JP2018107258A - 発光装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】より生産性の高い、発光装置の製造方法を提供する。【解決手段】発光装置の製造方法は、表面に溝部１０１ｇを有する導電基板１０１を準備する工程（Ａ）と、上面および底面を有し、底面側に正極１１２および負極１１４を有する発光体を準備する工程（Ｂ）と、溝部を跨いで正極および負極を導電基板に接続する工程（Ｃ）と、発光体を覆う樹脂層を導電基板上に形成する工程（Ｄ）と、樹脂層とは反対側から、溝部の底が除去されるまで導電基板を薄化して、互いに分離された、正極に接続された第１電極１０２および負極に接続された第２電極１０４を形成する工程（Ｅ）とを含む。【選択図】図６

Description

本開示は、発光装置の製造方法に関する。

半導体発光素子の底面および側面を樹脂材料で覆い、光の出射側とは反対側の面である底面上に半導体発光素子への給電のための電極対を設けた構造を備えた半導体発光装置が知られている。このような構成によれば、半導体発光素子が有する正極および負極の面積に対して電極の面積を拡大でき、配線基板等へのより容易な実装（例えばフリップチップ接続による実装）が可能になる。

例えば下記の特許文献１は、ＬＥＤ素子の側面と、底面のうちバンプ電極の配置されていない部分とを覆う封止部材の底面に、ＬＥＤ素子のバンプ電極に接続された電極を設けたＬＥＤ装置、および、その製造方法を開示している。特許文献１に記載されているように、封止部材の底面の電極は、一般に、電解めっき等を利用して封止部材の底面に金属膜を形成し、さらに金属膜をパターニングすることよって形成される。

特開２０１２−１２４４４３号公報

しかしながら、従来知られた手法では、配線基板等への接続のための電極の形成に、レジストの塗布、現像、エッチング等の工程を必要とし、製造工程が複雑である。そのため、配線基板等への接続のための電極をより簡易な方法で形成できると有益である。

本開示の発光装置の製造方法は、表面に第１の溝部を有する導電基板を準備する工程（Ａ）と、上面および底面を有し、前記底面側に正極および負極を有する発光体を準備する工程（Ｂ）と、前記第１の溝部を跨いで前記正極および前記負極を前記導電基板に接続する工程（Ｃ）と、前記発光体を覆う樹脂層を前記導電基板上に形成する工程（Ｄ）と、前記樹脂層とは反対側から、前記第１の溝部の底が除去されるまで前記導電基板を薄化して、互いに分離された、前記正極に接続された第１電極および前記負極に接続された第２電極を形成する工程（Ｅ）とを含む。

本開示の実施形態によれば、配線基板等への接続のための電極をより簡易な方法で形成可能であり、生産性が向上し得る。

図１Ａは、本開示のある実施形態による発光装置の製造方法の概要を示すフローチャートである。 図１Ｂは、本開示の他のある実施形態による発光装置の製造方法の概要を示すフローチャートである。 図２は、本開示のある実施形態による製造方法によって得られる例示的な発光装置の上面、断面および底面をあわせて示す図である。 図３は、本開示のある実施形態による発光装置の例示的な製造方法を説明するための模式的な上面図および断面図をあわせて示す図である。 図４は、本開示のある実施形態による発光装置の例示的な製造方法を説明するための模式的な断面図である。 図５は、本開示のある実施形態による発光装置の例示的な製造方法を説明するための模式的な上面図および断面図をあわせて示す図である。 図６は、本開示のある実施形態による発光装置の例示的な製造方法を説明するための模式的な上面図および断面図をあわせて示す図である。 図７は、本開示のある実施形態による発光装置の例示的な製造方法を説明するための模式的な断面図である。 図８は、本開示のある実施形態による発光装置の例示的な製造方法を説明するための模式的な上面図および断面図をあわせて示す図である。 図９は、本開示のある実施形態による発光装置の例示的な製造方法を説明するための模式的な上面図および断面図をあわせて示す図である。 図１０は、本開示のある実施形態による発光装置の例示的な製造方法を説明するための模式的な断面図である。 図１１は、本開示の他のある実施形態による発光装置の例示的な製造方法を説明するための模式的な断面図である。 図１２は、本開示の他のある実施形態による発光装置の例示的な製造方法を説明するための模式的な上面図および断面図をあわせて示す図である。 図１３は、本開示の他のある実施形態による発光装置の例示的な製造方法を説明するための模式的な断面図である。 図１４は、複数の発光体１１０Ａが結合された構造体の切断ラインＣＬの他の一例を示す上面図である。 図１５は、図１４に示す切断ラインＣＬに沿った分割によって得られる発光装置２００Ａの模式的な断面図である。 図１６は、複数の発光体１１０Ａが結合された構造体の切断ラインＣＬのさらに他の一例を示す上面図である。 図１７は、図１６に示す切断ラインＣＬに沿った分割によって得られる発光装置２００Ｂの模式的な斜視図である。 図１８は、本開示のある実施形態による発光装置の製造方法の変形例を説明するための模式的な断面図である。 図１９は、めっき層１０１Ｐを有する導電基板１０１Ｇの模式的な断面図である。 図２０は、溝部（第１の溝部）１０１ｇおよび溝部１０１ｇの延びる方向とは異なる方向に延びる溝部（第２の溝部）１０１ｈを有する導電基板１０１Ｈの例示的な構成を示す。 図２１は、導電基板１０１Ｈに発光体１１０Ａを固定した状態を模式的に示す上面図および断面図をあわせて示す図である。 図２２は、本開示のさらに他のある実施形態による製造方法によって得られる例示的な発光装置を示す模式的な断面図である。 図２３は、本開示のさらに他のある実施形態による発光装置の例示的な製造方法を説明するための模式的な上面図および断面図をあわせて示す図である。 図２４は、本開示のさらに他のある実施形態による発光装置の例示的な製造方法を説明するための模式的な上面図および断面図をあわせて示す図である。 図２５は、本開示のさらに他のある実施形態による発光装置の例示的な製造方法を説明するための模式的な上面図および断面図をあわせて示す図である。 図２６は、本開示のさらに他のある実施形態による発光装置の例示的な製造方法を説明するための模式的な断面図である。 図２７は、本開示のさらに他のある実施形態による発光装置の例示的な製造方法を説明するための模式的な上面図および断面図をあわせて示す図である。 図２８は、本開示のさらに他のある実施形態による発光装置の例示的な製造方法を説明するための模式的な断面図である。 図２９は、本開示のさらに他のある実施形態による発光装置の例示的な製造方法を説明するための模式的な上面図および断面図をあわせて示す図である。 図３０は、本開示のさらに他のある実施形態による製造方法によって得られる例示的な発光装置を示す模式的な断面図である。 図３１は、本開示のさらに他のある実施形態による発光装置の例示的な製造方法を説明するための模式的な上面図および断面図をあわせて示す図である。 図３２は、本開示のさらに他のある実施形態による発光装置の例示的な製造方法を説明するための模式的な断面図である。 図３３は、本開示のさらに他のある実施形態による発光装置の例示的な製造方法を説明するための模式的な上面図および断面図をあわせて示す図である。 図３４は、本開示のさらに他のある実施形態による発光装置の例示的な製造方法を説明するための模式的な断面図である。

以下、図面を参照しながら、本開示の実施形態を詳細に説明する。以下の実施形態は、例示であり、本開示による発光装置の構成およびその製造方法は、以下の実施形態に限られない。例えば、以下の実施形態で示される数値、形状、材料、ステップ、そのステップの順序などは、あくまでも一例であり、技術的に矛盾が生じない限りにおいて種々の改変が可能である。

