CN212840799U - 发光装置 - Google Patents

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Abstract

提供一种发光装置，基本上不需要具有与多个发光元件的排列相应的配线的配线基板。发光装置的制造方法包含：通过将具有第一发光元件和第一树脂的第一发光构造的第一树脂的一部分、具有第二发光元件和第二树脂的第二发光构造的第二树脂的一部分以及具有被第三树脂覆盖的导体部的电路元件的第三树脂的一部分除去，从而形成跨设于第一树脂和第三树脂的第一槽、跨设于第二树脂和第三树脂的第二槽、以及包含在第一槽与第二槽之间延伸的部分的第三槽的槽形成工序；通过利用第一导电材料对第一槽和第二槽的内部进行填充而形成包含独立的多个部分的第一配线的工序；通过利用第二导电材料对第三槽的内部进行填充而形成与第一配线电分离的第二配线的工序。

Description

发光装置
技术领域
本公开涉及发光装置的制造方法以及发光装置。
背景技术
以LED为代表的半导体发光元件广泛用于照明等光源。例如，在配线基板等上配置多个发光元件，经由在配线基板上设置的配线将这些发光元件电连接，从而实现线状光源(例如参照(日本)专利文献1)。
专利文献1：(日本)特开2016-110705号公报
实用新型内容
实用新型所要解决的技术问题
然而，在包含多个发光元件的光源的结构中，在配线基板侧设置将多个发光元件相互连接的配线，则需要针对多个发光元件的排列的每一列，准备具有与该排列相应的配线的配线基板。
在本公开的一个实施方式的发光装置的制造方法中，包含：
槽形成工序，其为通过将具有包含第一电极的第一发光元件和覆盖所述第一电极的第一树脂的第一发光构造的所述第一树脂的一部分、具有包含第二电极的第二发光元件和覆盖所述第二电极的第二树脂的第二发光构造的所述第二树脂的一部分、以及具有被第三树脂覆盖的导体部的电路元件的所述第三树脂的一部分除去，从而形成跨设于所述第一树脂和所述第三树脂的第一槽、跨设于所述第二树脂和所述第三树脂的第二槽、以及包含俯视时在所述第一槽与所述第二槽之间延伸的部分的第三槽的工序，所述第一电极的至少一部分和所述电路元件的所述导体部的一部分在所述第一槽的内部露出，所述第二电极的至少一部分和所述电路元件的所述导体部的另一部分在所述第二槽的内部露出，所述第三槽是形成于所述第三树脂的槽；第一配线形成工序，通过利用第一导电材料对所述第一槽和所述第二槽的内部进行填充而形成包含独立的多个部分的第一配线；第二配线形成工序，通过利用第二导电材料对所述第三槽的内部进行填充而形成从所述第一配线电分离的第二配线。
本公开另一实施方式的发光装置具备：
第一发光元件，其包含第一极性的第一电极以及与所述第一极性不同的第二极性的第二电极；
电路元件，其包含本体部、以及经由所述本体部相互电连接的第一端子和第二端子；
所述第一极性的第一配线，其将所述第一发光元件的所述第一电极与所述电路元件的所述第一端子连结；
所述第二极性的第二配线，其位于与所述第一配线相同的层，包含俯视时在所述电路元件的所述第一端子和所述第二端子之间延伸的部分；
所述电路元件的所述本体部配置在与所述第一配线和所述第一发光元件的所述第一电极的界面相比向与所述第一配线相反的一侧分开的位置。
有益的效果
根据本公开至少任一实施方式，不需要针对多个发光元件的排列的每一列准备具有与该排列相应的配线的配线基板。
附图说明
图1是表示本公开的一个实施方式的发光装置的从下表面侧看到外观的一个例子的示意性立体图。
图2是示意性地表示将图1所示的发光装置200在发光装置200的中央附近与ZX面垂直地剖切时的剖面的图。
图3是表示本公开的另一实施方式的发光装置的例示性的制造方法的流程图。
图4是用于对发光装置的例示性的制造方法进行说明的示意性剖视图。
图5是用于对发光装置的例示性的制造方法进行说明的示意性剖视图。
图6是用于对发光装置的例示性的制造方法进行说明的示意性剖视图。
图7是用于对发光装置的例示性的制造方法进行说明的示意性剖视图。
图8是用于对发光装置的例示性的制造方法进行说明的示意性剖视图。
图9是用于对发光装置的例示性的制造方法进行说明的示意性剖视图。
图10是用于对发光装置的制造方法的第一变形例进行说明的示意性剖视图。
图11是用于对发光装置的制造方法的第一变形例进行说明的示意性剖视图。
图12是用于对发光装置的制造方法的第一变形例进行说明的示意性剖视图。
图13是通过图10～图12所示的制造方法得到的发光装置200B的示意性剖视图。
图14是用于对发光装置的制造方法的第二变形例进行说明的示意性剖视图。
图15是用于对发光装置的制造方法的第二变形例进行说明的示意性剖视图。
图16是用于对发光装置的制造方法的第二变形例进行说明的示意性剖视图。
图17是通过图14～图16所示的制造方法得到的发光装置200C的示意性剖视图。
图18是表示能够适用于本公开的实施方式的作为跨接元件的跨接芯片的一个例子的示意性剖视图。
图19是用于对发光装置的制造方法的第三变形例进行说明的示意性剖视图。
图20是用于对发光装置的制造方法的第三变形例进行说明的示意性剖视图。
图21表示的是在发光构造之间配置的能够作为跨接元件使用的跨接部件的另一例。
图22是用于对发光装置的制造方法的第四变形例进行说明的示意性剖视图。
图23是用于对发光装置的制造方法的第四变形例进行说明的示意性剖视图。
图24是用于对发光装置的制造方法的第四变形例进行说明的示意性剖视图。
附图标记说明
20导电浆料；26导电层；27导体部；28绝缘部；100A第一发光构造；100B第二发光构造；110A第一发光元件；110B第二发光元件；111A第一发光元件的第一电极；111B第二发光元件的第一电极；112A第一发光元件的第二电极；112B第二发光元件的第二电极；120覆盖部；130A第一保护部件； 130B第二保护部件；160A,160B反射性树脂部件；200,200B,200C发光装置； 210第一配线；211第一配线的第一部分；212第一配线的第二部分；220第二配线；220c第二配线的交叉部；250：跨接元件；250A,250B,250D跨接部件；251A,251C,251D第一端子；251B第一过孔；252A,252C,252D第二端子； 252B第二过孔；255A,255B,255D跨接部件的本体部；260A～260C反射性树脂部件；500激光刻蚀装置；G1第一槽；G2第二槽；G3第三槽。
具体实施方式
以下，参照附图对本公开的实施方式详细地进行说明。以下的实施方式仅为例示，本公开的发光装置及其制造方法不限于以下实施方式。例如，以下实施方式所示的数值、形状、材料、步骤、该步骤的顺序等只不过是一个例子，只要不在技术上产生矛盾就能够实施各种变形。
附图所示的构成要素的尺寸、形状等存在为了容易理解而夸张表示的情况，存在未能反映实际的发光装置和制造装置等的尺寸、形状和构成要素之间的大小关系的情况。并且，为了避免附图变得过于复杂，会将一部分要素的图示省略。
在以下的说明中，对于实质上具有相同功能的构成要素，存在以共通的附图标记表示而省略说明的情况。在以下的说明中，存在使用表示特定的方向或位置的术语(例如，“上”“下”“左”“右”和包含这些术语的其他术语)的情况。然而，这些术语只不过是为使所参照的附图中的相对方向或位置容易理解。只要所参照的附图中的“上”“下”等术语所表示的相对方向或位置的关系相同，在本公开以外的附图、实际的产品、制造装置等中，可以不与所参照的附图为同一配置。在本公开中，只要没有特别地提及，“平行”包含两条直线、两个边、两个面等处于0°±5°上下的范围的情况。并且，在本公开中“垂直”或“正交”只要没有特别说明，包含两条直线、两个边、两个面等处于90°±5°上下的范围。
(发光装置的实施方式)
图1表示的是本公开的一个实施方式的例示性的发光装置。图1所示的发光装置200具有包含第一发光元件的第一发光构造100A、包含第二发光元件的第二发光构造100B、将这些发光构造覆盖的覆盖部120。在图1中，描绘的是下表面200b朝上的状态的发光装置200。需要说明的是，为了便于说明，在图1中一并示出了表示彼此正交的X方向、Y方向以及Z方向的箭头。在图1所例示的结构中，第一发光构造100A和第二发光构造100B沿着图1 中的X方向配置，发光装置200整体具有与Y方向相比在X方向上长的长方体形状。在这里，发光装置200的下表面200b的长方形形状的长边与附图的 X方向平行，长方形形状的短边与附图的Y方向平行。之后，在本公开的其他附图中，也会示出表示X方向、Y方向以及Z方向的箭头。
如后所述，覆盖部120由光反射性的材料形成。从第一发光构造100A中的第一发光元件发出的光和从第二发光构造100B中的第二发光元件发出的光从与下表面200b位于相反侧的上表面200a侧取出。如同后文详细说明的那样，第一发光构造100A和第二发光构造100B在发光装置200的与下表面 200b位于相反侧的上表面200a的一侧分别具有透光性的第一保护部件130A 和第二保护部件130B。来自第一发光构造100A中的第一发光元件110A的光和来自第二发光构造100B中的第二发光元件110B的光分别经由第一保护部件130A和第二保护部件130B取出到发光装置200的外部。需要说明的是，本说明书中的“透光性”的术语被解释为包含相对于所入射的光显现出扩散性，不限定于“透明”。例如“透光性”是指相对于所入射的光具有60％以上、优选为70％以上的透射率。
在该例子中，第一发光构造100A具有位于发光装置200的下表面200b 侧的第一电极111A和第二电极112A。同样，第二发光构造100B具有位于发光装置200的下表面200b侧的第一电极111B和第二电极112B。后文将对第一发光构造100A和第二发光构造100B的细节进行说明。
如图1所示，发光装置200在下表面200b侧具有第一配线210和第二配线220。在图1所例示的结构中，第一配线210包含与第一发光构造100A的第一电极111A连接的第一部分211和与第二发光构造100B的第一电极111B 连接的第二部分212。
第一配线210的第一部分211位于在覆盖部120的下表面(与发光装置 200的上表面200a位于相反侧的面)设置的第一槽G1的内部，其在外部露出的表面与覆盖部120的下表面大致一致。同样，在覆盖部120的下表面进一步设有第二槽G2，第一配线210的第二部分212位于该第二槽G2的内部。第二部分212的表面也与覆盖部120的下表面大致一致。
俯视时，第一槽G1包含与第一发光构造100A的第一电极111A重叠的部分。换句话说，第一电极111A的一部分在第一槽G1的内部露出。第一电极111A通过使其一部分在第一槽G1的内部露出而与第一配线210的第一部分211电连接。另一方面，第二槽G2包含俯视时与第二发光构造100B的第一电极111B重叠的部分。第一电极111B通过使其一部分在第二槽G2的内部而与第一配线210的第二部分212电连接。
与第一配线210的第一部分211连接的第一电极111A是第一发光构造 100A中的第一发光元件的例如正极。同样，与第一配线210的第二部分212 连接的第一电极111B是第二发光构造100B中的第二发光元件的例如正极。第一配线210的第一部分211和第二部分212是第一配线210中在空间上分离而电独立的两个部分。其中，在这里，第一部分211和第二部分212经由在覆盖部120的内部配置的跨接元件250相互电连接。即，可以说第一配线 210是向第一发光构造100A中的第一发光元件110A和第二发光构造100B 中的第二发光元件110B供给电流的第一极性的配线。在本说明书中，关于配线的“极性”不是由配线自身的导电性，而是由与该配线连接的发光元件等的电极的极性确定。
如同后文参照剖视图详细说明的那样，跨接元件250包含第一端子、第二端子、将第一端子和第二端子相互电连接的本体部。在这里，上述第一槽 G1包含俯视时与跨接元件250的第一端子重叠的部分，第二槽G2包含俯视时与跨接元件250的第二端子重叠的部分。跨接元件250的第一端子的一部分和第二端子的一部分在第一槽G1的内部和第二槽G2的内部露出。
即，跨接元件250的第一端子与第一配线210的例如第一部分211连接，跨接元件250的第二端子与第一配线210的第二部分212连接。因此，第一配线210的第一部分211将第一发光元件的例如正极和跨接元件250的第一端子电连接，第一配线210的第二部分212将第二发光元件的正极和跨接元件250的第二端子电连接。需要说明的是，在本说明书中，“跨接元件”的术语被解释为广泛地包含具有这样的第一端子、第二端子和本体部的元件，不限定于在市面上销售的“跨接芯片”。
另一方面，在该例子中，第二配线220将第一发光元件的例如负极即第二电极112A和第二发光元件的负极即第二电极112B相互电连接。即，第二配线220在这里是与第一配线210的第一极性不同的第二极性的配线。
第二配线220位于与第一配线210相同的层。即，第二配线220位于在覆盖部120的下表面设置的第三槽G3的内部。与第一配线210相同，第二配线220的在外部露出的表面典型地说与发光装置200的下表面200b一致。
如图1所示，在该例子中，第三槽G3除了俯视时与第一发光元件的第二电极112A重叠的部分和与第二发光元件的第二电极112B重叠的部分之外，还包含在第一槽G1与第二槽G2之间延伸的部分。因此，如图1中虚线椭圆所示，第二配线220在其一部分具有俯视时在跨接元件250的第一端子与第二端子之间延伸的交叉部220c。如后所述，跨接元件250中将第一端子和第二端子相互电连接的本体部处于比第一配线210远离发光装置200的下表面200b的位置。因此，在第二配线220的交叉部220c与跨接元件250的本体部之间例如存在覆盖部120等绝缘部，它们互不接触。这样，第二配线220与跨接元件250和第一配线210电分离。
在图1所例示的结构中，第一配线210和第二配线220具有通过延长到发光装置200的外缘附近而形成的端子部210e和端子部220e。这些端子部 210e,220e经由焊料等接合部件与驱动电路等外部电源连接。通过将电源与发光装置200的端子部210e,220e连接，能够一并驱动第一发光构造100A中的第一发光元件和第二发光构造100B中的第二发光元件。可以经由焊料等接合部件将端子部210e,220e分别与在配线基板上设置的配线的正侧的配线和负侧的配线连接。在这种情况下，通过将电源与配线基板连接，能够一并驱动第一发光构造100A中的第一发光元件和第二发光构造100B中的第二发光元件。
图2示意性地表示在通过跨接元件250的位置与下表面200b垂直地剖切发光装置200时的剖面的一个例子。图2所示的剖面相当于在发光装置200 的中央附近与ZX面垂直地剖切发光装置200时得到的剖面。
如同参照图1所说明的那样，在这里，发光装置200具有在覆盖部120 的内部配置的第一发光构造100A、第二发光构造100B以及跨接元件250。图2中表示了该剖面的跨接部件250A是上述跨接元件250的一个例子。
第一发光构造100A在其一部分包含具有第一电极111A和第二电极112A 的第一发光元件110A。第一发光元件110A是LED等发光半导体发光元件，除了第一电极111A和第二电极112A之外，还包含设有这些电极的半导体层积构造115A。
在第一发光元件110A的上表面侧(即发光装置200的上表面200a侧) 例如配置有第一保护部件130A和波长转换部件140A。如在图2中示意性示出的那样，位于第一发光元件110A的上方的第一保护部件130A的上表面与发光装置200的上表面200a一致。波长转换部件140A位于第一发光元件110A 与第一保护部件130A之间。在图2所示的例子中，第一发光元件110A被反射性树脂部件160A覆盖。
在本实施方式中，第二发光构造100B具有与第一发光构造100A大致同样的结构。即，第二发光构造100B具有第二发光元件110B、第二保护部件 130B、波长转换部件140B、覆盖第二发光元件110B的反射性树脂部件160B。位于第二发光元件110B的上方的第二保护部件130B的上表面与发光装置 200的上表面200a一致。与第一发光元件110A相同，第二发光元件110B具有第一电极111B、第二电极112B以及半导体层积构造115B。
第一发光构造100A和第二发光构造100B分别具有即使是单体也能够作为发出例如白色光的光源使用的结构。第一发光构造100A和第二发光构造 100B可以是结构相同的光源，也可以是它们之间一部分结构不同的光源。
跨接部件250A包含第一端子251A、第二端子252A、连接有这些端子的本体部255A。第一端子251A经由第一配线210的第一部分211与第一发光元件110A的第一电极111A，另一方面，第二端子252A经由第一配线210 的第二部分212与第二发光元件110B的第一电极111B连接。跨接部件250A 的本体部255A至少包含将第一端子251A和第二端子252A相互电连接的导体部分。即，第一发光元件110A的第一电极111A与第二发光元件110B的第一电极111B经由第一配线210和跨接部件250A相互电连接。
如图2所示，从剖面看，第二配线220的交叉部220c位于第一配线210 的第一部分211与第二部分212之间。跨接部件250A的本体部255A比第一配线210与发光元件的电极的界面(例如第一部分211与第一发光元件110A 的第一电极111A的界面)位于与第一配线210向相反侧分开的位置。换句话说，跨接部件250A的本体部255A处于比第一配线210与发光元件的电极的界面低的位置，不与第二配线220直接接触。
如同由图1和图2所理解的那样，第一配线210中位于第一发光元件110A 的第一电极111A与跨接部件250A的第一端子251A之间的部分(在该例子中为第一部分211的一部分)向附图中的X方向(第一方向)延伸。同样，第一配线210中位于第二发光元件110B的第一电极111B和跨接部件250A 的第二端子252A之间部分(在该例子中为第二部分212的一部分)也向附图中的X方向延伸。与此相对，第二配线220中位于跨接部件250A的第一端子251A与第二端子252A之间的部分(在该例子中为交叉部220c)向与第一方向不同的第二方向(在该例子中为附图中的Y方向)延伸。
在图2所例示的结构中，跨接部件250A被反射性树脂部件260A覆盖。并且，在该例子中，在发光装置200的下表面200b侧配置有树脂层270A。第一发光构造100A的反射性树脂部件160A、第二发光构造100B的反射性树脂部件160B、将跨接部件250A包围的反射性树脂部件260A以及位于发光装置200的下表面200b侧的树脂层270A作为整体构成覆盖第一发光元件 110A、第二发光元件110B以及跨接部件250A的覆盖部120。
如后所述，第一配线210和第二配线220形成于在覆盖第一发光元件 110A等的覆盖部120形成的槽部的内部。这些槽部例如通过对位于发光装置 200的下表面200b侧的树脂层进行构图而形成。或者，通过将一体地覆盖第一发光元件110A、第二发光元件110B以及跨接元件的树脂部件的一部分除去而形成。
如同以上所说明的那样，根据本公开的实施方式，能够避免工序的复杂化，并且将正侧的配线和负侧的配线之间的交叉形成在发光装置侧。因此，不需要多层基板等就能够在极性不同的配线之间较为容易地设置交叉。另外，将发光元件彼此连接的配线形成在发光装置侧，因此基本上不需要根据发光构造的数量或布置来改变对发光装置进行支承的配线基板的设计。因此，基本上不需要与发光构造的数量或布置相应的配线的配线基板，能够降低制造成本。
根据此前的说明能够容易地理解，发光构造和跨接元件的数量和配置基本上是任意的，不限定于上述例子。因此，根据用途，能够相对于发光元件的配置、发光元件之间的连接等设计得到高的自由度。例如，能够低成本地得到包含通过被动矩阵驱动而动作的多个发光元件的发光装置。
并且，例如通过激光束的扫描来形成槽，在槽的内部配置导电材料而形成第一配线210和第二配线220，因此在配线的设计上能够得到高的自由度。另外，通过改变槽的形状来使配线的厚度增大较为容易，因此能够形成扁平比大的配线，能够抑制配线电阻的增大，并且在发光装置中高密度地配置发光元件。通过高密度地配置发光元件，能够实现发光装置的小型化。
以下，对发光装置200的各构成要素更详细地进行说明。
[发光元件]
第一发光元件110A和第二发光元件110B的典型例子为LED。第一发光元件110A包含半导体层积构造115A，第二发光元件110B包含半导体层积构造115B。半导体层积构造115A和半导体层积构造115B一般来说包含活性层和将活性层夹在中间的n型半导体层和p型半导体层。半导体层积构造可以包含能够实现紫外～可见区域的发光的氮化物半导体(InxAlyGa1-x-yN， 0≦x，0≦y，x+y≦1)。需要说明的是，第一发光元件110A的结构和第二发光元件110B的结构可以彼此不同，也可以相同。在这里，第一发光元件110A 和第二发光元件110B基本上具有共通的结构，作为第一发光元件110A和第二发光元件110B，均例示的是发出蓝色光的LED。
半导体层积构造115A可以进一步具有对包含n型半导体层和p型半导体层等的多个半导体层进行支承的、蓝宝石或氮化镓等支承基板。在这种情况下，支承基板的主面中、与形成有多个半导体层的主面位于相反侧的主面构成半导体层积构造115A的上表面，并且半导体层积构造115A的上表面与第一发光元件110A的上表面一致。
第一发光元件110A的第一电极111A和第二电极112A设置在与半导体层积构造115A的上表面相反的一侧。第一电极111A和第二电极112A具有向半导体层积构造115A供给规定的电流的功能。第一电极111A和第二电极 112A例如是Cu电极。同样，第二发光元件110B的第一电极111B和第二电极112B也可以是与半导体层积构造115B的上表面位于相反侧的Cu电极。
第一发光元件110A的第一电极111A和第二电极112A的下表面与覆盖半导体层积构造115A的反射性树脂部件160A的下表面大致一致。因此，在图2所例示的结构中，第一电极111A的至少一部分和第二电极112A的至少一部分分别在发光装置200的下表面200b侧的第一槽G1的内部和第三槽G3 的内部露出。同样，在这里，第二发光元件110B的第一电极111B和第二电极112B的下表面与覆盖半导体层积构造115B的反射性树脂部件160B的下表面大致一致。其结果是，第一电极111B的至少一部分和第二电极112B的至少一部分分别在第二槽G2的内部和第三槽G3的内部露出。
[保护部件]
第一保护部件130A和第二保护部件130B分别是在发光装置200中位于第一发光元件110A和第二发光元件110B的上表面的上方的板状的部件。第一保护部件130A和第二保护部件130B具有位于发光元件(第一发光元件110A或第二发光元件110B)侧的下表面、位于发光装置200的上表面200a 侧的上表面和位于这些面之间的侧面。第一保护部件130A的侧面和第二保护部件130B的侧面被覆盖部120覆盖，第一保护部件130A的上表面和第二保护部件130B的上表面构成发光装置200的上表面200a中来自发光元件的光所取出的发光区域。
第一保护部件130A和第二保护部件130B的材料的例子是包含硅酮树脂、改性硅酮树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚碳酸酯树脂、丙烯酸树脂、三甲基戊烯树脂或聚降冰片烯树脂，或者，包含这些树脂的两种以上的树脂组成物。用于形成第一保护部件130A的材料和用于形成第二保护部件130B的材料可以是相同的，也可以是不同的。通过在保护部件的材料中分散例如与母材折射率不同的材料，可以对保护部件赋予光扩散性。第一保护部件130A和/或第二保护部件130B可以是由玻璃形成的层。
第一保护部件130A和第二保护部件130B例如通过透光性的粘接剂分别与第一发光元件110A的上表面和第二发光元件110B的上表面接合。在图2 中方便起见省略了图示，但固化后的粘接剂可以具有覆盖发光元件本体(半导体层积构造115A或半导体层积构造115B)的侧面的部分。
[波长转换部件]
波长转换部件140A和波长转换部件140B是在树脂等母材中分散有荧光体粒子的部件。如图2所示，波长转换部件140A位于第一发光元件110A与第一保护部件130A之间，波长转换部件140B位于第二发光元件110B与第二保护部件130B之间。在图2所例示的结构中，波长转换部件140A具有与第一保护部件130A的侧面一致的侧面，波长转换部件140B具有与第二保护部件130B的侧面一致的侧面。这些侧面也被覆盖部120覆盖。
波长转换部件140A和波长转换部件140B对从发光元件出射的光的至少一部分进行吸收，发出与来自发光元件的光的波长不同波长的光。例如，波长转换部件140A和波长转换部件140B分别对来自第一发光元件110A的蓝色光的一部分和来自第二发光元件110B的蓝色光的一部分进行波长转换而发出黄色光。根据这样的结构，通过了波长转换部件的蓝色光与从波长转换部件发出的黄色光混色从而发出白色光。
作为波长转换部件140A和波长转换部件140B的母材，能够使用硅酮树脂、改性硅酮树脂、环氧树脂、改性环氧树脂、脲醛树脂、酚醛树脂、丙烯酸树脂、聚氨酯树脂或氟素树脂，或者，包含这些树脂的两种以上的树脂。作为在母材中分散的荧光体，能够使用公知的材料。荧光体的例子为YAG系荧光体、氟化物系荧光体、氮化物荧光体等。YAG系荧光体是将蓝色光转换为黄色光的波长转换部件的例子，作为氟化物系荧光体的一种的KSF系荧光体以及作为氮化物系荧光体的CASN荧光体和SCASN荧光体是将蓝色光转换为红色光的波长转换部件的例子。作为氮化物荧光体的另一种的β赛龙荧光体是将蓝色光转换为绿色光的波长转换部件的例子。荧光体可以是量子点荧光体。
需要说明的是，可以使在波长转换部件140A的母材中分散的荧光体与在波长转换部件140B的母材中分散的荧光体不同。即，在本公开的实施方式中，从发光装置200中的第一发光构造100A发出的光的波长与从第二发光构造 100B发出的光的波长一致并不是必须的。
[跨接元件]
跨接元件250是具有将发光装置200中极性共通的配线彼此相互电连接的功能的电路元件。例如图2所示的跨接部件250A将与第一发光元件110A 的第一电极111A连接的第一配线210的第一部分211和与第二发光元件110B 的第一电极111B连接的第一配线210的第二部分212相互电连接。
作为跨接元件250，只要是包含能够确保第一极性的配线和与第一极性不同的第二极性的配线之间的电绝缘并且能够在它们之间形成交叉的导体部的部件，不限于上述跨接部件250A，能够使用任意结构的部件。作为跨接元件 250的一个例子的跨接部件250A包含本体部255A、第一端子251A以及第二端子252A，它们整体构成在第一极性的配线与第二极性的配线之间形成交叉的导体部。
例如，能够代替跨接部件250A而将例如在市面上销售的跨接芯片(也被称作零欧姆电阻)作为跨接元件250使用。一般来说，跨接芯片在陶瓷和玻璃环氧等绝缘性的基材的单面或双面设有导电层，具有除了基材的端部将导电层的表面以绝缘层覆盖的构造。导电层中未被绝缘层覆盖的部分设有通过镀敷等形成的端子部。后文将对跨接元件250的一些具体例子进行说明。
[反射性树脂部件]
反射性树脂部件160A是包围第一发光构造100A中第一发光元件110A 的半导体层积构造115A的侧面而覆盖第一发光元件110A的部件。反射性树脂部件160A具有相对于第一发光元件110A的发光峰值波长的光为60％以上的反射率。同样，反射性树脂部件160B覆盖第二发光构造100B中第二发光元件110B，显现出相对于第二发光元件110B的发光峰值波长的光为60％以上的反射率。反射性树脂部件160A和反射性树脂部件160B显现出相对于发光元件(第一发光元件110A或第二发光元件110B)的发光峰值波长的光为 70％以上，优选为80％以上的反射率。
作为反射性树脂部件160A和反射性树脂部件160B的材料，例如能够使用分散有光反射性填料的树脂组成物。作为反射性树脂部件160A和反射性树脂部件160B的母材，能够使用硅酮树脂、酚醛树脂、环氧树脂、BT树脂、聚邻苯二甲酰胺(PPA)等。作为光反射性的填料，能够使用金属的粒子或者具有比母材高的折射率的无机材料或有机材料的粒子。光反射性的填料的例为二氧化钛、氧化硅、二氧化锆、钛酸钾、氧化铝、氮化铝、氮化硼、莫来石、氧化铌、硫酸钡的粒子或者氧化钇和氧化钆等各种稀土类氧化物粒子等。从得到高反射率的观点出发，反射性树脂部件160A和反射性树脂部件 160B具有白色是有利的。作为反射性树脂部件160A和反射性树脂部件160B 的材料，也能够使用玻璃纤维强化树脂或者氮化铝、氧化铝或氧化锆等陶瓷。
在图2所例示的结构中，反射性树脂部件160A覆盖第一发光元件110A 的半导体层积构造115A的下表面中除了配置有第一电极111A和第二电极 112A的区域之外的区域。并且，反射性树脂部件160B覆盖第二发光元件110B 的半导体层积构造115B的下表面中除了配置有第一电极111B和第二电极112B(在图2中未图示)的区域之外的区域。通过利用反射性树脂部件(反射性树脂部件160A、反射性树脂部件160B)来覆盖发光元件的半导体层积构造的下表面中除了配置有第一电极和第二电极的区域之外的区域，能够利用反射性树脂部件将从发光元件向发光装置200的下表面200b侧出射的光向发光装置200的上表面200a侧反射。因此，能够抑制光从发光装置200的下表面200b侧的漏出而提高光的取出效率。
[覆盖部]
覆盖部120是作为整体而除了第一发光构造100A和第二发光构造100B 之外还覆盖跨接元件250的构造。在覆盖部120的下表面侧、即发光装置200 的下表面200b侧设有第一槽G1、第二槽G2以及第三槽G3。
典型来说，覆盖部120由与覆盖第一发光元件110A的反射性树脂部件 160A和覆盖第二发光元件110B的反射性树脂部件160B的材料同样的材料形成。即，典型来说，覆盖部120由分散有光反射性填料的树脂组成物等形成，具有光反射性。需要说明的是，用于形成覆盖部120的材料不需要与反射性树脂部件160A或反射性树脂部件160B的材料严格地抑制。在覆盖部120的材料与反射性树脂部件160A的材料或反射性树脂部件160B的材料之间，母材、光反射性填料的种类或含量等可以不同。
覆盖部120在具有光反射性的这一点与反射性树脂部件160A和反射性树脂部件160B相同，因此，能够将覆盖部120视为在其一部分包含反射性树脂部件160A和反射性树脂部件160B的构造。从这一观点出发，覆盖部120包含覆盖第一发光元件110A的部分和覆盖第二发光元件110B的部分。并且，覆盖部120还包含覆盖它们之外的部分、换句话说覆盖跨接元件250的部分。如果将这些覆盖第一发光元件110A的部分、覆盖第二发光元件110B的部分以及覆盖跨接元件250的部分分别称作第一树脂、第二树脂以及第三树脂，则上述第一槽G1跨设于第一树脂和第三树脂地形成，第二槽G2跨设第二树脂和第三树脂地形成。第三槽G3中配置有上述交叉部220c的部分形成于覆盖部120中的第三树脂。
如同后文参照附图详细说明的那样，第一槽G1、第二槽G2以及第三槽 G3能够通过激光的扫描而形成。在这些槽的形成中适用激光的扫描的情况下，如果在覆盖部120中中分散有对激光进行吸收的材料，则能够有效地使激光被覆盖部120吸收而高效地进行覆盖部120的表面的部分除去。
作为吸收激光的材料的典型例子为着色材料。例如，在第一槽G1、第二槽G2以及第三槽G3的形成中使用中心波长处于紫外范围的UV激光的情况下，将二氧化钛、碳、硫酸钡、氧化锌等填料作为对激光进行吸收的材料而分散在覆盖部120中。在第一槽G1、第二槽G2以及第三槽G3的形成中，使用输出具有532nm波长的激光的被称作绿色激光的激光源的情况下，能够在填料中使用碳、氧化镍、氧化铁(III)等，在使用中心波长处于红外区域的IR激光的情况下，能够在填料中使用碳、硫酸钙、硅酸镁、氧化铝、钨复合氧化物等。
如果覆盖部120由发泡塑料形成，则覆盖部120分别包含具有多个孔 (pore)的单元，在槽的底部自然地形成有微细的凹凸。因此，能够期待覆盖部120与后述第一配线210和第二配线220之间的锚固效果的提高。
[第一配线和第二配线]
第一配线210和第二配线220是位于在发光装置200的下表面200b形成的槽的内部的导电构造。如图1和图2所示，第一配线210包含第一部分211 和第二部分212，第一部分211和第二部分212分别位于第一槽G1和第二槽 G2的内部。另一方面，第二配线220配置在与第一槽G1和第二槽G2分离形成的第三槽G3的内部。如图1所示，第一配线210的第一部分211和第二部分212分别具有俯视时与第一槽G1和第二槽G2的形状匹配的形状，第二配线220也具有俯视时与第三槽G3的形状匹配的形状。需要说明的是，图1 所示的第一配线210和第二配线220的形状只不过是一个例子，俯视时的第一槽G1、第二槽G2以及第三槽G3的形状基本上是任意的。
在图2中，第一配线210与第一槽G1的底的界面、第一配线210与第二槽G2的底的界面以及第二配线220与第三槽G3的底的界面描绘为平坦面。然而，第一配线210的底面和第二配线220的底面为平坦面在本公开的实施方式中并不是必须的。例如，在通过激光的照射在覆盖部120上形成第一槽 G1、第二槽G2以及第三槽G3的情况下，这些槽的表面具有凹凸。
根据本公开的实施方式，例如通过印刷利用导电浆料这样的导电材料对第一槽G1、第二槽G2以及第三槽G3进行填充，能够高效地形成第一配线 210和第二配线220。如果在第一槽G1、第二槽G2以及第三槽G3的表面具有凹凸，则在覆盖部120形成的凹部的内部也由导电材料进行填充。因此，第一配线210和第二配线220能够具有包含追随第一槽G1、第二槽G2以及第三槽G3的凹凸的形状的凹凸的底面。通过使第一配线210和第二配线220 的底面的形状成为与在覆盖部120上形成的槽的表面的凹凸形状匹配的形状，能够产生更大的锚固效应。即，能够得到抑制第一配线210或第二配线220 从发光装置200剥离的效果。如后所述，第一槽G1、第二槽G2以及第三槽 G3的底面能够由多个槽等构造形成。
需要说明的是，第一槽G1、第二槽G2以及第三槽G3具有例如5μm以上且50μm以下的深度。与第一槽G1、第二槽G2以及第三槽G3具有这样的深度相对应，第一配线210和第二配线220也能够具有大致5μm以上且50μm 以下程度的范围的厚度。
(发光装置的制造方法的实施方式)
以下，对本公开的实施方式的发光装置的制造方法进行说明。图3是表示发光装置的例示性的制造方法的流程图。图3所例示的制造方法包含：通过将覆盖第一发光元件的第一树脂的一部分、覆盖第二发光元件的第二树脂的一部分、以及覆盖具有导体部的电路元件的第三树脂的一部分除去而形成第一槽、第二槽以及第三槽的工序(步骤S1)；利用第一导电材料对第一槽和第二槽的内部进行填充而形成第一配线的工序(步骤S2)；利用第二导电材料对第三槽的内部进行填充而形成第二配线的工序(步骤S3)。以下，对各工序的细节进行说明。
(槽形成工序)
首先，准备在其一部分包含第一发光元件110A的第一发光构造100A、在其一部分包含第二发光元件110B的第二发光构造100B、以及跨接元件 250。第一发光构造100A和/或第二发光构造100B可以通过制造来准备，也可以通过购买来准备。如上所述，第一发光构造100A和第二发光构造100B 分别可以具有在单体中也能够作为光源使用的结构。第一发光构造100A和第二发光构造100B例如能够使用以LED封装等名称在市面上销售的光源。
作为跨接元件250，广泛使用具有空出间隔配置的两个端部即分别能够作为端子发挥作用的两个和将这两个端部之间电连接的本体部的电路元件。在这里，使用将图2所示的跨接部件250A作为跨接元件250使用的例子进行说明。
接着，准备具有上表面的支承体(支承体准备工序)。在这里，如图4 所示，准备具有平坦的上表面400a的支承体400。作为支承体400，例如，能够使用支承于环状框架等的耐热性粘接带。
接着，在支承体上配置第一发光构造100A、第二发光构造100B以及跨接部件250A(元件配置工序)。简单起见，在这里，表示的是将第一发光构造100A、跨接部件250A以及第二发光构造100B沿着附图的X方向依次一维配置的例子。但是，在支承体上配置的元件的数量和配置不限于该例子。例如，可以将三个以上发光构造二维地配置在支承体上。在这种情况下，根据发光构造的数量和配置来决定跨接元件的数量和配置即可。
此时，如图4示意性所示的那样，以第一电极111A和第二电极112A朝向与支承体400相反的一侧的方式将第一发光构造100A暂时固定在支承体 400的上表面400a上。第二发光构造100B也同样地以第一电极111B和第二电极112B(在图4中未图示)朝向与支承体400相反的一侧的状态暂时固定在支承体400的上表面400a上。在这里，第一发光构造100A包含第一保护部件130A和波长转换部件140A的层积体，并且，第二发光构造100B包含第二保护部件130B和波长转换部件140B的层积体。因此，第一发光元件110A 和第二发光元件110B位于支承体400的上表面400a的上方。
在该例子中，第一发光构造100A的第一电极111A和第二电极112A的下表面从反射性树脂部件160A露出，第二发光构造100B的第一电极111B 和第二电极112B的下表面也从反射性树脂部件160B露出。在支承体400的上方配置有第一发光元件110A和第二发光元件110B的状态下，第一发光元件110A的第一电极111A和第二电极112A的下表面与第二发光元件110B 的第一电极111B和第二电极112B的下表面处于以支承体400的上表面400a 为基准大致相同的高度。
在本说明书中，无论发光元件的电极被覆盖发光元件的树脂覆盖还是从覆盖发光元件的树脂露出，相对于在其一部分包含设有电极的发光元件的构造共同使用“发光构造”的术语。在本公开的实施方式中，在配置在支承体上的状态下，电极的下表面从覆盖发光元件的反射性树脂部件露出并不是必须的。
如图4所示，跨接部件250A同样以第一端子251A和第二端子252A朝向与支承体400相反的一侧的方式配置在支承体400的上表面400a上。其中，在这里，以使支承部件280位于支承体400的上表面400a与跨接部件250A 之间的状态将跨接部件250A暂时固定于支承体400。即，在这里，在配置跨接部件250A的配置之前，进行在支承体400的上表面400a上配置支承部件 280的工序(支承部件配置工序)。
跨接元件的高度与发光构造的高度在大多数情况下并不一致。例如在市面上销售的跨接芯片与除了发光元件之外以包含波长转换部件等的封装的形态提供的发光构造相比，一般来说会有更小的厚度。通过使适当厚度的支承部件280介于支承体400与跨接部件250A之间，如图4中虚线所示，能够使第一端子251A和第二端子252A的下表面的位置与第一电极111A和第二电极112A以及第一电极111B和第二电极112B(在图4中未图示)的下表面的位置大致一致。
作为支承部件280，只要是具有与发光构造的高度和跨接部件250A的高度的差相当的高度的部件即可，能够适当地使用。典型地说，支承部件280 为绝缘性，但也可以将导电性的部件适用于支承部件280。支承部件280的例子为树脂片、树脂块、金属板等。跨接部件250A例如通过粘接剂固定于支承部件280。
接着，如图5所示，通过树脂材料对支承体400的上表面400a中第一发光构造100A与跨接部件250A之间的区域以及第二发光构造100B与跨接部件250A之间的区域进行填充。然后，通过使树脂材料固化，而能够得到一并将第一发光构造100A、第二发光构造100B以及跨接部件250A覆盖的树脂层120T。
在图5所例示的结构中，树脂层120T除了与支承体400或支承部件280 接触的部分之外，还覆盖整个第一发光构造100A、整个第二发光构造100B 以及整个跨接部件250A(覆盖工序)。由此，能够在支承体400上得到第一发光构造100A、第二发光构造100B以及跨接部件250一体的构造。
作为树脂层120T的材料，可以使用与反射性树脂部件160A或反射性树脂部件160B的材料同样的材料。树脂层120T形成的工序能够通过使用传递成形、喷布涂布、压缩成形等来执行。需要说明的是，在由与反射性树脂部件160A和反射性树脂部件160B的材料相同的材料来形成树脂层120T的情况下，从剖面中看，可能存在在第一发光构造100A与树脂层120T之间、以及第二发光构造100B与树脂层120T之间不能看到明显的交界的情况。并且，在使树脂层120T的材料和支承部件280的材料相同的情况下，同样会存在在支承部件280与树脂层120T之间不能看到明显的交界的情况。以下，对由与支承部件280的材料相同的材料形成树脂层120T的例子进行说明。
接着，如图6中示意性所示的那样，根据需要，通过磨削加工等从与支承体400相反的一侧将树脂层120T的一部分除去，从而减小树脂层120T的厚度。在这里，通过将树脂层120T的一部分除去，能够使第一发光构造100A 的第一电极111A和第二电极112A的下表面、第二发光构造100B的第一电极111B和第二电极112B(在图6中未图示)的下表面以及跨接部件250A 的第一端子251A和第二端子252A的下表面从树脂层120T露出。此外，如后所述，在本公开的实施方式中，第一电极111A和第二电极112A、第一电极111B和第二电极112B以及第一端子251A和第二端子252A的下表面从树脂层120T露出并不是必须的。
并且，通过将树脂层120T的一部分除去，在支承体400上形成有至少覆盖跨接部件250A的反射性树脂部件260A(第三树脂形成工序)。在该例子中，支承部件280构成参照图2进行了说明的反射性树脂部件260A的一部分。
在这里，在将树脂层120T的一部分除去后，如图7所示，在支承体400 上的构造的表面配置树脂层270S。作为树脂层270S，例如，能够使用具有粘接层的树脂带。在向树脂层120T的磨削面粘贴树脂带后，通过加热、紫外线的照射等使树脂带的粘接层固化。或者，可以将具有规定的厚度的树脂带通过粘接剂等而配置在支承体400上的构造上，从而形成树脂层270S。典型地说，树脂层270S的厚度处于5μm以上且100μm以下的范围。
在图7所例示的结构中，树脂层270S是遍及第一发光构造100A、第二发光构造100B以及反射性树脂部件260A连续的单一的树脂部件。在这里，“单一“并非意在将树脂层270S限定为单层，树脂层270S可以以层叠片的形式提供。树脂层270S可以是透光性的片材，也可以是通过使颜料等分散而例如呈白色的片材。
接着，通过将树脂层270S的一部分除去来形成第一槽、第二槽以及第三槽(图3的步骤S1)。在这里，如图8中示意性所示，通过激光的照射，将树脂层270S的一部分除去。
在激光的照射中，能够使用公知的激光刻蚀装置。在图8中，表示的是使用包含激光源510和电流镜520的激光刻蚀装置500的例子。激光刻蚀装置500中的电流镜的个数可以是两个以上。激光源510的例子是CO2激光、 Nd：YAG激光、Nd：YVO4激光、氩离子激光等。或者，也可以使用绿色激光作为激光源510。激光刻蚀装置500可以是具备纤维激光器的装置。并且，通过利用了SHG、THG等的高谐波发生器能够得到第二高谐波、第三高谐波等而对树脂层270S进行加工。
通过利用激光束LB对树脂层270S的表面进行扫描，能够选择性地除去树脂层270S中所期望的区域。分别将树脂层270S中覆盖第一发光构造100A 的部分、覆盖第二发光构造100B的部分以及覆盖跨接部件250A的部分称为第一树脂、第二树脂以及第三树脂，在这里，将树脂层270S中至少第一树脂的一部分、第二树脂的一部分以及第三树脂的一部分除去。由此，如图8所示，在支承体400上的构造的与支承体400相反的一侧，能够形成具有第一槽G1、第二槽G2以及第三槽G3的树脂层270A。通过形成树脂层270A，能够得到一并覆盖第一发光元件110A、第二发光元件110B以及跨接元件250 的覆盖部120。在该例子中，可以说覆盖部120是在其一部分包含反射性树脂部件160A、反射性树脂部件160B以及反射性树脂部件260A的光反射性的构造。
在第一槽G1、第二槽G2以及第三槽G3的形成工序中，第一树脂中位于第一电极111A上的部分、第二树脂中位于第一电极111B上的部分、以及第三树脂中位于第一端子251A上的部分和位于第二端子252A上的部分被除去。即，以使得第一发光元件110A的第一电极111A的至少一部分和第二电极112A的至少一部分、第二发光元件110B的第一电极111B的至少一部分和第二电极112B的至少一部分、以及跨接部件250A的第一端子251A的至少一部分和第二端子252A的至少一部分露出的方式照射激光。此时，可以与树脂层270S的一部分一起将发光元件的电极的表面的一部分和/或跨接元件的端子的表面的一部分除去。
在通过激光的照射形成第一槽G1、第二槽G2以及第三槽G3的情况下，例如可以反复进行在附图的XY面中沿着一个方向的激光束的扫描。通过这样的照射，能够分别形成沿着扫描的方向延伸的多个微细的槽。在第一槽G1、第二槽G2以及第三槽G3可以是通过沿着与扫描方向不同的方向配置这些微细的槽而形成的构造。
通过使激光点的一部分重叠，例如沿着与附图中的X方向和Y方向均不同的方向对激光进行脉冲照射，能够形成第一槽G1、第二槽G2以及第三槽 G3。当然，激光束的扫描方向是任意的，激光束的扫描方向可以与X方向或 Y方向一致。激光的照射条件的一个例子如下所示。
激光的峰值波长：532nm
激光输出：2.4W
脉冲宽度：100毫微秒
周波数：50Khz
进给速度：200mm/s
焦距：0μm
微细槽的间距：15μm或30μm
第一槽G1、第二槽G2以及第三槽G3各自的延伸方向不受激光束的扫描方向的制约。即，在第一槽G1、第二槽G2以及第三槽G3进而在这些槽的内部形成的配线的俯视时的形状的设计上能够得到高的自由度。并且，通过以微细的槽的集合的形式形成第一槽G1、第二槽G2以及第三槽G3，在这些槽的底部形成微细的凹凸，其结果是，在覆盖部120与后述第一配线210 和第二配线220之间能够呈现更强力的锚固效应。
在沿着一个方向的多次激光扫描后，可以以不同的照射图案进一步向第一槽G1、第二槽G2以及第三槽G3的底照射激光。例如，在沿着一个方向的第一次激光扫描后，可以进一步进行沿着不同的方向的第二次激光扫描，形成与通过第一次激光扫描形成的多个微细的槽交叉的多个微细的槽。或者，可以在第一次激光扫描后，以点状的图案进行激光的照射。由此，在第一槽 G1、第二槽G2以及第三槽G3的底能够形成例如点状的、相对较深的多个凹部。在这里，本说明书中的“照射图案不同”不限于激光点的移动的轨迹不同的动作，可以解释为包含使第一次激光照射的工序与第二次激光照射的工序之间激光点的移动轨迹(或者相对于工作台的激光头的相对移动的轨迹) 相同，并且使激光的输出、脉冲间隔等相互不同的动作。通过执行以与第一照射图案不同的第二照射图案的进一步的激光照射，能够起到锚固效应的提高。
需要说明的是，在本公开的实施方式中，在形成第一槽G1、第二槽G2 以及第三槽G3之前的状态下，不必要求发光元件的电极(第一电极111A,111B、第二电极112A,112B)以及跨接元件的端子(第一端子251A和第二端子252A) 在外部露出。例如，可以在激光照射前通过白色的树脂层等覆盖发光元件的电极和跨接元件的端子。只要能够通过图像识别等来检测到发光元件的电极和跨接元件的端子的位置即可，树脂层270S可以是例如白色的树脂片等。
如图8所示，第一槽G1跨设于第一树脂和第三树脂，第二槽G2跨设于第二树脂和第三树脂。第三槽G3的至少一部分形成于第三树脂，包含俯视时在第一槽G1与第二槽G2之间延伸的部分。如图8所示，第一发光构造100A 的第一电极111A的至少一部分和跨接部件250A的第一端子251A的至少一部分在第一槽G1的内部露出。并且，第二发光构造100B的第一电极111B 的至少一部分和跨接部件250A的第二端子252A的至少一部分在第二槽G2 的内部露出。
(第一配线形成工序)
接着，通过利用第一导电材料对第一槽G1的内部和第二槽G2的内部进行填充，形成包含独立的多个部分的第一配线(图3的步骤S2)。在这里，如图9中示意性所示的那样，表示的是通过使用了刮板390的印刷，在第一槽G1和第二槽G2的内部配置作为第一导电材料的导电浆料20的例子。
作为导电浆料20，能够使用在环氧树脂等的母材中分散了Au、Ag、Cu 等粒子的材料。例如，能够将公知的Au浆料、Ag浆料或Cu浆料作为导电浆料20使用。导电浆料20可以包含溶剂。也可以取代导电浆料20，而是例如将在Sn-Bi系焊料中含有铜粉的合金材料作为导电性材料使用。
向第一槽G1和/或第二槽G2的内部、或者树脂层270A上赋予导电浆料20，如图9中粗箭头MV所示地使刮板390在树脂层270A的表面上移动。此时，导电浆料20的一部分进入第一槽G1和第二槽G2的内部。即，第一槽G1和第二槽G2的内部处于被导电浆料20填充的状态。
之后，通过加热或光的照射而使在第一槽G1和第二槽G2的内部配置的导电浆料20固化。通过导电浆料20的固化，如图2所示的例子那样，能够由导电浆料20来形成包含俯视时具有与第一槽G1的形状匹配的形状的第一部分211和与第二槽G2的形状匹配的形状的第二部分212的第一配线210。在该例子中，通过导电浆料20的固化，在第一槽G1的内部形成有第一配线 210的第一部分211，并且在第二槽G2的内部形成有第一配线210的第二部分212。
(第二配线形成工序)
在该例子中进一步通过使用了刮板390的印刷，与第一导电材料向第一槽G1和第二槽G2的内部的填充并行地进行第二导电材料向第三槽G3的内部的填充。在这里，在第二导电材料中使用与第一导电材料相同的导电浆料 20。通过使在第三槽G3的内部配置的、作为第二导电材料的导电浆料20固化，能够形成第二配线220(图3的步骤S3)。需要说明的是，第一导电材料向第一槽G1和第二槽G2的内部的填充和第二导电材料向第三槽G3的内部的填充之间的顺序没有特别的限制。
该第二配线220被树脂层270A在空间上分离，从而与上述第一配线210 电分离。另外，在这里，对使用相同的导电浆料20作为第二导电材料和第一导电材料的例子进行了说明。但是，显然也可以将与第一导电材料不同的材料用作第二导电材料。使用相同的材料作为第二导电材料和第一导电材料能够使一并执行第一配线形成工序和第二配线形成工序变得容易。通过一并执行第一配线形成工序和第二配线形成工序，能够更高效地制造发光装置200。
需要说明的是，导电浆料20的赋予方法不限于使用了刮板的方法，也可以是旋涂法、浸涂法、丝网印刷法、胶版印刷法、柔性版印刷法、凹版印刷法、微接触法、喷墨法、喷嘴印刷法、气溶胶喷射法等各种印刷方法。当然，也可以通过印刷法之外的方法向第一槽G1、第二槽G2以及第三槽G3赋予导电浆料20。
在该例子中，利用使用了刮板390的印刷，向第一槽G1、第二槽G2以及第三槽G3的内部赋予导电浆料20。所赋予的导电浆料20中比树脂层270A 的表面高出的部分通过刮板390的移动而被除去。因此，第一配线210的表面和第二配线220的表面的位置基本上与树脂层270A的表面、换句话说覆盖部120的下表面的位置一致。而且，可以根据需要在导电浆料20固化后实施附加的研磨工序。例如，可以使用研磨磨石对固化后的导电浆料20的表面和树脂层270A的表面进行研磨。利用研磨，能够使研磨面即第一配线210的表面和第二配线220的表面与发光装置200的下表面200b一致。并且，能够除去在树脂层270A的表面附着的导电浆料20的残渣。可以根据需要在固化后的导电浆料20上形成铜镀层或镍-金镀层。通过以上工序，能够得到与图1～图2所示的发光装置200同样的构造。
(发光装置的制造方法的变形例)
以下，对发光装置的制造方法的变形例进行说明。在上述例子中，形成将第一发光元件110A、第二发光元件110B以及跨接部件250A整体一体覆盖的树脂层120T，在通过研磨等使发光元件的电极(第一电极111A,111B、第二电极112A,112B)以及跨接元件的端子(第一端子251A和第二端子252A) 露出后，以覆盖这些电极和端子的方式配置树脂层270S。然而，如以下所说明的那样，在本公开的实施方式中进一步在树脂层120T上配置树脂层270S并不是必须的。
图10示意性地表示一个变形例中的制造工序。在这里所说明的例子中，形成树脂层120T之前的工序可以与上述例子基本相同。在树脂层120T的形成后，以与参照图6说明的例子同样地通过磨削加工等从与支承体400相反的一侧将树脂层120T的一部分除去。其中，在这里，图10所示的发光元件的电极(第一电极111A,112A、第二电极112A,112B)和跨接部件的端子(第一端子251A和第二端子252A)可以被树脂层120T覆盖。换句话说，在发光元件的电极上和跨接部件的端子上残留有树脂层120T的一部分。从发光元件的电极的表面或跨接部件的端子的表面到磨削后的树脂层120T的表面(磨削面)的距离例如可以是5μm以上且100μm以下的范围。
接着，例如与参照图8进行说明的例子同样地通过激光的照射从与支承体400相反的一侧将树脂层120T的一部分除去。在这里，将树脂层120T中覆盖第一发光构造100A的部分、覆盖第二发光构造100B的部分以及覆盖其余部分分别称为第一树脂、第二树脂以及第三树脂。如图11所示，例如使用激光刻蚀装置500，通过激光束LB的扫描，将第一树脂的一部分、第二树脂的一部分以及第三树脂的一部分除去。由此，能够与图8所示的例子同样地在与支承体400相反的一侧形成第一槽G1、第二槽G2以及第三槽G3，能够得到与图1所示的覆盖部120同样的构造。第一发光构造100A的第一电极 111A的至少一部分和跨接部件250A的第一端子251A的至少一部分在第一槽G1的内部露出，第二发光构造100B的第一电极111B的至少一部分以及跨接部件250A的第二端子252A的至少一部分在第二槽G2的内部露出的这一点与图8所示的例子相同。
在这里，通过将第三树脂的一部分除去，在支承体400上形成至少覆盖跨接部件250A的反射性树脂部件260B。反射性树脂部件260B在与支承体 400位于相反侧的面上具有第三槽G3。换句话说，反射性树脂部件260B包含比跨接元件的端子(在该例子中为第一端子251A和第二端子252A)的表面位于附图中的－Z方向的部分。并且，在该例子中，如图11中示意性所示的那样，树脂层120T的材料的一部分包含比发光元件的电极的表面位于附图中的－Z方向的部分。例如，着眼于覆盖第一发光构造100A的第一树脂，第一树脂包含比第一发光元件110A的第一电极111A和第二电极112A的表面位于附图中的－Z方向的部分。在树脂层120T的材料与反射性树脂部件160A 的材料相同的情况下，存在第一树脂中比第一电极111A和第二电极112A的表面位于附图中的－Z方向的部分与反射性树脂部件160A之间不能确认到明显的交界的情况。在这样的情况下，可以将第一树脂中比第一电极111A和第二电极112A的表面位于附图中的－Z方向的部分视为反射性树脂部件160A 的一部分。同样，可以将第二树脂中比第二发光元件110B的第一电极111B 和第二电极112B的表面位于附图中的－Z方向的部分视为反射性树脂部件 160B的一部分。
接着，与参照图9进行了说明的例子相同，如图12所示，例如通过印刷在第一槽G1和第二槽G2的内部配置导电浆料20。此时，可以一并地进行第一导电材料向第一槽G1和第二槽G2的内部的配置和第二导电材料向第三槽 G3的内部的配置。
之后，通过加热或光的照射使在第一槽G1、第二槽G2以及第三槽G3 的内部配置的导电浆料20固化，由此能够由导电浆料20形成形成具有俯视时与第一槽G1和第二槽G2的形状匹配的形状的第一配线210和具有俯视时与第三槽G3的形状匹配的形状的第二配线220。在导电浆料20固化后，可以根据需要进行固化后的导电浆料20的表面研磨、在固化后的导电浆料20 的表面上形成镀层等。
通过从支承体400的分离，能够得到图13所示的发光装置200B。在图 13所例示的结构中，覆盖部120在其一部分包含将第一发光元件110A覆盖的反射性树脂部件160A、将跨接部件250A覆盖的反射性树脂部件260B以及将第二发光元件110B覆盖的反射性树脂部件160B。
图14示意性地表示发光装置的制造方法的另一变形例。与参照图4进行了说明的例子相比，在图14所示的例子中，作为跨接元件250，将包含本体部255B的跨接部件250B配置在第一发光构造100A与第二发光构造100B之间。在这里，本体部255B是至少在与支承体400位于相反侧的表面具有导电性的部件。本体部255B可以是金属板等导电性部件。如图14中虚线所示，在该例子中，本体部255B的、与支承体400位于相反侧的表面(以下，会将其称之为“下表面250b”)处于比第一发光构造100A的下表面和第二发光构造100B的下表面低的位置。
在向支承体400配置第一发光构造100A、第二发光构造100B以及跨接部件250B之后，以覆盖它们整体的方式在支承体400上赋予树脂材料。通过树脂材料的固化，如图15所示，以覆盖它们整体的方式形成树脂层120T。根据需要通过磨削加工等，使树脂层120T的厚度减少到规定的高度。利用该工序，使整个跨接部件250B被树脂层120T的材料覆盖(覆盖工序)。在这里，与参照图10进行说明的例子相同，发光元件的电极(第一电极111A,112A、第二电极112A,112B)处于被树脂层120T覆盖的状态。
接着，执行上述槽形成工序。在这里，如图16示意性所示，通过激光束 LB对树脂层120T的表面进行扫描，形成第一槽G1、第二槽G2以及第三槽 G3。此时，第一槽G1和第二槽G2形成为各自的至少一部分在俯视时与跨接部件250B重叠的形状。并且，此时，例如与第一槽G1、第二槽G2以及第三槽G3的形成并行地在树脂层120T形成达到跨接部件250B的本体部255B 的第一孔120s和第二孔120t(孔形成工序)。
第一孔120s设置在俯视时与跨接部件250B的下表面250b的端部附近重叠的位置，另一方面，第二孔120t设置在与第一孔120s相比接近第二发光元件110B的第一电极111B的位置。此外，第一孔120s和第二孔120t的形成可以与第一槽G1、第二槽G2以及第三槽G3的形成并行进行，也可以在第一槽G1和第二槽G2的形成后进行。在后者的情况下，第一孔120s和第二孔120t位于第一槽G1和第二槽G2的内部。通过第一孔120s和第二孔120t 的形成，由树脂层120T的一部分形成覆盖跨接部件250B的反射性树脂部件 260C，其结果是，在支承体400上形成一并覆盖第一发光元件110A、第二发光元件110B以及跨接部件250B的覆盖部120。在该例子中，反射性树脂部件260C在其一部分包含支承部件280。
接着，执行上述第一配线形成工序和第二配线形成工序。例如，使用刮板390，利用导电浆料20对第一槽G1、第二槽G2以及第三槽G3的内部进行填充。此时，如图17示意性所示，可以通过导电浆料20对第一孔120s的内部和第二孔120t的内部进行填充。
之后，使导电浆料20固化。通过导电浆料20的固化，在第一槽G1和第二槽G2的内部形成第一配线210，在第三槽G3的内部形成第二配线220。并且，此时，导电浆料20中位于第一孔120s的内部的部分固化，由此在第一孔120s的内部形成第一过孔251B，导电浆料20中位于第二孔120t的内部的部分固化，由此在第二孔120t的内部形成第二过孔252B(过孔形成工序)。
如图17所示，第一过孔251B占据第一孔120s的内部，第二过孔252B 占据第二孔120t的内部。第一过孔251B和第二过孔252B通过与跨接部件 250B连接而分别作为跨接部件250B的第一端子和第二端子发挥作用。这些第一端子和第二端子经由本体部255B相互电连接。即，通过形成第一过孔251B和第二过孔252B，能够在覆盖部120的内部形成具有第一过孔251B和第二过孔252B作为端子的跨接元件。
第一过孔251B和第二过孔252B的形成与第一配线210的形成并行执行并不是必须的。例如，可以在第一孔120s和第二孔120t的形成后，通过印刷、溅射等在这些孔的内部配置导电部件而形成第一过孔251B和第二过孔252B 之后再形成第一配线210。通过在形成覆盖部120后再事后形成跨接元件的端子，能够不特别地使用跨接部件地，使用金属板等连接且普通的部件来形成配线的交叉。
之后的工序与此前说明的例子相同因而省略说明。通过以上工序，能够得到图17所示的发光装置200C。在该例子中，覆盖部120在其一部分包含覆盖第一发光元件110A的反射性树脂部件160A、覆盖跨接部件250B的反射性树脂部件260C以及覆盖第二发光元件110B的反射性树脂部件160B。
根据上述各例子能够理解，在本公开的实施方式的制造方法中，作为跨接元件，能够广泛使用具有包含导电部分的本体部、和与导电部分连接且相互分离配置的端子的电路元件。例如，能够将作为保护元件的齐纳二极管作为跨接元件使用。或者，如以下所说明的那样，可以利用所谓的跨接芯片形成第一配线210与第二配线220之间的交叉。
图18表示的是作为跨接元件的跨接芯片的一个例子。图18所示的跨接芯片250C包含由氧化铝等陶瓷形成的板状的基台25、在基台的一方的主面上设置的导电层26、在基台25的端部配置的第一端子251C和第二端子252C。如图所示，第一端子251C位于基台25的一方的端部，第二端子252C位于基台25的、与第一端子251C位于相反侧的端部。第一端子251C和第二端子252C分别以覆盖基台25的侧面25c的方式从基台25的上表面25a到下表面25b形成在基台25上，与在基台25的下表面25b上设置的导电层26电连接。在图18所例示的结构中，导电层26选择性地形成于基台25的两个主面中的下表面25b，但也能够采用在基台25的两面具有导电层26的结构。
例如可以代替上述跨接部件250A而使用图18所示的跨接芯片250C。但是，一般来说，在市面上销售的跨接芯片与LED封装等发光构造相比具有小的厚度。因此，如图19所例示的那样，可以在具有规定的厚度的树脂片等厚度调整用片材280C上接合跨接芯片250C，以跨接芯片250C为单位对片材 280C进行切割。需要说明的是，在这里，使基台25的下表面25b朝向与片材280C相反的一侧通过粘接剂等(在图19中未图示)将跨接芯片250C固定于片材280C。
在跨接芯片250C向片材280C的固定之后，以各个片材片包含跨接芯片 250C的方式将片材280C切成规定的尺寸。例如，在图19中粗虚线所示的位置将片材280C切断。通过预先将跨接芯片250C固定于树脂片材片，跨接芯片250C向支承体400上的配置变得容易。
在片材280C的切断后，如图20所示，与第一发光构造100A和第二发光构造100B一起将固定于树脂片材片的跨接芯片250C配置在支承体400上。在这里，对跨接芯片250C进行支承的树脂片材片实现上述支承部件280的功能。之后的工序例如可以与参照图5～图9说明的例子相同。通过使树脂片材片介于跨接芯片250C与支承体400之间，如图20中虚线所示，能够使第一端子251C的表面和第二端子252C的表面的位置与发光元件的电极(第一电极111A,111B、第二电极112A,112B)的表面的位置大致对齐。
根据这样的工序，在通过树脂层120T对第一发光元件110A、第二发光元件110B以及跨接芯片250C进行了覆盖后减薄树脂层120T的厚度，使第一端子251C和第二端子252C的表面与发光元件的电极一起从树脂层120T 露出变得容易。即，能够更可靠地得到第一配线210与跨接芯片250C之间的电连接。
通过使用一般在市面上销售的跨接芯片，可得到能够以廉价的部件形成第一配线210与第二配线220之间的交叉这一优点。也能够将表面绝缘的齐纳二极管或压敏电阻、或者LC滤波器等用于应对电磁干涉(EMI)的功能部件作为跨接芯片250C使用。通过将这样的功能部件适用于发光装置200中的跨接元件，能够避免发光元件的静电击穿。
需要说明的是，在该例子中，在激光的照射中，取决于激光的照射条件，在除去树脂层120T的一部分时可以通过激光对跨接芯片250C的基台25进行照射。但是，跨接芯片250C的基台25通过陶瓷等形成，在能够将树脂除去的程度的照射条件下，例如即使暴露于激光的照射，也几乎不会引发第一端子251C与第二端子252C之间的电连接收到破坏的情况。
当然，可以代替廉价的通用部件，预先通过制造来准备与配线设计等对应的跨接部件来作为在发光构造之间配置的跨接部件250。图21表示的是能够作为跨接部件250使用的跨接部件的另一例。
图21所示的跨接部件250D具有由金属等形成的导体部27和覆盖导体部 27的绝缘部28。绝缘部28例如由与反射性树脂部件160A和反射性树脂部件 160B的材料同样的光反射性的树脂组成物形成。导体部27具有在绝缘部28 的内部弯折而从跨接部件250D的上表面250a向下表面250b延伸的两个部分。这两个各自的一部分从跨接部件250D的下表面250b露出。在这里，将导体部27中从跨接部件250D的上表面250a向下表面250b延伸的部分称为第一端子251D、第二端子252D。跨接部件250D的导体部27具有将第一端子251D和第二端子252D连结的本体部255D。
图22示意性地表示使用了跨接部件250D的、发光装置的例示性的制造方法。与此前说明的各例子相同，在准备了第一发光元件110A、第二发光元件110B以及跨接部件250D后，将它们配置在支承体400上。此时，使跨接部件250D的上表面250a与支承体400的上表面400a相对而将跨接部件250D 暂时固定在支承体400上。根据本实施方式，能够任意地调节从跨接部件250D 的上表面250a到导体部27的本体部255D的距离，在向支承体400配置第一发光元件110A、第二发光元件110B以及跨接部件250D的时刻，能够使跨接部件250D的下表面250b的位置与发光构造(在这里为第一发光构造100A 和第二发光构造100B)的下表面的位置大致对齐。换句话说，不需要支承部件280，就能够使第一端子251D和第二端子252D的表面的位置与发光元件的电极(第一电极111A,111B、第二电极112A,112B)的表面的位置大致一致。
在向支承体400配置第一发光元件110A、第二发光元件110B以及跨接部件250D后，与参照图5、图6进行了说明的例子同样地形成将它们覆盖的树脂层120T，通过磨削加工等例如使树脂层120T的厚度减少到发光元件的电极从磨削面露出。此时，由于第一端子251D和第二端子252D的表面的位置与发光元件的电极的表面的位置大致一致，如图23所示，第一端子251D 和第二端子252D的表面也从磨削面露出。磨削后的树脂层120T在其一部分包含覆盖跨接部件250D的反射性树脂部件260C。
之后的工序可以与参照图7～图9说明的工序相同。例如，在树脂层120T 的磨削面上配置树脂层270S，通过激光的照射等将树脂层270S的一部分除去，从而形成第一槽G1、第二槽G2以及第三槽G3。在这里，如图24所示，第一发光元件110A的第一电极111A的表面的一部分和跨接部件250D的第一端子251D的表面的一部分在第一槽G1的内部露出，第二发光元件110B 的第一电极111B的表面的一部分和跨接部件250D的第二端子252D的表面的一部分在第二槽G2的内部露出。
之后，通过利用导电材料对第一槽G1、第二槽G2以及第三槽G3的内部进行填充，能够形成第一配线210和第二配线220。由此，第一发光元件 110A的第一电极111A和第二发光元件110B的第一电极111B经由第一配线 210和跨接部件250D的导体部27相互电连接。
在这里，从跨接部件250D的下表面250b到导体部27的本体部255D的距离(图21中双向箭头Ht所示的距离)为50μm以上是有益的。由图24能够理解，第三槽G3中在第一槽G1与第二槽G2之间延伸的部分形成在俯视时与跨接部件250D的本体部255D重叠的位置。因此，在树脂层270S的一部分的除去工序中，能够除去跨接部件250D的绝缘部28的一部分。如果从跨接部件250D的下表面250b到导体部27的本体部255D的距离为50μm以上，则即使在这样的情况下也能够减小第三槽G3的底到达跨接部件250D的本体部255D的可能性。换句话说，容易避免第一配线210与第二配线220 之间的短接。
这样，根据本公开的实施方式，能够利用所期望的形状的跨接元件在配线的设计中得到高的自由度，相对于例如发光构造的数量或配置的变更得到高的适应性。因此，基本上不需要针对多个发光元件的排列的每一个准备具有与该排列相应的配线的配线基板。因此，能够降低发光装置的制造成本。并且，在将分别具有正极和负极的多个发光元件配置在配线基板上的现有的结构中，随着所安装的发光元件的数量增加，配线基板上的配线增加，因而要求配线基板上具有大的空间。与此相对，根据本公开的实施方式，不在配线基板侧而是在发光装置侧形成包含正侧的配线与负侧的配线之间的交叉的配线图案较为容易，因此例如将用于与外部电源连接的端子与汇集到发光装置或配线基板的一个部位较为容易。上述各实施方式仅为例示，只要在技术上产生矛盾就能够实施各种组合。
工业实用性
根据本公开的实施方式，基本上需要要形成有复杂的配线图案的基板，能够提供一种安装较为容易的发光装置。本公开的实施方式能够广泛适用于各种照明用光源、车载用光源、背光用光源等。

Claims (8)

1.一种发光装置，其特征在于，具备：
第一发光元件，其包含第一极性的第一电极以及与所述第一极性不同的第二极性的第二电极；
电路元件，其包含本体部、以及经由所述本体部相互电连接的第一端子和第二端子；
所述第一极性的第一配线，其将所述第一发光元件的所述第一电极与所述电路元件的所述第一端子连结；
所述第二极性的第二配线，其位于与所述第一配线相同的层，包含俯视时在所述电路元件的所述第一端子和所述第二端子之间延伸的部分；
所述电路元件的所述本体部配置在与所述第一配线和所述第一发光元件的所述第一电极的界面相比向与所述第一配线相反的一侧分开的位置。
2.根据权利要求1所述的发光装置，
进一步具备一并覆盖所述第一发光元件和所述电路元件的覆盖部，
所述第一配线包含在所述覆盖部中在所述电路元件的所述第一端子和所述第二端子侧设置的第一槽的内部和第二槽的内部分别配置的第一部分和第二部分，
所述第二配线配置于所述覆盖部中设置在所述第一槽与所述第二槽之间的第三槽的内部。
3.根据权利要求1或2所述的发光装置，
所述第一配线中俯视时位于所述第一发光元件的所述第一电极与所述电路元件的所述第一端子之间的部分在第一方向上延伸，
所述第二配线中俯视时位于所述电路元件的所述第一端子和所述第二端子之间的部分在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸。
4.根据权利要求2所述的发光装置，
进一步具有第二发光元件，所述第二发光元件包含所述第一极性的第三电极和所述第二极性的第四电极，
所述第一部分将所述第一发光元件的所述第一电极和所述电路元件的所述第一端子连结，
所述第二部分将所述第二发光元件的所述第三电极和所述电路元件的所述第二端子连结。
5.根据权利要求4所述的发光装置，
所述第二配线进一步包含将所述第一发光元件的所述第二电极和所述第二发光元件的所述第四电极连结的部分。
6.根据权利要求1或2所述的发光装置，
进一步具备位于所述第一发光元件的上方的第一保护部件和位于所述第一发光元件与所述第一保护部件之间的第一波长转换部件。
7.根据权利要求4或5所述的发光装置，
进一步具备位于所述第二发光元件的上方的第二保护部件和位于所述第二发光元件与所述第二保护部件之间的第二波长转换部件。
8.根据权利要求6所述的发光装置，
所述第一保护部件含有光扩散性材料。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102663687B1 (ko) * 2021-07-30 2024-05-08 엘지전자 주식회사 발광 소자 패키지의 제조 방법, 디스플레이 장치 및 디스플레이 장치의 제조 방법

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004047617A (ja) * 2002-07-10 2004-02-12 Sony Corp 電子部品の実装構造及びその製造方法
JP2004119631A (ja) 2002-09-25 2004-04-15 Matsushita Electric Works Ltd Ｌｅｄモジュール
JP2007026858A (ja) 2005-07-15 2007-02-01 Minebea Co Ltd 面状照明装置
JP5378130B2 (ja) * 2009-09-25 2013-12-25 株式会社東芝 半導体発光装置
JP2011071272A (ja) * 2009-09-25 2011-04-07 Toshiba Corp 半導体発光装置及びその製造方法
KR20110069375A (ko) * 2009-12-17 2011-06-23 삼성엘이디 주식회사 발광다이오드 어레이 및 그 제조방법
JP5743451B2 (ja) 2010-08-02 2015-07-01 三菱電機株式会社 プリント配線板及び光源回路及び照明装置
JP6197418B2 (ja) * 2013-07-05 2017-09-20 株式会社リコー 積層配線の形成方法、積層配線、及び電子素子
US9142746B2 (en) * 2013-11-11 2015-09-22 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Light-emitting diodes on a wafer-level package
JP6354285B2 (ja) 2014-04-22 2018-07-11 オムロン株式会社 電子部品を埋設した樹脂構造体およびその製造方法
WO2016032167A1 (ko) * 2014-08-26 2016-03-03 엘지이노텍(주) 발광 소자 패키지
JP6376496B2 (ja) 2014-12-02 2018-08-22 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 光源ユニットおよび照明器具
JP2017199834A (ja) 2016-04-28 2017-11-02 株式会社ジェイデバイス 半導体パッケージ及び半導体パッケージの製造方法
WO2017191923A1 (ko) * 2016-05-03 2017-11-09 서울바이오시스주식회사 발광 다이오드
US10475876B2 (en) * 2016-07-26 2019-11-12 X-Celeprint Limited Devices with a single metal layer
JP6246879B1 (ja) 2016-09-20 2017-12-13 株式会社東芝 光半導体モジュール及びその製造方法
JP6610497B2 (ja) 2016-10-14 2019-11-27 オムロン株式会社 電子装置およびその製造方法
JP6823804B2 (ja) 2016-12-05 2021-02-03 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 発光装置、及び、照明装置
US10937768B2 (en) * 2017-03-13 2021-03-02 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Method of manufacturing display device
US10497845B2 (en) * 2017-03-27 2019-12-03 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Display apparatus and method of manufacturing the same
JP7113608B2 (ja) * 2017-11-08 2022-08-05 シチズン時計株式会社 Ｌｅｄモジュール
JP6798472B2 (ja) 2017-11-15 2020-12-09 オムロン株式会社 電子装置およびその製造方法
JP2019207981A (ja) 2018-05-30 2019-12-05 イビデン株式会社 プリント配線板の製造方法
JP2019207978A (ja) 2018-05-30 2019-12-05 イビデン株式会社 プリント配線板
JP2019207980A (ja) 2018-05-30 2019-12-05 イビデン株式会社 プリント配線板
US10923024B2 (en) * 2018-12-13 2021-02-16 Sct Ltd. LED display module and method of making thereof
US20200411491A1 (en) * 2019-06-27 2020-12-31 Intel Corporation Micro light-emitting diode displays having microgrooves or wells

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