CN110943148A - 发光装置的制造方法以及发光装置 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及发光装置及其制造方法。避免使多个发光元件相互电连接时的基板侧的布线的复杂化。该方法包括:准备工序,准备发光构造,该发光构造包括每个具有第一以及第二电极的一个以上的发光元件、和覆盖发光元件的覆盖部件,并具有第一面以及与第一面相反侧的第二面,各发光元件的第一及第二电极的下表面位于比第二面靠近第一面的位置;槽构造形成工序,在发光构造的第一面侧形成槽构造,上述槽构造通过照射来自第一面侧的激光,将覆盖部件的一部分、第一电极的一部分以及第二电极的一部分除去,并使第一电极的至少一部分以及第二电极的至少一部分露出于内部而形成的;以及布线形成工序,通过利用导电性材料填充槽构造的内部来形成多个布线。

Description

发光装置的制造方法以及发光装置
技术领域
本公开涉及发光装置的制造方法以及发光装置。
背景技术
液晶显示装置等背光灯单元广泛使用以LED为代表的半导体发光元件。例如下述的专利文献1公开了具有多个光源和光学片的背光灯单元。
专利文献1所记载的背光灯单元是在位于液晶面板的背面侧的基板上二维配置有光源的所谓直下式的背光灯单元。如专利文献1的图3所示,基板上的光源的各个包括具有收容LED的芯片的凹部的封装、配置在封装的凹部内的LED的芯片、以及覆盖LED的芯片的密封剂。封装其一部分包括外部电极,通过利用焊料等使封装的外部电极与基板连接,能够将这些光源安装在基板上。
专利文献1:日本特开2015-032373号公报
然而,当在基板上安装大量光源的情况下,特别是将那些光源更密集地安装在基板上的情况下,对支承光源的基板要求形成更微小且复杂的布线(circuit trace)。
发明内容
根据本公开的某个实施方式的发光装置的制造方法包括:准备工序,是准备发光构造的准备工序,上述发光构造包括:分别具有第一电极以及第二电极的一个以上的发光元件、和覆盖一个以上的上述发光元件的覆盖部件,并具有第一面以及位于与上述第一面相反侧的第二面,各发光元件的上述第一电极以及上述第二电极具有下表面,上述第一电极的下表面以及上述第二电极的下表面位于比上述第二面靠近上述第一面的位置;槽构造形成工序,在上述发光构造的上述第一面侧形成槽构造,上述槽构造是通过照射来自上述第一面侧的激光,将上述覆盖部件的一部分、上述第一电极的一部分以及上述第二电极的一部分除去,并使上述第一电极的至少一部分以及上述第二电极的至少一部分露出于内部而形成的;以及布线形成工序,通过利用导电性材料填充上述槽构造的内部来形成多个布线。
根据本公开的另一某个实施方式的发光装置的制造方法包括:准备工序,是准备发光构造的准备工序,上述发光构造包括:分别具有第一电极以及第二电极的一个以上的发光元件、和覆盖一个以上的上述发光元件的覆盖部件,上述第一电极以及上述第二电极分别具有下表面;掩模配置工序,在上述第一电极的下表面以及上述第二电极的下表面的上方配置片状的掩模;照射工序,通过照射激光而至少除去上述掩模的一部分来使上述第一电极的至少一部分以及上述第二电极的至少一部分露出;以及布线形成工序,通过利用导电性材料填充上述掩模的被除去的部分来形成多个布线。
根据本公开的实施方式的发光装置具备:发光模块,包括分别具有第一电极以及第二电极的一个以上的发光元件、和覆盖一个以上的上述发光元件的封装,并在下表面侧具有槽构造;以及第一布线以及第二布线,其一部分或者整体位于上述槽构造内,上述第一电极的至少一部分以及上述第二电极的至少一部分在上述槽构造的内部露出,上述第一布线与上述第一电极电连接,上述第二布线与上述第二电极电连接。
根据本公开的实施方式,提供例如能够避免使多个发光元件相互电连接时的、基板侧的布线的复杂化的发光装置以及其制造方法。
附图说明
图1是表示根据本公开的第一实施方式的发光装置的外观的一个例子的示意性的立体图。
图2是在发光装置100A的中央附近与图1的ZX面平行地切断图1所示的发光装置100A时的示意性的剖视图。
图3是从下表面100b侧观察图1所示的发光装置100A的示意性的仰视图。
图4是表示从图3除去第一布线310以及第二布线320后的构造的示意性的仰视图。
图5是表示根据第一实施方式的第一变形例的发光装置的示意性的仰视图。
图6是表示根据第一实施方式的第二变形例的发光装置的示意性的剖视图。
图7是表示根据第一实施方式的第三变形例的发光装置的外观的一个例子的示意性的立体图。
图8是在发光装置100D的中央附近与图7的ZX面平行地切断图7所示的发光装置100D时的示意性的剖视图。
图9是表示根据第一实施方式的第四变形例的发光装置的示意性的剖视图。
图10是表示根据第一实施方式的第五变形例的发光装置的示意性的剖视图。
图11是表示根据本公开的第一实施方式的发光装置的例示的制造方法的流程图。
图12是用于对是用于对根据本公开的第一实施方式的发光装置的例示的制造方法进行说明的示意性的剖视图。
图13是用于对根据本公开的第一实施方式的发光装置的例示的制造方法进行说明的示意性的剖视图。
图14是用于对是用于对根据本公开的第一实施方式的发光装置的例示的制造方法进行说明的示意性的剖视图。
图15是用于对是用于对根据本公开的第一实施方式的发光装置的例示的制造方法进行说明的示意性的剖视图。
图16是用于对是用于对根据本公开的第一实施方式的发光装置的例示的制造方法进行说明的示意性的剖视图。
图17是用于对是用于对根据本公开的第一实施方式的发光装置的例示的制造方法进行说明的示意性的剖视图。
图18是用于对根据本公开的第一实施方式的发光装置的例示的制造方法进行说明的示意性的剖视图。
图19是用于对根据本公开的第一实施方式的发光装置的例示的制造方法进行说明的示意性的剖视图。
图20是用于对根据本公开的第一实施方式的发光装置的制造方法的变形例进行说明的示意性的剖视图。
图21是表示从图20所示的状态在槽构造210g的内部形成布线的状态的示意性的工序剖面图。
图22是表示通过形成在槽构造210g内的第一布线310~第三布线330使多个发光模块200A的发光元件220电连接的例子的示意性的仰视图。
图23是表示通过第一布线310以及第二布线320使多个发光模块的电连接的其它例子的示意性的仰视图。
图24是表示二维排列多个发光模块的例子示意性的仰视图。
图25是表示通过电线使多个发光模块电连接的例子的示意性的仰视图。
图26是用于对根据本公开的第一实施方式的发光装置的制造方法的其它变形例进行说明的示意性的剖视图。
图27是用于对根据本公开的第一实施方式的发光装置的制造方法的其它变形例进行说明的示意性的剖视图。
图28是用于对根据本公开的第一实施方式的发光装置的制造方法的其它变形例进行说明的示意性的剖视图。
图29是表示根据本公开的第二实施方式的发光装置的示意性的剖视图。
图30是从下表面100b侧观察图29所示的发光装置100L的示意性的仰视图。
图31是表示根据本公开的第二实施方式的发光装置的例示的制造方法的流程图。
图32是用于对根据本公开的第二实施方式的发光装置的例示的制造方法进行说明的示意性的剖视图。
图33是用于对根据本公开的第二实施方式的发光装置的例示的制造方法进行说明的示意性的剖视图。
图34是表示从图32所示的状态通过激光的照射除去掩模230M的一部分的状态的示意性的仰视图。
图35是用于对根据本公开的第二实施方式的发光装置的例示的制造方法进行说明的示意性的剖视图。
图36是用于对根据本公开的第二实施方式的发光装置的例示的制造方法进行说明的示意性的剖视图。
图37是用于对根据本公开的第二实施方式的发光装置的例示的制造方法进行说明的示意性的剖视图。
图38是用于对根据本公开的第二实施方式的发光装置的例示的制造方法进行说明的示意性的剖视图。
图39是表示将图38所示的发光装置100M安装在布线基板500上的状态的示意性的剖视图。
图40是表示与实施例1-1的样本的槽构造的底面有关的显微镜图像的图。
图41是表示与实施例1-1的样本有关的剖面轮廓的图。
图42是表示与实施例1-2的样本的槽构造的底面有关的显微镜图像的图。
图43是表示与实施例1-2的样本有关的剖面轮廓的图。
图44是表示与实施例1-3的样本的槽构造的底面有关的显微镜图像的图。
图45是表示与实施例1-3的样本有关的剖面轮廓的图。
图46是表示与实施例1-4的样本的槽构造的底面有关的显微镜图像的图。
图47是表示与实施例1-4的样本有关的剖面轮廓的图。
图48表示与参考例1-1的样本的槽构造的底面有关的显微镜图像。
图49是表示与参考例1-1的样本有关的剖面轮廓的图。
图50是表示导电糊剂填充前的第二部分的显微镜图像的图。
图51是表示与在第二部分中填充导电糊剂并使导电糊剂固化后的剖面有关的显微镜图像的图。
图52是表示导电糊剂填充前的第三部分的显微镜图像的图。
图53是表示与在第三部分在填充导电糊剂并使导电糊剂固化后的剖面有关的显微镜图像的图。
图54是表示导电糊剂填充前的第四部分的显微镜图像的图。
图55是表示与在第四部分中填充导电糊剂并使导电糊剂固化后的剖面有关的显微镜图像的图。
图56是表示与实施例2-1的样本的槽构造的底面有关的显微镜图像的图
图57是表示与实施例2-1的样本有关的剖面轮廓的图。
图58是表示与实施例2-2的样本的槽构造的底面有关的显微镜图像的图。
图59是表示与实施例2-2的样本有关的剖面轮廓的图。
图60是表示与实施例2-3的样本的槽构造的底面有关的显微镜图像的图。
图61是表示与实施例2-3的样本有关的剖面轮廓的图。
图62是表示与实施例2-4的样本的槽构造的底面有关的显微镜图像的图。
图63是表示与实施例2-4的样本有关的剖面轮廓的图。
图64是表示与参考例2-1的样本有关的剖面轮廓的图。
图65是表示导电糊剂填充前的第六部分的显微镜图像的图。
图66是表示与在第六部分中填充导电糊剂并使导电糊剂固化后的剖面有关的显微镜图像的图。
图67是表示导电糊剂填充前的第八部分的显微镜图像的图。
图68是表示与在第八部分中填充导电糊剂并使导电糊剂固化后的剖面有关的显微镜图像的图。
图69是表示导电糊剂填充前的第九部分的显微镜图像的图。
图70是表示与在第九部分中填充导电糊剂并使导电糊剂固化后的剖面有关的显微镜图像的图。
图71是表示与实施例3-3的样本有关的、导电糊剂填充前的槽构造的底面的显微镜图像的图。
图72是表示与实施例3-3的样本有关的、胶带剥离后的布线的外观的俯视图。
图73是表示与比较例3-1的样本有关的、导电糊剂填充前的槽构造的底面的显微镜图像的图。
图74是表示与比较例3-2的样本有关的、胶带剥离后的布线的外观的俯视图。
图75是表示与槽构造形成工序执行后的发光构造的底面有关的显微镜图像的图。
图76是表示对于由图75所示的虚线的圆围起的部分,通过激光显微镜得到的图像的图。
图77是表示通过激光显微镜得到的、与槽构造的剖面有关的图像的图。
图78是表示与使导电糊剂固化后的实施例4-1的样本的剖面有关的显微镜图像的图。
图79是表示与槽构造形成工序执行后且布线形成工序执行前的发光构造的底面有关的显微镜图像的图。
图80是表示与槽构造的底部的一部分有关的SEM图像的图。
图81是表示对于由图79所示的虚线的圆围起的部分,通过激光显微镜得到的图像的图。
图82是表示通过激光显微镜得到的、与槽构造的剖面有关的图像的图。
图83是表示与使导电糊剂固化后的实施例4-2的样本的剖面有关的显微镜图像的图。
图84是表示与槽构造形成工序执行后且布线形成工序执行前的发光构造的底面有关的显微镜图像的图。
图85是表示与槽构造的底部的一部分有关的SEM图像的图。
图86是表示对于由图84所示的虚线的圆围起的部分,通过激光显微镜得到的图像的图。
图87是表示与通过激光显微镜得到、与槽构造的剖面有关的图像的图。
图88是表示与使导电糊剂固化后的参考例4-1的样本的剖面有关的显微镜图像的图。
附图标记的说明
100A~100H、100K~100N…发光装置;200A~200F、200L…发光模块;200Af、200Ef…发光构造;210…槽构造;210A、210C~210F、210L…封装;210Af、210Ef…覆盖部件;210g、210h…槽构造;210ga、210ha…槽构造的第一部分;210gb、210hb…槽构造的第二部分;210gc…槽构造的第三部分;211…保护部件;212…波长转换部件;213…导光部件;214A、214Af、214Ef…光反射性部件;214C~214F…光反射性部件;214T…光反射性树脂层;220、220A、220B…发光元件;221…发光元件的第一电极;222…发光元件的第二电极;223…发光元件的元件主体;230…树脂层;230M…掩模;230a…掩模的粘接层;230s…掩模的支承层;300、360…支承体;310…第一布线;320…第二布线;330…第三布线;350r…导电糊剂;390…刮板;400…激光烧蚀装置;430…磨削砂轮;Dc1…第一凹部;Gr1…第一槽;Gr2…第二槽;LS…层叠片;St1、St2…台阶部。
具体实施方式
以下,参照附图,详细地对本公开的实施方式进行说明。以下的实施方式是例示的,根据本公开的发光装置以及其制造方法并不限于以下的实施方式。例如,以下的实施方式所示的数值、形状、材料,步骤、其步骤的顺序等只是一个例子,只要在技术上不产生矛盾,则可以进行各种改变。
附图所示的构成要素的尺寸、形状等存在为了容易明白而夸大的情况,存在没有反映实际的透光性部件、发光装置以及制造装置中的、尺寸、形状以及构成要素间的大小关系的情况。另外,为了避免附图变得过度复杂,有时省略一部分的要素的图示。
在以下的说明中,实际具有相同的功能的构成要素用共同的参照附图标记表示,有时省略说明。在以下的说明中,存在使用表示特定的方向或者位置的术语(例如,“上”、“下”、“右”、“左”以及包括“上”、“下”、“右”、“左”的术语的其它术语)的情况。然而,那些术语只是为了容易明白参照的附图中的相对的方向或者位置而使用的。如果基于参照的附图中的“上”、“下”等术语的相对的方向或者位置的关系相同,则在本公开以外的附图、实际的产品、制造装置等中,可以不是与参照的附图相同的配置。在本公开中,只要无特别其它的提及,“平行”包括两条直线、边、面等处于0°±5°左右的范围的情况。另外,在本公开中,只要无特别其它的提及,“垂直”或者“正交”包括两条直线、边、面等处于从90°±5°左右的范围的情况。
(第一实施方式)
图1表示根据本公开的第一实施方式的例示的发光装置。图1示出从上表面100a侧观察根据本公开的第一实施方式的发光装置100A的外观的一个例子。在图1中合并图示出表示相互正交的X方向、Y方向以及Z方向的箭头。在本公开的他的附图中,也有时图示表示这些方向的箭头。
在图1所例示的结构中,发光装置100A大致具有立方体形状,在该例子中,发光装置100A的上表面100a的俯视时的外形大致为正方形。在图1中,上表面100a的正方形形状的边与图中所示的X方向以及Y方向一致。在本公开的实施方式中,发光装置的俯视时形状不一定是正方形。另外,发光装置的俯视时的形状也不一定是包括正方形的矩形。