以下の説明では、特定の方向または位置を示す用語（例えば、「上」、「下」、「右」、「左」およびそれらの用語を含む別の用語）を用いる場合がある。しかしながら、それらの用語は、参照した図面における相対的な方向または位置を分かり易さのために用いているに過ぎない。参照した図面における「上」、「下」等の用語による相対的な方向または位置の関係が同一であれば、本開示以外の図面、実際の製品等において、参照した図面と同一の配置でなくてもよい。以下の説明において、実質的に同じ機能を有する構成要素は共通の参照符号で示し、説明を省略することがある。また、図面が過度に複雑になることを避けるために、一部の要素の図示を省略することがある。図面が示す構成要素の大きさ、位置関係等は、分かり易さのために誇張されている場合があり、実際の発光装置における大きさ、あるいは、実際の発光装置における構成要素間の大小関係を反映していない場合がある。本開示において「平行」および「垂直」（または「直交」）とは、特に他の言及がない限り、２つの直線、辺あるいは面等がそれぞれ０°から±５°程度および９０°から±５°程度の範囲にある場合を含む。

（発光装置の製造方法の概要）
図１Ａは、本開示のある実施形態による発光装置の製造方法の概要を示すフローチャートである。図１Ａに示すように、本開示のある実施形態による発光装置の製造方法は、概略的には、表面に溝部を有する導電基板を準備する工程（ステップＳ１）と、ある面の側に正極および負極を有する発光体を準備する工程（ステップＳ２ａ）と、溝部を跨いで正極および負極を導電基板に接続する工程（ステップＳ３）と、発光体を覆う樹脂層を導電基板上に形成する工程（ステップＳ４ａ）と、樹脂層とは反対側から、溝部の底が除去されるまで導電基板を薄化して、互いに分離された第１電極および第２電極を形成する工程（ステップＳ５）とを含む。図１Ｂは、本開示の他のある実施形態による発光装置の製造方法の概要を示すフローチャートである。図１Ｂに例示する製造方法は、図１Ａに示すステップＳ２ａに代えて、ある面の側に正極および負極を有する発光素子を準備する工程（ステップＳ２ｂ）を含んでいる。また、ステップＳ４ａに代えて、発光素子を覆う樹脂層を導電基板上に形成する工程（ステップＳ４ｂ）を含んでいる。後述するように、発光体は、発光素子を含む構造体である。以下の説明から明らかとなるように、本開示の実施形態によれば、例えばフォトリソグラフィを必要とすることなく、発光素子への給電のための電極を発光装置の底面に形成可能である。

（発光装置の構造およびその製造方法の第１の例）
図２は、本開示のある実施形態による製造方法によって得られる例示的な発光装置の構成を示す。図２の中段は、図２の上段の上面図におけるＡ−Ａ’線断面図である。図２の下段は、これらの上面図および断面図に対応する底面図である。

図２に示す発光装置１００Ａは、発光体１１０Ａと、第１電極１０２と、第２電極１０４と、接合部材１０３、１０５と、光反射性樹脂部１０６Ｒｅ、１０６Ｒｆとを有する。発光体１１０Ａは、上面（第１面）１１１ａおよび底面（第２面）１１１ｂ、ならびに、上面１１１ａと底面１１１ｂとの間に位置する側面１１１ｓを有する発光素子１１１をその一部に含んでいる。発光素子１１１の上面１１１ａおよび底面１１１ｂは、それぞれ、発光体１１０Ａの上面１１０ａ側および底面１１０ｂ側に位置し、ここでは、発光素子１１１の底面１１１ｂは、発光体１１０Ａの底面１１０ｂを構成している。図２に模式的に示すように、発光素子１１１は、素子本体１１１ｍと、底面１１１ｂ側に設けられた正極１１２および負極１１４とを有する。したがって、発光体１１０Ａがその底面１１０ｂ側に正極１１２および負極１１４を有するといってもよい。図２に例示する構成において、発光体１１０Ａは、発光素子１１１の上面１１１ａ側に配置された保護層１１８と、発光素子１１１および保護層１１８に挟まれた波長変換層１１６Ａとをさらに含む。

発光素子１１１の素子本体１１１ｍは、例えば透光性の基板と、基板上の半導体積層構造とを含む。半導体積層構造は、活性層と、活性層を挟むｎ型半導体層およびｐ型半導体層とを含む。発光素子１１１としては、半導体レーザ、ＬＥＤ等の公知の半導体発光素子のチップを利用することができる。以下では、発光素子１１１としてＬＥＤチップを例示する。

発光素子１１１の上面１１１ａとは反対側の底面１１１ｂ側に設けられた正極１１２および負極１１４は、例えば、Ａｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｗ等の金属または合金の単層膜または積層膜である。正極１１２および負極１１４は、例えば電解めっきによって形成することができる。正極１１２は、接合部材１０３によって第１電極１０２に接続され、負極１１４は、接合部材１０５によって第２電極１０４に接続される。

発光体１１０Ａの保護層１１８は、発光素子１１１の上面１１１ａの上方に位置する。保護層１１８は、透光性部材であり、例えば透明樹脂層である。保護層１１８は、シリコーン樹脂、シリコーン変性樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、トリメチルペンテン樹脂もしくはポリノルボルネン樹脂、または、これらの樹脂の２種以上を含む樹脂の層であり得る。保護層１１８は、ガラスから形成された層であってもよい。

波長変換層１１６Ａは、保護層１１８と発光素子１１１との間に配置されている。波長変換層１１６Ａは、例えば樹脂中に蛍光体の粒子が分散された層である。波長変換層１１６Ａは、発光素子１１１から出射する光の少なくとも一部を吸収し、発光素子１１１からの出射光の波長とは異なる波長の光を発する。波長変換層１１６Ａは、波長変換物質である蛍光体の粒子が樹脂材料に分散された樹脂組成物を用いて形成することができる。蛍光体の粒子を分散させる樹脂材料としては、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、ユリア樹脂、フェノール樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹脂もしくはフッ素樹脂、または、これらの樹脂の２種以上を含む樹脂を用いることができる。蛍光体には、公知の材料を適用することができる。蛍光体の例は、ＹＡＧ系蛍光体、ＫＳＦ系蛍光体等のフッ化物系蛍光体およびＣＡＳＮ等の窒化物系蛍光体、βサイアロン蛍光体等である。ＹＡＧ系蛍光体は、青色光を黄色光に変換する波長変換部材の例であり、ＫＳＦ系蛍光体およびＣＡＳＮは、青色光を赤色光に変換する波長変換部材の例であり、βサイアロン蛍光体は、青色光を緑色光に変換する波長変換部材の例である。蛍光体は、量子ドット蛍光体であってもよい。

この例では、発光素子１１１の上面１１１ａ側から見たときの発光体１１０Ａの外形は、矩形状である。図２の上段に示すように、光反射性樹脂部１０６Ｒｅは、発光体１１０Ａを取り囲むようにして発光体１１０Ａの４つの側面を覆っている。後述するように、光反射性樹脂部１０６Ｒｅは、例えば光反射性のフィラーが分散された樹脂材料から形成され、発光素子１１１から出射された光を反射させる。発光装置１００Ａは、その上面１００ａのうち、保護層１１８が露出された部分から、発光素子１１１からの光を外部に向けて出射する。

光反射性樹脂部１０６Ｒｆは、図２の中段および下段に示すように、発光装置１００Ａの第１電極１０２および第２電極１０４の間に位置する。光反射性樹脂部１０６Ｒｅと同様に、光反射性樹脂部１０６Ｒｆも例えば光反射性のフィラーが分散された樹脂材料から形成される。発光装置１００Ａの第１電極１０２および第２電極１０４の間の空間を光反射性樹脂部１０６Ｒｆが占めることにより、発光装置１００Ａの底面１００ｂ側からの光の出射が抑制され、光の利用効率向上の効果が得られる。

