JP7456858B2 - 発光モジュール - Google Patents
発光モジュール Download PDFInfo
- Publication number
- JP7456858B2 JP7456858B2 JP2020099415A JP2020099415A JP7456858B2 JP 7456858 B2 JP7456858 B2 JP 7456858B2 JP 2020099415 A JP2020099415 A JP 2020099415A JP 2020099415 A JP2020099415 A JP 2020099415A JP 7456858 B2 JP7456858 B2 JP 7456858B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- light emitting
- recess
- light source
- guide plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 83
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 38
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 31
- 238000005304 joining Methods 0.000 claims description 17
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 14
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 47
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 36
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 36
- 239000010408 film Substances 0.000 description 34
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 20
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 18
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 17
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 description 16
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 11
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 9
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 7
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 7
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 7
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 6
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 5
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 4
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 4
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 4
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 3
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 3
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 3
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 3
- 238000004382 potting Methods 0.000 description 3
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 3
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- 239000004954 Polyphthalamide Substances 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004283 SiO 4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 2
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 2
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 229920006375 polyphtalamide Polymers 0.000 description 2
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 2
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 2
- 239000012463 white pigment Substances 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N zinc oxide Inorganic materials [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102100032047 Alsin Human genes 0.000 description 1
- 101710187109 Alsin Proteins 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XPIIDKFHGDPTIY-UHFFFAOYSA-N F.F.F.P Chemical compound F.F.F.P XPIIDKFHGDPTIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003202 NH4 Inorganic materials 0.000 description 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N aluminum;oxygen(2-);yttrium(3+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Y+3] JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000012215 calcium aluminium silicate Nutrition 0.000 description 1
- 239000000404 calcium aluminium silicate Substances 0.000 description 1
- WNCYAPRTYDMSFP-UHFFFAOYSA-N calcium aluminosilicate Chemical compound [Al+3].[Al+3].[Ca+2].[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O WNCYAPRTYDMSFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940078583 calcium aluminosilicate Drugs 0.000 description 1
- 229910052800 carbon group element Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- GTDCAOYDHVNFCP-UHFFFAOYSA-N chloro(trihydroxy)silane Chemical compound O[Si](O)(O)Cl GTDCAOYDHVNFCP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 229910021480 group 4 element Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012815 thermoplastic material Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 229920006305 unsaturated polyester Polymers 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910019901 yttrium aluminum garnet Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Planar Illumination Modules (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Description
本開示は、発光モジュールに関する。
発光ダイオード等の発光素子を用いた発光装置は、液晶ディスプレイのバックライトやディスプレイ等の各種の光源として広く利用されている。
例えば、特許文献１に開示される光源装置は、実装基板に実装される複数の発光素子と、複数の発光素子のそれぞれを封止する半球状のレンズ部材とその上に配置された発光素子からの光が入射される拡散部材を備える。
例えば、特許文献１に開示される光源装置は、実装基板に実装される複数の発光素子と、複数の発光素子のそれぞれを封止する半球状のレンズ部材とその上に配置された発光素子からの光が入射される拡散部材を備える。
しかしながら、特許文献１のような光源装置では、実装基板と拡散板との間の距離をレンズ部材の厚みよりも大きくする必要があり、十分な薄型化が達成できない可能性がある。
そこで、本開示は、薄型化が可能な、導光板と発光素子とを備える発光モジュールを提供することを目的とする。
本開示にかかる発光モジュールの製造方法は、以下の構成を備える。
第１主面と、第１主面の反対側の第２主面を有する導光板と、第２主面側に配置される光源部材であって、主発光面と主発光面の反対側に位置する電極形成面と主発光面と電極形成面との間の側面とを有する発光素子と、発光素子の主発光面及び側面を覆う波長変換部材と、を備える複数の光源部材と、光源部材及び導光板の前記第２主面を覆う封止部材と、を備え、導光板は第２主面に位置する複数の第１凹部を有し、断面視において発光素子の側面の少なくとも一部が第１凹部内に位置するように配置される、発光モジュール。
第１主面と、第１主面の反対側の第２主面を有する導光板と、第２主面側に配置される光源部材であって、主発光面と主発光面の反対側に位置する電極形成面と主発光面と電極形成面との間の側面とを有する発光素子と、発光素子の主発光面及び側面を覆う波長変換部材と、を備える複数の光源部材と、光源部材及び導光板の前記第２主面を覆う封止部材と、を備え、導光板は第２主面に位置する複数の第１凹部を有し、断面視において発光素子の側面の少なくとも一部が第１凹部内に位置するように配置される、発光モジュール。