图2示意性地示出在发光装置100A的中央附近与图1的ZX面平行地切断发光装置100A时的剖面,图3表示从与上表面100a相反侧的下表面100b侧观察图1所示的发光装置100A的外观的一个例子。如图2模式的所示,发光装置100A示意性地具有包括发光元件220的发光模块200A、在位于与上表面100a相反侧的下表面100b侧设置的第一布线310以及第二布线320。如图示,在发光模块200A的、位于与发光装置100A的上表面100a相反侧的下表面侧设置有槽构造210g。在该例子中,槽构造210g包括第一部分210ga以及第二部分210gb这两个部分。上述的第一布线310以及第二布线320位于该槽构造210g内。
发光模块200A还包括密封发光元件220的封装210A。封装210A,是覆盖发光元件220的结构,在图1~图3例示的结构中,包括保护部件211、波长转换部件212、导光部件213以及光反射性部件214A。以下,更详细地对发光装置100A的各构成要素进行说明。
发光元件220的典型例子是LED。在图2例示的结构中,发光元件220包括具有上表面223a以及侧面223c的元件主体223。在该例子中,元件主体223的上表面223a与发光元件220的上表面一致。
元件主体223例如包括蓝宝石或者氮化镓等的支承基板、和支承基板上的半导体层叠构造。半导体层叠构造包括活性层、夹着活性层的n型半导体层以及p型半导体层。半导体层叠构造可以包括能够进行紫外~可见区域的发光的氮化物半导体(InxAlyGa1-x-yN,0≤x,0≤y,x+y≤1)。此处,作为发光元件220,例示射出蓝色光的LED。
发光元件220还包括位于发光装置100A的下表面100b侧的第一电极221以及第二电极222。第一电极221以及第二电极222是正极以及负极的组,具有向半导体层叠构造供给规定的电流的功能。第一电极221以及第二电极222典型的是Cu电极。
第一电极221具有下表面221b,第二电极222具有下表面222b。第一电极221的下表面221b以及第二电极222的下表面222b从后述的光反射性部件214A露出,如图示,这些下表面221b、222b的位置与光反射性部件214A的下表面214b的位置大致匹配。
[保护部件211]
保护部件211是位于封装210A中发光元件220的上表面的上方的板状的部件,具有上表面211a以及下表面211b、和位于上表面211a以及下表面211b之间的侧面211c。在该例子中,保护部件211的上表面211a周围被光反射性部件214A环绕,构成发光装置100A的上表面100a中射出来自发光元件220的光的发光区域。
保护部件211典型的是将树脂作为母材的透光层。保护部件211的材料的例子是硅树脂、硅改性树脂、环氧树脂、苯酚树脂、聚碳酸酯树脂、丙烯酸树脂、三甲基戊烯树脂或聚降冰片烯树脂,或者包含这些树脂的两种以上的树脂组成物。或者,保护部件211可以是由玻璃形成的层。此外,本说明书中的“透光”以及“透光性”的术语解释为也包含相对于入射的光显示出扩散性,并不限于“透明”。
[波长转换部件212]
波长转换部件212位于保护部件211的下表面211b与发光元件220的上表面之间,具有上表面212a、下表面212b以及侧面212c。在图2所示的例子中,波长转换部件212的侧面212c与保护部件211的侧面211c匹配。
波长转换部件212典型的是在树脂中分散有荧光体的粒子的部件。波长转换部件212吸收从发光元件220射出的光的至少一部分,发出与来自发光元件220的光的波长不同的波长的光。例如,波长转换部件212对来自发光元件220的蓝色光的一部分进行波长转换,发出黄色光。根据这样的结构,通过混合已经通过波长转换部件212的蓝色光和从波长转换部件212发出的黄色光来获得白色光。
荧光体能够应用公知的材料。荧光体的例子是YAG系荧光体、氟化物系荧光体、氮化物荧光体等。YAG系荧光体是将蓝色光转换成黄色光的波长转换部件的例子,作为氟化物系荧光体的一种的KSF系荧光体、作为氮化物荧光体的CASN荧光体以及SCASN荧光体是将蓝色光转换成红色光的波长转换部件的例子,作为氮化物荧光体的另一种的β塞隆荧光体是将蓝色光转换成绿色光的波长转换部件的例子。荧光体也可以是量子点荧光体。作为使荧光体的粒子分散的母材,能够使用硅树脂、变性硅树脂、环氧树脂、变性环氧树脂、尿素树脂、苯酚树脂、丙烯酸树脂、聚氨酯树脂或氟树脂,或者,包括这些树脂的两种以上的树脂。
[导光部件213]
导光部件213是使发光元件220与波长转换部件212的下表面212b机械以及光学结合的透光性的构造。如图2所示,导光部件213的一部分覆盖发光元件220的元件主体223的侧面223c的至少一部分。另外,导光部件213典型地具有位于发光元件220的上表面与波长转换部件212的下表面212b之间的部分。
如图2示意性地所示,导光部件213的外面213d被光反射性部件214A覆盖。因此,从元件主体223的侧面223c射出并导入到导光部件213的光在导光部件213的外面213d,即,导光部件213和光反射性部件214A的界面的位置朝向发光元件220的上方被反射,向波长转换部件212入射。这样,导光部件213有助于经由波长转换部件212以及保护部件211从发光装置100A的上表面100a取出的光的增加,通过设置导光部件213,由此光的取出效率提高。
导光部件213相对于具有发光元件220的发光峰值波长的光,显示出60%以上的透过率。从有效地利用光的观点来看,优选发光元件220的发光峰值波长中的导光部件213的透过率为70%以上,更优选是80%以上。作为导光部件213的材料,能够使用包含透明的树脂材料作为母材的树脂组成物。导光部件213的母材的典型例子是环氧树脂、硅树脂等热固化性树脂。作为导光部件213的母材,可以使用硅树脂、硅改性树脂、环氧树脂、苯酚树脂、聚碳酸酯树脂、丙烯酸树脂、聚甲基戊烯树脂或聚降冰片烯树脂,或者,包含这些中的两种以上的材料。通过在导光部件213的材料中例如分散折射率与母材不同的材料,而对导光部件213赋予光扩散性。
若导光部件213覆盖发光元件220的侧面的更多的区域,则能够将更多的光引导到发光元件220的上方。从该观点来看,导光部件213可以覆盖从元件主体223的侧面223c的下端到上端的整个面。此外,剖面视时的导光部件213的外面213d的形状并不限于图2所示的直线状,也可以是折线状、向靠近发光元件220的方向凸的曲线状、向远离发光元件220的方向凸的曲线状等。
[光反射性部件214A]
光反射性部件214A是环绕上述的发光元件220等的光反射性的构造。在本说明书中,“光反射性”是指发光元件220的发光峰值波长处的反射率为60%以上。更优选光反射性部件214A的、发光元件220的发光峰值波长处的反射率为70%以上,还优选是80%以上。
光反射性部件214A覆盖导光部件213的外面213d、和发光元件220的侧面中未被导光部件213覆盖的部分。另外,光反射性部件214A覆盖发光元件220的元件主体223的下表面中除了配置有第一电极221以及第二电极222的区域之外的区域。通过利用光反射性部件214A覆盖发光元件220的元件主体223的下表面中除了配置有第一电极221以及第二电极222的区域之外的区域,从而通过光反射性部件214A使向发光装置100A的下表面100b侧射出的光向发光装置100A的上表面100a侧反射,可以提高光的取出效率。
作为光反射性部件214A的材料,例如可以使用分散有光反射性的填料的树脂组成物。作为光反射性部件214A的母材,可以使用硅树脂、苯酚树脂、环氧树脂、BT树脂、聚邻苯二甲酰胺树脂(PPA)等。作为光反射性的填料,能够使用金属的粒子,或者,具有比母材高的折射率的无机材料或有机材料的粒子。光反射性的填料的例子是二氧化钛、氧化硅、二氧化锆、钛酸钾、氧化铝、氮化铝、氮化硼、莫来石、氧化铌、硫酸钡的粒子,或者,氧化钇以及氧化钆等各种稀土类氧化物的粒子等。从获得高的反射率的观点来看,若光反射性部件214A具有白色则是有利的。此外,作为光反射性部件214A的材料,也可以使用玻璃纤维增强树脂,或者,氮化铝、氧化铝或氧化锆等的陶瓷。
[第一布线310以及第二布线320]
第一布线310以及第二布线320是在形成于发光模块200A的下表面,即,与保护部件211的上表面211a相反侧的面的槽构造210g的内部配置的导电构造。在该例子中,如图2以及图3所示,第一布线310配置在槽构造210g的第一部分210ga的内部,而第二布线320配置在槽构造210g中与第一部分210ga分离形成的第二部分210gb的内部。即,第二布线320通过配置在第二部分210gb的内部,由此与第一布线310电分离。此外,图3所示的槽构造210g的形状只是例示,仰视时的槽构造210g的形状是任意的。
第一布线310具有从光反射性部件214A的下表面214b露出的下表面310b,同样地,第二布线320也具有从光反射性部件214A的下表面214b露出的下表面320b。如图2所示,在该例子中,第一布线310的下表面310b以及第二布线320的下表面320b处于与相当于封装210A的下表面的、光反射性部件214A的下表面214b、第一电极221的下表面221b以及第二电极222的下表面222b大致匹配的位置。即,此处,可以说发光装置100A的下表面100b由第一电极221的下表面221b以及第二电极222的下表面222b、光反射性部件214A的下表面214b、第一布线310的下表面310b以及第二布线320的下表面320b构成。
如图2示意性地所示,槽构造210g的第一部分210ga的底部以及第二部分210gb的底部并不限于平坦面,可以具有凹凸。在图2例示的结构中,第一布线310以及第二布线320与槽构造210g的第一部分210ga的底部以及第二部分210gb的底部具有凹凸对应地分别具有与第一部分210ga的底部以及第二部分210gb的底部的形状匹配的形状。通过将第一部分210ga的底部以及第二部分210gb的底部设为凹凸形状,并将第一布线310以及第二布线320设为与这些凹凸形状匹配的形状,可以产生更大的锚定效应。即,获得抑制第一布线310或者第二布线320从发光模块200A剥离的效果。如后述那样,第一部分210ga的底面以及第二部分210gb的底面可以由多个槽等构造形成。以下,有时将第一部分210ga的底面称为“第一底面21”,将第二部分210gb的底面称为“第二底面22”。
如后面详细说明那样,第一布线310以及第二布线320分别通过对槽构造210g的第一部分210ga以及第二部分210gb的内部赋予导电性材料,之后使导电性材料固化而形成。此外,槽构造210g的第一部分210ga例如具有5μm以上且50μm以下的深度。同样地,槽构造210g的第二部分210gb例如具有5μm以上且50μm以下的深度。因此,第一布线310以及第二布线320也具有大致5μm以上且50μm以下左右的范围的厚度。
如图2示意性地所示,发光元件220的第一电极221的一部分以及第二电极222的一部分相对于光反射性部件214A的下表面214b凹陷。即,在该例子中,第一电极221的表面的一部分构成第一部分210ga的第一底面21的一部分。换言之,第一电极221的一部分在槽构造210g的第一部分210ga的内部露出,第一电极221中在槽构造210g的内部露出的部分具有包括侧面221c的台阶部St1。第一布线310通过连接到第一电极221中在槽构造210g的第一部分210ga的内部露出的部分连接而与第一电极221电连接。
同样地,第二电极222的表面的一部分构成第二部分210gb的第二底面22的一部分。即,第二电极222的一部分在槽构造210g的第二部分210gb的内部露出,第二电极222中在槽构造210g的内部露出的部分具有包括侧面222c的台阶部St2。第二布线320通过连接到第二电极222中在槽构造210g的第二部分210gb的内部露出的部分而与第二电极222电连接。
图4示意性地表示从图3除去第一布线310以及第二布线320的构造。也可以说图4示出发光装置100A中的发光模块200A。在图4所示的例子中,槽构造210g的第一部分210ga的第一底面21以及第二部分210gb的第二底面22包括沿第一方向延伸的多个第一槽Gr1的集合。特别是在该例子中,第一部分210ga的第一底面21以及第二部分210gb的第二底面22由多个第一槽Gr1的集合构成。
如后面详细说明那样,第一槽Gr1能够通过沿着第一方向的激光的光束的扫描而形成。通过沿着第一方向以规定的间距利用激光照射封装210A的下表面、第一电极221的下表面221b以及第二电极222的下表面222b,从而除去光反射性部件214A的一部分、第一电极221的一部分以及第二电极222的一部分。由此,可以形成多个第一槽Gr1,并由多个第一槽Gr1的集合形成上述的槽构造210g。
在图4中,用双箭头d1示出该第一方向。在图4所示的例子中,第一方向与图中的X方向以及Y方向任何一个都不同。然而,激光的光束的扫描方向是任意的,第一方向可以与X方向或者Y方向一致。第一槽Gr1分别典型地通过使激光点的一部分重叠并使激光沿着第一方向进行脉冲照射而形成。因此,槽构造210g的第一部分210ga延伸的方向以及第二部分210gb延伸的方向不受第一方向,即,第一槽Gr1延伸的方向的制约,槽构造210g的仰视时的形状是任意的。
另外,在图4所示的例子中,第一部分210ga的第一底面21以及第二部分210gb的第二底面22还具有点状的多个第一凹部Dc1。如图4示意性地所示,典型的是,第一凹部Dc1具有比第一槽Gr1的宽度大的值的直径。此外,在图4中,为了便于说明,夸大并较大地描绘第一凹部Dc1。在以下的图中,存在夸大图示第一凹部Dc1等的情况。
如后述那样,多个第一凹部Dc1也能够通过激光的照射而形成。但是,多个第一凹部Dc1的形成中的激光的照射模式与第一槽Gr1的形成中的照射模式不同。此处,本说明书中的“照射模式不同”并不限于激光点的移动的轨迹不同的动作,广泛地解释为也包括在第一次的激光照射的工序与第二次的激光照射的工序之间共用激光点的移动的轨迹(或激光头相对于工作台的相对的移动的轨迹),并且使激光的输出、脉冲间隔等相互异不同的动作。
此处,将多个第一凹部Dc1配置成三角格子状。当然,多个第一凹部Dc1的配置是任意的。第一凹部Dc1可以以成为均匀的密度的方式形成于槽构造210g的底部。相对于两个第一凹部Dc1的中心间距离,上述的多个第一槽Gr1例如可以具有10%以上且100%以下的范围的间距。
上述的第一布线310的一部分以及第二布线320的一部分位于第一槽Gr1的内部。即,如图2示意性地所示,第一槽Gr1的内部被第一布线310或者第二布线320填充。另外,多个第一凹部Dc1的p内部也被第一布线310或者第二布线320填充。
如上述那样,在发光装置100A的下表面100b侧配置的第一布线310以及第二布线320分别与发光元件220的第一电极221以及第二电极222之间具有电连接。因此,能够使第一布线310以及第二布线320的组作为发光装置100A的阳极以及阴极的组发挥功能。即,通过第一布线310以及第二布线320连接驱动器、电源电路等,能够驱动发光装置100A。
例如从图3理解那样,通过设置第一布线310以及第二布线320,由此与第一电极221以及第二电极222的间隔相比,可以扩大发光装置100A中的正极侧的接点与负极侧的接点之间的距离。换句话说,获取与夹设内插器来扩展电极的间隔同样的效果。这样,根据本公开的实施方式,通过在发光装置侧包括供电用的布线图案,由此例如能够不需要具有复杂的布线图案的布线基板,且发光装置的安装变得更容易。
