JP6955135B2 - 発光装置およびその製造方法 - Google Patents
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Description
光取り出し面と、前記光取り出し面の反対側にある電極形成面と、前記光取り出し面と前記電極形成面との間にある側面と、前記電極形成面に一対の電極を備える発光素子と、
前記発光素子の少なくとも一部と接して前記発光素子の側面を被覆し、前記一対の電極を露出させる反射部材と、
上面にレンズ部を有し、前記反射部材と接して前記発光素子及び前記反射部材を被覆する被覆部材と、を備え、
前記一対の電極が外部に露出する。
(2)本発明の一実施形態に係る発光装置は、
光取り出し面と、前記光取り出し面の反対側にある電極形成面と、前記光取り出し面と前記電極形成面との間にある側面と、前記電極形成面に一対の電極を備える発光素子と、
前記発光素子の少なくとも一部と接して前記発光素子の側面を被覆し、前記一対の電極を露出させる反射部材と、
上面にレンズ部を有し、前記反射部材と接して前記発光素子及び前記反射部材を被覆する被覆部材と、
前記一対の電極と電気的に接続され、下面が外部に露出する導電部材と、を備える。
(3)本発明の一実施形態に係る発光装置の製造方法は、
光取り出し面と、前記光取り出し面の反対側にある電極形成面と、前記光取り出し面と前記電極形成面との間にある側面と、前記電極形成面に一対の電極を備える発光素子を準備する工程と、
少なくとも1つのレンズ部と、前記レンズ部と反対側にある第1凹部と、を備える被覆部材を準備する工程と、
前記光取り出し面と前記第1凹部とを対向させて、前記発光素子を前記第1凹部の底面に載置する工程と、
前記発光素子の側面を被覆し、前記一対の電極を露出させるように、前記第1凹部内に反射部材を形成する工程と、
を含む。
(4)本発明の他の実施形態に係る発光装置の製造方法は、
光取り出し面と、前記光取り出し面の反対側にある電極形成面と、前記光取り出し面と前記電極形成面との間にある側面と、前記電極形成面に一対の電極を備える発光素子を準備する工程と、
波長変換部材を準備する工程と、
少なくとも1つのレンズ部と、前記レンズ部と反対側の面に第1凹部と、を備える被覆部材を準備する工程と、
前記波長変換部材と前記第1凹部とを対向させて、前記波長変換部材を前記第1凹部の底面に載置する工程と、
前記波長変換部材上に発光素子を載置する工程と、
前記発光素子の側面を被覆し、前記一対の電極を露出させるように、前記第1凹部内に反射部材を形成する工程と、
を含む。
図1Aは第1実施形態の発光装置1000の概略構造を示す上面図であり、図1Bは図1AのA−A線断面図である。発光装置1000は、光取り出し面101と、光取り出し面101の反対側にある電極形成面102と、光取り出し面101と電極形成面102との間にある側面103と、電極形成面102に一対の電極11、12を備える発光素子10と、発光素子10の少なくとも一部と接して発光素子の側面103を被覆し、一対の電極11、12を露出させる反射部材20と、上面にレンズ部401を有し、反射部材20と接して発光素子10及び反射部材20を被覆する被覆部材40と、を備え、発光素子10の一対の電極11、12が外部に露出する。また、発光素子10と被覆部材40とが第1透光部材30を介して接着されている。
発光素子は、窒化物半導体等から構成される既知の半導体発光素子を適用できる。発光素子の発光波長は、可視域(380〜780nm)を含め、紫外域から赤外域まで選択することができる。例えば、ピーク波長430〜490nmの発光素子としては、窒化物半導体を用いることができる。その窒化物半導体としては、InXAlYGa1−X−YN(0≦X、0≦Y、X+Y≦1)等を用いることができる。発光素子10は、透光性基板14と、半導体積層体13と、一対の電極11、12と、備える。
反射部材は発光素子からの光を反射する部材である。反射部材が発光素子の側面を被覆することで、発光素子から出射された横方向(X方向又はY方向)の光を反射部材で反射させることによって、発光素子の上方向(Z方向)へ進む光に変えることができる。これによって、発光素子から出射された光を発光素子の上方向に進む光の割合を増やすことができるので、発光装置の光取り出し効率が向上する。