これにより、薄型化が可能な、導光板と発光素子とを備える発光モジュールを提供することができる。
以下、図面に基づいて本発明を詳細に説明する。なお、以下の説明では、必要に応じて特定の方向や位置を示す用語（例えば、「上」、「下」、及びそれらの用語を含む別の用語）を用いるが、それらの用語の使用は図面を参照した発明の理解を容易にするためであって、それらの用語の意味によって本発明の技術的範囲が制限されるものではない。また、複数の図面に表れる同一符号の部分は同一もしくは同等の部分又は部材を示す。また、各部材は、例えば硬化の前後において、また、切断の前後等において、状態や形状等が異なる場合であっても同じ名称を用いるものとする。
さらに以下に示す実施形態は、本発明の技術思想を具体化するための発光モジュールを例示するものであって、本発明を以下に限定するものではない。また、以下に記載されている構成部品の寸法、材質、形状、その相対的配置等は、特定的な記載がない限り、本発明の範囲をそれのみに限定する趣旨ではなく、例示することを意図したものである。また、一の実施の形態、実施例において説明する内容は、他の実施の形態、実施例にも適用可能である。また、図面が示す部材の大きさや位置関係等は、説明を明確にするため、誇張していることがある。
実施形態１
本実施形態１の発光モジュールの構成を主として図１Ａ～図１Ｄに示す。
図１Ａは、本実施形態１にかかる発光モジュール１００の模式平面図である。図１Ｂは、本実施形態１にかかる発光モジュール１００を示す一部拡大模式断面図であり、ここでは、図１Ａに示す領域Ｓに示すＩＢ（ＩＢ）線における断面図を示す。図１Ｃは、図１Ｂの１つの光源部材２０と第２凹部１２２を含む部分を拡大した図であり、図１Ｄは、１つの光源部材２０を拡大した図である。
本実施形態１の発光モジュールの構成を主として図１Ａ～図１Ｄに示す。
図１Ａは、本実施形態１にかかる発光モジュール１００の模式平面図である。図１Ｂは、本実施形態１にかかる発光モジュール１００を示す一部拡大模式断面図であり、ここでは、図１Ａに示す領域Ｓに示すＩＢ（ＩＢ）線における断面図を示す。図１Ｃは、図１Ｂの１つの光源部材２０と第２凹部１２２を含む部分を拡大した図であり、図１Ｄは、１つの光源部材２０を拡大した図である。
発光モジュール１００は、導光板１０と、導光板１０に接合された複数の光源部材２０と、封止部材５０と、を備える。導光板１０は、光取り出し面となる第１主面１１と、第１主面１１と反対側の第２主面１２と、を備える。導光板１０は第２主面１２にマトリクス状に配置される複数の第１凹部１２１を備えている。光源部材２０は、発光素子２１と波長変換部材２６と、を備える。複数の光源部材２０は、導光板１０の第２主面１２の第１凹部１２１の底面１２１ａの上に、接合部材４０によって接合されている。封止部材５０は、光源部材２０と導光板１０の第２主面１２と覆うように配置される。
光源部材２０は、断面視において、発光素子２１の側面２１ｃの少なくとも一部が第１凹部１２１内に位置するように配置される。換言すると、光源部材２０は、断面視において発光素子２１の主発光面２１ａが、第１凹部１２１の周りの第２主面１２より下側に位置するように配置される。
発光素子２１の主発光面２１ａから出射される光は、発光素子２１の主発光面２１ａを覆う波長変換部材２６に照射される。そして、光源部材２０からの光は、発光素子２１からの光と波長変換部材２６からの混色光として、第１凹部１２１の底面１２１ａから導光板１０内に入射される。
発光素子２１の側面２１ｃから出射される光は、発光素子２１の側面２１ｃを覆う波長変換部材２６に照射される。そして、光源部材２０からの光は、発光素子２１からの光と波長変換部材２６からの光の混色光として、第１凹部１２１の側面１２１ｂから導光板１０内に入射される。
発光素子２１の少なくとも一部が導光板１０の第１凹部１２１内に位置することで、光源部材２０から出射される光を、導光板１０内において効率よく側方に広げやすくすることができる。そのため、導光板１０の第１主面１１の全面の輝度ムラの少ない面発光が可能な発光モジュールとすることができる。
断面視において、発光素子２１の側面２１ｃと第１凹部１２１の側面１２１ｂとが対向する長さＴｏは、発光素子２１の側面２１ｃの長さＴｃ（主発光面２１ａと電極形成面２１ｂとの距離）の２０％～１００％が好ましく、５０％～１００％とすることがより好ましい。
また、発光素子２１が、素子基板２２ｓを備える半導体積層体２２を備える場合は、断面視において、素子基板２２ｓの側面の長さの２０％～１００％が、第１凹部１２１の側面１２１ｂと対向することが好ましく、さらに、５０％～１００％がより好ましい。
発光モジュールを構成する各部材について、以下に詳述する。
［導光板１０］
図２Ａは、図１Ａに示す導光板１０の一部分である領域Ｓを拡大した図であり、それぞれ第１主面１１、第２主面１２及びＩＢ（ＩＢ）線における断面図を示す。図２Ｂは、図２Ａの断面図を拡大して示す断面図である。導光板１０は、光源部材２０からの光が入射され、面状の発光を行う透光性の板状部材である。導光板１０は、光取り出し面となる第１主面１１と、第１主面１１と反対側の第２主面１２と、を備える。第１主面１１には光源部材２０が配置される第１凹部１２１を備える。
図２Ａは、図１Ａに示す導光板１０の一部分である領域Ｓを拡大した図であり、それぞれ第１主面１１、第２主面１２及びＩＢ（ＩＢ）線における断面図を示す。図２Ｂは、図２Ａの断面図を拡大して示す断面図である。導光板１０は、光源部材２０からの光が入射され、面状の発光を行う透光性の板状部材である。導光板１０は、光取り出し面となる第１主面１１と、第１主面１１と反対側の第２主面１２と、を備える。第１主面１１には光源部材２０が配置される第１凹部１２１を備える。
導光板１０が平面視形状が四角形の場合、平面視における大きさは、例えば、一辺が１ｃｍ～２００ｃｍ程度とすることができ、３ｃｍ～３０ｃｍ程度が好ましい。また、導光板１０の厚みは０．１ｍｍ～５ｍｍ程度とすることができ、０．５ｍｍ～３ｍｍが好ましい。尚、ここでの「厚み」とは、例えば、第１主面１１や第２主面１２に凹部や凸部等がある場合は、それらがないものと仮定した場合の厚みを指すものとする。
導光板１０の平面形状は例えば、略矩形や略円形等とすることができる。
導光板１０の平面形状は例えば、略矩形や略円形等とすることができる。
導光板１０の材料としては、アクリル、ポリカーボネート、環状ポリオレフィン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエステル等の熱可塑性樹脂、エポキシ、シリコーン等の熱硬化性樹脂等の樹脂材料やガラスなどの光学的に透明な材料を用いることができる。特に、熱可塑性の樹脂材料は、射出成型によって効率よく製造することができるため、好ましい。なかでも、透明性が高く、安価なポリカーボネートが好ましい。導光板１０に光源部材２０を接合した後に配線基板を貼りつける工程を備える場合は、半田リフローのような高温がかかる工程を省略できるため、ポリカーボネートのような熱可塑性であり耐熱性の低い材料であっても用いることができる。
導光板１０は単層で形成されていてもよく、複数の透光性の層が積層されて形成されていてもよい。複数の透光性の層が積層されている場合には、任意の層間に屈折率の異なる層、例えば空気の層等を設けてもよい。これにより、光をより拡散させやすくなり、輝度ムラを低減した発光モジュールとすることができる。
（第１凹部：光源部材配置部）
導光板１０は、第２主面１２側に、第１凹部１２１を備える。第１凹部１２１は、光源部材２０が配置される部分である。
導光板１０は、第２主面１２側に、第１凹部１２１を備える。第１凹部１２１は、光源部材２０が配置される部分である。
複数の第１凹部１２１は、導光板１０の平面視において、二次元に配列される。好ましくは、複数の第１凹部１２１は、直交する二方向、つまり、ｘ方向（横方向）およびｙ方向（縦方向）に沿って二次元的に配列される。図１Ａに示すように、第１凹部１２１のｘ方向の配列ピッチとｙ方向の配列ピッチは、同じであってもよいし、異なっていてもよい。また、配列の二方向は、直交していなくてもよい。また、ｘ方向またはｙ方向の配列ピッチは等間隔に限られず、不等間隔であってもよい。例えば、導光板１０の中央から周辺に向かって間隔が広くなるように第１凹部１２１が配列されていてもよい。
第１凹部１２１の平面視における大きさ（開口部の面積）は、光源部材２０の平面視形状と略同じか、それよりも大きいことが好ましい。例えば、第１凹部１２１の開口部の平面視における大きさは、光源部材２０の平面視における面積に対して、１００％～２００％とすることができる。
第１凹部１２１の開口部の平面視形状は、例えば、略矩形、略円形とすることができる。第１凹部１２１の開口部の平面視形状は、第１凹部１２１の配列ピッチ（最も近接した２つの第１凹部１２１の中心（光軸）間の距離）等に応じて調整することができる。例えば、第１凹部１２１の配列ピッチが略均等である場合には、略円形または略正方形が好ましい。なかでも、略円形とすることで、光源部材２０からの光を良好に広げることができる。
例えば、第１凹部１２１の開口部の平面視形状が四角形の場合であって、発光素子２１が平面視において縦および横の寸法が１０００μｍ以下程度であり、発光素子２１の側面２１ｃを覆う波長変換部材２６の厚みが０．１ｍｍ～５ｍｍ程度の場合、第１凹部１２１間の配列ピッチは、例えば、０．５ｍｍ～５０ｍｍ程度とすることができ、３ｍｍ～３０ｍｍ程度が好ましい。
第１凹部１２１の底面１２１ａの平面視形状は、開口部の平面視形状と同じとすることが好ましい。ただし、これに限らず、第１凹部１２１の底面１２１ａの平面視形状を、開口部の平面視形状と異なる形状としてもよい。また、第１凹部１２１の底面１２１ａは、開口部と同じ大きさ、又は、開口部よりも小さい大きさとすることができる。
第１凹部１２１の深さＴｒ１、すなわち、第１凹部１２１の底面１２１ａから開口部（第２主面）までの距離は、発光素子２１の側面２１ｃの少なくとも一部が第１凹部１２１内に位置することが可能な深さとすることが好ましい。換言すると、発光素子２１の側面２１ｃの側方に、第１凹部１２１の側面１２１ｂの少なくとも一部が位置することが好ましい。
また、第１凹部１２１内において、発光素子２１は、主発光面２１ａを覆う波長変換部材２６を介して第１凹部１２１の底面１２１ａ上に配置されている。そのため、発光素子２１の側面２１ｃが第１凹部１２１内に位置するためには、第１凹部１２１の深さＴｒ１は、発光素子２１の主発光面２１ａと第１凹部１２１の底面１２１ａとの間の波長変換部材２６の厚みよりも大きいことが好ましい。
波長変換部材２６と第１凹部１２１の底面１２１ａとの間に、透光性の接合部材４０が配置される場合は、第１凹部１２１の深さＴｒ１は、発光素子２１の主発光面２１ａと第１凹部１２１の底面１２１ａとの間の波長変換部材２６の厚みと接合部材４０の厚みの総和よりも大きいことが好ましい。
例えば、発光素子２１の側面２１ｃの長さ（主発光面２１ａと電極形成面２１ｂの間の距離）が５０μｍ～２００μｍ程度であり、波長変換部材２６の厚み、又は、波長変換部材２６の厚みと接合部材４０の厚みの総和が５０μｍ～６００μｍ程度の場合、第１凹部１２１の深さＴｒ１は、５０μｍ～５０００μｍとすることができ、１００μｍ～３５０μｍが好ましい。尚、導光板１０が後述の光学機能部１１１を備える場合、光学機能部１１１と第１凹部１２１の間の距離は、光学機能部１１１と凹部１２１が離間している範囲で適宜設定できる。
また、第１凹部１２１の側面１２１ｂは、第１凹部１２１の底面１２１ａに対して垂直又は傾斜した面とすることができる。側面１２１ｂの傾斜角度としては、底面１２１ａから４５度～９０度とすることができる。また、第１凹部１２１の側面１２１ｂは、断面視において直線又は曲線とすることができる。
（第２凹部：リフレクタ）