并且,根据本公开的实施方式,与夹设内插器的情况不同,不会增大从支承发光装置100A的基板的表面到发光装置100A的上表面100a的距离。如图2所示,根据第一布线310的下表面310b以及第二布线320的下表面320b与封装210A的下表面大致匹配的结构,由于这些布线不会从封装210A的下表面隆起,所以有利于提供更薄型的发光装置。
另外,收容第一布线310以及第二布线320的槽构造210g如参照图2以及图4说明那样,可以具有包括凹凸的底面。通过槽构造210g在其底部具有凹凸,从而第一布线310或者第二布线320和槽构造210g的界面的面积增大,获得更高的锚定效应。因此,能够抑制第一布线310以及第二布线320的剥离,并可以提供进一步提高可靠性的发光装置。特别是在图2所示的例子中,第一电极221具有在槽构造210g的内部露出的台阶部St1,另外,第二电极222具有在槽构造210g的内部露出的台阶部St2。通过第一电极221具有台阶部St1,第一电极221以及第一布线310的界面的面积增大,可以更有效地抑制第一布线310的剥离。同样地,通过第二电极222具有台阶部St2,第二电极222以及第二布线320的界面的面积增大,抑制第二布线320的剥离。
(第一变形例)
图5表示根据第一实施方式的第一变形例的发光装置。但是,为了便于说明,图5与图4同样地示出从发光装置除去第一布线310以及第二布线320后的构造。即,可以说图5取出根据第一实施方式的第一变形例的发光装置100B中的发光模块200B的部分来进行示出。从上表面100a侧观察图5所示的发光装置100B时的外观、以及从下表面100b侧观察图5所示的发光装置100B时的外观可以与图1以及图3所示的外观相同。
与参照图4说明的例子同样地,发光装置100B的发光模块200B在与发光装置100B的下表面100b对应的其下表面具有槽构造210g。另外,发光模块200B的槽构造210g在其底部具有多个第一槽Gr1这个方面与图4所示的发光模块200A的槽构造210g共用。但是,发光模块200B的槽构造210g具有与多个第一槽Gr1重叠形成的多个第二槽Gr2来代替多个第一凹部Dc1。
如图5示意性地所示,多个第二槽Gr2沿与多个第一槽Gr1延伸的第一方向不同的第二方向延伸。在图5中,用双箭头d2示出该第二方向。第二槽Gr2能够通过在形成多个第一槽Gr1之后,与第一槽Gr1同样地沿着第二方向的激光的光束的扫描而形成。作为第二方向,如果是与第一方向交叉的方向,则可以采用任意的方向。在该含义下,第二槽Gr2的形成中的激光的照射模式与第一槽Gr1的形成中的激光的照射模式不同。第二槽Gr2的深度、宽度以及第二槽Gr2间的间距可以与第一槽Gr1不同,也可以相同。
通过与多个第一槽Gr1重叠地形成多个第二槽Gr2,从而可以在第一槽Gr1和第二槽Gr2交叉的位置形成比这些槽更深的部分。也可以将这样的形成于光反射性部件214A、第一电极221或者第二电极222的更深的部分称为第二凹部。与上述的发光装置100A同样地,第一槽Gr1以及第二槽Gr2的内部可以被第一布线310或者第二布线320填充。同样地,第一布线310或者第二布线320可以位于第二凹部的内部。如该例子那样,即使以网格状形成多个槽,也能够期待第一布线310或者第二布线320和槽构造210g的底部的界面面积增大的结果,锚定效应的增大。
(第二变形例)
图6表示根据第一实施方式的第二变形例的发光装置。图6与图2同样地,示意性地示出在发光装置的中央附近与上表面垂直地切断根据第二变形例的发光装置时的剖面。与图1所示的发光装置100A相比较,图6所示的发光装置100C具有发光模块200C来代替发光模块200A。发光模块200C包括发光元件220和封装210C。
如图6示意性地所示,在该例子中,槽构造210g的第一部分210ga的第一底面21中形成在发光元件220的第一电极221的部分与第一底面21中形成在发光元件220的第一电极221的外侧的区域的部分,换言之,第一底面21中形成在封装210C的光反射性部件214C的部分相比较,具有更小的深度。同样地,第二部分210gb的第二底面22中形成在发光元件220的第二电极222的部分比第二底面22中形成在封装210C的光反射性部件214C的部分浅。即,在该例子中,第一布线310中与光反射性部件214C重叠的部分比处于第一电极221上的部分厚,第二布线320中与光反射性部件214C重叠的部分比处于第二电极222上的部分厚。
通过使槽构造中不与发光元件的电极重叠的部分相对地变深,由此与如图2所示的例子那样在槽构造中与发光元件的电极重叠的部分和除此以外的部分之间使槽构造的深度几乎恒定的结构相比较,能够使电极的表面的更多的部分(例如电极的侧面)在槽构造的内部露出。因此,获得第一布线310与第一电极221之间的接触面积以及第二布线320与第二电极222之间的接触面积增大,使第一布线310与第一电极221之间以及第二布线320与第二电极222之间的接触电阻降低,减少消耗电力的效果。
或者,通过反复向第一电极221以及第二电极222扫描激光的光束,可以使槽构造中与发光元件的电极重叠的部分相对地变深。通过增大第一布线310与第一电极221之间的接触面积以及第二布线320与第二电极222之间的接触面积,由此可以通过增大锚定效应来减少第一布线310以及第二布线320从第一电极221或者第二电极222剥离的可能性。
(第三变形例)
图7以及图8表示根据第一实施方式的第三变形例的发光装置。图7示出从上表面100a侧观察根据第一实施方式的第三变形例的发光装置100D的外观的一个例子,图8示意性地示出在发光装置100D的中央附近与图7的ZX面平行地切断图7所示的发光装置100D时的剖面。
与图1所示的发光装置100A相比较,图7以及图8所示的发光装置100D具备包括光反射性部件214D的封装210D来代替封装210A。如图8所示,发光装置100D示意性地具有包括封装210A的发光模块200D、第一布线310以及第二布线320。发光模块200D在其下表面侧具有包括第一部分210ga以及第二部分210gb的槽构造210g,第一布线310以及第二布线320分配配置于槽构造210g的第一部分210ga以及第二部分210gb的内部这个方面与至此所说明的例子相同。
在图7以及图8例示的结构中,保护部件211的侧面211c以及波长转换部件212的侧面212c未被光反射性部件214D覆盖,而在封装210D的外侧露出。因此,在上述的发光装置100A、100B中,获得提高指向特性(Directivity)的配光,而在该例子中,由于不仅保护部件211的上表面211a还从保护部件211的侧面211c以及波长转换部件212的侧面212c取出光,所以能够获得更加放大的配光特性。
(第四变形例)
图9表示根据第一实施方式的第四变形例的发光装置。图9与图2、图6以及图8同样地,示意性地示出在发光装置的中央附近与上表面垂直地切断根据第四变形例的发光装置时的剖面。
图9所示的发光装置100E的发光模块200E其一部分包括第一发光元件220A以及第二发光元件220B。在图9例示的结构中,第一发光元件220A以及第二发光元件220B分别通过导光部件213被固定在波长转换部件212的下表面212b。发光模块200E的封装210E其一部分包括覆盖这些第一发光元件220A和第二发光元件220B的光反射性部件214E。
在该例子中,发光模块200E也具有设置于发光装置100E的下表面100b侧的槽构造210g。但是,在该例子中,槽构造210g包括第一部分210ga、第二部分210gb以及第三部分210gc三个部分。如图9示意性地所示,第一部分210ga的第一底面21、第二部分210gb的第二底面22以及第三部分210gc的第三底面23典型的是凹凸面。这些底面的凹凸形状可以由多个第一槽Gr1以及多个第一凹部Dc1,或者,多个第一槽Gr1以及多个第二槽Gr2形成。
如图示,第一布线310位于槽构造210g的第一部分210ga的内部,第二布线320位于第二部分210gb的内部。第一布线310在第一部分210ga的内部中与第一发光元件220A的第一电极221连接,第二布线320在第二部分210gb的内部中与第一发光元件220A的第二电极222连接。另外,在该例子中,第三布线330位于第三部分210gc的内部。在该例子中,第三布线330在第三部分210gc的内部中与第二发光元件220B的第二电极222连接。第二发光元件220B的第一电极221在第二部分210gb的内部中与第二布线320连接。
即,在该例子中,第二发光元件220B的第一电极221以及第一发光元件220A的第二电极222通过第二布线320相互电连接。第二发光元件220B的第一电极221例如是正极,第一发光元件220A的第二电极222例如是负极。图9是使第一发光元件220A和第二发光元件220B串联电连接的例子。当然,第一发光元件220A和第二发光元件220B之间的电连接并不限于该例子,例如也可以通过第一布线310以及第二布线320使第一发光元件220A和第二发光元件220B并联电连接。
(第五变形例)
这样,发光装置可以包括两个或三个以上的发光元件。此外,在图9例示的结构中,第一发光元件220A以及第二发光元件220B共同配置在单一的波长转换部件212上。然而,并不限于该例子,也可以如图10所示的发光装置100F那样,在发光模块中按每个发光元件设置波长转换部件212。
在图10例示的结构中,发光装置100F的发光模块200F具有第一发光元件220A以及第二发光元件220B和封装210F。封装210F包括覆盖第一发光元件220A以及第二发光元件220B的光反射性部件214F。如图示,在该例子中,在第一发光元件220A的上方和第二发光元件220B的上方分别配置有波长转换部件212以及保护部件211的组。位于第一发光元件220A的上方的波长转换部件212以及保护部件211、和位于第二发光元件220B的上方的波长转换部件212以及保护部件211在封装210F内通过光反射性部件214F而相互分离。
如参照图9以及图10说明的例子那样,在发光装置包括多个发光元件的情况下,从发光元件射出的光的峰值波长对于每个发光元件可以不同,或可以在多个发光元件之间共用。或者,在位于第一发光元件220A的上方的波长转换部件212与位于第二发光元件220B的上方的波长转换部件212之间改变分散在波长转换部件212中的荧光体。根据这样的结构,即使使用共用的元件作为第一发光元件220A以及第二发光元件220B的情况下,也能够从第一发光元件220A侧的保护部件211的上表面211a何第二发光元件220B侧的保护部件211的上表面211a分别取出波长区域不同的光。
此外,在图9以及图10所示的例子中,保护部件211的侧面211c以及波长转换部件212的侧面212c被光反射性部件214E或者214F覆盖。当然,并不限于该例子,也可以使保护部件211的侧面211c以及波长转换部件212的侧面212c从光反射性部件214E或者214F露出。
(发光装置的制造方法)
以下,参照附图,对根据本公开的第一实施方式的发光装置的制造方法进行说明。图11示意性地表示根据本公开的第一实施方式的发光装置的制造方法。图11所示的发光装置的制造方法包括:准备包括发光元件以及覆盖发光元件的覆盖部件的发光构造的工序(步骤S1);通过照射激光而在发光构造形成槽构造的工序(步骤S2);以及通过利用导电性材料填充槽构造的内部来形成多个布线的工序(步骤S3)。以下,主要以图9所示的发光装置100E为例,对每个工序的详细进行说明。
(发光构造的准备工序(A))
首先,准备包括发光元件以及覆盖发光元件的覆盖部件的发光构造(图11的步骤S1)。此处,准备具有第一发光元件220A以及第二发光元件220B、和覆盖这两个发光元件的覆盖部件的发光构造。发光构造可以通过购入来准备,或按照以下说明的顺序制成。
在制成发光构造时,如图12所示,首先,准备包括保护部件211以及波长转换部件212的层叠片LS。层叠片LS例如能够通过准备使分散有荧光体的粒子的树脂组成物中的树脂为预固化的状态的荧光体片、和透光性的树脂片,并通过热使它们贴合,利用超声波刀具等获得规定的尺寸的切断片而准备。荧光体片能够由作为母材的树脂、荧光体、填料粒子以及含有溶剂的树脂组成物形成。作为母材,可以使用作为波长转换部件212的材料而例示出的各种树脂(例如硅树脂)。荧光体也可以使用作为波长转换部件212的材料而例示出的各种荧光体。透光性的树脂片例如能够通过使透光性的树脂组成物固化来获得。作为透光性的树脂片的材料,可以使用作为保护部件211的母材而例示出的各种材料,可以附加地包含光反射性的填料等。此外,也可以通过利用喷雾法、流延法、灌封法等涂布法对在透光性的树脂片上赋予含有荧光体的树脂组成物,并使赋予的树脂组成物固化来获得层叠片LS。层叠片LS中的保护部件211可以是板状的聚碳酸酯、玻璃。
接下来,利用供应机等,对层叠片LS的波长转换部件212侧的主面(波长转换部件212的下表面212b)的规定的位置赋予透光性的树脂组成物213r,并且,如图13所示,在赋予的树脂组成物213r上配置第一发光元件220A以及第二发光元件220B。此时,使元件主体223的上表面223a(相当于第一发光元件220A的上表面、第二发光元件220B的上表面)朝向波长转换部件212的下表面212b,将第一发光元件220A以及第二发光元件220B配置在树脂组成物213r上。作为树脂组成物213r,可以使用作为导光部件213的材料而例示出的树脂组成物。能够通过使树脂组成物213r固化,从而由树脂组成物213r形成导光部件213,以将第一发光元件220A以及第二发光元件220B固定于波长转换部件212。
之后,形成覆盖形成有导光部件213的构造的光反射性树脂层214T。光反射性树脂层214T的形成能够通过将包括导光部件213、层叠片LS、第一发光元件220A以及第二发光元件220B的构造如图14所示例如配置在耐热性的粘接胶带等支承体300上,并应用传递成形、喷雾涂布、压缩成形等而执行。如图14所示,在该例子中,光反射性树脂层214T覆盖保护部件211的侧面211c以及波长转换部件212的侧面212c。
作为光反射性树脂层214T的材料,能够使用作为光反射性部件214A的材料而例示出的树脂组成物。或者,光反射性树脂层214T也可以以内部分散有光反射性的填料的发泡聚对苯二甲酸乙二醇酯(发泡PET)等发泡塑料的层的形式形成。
在形成光反射性树脂层214T后,典型地通过研削加工等使第一电极221的下表面221b以及第二电极222的下表面222b从光反射性树脂层214T露出。如图15示意性地所示,能够通过使用了在研磨装置等中安装的磨削砂轮430的研削加工使光反射性树脂层214T的研削面214g的位置与第一电极221的下表面221b以及第二电极222的下表面222b的位置对齐。此外,不一定要求第一电极221的下表面221b以及第二电极222的下表面222b从研削面214g露出。在后述的槽构造形成的工序中,即使光反射性树脂层214T的一部分覆盖第一电极221以及第二电极222,只要可以经由光反射性树脂层214T检测第一电极221以及第二电极222的位置即可。