第1透光部材は、発光素子10と被覆部材40とを接着する部材である。また、発光装置が後述する波長変換部材を備える場合は、第1透光部材は、発光素子10と波長変換部材とを接着する部材である。第1透光部材を備えることにより、発光素子10と被覆部材40を容易に接着することができる。第1透光部材30は、発光素子の光取り出し面101と被覆部材40の間のみに位置し発光素子10と被覆部材40を接着してもよいし、発光素子の光取り出し面101から発光素子の側面103まで被覆して発光素子10と被覆部材40を接着してもよい。第1透光部材30が発光素子の光取り出し面101から発光素子の側面103まで被覆することで、発光素子と被覆部材の接着力が向上するので好ましい。第1透光部材30は、反射部材20よりも発光素子10からの光の透過率が高い。このため、第1透光部材30が透光性基板14及び半導体積層体13の側面まで被覆することが好ましい。このようにすることで、発光素子10の側面から出射される光が第1透光部材30を通して発光装置の外側に取り出しやすくなるので光取り出し効率を高めることができる。
被覆部材40が発光素子10及び反射部材20を被覆する部材である。被覆部材を備えることにより、発光素子10及び反射部材20を外部環境から保護するとともに、発光素子10から出力される光を光学的に制御することができる。被覆部材40は、発光素子10から出力される光を光学的に制御するレンズ部401を備える。被覆部材のレンズ部は、凸面レンズ、凹面レンズ、フレネル等公知のレンズ形状を備えることができる。被覆部材40を、圧縮成型や射出成型等公知の方法によって発光素子及び反射部材を被覆するように形成してもよい。また、後述する発光装置の製造方法のように凹部を備える被覆部材を発光素子及び反射部材とは別に形成してもよい。形成した被覆部材の凹部内に発光素子及び反射部材を配置することで、被覆部材が発光素子及び反射部材を被覆することができる。
図2Aは第2実施形態の発光装置2000の概略断面図である。本実施の形態に係る発光装置2000は、発光素子10の一対の電極11、12と電気的に接続され、下面811、821が外部に露出する導電部材81、82を備える点で第1実施形態の発光装置1000と相違する。その他の点については、第1実施形態の発光装置1000と同様である。
導電部材81、82は、発光素子10の一対の電極11、12と電気的に接続されており、発光装置の外部接続端子として機能する部材である。導電部材81、82が外部接続端子として機能することで発光素子10の一対の電極11、12によらずに外部接続端子の形状を大きくすることができる。これにより、発光装置の放熱性を高めることができる。導電部材81、82は、金属により構成することができる。
図3Aは第3実施形態の発光装置3000の概略構造を示す上面図であり、図3Bは図3AのB−B線断面図である。本実施の形態に係る発光装置3000は、発光素子10の光取り出し面101と被覆部材40との間に気体部50を備える点で第1実施形態の発光装置1000と相違する。その他の点については、第1実施形態の発光装置1000と同様である。
図4Aは第4実施形態の発光装置4000の概略構造を示す上面図であり、図4Bは図4AのC−C線断面図である。本実施の形態に係る発光装置4000は、光取り出し面101上に波長変換部材60を備える点で第3実施形態の発光装置3000と相違する。その他の点については、第3実施形態の発光装置3000と同様である。
波長変換部材は、発光素子が発する第一ピーク波長の光を、この第一ピーク波長とは波長の異なる第二ピーク波長の光に波長変換する部材である。発光素子の光取り出し面上に波長変換部材を備えることで、例えば、発光装置に波長変換材料が必要な場合でも、被覆部材に含有する波長変換材料の量を減らしたり、無くしたりすることができる。これにより、上面に曲面形状のレンズ部を備える被覆部材による配光の制御が容易になる。尚、波長変換部材は後述する透光部と遮光部を備えていてもよい。
図5Aは第5実施形態の発光装置5000の概略構造を示す上面図であり、図5Bは図5AのD−D線断面図である。本実施の形態に係る発光装置5000は、波長変換部材60が透光部61と、透光部の周囲に形成された遮光部62と、を備える点と、平面視における気体部の大きさが異なる点で第4実施形態の発光装置4000と相違する。その他の点については、第3実施形態の発光装置4000と同様である。