導光板１０は、第２主面１２に位置する第２凹部１２２を有することが好ましい。第２凹部１２２は、第１凹部１２１内に配置された光源部材２０からの光を、第１主面１１側に反射させるリフレクタとして機能させることができる。そのため、第２凹部１２２は、上面視において、光源部材２０が配置される１つの第１凹部１２１を囲むように配置されることが好ましい。
導光板１０は、第２主面１２に位置する第２凹部１２２を有することが好ましい。第２凹部１２２は、第１凹部１２１内に配置された光源部材２０からの光を、第１主面１１側に反射させるリフレクタとして機能させることができる。そのため、第２凹部１２２は、上面視において、光源部材２０が配置される１つの第１凹部１２１を囲むように配置されることが好ましい。
第２凹部１２２を光源部材２０が配置される１つの第１凹部１２１を囲むように配置する場合、例えば、第２凹部は導光板の第２主面を複数の領域に区分するように設けその区分された領域にそれぞれ第１凹部１２１を設けるようにしてもよい。この場合、上面視において、１つの第１凹部１２１を囲む第２凹部１２２の一部は、隣接する第１凹部１２１を囲む第２凹部１２２の一部を兼ねていてもよい。つまり、断面視において、第２凹部１２２の一部が２つの第１凹部１２１の間に位置し、その第２凹部１２２の一部が隣接する２つの第１凹部１２１に共有される。例えば、図２Ｂに示すように、第２凹部１２２の底部１２２ａを中心にして右側に位置する側面１２２ｂは、右側に位置する第１凹部１２１に配置される光源部材からの光を反射する。同様に、第２凹部１２２の底面１２２ａを中心にして左側に位置する側面１２２ｂは、左側に位置する第１凹部１２１に配置される光源部材からの光を反射する。
このように、１つの第１凹部１２１を囲む第２凹部１２２が、隣接する第１凹部１２１を囲む第２凹部１２２の一部としても機能するために、第２凹部１２２は、図２Ａに示すように、格子状の底部１２２ａとすることができる。
第２凹部１２２の側面１２２ｂは、断面視において直線又は曲面とすることができ、さらには、これらを組み合わせてもよい。また、第２凹部１２２の側面を曲面とする場合、その曲率は一定でもよく、また、位置によって任意の曲率を有することもできる。例えば、図１Ｃ等に示す第２凹部１２２は、第２主面１２と連続する部分において、緩やかに曲率が変化する曲面の側面１２２ｂを例示している。このような第２凹部１２２の場合、第２凹部１２２と第２主面１２との境界は明確に視認しにくい場合がある。
第２凹部１２２内には、導光板１０よりも低屈折率である低屈折率部材を配置することができる。低屈折率部材としては、例えば、空気、樹脂材料、ガラス材料を用いることができる。さらに、第２凹部１２２内に、光反射性部材を配置してもよい。光反射性部材としては、後述の封止部材５０と同様の光反射部材を用いることができる。また、封止部材５０の一部を第２凹部１２２内に配置することができる。
図１Ｃに示すように、第２凹部１２２の底部１２２ａの深さＴｒ２は、第１凹部１２１の深さＴｒ１と同じ程度とすることができる。また、光源部材２０の発光面２０ａの位置と同じ程度の位置に、第２凹部１２２の底部１２２ａが位置するようにすることができる。
（光学機能部）
導光板１０は、第１主面１１側に光学機能部１１１を備えていてもよい。光学機能部１１１は、例えば、光を導光板１０の面内で広げる機能を有することができる。
導光板１０は、第１主面１１側に光学機能部１１１を備えていてもよい。光学機能部１１１は、例えば、光を導光板１０の面内で広げる機能を有することができる。
光学機能部１１１は、それぞれの第１凹部１２１に対応する位置、つまり、第２主面１２側に配置された光源部材２０と反対側の位置に設けられることが好ましい。特に、光源部材２０の光軸と、光学機能部１１１の光軸とが略一致することが好ましい。例えば、光学機能部１１１の凹みが錐体又は錘台の場合は、その頂部又は中心軸が光源部材２０の光軸と略一致することが好ましい。また、光学機能部１１１の凹みが錐体台の場合は、頂部に相当する面が、光源部材２０の光軸上に位置することが好ましい。
光学機能部１１１としては、第１主面１１側に設けられた錐体状又は錐台体状の凹みとすることができる。具体的には、錐体状の凹みとしては、円錐や四角錐、六角錐等の多角錐形が挙げられ、錐台体状の凹みとしては、円錐台や四角錐台、六角錐台等の多角錐台形が挙げられる。光学機能部１１１の側面１１１ｂは、断面視において直線でもよく、曲線でもよい。
光学機能部１１１の平面視における開口部の大きさは、適宜設定することができる。光学機能部１１１の開口部の大きさは、例えば、第１凹部１２１の底面１２１ａの面積の１００％～３００％とすることができる。また、光学機能部１１１が錐体台状の凹みの場合、底面１１１ａ（錐体台の頂部に相当する面）の平面視における大きさは、例えば、光源部材２０の平面視における大きさの５０％～１００％とすることができ、あるいは、第１凹部１２１の底面１２１ａの面積の２０％～１００％とすることができる。図１Ａ～図１Ｄに示す光学機能部１１１は、第１主面１１において円形の開口部を備える円錐台状の凹部であり、開口の直径は光源部材２０よりも大きく、さらに第１凹部１２１よりも大きい例を示している。
光学機能部１１１として用いられる凹みには、図３Ａに示すように、導光板１０と屈折率の異なる材料（例えば空気、低屈折率部材１１２等）を配置することができる。また、図３Ｂに示すように、凹みの内面に、光源部材２０からの光を反射する第１反射部材１１３を配置してもよい。第１反射部材１１３は、例えば金属や、白色の樹脂材料、ＤＢＲ膜等を用いることができる。
［光源部材］
光源部材２０は、発光素子２１と波長変換部材２６とを備える。波長変換部材２６は、発光素子２１の主発光面２２ａ及び側面２２ｃを被覆する部材であり、主として樹脂材料と波長変換物質とを含む。
光源部材２０は、発光素子２１と波長変換部材２６とを備える。波長変換部材２６は、発光素子２１の主発光面２２ａ及び側面２２ｃを被覆する部材であり、主として樹脂材料と波長変換物質とを含む。
光源部材２０としては、あらかじめ図４Ａ～図４Ｃに示すような、発光素子２１と波長変換部材２６とを備える発光装置３０を光源部材２０として用いることができる。あるいは、導光板１０の第１凹部１２１内に、波長変換部材２６を配置し、その波長変換部材２６に発光素子２１を埋め込むようにして配置することで光源部材２０としてもよい。
発光装置３０としては、例えば、図４Ａ～図４Ｃに示すような構造とすることができる。いずれの発光装置も、発光素子２１の主発光面２１ａと側面２１ｃとを覆うように波長変換部材２６が配置されている点において共通している。
図４Ａに示す発光装置３０は、発光素子２１の主発光面２１ａと側面２１ｃとを覆う波長変換部材２６を備える。この場合、発光素子２１の電極形成面２１ｂは波長変換部材２６に覆われておらず、露出されている。一対の電極２４の底面及び側面も露出されている。電極形成面２１ｂは、発光モジュールの一部として組み込まれた後は、封止部材５０で覆われることになるため、発光装置３０の状態において外部に露出されていても問題ない。
図４Ｂに示す発光装置３０Ａは、発光素子２１の主発光面２１ａと側面２１ｃに加え、電極形成面２１ｂも覆うように波長変換部材２６が配置される。一対の電極２４の側面も、波長変換部材２６で覆われる。さらに、一対の電極２４の底面は、波長変換部材２６に覆われず、第１金属膜２５で覆われている。第１金属膜２５は、電極２４の大きさよりも大きい面積とすることができる。これにより、例えば、発光装置３０Ａの発光特性を検査し易くすることができる。そのため、発光モジュールの一部として発光装置を組み込む際に、発光装置の色度や輝度等を選別し易くなり、色ムラや輝度ムラの少ない発光モジュールとすることができる。
図４Ｃに示す発光装置３０Ｂは、発光素子２１の主発光面２１ａと側面２１ｃとを覆う波長変換部材２６を備える。電極形成面２１ｂ及び一対の電極２４の側面は、第２反射部材２７で覆われる。一対の電極２４の底面は、波長変換部材２６及び第２反射部材２７で覆われずに露出されている。そして、これらから露出された電極２４の底面は、第１金属膜２５で被覆されている。電極形成面２１ｂを、第２反射部材２７で被覆することで、電極２４で光が吸収されることを低減することができる。さらに、電極２４よりも大きい面積の第１金属膜２５を用いることで、図４Ｂに示す発光装置３０Ａと同様に、発光特性の検査がし易く、色ムラや輝度ムラの少ない発光モジュールを得やすくすることができる。
（発光素子）
発光素子２１は、公知の半導体発光素子を利用することができる。本実施形態１においては、発光素子２１として発光ダイオードを例示する。
発光素子２１は、公知の半導体発光素子を利用することができる。本実施形態１においては、発光素子２１として発光ダイオードを例示する。
発光素子２１は、例えば、サファイア等の透光性の素子基板２２ｓと、素子基板２２ｓの上に積層された半導体層とを備えた半導体積層体２２を備える。半導体積層体２２は、発光層２２ａと、発光層２２ａを挟むｎ型半導体層２２ｎおよびｐ型半導体層２２ｐとを含み、ｎ型半導体層２２ｎおよびｐ型半導体層２２ｐに、一対の電極２４としてｎ電極２４ｎおよびｐ電極２４ｐがそれぞれ電気的に接続される。発光素子２１は、例えば素子基板２２ｓを含む主発光面２２ａが導光板１０の第１凹部１２１の底面１２１ａと対向するように配置される。
発光素子２１は、任意の波長の光を出射する素子を選択することができる。例えば、青色、緑色の光を出射する素子としては、窒化物系半導体（ＩｎｘＡｌｙＧａ１－ｘ－ｙＮ、０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１）を用いた発光素子を用いることができる。半導体積層体の材料およびその混晶度によって発光波長を種々選択することができる。用いる発光素子の組成、発光色、大きさ、個数などは、目的に応じて適宜選択すればよい。発光素子２１は、波長変換部材を効率良く励起できる短波長の光を出射することが可能な窒化物半導体（ＩｎｘＡｌｙＧａ１－ｘ－ｙＮ、０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１）を備えることが好ましい。
発光素子２１の形状は、正方形、長方形等の四角形や、三角形、六角形等の多角形とすることができる。発光素子２１の大きさは、例えば、平面視において縦および横の寸法が１０００μｍ以下とすることが好ましく、より好ましくは縦および横の寸法が５００μｍ以下であり、さらに好ましくは、縦および横の寸法が２００μｍ以下である。このような発光素子を用いると、液晶ディスプレイ装置のローカルディミングを行った際に、高精細な映像を実現することができる。
（波長変換部材）
波長変換部材２６は、発光素子２１から出射される光の波長を、異なる波長の光に変換する蛍光体等の波長変換物質を含む。例えば、波長変換部材２６は、単層又は複数層とすることができる。
波長変換部材２６は、発光素子２１から出射される光の波長を、異なる波長の光に変換する蛍光体等の波長変換物質を含む。例えば、波長変換部材２６は、単層又は複数層とすることができる。
波長変換部材２６は、母材として透光性材料と、波長変換物質として粒子状の蛍光体と、を含む。
透光性材料は、少なくとも発光素子２１からの光を透過させる透光性であり、発光素子２１から出射される光の６０％以上を透過し、好ましくは９０％以上を透過する。波長変換部材２６の材料としては、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂等の透光性の熱硬化性の樹脂材料等を用いることができる。