接下来,利用切割装置等将光反射性树脂层214T切成所希望的形状。由此,如图16所示,能够由光反射性树脂层214T形成光反射性部件214Ef,并支承体300上获得具有覆盖第一发光元件220A以及第二发光元件220B的覆盖部件210Ef的发光构造200Ef。覆盖部件210Ef包括保护部件211、波长转换部件212、导光部件213以及光反射性部件214Ef。
发光构造200Ef具有其一部分包括保护部件211的上表面211a的上表面200a(第二面)、和与上表面200a相反侧的下表面200b(第一面)。如图示,第一电极221的下表面221b以及第二电极222的下表面222b位于比发光构造200Ef的上表面200a靠近下表面200b的位置,在该例子中,第一电极221的下表面221b以及第二电极222的下表面222b从光反射性部件214Ef露出。也可以说第一电极221的下表面221b以及第二电极222的下表面222b从发光构造200Ef的上表面200a露出。
(槽构造形成工序(B))
接下来,通过照射激光而在发光构造形成槽构造(图11的步骤S2)。此处,通过激光照射发光构造200Ef的下表面200b,在下表面200b形成槽构造。
激光的照射能够应用公知的激光烧蚀装置。在图17中,示意性地示出应用包括激光源410以及电流镜420的激光烧蚀装置400的例子。激光烧蚀装置400中的电流镜的个数可以是两个以上。激光源410的例子是CO2激光、Nd:YAG激光、Nd:YVO4激光。或者,也可以将输出具有532nm的波长的激光的、被称为绿色激光的激光源用作激光源410。
通过利用激光的光束LB扫描发光构造200Ef的下表面200b,能够除去覆盖部件210Ef的一部分、第一电极221的一部分以及第二电极222的一部分。此处,通过除去覆盖部件210Ef的一部分、第一电极221的一部分以及第二电极222的一部分,从而在在发光构造200Ef的下表面200b侧形成包括第一部分210ga、第二部分210gb以及第三部分210gc的槽构造210g。即,在该例子中,通过除去覆盖部件210Ef的一部分、第一电极221的一部分以及第二电极222的一部分,获得与图9所示的发光模块200E同样的构造。
通过形成槽构造210g,如图17示意性地所示,第一发光元件220A的第一电极221的至少一部分和第一发光元件220A的第二电极222的至少一部分在槽构造210g的内部露出。在该例子中,第一发光元件220A的第一电极221的一部分在槽构造210g的第一部分210ga的内部露出,第一发光元件220A的第二电极222的一部分在槽构造210g的第二部分210gb的内部露出。另外,第二发光元件220B的第一电极221的一部分在槽构造210g的第二部分210gb的内部露出,第二发光元件220B的第二电极222的一部分在槽构造210g的第三部分210gc的内部露出。
如图17示意性地所示,槽构造210g的第一部分210ga的第一底面21,第二部分210gb的第二底面22以及第三部分210gc的第三底面23可以是凹凸面。槽构造210g的第一部分210ga、第二部分210gb以及第三部分210gc分别例如通过在发光构造200Ef的下表面200b上沿着某个方向(第一方向)扫描激光的光束LB而形成。该情况下,第一底面21、第二底面22以及第三底面23可以是由沿第一方向延伸的多个第一槽Gr1的集合形成的面。第一部分210ga的深度,换言之,从第一底面21到发光构造200Ef的下表面200b的距离Dp1例如是5μm以上且50μm以下的范围。此处,第一底面21的位置可以与在相互邻接的两个第一槽Gr1之间形成的多个顶部的位置大致一致。同样地,槽构造210g的第二部分210gb的深度以及槽构造210g的第三部分210gc的深度也可以例如为5μm以上且50μm以下的范围。
如参照图4说明那样,也可以通过进一步的激光的照射,在第一部分210ga的第一底面21、第二部分210gb的第二底面22以及第三部分210gc的第三底面23与多个第一槽Gr1重叠地形成多个第一凹部Dc1。如上述那样,多个第一凹部Dc1的形成中的激光的照射模式与第一槽Gr1的形成中的照射模式不同。例如,能够通过沿着与第一方向不同的第二方向隔开间隔照射激光的光束LB,来形成多个第一凹部Dc1。
通过与多个第一槽Gr1重叠地形成多个第一凹部Dc1,并在槽构造210的底部形成更深的部分,可以发挥更大的锚定效应。也可以如参照图5说明的例子那样,通过进一步的激光的照射,与多个第一槽Gr1重叠地形成沿着与多个第一槽Gr1延伸的方向(即,第一方向)不同的方向延伸的多个第二槽Gr2,来代替通过沿着第二方向隔开间隔照射激光的光束LB来形成多个第一凹部Dc1。通过除了多个第一槽Gr1之外还形成多个第二槽Gr2,从而在第一槽Gr1和第二槽Gr2交叉的位置形成比这些槽更深的部分(第二凹部),与形成多个第一凹部Dc1时同样地能够期待锚定效应的提高。
在槽构造210g的形成应用激光的扫描的情况下,若吸收激光的材料分散在光反射性部件214Ef中,则可以高效地使光反射性部件214Ef吸收激光,以高效地进行光反射性部件214Ef的表面的部分的除去。例如,与发光元件的第一电极221以及第二电极222相比较,能够更深地雕刻光反射性部件214Ef的部分。吸收激光的材料的典型例子是着色材料。例如,在使用中心波长处于紫外区域的UV激光作为激光源410的情况下,可以将二氧化钛、碳、硫酸钡、氧化锌等填料作为吸收激光的材料,并分散在光反射性部件214Ef中。在激光源410应用绿色激光的情况下,填料能够使用碳、氧化镍、氧化铁(III)等,在应用中心波长处于红外区域的IR激光的情况下,填料可以使用碳、硫酸钙、硅酸镁、氧化铝,钨复合氧化物等。
若光反射性部件214Ef由发泡塑料形成,则光反射性部件214Ef包括每个具有多个孔(pore)的单元,由此通过来自发光构造200Ef的下表面200b侧的光反射性部件214Ef的部分的除去,在槽构造210的底部自然地形成微小的凹凸。因此,能够期待锚定效应的提高。
通过在发光构造200Ef形成槽构造210,从而能够由光反射性部件214Ef形成光反射性部件214E,形成图9所示的封装210E。即,获得参照图9所说明的发光模块200E。
(布线形成工序(C))
接下来,通过利用导电性材料填充槽构造的内部来形成多个布线(图11的步骤S3)。此处,如图18示意性地所示,用作为导电性材料的导电糊剂350r填充槽构造210g。在图18中,示出通过使用了刮板390的印刷而在槽构造210g的内部配置导电糊剂350r的例子。作为导电糊剂350r,能够使用环氧树脂等母材中分散Au、Ag、Cu等粒子的材料。例如,可以将公知的Au糊剂、Ag糊剂或者Cu糊剂用作导电糊剂350r。导电糊剂350r可以包括溶剂。例如,可以代替导电糊剂350r,而将Sn-Bi系焊料含有铜粉的合金材料用作导电性材料,。
对槽构造210g的内部或光反射性部件214E的下表面214b上赋予导电糊剂350r,如图18粗箭头MV所示,使刮板390在下表面214b上移动。此时,导电糊剂350r的一部分进入到第一槽Gr1的内部。另外,导电糊剂350r的一部分也进入到第一凹部Dc1或者第二槽Gr2的内部。即,第一槽Gr1的内部、第一凹部Dc1的内部以及第二槽Gr2的内部成为被导电糊剂350r填充的状态。
通过刮板390的移动,赋予到光反射性部件214E上的导电糊剂350r中比下表面214b隆起的部分被除去。通过除去导电糊剂350r中不必要的部分,能够使导电糊剂350r的表面350ra与光反射性部件214E的下表面214b大致对齐。
向发光模块200E赋予导电糊剂350r的方法并不限于使用刮板的方法。导电糊剂350r的赋予可以应用旋涂法、浸涂法,丝网印刷法、胶版印刷法、苯胺印刷法、凹版印刷法、微接触法、喷墨法、喷嘴印刷法、气溶胶喷印法等各种印刷法。当然也可以利用印刷法以外的方法对发光模块200E赋予导电糊剂350r。
之后,通过对配置于槽构造210g的内部的导电糊剂350r进行加热或者照射光来使其固化。通过导电糊剂350r的固化,如图3所示的例子那样,能够由导电糊剂350r形成具有与从发光装置的下表面100b的法线方向观察的槽构造210g的形状匹配的形状的布线图案。在该例子中,通过导电糊剂350r的固化,从而在槽构造210g的第一部分210ga的内部形成与第一部分210ga的形状匹配的形状的第一布线310,在第二部分210gb的内部形成与第二部分210gb的形状匹配的形状的第二布线320。另外,在第三部分210gc的内部形成与第三部分210gc的形状匹配的形状的第三布线330。通过以上的工序,获得图9所示的发光装置100E。
也可以根据需要,在导电糊剂350r固化后附加地实施研磨工序。在图19所示的例子中,使用磨削砂轮430,对固化后的导电糊剂350r的表面以及发光模块200E的下表面200Eb进行研磨。通过研磨,可以使作为研磨面的第一布线310的下表面310b、第二布线320的下表面320b以及第三布线330的下表面330b与发光模块200E的下表面200Eb匹配。另外,能够除去附着在发光模块200E的下表面200Eb的导电糊剂350r的残渣。也可以根据需要,在固化后的导电糊剂350r上形成镀铜的层或者镀镍-金的层。
通过使第一发光元件220A的第一电极221的一部分在第一部分210ga的内部露出,从而第一布线310与第一发光元件220A的第一电极221电连接。同样地,通过使第二发光元件220B的第二电极222的一部分在第三部分210gc的内部露出,从而第三布线330与第二发光元件220B的第二电极222电连接。另外,在该例子中,第一发光元件220A的第二电极222的一部分和第二发光元件220B的第一电极221的一部分在第二部分210gb的内部中露出。因此,形成在第二部分210gb的内部的第二布线320使第一发光元件220A的第二电极222和第二发光元件220B的第一电极221相互电连接。
第一发光元件220A的第二电极222例如是第一发光元件220A的负极,第二发光元件220B的第一电极221例如是第二发光元件220B的正极。该情况下,通过形成第一布线310、第二布线320以及第三布线330,从而使第一发光元件220A和第二发光元件220B串联电连接。或者,在第二发光元件220B的第一电极221以及第一发光元件220A的第二电极222是负极的情况下,经由第二布线320使第一发光元件220A的负极和第二发光元件220B的负极电连接。换言之,通过形成第一布线310、第二布线320以及第三布线330,能够使第一发光元件220A和第二发光元件220B并联电连接。此外,在使第一发光元件220A和第二发光元件220B并联连接的情况下,第一布线310可以与第三布线330短路。
这样,根据本实施方式,例如,能够在槽构造210g内比较容易地形成与发光元件的第一电极221连接的第一布线310、和与发光元件的第二电极222连接的第二布线320。即,发光装置侧包括布线图案,例如,能够通过使供电用的连接器与第一布线310、第二布线320连接的简单的连接来驱动发光装置。因此,可以不需要预先设置规定的布线图案的布线基板,并且驱动发光装置。另外,即使在发光装置包括多个发光元件的情况下,也能够提供预先具有使这些发光元件连接的布线的发光装置。
此外,也可以在图12所示的工序中,准备多枚层叠片LS,在耐热性的粘接胶带等支承体上二维配置这些片,执行图13~图16所示的工序。该情况下,在形成光反射性树脂层214T后,在支承体上邻接的两枚层叠片LS之间的位置切断光反射性树脂层214T,从而能够高效地制成多个发光模块200E。在图16所示的例子中,保护部件211的侧面211c以及波长转换部件212的侧面212c被光反射性部件214Ef覆盖,但如果不仅切断光反射性树脂层214T,还在包括保护部件211以及波长转换部件212的位置切断支承体300上的构造,则获得与参照图7以及图8说明的结构同样的、从光反射性部件露出保护部件211的侧面211c以及波长转换部件212的侧面212c的发光装置。
在参照图13说明的例子中,在层叠片LS上配置第一发光元件220A以及第二发光元件220B两个发光元件,但在层叠片LS上配置的发光元件的数量是任意的。如果针对一个层叠片LS配置一个发光元件220,则获得图2所示的发光装置100A。此外,也可以在支承体上二维配置各层叠片LS上固定有一个发光元件220的构造,并利用光反射性树脂层214T一并覆盖那些构造。例如,通过以每个层叠片LS包括一个发光元件220的多个构造两个为单位切出,能够获得图10所示的发光装置100F
可以在上述的发光构造的准备工序(A)中获得多个发光构造后,在布线形成工序(C)中使这些多个发光构造电连接。在图20中,示出在得到每个具有发光元件220和覆盖发光元件220的覆盖部件210Af的多个发光构造200Af的阶段中,在耐热性的粘接胶带等支承体360上排列第一以及第二两个发光构造200Af的例子。
发光构造200Af的各个例如通过针对一个层叠片LS配置一个发光元件220,并按照参照图12~图17说明的工序制成而获得。各发光构造200Af在下表面200b侧具有包括第一部分210ga以及第二部分210gb的槽构造210g。各发光构造200Af的覆盖部件210Af包括光反射性部件214Af,第一发光构造200Af的光反射性部件214Af、和第二发光构造200Af的光反射性部件214Af在支承体360上没有缝隙地排列。这两个发光构造200Af的光反射性部件214Af也可以通过粘合剂等接合。
在配置第一以及第二发光构造200Af后,与参照图18以及图19说明的工序同样地在第一部分210ga以及第二部分210gb的内部形成布线。由此,如图21所示,获得具有两个发光模块200A通过第二布线320连结的结构的发光装置100N。
在图21例示的结构中,第二布线320遍及在位于图的左侧的发光模块200A设置的槽构造210的第二部分210gb、和在位于图的右侧的发光模块200A设置的槽构造210的第一部分210ga连续地形成在它们的内部。即,第二布线320使位于图的左侧的发光模块200A的发光元件220的第二电极222和位于图的右侧的发光模块200A的发光元件220的第一电极221电连接。另外,在位于图的左侧的发光模块200A设置的槽构造210的第一部分210ga内形成有第一布线310,在位于图的右侧的发光模块200A设置的槽构造210的第二部分210gb内形成有第三布线330。因此,通过使第一布线310以及第三布线330与外部的电源连接,能够驱动这些发光模块200A。
图22表示一维排列6个发光模块200A,并通过第二布线320使邻接的模块的电极相互电连接的例子。如图22例示,通过例如一维排列多个发光模块200A,能够获得棒状光源。也从该例子可知,通过配置在槽构造210内的布线形成电连接的发光模块的数量是任意的。
多个发光模块所包括的发光元件220的电连接可以是串联连接,或可以是并列连接。图23所示的发光装置100G包括一维排列的四个发光模块。在图23例示的结构中,在设置于下表面100b的槽构造210g的内部配置的第一布线310以及第二布线320分别使各发光模块中的发光元件的第一电极221以及第二电极222相互电连接。图23是使多个发光模块所包括的发光元件220并联电连接的例子。在该例子中,通过将第一布线310以及第二布线320作为端子来利用,能够使这些发光模块所包括的发光元件220一齐点亮或者熄灭。
