JP6155827B2 - 発光装置の製造方法 - Google Patents
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Description
本発明の一態様の製造方法の工程について、以下に詳述する。
まず、図2に示すような、基板1上に半導体層2が設けられた発光素子5を用意する。半導体層2の基板1の反対側の面には、正負一対の電極3が設けられている。
次に、図3(b)および(c)に示すように、支持体20に実装された発光素子5の下方および外側にアンダーフィル材21を形成する。アンダーフィル材はどのような方法で形成されてもよく、例えば、塗布、ポッティング、印刷、圧縮成形、トランスファー成形、スピンコート、印刷等により行うことができる。特に、金型を用いた圧縮成型によって形成することが好ましい。これにより、発光素子の下方において、アンダーフィル材の空隙が少なくなるよう充填することができるため、後述する基板剥離の際に半導体層の割れを低減することができるとともに、完成した発光装置の信頼性を高めることができる。また、圧縮成型によれば、図2(b)に示すように、後述の集合基板200とされた支持体20上に実装された複数の発光素子5の下方にまとめてアンダーフィル材を形成することができ、好ましい。また、アンダーフィル材21を成形するため、例えばウェットブラストやドライブラストやエッチングによってアンダーフィル材の一部を除去する工程を有していてもよい。これにより、例えば図2(c)に示すような、基板1の剥離や発光装置の光取出しのために適切な形状のアンダーフィル材21とすることができる。この除去工程によって、後述する光反射性材料21bがアンダーフィル材21表面に露出することがあるが、このように光反射性材料21bが露出した部分に後述のレーザ光が照射されることで、光反射性材料21bの変質がより発生しやすくなる。そのため、このような工程を有する発光装置の製造において、特に本発明の効果を良好に得ることができる。
次に、図4(a)に示すように、発光素子5の基板1側から発光素子5にレーザ光30を照射し、基板1と半導体層2を剥離する。より詳細には、発光素子5にレーザ光を照射することによって、半導体層2のうちのn型半導体層2の一部である分離部を分解し、半導体層2から基板を剥離する。
次に、本発明の発光装置に用いられる部材を下記に詳述する。
発光素子5は、半導体発光素子であり、初め、少なくとも基板1と基板1上に設けられた半導体2を有する。本明細書においては、基板1が剥離されて基板1を有しない発光素子5についても、発光素子5と呼ぶ。
支持体20は、発光素子5が実装される部材であって、主として基材11と配線13とを有する。
接合材料15としては、発光素子5を、前記基板1側を上方にした状態で支持体20に固定でき、発光素子5の電極3と支持体20の配線13を機械的、電気的に接続を行うことができるものであれば特に限定されず、銀、金、パラジウムなどの導電性ペースト、Au−Sn、Sn−Cu、Sn−Ag−Cu、Sn−Pd系等のはんだ、Sn等の低融点金属、Au等の金属のバンプを用いることができる。
アンダーフィル材21は、図6に示すように、主として、母材21aと光反射性材料21bとを有する。
アンダーフィル材21の母材21aとしては、透光性の熱硬化性樹脂を用いることが好ましい。例えば、エポキシ樹脂やシリコーン樹脂、ハイブリッドシリコーン樹脂などであってよく、場合により熱可塑性樹脂などと混合されていてもよい。シリコーン樹脂やハイブリッドシリコーン樹脂は耐光性、耐熱性が高いため、好ましく用いることができる。
光反射性材料21bは、アンダーフィル材21の光反射率を高めるために母材21aに含有されるもので、本発明においては、上述のレーザ光の波長に対する反射率が70%以上である。
アンダーフィル材21は、硬度や粘度を調整する目的などで、フィラーを含有していてもよい。
本発明の発光装置100の製造方法は、上記以外の工程および部材を有していてもよい。
基板1を剥離した後、半導体層2の上面は粗面化されることが好ましい。粗面化は、物理的・化学的な方法で行うことができるが、半導体層2へのダメージを低減するため、化学的なエッチングによることが好ましい。例えば、支持体20ごと半導体層2を、リン酸などの酸性の液やKOH、NaOH、TMA、TMAH(水酸化テトラメチルアンモニウム)溶液などのアルカリ性の液に漬け、半導体層2の上面をエッチングする。この処理により、例えば図1に示すように、半導体層2の上面(n型半導体層2aの光取出し側の表面)を粗面とすることができ、発光装置100の光取出し効率を向上させることができる。