蛍光体としては、例えば、イットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体（例えばＹ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ）、ルテチウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体（例えばＬｕ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ）、テルビウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体（例えばＴｂ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ）系蛍光体、シリケート系蛍光体（例えば（Ｂａ，Ｓｒ）２ＳｉＯ４：Ｅｕ）、クロロシリケート系蛍光体（例えばＣａ８Ｍｇ（ＳｉＯ４）４Ｃｌ２：Ｅｕ）が挙げられる。さらに、窒化物系蛍光体として、βサイアロン系蛍光体（例えばＳｉ６－ｚＡｌｚＯｚＮ８－ｚ：Ｅｕ（０＜ｚ＜４．２））、αサイアロン系蛍光体（例えばＭｚ（Ｓｉ，Ａｌ）１２（Ｏ，Ｎ）１６（但し、０＜ｚ≦２であり、ＭはＬｉ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｙ、及びＬａとＣｅを除くランタニド元素）、窒素含有アルミノ珪酸カルシウム（ＣＡＳＮ又はＳＣＡＳＮ）系蛍光体（例えば（Ｓｒ，Ｃａ）ＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ）などが挙げられる。一般式（Ｉ）ＭａｘＭｂｙＡｌ３Ｎｚ：Ｅｕで表される蛍光体（ただし、上記一般式（I））中、Ｍａは、Ｃａ、Ｓｒ及びＢａからなる群から選択される少なくとも１種の元素であり、Ｍｂは、Ｌｉ、Ｎａ及びＫからなる群から選択される少なくとも１種の元素であり、ｘ、ｙ及びｚはそれぞれ、０．５≦ｘ≦１．５、０．５≦ｙ≦１．２、及び３．５≦ｚ≦４．５を満たす）、が挙げられる。さらに、ＳＧＳ系蛍光体（例えばＳｒＧａ２Ｓ４：Ｅｕ）が挙げられる。このほか、マンガン賦
活フッ化物系蛍光体（一般式（ＩＩ）Ａ２［Ｍ１－ａＭｎａＦ６］で表される蛍光体（但し、上記一般式（ＩＩ）中、Ａは、Ｋ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｒｂ、Ｃｓ及びＮＨ４からなる群から選ばれる少なくとも１種であり、Ｍは、第４族元素及び第１４族元素からなる群から選ばれる少なくとも１種の元素であり、ａは０＜ａ＜０．２を満たす））が挙げられる。このマンガン賦活フッ化物系蛍光体の代表例としては、マンガン賦活フッ化珪酸カリウムの蛍光体（例えばＫＳＦ（Ｋ２ＳｉＦ６：Ｍｎ））がある。
活フッ化物系蛍光体（一般式（ＩＩ）Ａ２［Ｍ１－ａＭｎａＦ６］で表される蛍光体（但し、上記一般式（ＩＩ）中、Ａは、Ｋ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｒｂ、Ｃｓ及びＮＨ４からなる群から選ばれる少なくとも１種であり、Ｍは、第４族元素及び第１４族元素からなる群から選ばれる少なくとも１種の元素であり、ａは０＜ａ＜０．２を満たす））が挙げられる。このマンガン賦活フッ化物系蛍光体の代表例としては、マンガン賦活フッ化珪酸カリウムの蛍光体（例えばＫＳＦ（Ｋ２ＳｉＦ６：Ｍｎ））がある。
１つの波長変換部材に、１種類又は複数種類の蛍光体を含むことができる。複数種類の蛍光体は、混合させて用いてもよく、あるいは積層させて用いてもよい。例えば、青色系の光を出射する発光素子２１を用い、蛍光体として緑色系の発光をするβサイアロン蛍光体と赤色系の発光をするＫＳＦ蛍光体等のフッ化物系蛍光体とを含むことができる。このような２種類の蛍光体を用いることで、発光モジュールの色再現範囲を広げることができる。また、蛍光体は量子ドットであってもよい。
蛍光体は、波長変換部材の内部においてどのように配置されていてもよい。例えば、蛍光体は、波長変換部材の内部において略均一に分布していてもよく、一部に偏在してもよい。
波長変換部材は、光拡散物質を含んでいてもよい。光拡散物質としては、例えばＳｉＯ２、ＴｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＺｎＯ等の微粒子が挙げられる。
図４Ａ～図４Ｃに示す発光装置において、発光素子２１の主発光面２１ａを覆う波長変換部材２６の厚みは、３０μｍ～５０μｍとすることができる。また、発光素子２１の側面２１ｃを覆う波長変換部材２６の厚みは、１０μｍ～１０００μｍとすることができる。発光素子２１の主発光面２１ａを覆う波長変換部材２６の厚みと、発光素子２１の側面２１ｃを覆う波長変換部材２６の厚みは、同じとすることが好ましい。ただし、これに限らず、異なる厚みであってもよい。
図４Ｂに示す発光装置３０Ａにおいて、発光素子２１の電極形成面２１ｂを覆う波長変換部材２６の厚みは、５μｍ～５０μｍ程度とすることができる。また、発光素子２１の電極形成面２１ｂを覆う波長変換部材２６の厚みを、一対の電極２４の厚みと同程度とすることができる。
光源部材２０として発光装置３０を用いずに、導光板１０の第１凹部１２１に波長変換部材２６を配置する場合における波長変換部材２６について説明する。
図５に示すように、波長変換部材２６は、発光素子２１の主発光面２１ａと、第１凹部１２１の底面１２１ａとに挟まれた領域の全てに配置されることが好ましい。さらに、波長変換部材２６は、第１凹部１２１の底面１２１ａの全体を覆うように配置されることが好ましい。発光素子２１の側面２１ｃと、第１凹部１２１の側面１２１ｂとに挟まれた領域の全てに配置されることが好ましい。
（第２反射部材）
光源部材２０として、図４Ｃに示すような発光装置３０Ｂを用いる場合、発光素子２１の電極形成面２２ｂ及び一対の電極２４の側面を覆う第２反射部材２７を備える。第２反射部材２７の厚みは、例えば、５μｍ～２００μｍ程度とすることができる。また、第２反射部材２７は、一対の電極２４の高さと同じ程度とすることができる。
光源部材２０として、図４Ｃに示すような発光装置３０Ｂを用いる場合、発光素子２１の電極形成面２２ｂ及び一対の電極２４の側面を覆う第２反射部材２７を備える。第２反射部材２７の厚みは、例えば、５μｍ～２００μｍ程度とすることができる。また、第２反射部材２７は、一対の電極２４の高さと同じ程度とすることができる。
第２反射部材２７は、発光素子２１から出射される光に対して６０％以上の反射率を有し、好ましくは９０％以上の反射率を有する。第２反射部材２７の材料は、白色の顔料等を含有させた樹脂材料であることが好ましい。特に、酸化チタンを含有させたシリコーン樹脂が好ましい。
（第１金属膜）
光源部材２０として、図４Ｂ、図４Ｃに示すような発光装置３０Ａ、３０Ｂを用いる場合、すなわち、発光素子２１の電極形成面２１ｂが波長変換部材２６や第２反射部材２７で被覆されている場合、発光装置３０Ａ、３０Ｂは、一対の電極２４と電気的に接続され、一対の電極２４の底面をそれぞれ被覆する金属膜２５を備えていてもよい。金属膜２５の材料は、例えば、Ｃｕ／Ｎｉ／Ａｕの順に積層させた積層構造とすることができる。金属膜２５は、一対の電極２４の側面を被覆する第２反射部材２７や波長変換部材２６と、電極２４とを連続して覆うように配置されていてもよい。
光源部材２０として、図４Ｂ、図４Ｃに示すような発光装置３０Ａ、３０Ｂを用いる場合、すなわち、発光素子２１の電極形成面２１ｂが波長変換部材２６や第２反射部材２７で被覆されている場合、発光装置３０Ａ、３０Ｂは、一対の電極２４と電気的に接続され、一対の電極２４の底面をそれぞれ被覆する金属膜２５を備えていてもよい。金属膜２５の材料は、例えば、Ｃｕ／Ｎｉ／Ａｕの順に積層させた積層構造とすることができる。金属膜２５は、一対の電極２４の側面を被覆する第２反射部材２７や波長変換部材２６と、電極２４とを連続して覆うように配置されていてもよい。
［接合部材］
光源部材２０として、図４Ａ～図４Ｃに示す発光装置を用いる場合、発光装置と導光板１０とは、透光性の接合部材４０によって接合される。接合部材４０は、光源部材２０である発光装置３０から出射される光を導光板１０に伝播させる役割を有する。接合部材４０は、導光板１０の第２主面１２側の第１凹部１２１の底面１２１ａと発光装置３０との間に配置される。さらに、発光装置３０と第１凹部１２１の側面１２１ｂとの間に配置される。さらに、接合部材４０は、導光板１０の第２主面１２にまで延在されていてもよい。
光源部材２０として、図４Ａ～図４Ｃに示す発光装置を用いる場合、発光装置と導光板１０とは、透光性の接合部材４０によって接合される。接合部材４０は、光源部材２０である発光装置３０から出射される光を導光板１０に伝播させる役割を有する。接合部材４０は、導光板１０の第２主面１２側の第１凹部１２１の底面１２１ａと発光装置３０との間に配置される。さらに、発光装置３０と第１凹部１２１の側面１２１ｂとの間に配置される。さらに、接合部材４０は、導光板１０の第２主面１２にまで延在されていてもよい。
接合部材４０は、透光性であり、光源部材２０（発光装置３０）から出射される光の６０％以上を透過し、好ましくは９０％以上を透過する。また、接合部材４０は、導光板１０の材料と同程度の屈折率を有する材料が好ましい。例えば、母材の材料として、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、これらを混合した樹脂、または、ガラスなどの透光性材料を用いることができる。接続部材４０の耐光性および成形容易性の観点からは、接合部材４０の母材としてシリコーン樹脂を選択すると有益である。
［封止部材５０］
封止部材５０は、複数の光源部材２０と導光板１０の第２主面１２とを被覆する光反射性の部材である。封止部材５０を光反射性部材とすることで、光源部材２０からの発光を導光板１０に効率よく取り入れることができる。
封止部材５０は、複数の光源部材２０と導光板１０の第２主面１２とを被覆する光反射性の部材である。封止部材５０を光反射性部材とすることで、光源部材２０からの発光を導光板１０に効率よく取り入れることができる。
封止部材５０は、光源部材２０から出射される光に対して６０％以上の反射率を有し、好ましくは９０％以上の反射率を有する。封止部材５０の材料は、白色の顔料等を含有させた樹脂材料であることが好ましい。特に、酸化チタンを含有させたシリコーン樹脂が好ましい。これにより、導光板１０の一面を被覆するために比較的大量に用いられる材料として酸化チタンのような安価な原材料を多く用いることで、発光モジュール１００を安価にすることができる。
［第２金属膜］
発光モジュール１００には、封止部材５０の上に、複数の光源部材２０の電極２４と電気的に接続される第２金属膜６０が設けられていてもよい。第２金属膜６０は、封止部材５０の上に配置されていてもよい。光源部材２０として、図４Ｂ、図４Ｃに示すような、第１金属膜２５を備える発光装置を用いる場合は、第２金属膜６０は、第１金属膜２５と電気的に接続するように配置してもよい。また、第１金属膜２５を備える発光装置を用いる場合であっても、工程内において第１金属膜２５を除去した後、電極２４と接するように第２金属膜６０を形成してもよい。第２金属膜６０の材料は、例えば、Ｃｕ／Ｎｉ／Ａｕの順に積層させた積層構造とすることができる。
発光モジュール１００には、封止部材５０の上に、複数の光源部材２０の電極２４と電気的に接続される第２金属膜６０が設けられていてもよい。第２金属膜６０は、封止部材５０の上に配置されていてもよい。光源部材２０として、図４Ｂ、図４Ｃに示すような、第１金属膜２５を備える発光装置を用いる場合は、第２金属膜６０は、第１金属膜２５と電気的に接続するように配置してもよい。また、第１金属膜２５を備える発光装置を用いる場合であっても、工程内において第１金属膜２５を除去した後、電極２４と接するように第２金属膜６０を形成してもよい。第２金属膜６０の材料は、例えば、Ｃｕ／Ｎｉ／Ａｕの順に積層させた積層構造とすることができる。
［配線基板］
発光モジュール１００は、図１Ｂに示すように、配線基板７０を有していてもよい。配線基板７０は、絶縁性の基材７１と、複数の光源部材２０と電気的に接続される配線７２等を備える基板である。配線基板７０を備えることで、ローカルディミング等に必要な複雑な配線を容易に形成することができる。この配線基板７０は、光源部材２０を導光板１０に接続し、封止部材５０及び第２金属膜６０を形成した後に、別途準備した配線基板７０の配線７２と、第２金属膜６０とを、接合することができる。
