置100Aと同様な構造の発光装置100Cを製造することとしてもよい。
発光装置の製造方法は、第1中間体準備工程S11と、第1切溝形成工程S118と、第2中間体形成工程S12と、外部接続電極形成工程S13と、個片化工程(第2切溝形成工程)S14と、を含む手順で行われる。なお、第1中間体準備工程S11では、例えば、図11Aに示すように、透光性部材50の上面を覆う第1反射部材30を形成する。そして、図11Bに示すように、透光性部材50の上面が露出するように第1反射部材30を研削して第1反射部材30の上面と透光性部材50の上面とが同一平面になるようにすることで、第1中間体101を準備する。
さらに、図12、図13A~図13Hに示すような製造方法により発光装置100Dを製造することとしてもよい。
発光装置の製造方法は、第1中間体準備工程S11と、第1切溝形成工程S118と、第2中間体形成工程S12と、支持基板接続工程S121と、第2切溝形成工程S122と、外部接続電極形成工程S13と、個片化工程S14とを含む手順で行われる。なお、個片化工程S14では、第3切溝形成工程S141と、支持基板除去工程S142とを行っている。そして、第1外部接続電極171,第2外部接続電極172は、第2下面113から第1反射部材30の側面の少なくとも一部に亘るように形成されてもよい。なお、第1外部接続電極171,第2外部接続電極172は、既に説明した第1外部接続電極71,第2外部接続電極72に対して、側面電極部171a、172aを備えるように形成されるものである。
支持基板接続工程S121は、図13Dに示すように、第1切溝3D1が形成されている第1反射部材30の上面を支持基板11Dに向けて第2中間体102Dを支持する工程である。この支持基板接続工程S121は、例えば、紫外線硬化樹脂等の仮止めようの接着剤G1を介して支持基板11Dに第2中間体102Dが支持される。
図13Gに示すように、第3切溝形成工程S141は、第2切溝3D2内に設けた金属層170の一部を切断するように第2切溝3D2の溝幅よりも小さく、かつ、第1切溝3D1の溝幅よりも大きな溝幅の第3切溝3D3をブレード等の切削工具により形成している。個片化工程S14で第1反射部材30に第3切溝3D3が形成されることで、第2切溝3D2及び第3切溝3D3により形成される第1反射部材30の側面よりも内側に側面電極部172aを形成することができる。
前記した製造方法により形成された発光装置100Dは、第2下面113に形成される下面電極部171b,172bと、第1反射部材30の側面に形成される側面電極部171a,172aとを第1外部接続電極171,第2外部接続電極172とすることができる。そのため、発光装置100Dでは、第1外部接続電極171,第2外部接続電極172で接続する外部機器の種類の範囲を広げることができる。
すなわち、図14Aに示すように、第1外部接続電極71C,第2外部接続電極72Cは、第2下面113の一方と他方に離れて、長手方向の両端、及び、短手方向の両端において第2下面113の端まで連続して形成されることとしてもよい。
さらに、図14Cに示すように、第1外部接続電極71E,第2外部接続電極72Eは、短手方向の両端では、第2下面113の端まで連続して形成され、長手方向の両端では、端から離れた状態で形成されていてもよい。
なお、図14A、図14B、図14Cで説明した第1外部接続電極及び第2外部接続電極は、第1反射部材30の側面に既に説明した側面電極部を併せて形成されることとしてもよい。例えば、下面視において発光装置が長方形の場合には、側面電極部を発光装置の外縁の短辺のみに位置していてもよく、長辺のみに位置していてもよく、短辺及び長辺に位置していてもよい。なお、側面電極部と下面電極部とは接していてもよく、離れていてもよい。
すなわち、図15A及び図15Bに示すように、金属部材12A1,13A1が、凸部を備えており、凸部の上面が窪み12a,13aを備えていてもよい。金属部材12A1,13A1の凸部に窪み12a,13aが形成されることで、発光素子20の第1素子電極21,第2素子電極22と接合するための半田60の塗布量が多かった場合、窪み12a,13aに余計な半田60が入り込むことで調整することができる。
さらに、窪みの形状及び数は、図15Cに示すように、金属部材12B1,13B1において、略円形の複数の窪み12b,13bを形成してもよい。
そして、窪みの形状は、図15Dに示すように、金属部材12C1、13C1の中央に一端から他端まで連続する窪み12c,13cであってもよい。
窪み12a~12c,13a~13cは、余計な半田60を内部に入り込ませて調整することができるものである。上面視における窪みの形状は、特に限定されず、例えば、円形、楕円形、多角形等であってもよい。
また、第3実施形態において、第1反射部材30Bの白色顔料等の反射部材を沈降させることで、第2導光部材41Bと第1反射部材30Bとを形成するようにした場合には、製造方法において、手順を減らすことができ、また、第2導光部材41Bを単独で準備する必要がなくなり、設備の簡略化を図ることができる。
極性判別が可能な構造の例を、図16A~図16Eを参照して説明する。