図２の中段を参照すれば分かるように、第１電極１０２および第２電極１０４の表面と、光反射性樹脂部１０６Ｒｆの表面とは、整合しており、したがって、発光装置１００Ａの底面１００ｂは、ここでは平坦面である。

以下、図３〜図１０を参照しながら、図２に示す構造を有する発光装置の例示的な製造方法を詳細に説明する。

まず、図３に示すように、表面に溝部（第１の溝部）１０１ｇを有する導電基板１０１を準備する（図１ＡのステップＳ１）。導電基板１０１は、例えば、Ｃｕ、Ａｌ等の金属板を準備し、金属板の一方の主面に溝部１０１ｇを形成することによって形成できる。溝部１０１ｇは、エッチング、スクライブ、ダイシング（ハーフカット）等を適用して金属板の一部を除去することによって形成すればよい。導電基板１０１の上面視における形状は、任意である。導電基板１０１の形状としては、後続する工程における取り扱い、加工等に適した形状を採用し得る。

図３は、その上段および下段に、導電基板１０１の一例の模式的な上面図および断面図をあわせて示す。図３に例示する構成において、導電基板１０１は、３本の溝部１０１ｇが形成された表面１０１ｓを有する。ここでは、溝部１０１ｇの各々は、上面図において紙面の上下方向に沿って直線状に延びている。溝部１０１ｇの数、形状および配置は、図３に示す例に限定されず、例えば溝部１０１ｇの形状は、曲線状であってもよいし、屈曲および／または分岐を含んでいてもよい。

ここで、図３中の３本の溝部１０１ｇのうち中央の１つに注目する。その溝部が設けられることにより、その溝部の左右に第１領域Ｒ１および第２領域Ｒ２が形成されている。導電基板１０１のうち、第１領域Ｒ１および第２領域Ｒ２は、それぞれ、溝部１０１ｇの底１０１ｂに対して凸形状の第１部分１１および第２部分１２を含む。なお、溝部１０１ｇの幅Ｗは、正極１１２および負極１１４の間隔に厳密に一致している必要はない。幅Ｗは、正極１１２および負極１１４の間隔程度であればよい。

次に、底面側に正極および負極を有する発光体を準備する（図１ＡのステップＳ２ａ）。なお、ここでは、図２を参照して説明した発光体１１０Ａを用いる。

導電基板１０１および発光体１１０Ａの準備後、発光体１１０Ａを導電基板１０１に固定する。このとき、図４に示すように、発光体１１０Ａの底面１１０ｂに位置する正極１１２および負極１１４を導電基板１０１の表面１０１ｓに対向させて発光体１１０Ａを導電基板１０１に固定する。

図５は、導電基板１０１への発光体１１０Ａの固定後の状態を示す。図５の上段は、発光体１１０Ａが固定された導電基板１０１の上面図であり、図５の下段は、図５の上段に示す上面図のＢ−Ｂ’線断面図である。本開示の以降の他の断面図においても、特に断りの無い限り、図５の上段に示すＢ−Ｂ’線と同様の位置での垂直断面を示す。

図５に模式的に示すように、導電基板１０１への発光体１１０Ａの固定の工程においては、発光体１１０Ａが導電基板１０１の溝部１０１ｇを跨ぐようにして、発光体１１０Ａを導電基板１０１に固定する。図５の下段に示されるように、このとき、溝部１０１ｇを跨いで正極１１２および負極１１４を導電基板１０１に接続する（図１ＡのステップＳ３）。例えば、導電基板１０１の第１領域Ｒ１上に接合部材１０３を付与し、接合部材１０３によって正極１１２と導電基板１０１（例えば第１部分１１）とを互いに接続および固定する。同様に、導電基板１０１の第２領域Ｒ２上に接合部材１０５を付与し、接合部材１０５によって負極１１４と導電基板１０１（例えば第２部分１２）とを互いに接続および固定する。

接合部材１０３、１０５は、発光体１１０Ａと導電基板１０１とを互いに電気的に接続する機能を有する。接合部材１０３、１０５として、例えばはんだを用いることができる。接合部材１０３、１０５の材料の例は、Ａｕ含有合金、Ａｇ含有合金、Ｐｄ含有合金、Ｉｎ含有合金、Ｐｂ−Ｐｄ含有合金、Ａｕ−Ｇａ含有合金、Ａｕ−Ｓｎ含有合金、Ｓｎ含有合金、Ｓｎ−Ｃｕ含有合金、Ｓｎ−Ｃｕ−Ａｇ含有合金、Ａｕ−Ｇｅ含有合金、Ａｕ−Ｓｉ含有合金、Ａｌ含有合金、Ｃｕ−Ｉｎ含有合金、または、金属およびフラックスの混合物等である。接合部材１０３、１０５の材料としては、液状、ペースト状または固体状（シート状、ブロック状、粉末状、ワイヤ状）の部材を用いることができ、発光体の組成、基板の形状等に応じて適切な部材を適宜選択すればよい。接合部材１０３、１０５は、単一の部材で構成されていてもよいし、数種の部材を組み合わせて接合部材１０３、１０５として用いてもよい。

図５の上段に示すように、１つの導電基板１０１上に複数の発光体１１０Ａを固定してもよい。この例では、第１の方向（ここでは紙面の上下方向）、および、第１の方向とは異なる第２の方向（ここでは紙面の左右方向）に複数の発光体１１０Ａを配置することによって、導電基板１０１上にマトリクス状に発光体１１０Ａを固定している。もちろん、導電基板１０１上における複数の発光体１１０Ａの配置は、任意に設定し得る。ただし、導電基板１０１上のいずれの発光体１１０Ａについても、溝部１０１ｇを跨いで正極１１２および負極１１４を導電基板１０１に接続する。

後述する工程から明らかになるように、導電基板１０１上に複数の発光体を配置しておくことにより、複数の発光装置を効率的に製造できる。また、複数の発光部を有する発光装置を比較的容易に製造することが可能になる。後述するように、本開示の実施形態では、導電基板１０１への発光体（または発光素子）の接続後に、発光体（または発光素子）を覆う樹脂層を形成する。導電基板１０１上に複数の発光体を配置する場合、発光体間のピッチは、樹脂層を形成するための材料の粘度、発光体および導電基板１０１の溝部１０１ｇの形状等に応じて適宜設定され得る。

次に、発光体１１０Ａを覆う樹脂層を導電基板１０１上に形成する（図１ＡのステップＳ４ａ）。ここでは、発光体１１０Ａを覆う光反射性樹脂層１０６Ｒを導電基板１０１上に形成する。図６に模式的に示すように、光反射性樹脂層１０６Ｒは、発光体１１０Ａのうち、接合部材１０３または１０５に接する部分以外の全体を覆うように形成される。

光反射性樹脂層１０６Ｒは、例えば光反射性のフィラーが分散された樹脂層である。光反射性のフィラーとしては、金属の粒子、または、光反射性のフィラーを分散させる樹脂材料よりも高い屈折率を有する無機材料もしくは有機材料の粒子を用いることができる。光反射性のフィラーの例は、二酸化チタン、二酸化ケイ素、二酸化ジルコニウム、チタン酸カリウム、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、ムライト、酸化ニオブ、硫酸バリウム、酸化ケイ素、各種希土類酸化物（例えば、酸化イットリウム、酸化ガドリニウム）等の粒子である。光反射性のフィラーを分散させる樹脂材料としては、例えば、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、ユリア樹脂、フェノール樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹脂もしくはフッ素樹脂、または、これらの樹脂の２種以上を含む樹脂を用いることができる。光反射性樹脂層１０６Ｒは、発光素子１１１からの光に対する反射率が例えば６０％以上の層である。発光素子１１１からの光に対する反射率は、７０％以上、８０％または９０％以上であってもよく、適宜に設定され得る。

光反射性樹脂層１０６Ｒの形成には、例えばトランスファー成形等の圧縮成形法を適用可能である。熱および圧力を加えながら、例えば未硬化の樹脂に光反射性のフィラーが分散された材料を型の内部で流動させることによって、図６の下段に模式的に示すように、発光体１１０Ａの底面（この例では発光素子１１１の底面１１１ｂと共通）と、溝部１０１ｇの底１０１ｂとに挟まれた部分にも光反射性樹脂層１０６Ｒの材料を配置し得る。溝部１０１ｇの底１０１ｂに、予め貫通孔を形成しておいてもよい。溝部１０１ｇの底１０１ｂに貫通孔を設けておくことにより、発光体１１０Ａの底面と、溝部１０１ｇの底１０１ｂとに挟まれた部分に光反射性樹脂層１０６Ｒの材料をより確実に流し得る。なお、ここでは、接合部材１０３および１０５によって発光体１１０Ａが導電基板１０１に固定されているので（発光素子１１１が導電基板１０１に固定されているといってもよい。）、圧縮成形時に導電基板１０１から発光体１１０Ａ（または発光素子１１１）が分離してしまうことを抑制し得る。また、導電基板１０１の熱膨張による発光体１１０Ａのずれも抑制される。圧縮成形法を適用する場合、光反射性樹脂層１０６Ｒを形成するための樹脂組成物として、エポキシ系またはシリコーン系の粉状のモールドコンパウンド等を用いてもよい。

次に、光反射性樹脂層１０６Ｒとは反対側から、溝部１０１ｇの底１０１ｂが除去されるまで導電基板１０１を薄化する（図１ＡのステップＳ５）。例えば、平面研削機を用いて、導電基板１０１の表面１０１ｓとは反対側から、溝部１０１ｇの底１０１ｂが除去されるまで研削することにより、図７に模式的に示すように、溝部１０１ｇの位置で研削面Ｇｓｂから光反射性樹脂層１０６Ｒの一部を露出させることができる。溝部１０１ｇの底１０１ｂが除去されることにより、導電基板１０１が溝部１０１ｇの位置で複数の導電片１０１ｐに分離される。例えば、導電基板１０１のうち、第１部分１１（図６参照）の一部および第２部分１２（図６参照）は、導電基板１０１の薄化後、互いに分離された状態で導電片１０１ｐとして光反射性樹脂層１０６Ｒ上に残る。複数の導電片１０１ｐの各々は、自身とは異なる他の導電片１０１ｐから空間的にも電気的にも分離された状態にある。

次に、光反射性樹脂層１０６Ｒの一部を除去することにより、図８に模式的に示すように、発光素子１１１の上面１１１ａ側に位置する保護層１１８を光反射性樹脂層１０６Ｒから露出させる。光反射性樹脂層１０６Ｒの一部の除去には、例えばラップ加工、平面研削機を利用した研削加工等を用いることができる。このとき、保護層１１８の一部が光反射性樹脂層１０６Ｒの一部とともに除去されてもかまわない。図８の上段に示すように、この例では、研削面Ｇｓａに保護層１１８が矩形状に現れる。このときの、表面１０１ｓから光反射性樹脂層１０６Ｒの上面に相当する研削面Ｇｓａまでの垂直方向の距離（高さ）は、例えば２００〜２５０μｍ程度である。なお、光反射性樹脂層１０６Ｒの一部の除去後に導電基板１０１の薄化を実行してもかまわない。

次に、例えば切削砥石（ブレード）を用いたダイシングによって、図９中に太い破線ＣＬで示すように、発光体１１０Ａの間の位置で導電片１０１ｐおよび光反射性樹脂層１０６Ｒを切断する。切断により、導電片１０１ｐおよび光反射性樹脂層１０６Ｒによって複数の発光体１１０Ａが結合された構造体が、例えばそれぞれが発光体１１０Ａを有する複数の構造体に分割される。このとき、図１０に示すように、複数の発光体１１０Ａの間で共有されていた導電片１０１ｐが発光体１１０Ａの正極１１２および負極１１４毎に分割される。導電片１０１ｐの各々を、各発光体１１０Ａの正極１１２または負極１１４に接続された部分に分割することにより、１つの発光体１１０Ａを含む構造体毎に、接合部材１０３によって正極１１２に接続された第１電極１０２と、接合部材１０５によって負極１１４に接続された第２電極１０４とを形成することができる。

図１０から分かるように、第１電極１０２と第２電極１０４との間には光反射性樹脂部１０６Ｒｆが介在しており、最終的に得られる構造において、第１電極１０２および第２電極１０４は、空間的にも電気的にも互いに分離されている。また、図９を参照して説明した工程から明らかなように、発光装置１００Ａの側面１００ｓを構成する、第１電極１０２および第２電極１０４の表面は、発光装置１００Ａの側面１００ｓを構成する、光反射性樹脂部１０６Ｒｅの表面に整合している。なお、第１電極１０２および第２電極１０４の厚さは、例えば５μｍ以上１５０μｍ以下程度の範囲であり得る。

以上の工程により、図２を参照して説明した構造を有する発光装置１００Ａが得られる。上述の例示的な製造方法によれば、フォトリソグラフィを必要とすることなく、発光装置の底面側に、発光素子の正極および負極にそれぞれ接続され、正極および負極よりも面積が拡大された電極を比較的容易に形成できる。このように、本開示の実施形態によれば、製造工程の複雑化を回避しながら、正極および負極よりも面積が拡大された給電用の電極を底面に有する発光装置を提供することが可能である。給電用の電極として、発光体（または発光素子）の正極および負極と比較して大きな面積を有する電極が形成されるので、配線基板等に対する位置合わせが容易になる。すなわち、配線基板等に対する実装が容易な発光装置が提供される。また、比較的大きな面積を有する電極に発光装置中の発光体（または発光素子）の正極および負極が電気的に接続されるので、放熱性向上の効果も得られる。

導電基板１０１に固定された発光体１１０Ａを覆う樹脂層として光反射性樹脂層１０６Ｒを形成することにより、発光素子１１１、波長変換層１１６Ａおよび保護層１１８の側面を覆う光反射性樹脂部１０６Ｒｅを形成することができる。発光素子１１１、波長変換層１１６Ａおよび保護層１１８を取り囲む光反射性樹脂部１０６Ｒｅを形成することにより、発光素子１１１の例えば側面から出射された光を光反射性樹脂部１０６Ｒｅによって反射させて、発光素子１１１からの光を発光装置１００Ａの上面１００ａに向けて反射させることができる。すなわち、光の利用効率が向上する。

また、発光体１１０Ａを覆う樹脂層として光反射性樹脂層１０６Ｒを形成することにより、発光素子１１１の底面１１１ｂの、正極１１２および負極１１４の間に位置する部分を覆う光反射性樹脂部１０６Ｒｆを形成することが可能である。光反射性樹脂部１０６Ｒｆを設けることにより、発光素子１１１の底面１１１ｂ側からの光の出射が抑制され、光の利用効率がより向上し得る。

（変形例）
なお、発光体１１０Ａに代えて、発光素子１１１を準備し、発光素子１１１を導電基板１０１に固定してから、発光素子１１１の上面１１１ａ上に波長変換層１１６Ａおよび保護層１１８を配置または形成してもよい。すなわち、図３〜図１０を参照して説明した例と同様に、導電基板１０１を準備する（図１ＢのステップＳ１）。発光素子１１１を準備し（図１ＢのステップＳ２ｂ）、図１１に示すように、発光素子１１１が導電基板１０１の溝部１０１ｇを跨ぐようにして、波長変換層１１６Ａおよび保護層１１８を有しない状態の発光素子１１１を導電基板１０１に固定する。このとき、溝部１０１ｇを跨いで正極１１２および負極１１４を導電基板１０１に接続する（図１ＢのステップＳ３）。

図１２は、導電基板１０１への発光素子１１１の固定後の状態を示す。図示するように、導電基板１０１と正極１１２との間、および、導電基板１０１と負極１１４との間には、それぞれ、接合部材１０３および１０５が形成されている。

次に、発光素子１１１の上面１１１ａ側に保護層１１８を形成する。ここでは、発光素子１１１の上面１１１ａ上に波長変換層１１６Ａおよび保護層１１８を形成する。

例えば、図１３に模式的に示すように波長変換層１１６Ａおよび保護層１１８の積層体ＬＢを発光素子１１１の上面１１１ａ上に配置することによって、上面１１１ａ上に波長変換層１１６Ａおよび保護層１１８を形成することが可能である。積層体ＬＢは、蛍光体の粒子が分散された樹脂材料中の樹脂をＢステージの状態とした蛍光体シートと、透明シート（例えば透明樹脂のシート）とを準備し、これらを貼り合わせることによって準備することができる。積層体ＬＢは、蛍光体、シリコーン樹脂等の樹脂材料、無機フィラー粒子および溶媒を含有するスラリーを、スプレー法、キャスト法、ポッティング法等の塗布法によって保護層１１８の一方の主面上に付与し、付与された材料を硬化させることによっても形成することができる。積層体ＬＢは、発光素子１１１毎に配置されてもよいし、複数の発光素子１１１を覆う大きさの積層体ＬＢを複数の発光素子１１１上に配置してもよい。あるいは、発光素子１１１の上面１１１ａ上に波長変換層１１６Ａの材料を付与した後、透明シートを重ねてから波長変換層１１６Ａの材料を硬化させることによって、発光素子１１１の上面１１１ａ上に波長変換層１１６Ａおよび保護層１１８を形成してもよい。発光素子１１１の上面１１１ａ上に波長変換層１１６Ａおよび保護層１１８を形成した後の状態は、図５に示す状態と同様である。

保護層１１８の形成後、発光素子１１１を覆う樹脂層を導電基板１０１上に形成する（図１ＢのステップＳ４ｂ）。例えば、保護層１１８の外側から発光素子１１１を覆うように光反射性樹脂層１０６Ｒを形成する。光反射性樹脂層１０６Ｒの形成後の状態は、図６と同様であり得るので図示を省略する。本明細書において、「覆う」には、被覆される部材と被覆する部材とが接している態様だけでなく、これらが直接に接していない部分を含むような態様も包含するように解釈される。

その後、上述の図７〜図１０に示す工程と同様の工程を実行する。すなわち、光反射性樹脂層１０６Ｒとは反対側から、溝部１０１ｇの底１０１ｂが除去されるまで導電基板１０１を薄化する（図１ＢのステップＳ５、図７参照）。次に、光反射性樹脂層１０６Ｒの一部を除去することにより、発光素子１１１の上面１１１ａ側に位置する保護層１１８を光反射性樹脂層１０６Ｒから露出させる（図８参照）。さらに、発光素子１１１の間の位置で導電片１０１ｐおよび光反射性樹脂層１０６Ｒを切断する（図９参照）。切断により、１つの発光素子１１１を含む構造体毎に、接合部材１０３によって正極１１２に接続された第１電極１０２と、接合部材１０５によって負極１１４に接続された第２電極１０４とが形成される。

以上のような工程によっても、図２を参照して説明した構造を有する発光装置１００Ａを得ることが可能である。この例のように、導電基板１０１への発光素子１１１の固定後に波長変換層１１６Ａおよび／または保護層１１８を形成することにより、波長変換層１１６Ａおよび／または保護層１１８を有する構造体（例えば発光体１１０Ａ）を導電基板１０１に固定する場合と比較して、導電基板１０１との接合の際の加熱に起因する、上面１１１ａ上の層へのダメージを低減し得る。

なお、図９および図１０を参照して説明した例では、複数の発光体１１０Ａが結合された構造体を、それぞれが発光体１１０Ａを有する複数の単位に切断している。しかしながら、構造体の分割の単位は、この例に限定されない。それぞれが複数の発光体１１０Ａを含む単位に構造体を分割してもよい。

図１４は、複数の発光体１１０Ａが結合された構造体の切断ラインＣＬの他の一例を示す。図１４に示す例では、導電片１０１ｐの位置していない部分（溝部１０１ｇのあった部分）の延びる第１の方向（ここでは紙面の上下方向）に関しては、発光体１１０Ａ毎に切断ラインＣＬを設定している。他方、第２の方向（ここでは紙面の左右方向）に関しては、２個の発光体１１０Ａ毎に切断ラインＣＬを設定している。このような切断ラインＣＬの設定によれば、図１５に示すように、それぞれが、直列に接続された２個の発光体１１０Ａを含む複数の発光装置２００Ａを効率的に提供し得る。

図１５に示す発光装置２００Ａは、２個の発光体１１０Ａを含むことに対応して、その上面２００ａに２つの発光部ＬＥを有する。図１５に例示する構成において、左側の発光体１１０Ａの負極１１４および右側の発光体１１０Ａの正極１１２は、それぞれ、接合部材１０５および１０３を介して、共通の電極１０１ｑに接続されている。発光装置２００Ａを例えば配線基板に実装する場合、左側の発光体１１０Ａの正極１１２に接続された第１電極１０２と、右側の発光体１１０Ａの負極１１４に接続された第２電極１０４との間に所定の電流が供給されるように、発光装置２００Ａを配線基板上の配線パターンに接続する。

図１６は、複数の発光体１１０Ａが結合された構造体の切断ラインＣＬのさらに他の一例を示す。図１６に示す例では、第１の方向（ここでは紙面の上下方向）に関して、２個の発光体１１０Ａ毎に切断ラインＣＬを設定し、第２の方向（ここでは紙面の左右方向）に関しては、発光体１１０Ａ毎に切断ラインＣＬを設定している。このような切断ラインＣＬの設定によれば、図１７に示すように、それぞれが、並列に接続された２個の発光体１１０Ａを含む複数の発光装置２００Ｂが得られる。発光装置２００Ｂの第１電極１０２および第２電極１０４は、２個の発光体１１０Ａの間で共有される。つまり、この例では、２個の発光体１１０Ａの正極１１２同士が接合部材１０３を介して単一の第１電極１０２に接続され、負極１１４同士が接合部材１０５を介して単一の第２電極１０４に接続されている。

このように、本開示の実施形態によれば、直列または並列に接続された複数の発光体（または発光素子）を含む発光装置の提供も比較的容易である。もちろん、発光装置に含まれる発光体の数は、任意に設定し得る。

表面にめっき層を有する金属板を用いて導電基板を形成してもよい。めっき層を形成することにより、はんだなどの導電材料に対する導電基板の濡れ性を向上させることができ、導電基板への発光体１１０Ａ（または発光素子１１１）の配置がより容易になる。

例えば、図１８に模式的に示すように、まず、金属板１０１Ｍの表面をめっきし、例えばＡｕ膜１０１ｆを形成する。その後、図１９に模式的に示すように、エッチング等によってＡｕ膜１０１ｆおよび金属板１０１Ｍの一部を除去し、溝部１０１ｇを形成する。これにより、めっき層１０１Ｐを有する導電基板１０１Ｇが得られる。

このとき、金属板１０１Ｍの一部をめっき層１０１Ｐごと除去することによって、金属板１０１Ｍに複数の第２の溝部をさらに形成してもよい。図２０は、溝部（第１の溝部）１０１ｇおよび溝部１０１ｇの延びる方向とは異なる方向に延びる溝部（第２の溝部）１０１ｈをさらに有する導電基板１０１Ｈの例示的な構成を示す。図２０に例示する構成において、複数の溝部１０１ｈは、複数の溝部１０１ｇの延びる第１の方向（ここでは紙面の上下方向）に直交する方向に延びている。溝部１０１ｇおよび溝部１０１ｈが設けられることにより、グリッド状の溝部が導電基板１０１Ｈに形成される。また、溝部１０１ｇとは異なる方向に延びる溝部１０１ｈが形成される結果、溝部１０１ｇによって互いに分離された第１の島状部１０７および第２の島状部１０９が溝部１０１ｇの左右に形成されている。

図２１は、導電基板１０１Ｈに発光体１１０Ａを固定した状態を示す。図２１に模式的に示すように、導電基板１０１Ｈへの発光体１１０Ａの固定においては、発光体１１０Ａが溝部１０１ｇを跨ぐようにして、正極１１２および負極１１４をそれぞれ金属板１０１Ｍの第１の島状部１０７および第２の島状部１０９に接続する。発光体１１０Ａに代えて発光素子１１１をまず導電基板１０１Ｈに固定する場合には、発光素子１１１が溝部１０１ｇを跨ぐようにして、正極１１２および負極１１４をそれぞれ金属板１０１Ｍの第１の島状部１０７および第２の島状部１０９に接続すればよい。

図２１の下段に示すように、この例では、めっき層１０１Ｐは、金属板１０１Ｍの第１の島状部１０７および第２の島状部１０９上に位置しており、溝部１０１ｇ上の領域、および、図２１の下段には現れていない溝部１０１ｈ上の領域からはめっき（ここではＡｕ膜）は除去されている。導電基板１０１Ｈのうち、めっきが形成されている部分は、はんだに対する濡れ性が高く、したがって、より確実に接合部材１０３および１０５を配置し得る。他方、金属板１０１Ｍとして例えばＣｕ板を用い、溝部１０１ｇおよび１０１ｈを形成した場合、めっきが除去される結果、溝部１０１ｇおよび１０１ｈの部分が酸化されやすくなり、溝部１０１ｇおよび１０１ｈにおけるはんだの濡れ性が低下する。換言すれば、溝部１０１ｇおよび１０１ｈ内に接合部材１０３および１０５が配置されにくくなり、正極１１２または負極１１４が溝部１０１ｇまたは１０１ｈの部分で導電基板１０１Ｈに接合されてしまうことを防止し得る。

このように、溝部１０１ｇおよび１０１ｈを設けることにより、第１の島状部１０７上および第２の島状部１０９上に選択的にめっきを残すことができる。正極１１２および負極１１４の接続されるべき領域に、はんだ等の導電材料に対する濡れ性が選択的に向上された領域を設けておくことにより、発光体（または発光素子）の位置ずれを抑制して、導電基板の所望の領域に、より確実に発光体（または発光素子）を接合し得る。つまり、導電基板に対する発光体（または発光素子）の固定時のアラインメントずれを低減し得る。なお、めっき層１０１Ｐの形成、溝部１０１ｇの形成、溝部１０１ｈの形成の順序は、上述の例に限定されず、任意に変更可能である。例えば、溝部１０１ｈの形成後にめっき層１０１Ｐを形成してもよい。また、溝部１０１ｈの数、形状および配置は、溝部１０１ｇと同様に、任意に設定してよい。

（発光装置の構造およびその製造方法の第２の例）
図２２は、本開示の他のある実施形態による製造方法によって得られる例示的な発光装置の断面を模式的に示す。図２２に示す発光装置１００Ｂは、発光体１１０Ｂと、第１電極１０２と、第２電極１０４と、接合部材１０３、１０５と、透明樹脂部１０６Ｃｅと、光反射性樹脂部１０６Ｒｆとを有する。発光体１１０Ｂは、図２を参照して説明した発光体１１０Ａと同様に、発光素子１１１を含む。この例においても、発光体１１０Ｂの底面１１０ｂは、発光素子１１１の底面１１１ｂに一致している。

発光装置１００Ｂ中の発光体１１０Ｂと、図２を参照して説明した発光体１１０Ａとの間の主要な相違点は、発光体１１０Ｂが保護層１１８を含んでおらず、かつ、平板状の波長変換層１１６Ａに代えて、発光素子１１１の上面１１１ａおよび側面１１１ｓを覆う波長変換層１１６Ｂを有している点である。波長変換層１１６Ｂは、例えば波長変換層１１６Ａを形成するための材料と同様の材料を用いて波長変換層１１６Ａと同様に形成し得る。

図２２に例示する構成において、透明樹脂部１０６Ｃｅは、発光体１１０Ｂのうち、接合部材１０３および１０５に接する部分以外の部分を覆っている。透明樹脂部１０６Ｃｅの一部は、発光素子１１１の底面１１１ｂ側であって正極１１２および負極１１４の間にも位置している。ただし、図２２に示すように、第１電極１０２および第２電極１０４の間は、光反射性樹脂部１０６Ｒｆによって埋められている。発光装置１００Ｂの底面１００ｂ側に第１電極１０２、第２電極１０４および光反射性樹脂部１０６Ｒｆが位置することによって、発光装置１００Ｂの底面１００ｂ側からの光の出射が抑制される。このような構成によれば、発光装置１００Ｂの上面１００ａおよび側面１００ｓから光を取り出すことができる。また、透明樹脂部１０６Ｃｅを波長変換層１１６Ｂの保護層として機能させ得る。

以下、図面を参照しながら、発光装置１００Ｂの例示的な製造方法を詳細に説明する。

まず、表面に溝部を有する導電基板を準備する。ここでは、図３〜図１０を参照して説明した例と同様の導電基板１０１を用いる例を説明するが、図１８〜図２０を参照して説明したような、めっき層１０１Ｐを有する導電基板１０１Ｈを用いてもかまわない。

ここでは、図２３に模式的に示すように、導電基板１０１の溝部１０１ｇの内部を樹脂材料で充填することにより、溝部１０１ｇを埋める樹脂部１０６Ｒｇを形成する。樹脂部１０６Ｒｇの材料としては、上述の光反射性樹脂部１０６Ｒｆの材料と同様の材料、例えば、光反射性のフィラーが分散された樹脂材料を用いることができる。樹脂部１０６Ｒｇの表面は、例えば、導電基板１０１の表面１０１ｓに整合させられる。

次に、発光体１１０Ｂを準備し、発光体１１０Ｂを導電基板１０１に固定する。このとき、図２４に示すように、溝部１０１ｇを跨いで発光体１１０Ｂの底面１１０ｂ側の正極１１２および負極１１４を導電基板１０１に接続する。例えば、導電基板１０１の第１領域Ｒ１上に接合部材１０３を付与し、接合部材１０３によって正極１１２と導電基板１０１とを互いに接続および固定する。また、導電基板１０１の第２領域Ｒ２上に接合部材１０５を付与し、接合部材１０５によって負極１１４と導電基板１０１（例えば第２部分１２）とを互いに接続および固定する。導電基板１０１上には、任意の個数の発光体１１０Ｂが配置され得る。

次に、発光体１１０Ｂを覆う樹脂層を導電基板１０１上に形成する。ここでは、発光体１１０Ｂを覆う透明樹脂層１０６Ｃを導電基板１０１上に形成する。透明樹脂層１０６Ｃの材料としては、上述の発光体１１０Ａの保護層１１８の材料と同様の材料を用い得る。図２５に模式的に示すように、透明樹脂層１０６Ｃは、発光体１１０Ｂのうち、接合部材１０３または１０５に接する部分以外の全体を覆うように形成される。透明樹脂層１０６Ｃは、上述の光反射性樹脂層１０６Ｒと同様に、例えばトランスファー成形等の圧縮成形法を適用することによって形成可能である。透明樹脂層１０６Ｃの材料は、発光体１１０Ｂの底面と、溝部１０１ｇに充填された樹脂部１０６Ｒｇの表面とに挟まれた部分にも配置され得る。なお、この例では、発光体１１０Ｂの底面は、発光素子１１１の底面１１１ｂと共通とされている。

次に、平面研削機等を用い、透明樹脂層１０６Ｃとは反対側から、溝部１０１ｇの底１０１ｂが除去されるまで導電基板１０１を薄化する。薄化により、図２６に模式的に示すように、溝部１０１ｇの位置で研削面Ｇｓｂから樹脂部１０６Ｒｇの一部を露出させることができる。溝部１０１ｇの底１０１ｂが除去されることにより、導電基板１０１が溝部１０１ｇの位置で複数の導電片１０１ｐに分離される。

次に、例えばダイシングにより、図２７中に太い破線ＣＬで示すように、発光体１１０Ｂの間の位置で導電片１０１ｐおよび透明樹脂層１０６Ｃを切断する。既に説明したように、切断ラインＣＬの位置および数は、最終的に得ようとする発光装置の設計に応じて適宜に設定すればよい。切断により、複数の発光体１１０Ｂの間で共有されていた導電片１０１ｐが各発光体１１０Ｂの正極１１２および負極１１４毎に分割される。また、切断により、透明樹脂層１０６Ｃおよび樹脂部１０６Ｒｇが複数の部分に分離され、図２８に模式的に示すように、透明樹脂部１０６Ｃｅおよび光反射性樹脂部１０６Ｒｆが形成される。このように、導電基板１０１の溝部１０１ｇを光反射性樹脂で埋めてから導電基板１０１に発光体１１０Ｂを配置することにより、最終的に得られる発光装置１００Ｂの第１電極１０２と第２電極１０４との間に光反射性樹脂部１０６Ｒｆを形成することができる。第１電極１０２と第２電極１０４との間に光反射性樹脂部１０６Ｒｆを形成することにより、第１電極１０２と第２電極１０４との間からの光の出射が抑制される。

以上の工程を経て発光装置１００Ｂが得られる。図２２〜図２８を参照して説明した第２の例によれば、発光素子１１１からの光の波長とは異なる波長を有する光を上面１００ａおよび側面１００ｓから取り出すことができ、かつ、配線基板等への実装がより容易となる発光装置１００Ｂを提供し得る。

図１１〜図１３を参照して説明した例と同様にして、発光体１１０Ｂに代えて発光素子１１１をまず導電基板１０１に固定してもよい。例えば、導電基板１０１および発光素子１１１を準備する。次に、図２３を参照して説明したように、導電基板１０１の溝部１０１ｇの内部を樹脂材料で充填することにより、溝部１０１ｇを埋める樹脂部１０６Ｒｇを形成する。

次に、図２９に示すように、発光素子１１１が導電基板１０１の溝部１０１ｇを跨ぐようにして、発光素子１１１の正極１１２および負極１１４を導電基板１０１に接続する。その後、発光素子１１１の上面１１１ａおよび側面１１１ｓを覆う波長変換層１１６Ｂを形成する。波長変換層１１６Ｂを形成後の状態は、図２４に示す状態と同様であるので、ここでは図示を省略する。

波長変換層１１６Ｂは、例えば蛍光体の粒子が樹脂材料に分散された未硬化の樹脂組成物を発光素子１１１の上面１１１ａおよび側面１１１ｓに付与し、樹脂組成物を硬化させることによって形成可能である。なお、波長変換層１１６Ｂの下端は、発光素子１１１の底面１１１ｂよりも低い位置まで延びていてもかまわない。

波長変換層１１６Ｂの形成後、発光素子１１１を覆う樹脂層を導電基板１０１上に形成する。ここでは、波長変換層１１６Ｂの外側から発光素子１１１を覆うように透明樹脂層１０６Ｃを形成する。透明樹脂層１０６Ｃの形成後の状態は、図２５と同様であり得るので図示を省略する。

その後、上述の図２６〜図２８に示す工程と同様の工程を実行することにより、図２２を参照して説明した構造を有する発光装置１００Ｂが得られる。すなわち、透明樹脂層１０６Ｃとは反対側から、溝部１０１ｇの底１０１ｂが除去されるまで導電基板１０１を薄化する（図２６参照）。次に、発光素子１１１の間の位置で導電片１０１ｐおよび透明樹脂層１０６Ｃを切断する（図２７参照）。切断により、１つの発光素子１１１を含む構造体毎に第１電極１０２および第２電極１０４とが形成される（図２８参照）。

（発光装置の構造およびその製造方法の第３の例）
図３０は、本開示のさらに他のある実施形態による製造方法によって得られる例示的な発光装置の断面を模式的に示す。図３０に示す発光装置１００Ｃは、発光素子１１１と、第１電極１０２と、第２電極１０４と、接合部材１０３、１０５と、波長変換部１０６Ｐｅと、光反射性樹脂部１０６Ｒｆとを有する。

図３０に例示する構成において、波長変換部１０６Ｐｅは、発光素子１１１のうち、接合部材１０３および１０５に接する部分以外の部分を覆っている。波長変換部１０６Ｐｅの一部は、発光素子１１１の底面１１１ｂ側であって正極１１２および負極１１４の間にも位置している。発光装置１００Ｃにおいても、上述の発光装置１００Ｂと同様に、第１電極１０２および第２電極１０４の間は、光反射性樹脂部１０６Ｒｆによって埋められる。

波長変換部１０６Ｐｅは、例えば樹脂と、樹脂中に分散された波長変換部材とを含有する材料から形成され、発光素子１１１から出射する光の一部を吸収し、発光素子１１１からの出射光の波長とは異なる波長の光を発する。発光装置１００Ｃからは、上述の発光装置１００Ｂと同様に、上面１００ａおよび側面１００ｓから光を取り出すことができる。

以下、図面を参照しながら、発光装置１００Ｃの例示的な製造方法を詳細に説明する。

まず、表面に溝部を有する導電基板を準備する。ここでは、図２２〜図２８を参照して説明した例と同様に、導電基板１０１を準備し、さらに、溝部１０１ｇの内部を樹脂材料で充填することにより、溝部１０１ｇを埋める樹脂部１０６Ｒｇを形成する。

次に、発光素子１１１を準備し、発光素子１１１を導電基板１０１に固定する。このとき、溝部１０１ｇを跨いで正極１１２および負極１１４を導電基板１０１に接続する。導電基板１０１上には、任意の個数の発光素子１１１が配置され得る。導電基板１０１上に発光素子１１１を配置後の状態は、図２９に示す状態と同様である。

次に、発光素子１１１を覆う樹脂層を導電基板１０１上に形成する。ここでは、発光素子１１１を覆う波長変換層１０６Ｐを導電基板１０１上に形成する。波長変換層１０６Ｐの材料としては、例えば波長変換層１１６Ａを形成するための材料または波長変換層１１６Ｂを形成するための材料と同様の材料を用い得る。換言すれば、例えば、樹脂と、樹脂中に分散された波長変換部材（例えば蛍光体）とを含有する材料等を用いることができる。また、波長変換層１０６Ｐは、上述の光反射性樹脂層１０６Ｒまたは透明樹脂層１０６Ｃと同様に、例えばトランスファー成形等の圧縮成形法によって形成可能である。図３１に模式的に示すように、波長変換層１０６Ｐは、発光素子１１１のうち、接合部材１０３または１０５に接する部分以外の全体を覆うように形成される。

次に、平面研削機等を用い、波長変換層１０６Ｐとは反対側から、溝部１０１ｇの底１０１ｂが除去されるまで導電基板１０１を薄化する。薄化により、図３２に模式的に示すように、溝部１０１ｇの位置で研削面Ｇｓｂから樹脂部１０６Ｒｇの一部を露出させることができる。溝部１０１ｇの底１０１ｂが除去されることにより、導電基板１０１が溝部１０１ｇの位置で複数の導電片１０１ｐに分離される。

次に、例えばダイシングにより、図３３中に太い破線ＣＬで示すように、発光素子１１１の間の位置で導電片１０１ｐおよび波長変換層１０６Ｐを切断する。切断により、図３４に模式的に示すように、複数の発光素子１１１の間で共有されていた導電片１０１ｐが各発光素子１１１の正極１１２および負極１１４毎に分割され、また、波長変換部１０６Ｐｅおよび光反射性樹脂部１０６Ｒｆが形成される。

以上の工程を経て発光装置１００Ｃが得られる。図３０〜図３４を参照して説明した第３の例によれば、図２２〜図２８を参照して説明した第２の例と同様に発光素子１１１からの光の波長とは異なる波長を有する光を上面１００ａおよび側面１００ｓから取り出すことが可能な発光装置１００Ｃを提供し得る。

本開示の実施形態は、各種照明用光源、車載用光源、バックライト用光源等の提供に有用である。

１００Ａ〜１００Ｃ 発光装置
１０１、１０１Ｇ、１０１Ｈ 導電基板
１０１Ｍ 金属板
１０１Ｐ めっき層
１０１ｇ 溝部（第１の溝部）
１０１ｈ 溝部（第２の溝部）
１０２ 第１電極
１０４ 第２電極
１０３、１０５ 接合部材
１０６Ｃ 透明樹脂層
１０６Ｐ 波長変換層
１０６Ｒ 光反射性樹脂層
１０７ 第１の島状部
１０９ 第２の島状部
１１０Ａ、１００Ｂ 発光体
１１１ 発光素子
１１２ 正極
１１４ 負極
１１６Ａ、１１６Ｂ 波長変換層
１１８ 保護層
２００Ａ、２００Ｂ 発光装置

Claims (12)

1. 表面に第１の溝部を有する導電基板を準備する工程（Ａ）と、
   上面および底面を有し、前記底面側に正極および負極を有する発光体を準備する工程（Ｂ）と、
   前記第１の溝部を跨いで前記正極および前記負極を前記導電基板に接続する工程（Ｃ）と、
   前記発光体を覆う樹脂層を前記導電基板上に形成する工程（Ｄ）と、
   前記樹脂層とは反対側から、前記第１の溝部の底が除去されるまで前記導電基板を薄化して、互いに分離された、前記正極に接続された第１電極および前記負極に接続された第２電極を形成する工程（Ｅ）と
   を含む、発光装置の製造方法。
2. 前記工程（Ａ）と前記工程（Ｃ）との間に、光反射性のフィラーが分散された樹脂材料で前記第１の溝部の内部を充填する工程（Ｆ）
   をさらに含む、請求項１に記載の発光装置の製造方法。
3. 前記発光体は、前記上面側に位置する第１面および前記底面側に位置する第２面を有する発光素子と、前記発光素子の前記第１面側に位置する保護層とを有し、
   前記樹脂層は、光反射性樹脂層であり、
   前記工程（Ｄ）の後に前記光反射性樹脂層の一部を除去することにより、前記保護層を前記光反射性樹脂層から露出させる工程（Ｇ）
   をさらに含む、請求項１または２に記載の発光装置の製造方法。
4. 前記発光体は、前記上面側に位置する第１面、前記底面側に位置する第２面、および、前記第１面と前記第２面との間に位置する側面を有する発光素子と、前記発光素子の前記側面および前記第１面を覆う波長変換層とを有し、
   前記樹脂層は、透明樹脂層である、請求項２に記載の発光装置の製造方法。
5. 表面に第１の溝部を有する導電基板を準備する工程（Ａ）と、
   第１面および前記第１面とは反対側に位置する第２面を有し、前記第２面側に正極および負極を有する発光素子を準備する工程（Ｂ）と、
   前記第１の溝部を跨いで前記正極および前記負極を前記導電基板に接続する工程（Ｃ）と、
   前記発光素子を覆う樹脂層を前記導電基板上に形成する工程（Ｄ）と、
   前記樹脂層とは反対側から、前記第１の溝部の底が除去されるまで前記導電基板を薄化して、互いに分離された、前記正極に接続された第１電極および前記負極に接続された第２電極を形成する工程（Ｅ）と
   を含む、発光装置の製造方法。
6. 前記工程（Ａ）と前記工程（Ｃ）との間に、光反射性のフィラーが分散された樹脂材料で前記第１の溝部の内部を充填する工程（Ｆ）
   をさらに含む、請求項５に記載の発光装置の製造方法。
7. 前記樹脂層は、樹脂中に分散された波長変換部材を含有する、請求項６に記載の発光装置の製造方法。
8. 前記樹脂層は、光反射性樹脂層であり、
   前記工程（Ｃ）と前記工程（Ｄ）との間に、前記発光素子の前記第１面側に保護層を形成する工程（Ｇ）と、
   前記工程（Ｄ）の後に前記光反射性樹脂層の一部を除去することにより、前記保護層を前記光反射性樹脂層から露出させる工程（Ｈ）と
   をさらに含む、請求項５または６に記載の発光装置の製造方法。
9. 前記樹脂層は、透明樹脂層であり、
   前記発光素子は、前記第１面と前記第２面との間に位置する側面を有し、
   前記工程（Ｃ）と前記工程（Ｄ）との間に、前記発光素子の前記第１面および前記側面を覆う波長変換層を形成する工程（Ｇ）をさらに含む、請求項６に記載の発光装置の製造方法。
10. 前記工程（Ａ）は、
    金属板を準備する工程（Ａａ）と、
    前記金属板に前記第１の溝部を形成する工程（Ａｂ）と
    を含む、請求項１から９のいずれかに記載の発光装置の製造方法。
11. 前記工程（Ａ）は、前記金属板上にめっき層を形成する工程（Ａｃ）を含む、請求項１０に記載の発光装置の製造方法。
12. 前記工程（Ａ）は、前記工程（Ａｃ）の後に前記金属板に複数の第２の溝部を形成することにより、前記第１の溝部によって互いに分離された第１および第２の島状部を前記金属板に形成する工程（Ａｄ）を含み、
    前記工程（Ａｄ）は、前記めっき層の一部を前記第２の溝部に沿って除去する工程（Ａｄ１）を含み、
    前記工程（Ｃ）は、前記正極および前記負極を前記第１および第２の島状部にそれぞれ接続する工程（Ｃａ）を含む、請求項１１に記載の発光装置の製造方法。

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