発光モジュール１００は、図１Ｂに示すように、配線基板７０を有していてもよい。配線基板７０は、絶縁性の基材７１と、複数の光源部材２０と電気的に接続される配線７２等を備える基板である。配線基板７０を備えることで、ローカルディミング等に必要な複雑な配線を容易に形成することができる。この配線基板７０は、光源部材２０を導光板１０に接続し、封止部材５０及び第２金属膜６０を形成した後に、別途準備した配線基板７０の配線７２と、第２金属膜６０とを、接合することができる。
配線基板７０は、例えば、絶縁性の基材７１に設けられた複数のビアホール内に充填された導電性部材と、基材７１の両面側において導電性部材と電気的に接続された配線７２と、を備える。
配線基板７０は、積層構造を有していてもよい。例えば、配線基板７０として、表面に絶縁層が設けられた金属板を用いてもよい。また、配線基板７０は複数のＴＦＴ（Ｔｈｉｎ－Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を有するＴＦＴ基板であってもよい。
配線基板７０の基材７１の材料としては、例えば、セラミックス又は樹脂を用いることができる。低コストおよび成形容易性の点から、樹脂を基材７１の材料として選択してもよい。樹脂としては、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ＢＴレジン、ポリフタルアミド（ＰＰＡ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、不飽和ポリエステル、ガラスエポキシ等の複合材料等を挙げることができる。また、リジッド基板であってもよく、フレキシブル基板であってもよい。
配線７２は、例えば、基材７１上に設けられた導電箔（導体層）であり、複数の光源部材２０と電気的に接続される。配線７２の材料は、高い熱伝導性を有していることが好ましい。このような材料として、例えば銅などの導電材料が挙げられる。また、配線７２は、メッキや導電性ペーストの塗布、印刷などで形成することができ、配線６２の厚みは、例えば、５～５０μｍ程度である。
配線基板７０は、どのような方法で導光板１０等と接合されていてもよい。例えば、シート状の接着シートを、導光板１０の反対側に設けられた封止部材５０の表面と、配線基板７０の表面との間に配置し、圧着することで、接合することができる。また、配線基板７０の配線７２と光源部材２０との電気的接続はどのような方法で行われてもよい。例えば、ビアホール内に埋め込んだ金属である導電性部材を加圧と加熱により溶かして第２金属膜６０と接合することができる。
このような発光モジュールの製造方法の一例として、以下の工程を挙げることができる。
（１）発光素子と、発光素子の主発光面と側面とを覆う波長変換部材を備えた光源部材を準備する工程
（２）光取り出し面となる第１主面と、第１主面と反対側の第２主面であって、複数の凹部を備える第２主面を備える導光板を準備する工程
（３）凹部の側面と発光素子の側面とが、少なくとも対向するように、凹部の底面上に光源部材を載置する工程
（４）光源部材と第２主面を被覆する封止部材を配置する工程
（１）発光素子と、発光素子の主発光面と側面とを覆う波長変換部材を備えた光源部材を準備する工程
（２）光取り出し面となる第１主面と、第１主面と反対側の第２主面であって、複数の凹部を備える第２主面を備える導光板を準備する工程
（３）凹部の側面と発光素子の側面とが、少なくとも対向するように、凹部の底面上に光源部材を載置する工程
（４）光源部材と第２主面を被覆する封止部材を配置する工程
発光モジュール１００の製造方法の各工程について、以下に詳述する。
（１）発光素子と波長変換部材とを備えた光源部材（発光装置）を準備する工程
光源部材２０は、例えば、図６Ａ～図６Ｄ、図７Ａ、図７Ｂに示す工程で製造することができる。まず、図６Ａに示すように、複数の発光素子２１を、一対の電極を下にして支持体８０上に配置する。そして、発光素子２１を埋めるように、波長変換部材２６を形成する。波長変換部材２６は、例えば、硬化前の波長変換部材２６を支持体８０上に配置し、スキージ８１等を用いて印刷した後、硬化する方法で形成することができる。
また、波長変換部材２６は、図７Ａに示すように、硬化前の波長変換部材２６を、スプレーノズル８３を用いてスプレーし、図７Ｂに示すように発光素子２１を埋めるように形成した後、硬化する方法で形成することができる。
次に、図６Ｃに示すように、ダイサー等の切断刃８２を用いて波長変換部材２６を切断し、光源部材２０となる発光装置３０を得ることができる。
（２）発光面となる第１主面と、第１主面と反対側の第２主面であって、複数の凹部を備える第２主面を備える導光板を準備する工程
導光板１０を準備する。図８Ａに示すように、導光板１０の第２主面１２に開口部の形状が略四角形の第１凹部１２１を複数備える。さらに、第２主面１２には、隣接する第１凹部１２１の間に、第２凹部１２２を備える。第２凹部１２２は、図２Ａに示すように、上面視において第１凹部１２１を取り囲むように配置されている。第２主面１２の反対側の第１主面１１には、円錐台形の窪みである光学機能部１１１を備える。
このような導光板１０は、例えば、射出成型やトランスファモールド、熱転写等で成形することにより準備することができる。また、導光板１０の第１凹部１２１、第２凹部１２２や、光学機能部１１１は、導光板１０の成形時に一括して金型で形成することができる。これにより、成形時の位置ずれを低減することができる。また、第１凹部１２１、第２凹部１２２、光学機能部１１１を有しない板を準備し、加工することで導光板１０を準備してもよい。あるいは、第１凹部１２１、第２凹部１２２、光学機能部１１１を備えた導光板１０を、購入して準備してもよい。
（３）第１凹部の側面と発光素子の側面とが、少なくとも対向するように、凹部の底面上に光源部材（発光装置）を載置する工程
次に、図８Ｂに示すように、第１凹部１２１の底面１２１ａ上に、液状の接合部材４０を配置する。接合部材４０は、ポッティング、転写、印刷等の方法で塗布することができる。図８Ｂでは、ディスペンスノズル８４を用いてポッティングすることで接合部材４０を配置する場合を例示している。また、接合部材４０は、発光装置３０側に設けてもよい。例えば、吸着コレット等の吸着部材で発光装置３０をピックアップし、液状の接合部材４０に発光装置３０の発光面を浸漬して接合部材４０を付着させる等の方法を用いてもよい。
次に、図８Ｂに示すように、第１凹部１２１の底面１２１ａ上に、液状の接合部材４０を配置する。接合部材４０は、ポッティング、転写、印刷等の方法で塗布することができる。図８Ｂでは、ディスペンスノズル８４を用いてポッティングすることで接合部材４０を配置する場合を例示している。また、接合部材４０は、発光装置３０側に設けてもよい。例えば、吸着コレット等の吸着部材で発光装置３０をピックアップし、液状の接合部材４０に発光装置３０の発光面を浸漬して接合部材４０を付着させる等の方法を用いてもよい。
次に、図８Ｃに示すように、第１凹部１２１内の接合部材４０上に、発光装置３０を載置する。このとき、電極２４を上にして発光装置３０を載置する。このとき、発光装置３０の発光素子２１の側面の少なくとも一部が、第１凹部１２１の側面と対向するようにする。すなわち、接合部材４０に発光装置３０の一部を埋め込むように配置する。その後、接合部材４０を硬化させることで、発光装置３０と導光板１０とを接合する。
（４）光源部材と第２主面を被覆する封止部材を配置する工程
次に、図８Ｄに示すように、導光板１０の第２主面１２と複数の発光装置３０とを被覆する封止部材５０を形成する。封止部材５０は、例えばトランスファモールド、ポッティング、印刷、スプレー等の方法で形成することができる。図８Ｄでは、ディスペンスノズル８４を用いて、発光装置３２０の電極２４も被覆するように封止部材５０を厚く形成する例を示している。尚、電極２４を埋めないように、換言すると、少なくとも電極２４の一部が露出するように封止部材５０を形成してもよい。
次に、図８Ｄに示すように、導光板１０の第２主面１２と複数の発光装置３０とを被覆する封止部材５０を形成する。封止部材５０は、例えばトランスファモールド、ポッティング、印刷、スプレー等の方法で形成することができる。図８Ｄでは、ディスペンスノズル８４を用いて、発光装置３２０の電極２４も被覆するように封止部材５０を厚く形成する例を示している。尚、電極２４を埋めないように、換言すると、少なくとも電極２４の一部が露出するように封止部材５０を形成してもよい。
（５）電極が露出するまで封止部材を除去する工程
次に、図８Ｅに示すように、封止部材５０の表面を全面にわたって除去する。これにより、図８Ｇに示すように、封止部材５０から発光装置３０の電極２４を露出させる。研削の方法としては、砥石等の研削部材９０を用いて封止部材５０を面状に研削する方法が挙げられる。あるいは、図８Ｆに示すように、ブラストノズル９１を用いて、硬質の粒子９２を吐出して、封止部材５０の一部を除去してもよい。
次に、図８Ｅに示すように、封止部材５０の表面を全面にわたって除去する。これにより、図８Ｇに示すように、封止部材５０から発光装置３０の電極２４を露出させる。研削の方法としては、砥石等の研削部材９０を用いて封止部材５０を面状に研削する方法が挙げられる。あるいは、図８Ｆに示すように、ブラストノズル９１を用いて、硬質の粒子９２を吐出して、封止部材５０の一部を除去してもよい。
また、発光装置３０が電極２４に接続される第１金属膜２５を備える場合は、第１金属膜２５が露出されるまで封止部材５０を除去してもよい。いずれの場合も、光源部材２０の発光素子２１に給電することが可能な導電部材が露出されるまで、封止部材５０を除去する。また、あらかじめ電極２４を埋めないように封止部材５０を形成する場合は、この工程を省略することができる。
（６）複数の発光素子と電気的に接続する金属膜を形成する工程
次に、図８Ｈに示すように、発光装置３０の電極２４と封止部材５０上の略全面に、第２金属膜６０を形成する。第２金属膜６０としては、例えば、導光板１０側からＣｕ／Ｎｉ／Ａｕの順に積層させた積層構造とすることができる。第２金属膜６０の形成方法としては、スパッタ、メッキ等が挙げられ、スパッタで形成することが好ましい。
次に、図８Ｈに示すように、発光装置３０の電極２４と封止部材５０上の略全面に、第２金属膜６０を形成する。第２金属膜６０としては、例えば、導光板１０側からＣｕ／Ｎｉ／Ａｕの順に積層させた積層構造とすることができる。第２金属膜６０の形成方法としては、スパッタ、メッキ等が挙げられ、スパッタで形成することが好ましい。
次に、図８Ｉに示すように、レーザ光源９３からのレーザ光９４を第２金属膜６０に照射し、照射した部分の第２金属膜６０を除去するレーザアブレーションによってパターニングする。これにより、図８Ｊに示すような、分離された第２金属膜６０を形成する。第２金属膜６０は、発光装置３０の電極２４と電気的に接続されている。
このようにして、発光モジュール１００Ａを得ることができる。さらに、第２金属膜６０と、別途準備した配線基板７０の配線７２とを接着することもでき、これにより図１Ｂに示すような配線基板７０を備えた発光モジュール１００を得ることができる。
複数の光源部材２０は、それぞれが独立で駆動するように配線することができる。また、導光板１０を複数の範囲に分割し、１つの範囲内に実装された複数の発光装置３０を１つのグループとし、１つのグループ内の複数の発光装置３０同士を直列又は並列に電気的に接続することで同じ回路に接続し、このような発光装置（光源部材）グループを複数備えるようにしてもよい。このようなグループ分けを行うことで、ローカルディミング可能な発光モジュールとすることができる。
実施形態２
