JP7299492B2 - 発光装置および発光モジュール - Google Patents
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第1の面と、前記第1の面と反対側の第2の面と、前記第1の面と前記第2の面との間に複数の側面とを有し、前記第2の面側に一対の電極を有する発光素子と、少なくとも1つの前記側面の一部を覆う透光性部材と、前記一対の電極を露出させるよう、前記透光性部材の外面を覆い、前記発光素子からの光を反射する光反射性部材と、前記発光素子の第1の面と、前記透光性部材と、前記光反射性部材とを覆い、側面を有する波長変換部材と、上面にレンズ部を有し、前記波長変換部材の側面と接して前記波長変換部材と前記光反射性部材とを被覆する被覆部材と、を有する。
本実施形態の発光装置100の構成を図1に例示する。
図1は、本実施形態にかかる発光装置100の模式平面図である。図2は、図1のA-A線に沿った発光装置100の模式断面図である。
発光素子10の第2の面では、半導体積層体11側には、発光素子10に通電するための一対の電極12が設けられている。
本実施形態の発光モジュール200、300、500、600は、本明細書に記載された発光装置100が基板60上に実装されたものをいう。1つの発光装置100が実装された発光モジュール200、、500(第1の発光モジュール)であっても、複数の発光装置100が実装された発光モジュール300、600(第2の発光モジュール)であってもよい。
(基板60)
基板60は、発光装置100が、接合部材を用いて配置されるものであることが好ましい。具体的には、図2、図4に示すように、発光素子10の一対の電極12が、基板60の上面に設けられた一対の配線電極61に、接合部材によって電気的に接続され、かつ、固定される。接合部材としては、導電性を有するものが好ましく、例えば、Sn-Bi系、Sn-Cu系、Sn-Ag系、Au-Sn系等の半田、AuとSnとを主成分とする合金、AuとSiとを主成分とする合金、AuとGeとを主成分とする合金等の共晶合金、低融点金属のろう材、これらを組み合わせた接着剤等が挙げられる。これらは発光装置及び基板の材料等に応じて適宜選択することができる。
なお、樹脂から成る基板として、ガラス繊維が樹脂に混ぜられたものであってもよく、ならびに/または、SiO2、TiO2および/もしくはAl2O3等の無機フィラーが樹脂に混ぜられたものであってもよい。基板の機械的強度の向上、熱膨張率の低減および/または光反射率の向上等を図ることができるからである。一方、具体的な基板のセラミックスを例示すれば、アルミナ、ムライト、フォルステライト、ガラスセラミックス、窒化物系(例えば、AlN)および炭化物系(例えば、SiC)から成る群から選択される少なくとも1種を挙げることができる。このようなセラミックスから成る基板は、特に耐熱性および耐光性に優れた発光装置を実現し易くなる点で望ましい。あくまでも一例にすぎないが、セラミックスから成る基板はアルミナからなる又はアルミナを主成分とするセラミックスであってよい。その他、基板として、FR4などに代表されるガラスコンポジット基板やCEM-3などに代表されるガラスエポキシ基板、アルミ基板に代表される金属基板や、サファイア基板、Ruby基板など、適宜用途に応じて用いることができる。
(発光素子10)
発光素子10としては、例えば発光ダイオード等の半導体発光素子を用いることができる。半導体発光素子10は、透光性基板と、その上に形成された半導体積層体11とを含むことができる。さらに透光性基板には、例えば、サファイア(Al2O3)、スピネル(MgAl2O4)のような透光性の絶縁性材料や、半導体積層体11からの発光を透過する半導体材料(例えば、窒化物系半導体材料)を用いることができる。半導体積層体11は、複数の半導体層を含む。半導体積層体11の一例としては、第1導電型半導体層(例えばn型半導体層)、発光層(活性層)および第2導電型半導体層(例えばp型半導体層)の3つの半導体層を含むことができる。半導体層には、例えば、III-V族化合物半導体、II-VI族化合物半導体等の半導体材料から形成することができる。具体的には、InXAlYGa1-X-YN(0≦X、0≦Y、X+Y≦1)等の窒化物系の半導体材料(例えばInN、AlN、GaN、InGaN、AlGaN、InGaAlN等)を用いることができる。発光素子10は、発光ピーク波長が430nm以上490nm未満の範囲にあることが好ましい。発光素子10の電極12としては、電気良導体を用いることができ、例えばCu等の金属が好適である。
透光性部材20は、透光性樹脂、ガラス等の透光性材料から形成することができる。透光性樹脂としては、特に、シリコーン樹脂、シリコーン変性樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂などの熱硬化性の透光性樹脂であるのが好ましい。透光性部材20は発光素子10の側面と接触しているので、点灯時に発光素子10で発生する熱の影響を受けやすい。熱硬化性樹脂は、耐熱性に優れているので、透光性部材20に適している。なお、透光性部材20は、光の透過率が高いことが好ましい。そのため、通常は、透光性部材20に、光を反射、吸収又は散乱する添加物は添加されないことが好ましい。しかし、望ましい特性を付与するために、透光性部材20に添加物を添加するのが好ましい場合もある。例えば、透光性部材20の屈折率を調整するため、または硬化前の透光性部材20(液状樹脂材料)の粘度を調整するために、各種フィラーを添加してもよい。
光反射性部材30は、光反射性樹脂から形成することができる。光反射性樹脂とは、発光素子10からの光に対する反射率が70%以上の樹脂材料を意味する。光反射性部材30に達した光が反射されて、発光装置100の第1の面(発光面)に向かうことにより、発光装置100の光取出し効率を高めることができる。樹脂材料としては、特に、シリコーン樹脂、シリコーン変性樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂などの熱硬化性の透光性樹脂であるのが好ましい。さらに光反射性物質を分散させたものが使用でき、光反射性物質としては、例えば、酸化チタン、酸化ケイ素、二酸化ジルコニウム、チタン酸カリウム、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、ムライトなどが好適である。
波長変換部材40は、その内部を透過する光によって励起される蛍光体を含有している。発光装置100が波長変換部材40を備えることにより、発光素子10の発光色とは異なる発光色を有する発光装置100を得ることができる。例えば、青色光を発する発光素子10と、青色光を吸収して黄色の蛍光を発する波長変換部材40とを組み合わせたり、青色光を発する発光素子10と、青色光を吸収して、緑色と赤色の蛍光を発する波長変換部材40とを組み合わせたりすることにより、白色光を発する発光装置100を得ることができる。
また、波長変換部材は、例えば、いわゆるナノクリスタル、量子ドットと称される発光
物質でもよい。これらの材料としては、半導体材料を用いることができ、例えばII-VI族、III-V族、IV-VI族半導体、具体的には、CdSe、コアシェル型のCdSxSe1-x/ZnS、GaP等のナノサイズの高分散粒子が挙げられる。
波長変換部材は、第1の蛍光体と第2の蛍光体とが混合されたシート状の部材でもよいし、板状の部材でもよい。また第1の蛍光体と第2の蛍光体とがそれぞれ分かれて積層されたシート状、あるいは板状の部材でもよい。
被覆部材50は、透光性を有する材料から形成することができる。被覆部材50の材料としては、エポキシ樹脂やシリコーン樹脂あるいはそれらを混合させた樹脂などの透光性樹脂や、ガラスなどを用いることができる。これらのうち、耐光性および成形のしやすさを考慮して、シリコーン樹脂を選択することが好ましい。被覆部材50を、ポッティングや圧縮成型、射出成型等公知の方法によって発光素子10及び反射部材を被覆するように形成することができる。被覆部材50のレンズ部の形状が凸面レンズである場合は、平面視においてレンズ部の最上部と発光素子10の中央とが略一致することが好ましい。尚、本明細書で略一致とは±50μm程度の差は許容される。このようにすることで、一般的に発光素子10からの光が最も強い発光素子10の中央からの光をレンズ部によって制御することが容易になる。
<発光モジュール200の製造方法>
図7~9を参照しながら、本実施の形態に係る発光モジュール200の製造方法について説明する。本製造方法によれば、複数の発光モジュール200を同時に製造することができる。
波長変換部材40からなるシート400(波長変換シート)の第2の面上に発光素子10を配置する(図7(a))。波長変換シート400は、各発光装置100に個片化した後に、波長変換部材40となる。このとき、比較的大きい波長変換シートを用いて、1枚の波長変換シート400の上に、複数の発光素子10を配置する。隣接する発光素子10は、所定の間隔をあけて配置される。発光素子10の第1の面を、波長変換シート400の第2の面と向かい合わせて配置する。発光素子10は、透光性の接着剤等により波長変換シート400に固定することができる。接着剤を使用する代わりに、発光素子10は、後で形成される透光性部材20によって、波長変換シート400に固定してもよい。また、波長変換シート自体が接着性を有する場合(半硬化状態等である場合)には、接着剤を使わずに固定してもよい。
各発光素子10の周囲に、透光性部材20を形成する(図7(b))。ある発光素子10の周囲に形成された透光性部材20と、その発光素子10と隣接して配置された発光素子10の周囲に形成された透光性部材20とが接触しないように、透光性部材20を形成する。
透光性部材20の外面と、波長変換シート400の第2の面とを、光反射性部材300で覆う(図7(c))。光反射性部材300は、各発光装置100に個片化した後に、光反射性部材30となる。発光素子10の電極12の表面も覆うように、光反射性部材300の厚さを調節する。このとき、波長変換シート400上に配置された複数の発光素子10の周囲に設けた複数の透光性部材20は、連続する1つの光反射性部材300で覆われる。
その後、発光素子10の電極12が露出するように、公知の加工方法により光反射性部材300の厚さを薄くする(図8(a))。
隣接する発光素子10の中間を通る破線X1および破線X2(図8(a))に沿って、光反射性部材300と波長変換シート400とをダイサー等で切断する。これにより、個々の発光体101に個片化される(図8(b))。このように、発光素子10を1つ含む発光体101を、同時に複数製造することができる。
基板60を用意し、発光体の電極12を基板表面に設けられた配線電極61に接続するように実装する。
工程1-6.被覆部材50の形成
基板60に実装された発光体101にディスペンサを用いて被覆部材50として封止樹脂をポッティングし、発光モジュール200を得る(図4)。なお、ポッティングの条件により、上面を所望のレンズ面にすることができる。
発光モジュール200の製造方法で説明した、工程1-1~1-4までは発光モジュール200の製造方法と同じである。
工程2-5
仮基板を用意し、発光体の電極側を仮基板に載置する。
工程2-6
仮基板に載置された発光体に、ディスペンサを用いて被覆部材として封止樹脂をポッティングし、封止樹脂が硬化後、仮基板を剥がすことで、発光装置100を得ることができる(図2)。
複数の発光装置100が基板60に実装された発光モジュール300の場合は、基板60上に複数の発光体101が間隔を置いて実装された状態で、個々の発光体101に、同様にして封止樹脂をポッティングすることで、発光モジュール300を得ることができる(図6)。
なお、発光体101を個片化した後、発光素子10を1つ含む発光体101に上面にレンズ部を有する被覆部材50を形成してから、基板60に実装することでも発光モジュール200、300を得ることができる。
図11~図16を参照しながら、本実施の他の実施の形態に係る発光装置400、発光モジュール500、600の製造方法および、発光装置400、発光モジュール500、600について説明する。説明する内容は、発光装置400であれば、他の実施の形態である発光モジュール200、300等にも適用可能であるし、発光装置100であれば、他の実施の形態である発光モジュール500、600等にも適用可能である。よって、共通する部材には、発光装置100、発光モジュール200、300に用いた符号と同じ符号を適宜用いている。
20…透光性部材
30…光反射性部材
40…波長変換部材
50、51…被覆部材
60…基板
100、400…発光装置
200、500…発光モジュール
300、600…発光モジュール
Claims (11)
- 第1の面と、前記第1の面と反対側の第2の面と、前記第1の面と前記第2の面との間に複数の側面とを有し、前記第2の面側に一対の電極を有する発光素子と、
少なくとも1つの前記側面の一部を覆う透光性部材と、
繊維状の光反射性物質を含む光反射性部材であって、前記一対の電極を露出させるよう、前記透光性部材の外面を覆い、前記発光素子からの光を反射する光反射性部材と、
蛍光体を含む波長変換部材であって、前記発光素子の第1の面と、前記透光性部材と、前記光反射性部材とを覆い、切断面である側面を有する波長変換部材と、
上面にレンズ部を有し、前記波長変換部材の側面と接して前記波長変換部材と前記光反射性部材とを被覆する被覆部材と、を有し、
前記レンズ部は、上面視において、前記発光素子の中心と重なる位置に曲面を含む凹部を有し、
前記光反射性部材と前記発光素子との熱膨張率差は、前記透光性部材と前記発光素子との熱膨張率差よりも小さいことを特徴とする発光装置。 - 前記被覆部材は、透光性樹脂である請求項1に記載の発光装置。
- 前記発光素子は、発光ピーク波長が430nm以上490nm未満の範囲にあり、前記蛍光体は、発光ピーク波長が580nm以上680nm以下の範囲にある第1蛍光体を少なくとも含む請求項1または2に記載の発光装置。
- 前記第1蛍光体は、(Sr,Ca)AlSiN3:Eu、CaAlSiN3:Eu、K2SiF6:Mn4+、3.5MgO・0.5MgF2・GeO2:Mn4+から選択される少なくとも1つである請求項3に記載の発光装置。
- 前記蛍光体は、発光ピーク波長が490nm以上570nm以下の範囲にある第2蛍光体をさらに含む請求項3または4に記載の発光装置。
- 前記第2蛍光体は、(Ca,Sr,Ba)8MgSi4O16(F,Cl,Br)2:Eu、Si6-zAlzOzN8-z:Eu(0<z<4.2)、Ba3Si6O12N2:Euから選択される少なくとも1つである請求項5に記載の発光装置。
- 前記透光性部材の前記外面は、前記発光素子の前記第2の面側から前記第1の面側に向かって外向きに傾斜する、請求項1から6のいずれか1項に記載の発光装置。
- 請求項1から7のいずれか1項に記載の発光装置が、前記第2の面側の一対の電極が基板に実装されている発光モジュール。
- 前記発光装置が前記基板に複数実装されている請求項8に記載の発光モジュール。
- 前記基板は、前記発光装置を取り囲む壁部を備える、請求項8または9に記載の発光装置。
- 前記波長変換部材の上面にチクソ性付与剤を含む樹脂層を有する、請求項1から10のいずれか1項に記載の発光装置。
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