なお、図16A及び図16Bでは、第2外部接続電極172にのみ電極非形成領域5が設けられているが、第1外部接続電極171,第2外部接続電極172の双方に電極非形成領域5を設けてそれぞれの平面形状を異ならせてもよい。
さらに、図16Eでは、発光装置100の発光面側に位置する第1反射部材30に着色材7を設けることで発光装置100の極性を判別している。発光装置100の発光面側に着色材7を設けることで、発光装置100の発光面側からの極性判別が容易になる。また、第1反射部材30に溝6等を設けないことで、発光装置100の強度の低下を抑制することができる。
まず、図17Aで示すように、個片化後に発光装置100となる領域P(以下、単に発光装置形成領域P)が行列状に配置された構造体200を準備する。図17A及び図17Cでは、発光装置形成領域Pを破線で示し、図17A乃至図17Eでは、発光装置形成領域Pが4つである場合を一例として図示している。図17A及び図17Bに示すように、第1中間体である構造体200は、下面側に支持体10を有し、上面側に発光装置形成領域Pを有している。構造体200の発光面側では、発光装置形成領域Pに位置する発光面9は第1反射部材30から露出している。構造体200の発光面9は、略平坦な面になっており、各発光面9と第1反射部材30の上面は略同一平面上に位置する。
また、発光装置100では、第1外部接続電極71及び第2外部接続電極72を形成する構成として説明したが、第2下面113を形成したときに半田60の下面と第1金属部材120の下面と第2金属部材130の下面とが露出しているので、その半田60の下面と第1金属部材120の下面と第2金属部材130の下面とを第1外部接続電極及び第2外部接続電極として用いることとしてもよい。
101,101A,101B 第1中間体
102,102A,102B 第2中間体
10 支持体
10A 基板
11 基材
12,13 金属部材
120 第1金属部材
130 第2金属部材
20 発光素子
21 第1素子電極
22 第2素子電極
23 半導体積層体
24 素子基板
30 第1反射部材
40 第1導光部材
41 第2導光部材
50,50A,50B 透光性部材
50A1,50A2 透光性部材
90 第2反射部材
70 金属層
71,71A,71B 第1外部接続電極
72,72A,72B 第2外部接続電極
73A,73B 第3外部接続電極
201 光取出面
202 素子側面
203 電極形成面
S11 第1中間体準備工程
S12 第2中間体形成工程
S13 外部接続電極形成工程
S14 個片化工程
S111 発光素子基材接続工程
S112 第1反射部材形成工程
S113 第2導光部材形成工程
S114 第1導光部材形成工程
S115 透光性部材形成工程
S116 溝部形成工程
S117 第2反射部材溝部充填工程
S118 第1切溝形成工程
S121 支持基板接続工程
S122 第2切溝形成工程
S141 第3切溝形成工程
S142 支持基板除去工程
Claims (17)
- 電極形成面に形成された第1素子電極及び第2素子電極を有する発光素子と、前記第1素子電極及び前記第2素子電極の下面を被覆する半田と、前記半田を介して前記第1素子電極及び前記第2素子電極と接合される金属部材を含み第1下面を有する支持体と、を備える第1中間体を準備する工程と、
前記第1下面側から金属部材の一部までを除去して、前記第1素子電極と接合される第1金属部材と、前記第2素子電極と接合される第2金属部材と、をそれぞれ前記金属部材の一部で形成し、前記第1金属部材及び前記第2金属部材の下面を含む第2下面を有する第2中間体を形成する工程と、
前記第1金属部材の下面を被覆する第1外部接続電極と前記第2金属部材の下面を被覆する第2外部接続電極を形成する工程と、を含み、
前記第1中間体を準備する工程において、
前記支持体は、絶縁性の基材と、前記基材上に配置される前記金属部材とを含む発光装置の製造方法。 - 電極形成面に形成された第1素子電極及び第2素子電極を有する発光素子と、前記第1素子電極及び前記第2素子電極の下面を被覆する半田と、前記半田を介して前記第1素子電極及び前記第2素子電極と接合され、前記半田が側面に形成されている金属部材を含み第1下面を有する支持体と、を備える第1中間体を準備する工程と、
前記第1下面側から金属部材の一部までを除去して、前記第1素子電極と接合される第1金属部材と、前記第2素子電極と接合される第2金属部材と、をそれぞれ前記金属部材の一部で形成し、前記第1金属部材の側面を覆う第1半田と、前記第2金属部材の側面を覆う第2半田と、をそれぞれ前記半田の一部で形成し、
前記第1半田、前記第2半田、前記第1金属部材及び前記第2金属部材の下面を含む第2下面を有する第2中間体を形成する工程と、
前記第1半田の下面及び前記第1金属部材の下面に接する第1外部接続電極と、前記第2半田の下面及び前記第2金属部材の下面に接する第2外部接続電極とを形成する工程と、を含む発光装置の製造方法。 - 前記第1中間体を準備する工程において、
上面視において、前記第1素子電極及び/又は前記第2素子電極と重なる位置の前記金属部材に凸部を備える請求項1又は請求項2に記載の発光装置の製造方法。 - 前記凸部の上面が窪みを備える請求項3に記載の発光装置の製造方法。
- 前記第1中間体を準備する工程において、