图24表示二维排列6个发光模块,并通过配置在槽构造210g内的第一布线310~第三布线330使6个发光模块所包括的发光元件220相互电连接的例子。图24所示的发光装置100H具有6个发光模块的2行3列的排列。在该例子中,与参照图21以及图22说明的发光装置100N同样地,某个发光模块的第一电极221和另一某个发光模块的第二电极222经由第二布线320电连接。因此,能够将第一布线310以及第三布线330作为正极侧以及负极侧的端子的组来利用,无需分别独立地安装6个发光模块,能够更容易地安装于布线基板等。
如图24例示,通过二维排列多个发光模块,能够实现大面积的发光面。这样,根据本实施方式,通过位于设置在各发光构造的槽构造的内部的布线使多个发光构造电连接是比较容易的,因此,可以通过简单的工序获得大面积的发光面。这样,通过一维或者二维排列每个具有槽构造210g的多个发光构造之后再通过导电糊剂等在槽构造210g内形成布线,能够一并高效地在多个发光模块间形成使发光元件电连接的布线。
此外,多个发光模块的发光元件间的电连接并不限于在相互邻接的两个发光模块之间经由在槽构造210g的内部连续地形成的布线的连接。图25所示的发光装置100K包括多个发光模块200A、多个第一布线310以及第二布线320和多个电线350。在图25例示的结构中,形成于某个发光模块200A的第一布线310和形成于与该发光模块200A邻接的另一某个发光模块200A的第二布线320通过电线350中的一个电连接。另外,多个发光模块的配置是任意的,可以将多个发光模块例如配置成环状,并使它们电连接。
或者,也可以在得到多个发光构造的阶段中一维或者二维排列那些发光构造,并在多个发光构造的下表面一并形成槽构造。图26表示在支承体300上无缝隙地排列多个发光构造200Af的状态。在图26中,为了简单,示出在图的X方向上一维排列每个具有光反射性部件214Af的两个发光构造200Af的例子,但此时的发光构造200Af的数以及配置是任意的。
接下来,执行上述的槽构造形成工序。例如,如图27示意性地所示,通过利用激光的光束LB扫描发光构造200Af的下表面200b来在下表面200b形成槽构造210g。此时,也可以在发光构造200Af的下表面200b侧形成多个第一槽Gr1。与上述的例子同样地,可以与多个第一槽Gr1重叠地进一步形成多个第一凹部Dc1,或可以与多个第一槽Gr1重叠地进一步形成多个第二槽Gr2。
之后的工序可以与参照图18以及图19说明的工序相同。即,如图28示意性地所示,在形成于各发光构造200Af的槽构造210g内例如配置导电糊剂350r。之后,使导电糊剂350r固化。也可以根据需要,之后还执行参照图19说明的研磨工序。通过以上的工序,在支承体300上获得与图21所示的发光装置100N同样的构造。通过如该例子那样在形成槽构造210g之前排列多个发光构造,能够针对多个发光构造一并形成槽构造210g,并能够高效地形成与槽构造210g的形状对应的布线。
(第二实施方式)
图29表示根据本公开的第二实施方式的例示的发光装置的剖面。图29示意性地示出在发光装置100L的中央附近与上表面100a垂直地切断根据本公开的第二实施方式的发光装置100L时的剖面。此外,从上表面100a侧观察发光装置100L的外观可以与图1所示的发光装置100A的外观相同,所以此处省略图示。
如图29示意性地所示,发光装置100L示意性地具有包括发光元件220的发光模块200L、第一布线310以及第二布线320。发光模块200L在与发光装置100L的上表面100a相反侧的下表面侧具有槽构造210h,第一布线310以及第二布线320被配置在槽构造210h的内部这个方面与第一实施方式基本相同。在图29所示的例子中,槽构造210h也包括第一部分210ha以及第二部分210hb这两个部分。第一布线310位于槽构造210h的第一部分210ha内,并与发光元件220的第一电极221中在第一部分210ha的内部露出的区域连接。另外,第二布线320位于槽构造210h的第二部分210hb内,并与发光元件220的第二电极222中在第二部分210hb的内部露出的区域连接。
与根据第一实施方式的发光装置同样地,发光模块200L包括覆盖发光元件220的封装210L。此处,封装210L包括具有保护部件211、波长转换部件212、导光部件213以及光反射性部件214Af的覆盖部件210Af、和树脂层230。此外,被封装210L覆盖的发光元件的数量并不限于一个,也可以是2个以上。
[覆盖部件210Af]
如图29示意性地所示,覆盖部件210Af是除了发光元件220的第一电极221的下表面221b的一部分以及第二电极222的下表面222b的一部分之外覆盖发光元件220的结构,可以说实际与图26所示的覆盖部件210Af相同。如图示,在该例子中,第一电极221的下表面221b的一部分在槽构造210h的第一部分210ha的内部露出。另外,第一部分210ha的第一底面21的位置与第一电极221的下表面221b的位置一致。同样地,在该例子中,第二电极222的下表面222b的一部分在槽构造210h的第二部分210hb的内部露出,第二部分210hb的第二底面22的位置与第二电极222的下表面222b的位置一致。
在图29所示的例子中,第一部分210ha的第一底面21以及第二部分210hb的第二底面22是大致平坦的面。然而,槽构造210h的底部的形状并不限于平坦面,与参照图2等说明的例子同样地,第一底面21以及第二底面22可以具有凹凸。例如第一底面21以及第二底面22可以由多个第一槽Gr1的集合形成。可以与多个第一槽Gr1重叠地形成多个第一凹部Dc1以及/或者多个第二槽Gr2等。这样,本说明书所示的各种结构只要在技术上不产生矛盾则可以任意地组合。
覆盖部件210Af中的光反射性部件214Af环绕发光元件220,在该例子中,覆盖保护部件211的侧面211c以及波长转换部件212的侧面212c。当然也可以是保护部件211的侧面211c以及波长转换部件212的侧面212c如图8所示的例子那样从光反射性部件露出的结构。
[树脂层230]
树脂层230位于覆盖部件210Af的下表面210Ab上,换言之,封装210L中设置有槽构造210h的下表面侧,并在其一部分具有开口。图30表示从与上表面100a相反侧的下表面100b侧观察图29所示的发光装置100L的外观的一个例子。从图29以及图30可以理解,第一布线310以及第二布线320占据树脂层230的开口的内侧的空间。即,在本实施方式中,可以说发光模块200L的槽构造210h具有由设置于树脂层230的开口规定的平面形状。当然,图30所示的槽构造210h的形状只是例示的。只要仰视时的槽构造210h的形状与发光元件的第一电极221的一部分以及第二电极222的一部分重叠,则没有特别限制。
树脂层230可以是通过粘合剂的固化而形成的层。作为粘合剂,能够使用热塑性或热固化性的公知的材料,例如,热塑性树脂、热固化性树脂以及合成弹性体。作为树脂层230的材料,也能够使用丙烯腈和1,3-丁二烯的共聚物(也被称为NBR)或者环氧树脂,也可以将添加有NBR或者丙烯酸树脂的环氧树脂等用作树脂层230的材料。
在本实施方式中,与第一实施方式同样地,也能够使第一布线310以及第二布线320的组作为发光装置100L的阳极以及阴极的组发挥功能。即,通过使驱动器、电源电路等与第一布线310以及第二布线320连接,能够驱动发光装置100L。特别是如果树脂层230是粘接层,则能够利用粘接层将发光装置100L临时固定于布线基板等,可以更容易地执行安装。
(发光装置的制造方法)
以下,参照附图对根据本公开的第二实施方式的发光装置的制造方法进行说明。图31示意性地表示根据本公开的第二实施方式的发光装置的制造方法。图31所示的、发光装置的制造方法包括:准备发光构造的工序(步骤S11),该发光构造包括具有第一电极以及第二电极的发光元件、和覆盖发光元件的覆盖部件;在发光元件的电极的下表面的上方配置片状的掩模的工序(步骤S12);通过照射激光而至少将掩模的一部分除去,使第一电极的至少一部分以及第二电极的至少一部分露出的工序(步骤S13);以及通过利用导电性材料填充掩模被除去的部分来形成多个布线的工序(步骤S14)。此处,对获得每个具有发光元件和覆盖发光元件的覆盖部件的多个发光构造,并从这些发光构造获得具有多个发光模块的发光装置的制造方法的例子进行说明。
(发光构造的准备工序(A’))
首先,准备每个具有发光元件220和覆盖发光元件220的覆盖部件210Af的多个发光构造200Af(图31的步骤S11)。此处,与参照图26说明的例子同样地,在耐热性的粘接胶带等支承体300上排列这多个发光构造200Af。在准备多个发光构造200Af的阶段中,典型的是,各发光元件220的第一电极221的下表面221b以及第二电极222的下表面222b处于从光反射性部件214Af露出的状态。
(掩模配置工序(B’))
接下来,在发光元件的电极的下表面的上方配置掩模(图31的步骤S12)。例如,如图32所示,将片状的掩模230M配置在发光构造200Af上,使得覆盖发光元件220的第一电极221的下表面221b以及第二电极222的下表面222b。此处,将具有支承层230s以及粘接层230a的层叠片用作掩模230M,将粘接层230a的侧朝向发光构造200Af的下表面200b,将该层叠片粘贴到发光构造200Af。支承层230s例如是聚对苯二甲酸乙二醇酯的片,粘接层230a例如是添加有丁腈橡胶的环氧类粘合剂的层。粘接层230a具有5μm以上且50μm以下程度的范围的厚度。在粘贴掩模230M后,根据需要,通过加热等使粘接层230a的材料固化。此外,在图32中,为了避免附图变得过度复杂,而示出在支承体300上沿X方向无缝隙地排列两个发光构造200Af的例子,但发光构造200Af的数量可以是三个以上,发光构造200Af的排列也不限于一维排列,也可以是二维排列。
(照射工序(C’))
接下来,通过照射激光而部分地除去掩模。此时,通过除去掩模,使发光元件的各电极的一部分露出(图31的步骤S13)。例如,使用激光烧蚀装置400,如图33示意性地所示,从掩模230M的支承层230s侧经由掩模230M利用激光的光束LB照射发光构造200Af的下表面200b。由此,能够除去掩模230M的一部分,使各发光元件220的第一电极221的下表面221b的一部分和第二电极222的下表面222b的一部分从掩模230M露出。
图34示意性地表示通过照射激光将掩模230M的一部分除去后的状态。如图34所示,发光构造200Af的下表面200b的一部分在通过掩模230M的部分的除去而在掩模230M形成的开口中露出。发光构造200Af的下表面200b中从掩模230M露出的部分包括发光元件220的第一电极221的下表面221b的一部分、第二电极222的下表面222b的一部分以及光反射性部件214Af的下表面214b的一部分。
在该照射工序(C’)中,与第一实施方式同样地,也可以通过照射激光将发光元件220的第一电极221的一部分以及第二电极222的一部分除去。另外,还可以通过照射激光将光反射性部件214Af的下表面214b的一部分除去。此时,也可以对光反射性部件214Af的下表面214b、第一电极221的下表面221b以及第二电极222的下表面222b赋予凹凸形状。例如,可以与参照图27说明的例子同样地,通过激光的扫描,执行掩模230M的部分的除去、和多个第一槽Gr1的形成。也可以在执行掩模230M的部分的除去后,对发光构造200Af的下表面200b中从掩模230M露出的区域进行进一步的激光的照射,与多个第一槽Gr1重叠地进一步形成多个第一凹部Dc1,或与多个第一槽Gr1重叠地进一步形成多个第二槽Gr2。
(布线形成工序(D’))
接下来,用导电性材料填充掩模被除去的部分,形成多个布线(图31的步骤S14)。布线的形成的具体的方法可以与第一实施方式的布线形成工序(C)中的方法基本相同。即,在发光构造200Af的下表面200b中从掩模230M露出的部分上以及/或者掩模230M中未通过照射激光被除去而剩下的部分上配置作为导电性材料的导电糊剂350r。之后,如图35中粗箭头MV所示,使刮板390以掩模230M的表面的高度移动。当然,用导电性材料填充支承体300上的构造中掩模230M被除去的部分的方法并不限于使用刮板390的印刷,也可以是其它方法。
之后,使填充到掩模230M的开口部分的导电糊剂350r固化。通过导电糊剂350r的固化,能够在掩模230M的开口部分的内部形成具有与掩模230M的开口部分的形状对应的形状的多个布线。在图36例示的结构中,由导电糊剂350r在掩模230M的开口部分形成第一布线310、第二布线320以及第三布线330。如图示,第一布线310与位于图的左侧的发光构造200Af的发光元件220的第一电极221接触,并与该第一电极221之间具有电连接。第三布线330与位于图的右侧的发光构造200Af的发光元件220的第二电极222接触,并与该第二电极222之间具有电连接。另外,第二布线320与位于图的左侧的发光构造200Af的发光元件220的第二电极222以及位于图的右侧的发光构造200Af的发光元件220的第一电极221接触,并使这些电极相互电连接。
根据需要,将掩模230M的残余的部分中相当于支承层230s的部分除去。例如利用机械的方法将相当于支承层230s的部分剥离,从而能够将掩模230M的残余的部分中相当于粘接层230a的部分留在发光构造200Af上,并且选择性地除去相当于支承层230s的部分。通过在形成多个布线后,从发光构造200Af上除去相当于支承层230s的部分,如图37示意性地所示,能够获得具有树脂层230以及覆盖部件210Af的封装210L。掩模230M的残余的部分中相当于粘接层230a的部分相当于封装210L中的树脂层230。
通过掩模230M的残余的部分中相当于支承层230s的部分的除去,在与覆盖部件210Af的保护部件211相反侧形成由形成于树脂层230的开口规定的槽构造210h。如图37所示,槽构造210h包括在其内部中使第一电极221的一部分露出的第一部分210ha、和在其内部中使第二电极222的一部分露出的第二部分210hb。在该例子中,第二布线320遍及在位于图的左侧的封装210L形成的第二部分210hb、和在位于图的右侧的封装210L形成的第一部分210ha连续地形成。换句话说,可以说支承体300上的两个发光模块通过第二布线320相互电连接。
通过相当于支承层230s的部分的除去,能够与支承层230s一起除去在上述的照射工序(C’)中飞散并附着在掩模230M上的碎片的残渣、以及在布线形成工序(D’)中在掩模230M上固化的导电糊剂350r的残渣。即,可以避免碎片等残留在发光装置的下表面。另外,如上述那样,可以利用掩模230M的残余的部分中相当于粘接层230a的部分,将发光装置临时固定于安装基板等。
也可以在相当于支承层230s的部分的除去后,通过研磨将第一电极221的一部分和第二电极222的一部分除去。在图38所示的例子中,使用磨削砂轮430来研磨第一布线310~第三布线330的表面。通过执行这样的研磨工序,可以使第一布线310的下表面310b、第二布线320的下表面320b以及第三布线330的下表面330b的位置与树脂层230的表面的位置匹配。掩模230M的粘接层230a例如具有5μm以上且50μm以下的厚度。研磨工序执行后的第一布线310、第二布线320以及第三布线330的厚度大致可以为5μm以上且50μm以下左右的范围。也可以根据需要,在第一布线310~第三布线330的表面形成镀铜的层或者镀镍-金的层。