透光部61は、透光性を有する樹脂材料又はガラス材料等に波長変換物質を含有したものを用いることができ、上述の波長変換部材と同様の部材を用いることができる。
遮光部62とは、透光部よりも発光素子からの光の透光性が低い部材のことである。波長変換部材60が透光部61と、透光部の周囲に形成された遮光部62を備えることで、平面視において波長変換部材の外縁を気体部50の外縁より大きくしても、平面視において、気体部50の外縁を透光部61の外縁よりも大きくすることができる。平面視において波長変換部材60の外縁を気体部の外縁より大きくすることで、後述する発光装置の製造方法で気体部を容易に形成することができる。
図6Aは第6実施形態の発光装置6000の概略構造を示す上面図であり、図6Bは図6AのE−E線断面図である。本実施の形態に係る発光装置6000は、気体部50の形状が異なる点で第5実施形態の発光装置5000と相違する。その他の点については、第5実施形態の発光装置5000と同様である。
図7Aは第7実施形態の発光装置7000の概略構造を示す上面図であり、図7Bは図7AのF−F線断面図である。本実施の形態に係る発光装置7000は、気体部及び被覆部材の形状が異なる点で第6実施形態の発光装置6000と相違する。その他の点については、第6実施形態の発光装置6000と同様である。
図8Aは第8実施形態の発光装置8000の概略構造を示す上面図であり、図8Bは図8AのG−G線断面図である。本実施の形態に係る発光装置8000は、被覆部材40が複数のレンズ部401を備え、複数のレンズ部401のそれぞれが第5実施形態の発光装置5000の構成を備えている点で、第5実施形態の発光装置5000と相違する。換言すると、第8実施形態の発光装置8000は複数の第5実施形態の発光装置5000の被覆部材が繋がっている点で第5実施形態の発光装置5000と相違する。
図9A〜図9Cを参照しながら、第2実施形態の発光装置2000の製造方法について説明する。
光取り出し面と、光取り出し面の反対側にある電極形成面と、光取り出し面と前記電極形成面との間にある側面と、電極形成面に一対の電極を備える発光素子を準備する。
図9Aに示すように、少なくとも1つのレンズ部401と、レンズ部401と反対側にある第1凹部402と、を備える被覆部材40を準備する。被覆部材40は、保持部材70等に入れる等して固定しておく。
図9Bに示すように、発光素子10の光取り出し面101と第1凹部402とを対向させて、発光素子10を第1凹部402の底面403に載置する。発光素子10と被覆部材40とは、第1透光部材30を介して接着する。
図9Cに示すように、発光素子10の側面を被覆し、一対の電極11、12を露出させるように、第1凹部内に反射部材20を形成する。反射部材20は第1透光部材30も被覆する。さらに、発光素子10の電極形成面102のうち、一対の電極11、12で覆われていない部分も、反射部材20で覆ってもよい。このとき、一対の電極11、12の一部が反射部材20から露出するように、反射部材20の厚さ(Z方向)を調節してもよい。また、一対の電極を埋設する厚みの反射部材を形成した後に、反射部材を除去し、一対の電極を露出させてもよい。反射部材を除去する際は、当該分野で公知の方法のいずれを利用してもよい。例えば、エッチング、切削、研削、研磨、ブラスト等が挙げられる。
発光素子の一対の電極と電気的に接続される導電部材は、スパッタ、蒸着、原子層堆積(Atomic Layer Deposition;ALD)法や有機金属化学的気相成長(Metal Organic Chemical Vapor Deposition;MOCVD)法、プラズマCVD(Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition;PECVD)法、大気圧プラズマ成膜法などによって形成することができる。
図10A、図10Bを参照しながら、第3実施形態の発光装置3000の製造方法について説明する。
第2実施形態に係る発光装置2000の製造方法と同様に発光素子を準備する。