前記支持体は、絶縁性の基材と、前記基材上に配置される前記金属部材とを含む請求項2に記載の発光装置の製造方法。 - 前記第1中間体が、前記発光素子の電極形成面を被覆する第1反射部材を有する請求項1又は請求項2に記載の発光装置の製造方法。
- 前記第1外部接続電極と前記第2外部接続電極とを形成する工程において、前記第1外部接続電極と前記第2外部接続電極とをスパッタにより形成する請求項1又は請求項2に記載の発光装置の製造方法。
- 前記第1外部接続電極と前記第2外部接続電極とを形成する工程において、前記第1素子電極及び前記第2素子電極を連続して被覆する金属層を形成した後、前記金属層の一部を除去し前記第1外部接続電極と前記第2外部接続電極とを形成する請求項7に記載の発光装置の製造方法。
- 前記第1外部接続電極は、前記第2下面から前記第1反射部材の側面の少なくとも一部に亘るように形成されている請求項6に記載の発光装置の製造方法。
- 光取出面と、前記光取出面の反対側に位置する電極形成面とを有する半導体積層体と、前記電極形成面に位置する第1素子電極及び第2素子電極と、を備える発光素子と、
前記第1素子電極の下面を被覆する第1半田と、
前記第2素子電極の下面を被覆する第2半田と、
前記第1半田を介して前記第1素子電極と接合され、前記第1半田が側面に形成されている第1金属部材と、
前記第2半田を介して前記第2素子電極と接合され、前記第2半田が側面に形成されている第2金属部材と、
前記電極形成面、前記第1半田及び前記第2半田の側面を被覆する第1反射部材と、
前記第1半田の下面及び前記第1金属部材の下面に接する第1外部接続電極と、
前記第2半田の下面及び前記第2金属部材の下面に接する第2外部接続電極と、を備える発光装置。 - 前記第1金属部材の下面と、前記第2金属部材の下面と、前記第1反射部材の下面とが同一平面である請求項10に記載の発光装置
- 前記発光素子の光取出面側に前記発光素子の光取出面よりも大きな下面を有する透光性部材を備える請求項10又は請求項11に記載の発光装置。
- 前記透光性部材の下面と前記発光素子の光取出面との間に位置すると共に、前記発光素子の側面を被覆する導光部材を備える請求項12に記載の発光装置。
- 前記導光部材を介して前記発光素子の側面を被覆する第2反射部材を備える請求項13に記載の発光装置。
- 前記発光素子を複数備える請求項10乃至請求項14のいずれか一項に記載の発光装置。
- 前記第1反射部材が前記発光素子の側面を被覆する請求項10乃至請求項15のいずれか一項に記載の発光装置。
- 前記第1外部接続電極及び/又は前記第2外部接続電極は、前記第1反射部材の側面の少なくとも一部まで形成される請求項10に記載の発光装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019176162A JP7385111B2 (ja) | 2019-09-26 | 2019-09-26 | 発光装置の製造方法及び発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019176162A JP7385111B2 (ja) | 2019-09-26 | 2019-09-26 | 発光装置の製造方法及び発光装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021057363A JP2021057363A (ja) | 2021-04-08 |
JP7385111B2 true JP7385111B2 (ja) | 2023-11-22 |
Family
ID=75271109
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019176162A Active JP7385111B2 (ja) | 2019-09-26 | 2019-09-26 | 発光装置の製造方法及び発光装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7385111B2 (ja) |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013016757A (ja) | 2011-07-06 | 2013-01-24 | Hitachi Chem Co Ltd | 半導体素子搭載用部材、半導体素子搭載基板、及び半導体装置 |
JP2014515560A (ja) | 2011-06-01 | 2014-06-30 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ | 支持基板に接合された発光デバイス |
JP2018093197A (ja) | 2016-12-01 | 2018-06-14 | 晶元光電股▲ふん▼有限公司Epistar Corporation | 発光装置 |
JP2018107258A (ja) | 2016-12-26 | 2018-07-05 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
JP2019114637A (ja) | 2017-12-22 | 2019-07-11 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