通过以上的工序,获得具有将两个图29所示的发光模块200L连结而成的构造的发光装置100M。两个发光模块200L的发光元件220间的电连接可以是串联连接,或可以是并列连接。
图39示意性地表示将图38所示的发光装置100M安装到布线基板的状态。如图39所示,通过在玻璃环氧基板等布线基板500的布线图案510上配置焊料、导电糊剂等接合部件520,能够经由接合部件520将发光装置100M安装于布线基板500。与第一实施方式同样地,在本实施方式中,由于在发光装置侧包括布线,所以无需使用具有复杂的布线图案的布线基板,发光装置相对于布线基板的安装变得容易。另外,由于发光装置侧的第一布线310~第三布线330的形成不需要光刻以及蚀刻,所以能够通过简单的工序在发光装置的下表面侧形成这些布线。
如参照图32~图39说明的例子那样,通过形成多个发光构造的一维排列或者二维排列来形成包括第一布线310以及第二布线320的多个布线,能够以简单的工序获得大面积的发光面。特别是在多个发光构造上配置掩模230M以便一并覆盖一维或者二维排列的多个发光构造,由此可以高效地形成遍及多个发光模块的槽构造。当然,也可以准备图16所示的、每个具有第一发光元件220A以及第二发光元件220B的多个发光构造,并对这多个发光构造执行上述的掩模配置工序(B’)、照射工序(C’)以及布线形成工序(D’)。根据这样的工序,能够在布线形成工序(D’)中形成使第一发光元件220A和第二发光元件220B串联电连接或者并联电连接的布线,能够提供预先具有使多个发光元件连接的布线的发光装置。
【实施例】
以下,根据实施例,更详细地对根据本公开的实施方式的发光装置进行说明。当然,本公开的实施方式并不限于由以下的实施例确定的方式。
(与槽构造的底部的形状有关的评价1)
制成通过针对白色的树脂板的激光的光束的扫描,在树脂板的一个主面形成槽构造,并改变照射模式,用激光再照射槽构造的底部而得的多个样本,针对这些样本,进行与槽构造的底部的形状有关的评价。
(实施例1-1)
首先,准备作为母材的硅树脂中分散有二氧化钛的粒子的树脂板。接下来,通过在该树脂板的一个主面上使激光的光束沿某个方向(第一方向)扫描,从而在树脂板形成每个沿第一方向延伸的多个第一槽(相当于上述的槽构造形成工序)。此处,通过对树脂板的主面上的不同的五个区域执行激光的光束的扫描,从而在树脂板形成包括每个具有由多个第一槽的集合规定的底面的五个部分的槽构造。以下示出此时的激光的照射条件。
激光的峰值波长:532nm
激光输出:2.4W
脉冲宽度:100纳秒
频率:50kHz
输送速度:200mm/s
散焦:0μm
第一槽的间距:15μm或者30μm
接下来,从槽构造所包括的五个部分中随机选择第一槽的间距为15μm的一个,在与第一方向交叉的第二方向上使激光的光束扫描,利用激光的光束照射此处选出的部分(以下,称为第一部分)的底部。由此,在第一部分的底部与图4所示的例子同样地形成点状的多个第一凹部,作为实施例1-1的样本。此外,此处,选择与第一方向正交的方向作为第二方向。在俯视时,各第一凹部具有约0.1mm的直径。以下示出此时的激光的照射条件。
激光的峰值波长:532nm
激光输出:2.4W
脉冲宽度:100纳秒
频率:50kHz
输送速度:200mm/s
散焦:0μm
第一凹部的中心间距离:15μm
图40是放大表示实施例1-1的样本的槽构造的底面的显微镜图像。图41表示通过激光显微镜获得的、与实施例1-1的样本有关的剖面轮廓,相当于图40的XLI-XLI剖视图。图41中的水平的白点划线表示槽构造的形成前的树脂板的表面的位置。如图40所示,此处,在第一部分的底部形成有沿纸面的水平方向排列的三个第一凹部。图41所示的剖面轮廓中的三个第一凹部的深度的平均值约为120μm。
(实施例1-2)
除了在槽构造所包括的五个部分中,随机选择第一槽的间距为15μm的另一个,将激光的照射条件中的激光输出设为1.2W,并变更频率以使得第一凹部的中心间距离成为60μm以外,与实施例1-1同样地处理,利用激光的光束照射此处选出的部分(以下,称为第二部分)的底部。由此,在第二部分的底部形成点状的多个第一凹部,并作为实施例1-2的样本。
图42是放大表示实施例1-2的样本的槽构造的底面的显微镜图像。图43表示通过激光显微镜得到的、与实施例1-2的样本有关的剖面轮廓,相当于图42的XLIII-XLIII剖视图。与图41同样地,图43中的水平的白点划线示出槽构造形成前的树脂板的表面的位置。较难从图42确认,但此处,与图40所示的例子同样地,沿着XLIII-XLIII线形成有三个第一凹部。图43所示的剖面轮廓中的三个第一凹部的深度的平均值越为50μm。
(实施例1-3)
除了在槽构造所包括的五个部分中,随机选择第一槽的间距为30μm的一个,并变更频率以使得激光的照射条件中的第一凹部的中心间距离成为30μm以外,与实施例1-2同样地处理,利用激光的光束照射此处选出的部分(以下,称为第三部分)的底部。由此,在第三部分的底部形成点状的多个第一凹部,并作为实施例1-3的样本。
图44是放大表示实施例1-3的样本的槽构造的底面的显微镜图像。图45表示通过激光显微镜得到的、与实施例1-3的样本有关的剖面轮廓,相当于图44的XLV-XLV剖视图。图45中的水平的白点划线示出槽构造形成前的树脂板的表面的位置。较难从图44确认,但与图40以及图42所示的例子同样地,在该例子中,也沿着XLV-XLV线形成有三个第一凹部。图45所示的剖面轮廓中的三个第一凹部的深度的平均值约为40μm。
(实施例1-4)
除了在槽构造所包括的五个部分中,随机选择第一槽的间距为30μm的另一个,并变更频率以使得激光的照射条件中的第一凹部的中心间距离成为60μm以外,与实施例1-3同样地处理,利用激光的光束照射此处选出的部分(以下,称为第四部分)的底部。由此,在第四部分的底部形成点状的多个第一凹部,并作为实施例1-4的样本。
图46是放大表示实施例1-4的样本的槽构造的底面的显微镜图像。图47表示通过激光显微镜得到的、与实施例1-4的样本有关的剖面轮廓,相当于图46的XLVII-XLVII剖视图。图47中的水平的白点划线示出槽构造形成前的树脂板的表面的位置。较难从图46确认,但与图40、图42以及图44所示的例子同样地,在该例子中,也沿着XLVII-XLVII线形成有三个第一凹部。图47所示的剖面轮廓中的三个第一凹部的深度的平均值约为38μm。
(参考例1-1)
除了将激光的照射条件中的输送速度变更为500mm/s以外,与实施例1-2同样地处理,利用激光的光束照射槽构造所包括的五个部分的剩下的一个(以下,称为第五部分)的底部。由此,在第五部分的底部形成点状的多个第一凹部,并作为参考例1-1的样本。
图48是放大表示参考例1-1的样本的槽构造的底面的显微镜图像。图49表示通过激光显微镜得到的、与参考例1-1的样本有关的剖面轮廓,相当于图48的XLIX-XLIX剖视图。图49中的水平的白点划线示出槽构造形成前的树脂板的表面的位置。较难从图48确认,但与图40、图42、图44以及图46所示的例子同样地,在该例子中,也沿着XLIX-XLIX射线形成有三个第一凹部。图49所示的剖面轮廓中的三个第一凹部的深度的平均值约为22μm。
从与实施例1-1~实施例1-4的各样本有关的剖面轮廓(图41、图43、图45以及图47)以及与参考例1-1的样本有关的剖面轮廓(图49)可知,相互邻接的两个第一槽之间形成的多个顶部处于比槽构造形成前的树脂板的表面低的位置。即,在这些样本中,槽构造的底面的位置低于槽构造形成前的树脂板的表面。因此,在槽构造的内部配置有导电性材料的情况下,导电性材料不仅与槽构造的底部接触,还与位于底部与树脂板的表面之间的槽构造的侧面接触,由此期待槽构造的侧面与导电性材料的界面中的锚定效应的发挥。
如果对与实施例1-1~实施例1-4的各样本有关的剖面轮廓、和与参考例1-1的样本有关的剖面轮廓进行比较,则可知,在参考例1-1的样本中,在照射激光的区域未形成太大的凹凸。即,根据在槽构造形成工序中,在具有多个第一槽的底面形成适当的深度的第一凹部的观点明白,不会使输送速度极大是有益的。另外,根据与实施例1-1的样本有关的剖面轮廓和与实施例1-2~实施例1-4的各样本有关的剖面轮廓的比较可知,如果是相同的输送速度,则将激光输出抑制在某种程度的范围,容易获得更细的形状的凹凸。
(布线的形状的评价1)
接下来,通过用用导电糊剂填充槽构造并使导电糊剂固化而在槽构造内形成布线(相当于上述的布线形成工序),并通过剖面观察,调查布线是否具有追随槽构造的底部的形状的形状。
(实施例1-5)
根据以下的步骤,用导电糊剂填充实施例1-2的样本的第二部分并使导电糊剂固化,制成实施例1-5的样本。此处,首先,通过使用了刮板的印刷法用导电糊剂填充第二部分,之后,将填充有导电糊剂的树脂板在130℃的温度下放置30分钟,从而使导电糊剂固化而在第二部分的内部形成布线。
图50是表示导电糊剂填充前的第二部分的显微镜图像。能够在纸面中确认出沿倾斜方向走线的多个第一槽、和多个第一凹部。图51表示第二部分中填充导电糊剂并使导电糊剂固化后的剖面。在以下的说明中,与使导电糊剂固化后的剖面有关的图表示切断约4mm□的范围时的剖面。
(实施例1-6)
除了用导电糊剂填充实施例1-3的样本的第三部分以外,与实施例1-5的样本同样地制成实施例1-6的样本。图52是表示导电糊剂填充前的第三部分的显微镜图像。图53表示在第三部分中填充导电糊剂并使导电糊剂固化后的剖面。
(实施例1-7)
除了用导电糊剂填充实施例1-4的样本的第四部分以外,与实施例1-5的样本同样地制成实施例1-7的样本。图54是表示导电糊剂的填充前的第四部分的显微镜图像。图55表示在第四部分中填充导电糊剂并使导电糊剂固化后的剖面。
根据与实施例1-5~实施例1-7的各样本有关的断面图像(图51、图53以及图55)可知,对于任何的样本,布线的一部分都进入到第一槽以及第一凹部的内部。即,布线良好地追随槽构造的底部的形状,在布线与槽构造的底部之间没有产生空隙等。
(与槽构造的底部的形状有关的评价2)
代替在槽构造形成工序中形成点状的多个第一凹部,通过在与第一方向不同的第二方向上使激光的光束扫描,利用激光照射槽构造的底部,在槽构造的底部制成每个还具有沿第二方向延伸的多个第二槽的多个样本。对这些样本进行与槽构造的底部的形状有关的评价。
(实施例2-1)
首先,与上述的实施例1-1的样本制成时同样地在树脂板形成包括每个具有由多个第一槽的集合规定的底面的五个部分的槽构造。但是,此处,适当地变更激光的照射条件,以使得第一槽的间距成为50μm。以下,将这五个部分称为第六部分~第十部分。
接下来,在与第一方向交叉的第二方向上使激光的光束扫描,利用激光的光束照射槽构造中的第六部分的底部。由此,与图5所示的例子同样地,与第一槽重叠地在第六部分的底部形成每个沿第二方向延伸的多个第二槽,并作为实施例2-1的样本。此外,此处,也选择与第一方向正交的方向作为第二方向。以下示出此时的激光的照射条件。
激光的峰值波长:532nm
激光输出:2.4W
脉冲宽度:100纳秒
频率:50kHz
输送速度:200mm/s
散焦:0μm
第二槽的间距:50μm
图56是放大表示实施例2-1的样本的槽构造的底面的显微镜图像。图57表示通过激光显微镜得到的、与实施例2-1的样本有关的剖面轮廓,相当于图56的LVII-LVII剖视图。图57中的水平的白点划线示出槽构造形成前的树脂板的表面的位置。如图57所示,此处,在第六部分的底部,沿着纸面的水平方向形成有八个第一凹部。图57所示的剖面轮廓中的八个第一凹部的深度的平均值约为50μm。
(实施例2-2)
除了将激光的照射条件中的激光输出设为1.2W以外,与实施例2-1同样地,利用激光的光束照射槽构造中的第七部分的底部。由此,与第一槽重叠地在第七部分的底部形成每个沿第二方向延伸的多个第二槽,并作为实施例2-2的样本。
图58是放大表示实施例2-2的样本的槽构造的底面的显微镜图像。图59表示通过激光显微镜得到的、与实施例2-2的样本有关的剖面轮廓,相当于图58的LIX-LIX剖视图。与图57同样地,图59中的水平的白点划线示出槽构造形成前的树脂板的表面的位置。在该例中,与图57所示的例子同样地,也沿着LIX-LIX射线形成有八个第一凹部形成。图59所示的剖面轮廓中的八个第一凹部的深度的平均值约为35μm。
(实施例2-3)
除了将激光的照射条件中的激光输出设为1.6W以外,与实施例2-1同样地利用激光的光束照射槽构造中的第八部分的底部。由此,与第一槽重叠地在第八部分的底部形成每个沿第二方向延伸的多个第二槽,并作为实施例2-3的样本。
图60是放大表示实施例2-3的样本的槽构造的底面的显微镜图像。图61表示通过激光显微镜得到的、与实施例2-3的样本有关的剖面轮廓,相当于图60的LXI-LXI剖视图。图61中的水平的白点划线示出槽构造形成前的树脂板的表面的位置。与图57以及图59所示的例子同样地,在该例子中,由沿着LXI-LXI线形成有八个第一凹部。图61所示的剖面轮廓中的八个第一凹部的深度的平均值约为37μm。
(实施例2-4)
除了将激光的照射条件中的激光输出设为2W以外,与实施例2-1同样地,利用激光的光束照射槽构造中的第九部分的底部。由此,与第一槽重叠地在第九部分的底部形成每个沿第二方向延伸的多个第二槽,并作为实施例2-4的样本。
图62是放大表示实施例2-4的样本的槽构造的底面的显微镜图像。图63表示通过激光显微镜得到的、与实施例2-4的样本有关的剖面轮廓,相当于图62的LXIII-LXIII剖视图。图63中的水平的白点划线示出槽构造形成前的树脂板的表面的位置。与图57、图59以及图61所示的例同样地,在该例子中,沿着LXIII-LXIII线形成有八个第一凹部。图63所示的剖面轮廓中的八个第一凹部的深度的平均值约为42μm。
(参考例2-1)
除了将激光的照射条件中的输送速度设为500mm/s以外,与实施例2-1同样地,利用激光的光束照射槽构造中的第十部分的底部。由此,与第一槽重叠地在第十部分的底部形成每个沿第二方向延伸的多个第二槽,并作为参考例2-1的样本。
图64表示通过激光显微镜得到的、与参考例2-1的样本有关的剖面轮廓。图64中的水平的白点划线示出槽构造形成前的树脂板的表面的位置。与图57、图59、图61以及图63所示的例子同样地,在该例子中,也在剖面视时确认出八个第一凹部的形成。图64所示的剖面轮廓中的八个第一凹部的深度的平均值约为30μm。
根据与实施例2-1~实施例2-4的各样本有关的剖面轮廓(图57、图59、图61以及图63)可知,与实施例1-1~实施例1-4以及参考例1-1的样本同样地,在这些样本中,在相互邻接的两个第一槽之间形成的多个顶部处于比槽构造形成前的树脂板的表面低的位置。因此,对于这些样本,也期待槽构造的侧面与导电性材料的界面中的锚定效应的发挥。
与此相对,若参照与参考例2-1的样本有关的剖面轮廓(图64),则在参考例2-1的样本中,槽构造的底面的位置与槽构造形成前的树脂板的表面的位置大致一致。这意味着纵横比大的布线的形成比较难。据此,从在槽构造的内部配置导电性材料并由导电性材料形成布线的观点来看,可以说不使输送速度极大是有益的。
(布线的形状的评价2)
接下来,关于在槽构造的底部设置多个第一槽以及第二槽的结构,也调查布线是否具有追随槽构造的底部的形状的形状。
(实施例2-5)
与实施例1-5的样本同样地,用导电糊剂填充槽构造中的第六部分,并使导电糊剂固化。由此,得到在第六部分的内部具有由导电糊剂形成的布线的实施例2-5的样本。
图65是表示导电糊剂填充前的第六部分的显微镜图像。在图65中,看起来在槽构造的底部形成有之字形状的多个槽,但实际上依次执行基于沿着第一方向的激光的光束的扫描的多个第一槽的形成、和基于沿着第二方向的激光的光束的扫描的多个第二槽的形成。图65中的双箭头d1以及双箭头d2分别表示第一方向以及第二方向。图66表示在第六部分中填充导电糊剂并使导电糊剂固化后的剖面。图66中的白虚线示出槽构造的底面的大致的位置。
(实施例2-6)
除了用导电糊剂填充实施例2-3的样本的第八部分以外,与实施例2-5的样本同样地制成实施例2-6的样本。图67是表示导电糊剂的填充前的第八部分的显微镜图像。依次执行基于沿着第一方向的激光的光束的扫描的多个第一槽的形成、和基于沿着第二方向的激光的光束的扫描的多个第二槽的形成这个方面与实施例2-5的样本相同。图68表示第八部分中填充导电糊剂并使导电糊剂固化后的剖面。与图66同样地,图68中的白虚线示出槽构造的底面的大致的位置。
(实施例2-7)
除了用导电糊剂填充实施例2-4的样本的第九部分以外,与实施例2-5的样本同样地制成实施例2-7的样本。图69是表示导电糊剂填充前的第九部分的显微镜图像。与实施例2-5的样本以及实施例2-6的样本同样地,在该例子中,也依次执行基于沿着第一方向的激光的光束的扫描的多个第一槽的形成、和基于沿着第二方向的激光的光束的扫描的多个第二槽的形成。图70表示在第九部分中填充导电糊剂并使导电糊剂固化后的剖面。图70中的白虚线示出槽构造的底面的大致的位置。
根据与实施例2-5~实施例2-7的各样本有关的断面图像(图66、图68以及图70)可知,对于任何的样本,布线的一部分都进入到第一槽以及第二槽的内部。即,布线良好地追随槽构造的底部的形状,在布线与槽构造的底部之间没有产生空隙等。
(与布线的紧贴性有关的评价)
接下来,利用依照JIS K 5600-5-6(1999)规定的划格试验的方法与涂膜的机械性质的评价同样地进行与布线的紧贴性有关的简单的评价。
(实施例3-1)
首先,在树脂板形成包括具有由多个第一槽的集合规定的底面的七个矩形的部分的槽构造。以下示出此时的激光的照射条件。
激光的峰值波长:532nm
激光输出:0.3W~2.8W
脉冲宽度:100纳秒
频率:50kHz
输送速度:200mm/s
散焦:0μm
第一槽的间距:15μm
以下,将此处形成的七个部分称为第十一部分~第十七部分。此处,调整激光输出,以使得在第十一部分~第十七部分之间,第一槽的深度相互不同。第十一部分形成时的激光输出为0.3W。第十一部分~第十七部分的俯视时的尺寸约为300μm□~500μm□的范围。
接下来,在与第一方向交叉的第二方向上使激光的光束扫描,利用激光的光束照射槽构造中的第十一部分的底部。由此,与图5所示的例子同样地,与第一槽重叠地在第十一部分的底部形成每个沿第二方向延伸的多个第二槽。此外,此处,也选择与第一方向正交的方向作为第二方向。以下示出此时的激光的照射条件。
激光的峰值波长:532nm
激光输出:0.3W
脉冲宽度:100纳秒
频率:50kHz
输送速度:200mm/s
散焦:0μm
第二槽的间距:20μm
此外,根据利用了激光显微镜的剖面拍摄的测定,第二槽的深度的平均值约为5μm。
接下来,与实施例1-5的样本同样地,用导电糊剂填充槽构造中的第十一部分,并使导电糊剂固化。由此,得到在第十一部分的内部具有由导电糊剂形成的布线的实施例3-1的样本。
(实施例3-2)
除了将激光的照射的条件中的激光输出变更为0.6W以使得第一槽以及第二槽的深度变得更大以外,与实施例3-1的样本同样地,与第一槽重叠地在第十二部分的底部形成每个沿第二方向延伸的多个第二槽。根据利用了激光显微镜的剖面拍摄的测定,所形成的第二槽的深度的平均值约为10μm。
接下来,与实施例3-1的样本同样地,用导电糊剂填充槽构造中的第十二部分,并使导电糊剂固化。由此,得到在第十二部分的内部具有由导电糊剂形成的布线的实施例3-2的样本。
(实施例3-3)
除了将激光的照射的条件中的激光输出变更为1.2W以使得第一槽以及第二槽的深度变得更大以外,与实施例3-1的样本同样地,与第一槽重叠地在第十三部分的底部形成每个沿第二方向延伸的多个第二槽。根据利用了激光显微镜的剖面拍摄的测定,所形成的第二槽的深度的平均值约为25μm。
接下来,与实施例3-1的样本同样地,用导电糊剂填充槽构造中的第十三部分,并使导电糊剂固化。由此,得到在第十三部分的内部具有由导电糊剂形成的布线的实施例3-3的样本。
(实施例3-4)
除了将激光的照射的条件中的激光输出变更为2.4W以使得第一槽以及第二槽的深度变得更大以外,与实施例3-1的样本同样地,与第一槽重叠地在第十四部分的底部形成每个沿第二方向延伸的多个第二槽。根据利用了激光显微镜的剖面拍摄的测定,所形成的第二槽的深度的平均值约为50μm。
接下来,与实施例3-1的样本同样地,用导电糊剂填充槽构造中的第十四部分,并使导电糊剂固化。由此,得到在第十四部分的内部具有由导电糊剂形成的布线的实施例3-4的样本。
(比较例3-1)
在第一槽的形成中,除了变更激光的照射的条件以使得第一槽的深度变得更小以外,与与实施例3-1的样本同样地形成具有每个沿第一方向延伸的多个第一槽的第十五部分。在形成多个第一槽时,此处,变更为0.2W,执行多个第一槽的形成。此外,此处,不进行多个第二槽的形成。根据利用了激光显微镜的剖面拍摄的测定,第一槽的深度的平均值约为1.5μm。
接下来,与实施例3-1的样本同样地,用导电糊剂填充槽构造中的第十五部分,并使导电糊剂固化。由此,得到在第十五部分的内部具有由导电糊剂形成的布线的比较例3-1的样本。
(比较例3-2)
与比较例3-1的样本同样地,除了变更激光的照射的条件以使得第一槽的深度比实施例3-1的样本小,形成具有每个沿第一方向延伸的多个第一槽的第十六部分。在形成多个第一槽时,此处,变更为0.2W来执行多个第一槽的形成。
接下来,在与第一方向交叉的第二方向上使激光的光束扫描,通过利用激光的光束照射槽构造中的第十六部分的底部,与图5所示的例子同样地,与第一槽重叠地在第十六部分的底部形成每个沿第二方向延伸的多个第二槽。此外,此处,也选择与第一方向正交的方向,作为第二方向。此时的激光的照射条件除了将激光输出设为0.2W,第二槽的间距为20μm以外,与第一槽的形成时共用。此外,根据利用了激光显微镜的剖面拍摄的测定,第二槽的深度的平均值约为3μm。
接下来,与实施例3-1的样本同样地,用导电糊剂填充槽构造中的第十六部分,并使导电糊剂固化。由此,得到在第十六部分的内部具有由导电糊剂形成的布线的比较例3-2的样本。
(比较例3-3)
在第一槽的形成中,除了变更激光的照射的条件以使得第一槽的深度变得更大以外,与实施例3-1的样本同样地,形成具有每个沿第一方向延伸的多个第一槽的第十七部分。在形成多个第一槽时,此处,变更为2.8W来执行多个第一槽的形成。
接下来,除了将激光输出设为2.8W以外,与比较例3-2的样本同样地,在与第一方向交叉的第二方向上使激光的光束扫描,通过利用激光的光束照射槽构造中的第十七部分的底部,从而与第一槽重叠地在第十七部分的底部形成多个第二槽。根据利用了激光显微镜的剖面拍摄的测定,第二槽的深度的平均值约为60μm。
接下来,与实施例3-1的样本同样地,尝试向槽构造中的第十七部分的内部填充导电糊剂。然而,在第十七部分的内部中未充分填充导电糊剂,虽然使导电糊剂固化,但无法获得预期的形状的布线图案。
接下来,对于实施例3-1~实施例3-4、比较例3-1以及比较例3-2的各样本,利用刀具,以网格状在布线形成达到槽构造的底面的槽,从而形成合计25个的矩形的划分。此时,以大约1mm的间距在布线形成槽。
接下来,以覆盖形成于布线的多个划分的方式将透明胶带粘贴到布线的表面,在粘贴胶带之后经过5分钟前,在布线的表面的法线方向上剥离胶带。此时,通过调查形成于布线的25个划分中产生通过附着在胶带侧而从树脂板剥离的部分的划分的比例,来评价布线的紧贴性。
在实施例3-1的样本中,25个划分中确认出剥离的划分仅一个,对于实施例3-2~实施例3-4的各样本,25个划分都未确认出剥离。另一方面,在比较例3-1的样本以及比较例3-2的样本中,25个划分中确认出剥离的划分分别是12.5个以及5个。
图71是放大表示与实施例3-3的样本有关的、导电糊剂填充前的槽构造的底面的显微镜图像。图72表示与实施例3-3的样本有关的、胶带剥离后的布线的外观。图73是放大表示与比较例3-1的样本有关的、导电糊剂填充前的槽构造的底面的显微镜图像。图74表示与比较例3-2的样本有关的、胶带剥离后的布线的外观。
根据胶带剥离后的结果,明白通过形成第二槽,由此获得锚定效应所带来的防止布线的脱落的效果,特别是如果第二槽的深度为5μm以上,则有利于防止布线的脱落。另外,也明白虽然得到第二槽越深则获得越大的锚定效应的倾向,但第二槽的深度设为不超过60μm的程度有利于形成所希望的形状的布线。
(与槽构造以及布线的成型性有关的评价)
接下来,准备与图26所示的发光构造200Af相同的发光构造,并按照上述的实施方式的槽构造形成工序以及布线形成工序的步骤,在发光构造的下表面侧形成槽构造以及布线,由此评价槽构造以及布线的成型性。此处,在槽构造形成前的阶段中,是从用于评价的发光构造的下表面露出发光元件的电极的下表面(第一电极221的下表面221b以及第二电极222的下表面222b)的状态。
(实施例4-1)
通过在准备发光构造后,在激光的光束的方向(第一方向)上扫描发光构造的下表面,从而形成每个沿第一方向延伸的多个第一槽。通过激光的光束的扫描,将光反射性部件的一部分以及发光元件的电极的一部分除去,每个具有由多个第一槽的集合规定的底面的槽构造形成在发光构造的下表面。以下示出此时的激光的照射条件。
激光的峰值波长:532nm
激光输出:2.4W
脉冲宽度:100纳秒
频率:50kHz
输送速度:200mm/s
散焦:0μm
第一槽的间距:15μm或者30μm
接下来,在与第一方向交叉的第二方向上使激光的光束扫描,并利用激光的光束进一步照射槽构造的底部。由此,在槽构造的底部形成与图4所示的例子同样的点状的多个第一凹部。此处,选择与第一方向正交的方向,作为第二方向。在俯视时,各第一凹部具有约为0.1mm的直径。以下示出此时的激光的照射条件。
激光的峰值波长:532nm
激光输出:2.4W
脉冲宽度:100纳秒
频率:50kHz
输送速度:200mm/s
散焦:0μm
第一凹部的中心间距离:15μm
图75表示槽构造形成工序执行后的发光构造的底面。图76表示对于图75所示的由虚线的圆围起的部分,通过激光显微镜得到的图像,图77表示通过激光显微镜得到的、与槽构造的剖面有关的图像。图77示出槽构造中与形成于光反射性部件的部分有关的剖面。
接下来,与实施例1-5的样本同样地,用导电糊剂填充槽构造,并使导电糊剂固化,从而在槽构造内形成布线(相当于上述的布线形成工序),得到实施例4-1的样本。图78表示在槽构造中填充导电糊剂,并使导电糊剂固化后的剖面。
(实施例4-2)
除了代替形成多个第一凹部,通过在与第一方向不同的第二方向上使激光的光束扫描,利用激光照射槽构造的底部,从而在槽构造的底部进一步形成每个沿第二方向延伸的多个第二槽以外,与实施例4-1的样本同样地,制成实施例4-2的样本。多个第二槽形成时的激光的照射条件如下。此外,此处,也选择与第一方向正交的方向作为第二方向。
激光的峰值波长:532nm
激光输出:2.4W
脉冲宽度:100纳秒
频率:50kHz
输送速度:200mm/s
散焦:0μm
第二槽的间距:50μm
图79表示槽构造形成工序执行后且布线形成工序执行前的发光构造的底面。图80表示与槽构造的底部的一部分有关的SEM图像。图81表示对于图79所示的由虚线的圆围起的部分,通过激光显微镜得到的图像,图82表示通过激光显微镜得到的、与槽构造的剖面有关的图像。与图77同样地,图80以及图82示出槽构造中与形成于光反射性部件的部分有关的剖面。
在槽构造形成后,与实施例4-1的样本同样地,用导电糊剂填充槽构造,并使导电糊剂固化,从而在槽构造内形成布线。图83表示在槽构造中填充导电糊剂,并使导电糊剂固化后的剖面。
(参考例4-1)
除了在形成多个第一槽后,也不形成多个第一凹部以及多个第二槽以外,与实施例4-1的样本同样地制成参考例4-1的样本。图84表示槽构造形成工序执行后且布线形成工序执行前的发光构造的底面。图85表示与槽构造的底部的一部分有关的SEM图像。图86表示对于图84所示的由虚线的圆围起的部分,通过激光显微镜得到的图像,图87表示通过激光显微镜得到的、与槽构造的剖面有关的图像。与图77同样地,图85以及图87示出槽构造中与形成于光反射性部件的部分有关的剖面。
在形成槽构造后,与实施例4-1的样本同样地,用导电糊剂填充槽构造,并使导电糊剂固化,从而在槽构造内形成布线。图88表示在槽构造中填充导电糊剂,并使导电糊剂固化后的剖面。
根据图78所示的与实施例4-1的样本有关的断面图像可知,在实施例4-1的样本中,布线的一部分进入到第一槽以及第一凹部的内部。同样地,根据图83所示的与实施例4-2的样本有关的断面图像明白,在实施例4-2的样本中,布线的一部分进入到第一槽以及第二槽的内部。即,在这些样本中,布线的形状良好地追随槽构造的底部的形状,因此,能够期待布线与槽构造的底部之间的高的锚定效应。
根据图85以及图86可知,在参考例4-1的样本中,槽构造的底面具有比较平滑的形状。如果参照图88,则可知,在参考例4-1的样本中,在布线与槽构造的底部之间也不会产生空隙等。
工业上的利用可能性
根据本公开的实施方式,能够基本不需要形成复杂的布线图案的基板,并提供安装容易的发光装置。本公开的实施方式可以广泛应用于各种照明用光源、车载用光源、背光灯用光源等。

Claims (27)

1.一种发光装置的制造方法,包括:
准备工序,是准备发光构造的准备工序,上述发光构造包括:分别具有第一电极以及第二电极的一个以上的发光元件、和覆盖一个以上的上述发光元件的覆盖部件,上述发光构造具有第一面以及位于与上述第一面相反侧的第二面,各发光元件的上述第一电极以及上述第二电极具有下表面,上述第一电极的下表面以及上述第二电极的下表面位于比上述第二面靠近上述第一面的位置;
槽构造形成工序,在上述发光构造的上述第一面侧形成槽构造,上述槽构造是通过照射来自上述第一面侧的激光来将上述覆盖部件的一部分、上述第一电极的一部分、以及上述第二电极的一部分除去,并使上述第一电极的至少一部分以及上述第二电极的至少一部分在内部露出而形成的;以及
布线形成工序,通过利用导电性材料填充上述槽构造的内部来形成多个布线。
2.根据权利要求1所述的发光装置的制造方法,其中,
一个以上的上述发光元件包括:第一发光元件、以及第二发光元件,
上述布线形成工序包括通过上述多个布线将上述第一发光元件和上述第二发光元件串联电连接或者并联电连接的工序。
3.根据权利要求1或者2所述的发光装置的制造方法,其中,