基板1を剥離した半導体層2は、熱及び水分の影響を受けやすいため、その表面に保護膜を形成することが好ましい。保護膜としては、SiO2、Al2O3、TiO2、Nb2O5、ZrO2など透光性の酸化物、AlOxNy、SiN、SiNxなどの透光性の窒化物材料等の透明絶縁体膜の単層又は積層構造が挙げられる。保護膜は、各種成膜方法、スパッタ、蒸着、原子層堆積法(ALD)などで形成することができる。特にALDによれば緻密な膜を形成することができるため、発光装置100の信頼性向上のため好ましい。なお、このような保護膜は、半導体層2の表面に限られず、支持体20、後述する蛍光体層23や封止部材24等各種の部材を被覆するように設けられることができる。これにより、光取出し効率の高い発光装置100とすることができる。
本発明の発光装置100の製造方法は、さらに蛍光体層23を形成する工程を備えていてもよい。
本発明の発光装置100の製造方法は、さらに封止部材24を形成する工程を備えていてもよい。具体的には、図4(c)に示すように、基板1を除去された半導体層2およびアンダーフィル材21、支持体20の上に封止部材24を供給して形成する。
まず、サファイアである基板1と該基板1上に窒化物系半導体からなる半導体層2と有する発光素子5を準備する。半導体層5は、基板側から、AlGaNのバッファ層、バッファ層の直上に設けられたSiがドープされたn型GaN層を備えるn型半導体層2a、InGaNとGaNの量子井戸構造を有する発光層2b、Mgがドープされたp型GaN層を備えるp型半導体層2cを少なくとも備える。発光素子は平面視において約1mm角の矩形である。基板1の厚みは約120μmであり、半導体層の厚みは約6μmである。
アンダーフィル材21として、母材21aのシリコーン樹脂に光反射性材料21bであるY2O3を23重量%含有させた光反射率が450nmにおいて85%のものを用い、波長266nmの第4高調波Nd:YAGレーザを用いた以外は、実施例1と同様に発光装置を製造する。本実施例においても、実施例1と同様に、アンダーフィル材はほとんど変色を起こさないと考えられる。
アンダーフィル材21として、母材21aであるシリコーン樹脂に光反射性材料21bであるTiO2を23重量%含有させた光反射率が450nmにおいて91%のものを用いた以外は、実施例1と同様に発光装置を製造する。この場合、アンダーフィル材21に含有されたTiO2がレーザ光を吸収することで変質し、黒変することで、アンダーフィル材21の光反射率が低下すると考えられる。
2 半導体層
2a n型半導体層
2b 発光層
2c p型半導体層
3a n側電極
3b p側電極
4 絶縁層
5 発光素子
11 基材
12a、12b 配線
15 接続部材
20 支持体
200 集合基板
21 アンダーフィル材
21a 光反射性材料
21b 母材
23 蛍光体層
24 封止部材
30、30a レーザ光照射スポット(レーザ光)
100 発光装置
Claims (6)
- 基板と、前記基板上に設けられた半導体層とを含む複数の発光素子を、前記基板側を上方にして支持体に実装する工程と、
前記発光素子の下方から前記発光素子の外側に、前記支持体の前記発光素子が実装された面を実質的に全て被覆し、前記複数の発光素子をまとめて被覆するように光反射性材料を含有するアンダーフィル材を形成する工程と、
その後、前記発光素子の前記基板側から前記発光素子及び前記アンダーフィル材にレーザ光を照射し、前記半導体層を分解して、前記基板を剥離する工程と、
前記基板を除去された前記半導体層および前記アンダーフィル材の上に封止部材を供給して形成する工程と、
前記レーザ光の照射前において、前記光反射性材料は、前記レーザ光の波長の光反射率が70%以上であることを特徴とする発光装置の製造方法。 - 前記光反射性材料の吸収端波長は、前記レーザ光の波長よりも短いことを特徴とする請求項1に記載の発光装置の製造方法。
- 前記基板が、前記半導体層の成長基板であることを特徴とする請求項1または2に記載の発光装置の製造方法。
- 前記レーザ光がKrFエキシマレーザによるものであり、前記光反射性材料がZrO2またはY2O3であることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の発光装置の製造方法。
- 前記基板がサファイアであり、前記半導体層がGaN系半導体であることを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の発光装置の製造方法。
- 前記アンダーフィル材は、樹脂に前記光反射性材料が含有されており、前記アンダーフィル材を形成する工程の後であって、前記基板を剥離する工程の前に、前記アンダーフィル材を削り、前記アンダーフィル材の表面に前記光反射性材料を露出させる工程を有することを特徴とする請求項1から5のいずれか1項に記載の発光装置の製造方法。
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