-
2019
- 2019-09-26 JP JP2019176162A patent/JP7385111B2/ja active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014515560A (ja) | 2011-06-01 | 2014-06-30 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ | 支持基板に接合された発光デバイス |
JP2013016757A (ja) | 2011-07-06 | 2013-01-24 | Hitachi Chem Co Ltd | 半導体素子搭載用部材、半導体素子搭載基板、及び半導体装置 |
JP2018093197A (ja) | 2016-12-01 | 2018-06-14 | 晶元光電股▲ふん▼有限公司Epistar Corporation | 発光装置 |
JP2018107258A (ja) | 2016-12-26 | 2018-07-05 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
JP2019114637A (ja) | 2017-12-22 | 2019-07-11 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2021057363A (ja) | 2021-04-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6554914B2 (ja) | 発光装置とその製造方法 | |
JP6045999B2 (ja) | 半導体発光装置及びその製造方法 | |
TWI543399B (zh) | 半導體發光裝置 | |
JP5337106B2 (ja) | 半導体発光装置 | |
KR101548066B1 (ko) | 발광 장치, 발광 모듈, 및 발광 장치의 제조 방법 | |
JP2016219743A5 (ja) | ||
US10629790B2 (en) | Light-emitting device | |
JP2015056650A (ja) | 発光装置 | |
JP6185415B2 (ja) | 半導体発光装置 | |
JP6201675B2 (ja) | 半導体発光装置の製造方法 | |
JP2019009429A (ja) | 発光装置 | |
JP5837456B2 (ja) | 半導体発光装置及び発光モジュール | |
KR20190037741A (ko) | 발광 다이오드, 발광 다이오드 모듈 및 그것을 갖는 표시 장치 | |
EP2657999A2 (en) | Wavelength converter and semiconductor light emitting device | |
WO2017154975A1 (ja) | 半導体発光装置 | |
TW201637241A (zh) | 半導體發光元件、發光裝置及半導體發光元件之製造方法 | |
US11022746B2 (en) | Linear light source and planar light emitting device | |
JP2013118293A (ja) | 半導体発光素子 | |
JP7385111B2 (ja) | 発光装置の製造方法及び発光装置 | |
US11165006B2 (en) | Light emitting device including external connection electrodes, and method thereof | |
JP2019208038A (ja) | 発光装置とその製造方法 | |
JP7193735B2 (ja) | 発光装置の製造方法及び発光装置 | |
JP7208491B2 (ja) | 発光装置の製造方法及び発光装置 | |
JP2020021856A (ja) | 発光装置の製造方法及び発光装置 | |
JP6729101B2 (ja) | 発光素子及び発光装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220826 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20230323 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230509 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230707 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20231010 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20231023 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 7385111 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |