TWI807401B - 發光模組之製造方法 - Google Patents

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TWI807401B TW110132039A TW110132039A TWI807401B TW I807401 B TWI807401 B TW I807401B TW 110132039 A TW110132039 A TW 110132039A TW 110132039 A TW110132039 A TW 110132039A TW I807401 B TWI807401 B TW I807401B
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Abstract

本發明提供一種可修正光學特性之發光模組之製造方法。 本發明之發光模組之製造方法具備如下工序：準備包含導光體、複數個光源及配線層之中間體，上述導光體包含第1主面、及上述第1主面之相反側之第2主面，上述複數個光源配置於上述導光體之上述第2主面側，上述配線層配置於上述第2主面側且與上述光源電性連接；使上述複數個光源發光，測定出射之光之光學特性；及基於上述光學特性之測定結果，於上述中間體形成修正上述光學特性之要素。

Description

發光模組之製造方法
本發明係關於一種發光模組之製造方法。
發光二極體等發光元件與導光板組合而成之發光模組被廣泛用於例如液晶顯示器之背光源等面狀光源。隨著液晶顯示器之薄型化之需求增加，例如於將背光源配置於液晶面板之背面之直下式液晶顯示器中，液晶面板與發光模組之距離變近，發光模組之亮度分佈或色度分佈等光學特性容易影響到液晶顯示器之光學特性。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1] 美國專利第7997771號說明書
本發明之目的在於提供一種可修正光學特性之發光模組之製造方 法。
根據本發明之一態樣，發光模組之製造方法具備如下工序：準備包含導光體、複數個光源及配線層之中間體，上述導光體包含第1主面、及上述第1主面之相反側之第2主面，上述複數個光源配置於上述導光體之上述第2主面側，上述配線層配置於上述第2主面側，且與上述光源電性連接；使上述複數個光源發光，測定出射之光之光學特性；及基於上述光學特性之測定結果，於上述中間體形成修正上述光學特性之要素。
根據本發明之一態樣，發光模組之製造方法具備如下工序：準備包含配線基板、導光體及複數個光源之中間體，上述導光體配置於上述配線基板上，包含第1主面、位於上述第1主面之相反側且與上述配線基板對向地配置之第2主面、及從上述第1主面貫通至上述第2主面之複數個第1孔部，上述複數個光源配置於上述第1孔部內之上述配線基板上；使上述複數個光源發光，測定出射之光之光學特性；及基於上述光學特性之測定結果，將上述配線基板上之光源更換為另一光源並重新配置於上述配線基板上。
根據本發明之一態樣，發光模組之製造方法具備如下工序：準備中間體，該中間體包含配線基板、及配置於上述配線基板上之複數個光源；使複數個光源發光，測定出射之光之光學特性；基於上述光學特性之測定結果，將上述配線基板上之光源更換為另一光源並重新配置於上述配線基 板上；及於重新配置上述光源之後，在上述配線基板上配置導光體，該導光體包含第1主面、及位於上述第1主面之相反側且與上述配線基板對向地配置之第2主面。
根據本發明，可提供一種能修正光學特性之發光模組之製造方法。
1:面狀光源
9:發光區域
10:導光體
10A:導光體
10B:導光體
10C:導光體
11:第1主面
12:第2主面
13:第1孔部
14:區劃槽
15:凹部
16:凹部
17:調光孔
20:光源
20-1:光源
20-2:光源
20A~20P:光源
20a:光源之第1面(下表面)
20b:光源之第2面(上表面)
20c:光源之側面
21:發光元件
22:半導體積層體
23:電極
24:被覆構件
25:透光性構件
26:調光構件
27:透光性接著構件
41:光反射性構件
41a:第2孔部
42:光反射性構件
43:光反射性構件
44:光反射性構件
45:光反射性構件
46:調光構件
47:壁部
50:配線基板
51:絕緣基材
52:配線層
53:被覆層
54:導電部
61:接合構件
62:接著層
70:透光性構件
71:傾斜面
72:第1傾斜面
73:第2傾斜面
74:凹部
75:槽
76:光反射性構件
80:調光構件
81:調光構件
82:調光構件
90:螢光體層
91:螢光體
100:發光模組
111:中間體
111A:中間體
111B:中間體
111C:中間體
112:中間體
120:積層構造體
200:光學構件
251:第1透光性構件
252:第2透光性構件
a1:第1區域
a2:第2區域
a3:第3區域
a4:第4區域
H:貫通孔
Ha:貫通孔之內側面
圖1A係本發明之實施方式之中間體之模式俯視圖。
圖1B係本發明之實施方式之中間體之模式俯視圖。
圖2係本發明之實施方式之中間體之模式剖視圖。
圖3A係本發明之實施方式之中間體之模式剖視圖。
圖3B係本發明之實施方式之中間體之模式剖視圖。
圖3C係本發明之實施方式之中間體之模式剖視圖。
圖4A係本發明之實施方式之光源之模式剖視圖。
圖4B係本發明之實施方式之光源之模式剖視圖。
圖4C係本發明之實施方式之光源之模式剖視圖。
圖4D係本發明之實施方式之光源之模式剖視圖。
圖4E係本發明之實施方式之光源之模式剖視圖。
圖4F係本發明之實施方式之光源之模式剖視圖。
圖4G係本發明之實施方式之光源之模式剖視圖。
圖4H係本發明之實施方式之光源之模式剖視圖。
圖4I係本發明之實施方式之光源之模式剖視圖。
圖4J係本發明之實施方式之光源之模式剖視圖。
圖4K係本發明之實施方式之光源之模式剖視圖。
圖4L係本發明之實施方式之光源之模式剖視圖。
圖4M係本發明之實施方式之光源之模式剖視圖。
圖4N係本發明之實施方式之光源之模式剖視圖。
圖4O係本發明之實施方式之光源之模式剖視圖。
圖4P係本發明之實施方式之光源之模式俯視圖。
圖4Q係本發明之實施方式之光源之模式剖視圖。
圖5A係表示本發明之實施方式之發光模組之製造工序的模式剖視圖。
圖5B係表示本發明之實施方式之發光模組之製造工序的模式剖視圖。
圖6A係表示本發明之第1實施方式之發光模組之製造工序的模式俯視圖。
圖6B係沿圖6A之VIB-VIB線之模式剖視圖。
圖7A係表示本發明之第2實施方式之發光模組之製造工序的模式剖視圖。
圖7B係表示本發明之第2實施方式之發光模組之製造工序的模式剖視圖。
圖8A係表示本發明之第2實施方式之發光模組之製造工序的模式俯視圖。
圖8B係表示本發明之第2實施方式之發光模組之製造工序的模式俯視圖。
圖8C係表示本發明之第2實施方式之發光模組之製造工序的模式俯視圖。
圖9A係表示本發明之第3實施方式之發光模組之製造工序的模式剖視圖。
圖9B係表示本發明之第3實施方式之發光模組之製造工序的模式剖視圖。
圖9C係表示本發明之第3實施方式之發光模組之製造工序的模式剖視圖。
圖10A係表示本發明之第4實施方式之發光模組之製造工序的模式剖視圖。
圖10B係表示本發明之第4實施方式之發光模組之製造工序的模式剖視圖。
圖10C係表示本發明之第4實施方式之發光模組之製造工序的模式剖視圖。
圖11A係表示本發明之第5實施方式之發光模組之製造工序的模式剖視圖。
圖11B係表示本發明之第5實施方式之發光模組之製造工序的模式剖視圖。
圖11C係表示本發明之第6實施方式之發光模組之製造工序的模式剖視圖。
圖11D係表示本發明之第5實施方式之發光模組之製造工序的模式剖視圖。
圖11E係表示本發明之第6實施方式之發光模組之製造工序的模式剖 視圖。
圖12A係表示本發明之第7實施方式之發光模組之製造工序的模式剖視圖。
圖12B係表示本發明之第7實施方式之發光模組之製造工序的模式剖視圖。
圖13A係表示本發明之第8實施方式之發光模組之製造工序的模式剖視圖。
圖13B係表示本發明之第8實施方式之發光模組之製造工序的模式剖視圖。
圖14A係表示本發明之第9實施方式之發光模組之製造工序的模式剖視圖。
圖14B係表示本發明之第9實施方式之發光模組之製造工序的模式剖視圖。
圖14C係表示本發明之第9實施方式之發光模組之製造工序的模式剖視圖。
圖15A係表示本發明之第10實施方式之發光模組之製造工序的模式剖視圖。
圖15B係表示本發明之第10實施方式之發光模組之製造工序的模式剖視圖。
圖15C係表示本發明之第10實施方式之發光模組之製造工序的模式剖視圖。
圖15D係表示本發明之第10實施方式之發光模組之製造工序的模式剖視圖。
圖16A係表示本發明之第11實施方式之發光模組之製造工序的模式剖視圖。
圖16B係表示本發明之第11實施方式之發光模組之製造工序的模式剖視圖。
圖16C係表示本發明之第11實施方式之發光模組之製造工序的模式剖視圖。
圖17係本發明之第12實施方式之面狀光源之模式俯視圖。
圖18係沿圖17之XVIII-XVIII線之模式剖視圖。
圖19係表示圖11A及圖17所示之實施方式之第1孔部內之光源與光反射性構件的配置關係之模式俯視圖。
圖20係本發明之第13實施方式之面狀光源之模式剖視圖。
圖21A係本發明之第14實施方式之調光構件之模式俯視圖。
圖21B係本發明之第14實施方式之調光構件之模式俯視圖。
圖21C係本發明之第14實施方式之調光構件之模式俯視圖。
圖21D係本發明之第14實施方式之調光構件之模式俯視圖。
圖21E係本發明之第14實施方式之調光構件之模式俯視圖。
以下，參照圖式來說明實施方式。再者，各圖式中對相同構成附上相同符號。又，以下說明中，視需要使用表示特定之方向或位置之用語(例如，「上」、「下」、及包含該等用語之其他用語)，但該等用語之使用係為了易於參照圖式來理解發明，本發明之技術範圍不受該等用語之含義限制。又，複數個圖式中出現之相同符號之部分表示相同或者同等之部分或 構件。又，各構件即便於硬化前後或切斷前後等，狀態或形狀等不同之情形時，亦使用相同名稱。
進而，以下所示之實施方式例示了用以實現本發明之技術思想之發光模組，並非將本發明限定於以下內容。又，以下所記載之構成零件之尺寸、材質、形狀、其相對配置等只要無特定記載，則意欲例示本發明之範圍，而非旨在將本發明之範圍僅限定於此。又，一實施方式中說明之內容亦可應用於其他實施方式。又，有時為了使說明明確，而將圖式所示之構件之大小或位置關係等誇大。又，剖視圖有時使用剖面圖，即，將觀察切斷面時能在其後方看到之部分省略，僅示出切斷面之形態。
本發明之實施方式之發光模組之製造方法具備準備中間體之工序。
圖1A及圖1B係本發明之實施方式之中間體111之模式俯視圖。
圖2係本發明之實施方式之中間體111之模式剖視圖。
中間體111包含導光體10、複數個光源20及配線層52。導光體10包含第1主面11、及第1主面11之相反側之第2主面12。第1主面11為發光模組之發光面。光源20配置於導光體10之第2主面12側。配線層52配置於導光體10之第2主面12側，且與光源20電性連接。
如圖1A所示，複數個光源20以在平行於第1主面11之面內沿縱向及橫向等間隔地排列之方式配置。複數個光源20可於縱向或橫向上以固定間 隔配置。光源20之間隔可根據發光模組之大小或目標亮度等而適當選擇。或，如圖1B所示，複數個光源20亦可僅於一方向上呈線狀配置。
光源20發出之光入射至導光體10，於導光體10內被引導。導光體10對光源20發出之光具有透光性。光源20如下所述具有發光元件。所謂光源20發出之光，係表示發光元件發出之光。又，於光源20包含螢光體之情形時，光源20發出之光亦包含螢光體發出之光。導光體10對於光源20發出之光之透過率例如較佳為80%以上，更佳為90%以上。
作為導光體10之材料，例如可使用丙烯酸系樹脂、聚碳酸酯、環狀聚烯烴、聚對苯二甲酸乙二酯或聚酯等熱塑性樹脂，環氧樹脂或聚矽氧樹脂等熱固性樹脂，或玻璃等。
導光體10之厚度例如較佳為200μm以上800μm以下。導光體10於其厚度方向上，可構成為單層，亦可構成為複數層之積層體。
圖3A~圖3C係表示導光體之構成之一例之模式剖視圖。
圖3A所示之中間體111A中，配線層52作為包含絕緣基材51之配線基板50之一部分而設置。配線基板50配置於導光體10A之第2主面12側。導光體10A包含從第1主面11貫通至第2主面12之複數個第1孔部13。光源20與第1孔部13內之配線基板50電性接合。光源20於第1孔部13內配置於第2主面12側。光源20於剖視下，至少一部分配置於第1孔部13內。圖3A所示 之例中，將整個光源20配置於第1孔部13內。
圖3B所示之中間體111B之導光體10B包含在第2主面12側開口之凹部15。光源20於剖視下，至少一部分配置於凹部15內。圖3B所示之例中，將整個光源20配置於凹部15內。
圖3A及圖3B所示之中間體係將預先成形為板狀或片狀之導光體10A、10B與光源20組合。與此相對，圖3C所示之中間體111C係將形成導光體10C之材料以呈具有流動性之狀態覆蓋光源20之上表面及側面之方式配置，然後使其硬化，藉此與光源20組合。
圖2等所示之導光體10表示的是包含圖3A~圖3C所示之各導光體10A、10B、10C。又，圖2等所示之中間體111表示的是包含圖3A~圖3C所示之各中間體111A、111B、111C。
再者，作為中間體，不僅可使用圖3A~圖3C所例示之中間體，於下述各實施方式中，亦可使用形成有修正光學特性之構成要素之發光模組作為新的中間體。例如，準備第1實施方式中所例示之形成有區劃槽14之發光模組作為中間體，測定該中間體之光學特性後，形成其他實施方式所例示之修正光學特性之構成要素。如此，可將測定光學特性之前之構件廣義地定義為中間體，然後將形成有修正光學特性之構成要素之構件定義為發光模組。又，於形成修正光學特性之構成要素之後，測定光學特性，可視需要進而形成相同構成要素或不同構成要素。
其次，參照圖4A~圖4Q對光源進行說明。圖2等所示之光源20表示的是包含圖4A~圖4Q所示之各光源20A~20P。
圖4A所示之光源20A包含發光元件21及透光性構件25。光源20A亦可進而包含被覆構件24及調光構件26之至少一者。
發光元件21包含半導體積層體22、及正負一對電極23。電極23與配置於導光體10之第2主面12側之配線層52連接。發光元件21可發出可見光或紫外光。發光元件21可發出藍色至紅色範圍之光，作為可見光。半導體積層體22例如可包含InxAlyGa1-x-yN(0≦x，0≦y，x+y≦1)。
半導體積層體22可具備至少1個能發出如上所述之發光色之發光層。例如，半導體積層體22可於n型半導體層與p型半導體層之間包含能發出1種發光色之發光層。再者，上述發光層可為具有雙異質接面或單一量子井構造(SQW)等單一活性層之構造，亦可為多重量子井構造(MQW)之類之具有一組活性層群之構造。又，半導體積層體22亦可包含複數個發光層。例如，半導體積層體22可為於n型半導體層與p型半導體層之間包含複數個發光層之構造，亦可為重複複數次形成有依序包含n型半導體層、發光層及p型半導體層之構造的構造。複數個發光層可包含發光色不同之活性層，亦可包含發光色相同之活性層。再者，所謂相同發光色係指使用上被視作相同發光色之範圍，例如主波長可存在數nm左右之偏差。關於發光色之組合，可適當選擇。例如，於半導體積層體22包含2個活性層之情形 時，作為發光色之組合，可例舉藍色光與藍色光、綠色光與綠色光、紅色光與紅色光、紫外光與紫外光、藍色光與綠色光、藍色光與紅色光、或綠色光與紅色光等。
透光性構件25可覆蓋發光元件21之上表面、下表面及側面之至少一者。關於圖4A所示之光源20A，表示透光性構件25覆蓋發光元件21之上表面及側面之例。作為透光性構件25之材料，例如可使用聚矽氧樹脂、環氧樹脂等透光性樹脂、或玻璃。又，透光性構件25亦可將該等透光性之材料作為母體，於該母體中含有螢光體。螢光體係波長轉換物質，其被發光元件21發出之光激發，發出與發光元件21發出之光之波長不同波長之光。
光源20A可具備配置於發光元件21之下表面側之被覆構件24。被覆構件24對於光源20A發出之光具有反射性。例如，被覆構件24對於來自發光元件21之光之反射率可設為70%以上。被覆構件24例如為包含光擴散劑之白色樹脂構件。作為光擴散劑，例如可例舉TiO2、SiO2、Al2O3、ZrO2、ZnO等微粒子。
被覆構件24以電極23之表面(圖4A中之下表面)之至少一部分從被覆構件24露出之方式配置。被覆構件24與發光元件21之半導體積層體22之下表面相接，或者介隔透光性構件而配置。亦可配置於覆蓋發光元件21之側面之透光性構件25之下表面。
圖4A所示之例中，被覆構件24以相接之方式被覆半導體積層體22之下表面。又，被覆構件24以相接之方式被覆電極23之側面。進而，被覆構件24以相接之方式被覆透光性構件25之下表面。
光源20A可具備配置於發光元件21之上表面側之調光構件26。調光構件26將發光元件21及螢光體發出之光之一部分反射，且使其餘一部分透過。例如，調光構件26對於來自發光元件21之光之反射率可設為90%以上。調光構件26可具有透光性樹脂、及分散地包含於透光性樹脂中之光擴散劑。透光性樹脂例如可例舉聚矽氧樹脂、環氧樹脂。作為光擴散劑，例如可例舉TiO2、SiO2、Al2O3、ZrO2、ZnO等微粒子。調光構件26例如可為Al、Ag等光反射性之金屬構件、或DBR(Distributed Bragg Reflector，分佈式布拉格反射鏡)。進而，調光構件26可將其等組合而使用。
圖4B所示之光源20B由被覆構件24被覆發光元件21之半導體積層體22之側面及下表面。於半導體積層體22之上表面上配置有透光性構件25。於覆蓋半導體積層體22之側面之被覆構件24上亦配置有透光性構件25。於透光性構件25上配置有調光構件26。
圖4C所示之光源不包含上述透光性構件25及被覆構件24，而包含發光元件21、及配置於發光元件21之上表面之調光構件26。
圖4D所示之光源20D僅由發光元件21構成。光源20D之第1面(下表面)20a係發光元件21之下表面。光源20D之第2面(上表面)20b係發光元件 21之上表面。光源20D之側面20c係發光元件21之側面。
圖4E~圖4I所示之光源20E~20I係發光元件21之半導體積層體22之側面由透光性構件25被覆之光源。於發光元件21之側方，透光性構件25構成光源20E~20I之側面20c之全部或一部分。藉由設為此種構造之光源20E~20I，可使從發光元件21之側方出射之光易於朝向光源20E~20I之側方出射。
進而，光源20E~20H中，發光元件21之上表面亦由透光性構件25被覆。進而，光源20H及20L之透光性構件25包含第1透光性構件251、與配置於該第1透光性構件251之上之第2透光性構件252之兩層構造。又，光源20M之透光性構件25包含第2透光性構件252、與積層於該第2透光性構件252之上之第1透光性構件251之兩層構造。例如，可形成第1透光性構件251包含波長轉換物質，第2透光性構件252實質上不包含波長轉換物質之層。又，第1透光性構件251與第2透光性構件252可為分別包含不同波長轉換物質之層，或包含相同波長轉換物質之層。透光性構件25亦可為3層以上之構造。進而，覆蓋半導體積層體22之側面之透光性構件25與覆蓋半導體積層體22之上表面之透光性構件25可為一體，亦可為不同體。於不同體之情形時，可分別為相同構件之透光性構件25，亦可使用波長轉換物質之種類或濃度等不同之透光性構件25。
光源20E及20F中，發光元件21之半導體積層體22之下表面與電極23從透光性構件25露出。此種情形時，較佳為使發光元件21之電極23之厚 度變薄。電極23之厚度例如可設為0.5μm以上100μm以下。藉由設為此種構造，可減小光源之厚度。因此，可使發光模組為薄型。
圖4J~圖4Q所示之光源20J~20P係於發光元件21之側方配置有光反射性之被覆構件24之光源。被覆構件24直接或間接地被覆發光元件21之半導體積層體22之側面。光源20J~20O中，被覆構件24介隔被覆發光元件21之半導體積層體22之側面之透光性接著構件27，被覆發光元件21之半導體積層體22之側面。但不限於此，亦可如光源20P那樣，使被覆構件24與發光元件21之半導體積層體22之側面相接。
光源20N中，被覆構件24被覆透光性構件25之側面。藉由設為此種構造，於調光構件位於透光性構件25之上表面之情形時，可容易利用調光構件來控制光。又，光源20O中，被覆構件24被覆透光性構件25中之下層側之第1透光性構件251之側面，且未被覆上層側之第2透光性構件252之側面。藉由設為此種構造，可容易利用第2透光性構件252之上所配置之調光構件26來控制光。
光源20J~20O中，透光性構件25與發光元件21係利用透光性接著構件27接著。透光性接著構件27被覆發光元件21之半導體積層體22之側面。透光性接著構件27可位於發光元件21與透光性構件25之間。又，透光性接著構件27可如光源20P那樣省略。作為透光性接著構件27，可使用環氧樹脂、聚矽氧樹脂、將其等混合而成之樹脂等。
圖4P及圖4Q所示之光源20P具備複數個發光元件21。此處，示出具備排列成2行2列之4個發光元件21之例。發光元件21之數量不限於此。複數個發光元件21之發光波長可相同，亦可不同。例如圖4P中，於上側之行，可由左至右地排列紅色光發光元件、綠色發光元件，於下側之行，可由左至右地排列藍色發光元件、紅色光發光元件。於如此具備光之三原色之3色發光元件之情形時，配置於其等之上之透光性構件25亦可不具備波長轉換物質。
光源20G~20P包含光反射性之被覆構件24，該被覆構件24被覆發光元件21之半導體積層體22之下表面及電極23之側面。即，光源之第1面20a包含被覆構件24、及發光元件21之電極23。藉此，可抑制來自發光元件21之光被配線基板等吸收。
光源20F、20H、20I、20K、20L、20M、20O及20P於發光元件21之上方具備調光構件26。光源20I中，發光元件21之上表面與調光構件26相接。該等各光源之第2面20b包含調光構件26。調光構件26包含光反射性構件。藉由具備調光構件26，可調整從光源朝上方出射之光量。藉此，可減少從作為發光模組之光提取面之導光體10之第1主面11側視認時之亮度不均，可製成均勻性優異之發光模組及面狀光源。
發光元件21之半導體積層體22之下表面及電極23之側面經被覆構件24或透光性構件25被覆之光源亦可包含覆蓋電極23之鍍覆層或濺鍍膜等金屬膜。關於金屬膜之材料，例如可於單層使用Ag、Ni、Au、Ru、Ti、 Pt等，或積層地使用Ag、Ni、Au、Ru、Ti、Pt等。作為積層構造，例如可設為按照Ag/Cu、Ni/Au、Ni/Ru/Au、Ti/Pt/Au、Cu/Ni/Au之順序積層而成之積層構造。金屬膜可配置成連續地覆蓋被覆一對電極23之側面之被覆構件24或透光性構件25之一部分、及電極23。
本發明之實施方式之發光模組之製造方法進而具備如下工序：於準備中間體111後，如圖5A所示，使中間體111之複數個光源20發光，測定出射之光之光學特性。
通過配線層52對複數個光源20之各者供給電力，使各光源20發光。可使複數個光源20全部發光，亦可僅使複數個光源20中經選擇之光源20發光。
光源20發出之光於導光體10內被引導，並從第1主面11出射。於各實施方式中，光學特性之測定係從與第1主面11垂直之正上方，或相對於第1主面11傾斜之斜上方，對從第1主面11出射之光之光學特性進行測定。
再者，於光源20包含從被激發至發光為止之響應速度相對較慢之螢光體(例如KSF螢光體等)之情形時，可於光源20點亮後，經過一段時間後進行測定，藉此可測定穩定之光學特性。
光學特性例如為導光體10之第1主面(發光面)11內之亮度分佈、或色度分佈、或亮度分佈與色度分佈這兩者。
又，如圖5B所示，例如亦可通過彩色濾光片、擴散片、稜鏡片等光學構件200來測定從第1主面11出射之光。
本發明之實施方式之發光模組之製造方法具備如下工序：於測定了中間體111之光學特性之後，基於測定結果，於中間體111形成修正光學特性之要素。各實施方式中，光學特性之修正例如包含減少第1主面(發光面)11內之亮度分佈及/或色度分佈之不均。又，光學特性之修正包含將第1主面(發光面)11內之特定區域之亮度及/或色度改變為修正前之程度。
[第1實施方式]
圖6A係表示第1實施方式之發光模組之製造工序之模式俯視圖。圖6A表示觀察導光體10之第1主面11之俯視。
圖6B係沿圖6A之VIB-VIB線之模式剖視圖。
第1實施方式之形成修正光學特性之要素之工序包含如下工序，即，於導光體10上形成區劃槽14，該區劃槽14區劃出導光體10上之包含至少1個光源20之區域。
作為形成區劃槽14之方法，可例舉使用旋轉刀、超音波切割機、加熱切割機等，去除導光體10之一部分之方法。或者可例舉雷射光照射、噴擊等方法。
區劃槽14係作為間隔件之部分，其用以於藉由使發光模組之一部分光源20發光而進行局部調光時，提高發光區域與非發光區域之對比度。例如如圖6A所示，若將由區劃槽14包圍之四邊形區域作為1個發光區域9，則可將1個發光區域9設為局部調光之驅動單位。區劃槽14較佳為以各發光區域9於俯視下為四邊形之方式，形成為格子狀。但不限於此，亦能以發光區域於俯視下為三角形之方式形成為三角格子狀之區劃槽，還能以發光區域於俯視下為六邊形之方式形成為六角格子狀之區劃槽。
各發光區域9之亮度或色度較佳為無不均。尤佳為，與鄰接之發光區域9之亮度差或色度差較小。因此，藉由使不具備區劃槽14之導光體10及光源20之中間體111發光，根據各光源20之發光特性來調整區劃槽14之位置或寬度等，可減少各發光區域9間之亮度不均或色度不均，從而可減少呈面狀發光之發光模組中之亮度分佈或色度分佈之不均。
例如，圖6A所示之發光模組中，區劃槽14以分別包圍1個光源20之方式配置。不限於此，亦能以於1個發光區域9配置2個以上之光源20之方式配置區劃槽14。
基於中間體111之光學特性之測定結果，例如調整區劃槽14與光源20之間之距離、區劃槽14之寬度、深度等，藉此修正光學特性。藉此，可使各發光區域9為所期望之光學特性之發光區域。例如，複數個光源20之中，可使相對明亮之光源20與區劃槽14之距離大於相對較暗之光源20與區劃槽14之距離。
圖6B中例示了於第1主面11側具有開口，且底未到達第2主面12之有底之區劃槽14。區劃槽14亦可為於第2主面12側具有開口，且底未到達第1主面11之有底之槽。或者，區劃槽14亦可從第1主面11貫通至第2主面12。又，於形成此種區劃槽14之後，測定光學特性，基於該光學特性之測定結果，於區劃槽14內配置折射率較導光體10之折射率低之構件或空氣，從而可修正光學特性。又，基於光學特性之測定結果，於區劃槽14內配置光反射性構件，並調整其配置位置或透過率，藉此，可修正光學特性。於光反射性構件為包含填料之樹脂之情形時，可藉由改變填料之濃度而調整透過率。
藉由如此根據不具備區劃槽14之中間體111之光學特性來形成區劃槽14，可減少發光模組之亮度分佈不均或色度分佈不均。尤其是，於導光體10之面積較大之情形時，相應於製造工序時產生之熱，容易受到導光體10之熱縮之影響。因此，例如，即便使用預先形成有區劃槽14之導光體10，最終完成之發光模組中發光區域9之面積等有時亦會產生差異。即，即便使用預先測定發光特性而篩選出之光源20，當經過工序而導致導光體10發生熱縮時，發光區域9之光學特性會偏離所期望之光學特性，有時會獲得亮度分佈或色度分佈存在不均之發光模組。因此，藉由如上所述測定光學特性後，形成區劃槽14，可製成不易受到工序中之熱歷程之影響，而具備所期望之亮度分佈或色度分佈之發光模組。
[第2實施方式]
圖7A係表示第2實施方式之發光模組之製造工序之模式剖視圖。
第2實施方式中，例舉使用第1實施方式中獲得之發光模組作為中間體112之情形為例進行說明。即，中間體112之導光體10除包含圖5A所示之中間體111之構成以外，還包含第1實施方式中所說明之區劃槽14。再者，作為中間體，可使用形成有其他實施方式之構成要素之中間體。例如，第2實施方式之中間體不限於具備區劃槽14之中間體，可使用不具備區劃槽14之中間體。
第2實施方式之發光模組之製造工序包含如下工序：準備具有區劃槽14之中間體112；及如圖7A所示，使中間體112之複數個光源20發光，測定從第1主面11出射之光之光學特性。
而且，第2實施方式之發光模組之製造工序包含如下工序：測定光學特性後，基於測定結果，於中間體112形成調光孔17作為修正光學特性之要素。
圖7B係表示第2實施方式中之形成修正光學特性之要素之工序的模式剖視圖。
圖8A~圖8C係表示第2實施方式中之形成修正光學特性之要素之工序的模式俯視圖。
第2實施方式中，形成修正光學特性之要素之工序包含如下工序：如 圖8A~圖8C所示，於區劃槽14與光源20之間之導光體10形成調光孔17。
作為形成調光孔17之方法，可例舉使用旋轉刀、超音波切割機、加熱切割機等去除導光體10之一部分之方法。或者，可例舉雷射光照射、或噴擊等方法。又，亦可使用藉由熱壓使導光體10之一部分變形之方法。
調光孔17係可減少光源附近之亮度分佈不均之槽。例如，於具備區劃槽14之中間體俯視下為四邊形，且區劃槽14所包圍之發光區域9俯視下為四邊形之情形時，調光孔17可形成為能夠減少發光區域9內之亮度分佈不均之槽。
作為調光孔17，可例舉具備主要使來自光源20之光反射而改變光之行進方向之側面之情形、及主要使來自光源20之光折射而改變光之行進方向之側面之情形。而且，藉由利用因調光孔17引起之光之反射或折射，容易使光朝向易變暗之區域行進，可減少亮度分佈不均。
例如，於由區劃槽14包圍之發光區域9俯視下為四邊形，且光源20位於發光區域9之中心附近之情形時，與發光區域9之各邊之中心距光源20之距離相比，發光區域9之各角部距光源20之距離較長。因此，發光區域9之角部附近與其他部位相比容易變暗。調光孔17能調整為使來自光源20之光容易傳播至此種易變暗之角部。
圖8A~圖8C所示之例中，發光區域9俯視下為大致正方形，光源20 位於其中心。而且，以與發光區域9之4條邊或4個角部對應之方式配置4個調光孔17。此處所示之例中，各圖式中，調光孔17為相同形狀。但，根據光源20之位置或光學特性等，可使調光孔17為1個~3個。
此種調光孔17對於不具備區劃槽14之中間體亦有效。例如，假定如圖6A所示具備配置於縱向及橫向之光源20之中間體中不具有區劃槽14之情形。此情形時，配置於縱向或橫向之光源20彼此之間隔小於配置於斜方向之光源20彼此之間隔。即，由於配置在斜方向之光源20彼此之間隔較大，故與具備區劃槽14之情形時之角部相當之部分距光源20之距離較遠，來自光源20之光不易傳播而容易變暗。因此，於不具備區劃槽14之情形時，亦以光容易從光源20朝斜方向傳播之方式形成調光孔17，藉此，可容易地使光傳播至光源20間易變暗之部分。藉此，可減少發光模組之亮度分佈不均。
如圖7B所示，例如，調光孔17係於第1主面11側具有開口之有底之孔。或，調光孔17亦可為於第2主面12側具有開口之有底之孔。或，調光孔17亦可從第1主面11貫通至第2主面12。
可使調光孔17內保持為空氣層之狀態。或，可於形成調光孔17之後測定光學特性，基於該光學特性之測定結果，於調光孔17內配置折射率較導光體10之折射率低之構件、或光反射性構件，從而修正光學特性。
如圖8A~圖8C所示，調光孔17可於由區劃槽14包圍之1個發光區域9 內形成複數個。此處，例舉發光區域9於俯視下為四邊形，且光源20位於四邊形之中心之情形為例進行說明。
圖8A所示之調光孔17具有使來自光源20之光於與光源20對向之側之側面(內側面)反射之功能。圖8A中，為了方便說明，於發光區域9內，設定假想之第1直線L1及第2直線L2。第1直線L1係於發光區域9之俯視下，將光源20之中心與區劃槽14之距光源20之中心最遠之部分連結的直線。第2直線L2係於發光區域9之俯視下，將光源20之中心與區劃槽14之距光源20之中心最近之部分連結的直線。
於發光區域9之形狀為四邊形，且光源20位於四邊形之中心之情形時，區劃槽14之距光源20之中心最遠之部分為發光區域9之角部。於俯視下發光區域9之形狀為四邊形，且光源20之中心與發光區域9之中心一致之情形時，第1直線L1及第2直線L2各存在4根。
圖8A所示之俯視下，於發光區域9之4邊之各者與光源20之間形成有調光孔17。即，調光孔17形成於與第2直線L2交叉之位置。進而，調光孔17以不配置於第1直線L1上之方式形成。
圖8A所示之例中，調光孔17之俯視下之形狀為V字形。詳細而言，傾斜之兩個直線狀之槽相連之彎折部分以與光源20之1個邊對向之方式配置。藉由此種調光孔17，從光源20之1個邊出射之光由調光孔17之兩個內側面反射，反射後之光朝向發光區域9之角部之方向行進。再者，於調光 孔17之內部為空氣等之情形時，照射至兩個內側面相接之部分之光未被反射而直接通過調光孔17內。
圖8A所示之例中，例示了調光孔17為線對稱之V字狀。但不限於此，可根據光源20之位置與角部之位置關係，適當調整調光孔17之形狀，例如其中一槽較另一槽長之V字狀、或由相對於中心線之角度不同之2個槽構成的V字狀等。
進而，調光孔17亦可為1個直線狀或直線狀之槽，而非由如上所述之兩個直線狀或曲線狀之槽之組合構成的形狀。如V字狀這樣由角度不同之兩個槽構成之調光孔使光朝向兩個角部反射，與此相對，由1個槽構成之調光孔可使光朝向1個角部反射。
圖8B係調光孔17之變化例。圖8B中，為了方便說明，亦設定與圖8A相同之假想之第1直線L1及第2直線L2。
圖8B所示之俯視下，於發光區域9之4邊之各者與光源20之間配置有調光孔17，此點與圖8A所示之例相同。圖8B所示之調光孔17具有如下功能，即，使從與光源20對向之側之側面(內側面)入射至調光孔17內之光於位於發光區域9之邊側一側之側面(外側面)折射的功能。
圖8B中，調光孔17之與光源20對向之側之側面(內側面)相對於光源20之1個邊平行。而且，與發光區域9之邊對向之側之側面(外側面)相對於 發光區域9之邊傾斜。來自光源20之光通過該調光孔17之內側面，入射至調光孔17內之後，由外側面折射後朝向角部方向行進。藉此，可使角部附近變亮，可減少亮度分佈不均。
圖8B所示之例中，調光孔17之俯視形狀為三角形，例如為直角三角形、正三角形、等腰三角形等三角形。又，亦可為三角錐台形。調光孔17未配置於第1直線L1上，而與第2直線L2交叉。調光孔17之外側面除如圖8B所示俯視下為直線狀以外，亦可設為曲線。即，調光孔17之俯視形狀亦可為半圓狀或半橢圓狀。
藉由形成如圖8B所示之調光孔17，從光源20出射並於第2直線L2之附近傳播之光之一部分可由調光孔17折射而改變行進方向，且通過調光孔17而射向第1直線L1之附近。藉此，發光區域9之角部變亮，可減少發光區域9內之亮度分佈之不均。
圖8C係調光孔17之又一變化例。圖8C中，為了方便說明，亦設定與圖8A相同之假想之第1直線L1及第2直線L2。
圖8C所示之俯視下，於發光區域9之4個角部之各者與光源20之間配置有調光孔17。調光孔17具有如下功能，即，使從與光源20對向之側之側面(內側面)入射至調光孔17內之光於位於發光區域9之角部側一側之側面(外側面)折射。
圖8C中，調光孔17之與光源20對向之側之側面(內側面)於俯視下為直線狀。而且，發光區域9之與角部對向之側之側面(外側面)於俯視下為凹曲線狀。來自光源20之光通過該調光孔17之內側面，入射至調光孔17內之後，由外側面折射後以朝向角部聚光之方式行進。藉此，可使角部附近變亮，可減少發光區域9內之亮度分佈不均。
圖8C所示之調光孔17之俯視形狀為平凹型之凹透鏡狀。調光孔17之凹面朝向發光區域9之角部。調光孔17配置於與第1直線L1交叉之位置，未配置於第2直線L2上。
調光孔17之內部之折射率低於導光體10之折射率，調光孔17之形狀為凹透鏡狀，因此，調光孔17中產生與通常之凸透鏡類似之光學作用，使得通過調光孔17之光聚光。透過調光孔17之光朝接近第1直線L1之方向折射，聚集於發光區域9之角部附近。藉此，發光區域9之角部變亮，可減少發光區域9內之亮度分佈之不均。
[第3實施方式]
圖9A~圖9C係表示本發明之第3實施方式之發光模組之製造工序的模式剖視圖。
第3實施方式中，與其他實施方式之相同點在於包含如下工序：準備中間體111；及使中間體111之複數個光源20發光，測定從第1主面11出射之光之光學特性。第3實施方式中，作為基於上述測定結果而形成修正光 學特性之要素之工序，包含如下工序，即，於光源20之上方及/或光源20之上方以外之區域，形成使光源20發出之光之至少一部分反射的調光構件80作為修正光學特性之要素。藉此，可修正光學特性。
作為形成調光構件80之方法，可例舉印刷、灌注、噴霧、濺鍍、蒸鍍、預先成形之調光構件80之貼附、塗佈等方法。
如圖9A所示，於準備在導光體10之凹部15配置有光源20之中間體之情形時，可在位於光源20之上方及/或光源20之上方以外之區域的導光體10之第1主面11上，配置調光構件80作為修正光學特性之要素。
調光構件80對於光源20發出之光具有反射性及透光性。調光構件80可具有透光性樹脂、及分散地包含於透光性樹脂中之光擴散劑。透光性樹脂例如為聚矽氧樹脂、環氧樹脂。光擴散劑例如可例舉TiO2、SiO2、Al2O3、ZrO2、ZnO等微粒子。
配置於光源20之正上方之調光構件80可使光源20之朝正上方方向出射之光之一部分擴散反射，使其餘一部分透過。藉此，可抑制與並非光源20之正上方之區域之亮度相比，光源20之正上方區域之亮度變得極高。
例如，於複數個光源20之複數個正上方區域中，在亮度相對明亮之區域配置光透過率相對較低之調光構件80，藉此可減少第1主面11內之亮度分佈之不均。
如圖3C所示，於使用利用導光體10C將光源20密封之中間體111C之情形時，亦可於導光體10C之第1主面11上之光源20之上方配置調光構件80作為修正光學特性之要素。調光構件80可於光源20之正上方區域配置於整個面。或者，調光構件80可於光源20之正上方區域，呈點狀或條狀等局部地配置。
配置於光源20之正上方以外之調光構件80例如可配置於位於鄰接之光源20之間之導光體10的第1主面11。配置於此種位置之調光構件80可根據光源20間之距離或光源20之配置，適當調整所配置之位置。
調光構件80可配置於光源20之正上方、及光源20之正上方以外之區域這兩者。
圖9B表示準備配置有導光體10且於導光體10之第1孔部13內配置有光源20及透光性構件70之中間體作為中間體，於位於光源20之上方之透光性構件70上配置調光構件80作為修正光學特性之要素之例。透光性構件70於第1孔部13內覆蓋光源20之上表面及側面。調光構件80之一部分亦可配置於導光體10之第1主面11上。
透光性構件70對於光源20發出之光具有透光性，例如可使用與導光體10之材料相同之樹脂、或與導光體10之材料之折射率差較小之樹脂。調光構件80對於光源20發出之光之透過率低於透光性構件70對於光源20 發出之光之透過率。
如圖9C所示，作為中間體，可使用包含具備第1孔部13之導光體10、及配置於第1孔部13內之光源20之中間體。該中間體於第1孔部13內不具備透光性構件。而且，亦可於第1孔部13內所配置之光源20之上表面，配置調光構件80作為修正光學特性之要素。然後，亦可於第1孔部13內形成透光性構件，還可使第1孔部13內保持為空氣層之狀態。又，亦可將於第1孔部13內形成有光源20及被覆光源20上之調光構件80之透光性構件者作為中間體，進而，於透光性構件上配置與圖9B相同之調光構件作為修正光學特性之要素。
[第4實施方式]
圖10A~圖10C係表示本發明之第4實施方式之發光模組之製造工序的模式剖視圖。
第4實施方式中，與其他實施方式之相同點在於包含如下工序：準備中間體111；及使中間體之複數個光源20發光，測定從第1主面11出射之光之光學特性。作為基於測定結果而形成修正光學特性之要素之工序，包含在光源20之上方或光源20之附近形成螢光體層之工序。藉此，可修正光學特性。
作為形成螢光體層之方法，可例舉印刷、灌注、噴霧、濺鍍、蒸鍍、預先成形之螢光體層之貼附等方法。
如圖10A所示，於準備在導光體10之凹部15配置有光源20之中間體之情形時，可在位於光源20之上方之導光體10之第1主面11上，配置螢光體層90作為修正光學特性之要素。
如圖3C所示，於準備利用導光體10C將光源20密封之中間體111C之情形時，亦可在位於光源20之上方之導光體10C之第1主面11上配置螢光體層90作為修正光學特性之要素。
第4實施方式中，例如使包含螢光體之光源20或不包含螢光體之光源20發光，測定色度分佈作為光學特性。基於測定結果，例如於螢光體之色調相對不足之區域配置螢光體層90作為修正光學特性之要素。藉此，可減少第1主面11內之色度分佈之不均。
圖10B表示準備配置有導光體10且於導光體10之第1孔部13內配置有光源20及透光性構件70之中間體作為中間體，於位於光源20之上方之透光性構件70上配置螢光體層90作為修正光學特性之要素之例。
圖10C所示之例中，將包含螢光體91之液狀之透光性樹脂供給至第1孔部13內後，使之硬化，而作為修正光學特性之要素。藉此，於第1孔部13內形成透光性構件70。此時，藉由基於光學特性(色度分佈)之測定結果，調整液狀(未硬化)之透光性樹脂中含有之螢光體91之組成、含量等，可進行色度修正，從而可減少色度分佈不均。
[第5實施方式]
圖11A係表示本發明之第5實施方式之發光模組之製造工序的模式剖視圖。第5實施方式中準備之中間體具有於導光體10之第1孔部13配置有光源20之構成。
圖19係從導光體10之第1主面11側觀察第1孔部13、及配置於第1孔部13之光源20所得之模式俯視圖。
第5實施方式中，與其他實施方式之相同點在於包含如下工序：準備中間體111；及使中間體之複數個光源20發光，測定從第1主面11出射之光之光學特性。作為基於測定結果而形成修正光學特性之要素之工序，如圖19所示，於第1孔部13之內側面與光源20之側面之間之配線基板50上形成光反射性構件43。藉此，可修正光學特性。
作為形成光反射性構件43之方法，可例舉灌注、噴霧、濺鍍、蒸鍍、預先成形之光反射性構件43之貼附等方法。
光反射性構件43配置於第1孔部13內之光源20之周邊之配線基板50上。光反射性構件43對於光源20發出之光具有反射性。光反射性構件43例如為透光性之樹脂材料中包含TiO2、SiO2、Al2O3、ZrO2、ZnO等微粒子作為光擴散劑之白色樹脂構件。
於光學特性之測定結果為光源20之周邊亮度較低之情形時，可配置 光反射性構件43來提高光源20之周邊亮度。
對於導光體10之第1孔部13配置有光源20之中間體，第1孔部13內之光源20之面方向之位置可能會產生偏差。例如，圖11B之截面中左側所示之光源20於第1孔部13內位於較中心偏靠左側之位置。因此，該光源20之側面與第1孔部13之內側面之間之距離於光源20之周向上不均勻。
即，第1孔部13包含：第1孔部13之內側面與光源20之側面之間之距離為第1距離的第1區域a1、及第1孔部13之內側面與光源20之側面之間之距離大於第1距離的第2區域a2。此情形時，第1區域a1之亮度容易高於第2區域a2之亮度。
此種情形時，藉由將光反射性構件43配置於第1區域a1之配線基板50上，而不配置於第2區域a2之配線基板50上，可利用光反射性構件43使第1區域a1之光分散，而抑制第1區域a1之亮度與第2區域a2之亮度相比變得過高。即，可修正由第1孔部13內之光源20之位置偏差引起之光源20之周向上之亮度之不均勻分佈。
又，對於導光體10之第1孔部13配置有光源20之中間體，第1孔部13自身之位置可能會產生偏差。第1孔部13之位置偏差會使得相鄰之第1孔部13間之距離產生偏差。此情形時，即便光源20於第1孔部13內配置於中心，相鄰之光源20間之距離亦會產生偏差。
例如，圖11D所示之例中，根據第1孔部13之位置偏差，導光體10具有光源20間之距離為第3距離d3之第3區域a3、及光源20間之距離為大於第3距離d3之第4距離d4之第4區域a4。此情形時，容易使第3區域a3之亮度高於第4區域a4之亮度。
此種情形時，於第3區域a3之第1孔部13內之配線基板50上形成光反射性構件43，藉此，利用光反射性構件43使第3區域a3之光分散，從而可抑制第3區域a3之亮度與第4區域a4之亮度相比變得過高。
[第6實施方式]
圖11C係表示本發明之第6實施方式之發光模組之製造工序的模式剖視圖。
圖11C所示之中間體中，例如，左側之第1孔部13內所配置之光源20於第1孔部13內位於較中心偏靠左側之位置。因此，該光源20之側面與第1孔部13之內側面之間之距離於光源20之周向上不均勻。
第6實施方式中，於導光體10之包含第1區域a1、第2區域a2、及第1區域a1與第2區域a2之間之光源20的圖11C所示之截面中之第1區域a1側之部分，形成槽作為修正光學特性之要素。進而，於該槽內形成光反射性之壁部47。或，槽內亦可為空氣層。藉此，可修正光學特性。
作為形成壁部47之方法，可例舉藉由雷射光照射等形成槽之後，利 用灌注、噴霧、印刷等方法於槽內配置光反射性構件之方法。
如圖11C所示，壁部47(或槽)可為其底部位於較光源20之上表面靠上側之深度。但不限於此，壁部47之深度可根據光學特性而適當調整。又，俯視下，壁部47之寬度與光源20之寬度相同，或較其寬。或者，俯視下可為較第1孔部13之寬度大之寬度。又，剖視下之壁部47之角度如圖11C所示，為與導光體10之厚度方向平行之角度。或者，可設為具備相對於導光體10之厚度方向傾斜之側面之壁部47。又，壁部47與第1孔部13之距離例如可設為與第1孔部13之內側面和光源20之側面之距離相等之距離。
例如，壁部47係白色樹脂構件，其形成於從導光體10之第1區域a1側之部分之第1主面11側形成之槽內。白色樹脂構件例如於透光性之樹脂材料中包含TiO2、SiO2、Al2O3、ZrO2、ZnO等微粒子作為光擴散劑。
於與第1主面11平行之方向上，壁部47與第1區域a1之距離小於壁部47與第2區域a2之距離。壁部47之一部分可與光源20之第1區域a1側之側面對向。
可使從光源20之第1區域a1側之側面朝斜上方出射之光於壁部47反射，射向第2區域a2側。藉此，可抑制第1區域a1之亮度與第2區域a2之亮度相比變得過高。即，可修正由第1孔部13內之光源20之位置偏差所致之光源20之周向上的亮度之不均勻分佈。
圖11E所示之例中，根據第1孔部13之位置偏差，導光體10具有光源20間之距離為第3距離d3之第3區域a3、及光源20間之距離為大於第3距離d3之第4距離d4之第4區域a4。
此種情形時，藉由於第3區域a3之導光體10形成槽或如上所述之光反射性之壁部47，可使從光源20之第3區域a3側之側面朝斜上方出射之光於壁部47(或槽)反射，射向第4區域a4側。藉此，可抑制第3區域a3之亮度與第4區域a4之亮度相比變得過高。配置於第3區域a3之壁部47亦可僅配置於與第4區域a4鄰接之側之光源20(圖11E中為中央之光源20)之附近，或僅配置於不與第4區域a4鄰接之側之光源20(圖11E中為左側之光源20)之附近。壁部47(或槽)配置於較相隔第3距離d3配置之2個光源20間之中點靠近光源20之位置。又，於在第3區域a3之導光體10形成上述區劃槽14之情形時，壁部47(或槽)配置於較區劃槽14靠近光源20之位置。
[第7實施方式]
圖12A及圖12B係表示本發明之第7實施方式之發光模組之製造工序的模式剖視圖。
第7實施方式中之形成修正光學特性之要素之工序包含如下工序，即，於第1孔部13內配置透光性構件70作為要素。
對第1孔部13內配置有光源20之中間體之亮度及/或色度進行測定。基於測定結果，根據光源20來選擇透光性構件70之折射率，將該透光性 構件70配置作為修正光學特性之要素。藉此，可減少第1主面11內之亮度分佈及/或色度分佈之不均。例如，可從與光源20之母材(例如，圖4A所示之透光性構件25)相同之折射率、較光源20之母材高之折射率、及較光源20之母材低之折射率這三者中選擇透光性構件70之折射率。
又，如圖12A所示，例如左側之第1孔部13內所配置之光源20於第1孔部13內位於較中心偏靠左側之位置。因此，該光源20之側面與第1孔部13之內側面之間之距離於光源20之周向上不均勻。此種情形時，於透光性構件70之上表面形成相對於第1主面11傾斜之傾斜面71作為修正光學特性之要素。藉此，可修正由光源20之配置偏差所致之光學特性之偏差。
傾斜面71與折射率較透光性構件70低之構件或空氣相接。因此，可使從光源20出射之光於傾斜面71全反射。傾斜面71以第1區域a1側相較第2區域a2側位於下方之方式傾斜。詳細而言，透光性構件70之上表面於剖視下由一個傾斜面71構成。換言之，透光性構件70之傾斜面71之最低部分位於與第1孔部13之內側面相接之部分。如此，於光源20之正上方形成1個傾斜面71，藉此，可利用1個傾斜面71使來自光源20之光反射。此處，來自光源20之光相較第1區域a1側而言容易朝向第2區域a2側反射。因此，可抑制第1區域a1之亮度與第2區域a2之亮度相比變得過高。即，可修正由第1孔部13內之光源20之位置偏差所致的光源20之周向上之亮度之不均勻分佈。
圖12B所示之例中，於透光性構件70之上表面形成例如剖視下為V字 狀之凹部74。該凹部74之內表面包含剖視下相對於第1主面11傾斜之第1傾斜面72與第2傾斜面73。作為凹部74，可例舉三角錐狀、四角錐狀、圓錐狀等錐狀之凹部74。或者三角錐台狀、四角錐台狀、圓錐台狀等錐台狀之凹部74。
於凹部74為圓錐狀情形時，剖視下，第1傾斜面72以第1區域a1側較第2區域a2側低之方式傾斜。第2傾斜面73以第2區域a2側較第1區域a1側低之方式傾斜。第1傾斜面72之下端與第2傾斜面73之下端位於相較第2區域a2更靠近第1區域a1一側之光源20之上方，形成凹部74之底。
根據圖12B所示之例，由於形成有第2傾斜面73，故與圖12A所示之例相比，可使朝向第1區域a1側反射之成分變多。即，圖12A所示之透光性構件70之凹部於剖視下，在光源20之上方具有1個傾斜面71，因此可使來自光源20之上方之光朝向一個方向反射。與此相對，圖12B所示之凹部74於剖視下，在光源20之上方具有2個傾斜面72、73，因此可使來自光源20之上方之光朝向兩個方向反射。藉由根據光源20之位置偏移量來調整傾斜面71~73之最低位置，可減少亮度不均。
例如，於在第1孔部13內配置透光性構件70之材料之後，配置具備傾斜面之凸狀模，使透光性構件70之材料硬化，藉此，可形成具有傾斜面71~73之凹部。或者，於形成具有與導光體10之第1主面11為同一平面之上表面之透光性構件70後，利用Leutor等對透光性構件70之一部分進行切削等而去除該透光性構件70之一部分，藉此可形成傾斜面71~73。
[第8實施方式]
圖13A係表示本發明之第8實施方式之發光模組之製造工序的模式剖視圖。
第8實施方式中之形成修正光學特性之要素之工序包含如下工序，即，於透光性構件70形成槽75作為要素。
如圖13A所示，例如，配置於左側之第1孔部13之光源20於第1孔部13內位於較中心偏靠左側之位置。因此，該光源20之側面與第1孔部13之內側面之間之距離於光源20之周向上不均勻。此種情形時，藉由於透光性構件70之第1區域a1側之部分形成槽75作為修正光學特性之要素，可修正由光源20之配置偏差所致之光學特性之偏差。
例如，可於槽75內配置折射率較透光性構件70低之構件或空氣層。藉此，可使從光源20出射之光於槽75與透光性構件70之界面處全反射。
從光源20朝向槽75向斜上方出射之光可於槽75與透光性構件70之界面處反射，射向第2區域a2側。藉此，可抑制第1區域a1之亮度與第2區域a2之亮度相比變得過高。即，可修正由第1孔部13內之光源20之位置偏差所致之光源20之周向上之亮度之不均勻分佈。
如圖13B所示，亦可於槽75內形成光反射性構件76。從光源20朝向 光反射性構件76向斜上方出射之光可利用光反射性構件76反射，使其射向第2區域a2側。藉此，可抑制第1區域a1之亮度與第2區域a2之亮度相比變得過高。
作為光反射性構件76，例如可使用與圖9A~圖9C所示之調光構件80相同材料之構件。光反射性構件76亦可配置於透光性構件70之上表面。配置於透光性構件70之上表面之光反射性構件76能以與上述調光構件80相同之方式發揮功能。
作為形成槽75之方法，可例舉雷射光照射等。又，作為形成光反射性構件76之方法，可例舉灌注、噴霧、印刷等方法。
如圖13A所示，槽75可形成為其底部位於較光源20之上表面靠上側之深度。又，俯視下，槽75之寬度可形成為與光源20之寬度相同，或較其寬。又，剖視下之槽75之角度可如圖13A所示，形成為與導光體10之厚度方向平行之角度。或者，可形成為具備相對於導光體10之厚度方向傾斜之側面之槽75。又，剖視下，槽75較佳為配置於光源20之上表面之端部上、或較上表面之正上方靠外側。
[第9實施方式]
圖14A~圖14C係表示本發明之第9實施方式之發光模組之製造工序的模式剖視圖。
第9實施方式中，如圖14A所示，準備中間體，該中間體包含配線基板50、配置於配線基板50上之導光體10、及配置於導光體10之第1孔部13之複數個光源20。第1孔部13內未形成有透光性構件。各光源20之上述電極23例如經由焊料而連接於配線層52。
使該中間體之複數個光源20全部發光，或使所選擇之光源20發光，測定從第1主面11出射之光之光學特性。
第9實施方式中，基於光學特性之測定結果，將配線基板50上之光源20更換為另一光源20並重新配置於配線基板50上，藉此修正光學特性。
圖14A中，例如右側所示之光源20-1之亮度及/或色度與另一光源20之亮度及/或色度存在偏差之情形時，將該光源20-1作為更換對象。
對中間體施加熱，使焊料熔融，將光源20-1從配線基板50卸除(圖14B)。繼而，如圖14C所示，將另一光源20-2重新配置於配線基板50上之已卸除光源20-1之位置。使焊料熔融，使光源20-2之電極23與配線層52接合。對於配線基板50之光源20-1卸除及光源20-2之重新配置係通過導光體10之第1孔部13進行。
又，第9實施方式中，除使光源20發光而測定光學特性之工序以外，亦可測定配線基板50上之光源20之位置，基於該光源20之位置之測定結果，將配線基板50上之光源20-1更換為另一光源20-2並重新配置於配線基 板50上。
[第10實施方式]
圖15A~圖15D係表示本發明之第10實施方式之發光模組之製造工序的模式剖視圖。
第10實施方式中，如圖15A所示，準備中間體，該中間體包含配線基板50、及配置於配線基板50上之複數個光源20。該中間體不包含導光體10。各光源20之電極23例如經由焊料而連接於配線層52。使該中間體之複數個光源20全部發光，或使所選擇之光源20發光，測定出射之光之光學特性。
圖15A中，例如右側所示之光源20-1之亮度及/或色度與另一光源20之亮度及/或色度存在偏差之情形時，將該光源20-1作為更換對象。
對中間體施加熱，使焊料熔融，將光源20-1從配線基板50卸除(圖15B)。繼而，如圖15C所示，將另一光源20-2重新配置於配線基板50上之光源20-1經卸除之位置。使焊料熔融，使光源20-2之電極23與配線層52接合。
將光源20-2重新配置於配線基板50上之後，如圖15D所示，將導光體10配置於配線基板50上。導光體10具有第1孔部13，於該第1孔部13內配置光源20。然後，亦可於配置有導光體10之狀態下使光源20發光而測定 光學特性，並繼續進行上述各實施方式之形成修正光學特性之要素之工序。
根據第10實施方式，可於無導光體10之狀態下，施加熱而使焊料熔融，從而將光源20-1卸除，或使光源20-2與配線層52接合。因此，亦可使用耐熱性低之材料作為導光體10。
又，第10實施方式中，除使光源20發光而測定光學特性之工序以外，亦可於將導光體10配置在配線基板50上之前，測定配線基板50上之光源20之位置，基於該光源20之位置之測定結果，將配線基板50上之光源20-1更換為另一光源20-2並重新配置於配線基板50上。
[第11實施方式]
圖16A~圖16C係表示本發明之第11實施方式之發光模組之製造工序的模式剖視圖。
第11實施方式中，如圖16A所示，準備中間體，該中間體包含導光體10、複數個光源20、及與光源20電性連接之配線層52。導光體10以覆蓋光源20之上表面及側面之方式將光源20密封，與光源20成為一體。或，於導光體10，例如如圖3B所示形成凹部15，於該凹部15配置有光源20。配線層52配置於導光體10之第2主面12，與光源20之上述電極23連接。
使該中間體之複數個光源20全部發光，或使所選擇之光源20發光， 測定從第1主面11出射之光之光學特性。第11實施方式中，進而具備如下工序：基於光學特性之測定結果，將光源20連同導光體10之一部分更換為另一光源20並重新配置。
圖16A中，例如右側所示之光源20-1之亮度及/或色度與另一光源20之亮度及/或色度存在偏差之情形時，將該光源20-1作為更換對象。
將光源20-1連同導光體10之一部分(光源20-1之上之部分及光源20-1之周邊部分)，從中間體卸除(圖16B)。配置於第2主面12且與光源20-1連接之配線層52亦與光源20-1一起卸除。
繼而，如圖16C所示，將另一光源20-2連同導光體10之一部分(光源20-2之上之部分及光源20-2之周邊部分)，重新配置於中間體之已卸除光源20-1之部分。重新配置光源20-2及導光體10之一部分之後，將連接於光源20-2之配線層52配置在導光體10之第2主面12。或，亦可將配線層52與光源20-2及導光體10之一部分一起，一體地重新配置。
以上所說明之各實施方式中，例如於將複數個光源20與尺寸較製品尺寸大之導光體10組合之狀態下進行發光模組之製造，最終，於包含至少1個光源20之任意區域中，將導光體10分割成各製品尺寸。
根據本發明之各實施方式，具備如下工序：對於發光模組之製造中途之中間體，使複數個光源發光而測定出射之光之光學特性；基於光學特 性之測定結果，於中間體形成修正光學特性之要素；及/或更換光源並重新配置。藉此，即便因製造偏差、或各光源之特性偏差等，導致發光面內之亮度分佈或色度分佈產生不均，亦可予以修正。結果，可減少發光模組之製品間之個體差(光學特性之偏差)，製造具有穩定光學特性之發光模組。再者，亦可將上述各實施方式中之2個以上之實施方式組合而實施。
其次，對藉由本發明之實施方式之製造方法而製造之發光模組及面狀光源之一例進行說明。
[第12實施方式]
圖17係本發明之第12實施方式之面狀光源1之模式俯視圖。
面狀光源1可具備1個或複數個光源20。於面狀光源1具備複數個光源20之情形時，各光源20之間由區劃槽14區劃。亦將該經區劃之1個區域稱為發光區域9。又，於具備1個光源20之面狀光源之情形時，1個面狀光源具備1個發光區域9。
1個發光區域9例如可設為局部調光之驅動單位。圖17中，例示了具備區劃為2列3行之6個發光區域9之面狀光源1。再者，構成面狀光源1之光源20之數量及發光區域9之數量不限於圖17所示之數量。又，亦可藉由將複數個面狀光源1排列，而製成面積更大之面狀光源裝置。
圖17中，將與面狀光源1之發光面平行且相互正交之2方向設為X方 向及Y方向。面狀光源1例如具有四邊形之外形，該四邊形具有沿著X方向延伸之2邊、及沿著Y方向延伸之2邊。
圖18係沿圖17之XVIII-XVIII線之模式剖視圖，表示包含1個光源20之部分之模式截面。面狀光源1具備發光模組100及配線基板50。
發光模組100具備積層構造體120及光源20。積層構造體120具備導光體10、及配置於導光體10之第2主面12之光反射性構件41。
導光體10包含第1孔部13。光反射性構件41於與第1孔部13重疊之位置包含第2孔部41a。即，積層構造體120具備包含第1孔部13及第2孔部41a之貫通孔H。可使第1孔部13與第2孔部41a為相同寬度(直徑)。或者，可使第1孔部13之寬度(直徑)大於或小於第2孔部41a之寬度(直徑)。第1孔部13與第2孔部41a於俯視下可為圓形、橢圓形。第1孔部13與第2孔部41a於俯視下可為三角形、四邊形、六邊形、八邊形等方形。第1孔部13與第2孔部41a較佳為俯視下，各自之中心一致。
可於區劃槽14內配置光反射性構件42。光反射性構件42較佳為對於光源20發出之光具有反射性。作為光反射性構件42，例如可使用透光性之樹脂材料中包含光擴散劑之白色樹脂構件。作為光擴散劑，例如可例舉TiO2、SiO2、Al2O3、ZrO2、ZnO等微粒子。又，亦可使用Al、Ag等光反射性之金屬構件作為光反射性構件42。又，亦可於區劃槽14內配置折射率較導光體10之折射率低之構件、或空氣層。
光源20配置於積層構造體120之貫通孔H內之配線基板50上。光源20例如具有上述圖4A所示之構成。或，光源20亦可為圖4B~圖4Q所示之構成之光源。
積層構造體120配置於配線基板50上。導光體10之第2主面12與配線基板50對向，光反射性構件41配置於第2主面12與配線基板50之間。
光反射性構件41對於光源20發出之光具有反射性。例如，可使用片狀之樹脂構件作為光反射性構件41。可使用透光性之樹脂材料中包含大量氣泡之白色樹脂構件作為光反射性構件41。或，可使用透光性之樹脂材料中包含光擴散劑之白色樹脂構件作為光反射性構件41。作為光擴散劑，例如可例舉TiO2、SiO2、Al2O3、ZrO2、ZnO等微粒子。作為光反射性構件41中包含之樹脂材料，例如可使用丙烯酸系樹脂、聚碳酸酯、環狀聚烯烴、聚對苯二甲酸乙二酯或聚酯等熱塑性樹脂，或者環氧樹脂或聚矽氧樹脂等熱固性樹脂等。
光反射性構件41經由接著層62接著於配線基板50。接著層62例如為環氧樹脂、丙烯酸系樹脂、烯烴樹脂等樹脂層。即，導光體10介隔接著層62及光反射性構件41配置於配線基板50上。
於貫通孔H內之光源20周邊之配線基板50上配置有光反射性構件43。光反射性構件43對於光源20發出之光具有反射性。光反射性構件43 例如為透光性之樹脂材料中包含TiO2、SiO2、Al2O3、ZrO2、ZnO等微粒子作為光擴散劑之白色樹脂構件。
於圖19所示之俯視下，光反射性構件43配置於貫通孔H之內側面Ha與光源20之側面20a之間的配線基板50上。
於貫通孔H內配置有上述透光性構件70。透光性構件70配置於光源20之側面20a與貫通孔H之內側面Ha之間。可配置成，於光源20之側面20a與透光性構件70之間、及貫通孔H之內側面Ha與透光性構件70之間未形成有空氣層等空間。
透光性構件70配置於光反射性構件43之上、及光源20之上，覆蓋光反射性構件43及光源20。透光性構件70之上表面可為平坦之面。或者，透光性構件70之上表面可為凹狀或凸狀之曲面。透光性構件70可與貫通孔H之內側面Ha之整個面相接。或者，透光性構件70能以導光體10之第1孔部13之內側面之一部分露出之方式配置。又，透光性構件70亦可具備從貫通孔H內延伸至導光體10之第1主面11之上的部分。
配線基板50具備絕緣基材51、及配置於絕緣基材51上之配線層52。配線基板50可進而具備被覆配線層52之絕緣性之被覆層53。又，配線基板50可具備與配線層52電性連接之導電部54。絕緣基材51及被覆層53例如可包含聚醯亞胺、聚萘二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸乙二酯等樹脂。配線層52及導電部54例如可包含銅、鋁等金屬材料。
光源20之電極23經由導電性之接合構件61接合於導電部54。接合構件61例如可使用Au-Sn、Au-Ag-Cu、Au-Bi等焊料、或金屬漿料等。
透光性構件70亦可配置於光源20與配線基板50之間、及接合構件61之周圍。
於透光性構件70上配置有上述調光構件80。調光構件80能以覆蓋透光性構件70之上表面之全部或一部分之方式配置。如圖17所示，調光構件80較佳為於俯視下配置於與光源20重疊之位置。例如如圖17所示，調光構件80於俯視下為較四邊形之光源20大之四邊形。調光構件80於俯視下可為圓形、三角形、六邊形、八邊形等形狀。又，調光構件80亦可延伸至透光性構件70之上表面、及其周邊之導光體10之第1主面11之上。
於光源20之上表面之調光構件26與透光性構件70之上表面之調光構件80之間，配置有透光性構件70之一部分。透光性構件70相較調光構件26及調光構件80而言，對於光源20發出之光之透過率較高。透光性構件70對於光源20發出之光之透過率可為調光構件26及調光構件80之透過率之2倍~100倍。
調光構件26使朝光源20之正上方方向出射之光之一部分擴散反射，使其餘一部分透過。藉此，可抑制於面狀光源1之各發光區域9，光源20之正上方區域之亮度與其他區域之亮度相比變得極高。即，可減少從區劃 槽14區劃出之1個發光區域9出射之光之亮度不均。
又，以與調光構件26分離之方式，於透光性構件70上配置有調光構件80。於調光構件26與調光構件80之間介置有較調光構件26及調光構件80透過率高之透光性構件70之一部分。從光源20出射之光、由光源20周邊之光反射性構件43反射之光等被引導至調光構件26與調光構件80之間之透光性構件70。被引導至透光性構件70之光之一部分由調光構件80擴散反射，其餘一部分透過調光構件80。藉此，光源20之正上方區域不會變得過亮，且不會變得過暗，結果可減少發光區域9之發光面內之亮度不均。
藉由貫通孔H內之光源20之周邊之配線基板50上所配置之光反射性構件43，可減少光源20之周邊區域之光吸收。
配置於導光體10之第2主面12之光反射性構件41於導光體10內被引導，使射向第2主面12之光朝作為面狀光源1之發光面之第1主面11側反射，而提高從第1主面11提取之光之亮度。
於光反射性構件41與第1主面11之間之區域，利用光反射性構件41與第1主面11之全反射不斷重複，同時，來自光源20之光於導光體10內被朝向區劃槽14引導。射向第1主面11之光之一部分被從第1主面11提取至導光體10之外部。
[第13實施方式]
圖20係本發明之第13實施方式之面狀光源之模式剖視圖。圖20表示面狀光源之配置有光源20之部分及其周邊部分之截面。
如上述圖3B所示之構成，導光體10包含在第2主面12側形成開口之凹部15。光源20配置於凹部15。於凹部15之內側面與光源20之側面之間，配置有光反射性構件45。光反射性構件45例如為透光性之樹脂材料中包含光擴散劑之白色樹脂構件。光源20介隔光反射性構件45固定於導光體10。
於導光體10之第1主面11中與凹部15對向之位置上形成有凹部16，於該凹部16配置有調光構件46。調光構件46構成為與上述調光構件80相同。
與第12實施方式同樣，在導光體10之第2主面12配置有光反射性構件41。光反射性構件41配置於配線基板50與導光體10之第2主面12之間。發光元件21之電極23連接於配線基板50之配線層52。
於導光體10之第2主面12中之光源20之周邊區域、及光反射性構件45之下表面配置有光反射性構件44。光反射性構件44例如為透光性之樹脂材料中包含光擴散劑之白色樹脂構件。
[第14實施方式]
圖21A~圖21E係本發明之第14實施方式之調光構件81、82之模式俯視圖。
導光體10包含區劃槽14，該區劃槽14區劃出包含至少1個光源20之區域(發光區域)。作為基於光學特性之測定結果而形成修正光學特性之要素之工序，具備於區劃槽14之周邊配置第2調光構件82之工序。圖21A~圖21E中，示出於光源20之上配置有第1調光構件81之例。光源20上之第1調光構件81與區劃槽14之周邊之第2調光構件82可藉由相同工序形成，抑或藉由不同工序形成。又，亦可預先準備具備第1調光構件81或第2調光構件82之任一者之中間體，於測定光學特性之後，形成第1調光構件81與第2調光構件82之任一者或兩者。
第1調光構件81及第2調光構件82係藉由如下方法形成，即，於導光體10之第1主面11上，例如藉由使用採用光反射性之樹脂且在規定之位置具有開口部之遮罩之印刷法、或噴墨法，在規定之位置配置形成第2調光構件82之樹脂材料之後，使該樹脂材料硬化。
如此使用遮罩來形成第1調光構件81及第2調光構件82之方法必須於測定光學特性之前，做如下準備。首先，對於光學特性中之、尤其是亮度特性，假定若干個亮度特性圖案。例如，假定光源附近之亮度與區劃槽部分之亮度之差異大於10%之情形、5%以上10%以下之情形、小於5%之情形這三種亮度特性圖案，並決定用以修正該亮度特定圖案之第2調光構件82之大小、位置及形狀，準備3個遮罩。繼而，於測定光學特性之後，判 斷適合哪種遮罩，使用適當之遮罩來配置第2調光構件82。如此，可縮短判斷如何進行修正之時間，優化產距時間。藉由使用遮罩，例如與將點狀之第2調光構件82逐個個別配置之情形相比，可縮短作業所花費之時間。預先設定之亮度特性圖案除如上所述之3個以外，亦可進而設定數量較多之亮度特性圖案。亮度特性圖案及與其對應之遮罩開口部之圖案之數量越多，越容易抑制修正後之光學特性之不均。再者，亦可不使用此種遮罩，而逐一光源或逐一發光區域地個別地形成不同之要素。
於如此預先設定亮度特性圖案之情形時，亦可代替如上所述之遮罩，例如使用以成為規定圖案之方式使樹脂材料形成於轉印片上並硬化而獲得之第1調光構件81或第2調光構件82。即，不同於在導光體10上使樹脂材料硬化而製成第1調光構件81或第2調光構件82之方法，亦可藉由將預先硬化之第1調光構件81或第2調光構件82轉印而形成要素。
第1調光構件81及第2調光構件82與上述調光構件80同樣，對於光源20發出之光具有反射性及透光性。第1調光構件81及第2調光構件82可具有透光性樹脂、及分散地包含於透光性樹脂中之光擴散劑。透光性樹脂例如為聚矽氧樹脂、環氧樹脂。光擴散劑例如可例舉TiO2、SiO2、Al2O3、ZrO2、ZnO等微粒子。
關於光學特性，例如基於光源20上之亮度與區劃槽14上之亮度之比，以光源20上之亮度與區劃槽14上之亮度之差異變小之方式，選擇第1調光構件81及第2調光構件82之光透過率。例如，可根據調光構件81、82 之厚度或光擴散劑之濃度等，改變調光構件81、82之光透過率。
第1調光構件81覆蓋光源20之上表面之整個面，進而覆蓋光源20之周邊(光源20與孔部13之內側面之間之區域)。
第2調光構件82可於1個發光區域配置1個或複數個。各第2調光構件82之形狀可為點狀或條狀。作為點狀之具體形狀，例如可例舉圓形、橢圓形、跑道形狀、使該等形狀進一步變形所得之形狀、局部形成切口之形狀或該等一部分形狀結合所得之形狀等。複數個第2調光構件82各自之大小及形狀可為一部分或全部相同之形狀。圖21A~圖21D所示之例中，第2調光構件82包含複數個點。基於光學特性之測定結果，改變點狀之複數個第2調光構件82對第1主面11之單位面積之被覆率(或未配置有點狀之第2調光構件82之區域之比率(開口率))，藉此可調整區劃槽14上及區劃槽14之周邊區域之透過率(亮度)。
圖21A及圖21B所示之例中，點狀之第2調光構件82沿著區劃槽14之長度方向配置。圖21B所示之例與圖21A所示之例相比，區劃槽14之長度方向之中央部之點狀之第2調光構件82之數量(或密度)較大。藉此，可使與由區劃槽14區劃出之區域之角部相比容易變亮的區劃槽14之長度方向之中央部之亮度和角部之亮度之差異變小。再者，圖21A~圖21D中，示出在中央圖示之發光區域與相鄰之發光區域中，以相同圖案形成有第2調光構件82之例。但不限於此，可根據各發光區域之光學特性，於相鄰之發光區域形成不同形狀或圖案之第1調光構件81或第2調光構件82。
於圖21C及圖21D所示之例中，以於寬度方向上橫跨區劃槽14之方式，配置有跑道形狀之第2調光構件82。於區劃槽14為例如圖6B所示之有底之槽之情形時，第2調光構件82可從導光體10之上表面連續地配置至界定區劃槽14之導光體10之側面上。
又，於使用預先硬化之第2調光構件82作為第2調光構件82之情形時，或使用黏度較高之樹脂材料作為製成第2調光構件82之樹脂材料之情形時，能以不與界定區劃槽14之導光體10之側面相接之方式形成第2調光構件82。
圖21D所示之例中，越是配置於區劃槽14之長度方向之中央部之第2調光構件82，沿著區劃槽14之寬度方向之長度越長，因此可減小區劃槽14之長度方向之中央部之亮度與角部之亮度之差異。
圖21E所示之例中，沿著區劃槽14之長度方向連續地配置有第2調光構件82。使該第2調光構件82之寬度越靠長度方向之中央部越大，藉此可減小區劃槽14之長度方向之中央部之亮度與角部之亮度之差異。於此情形時，第2調光構件82與上述圖21C、圖21D所示之第2調光構件82同樣，可以僅與導光體10之上表面相接之方式形成，又，亦可以從導光體10之上表面連續配置至界定區劃槽14之導光板10之側面上的方式形成。
除第1調光構件81之覆蓋光源20上及孔部13上之部分以外，亦可於其 周邊形成點狀之複數個部分。可藉由點狀之複數個部分，抑制光源20之周邊變得過亮。
圖21A~圖21E所示之第1調光構件81及第2調光構件82亦可配置於如上述圖5B所示之與導光體10之第1主面11對向地配置之光學構件(例如擴散片)200。
例如，針對圖21A~圖21E之各圖所示之第2調光構件82之每種圖案，準備複數個遮罩，基於光學測定之結果，選擇適當之遮罩，使用該遮罩，藉由印刷等將第2調光構件82配置於導光體10或擴散片。或，準備藉由印刷等分別配置有圖21A~圖21E所示之第2調光構件82之圖案的複數個擴散片，基於光學測定之結果，選擇與導光體10組合之適當之擴散片。擴散片可與中間體分開地準備。結果，可縮短發光模組之製造所花費之時間。
作為第14實施方式之第1例，根據未配置有第1調光構件81及第2調光構件82之導光體10之亮度測定結果，選擇配置於光源20上之第1調光構件81與配置於區劃槽14之周邊之第2調光構件82的組合。
作為第14實施方式之第2例，於導光體10之光源20上配置第1調光構件81，在擴散片之與區劃槽14對應之位置配置第2調光構件82，根據配置有第1調光構件81之導光體10之亮度測定結果，選擇與該導光體10組合之擴散片之第2調光構件82之圖案。
作為第14實施方式之第3例，將光源20上配置有第1調光構件81之導光體10與擴散片組合並進行亮度測定，根據其測定結果，選擇配置於導光體10之第1主面11上之區劃槽14之周邊的第2調光構件82之圖案。
作為第14實施方式之第4例，於導光體10之區劃槽14之周邊配置第2調光構件82，於擴散片之與光源20上對應之位置配置第1調光構件81，根據配置有第2調光構件82之導光體10之亮度測定結果，選擇與該導光體10組合之擴散片之第1調光構件81。
作為第14實施方式之第5例，將未配置有第1調光構件81及第2調光構件82之導光體10、與於對應於區劃槽14之位置上配置有第2調光構件82之擴散片組合並進行亮度測定，根據其測定結果，選擇配置於導光體10之光源20上之第1調光構件81。
以上，參照具體例，對本發明之實施方式進行了說明。但本發明不限於該等具體例。本領域技術人員可基於本發明之上述實施方式適當進行設計變更而實施之所有方式只要包含本發明之主旨，則亦屬於本發明之範圍。此外，本領域技術人員可於本發明之思想範疇內，想到各種變更例及修正例，該等變更例及修正例亦屬於本發明之範圍。
10:導光體
11:第1主面
12:第2主面
14:區劃槽
20:光源
52:配線層

Claims (27)

  1. 一種發光模組之製造方法，其具備如下工序：準備包含導光體、複數個光源及配線層之中間體，上述導光體包含第1主面、及上述第1主面之相反側之第2主面，上述複數個光源配置於上述導光體之上述第2主面側，上述配線層配置於上述第2主面側且與上述光源電性連接；使上述複數個光源發光，測定出射之光之光學特性；及基於上述光學特性之測定結果，於上述中間體形成修正上述光學特性之要素；上述光學特性為亮度分佈及/或色度分佈；且形成上述要素之工序包含如下工序，即，於上述導光體形成區劃槽，該區劃槽區劃出上述導光體中之包含至少1個上述光源之區域。
  2. 如請求項1之發光模組之製造方法，其中，形成上述要素之工序包含如下工序，即，於俯視下上述區劃槽與上述光源之間之上述導光體形成調光孔。
  3. 如請求項1之發光模組之製造方法，其中，形成上述要素之工序包含如下工序，即，基於上述光學特性之測定結果，於上述光源之上及上述區劃槽之周邊，配置對於上述光源發出之光具有反射性及透光性之調光構件。
  4. 如請求項3之發光模組之製造方法，其中上述光學特性之測定結果包含上述光源上之亮度與上述區劃槽上之亮度之比。
  5. 如請求項3之發光模組之製造方法，其係基於上述光學特性之測定結果，選擇上述調光構件之光透過率。
  6. 如請求項3之發光模組之製造方法，其中上述調光構件包含複數個點，基於上述光學特性之測定結果，選擇上述點之被覆率。
  7. 如請求項3之發光模組之製造方法，其係將上述調光構件配置於上述導光體之上述第1主面。
  8. 如請求項3之發光模組之製造方法，其係將上述調光構件配置於與上述導光體之上述第1主面對向地配置之光學構件。
  9. 一種發光模組之製造方法，其具備如下工序：準備包含導光體、複數個光源及配線層之中間體，上述導光體包含第1主面、及上述第1主面之相反側之第2主面，上述複數個光源配置於上述導光體之上述第2主面側，上述配線層配置於上述第2主面側且與上述光源電性連接；使上述複數個光源發光，測定出射之光之光學特性；及基於上述光學特性之測定結果，於上述中間體形成修正上述光學特 性之要素；上述光學特性為亮度分佈及/或色度分佈；且形成上述要素之工序包含如下工序，即，於上述光源上形成調光構件，該調光構件將上述光源發出之光之至少一部分反射。
  10. 一種發光模組之製造方法，其具備如下工序：準備包含導光體、複數個光源及配線層之中間體，上述導光體包含第1主面、及上述第1主面之相反側之第2主面，上述複數個光源配置於上述導光體之上述第2主面側，上述配線層配置於上述第2主面側且與上述光源電性連接；使上述複數個光源發光，測定出射之光之光學特性；及基於上述光學特性之測定結果，於上述中間體形成修正上述光學特性之要素；上述光學特性為亮度分佈及/或色度分佈；且形成上述要素之工序包含如下工序，即，於上述光源上或上述光源之附近形成螢光體層。
  11. 一種發光模組之製造方法，其具備如下工序：準備包含導光體、複數個光源、配線層及配線基板之中間體，上述導光體包含第1主面、上述第1主面之相反側之第2主面、及從上述第1主面貫通至上述第2主面之複數個第1孔部，上述複數個光源配置於上述導光體之上述第2主面側，上述配線層配置於上述第2主面側且與上述光源電性連接，上述配線基板包含支持上述配線層之絕緣基材； 使上述複數個光源發光，測定出射之光之光學特性；及基於上述光學特性之測定結果，於上述中間體形成修正上述光學特性之要素；上述導光體以使上述第2主面與上述配線基板對向之方式配置於上述配線基板上；上述光源配置於上述第1孔部內之上述配線基板上；上述光學特性為亮度分佈及/或色度分佈；且上述要素之工序包含如下工序，即，於俯視下上述第1孔部之內側面與上述光源之側面之間之上述配線基板上形成光反射性構件。
  12. 如請求項11之發光模組之製造方法，其中上述第1孔部包含上述第1孔部之內側面與上述光源之側面之間之距離為第1距離的第1區域、及上述第1孔部之內側面與上述光源之側面之間之距離大於上述第1距離的第2區域，於上述第1區域之上述配線基板上形成上述光反射性構件。
  13. 如請求項11之發光模組之製造方法，其中上述導光體具有上述光源間之距離為第3距離的第3區域、及上述光源間之距離為大於上述第3距離之第4距離的第4區域，於上述第3區域之上述第1孔部內之上述配線基板上形成上述光反射性構件。
  14. 一種發光模組之製造方法，其具備如下工序： 準備包含導光體、複數個光源、配線層及配線基板之中間體，上述導光體包含第1主面、上述第1主面之相反側之第2主面、及從上述第1主面貫通至上述第2主面之複數個第1孔部，上述複數個光源配置於上述導光體之上述第2主面側，上述配線層配置於上述第2主面側且與上述光源電性連接，上述配線基板包含支持上述配線層之絕緣基材；使上述複數個光源發光，測定出射之光之光學特性；及基於上述光學特性之測定結果，於上述中間體形成修正上述光學特性之要素；上述導光體以使上述第2主面與上述配線基板對向之方式配置於上述配線基板上；上述光源配置於上述第1孔部內之上述配線基板上；上述光學特性為亮度分佈及/或色度分佈；上述第1孔部包含上述第1孔部之內側面與上述光源之側面之間之距離為第1距離的第1區域、及上述第1孔部之內側面與上述光源之側面之間之距離大於上述第1距離的第2區域；且形成上述要素之工序包含如下工序：於上述導光體之包含上述第1區域、上述第2區域、及上述第1區域與上述第2區域之間之上述光源的截面處之上述第1區域側之部分，形成槽。
  15. 一種發光模組之製造方法，其具備如下工序：準備包含導光體、複數個光源、配線層及配線基板之中間體，上述導光體包含第1主面、上述第1主面之相反側之第2主面、及從上述第1主面貫通至上述第2主面之複數個第1孔部，上述複數個光源配置於上述導光 體之上述第2主面側，上述配線層配置於上述第2主面側且與上述光源電性連接，上述配線基板包含支持上述配線層之絕緣基材；使上述複數個光源發光，測定出射之光之光學特性；及基於上述光學特性之測定結果，於上述中間體形成修正上述光學特性之要素；上述導光體以使上述第2主面與上述配線基板對向之方式配置於上述配線基板上；上述光源配置於上述第1孔部內之上述配線基板上；上述光學特性為亮度分佈及/或色度分佈；上述導光體具有上述光源間之距離為第3距離的第3區域、及上述光源間之距離為大於上述第3距離之第4距離的第4區域；且形成上述要素之工序包含如下工序：於上述第3區域中之相較上述光源間之中心更靠近上述光源之位置處的導光體形成槽。
  16. 如請求項14之發光模組之製造方法，其包含如下工序，即，於上述槽之內部形成光反射性構件。
  17. 一種發光模組之製造方法，其具備如下工序：準備包含導光體、複數個光源、配線層及配線基板之中間體，上述導光體包含第1主面、上述第1主面之相反側之第2主面、及從上述第1主面貫通至上述第2主面之複數個第1孔部，上述複數個光源配置於上述導光體之上述第2主面側，上述配線層配置於上述第2主面側且與上述光源電性連接，上述配線基板包含支持上述配線層之絕緣基材； 使上述複數個光源發光，測定出射之光之光學特性；及基於上述光學特性之測定結果，於上述中間體形成修正上述光學特性之要素；上述導光體以使上述第2主面與上述配線基板對向之方式配置於上述配線基板上；上述光源配置於上述第1孔部內之上述配線基板上；上述光學特性為亮度分佈及/或色度分佈；且形成上述要素之工序包含如下工序，即，於上述第1孔部內配置透光性構件。
  18. 如請求項17之發光模組之製造方法，其係基於上述光學特性之測定結果，選擇上述透光性構件之折射率。
  19. 如請求項17之發光模組之製造方法，其中形成上述要素之工序進而包含如下工序，即，於上述透光性構件之上表面，形成相對於上述第1主面傾斜之傾斜面。
  20. 如請求項17之發光模組之製造方法，其中形成上述要素之工序進而包含如下工序，即，於上述透光性構件形成槽。
  21. 如請求項20之發光模組之製造方法，其中形成上述要素之工序進而包含如下工序，即，於上述透光性構件之上述槽形成光反射性構件。
  22. 如請求項1之發光模組之製造方法，其進而具備如下工序，即，基於上述光學特性之測定結果，將上述光源連同上述導光體之一部分，更換為另一光源並重新配置。
  23. 如請求項1之發光模組之製造方法，其中上述導光體包含在上述第2主面側開口之凹部，上述光源之至少一部配置於上述凹部。
  24. 一種發光模組之製造方法，其具備如下工序：準備包含配線基板、導光體及複數個光源之中間體，上述導光體配置於上述配線基板上，且包含第1主面、位於上述第1主面之相反側且與上述配線基板對向地配置之第2主面、及從上述第1主面貫通至上述第2主面之複數個第1孔部，上述複數個光源配置於上述第1孔部內之上述配線基板上；使上述複數個光源發光，測定出射之光之光學特性；及基於上述光學特性之測定結果，將上述配線基板上之光源更換為另一光源並重新配置於上述配線基板上；且上述光學特性為亮度分佈及/或色度分佈。
  25. 如請求項24之發光模組之製造方法，其進而具備如下工序：測定上述配線基板上之上述光源之位置；及基於上述光源之位置之測定結果，將上述配線基板上之光源更換為另一光源並重新配置於上述配線基板上。
  26. 一種發光模組之製造方法，其具備如下工序：準備中間體，該中間體包含配線基板、及配置於上述配線基板上之複數個光源；使複數個光源發光，測定出射之光之光學特性；基於上述光學特性之測定結果，將上述配線基板上之光源更換為另一光源並重新配置於上述配線基板上；及於重新配置上述光源之後，在上述配線基板上配置導光體，該導光體包含第1主面、及位於上述第1主面之相反側且與上述配線基板對向地配置之第2主面；且上述光學特性為亮度分佈及/或色度分佈。
  27. 如請求項26之發光模組之製造方法，其進而具備如下工序：於將上述導光體配置於上述配線基板上之前，測定上述配線基板上之上述光源之位置；及基於上述光源之位置之測定結果，將上述配線基板上之光源更換為另一光源並重新配置於上述配線基板上。
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