図10Aに示すように、少なくとも1つのレンズ部401と、レンズ部401と反対側にある第1凹部402と、第1凹部402の底面403に平面視において発光素子の光取り出し面の外縁よりも小さい外縁を有する第2凹部404とを備える被覆部材40を準備する。被覆部材40は、保持部材70等に入れる等して固定しておく。
図10Bに示すように、発光素子10の光取り出し面101と第1凹部402とを対向させて、発光素子を第1凹部402の底面403に載置する。発光素子10と被覆部材40とは、第1透光部材30を介して接着する。発光素子10を載置する時に、第2凹部404内に気体部を形成するように発光素子10及び/又は第1透光部材30により第2凹部を塞ぐ。平面視において第2凹部404の外縁が発光素子10の光取り出し面101の外縁よりも小さいことで第2凹部を塞ぎやすくなる。尚、発光素子を載置する前に第2凹部内を、空気や酸素ガスや、窒素ガス及びアルゴンガス等の不活性ガス等の気体で充満させておく。
第2実施形態に係る発光装置2000の製造方法と同様に反射部材を形成する。第2凹部の開口部は発光素子及び/又は第1透光部材により塞がれているので第2凹部内に反射部材が侵入することを抑制することができる。
図11A、図11Bを参照しながら、第4実施形態の発光装置4000の製造方法について説明する。
第2実施形態に係る発光装置2000の製造方法と同様に発光素子を準備する。
上述した透光性を有する樹脂材料又はガラス材料等に波長変換物質を含有する波長変換部材を準備する。尚、上述した通り波長変換部材は透光部と遮光部を備えていてもよい。
少なくとも1つのレンズ部と、レンズ部と反対側にある第1凹部と、第1凹部の底面に平面視において波長変換部材の外縁よりも小さい外縁を有する第2凹部とを備える被覆部材を準備する。被覆部材は、保持部材等に入れる等して固定しておく。
図11Aに示すように、波長変換部材60と第1凹部402とを対向させて、波長変換部材60を第1凹部402の底面403に載置する。波長変換部材60と被覆部材40とは、第2透光部材31を介して接着する。第2透光部材31の塗布量と塗布位置の制御をすることで、第2透光部材31が第2凹部404に侵入することを抑制することができる。第2透光部材31としてBステージ化したシートを用いてもよい。このようにすることによっても、第2透光部材31が第2凹部404に侵入することを抑制することができる。
図11Bに示すように、波長変換部材60上に発光素子10を載置する。発光素子10と波長変換部材60とは、第1透光部材30を介して接着する。
第2実施形態に係る発光装置2000の製造方法と同様に反射部材を形成する。第2凹部の開口部は発光素子及び/又は第1透光部材により塞がれているので第2凹部内に反射部材が侵入することを抑制することができる。
図12A、図12Bを参照しながら、第8実施形態の発光装置8000の製造方法について説明する。
第2実施形態に係る発光装置2000の製造方法と同様の発光素子を複数準備する。
第4実施形態に係る発光装置4000の製造方法と同様の波長変換部材を複数準備する。
図12Aに示すように、複数のレンズ部401と、各レンズ部401と反対側にある第1凹部402と、各第1凹部の底面403に第2凹部404とを備える被覆部材を準備する。平面視において、第2凹部404の外縁は波長変換部材の外縁よりも小さい外縁を有する。被覆部材40は、保持部材70等に入れる等して固定しておく。
図12Bに示すように、複数の波長変換部材60と複数の第1凹部402とをそれぞれ対向させて、複数の波長変換部材60をそれぞれ第1凹部402の底面403に載置する。波長変換部材60と被覆部材40とは、第3実施形態に係る発光装置3000の製造方法と同じように第2透光部材31を介して接着する。
複数の波長変換部材60のそれぞれの上に発光素子10を載置する。発光素子10と波長変換部材60とは、第1透光部材30を介して接着する。
複数の発光素子のそれぞれの周囲を被覆し、一対の電極11、12を露出させるように、複数の第1凹部内のそれぞれに反射部材20を形成する。反射部材を形成方法は、第2実施形態に係る発光装置2000の製造方法と同様の方法を用いることができる。
10 発光素子
11、12 一対の電極
13 半導体積層体
14 透光性基板
20 反射部材
30 第1透光部材
31 第2透光部材
40 被覆部材
50 気体部
60 波長変換部材
61 透光部
62 遮光部
70 保持部材
81、82 導電部材
401 レンズ部
402 第1凹部
404 第2凹部
Claims (9)
- 光取り出し面と、前記光取り出し面の反対側にある電極形成面と、前記光取り出し面と前記電極形成面との間にある側面と、前記電極形成面に一対の電極を備える発光素子と、
前記発光素子の少なくとも一部と接して前記発光素子の側面及び前記電極形成面を被覆し、前記一対の電極を露出させる反射部材と、
上面にレンズ部と、下面に第1凹部と、前記第1凹部の底面に第2凹部と、を有し、前記反射部材と接して前記発光素子及び前記反射部材を被覆する被覆部材と、
前記光取り出し面を被覆する波長変換部材と、
前記波長変換部材と前記被覆部材との間の前記第2凹部内に位置する気体部と、を備え、
前記波長変換部材は、透光部と、前記透光部の周囲に形成された遮光部と、を有し、
平面視において、前記気体部の外縁が前記遮光部の外縁よりも小さく、前記透光部の外縁よりも大きく、
前記一対の電極及び前記反射部材の下面が外部に露出する発光装置。 - 光取り出し面と、前記光取り出し面の反対側にある電極形成面と、前記光取り出し面と前記電極形成面との間にある側面と、前記電極形成面に一対の電極を備える発光素子と、
前記発光素子の少なくとも一部と接して前記発光素子の側面及び前記電極形成面を被覆し、前記一対の電極を露出させ、下面が外部に露出する反射部材と、
上面にレンズ部と、下面に第1凹部と、前記第1凹部の底面に第2凹部と、を有し、前記反射部材と接して前記発光素子及び前記反射部材を被覆する被覆部材と、
前記光取り出し面を被覆する波長変換部材と、
前記波長変換部材と前記被覆部材との間の前記第2凹部内に位置する気体部と、
前記一対の電極と電気的に接続され、下面が外部に露出する導電部材と、を備え、
前記波長変換部材は、透光部と、前記透光部の周囲に形成された遮光部と、を有し、
平面視において、前記気体部の外縁が前記遮光部の外縁よりも小さく、前記透光部の外縁よりも大きい発光装置。 - 前記被覆部材は、複数の前記レンズ部を有する請求項1又は請求項2に記載の発光装置。
- 前記被覆部材と接する第1透光性部材を有する請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の発光装置。
- 前記第1透光性部材は前記発光素子の側面及び前記光取り出し面を被覆する請求項4に記載の発光装置。
- 前記反射部材は、前記第1凹部の周囲に位置する部分の前記被覆部材の下面を被覆する請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の発光装置。
- 光取り出し面と、前記光取り出し面の反対側にある電極形成面と、前記光取り出し面と前記電極形成面との間にある側面と、前記電極形成面に一対の電極を備える発光素子を準備する工程と、
波長変換部材を準備する工程と、
少なくとも1つのレンズ部と、前記レンズ部と反対側の面に第1凹部と、前記第1凹部の底面に第2凹部と、を備える被覆部材を準備する工程と、
前記波長変換部材と前記第1凹部とを対向させて、前記第2凹部を塞ぐように前記波長変換部材を前記第1凹部の底面に載置する工程と、
前記波長変換部材上に発光素子を載置する工程と、
前記発光素子の側面及び前記電極形成面を被覆し、前記一対の電極を露出させるように、前記第1凹部内に反射部材を形成する工程と、
を含み、
前記波長変換部材を載置する工程において、前記第2凹部内に気体部が形成され、
前記波長変換部材は、透光部と、前記透光部の周囲に形成された遮光部と、を有し、
平面視において、前記気体部の外縁が前記遮光部の外縁よりも小さく、前記透光部の外縁よりも大きく、
前記反射部材の下面が外部に露出する発光装置の製造方法。 - 前記反射部材を形成する工程において、前記反射部材を除去し前記一対の電極を露出させる工程を含む請求項7に記載の発光装置の製造方法。
- 前記被覆部材は、複数の前記レンズ部を有する請求項7又は請求項8に記載の発光装置の製造方法。
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