次に、本発明に係る実施形態２の発光モジュール１００Ｂについて図９Ａ～図９Ｃを参照しながら説明する。図９Ａは、発光モジュール１００Ｂの断面図であり、図９Ｂは、図９Ａの断面図における1つの光源部材及びその近傍を拡大して示す断面図であり、図９Ｃは、光源部材１２０の構成を示す断面図である。
次に、本発明に係る実施形態２の発光モジュール１００Ｂについて図９Ａ～図９Ｃを参照しながら説明する。図９Ａは、発光モジュール１００Ｂの断面図であり、図９Ｂは、図９Ａの断面図における1つの光源部材及びその近傍を拡大して示す断面図であり、図９Ｃは、光源部材１２０の構成を示す断面図である。
実施形態２の発光モジュール１００Ｂは、図９Ａ～図９Ｃに示すように、光源部材１２０の構成が実施形態１と異なる以外は実施形態１と同様に構成される。ここで、図９Ａ～図９Ｃにおいて、実施形態１で説明した部材と同様の部材については同様の符号を付して示し、同様の部材についての具体的な説明は省略する。
以下、実施形態２の発光モジュール１００Ｂについて、実施形態１と異なる部分について説明する。
以下、実施形態２の発光モジュール１００Ｂについて、実施形態１と異なる部分について説明する。
実施形態２の発光モジュール１００Ｂにおいて、光源部材１２０は、波長変換部材１２６の上面に設けられた光拡散導光部材１２７を有している。光拡散導光部材１２７は、光拡散物質を含む透光性部材であり、波長変換部材１２６の上面から出射された光を横方向に拡散して出射させる。
図９Ｃに示す例では、波長変換部材１２６の上面には第３凹部１２６ｒが形成され、光拡散導光部材１２７は、第３凹部１２６ｒの内部と第３凹部１２６ｒの周りの波長変換部材１２６の上面に設けられている。ここで、図９Ｃに示す例において、波長変換部材１２６の上面とは、第３凹部１２６ｒの内面と第３凹部１２６ｒの周りの波長変換部材１２６の上面を含む。また、図９Ｃ等では、第３凹部１２６ｒの大きさを発光素子２１の主発光面２１ａと同じ大きさに描いているが、本発明はこれに限定されるものではなく、第３凹部１２６ｒの平面視形状は主発光面２１ａより大きくてもよいし、小さくてもよい。
実施形態２の発光モジュール１００Ｂにおいて、光拡散導光部材１２７は、実施形態１で説明した光学機能部１１１と同様、光を導光板１０の面内で広げる機能を有する。光拡散導光部材１２７は、光拡散導光部材１２７の中心軸が発光素子２１の主発光面の中心軸に一致するように設けられていることが好ましく、これにより光を導光板１０の面内に均一に、言い換えれば当該面内において、光を特定の方向に偏ることなく広げることができる。
光拡散導光部材１２７は、波長変換部材１２６の上面から出射される光を吸収することなく出射させることが好ましく、例えば、波長変換部材１２６の上面から出射される光の６０％以上を透過し、好ましくは９０％以上を透過する。光拡散導光部材１２７は、上述した透光性と光拡散性を備えるために、例えば、光拡散導光部材１２７は、発光素子２１及び波長変換部材１２６によって波長変換された光を、例えば、６０％以上を透過し、好ましくは９０％以上を透過する透光性材料により構成される母材である透光性部材に、上記光を吸収することなく反射させる光拡散物質を含有させてなる。
透光性部材を構成する透光性材料としては、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂等の透光性の熱硬化性の樹脂材料等を用いることができる。光拡散物質としては、例えばＳｉＯ２、ＴｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＺｎＯ等の微粒子が挙げられる。
光拡散導光部材１２７において、透光性部材に含有させる光拡散物質の割合は、発光モジュール１００Ｂに要求される特性に基づき、光拡散物質として用いる材料の光反射性、粒径及び粒度分布、導光板１０の形状等に考慮して適宜設定される。
以上のように構成される発光モジュール１００Ｂでは、光学機能部を用いることなく、発光素子２１及び波長変換部材１２６により波長変換された光を導光板１０の面内に均一に広げることができる。
したがって、実施形態２の発光モジュール１００Ｂによれば、光学機能部を用いることなく、導光板１０の主発光面１１から色むら及び輝度むらの少ない光を出射させることができる。
したがって、実施形態２の発光モジュール１００Ｂによれば、光学機能部を用いることなく、導光板１０の主発光面１１から色むら及び輝度むらの少ない光を出射させることができる。
また、実施形態２の発光モジュール１００Ｂによれば、光源部材１２０から導光板１０の面内に均一に光を広げて出射させることができるので、光学機能部を用いることなく導光板１０の主発光面１１から色むら及び輝度むらの少ない光を出射させることができ、薄型の面発光光源を提供することが可能になる。
また、実施形態２の発光モジュール１００Ｂでは、光拡散導光部材１２７を含む光源部材１２０に加えてさらに、導光板１０に光学機能部を設けてもよい。
以上の実施形態２の発光モジュール１００Ｂは、光源部材１２０を作製する工程において光拡散導光部材１２７を形成する工程を含む以外は実施形態１の発光モジュール１００Ａと同様の方法により製造することができる。
実施形態２において、光源部材１２０は、例えば、以下のようにして作製する。
実施形態１で参照した図６Ａに示すように、複数の発光素子２１を、一対の電極を下にして支持体８０上に配置する。
そして、発光素子２１を埋めるように、未硬化の波長変換部材１２６を形成する。
次に、硬化前の波長変換部材１２６の上面のそれぞれ発光素子２１に対向する位置に、例えば、金型を用いて第３凹部１２６ｒを形成する。第３凹部１２６ｒの形状を維持した状態で波長変換部材１２６を硬化する。
次に、光拡散物質を含む未硬化の透光性樹脂材料を、第３凹部１２６ｒをそれぞれ埋めるように硬化させた波長変換部材１２６の上面に形成する。
そして、透光性樹脂材料を硬化させることにより、波長変換部材１２６上に一体となった光反射性導光部材層を形成する。
次に、図６Ｃを参照しながら説明したように、ダイサー等の切断刃８２を用いて切断する。以上のようにして、光源部材１２０を得ることができる。
実施形態１で参照した図６Ａに示すように、複数の発光素子２１を、一対の電極を下にして支持体８０上に配置する。
そして、発光素子２１を埋めるように、未硬化の波長変換部材１２６を形成する。
次に、硬化前の波長変換部材１２６の上面のそれぞれ発光素子２１に対向する位置に、例えば、金型を用いて第３凹部１２６ｒを形成する。第３凹部１２６ｒの形状を維持した状態で波長変換部材１２６を硬化する。
次に、光拡散物質を含む未硬化の透光性樹脂材料を、第３凹部１２６ｒをそれぞれ埋めるように硬化させた波長変換部材１２６の上面に形成する。
そして、透光性樹脂材料を硬化させることにより、波長変換部材１２６上に一体となった光反射性導光部材層を形成する。
次に、図６Ｃを参照しながら説明したように、ダイサー等の切断刃８２を用いて切断する。以上のようにして、光源部材１２０を得ることができる。
実施形態２の変形例１
実施形態２の発光モジュール１００Ｂでは、図９Ｃに示す光源部材１２０を用いた例により説明した。しかしながら、実施形態２の発光モジュール１００Ｂは、図１０Ａに示す光源部材１２０ａを用いて構成してもよい。この図１０Ａに示す光源部材１２０ａは、図９Ｃに示す第３凹部１２６ｒを備えた波長変換部材１２６に代えて、第３凹部１２６ｒを備えていない波長変換部材１２６ａを含み、波長変換部材１２６ａの平坦な上面に厚さがほぼ一定の光拡散導光部材１２７ａを有している点が図９Ｃに示す光源部材１２０とは異なっている。
実施形態２の発光モジュール１００Ｂでは、図９Ｃに示す光源部材１２０を用いた例により説明した。しかしながら、実施形態２の発光モジュール１００Ｂは、図１０Ａに示す光源部材１２０ａを用いて構成してもよい。この図１０Ａに示す光源部材１２０ａは、図９Ｃに示す第３凹部１２６ｒを備えた波長変換部材１２６に代えて、第３凹部１２６ｒを備えていない波長変換部材１２６ａを含み、波長変換部材１２６ａの平坦な上面に厚さがほぼ一定の光拡散導光部材１２７ａを有している点が図９Ｃに示す光源部材１２０とは異なっている。
実施形態２の発光モジュール１００Ｂは、以上のように構成された光源部材１２０ａを用いて構成することもできる。
実施形態２の変形例２
実施形態２の発光モジュール１００Ｂでは、図９Ｃに示す光源部材１２０を用いた例により説明した。しかしながら、実施形態２の発光モジュール１００Ｂは、図１０Ｂに示す光源部材１２０ｂを用いて構成してもよい。この図１０Ｂに示す光源部材１２０ｂは、図９Ｃに示す第３凹部１２６ｒを備えた波長変換部材１２６を有している点では図９Ｃと同じであるが、図１０Ｂに示す光源部材１２０ｂでは第３凹部１２６ｒの内部のみに光拡散導光部材１２７ｂが設けられている点で図９Ｃに示す光源部材１２０とは異なっている。
実施形態２の発光モジュール１００Ｂでは、図９Ｃに示す光源部材１２０を用いた例により説明した。しかしながら、実施形態２の発光モジュール１００Ｂは、図１０Ｂに示す光源部材１２０ｂを用いて構成してもよい。この図１０Ｂに示す光源部材１２０ｂは、図９Ｃに示す第３凹部１２６ｒを備えた波長変換部材１２６を有している点では図９Ｃと同じであるが、図１０Ｂに示す光源部材１２０ｂでは第３凹部１２６ｒの内部のみに光拡散導光部材１２７ｂが設けられている点で図９Ｃに示す光源部材１２０とは異なっている。
実施形態２の発光モジュール１００Ｂは、以上のように構成された光源部材１２０ｂを用いて構成することもできる。
以上変形例１及び２で説明したように、光源部材において、光拡散導光部材は、波長変換部材の上面に種々の形態で形成することができる。図９Ｃ、図１０Ａ及び図１０Ｂに例示した以外であっても、例えば、第３凹部を錐体又は錘台形状に形成して、その内部のみ又はその内部からその周りに延在するように光拡散導光部材を形成するようにしてもよい。
さらに第３凹部は、四角錐、六角錐等の多角錐形であってもよい。
さらに第３凹部は、四角錐、六角錐等の多角錐形であってもよい。
実施形態２の変形例３
実施形態２の発光モジュール１００Ｂは、図１１Ａに示す光源部材１２０ｃを用いて構成してもよい。この図１１Ａに示す光源部材１２０ｃは、図１０Ｂに示す光源部材１２０ｂとは波長変換部材１２６ｃの側面が傾斜している点で異なっている。光源部材１２０ｃは、波長変換部材１２６ｃの側面が傾斜している点を除いて図１０Ｂに示す光源部材１２０ｂと同様である。
実施形態２の発光モジュール１００Ｂは、図１１Ａに示す光源部材１２０ｃを用いて構成してもよい。この図１１Ａに示す光源部材１２０ｃは、図１０Ｂに示す光源部材１２０ｂとは波長変換部材１２６ｃの側面が傾斜している点で異なっている。光源部材１２０ｃは、波長変換部材１２６ｃの側面が傾斜している点を除いて図１０Ｂに示す光源部材１２０ｂと同様である。
より具体的には、発光素子２１の電極形成面付近で発光素子２１の側面を覆う波長変換部材１２６ｃの厚さがほぼゼロになっており、発光素子２１の電極形成面から主発光面２１ａに向かって徐々に厚さが大きくなっている。
また、図１１Ｂは、図１１Ａに示す光源部材１２０ｃを実装したときの発光モジュールの断面の一部を拡大して示す断面図である。
また、図１１Ｂは、図１１Ａに示す光源部材１２０ｃを実装したときの発光モジュールの断面の一部を拡大して示す断面図である。
以上のように構成された変形例３の光源部材１２０ｃを含んで構成された発光モジュールは、光源部材１２０ｃにおいて波長変換部材１２６ｃの側面が傾斜していることから、光学部材１２０ｃの側面の面積が、傾斜していな場合に比して大きくすることができる。これにより、導光板１０に出射される光を多くすることができ、発光モジュールの輝度を高くすることができる。
本実施形態の発光モジュール１００及びは、１つが１つの液晶ディスプレイ装置のバックライトとして用いられてもよい。また、複数の発光モジュール１００が並べられて１つの液晶ディスプレイ装置のバックライトとして用いられてもよい。