上述准备工序是准备包括第一发光构造以及第二发光构造的多个上述发光构造的工序,
上述布线形成工序包括通过上述多个布线将上述第一发光模块侧的发光元件和上述第二发光模块侧的发光元件串联电连接或者并联电连接的工序。
4.根据权利要求3所述的发光装置的制造方法,其中,
在上述准备工序与上述槽构造形成工序之间或者上述槽构造形成工序与上述布线形成工序之间还包括一维或者二维排列多个上述发光构造的排列工序。
5.一种发光装置的制造方法,包括:
准备工序,是准备发光构造的准备工序,上述发光构造包括:分别具有第一电极以及第二电极的一个以上的发光元件、和覆盖一个以上的上述发光元件的覆盖部件,上述第一电极以及上述第二电极分别具有下表面;
掩模配置工序,在上述第一电极的下表面以及上述第二电极的下表面的上方配置片状的掩模;
照射工序,通过照射激光至少除去上述掩模的一部分来使上述第一电极的至少一部分以及上述第二电极的至少一部分露出;以及
布线形成工序,通过利用导电性材料填充上述掩模的被除去的部分来形成多个布线。
6.根据权利要求5所述的发光装置的制造方法,其中,
一个以上的上述发光元件包括:第一发光元件、以及第二发光元件,
上述布线形成工序包括通过上述多个布线将上述第一发光元件和上述第二发光元件串联电连接或者并联电连接的工序。
7.根据权利要求5或者6所述的发光装置的制造方法,其中,
上述准备工序是准备包括第一发光构造以及第二发光构造的多个上述发光构造的工序,
上述布线形成工序包括通过上述多个布线将上述第一发光模块侧的发光元件和上述第二发光模块侧的发光元件串联电连接或者并联电连接的工序。
8.根据权利要求7所述的发光装置的制造方法,其中,
在上述准备工序与上述掩模配置工序之间还包括一维或者二维排列多个上述发光构造的排列工序。
9.根据权利要求5~8中的任意一项所述的发光装置的制造方法,其中,
上述掩模具有支承层以及粘接层,
上述掩模配置工序包括通过上述粘接层将上述掩模粘贴到上述发光构造的工序,
在上述布线形成工序之后还包括从上述发光构造上除去上述掩模的残余的部分中相当于上述支承层的部分的除去工序。
10.根据权利要求9所述的发光装置的制造方法,其中,
在上述除去工序之后还包括研磨工序,在上述研磨工序中,通过研磨将上述第一电极以及上述第二电极的一部分除去,使上述第一电极的表面以及上述第二电极的表面与上述粘接层的表面匹配。
11.根据权利要求5~10中的任意一项所述的发光装置的制造方法,其中,
上述照射工序包括将上述第一电极的一部分以及上述第二电极的一部分除去的工序。
12.根据权利要求1~11中的任意一项所述的发光装置的制造方法,其中,
在上述准备工序中,使上述第一电极的下表面以及上述第二电极的下表面从上述覆盖部件露出。
13.一种发光装置,具备:
发光模块,包括分别具有第一电极以及第二电极的一个以上的发光元件、和覆盖一个以上的上述发光元件的封装,并且在下表面侧具有槽构造;以及
第一布线以及第二布线,其一部分或者整体位于上述槽构造内,
上述第一电极的至少一部分以及上述第二电极的至少一部分在上述槽构造的内部露出,
上述第一布线与上述第一电极电连接,
上述第二布线与上述第二电极电连接。
14.根据权利要求13所述的发光装置,其中,
上述槽构造具有5μm以上且50μm以下的深度。
15.根据权利要求13或者14所述的发光装置,其中,
上述槽构造包括具有凹凸的底面。
16.根据权利要求15所述的发光装置,其中,
上述槽构造的上述底面包括多个第一槽的集合。
17.根据权利要求16所述的发光装置,其中,
上述槽构造的上述底面由上述多个第一槽的集合构成,并且还具有点状的多个凹部。
18.根据权利要求17所述的发光装置,其中,
上述凹部的直径大于上述第一槽的宽度。
19.根据权利要求17所述的发光装置,其中,
上述多个第一槽的间距是上述凹部的中心间距离的10%以上且100%以下的范围。
20.根据权利要求17~19中的任意一项所述的发光装置,其中,
上述多个第一槽的内部以及上述多个凹部的内部被上述第一布线或者上述第二布线填满。
21.根据权利要求16所述的发光装置,其中,
上述槽构造的上述底面由上述多个第一槽的集合构成,并且还具有分别沿与上述多个第一槽延伸的方向不同的方向延伸的多个第二槽。
22.根据权利要求21所述的发光装置,其中,
上述多个第一槽的内部以及上述多个第二槽的内部被上述第一布线或者上述第二布线填满。
23.根据权利要求13~22中的任意一项所述的发光装置,其中,
上述第一布线的表面以及上述第二布线的表面与上述封装的上述下表面大致匹配。
24.根据权利要求13~23中的任意一项所述的发光装置,其中,
上述第一电极中的在上述槽构造的内部露出的部分以及上述第二电极中的在上述槽构造的内部露出的部分具有台阶部。
25.根据权利要求13~24中的任意一项所述的发光装置,其中,
上述封装包括:
覆盖部件,覆盖除了上述第一电极的一部分以及上述第二电极的一部分之外的一个以上的上述发光元件;以及
树脂层,位于上述覆盖部件的、上述封装的上述下表面侧,并且具有开口,
上述槽构造是由上述树脂层的上述开口规定的构造,
上述第一布线的一部分以及上述第二布线的一部分位于上述树脂层的上述开口的内部。
26.根据权利要求13~25中的任意一项所述的发光装置,其中,
一个以上的上述发光元件包括:第一发光元件、以及第二发光元件,
上述第一发光元件以及上述第二发光元件通过上述第一布线以及上述第二布线串联电连接或者并联电连接。
27.根据权利要求13~26中的任意一项所述的发光装置,其中,
上述发光装置包括:包含第一发光模块以及第二发光模块的多个上述发光模块的一维或者二维的排列,
上述第一发光模块侧的发光元件以及上述第二发光模块侧的发光元件通过上述第一布线以及上述第二布线串联电连接或者并联电连接。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114447200A (zh) * 2022-01-18 2022-05-06 Tcl华星光电技术有限公司 显示面板及制作方法

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111599831A (zh) 2019-02-20 2020-08-28 日亚化学工业株式会社 显示装置以及其制造方法
US11362246B2 (en) * 2019-02-20 2022-06-14 Nichia Corporation Method of manufacturing display device with lateral wiring
JP7256946B2 (ja) * 2020-08-25 2023-04-13 日亜化学工業株式会社 発光モジュール
JP7174269B2 (ja) * 2020-08-25 2022-11-17 日亜化学工業株式会社 発光モジュール

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006060150A (ja) * 2004-08-24 2006-03-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd 配線基板の製造方法
JP2013115070A (ja) * 2011-11-25 2013-06-10 Fuji Mach Mfg Co Ltd 半導体パッケージ及びその製造方法
CN103730716A (zh) * 2012-10-12 2014-04-16 Lts有限公司 用激光制造内置天线的方法
JP2016086111A (ja) * 2014-10-28 2016-05-19 日亜化学工業株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法
CN106058006A (zh) * 2015-04-02 2016-10-26 日亚化学工业株式会社 发光装置及其制造方法
JP2018107258A (ja) * 2016-12-26 2018-07-05 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
US20180219134A1 (en) * 2015-07-28 2018-08-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Semiconductor element and method for production thereof

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL7401934A (nl) 1974-02-13 1975-08-15 Philips Nv Kleurentelevisiesysteem.
JP2001144035A (ja) 1999-11-12 2001-05-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置の製造方法および半導体装置
JP2001185845A (ja) 1999-12-15 2001-07-06 Internatl Business Mach Corp <Ibm> 電子部品の製造方法及び該電子部品
JP3660294B2 (ja) 2000-10-26 2005-06-15 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
US6720522B2 (en) 2000-10-26 2004-04-13 Kabushiki Kaisha Toshiba Apparatus and method for laser beam machining, and method for manufacturing semiconductor devices using laser beam machining
JP2005093945A (ja) 2003-09-19 2005-04-07 Ngk Spark Plug Co Ltd セラミック配線基板の製造方法
WO2011111847A1 (ja) 2010-03-08 2011-09-15 味の素株式会社 樹脂組成物
JP2012099768A (ja) 2010-11-05 2012-05-24 Ngk Spark Plug Co Ltd 配線基板の製造方法
TW201232703A (en) 2010-11-05 2012-08-01 Ngk Spark Plug Co Method of manufacturing wiring board
JP5443334B2 (ja) 2010-12-30 2014-03-19 株式会社エレメント電子 実装基板およびその製造方法
US20150249069A1 (en) * 2012-09-25 2015-09-03 Sharp Kabushiki Kaisha Display device and method for manufacturing display device
JP2015029031A (ja) 2013-07-02 2015-02-12 株式会社リコー 配線基板、及び配線基板の製造方法
JP6197418B2 (ja) 2013-07-05 2017-09-20 株式会社リコー 積層配線の形成方法、積層配線、及び電子素子
JP6119490B2 (ja) 2013-07-31 2017-04-26 ソニー株式会社 光源装置、および表示装置
JP2015057812A (ja) 2013-08-09 2015-03-26 太陽インキ製造株式会社 プリント配線基板の製造方法、それに用いられる積層体、積層フィルム、及び非硬化性樹脂組成物並びに前記製造方法により得られるプリント配線基板
JP2015050369A (ja) 2013-09-03 2015-03-16 京セラサーキットソリューションズ株式会社 印刷配線板及びその製造方法
CN106063393B (zh) 2015-02-16 2019-03-22 日本梅克特隆株式会社 柔性印刷布线板的制造方法
JP2017199834A (ja) 2016-04-28 2017-11-02 株式会社ジェイデバイス 半導体パッケージ及び半導体パッケージの製造方法
US11121299B2 (en) * 2018-10-31 2021-09-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor device and method

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006060150A (ja) * 2004-08-24 2006-03-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd 配線基板の製造方法
JP2013115070A (ja) * 2011-11-25 2013-06-10 Fuji Mach Mfg Co Ltd 半導体パッケージ及びその製造方法
CN103730716A (zh) * 2012-10-12 2014-04-16 Lts有限公司 用激光制造内置天线的方法
JP2014082747A (ja) * 2012-10-12 2014-05-08 Lts Co Ltd レーザを用いた内蔵型アンテナの製造方法
JP2016086111A (ja) * 2014-10-28 2016-05-19 日亜化学工業株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法
CN106058006A (zh) * 2015-04-02 2016-10-26 日亚化学工业株式会社 发光装置及其制造方法
US20180219134A1 (en) * 2015-07-28 2018-08-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Semiconductor element and method for production thereof
JP2018107258A (ja) * 2016-12-26 2018-07-05 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114447200A (zh) * 2022-01-18 2022-05-06 Tcl华星光电技术有限公司 显示面板及制作方法
CN114447200B (zh) * 2022-01-18 2023-12-29 Tcl华星光电技术有限公司 显示面板及制作方法

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Publication number Publication date
US11276807B2 (en) 2022-03-15
JP2020053480A (ja) 2020-04-02
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