１つの発光モジュール１００は１つの配線基板７０に接合されてもよい。また、複数の発光モジュール１００が、１つの配線基板７０に接合されてもよい。これにより、外部との電気的な接続端子（例えばコネクタ）を集約できる（つまり、発光モジュール１つごとに用意する必要がない）ため、液晶ディスプレイ装置の構造を簡易にすることができる。
また、この複数の発光モジュール１００が接合された１つの配線基板７０を複数並べて一つの液晶ディスプレイ装置のバックライトとしてもよい。この時、例えば、複数の配線基板７０をフレーム等に載置し、それぞれコネクタ等を用いて外部の電源と接続することができる。
本開示に係る発光モジュールは、例えば、液晶ディスプレイ装置のバックライトとして利用することができる。
１００、１００Ｂ…発光モジュール
１０…導光板
１１…第１主面（光取り出し面）
１１１…光学機能部
１１１ａ…光学機能部の底面
１１１ｂ…光学機能部の側面
１１２…低屈折率部材
１１３…第１反射部材
１２…第２主面
１２１…第１凹部
１２１ａ…第１凹部の底面
１２１ｂ…第１凹部の側面
１２２…第２凹部
１２２ａ…第２凹部の底部
１２２ｂ…第２凹部の側面
２０、１２０、１２０ａ、１２０ｂ、１２０ｃ…光源部材
２０ａ…光源部材の発光面
２０ｂ…光源部材の電極形成面
２０ｃ…光源部材の側面
２１…発光素子
２１ａ…主発光面
２１ｂ…電極形成面
２１ｃ…側面
２２…半導体積層体
２２ｐ…ｐ型半導体層
２２ｎ…ｎ型半導体層
２２ａ…発光層
２２ｓ…素子基板
２４…電極
２４ｐ…ｐ電極
２４ｎ…ｎ電極
２５…第１金属膜
２６、１２６、１２６ａ、１２６ｃ…波長変換部材
２７…第２反射部材
３０、３０Ａ、３０Ｂ…発光装置
４０…接合部材
５０…封止部材
６０…第２金属膜
７０…配線基板
７１…基材
７２…配線
８０…支持体
８１…スキージ
８２…切断刃
８３…スプレーノズル
８４…ディスペンスノズル
９０…研削部材
９１…ブラストノズル
９２…粒子
９３…レーザ光源
９４…レーザ光
１２６ｒ…第３凹部
１２７、１２７ａ、１２７ｂ…光拡散導光部材
１０…導光板
１１…第１主面（光取り出し面）
１１１…光学機能部
１１１ａ…光学機能部の底面
１１１ｂ…光学機能部の側面
１１２…低屈折率部材
１１３…第１反射部材
１２…第２主面
１２１…第１凹部
１２１ａ…第１凹部の底面
１２１ｂ…第１凹部の側面
１２２…第２凹部
１２２ａ…第２凹部の底部
１２２ｂ…第２凹部の側面
２０、１２０、１２０ａ、１２０ｂ、１２０ｃ…光源部材
２０ａ…光源部材の発光面
２０ｂ…光源部材の電極形成面
２０ｃ…光源部材の側面
２１…発光素子
２１ａ…主発光面
２１ｂ…電極形成面
２１ｃ…側面
２２…半導体積層体
２２ｐ…ｐ型半導体層
２２ｎ…ｎ型半導体層
２２ａ…発光層
２２ｓ…素子基板
２４…電極
２４ｐ…ｐ電極
２４ｎ…ｎ電極
２５…第１金属膜
２６、１２６、１２６ａ、１２６ｃ…波長変換部材
２７…第２反射部材
３０、３０Ａ、３０Ｂ…発光装置
４０…接合部材
５０…封止部材
６０…第２金属膜
７０…配線基板
７１…基材
７２…配線
８０…支持体
８１…スキージ
８２…切断刃
８３…スプレーノズル
８４…ディスペンスノズル
９０…研削部材
９１…ブラストノズル
９２…粒子
９３…レーザ光源
９４…レーザ光
１２６ｒ…第３凹部
１２７、１２７ａ、１２７ｂ…光拡散導光部材
Claims (10)
- 第１主面と、前記第１主面の反対側であって第１凹部を備える第２主面と、を有する導光板と、
前記第２主面側に配置される光源部材であって、主発光面と前記主発光面の反対側に位置する電極形成面と前記主発光面と前記電極形成面との間の側面とを有する発光素子と、前記発光素子の前記主発光面及び前記側面を覆う波長変換部材と、を備える複数の光源部材と、
前記光源部材及び前記導光板の前記第２主面を覆う封止部材と、を備え、
前記光源部材は、前記第１凹部の底面と前記光源部材との間及び前記第１凹部の側面と前記光源部材と間に配置された接合部材によって前記導光板と接合され、
前記導光板は、前記第２主面に前記第１凹部を囲む第２凹部を有する、発光モジュール。 - 前記第１凹部の深さは、前記発光素子の前記主発光面と前記第１凹部の前記底面との間の前記波長変換部材の厚みと、前記第１凹部の前記底面と前記波長変換部材との間の前記接合部材の厚みと、の総和よりも大きい、請求項１に記載の発光モジュール。
- 前記発光素子は、素子基板を備える半導体積層体を備え、断面視において前記素子基板の側面の長さの２０％以上が前記第１凹部の前記側面と対向する、請求項１又は請求項２に記載の発光モジュール。
- 前記発光素子は、素子基板を備える半導体積層体を備え、断面視において前記素子基板の側面の長さの５０％以上が前記第１凹部の前記側面と対向する、請求項１又は請求項２に記載の発光モジュール。
- 前記第２凹部内に、前記導光板よりも屈折率の低い低屈折率部材が配置されている、請求項１～請求項４のいずれか１項に記載の発光モジュール。
- 前記導光板は、前記第１主面に位置し、前記第１凹部に対応する位置に配置される光学機能部を備える、請求項１～請求項５のいずれか１項に記載の発光モジュール。
- 前記光学機能部は、第１反射部材を備える、請求項６に記載の発光モジュール。
- 前記光学機能部は、前記発光素子の発光面に向かって断面積が小さくなる錐体または錘台形状の凹部である請求項６又は請求項７に記載の発光モジュール。
- 前記光源部材は、前記発光素子の前記電極形成面を覆う第２反射部材を備える、請求項１～請求項８のいずれか１項に記載の発光モジュール。
- 前記接合部材は前記第２主面に延在している、請求項１～請求項９のいずれか１項に記載の発光モジュール。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2018246836 | 2018-12-28 | ||
| JP2018246836 | 2018-12-28 | ||
| JP2019207695A JP6717421B1 (ja) | 2018-12-28 | 2019-11-18 | 発光モジュール |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2019207695A Division JP6717421B1 (ja) | 2018-12-28 | 2019-11-18 | 発光モジュール |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2020150278A JP2020150278A (ja) | 2020-09-17 |
| JP7456858B2 true JP7456858B2 (ja) | 2024-03-27 |
Family
ID=71131604
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2019207695A Active JP6717421B1 (ja) | 2018-12-28 | 2019-11-18 | 発光モジュール |
| JP2020099415A Active JP7456858B2 (ja) | 2018-12-28 | 2020-06-08 | 発光モジュール |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2019207695A Active JP6717421B1 (ja) | 2018-12-28 | 2019-11-18 | 発光モジュール |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (2) | JP6717421B1 (ja) |
| CN (2) | CN212303701U (ja) |
| TW (1) | TWI744756B (ja) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6717421B1 (ja) * | 2018-12-28 | 2020-07-01 | 日亜化学工業株式会社 | 発光モジュール |
| CN113363367A (zh) | 2020-03-06 | 2021-09-07 | 隆达电子股份有限公司 | 发光二极管结构 |
| JP7266175B2 (ja) * | 2020-07-21 | 2023-04-28 | 日亜化学工業株式会社 | 発光モジュールおよび面状光源 |
| TWI786715B (zh) | 2020-07-21 | 2022-12-11 | 日商日亞化學工業股份有限公司 | 發光模組及面狀光源 |
| JP7174269B2 (ja) * | 2020-08-25 | 2022-11-17 | 日亜化学工業株式会社 | 発光モジュール |
| JP7256946B2 (ja) * | 2020-08-25 | 2023-04-13 | 日亜化学工業株式会社 | 発光モジュール |
| JP7484075B2 (ja) | 2020-08-31 | 2024-05-16 | 日亜化学工業株式会社 | 発光モジュールの製造方法 |
| TWI807401B (zh) | 2020-08-31 | 2023-07-01 | 日商日亞化學工業股份有限公司 | 發光模組之製造方法 |
| JP7239840B2 (ja) | 2020-08-31 | 2023-03-15 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
| JP7311796B2 (ja) * | 2020-09-29 | 2023-07-20 | 日亜化学工業株式会社 | 面発光光源及びその製造方法 |
| CN114335304A (zh) | 2020-09-29 | 2022-04-12 | 日亚化学工业株式会社 | 面发光光源以及其制造方法 |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005136420A (ja) | 2003-10-31 | 2005-05-26 | Lumileds Lighting Us Llc | 発光効率が高い発光デバイス |
| JP2007329114A (ja) | 2006-05-12 | 2007-12-20 | Sharp Corp | 導光板およびそれを備えた面状発光装置 |
| JP2008305642A (ja) | 2007-06-06 | 2008-12-18 | Sony Corp | 発光装置、面光源装置及び画像表示装置 |
| JP2009289701A (ja) | 2008-05-30 | 2009-12-10 | Sharp Corp | 照明装置、面光源装置、および液晶表示装置 |
| JP2012146942A (ja) | 2010-12-24 | 2012-08-02 | Citizen Holdings Co Ltd | 半導体発光装置及びその製造方法 |
| JP2012248672A (ja) | 2011-05-27 | 2012-12-13 | Citizen Holdings Co Ltd | 半導体発光素子の製造方法 |
| JP2014157989A (ja) | 2013-02-18 | 2014-08-28 | Toshiba Corp | 半導体発光装置及びその製造方法 |
| JP2018101521A (ja) | 2016-12-20 | 2018-06-28 | オムロン株式会社 | 導光板、面光源装置、表示装置及び電子機器 |
| JP2018133304A (ja) | 2017-02-17 | 2018-08-23 | 日亜化学工業株式会社 | 発光モジュールの製造方法及び発光モジュール |
Family Cites Families (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4106876B2 (ja) * | 2001-03-30 | 2008-06-25 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
| JP2004171966A (ja) * | 2002-11-21 | 2004-06-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 面照明装置 |
| JP2007059164A (ja) * | 2005-08-23 | 2007-03-08 | Fujifilm Corp | 導光板、これを用いる面状照明装置および液晶表示装置 |
| JP4600257B2 (ja) * | 2005-11-25 | 2010-12-15 | ソニー株式会社 | 導光板、バックライト装置とその製造方法及び液晶表示装置 |
| JP2010008837A (ja) * | 2008-06-30 | 2010-01-14 | Hitachi Displays Ltd | 液晶表示装置 |
| JP2010092777A (ja) * | 2008-10-09 | 2010-04-22 | Citizen Electronics Co Ltd | 面状ライトユニット及び表示装置 |
| CN102216672A (zh) * | 2008-11-20 | 2011-10-12 | 夏普株式会社 | 照明装置、显示装置和电视接收装置 |
| US20120013811A1 (en) * | 2009-04-03 | 2012-01-19 | Sharp Kabushiki Kaisha | Lighting device, display device and television receiver |
| TW201224334A (en) * | 2010-12-07 | 2012-06-16 | Ind Tech Res Inst | Flexible light source module |
| JP5535114B2 (ja) * | 2011-03-25 | 2014-07-02 | 株式会社東芝 | 発光装置、発光モジュール、発光装置の製造方法 |
| TW201526292A (zh) * | 2013-12-17 | 2015-07-01 | Lextar Electronics Corp | 發光二極體封裝結構及其製造方法 |
| TWI522695B (zh) * | 2014-03-06 | 2016-02-21 | Epoch Chemtronics Corp | Side light type light emitting module structure |
| TWI555051B (zh) * | 2015-07-14 | 2016-10-21 | 達方電子股份有限公司 | 發光模組及發光鍵盤 |
| JP6217711B2 (ja) * | 2015-08-21 | 2017-10-25 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
| JP6955135B2 (ja) * | 2016-10-19 | 2021-10-27 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
| KR102354871B1 (ko) * | 2016-12-21 | 2022-01-21 | 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 | 발광 장치의 제조 방법 |
| JP6597657B2 (ja) * | 2017-01-24 | 2019-10-30 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
| US20180335559A1 (en) * | 2017-05-17 | 2018-11-22 | Seohan Litek Co., Ltd. | Backlight unit and luminous flux control member for local dimming |
| JP6717421B1 (ja) * | 2018-12-28 | 2020-07-01 | 日亜化学工業株式会社 | 発光モジュール |
-
2019
- 2019-11-18 JP JP2019207695A patent/JP6717421B1/ja active Active
- 2019-12-26 TW TW108147818A patent/TWI744756B/zh active
- 2019-12-27 CN CN201922429334.1U patent/CN212303701U/zh active Active
- 2019-12-27 CN CN201911376463.7A patent/CN111384226B/zh active Active
-
2020
- 2020-06-08 JP JP2020099415A patent/JP7456858B2/ja active Active
Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005136420A (ja) | 2003-10-31 | 2005-05-26 | Lumileds Lighting Us Llc | 発光効率が高い発光デバイス |
| JP2007329114A (ja) | 2006-05-12 | 2007-12-20 | Sharp Corp | 導光板およびそれを備えた面状発光装置 |
| JP2008305642A (ja) | 2007-06-06 | 2008-12-18 | Sony Corp | 発光装置、面光源装置及び画像表示装置 |
| JP2009289701A (ja) | 2008-05-30 | 2009-12-10 | Sharp Corp | 照明装置、面光源装置、および液晶表示装置 |
| JP2012146942A (ja) | 2010-12-24 | 2012-08-02 | Citizen Holdings Co Ltd | 半導体発光装置及びその製造方法 |
| JP2012248672A (ja) | 2011-05-27 | 2012-12-13 | Citizen Holdings Co Ltd | 半導体発光素子の製造方法 |
| JP2014157989A (ja) | 2013-02-18 | 2014-08-28 | Toshiba Corp | 半導体発光装置及びその製造方法 |
| JP2018101521A (ja) | 2016-12-20 | 2018-06-28 | オムロン株式会社 | 導光板、面光源装置、表示装置及び電子機器 |
| JP2018133304A (ja) | 2017-02-17 | 2018-08-23 | 日亜化学工業株式会社 | 発光モジュールの製造方法及び発光モジュール |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TWI744756B (zh) | 2021-11-01 |
| JP2020109745A (ja) | 2020-07-16 |
| CN212303701U (zh) | 2021-01-05 |
| JP2020150278A (ja) | 2020-09-17 |
| CN111384226B (zh) | 2024-03-15 |
| CN111384226A (zh) | 2020-07-07 |
| TW202037948A (zh) | 2020-10-16 |
| JP6717421B1 (ja) | 2020-07-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP7456858B2 (ja) | 発光モジュール | |
| JP7161117B2 (ja) | 発光モジュール | |
| US11073654B2 (en) | Light emitting module with recesses in light guide plate | |
| JP6790899B2 (ja) | 発光モジュールの製造方法及び発光モジュール | |
| US11616169B2 (en) | Light emitting module with concave surface light guide plate | |
| JP7007591B2 (ja) | 発光モジュール | |
| JP6912730B2 (ja) | 発光モジュールの製造方法 | |
| JP7108203B2 (ja) | 発光モジュールの製造方法 | |
| JP7116331B2 (ja) | 発光モジュールの製造方法及び発光モジュール | |
| JP2020096151A (ja) | 発光モジュール | |
| US11194089B2 (en) | Method for manufacturing light emitting module | |
| JP6963183B2 (ja) | 発光モジュールの製造方法 | |
| JP7208470B2 (ja) | 発光モジュールの製造方法及び発光モジュール | |
| US11536892B2 (en) | Method for manufacturing light-emitting module | |
| JP7111993B2 (ja) | 発光モジュールの製造方法 | |
| JP2021136119A (ja) | 発光モジュールの製造方法 | |
| JP7140987B2 (ja) | 発光モジュール及び発光モジュールの製造方法 | |
| US11581460B2 (en) | Light emitting module and method for manufacturing light emitting module | |
| JP7068594B2 (ja) | 発光モジュールの製造方法及び発光モジュール | |
| JP7121302B2 (ja) | 発光モジュールの製造方法 | |
| JP7116327B2 (ja) | 発光モジュールおよび発光モジュールの製造方法 | |
| JP6848942B2 (ja) | 発光モジュールの製造方法 | |
| JP2021131932A (ja) | 発光モジュールの製造方法及び発光モジュール |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200702 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20210628 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210803 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210910 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220208 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20220705 |
|
| C60 | Trial request (containing other claim documents, opposition documents) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C60 Effective date: 20220826 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20240314 |
|
| R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 7456858 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |