JP7174231B2 - 発光装置の製造方法および発光装置 - Google Patents

Description

本開示は、発光装置の製造方法および発光装置に関する。

液晶表示装置等のバックライトユニットに、ＬＥＤに代表される半導体発光素子が広く用いられている。例えば下記の特許文献１は、複数の光源と、光学シートとを有するバックライトユニットを開示している。

特許文献１に記載のバックライトユニットは、液晶パネルの背面側に位置する基板上に光源を二次元に配置した、いわゆる直下方式のバックライトユニットである。特許文献１の図３に示されるように、基板上の光源の各々は、ＬＥＤのチップを収容する凹部を有するパッケージと、パッケージの凹部内に配置されたＬＥＤのチップと、ＬＥＤのチップを覆う封止材とを含む。パッケージは、外部電極をその一部に含んでおり、パッケージの外部電極をはんだ等によって基板に接続することによって、これら光源を基板上に実装することができる。

特開２０１５－０３２３７３号公報

しかしながら、多数の光源を基板に実装する場合、特に、それらの光源をより密に基板に実装する場合には、光源を支持する基板に対して、より微細かつ複雑な配線（circuit trace）の形成が求められることがある。

本開示のある実施形態による発光装置の製造方法は、それぞれが第１電極および第２電極を有する１以上の発光素子、ならびに、前記１以上の発光素子を覆う被覆部材を含み、第１面および前記第１面とは反対側に位置する第２面を有する発光構造を準備する、準備工程であって、各発光素子の前記第１電極および前記第２電極は、下面を有し、前記第１電極の下面および前記第２電極の下面は、前記第２面よりも前記第１面の近くに位置する、準備工程と、前記第１面側からのレーザ光の照射により、前記被覆部材の一部、前記第１電極の一部および前記第２電極の一部を除去し、前記第１電極の少なくとも一部および前記第２電極の少なくとも一部が内部に露出された溝構造を前記発光構造の前記第１面側に形成する、溝構造形成工程と、前記溝構造の内部を導電性材料で充填することによって、複数の配線を形成する、配線形成工程とを含む。

本開示の他のある実施形態による発光装置の製造方法は、それぞれが第１電極および第２電極を有する１以上の発光素子、ならびに、前記１以上の発光素子を覆う被覆部材を含む発光構造を準備する、準備工程であって、前記第１電極および前記第２電極のそれぞれは、下面を有する、準備工程と、前記第１電極の下面および前記第２電極の下面の上方にシート状のマスクを配置するマスク配置工程と、レーザ光の照射により少なくとも前記マスクの一部を除去して前記第１電極の少なくとも一部および前記第２電極の少なくとも一部を露出させる照射工程と、前記マスクが除去された部分を導電性材料で充填することによって複数の配線を形成する配線形成工程とを含む。

本開示の実施形態による発光装置は、それぞれが第１電極および第２電極を有する１以上の発光素子、ならびに、前記１以上の発光素子を覆うパッケージを含み、下面側に溝構造を有する発光モジュールと、その一部または全体が前記溝構造内に位置する第１配線および第２配線とを備え、前記第１電極の少なくとも一部および前記第２電極の少なくとも一部は、前記溝構造の内部において露出されており、前記第１配線は、前記第１電極に電気的に接続されており、前記第２配線は、前記第２電極に電気的に接続されている。

本開示の実施形態によれば、例えば複数の発光素子を互いに電気的に接続する際の、基板側の配線の複雑化を回避することが可能な発光装置およびその製造方法が提供される。

本開示の第１の実施形態による発光装置の外観の一例を示す模式的な斜視図である。 図１に示す発光装置１００Ａを発光装置１００Ａの中央付近で図１のＺＸ面に平行に切断したときの模式的な断面図である。 図１に示す発光装置１００Ａを下面１００ｂ側から見た模式的な底面図である。 図３から第１配線３１０および第２配線３２０を取り除いた構造を示す模式的な底面図である。 第１の実施形態の第１の変形例による発光装置を示す模式的な底面図である。 第１の実施形態の第２の変形例による発光装置を示す模式的な断面図である。 第１の実施形態の第３の変形例による発光装置の外観の一例を示す模式的な斜視図である。 図７に示す発光装置１００Ｄを発光装置１００Ｄの中央付近で図７のＺＸ面に平行に切断したときの模式的な断面図である。 第１の実施形態の第４の変形例による発光装置を示す模式的な断面図である。 第１の実施形態の第５の変形例による発光装置を示す模式的な断面図である。 本開示の第１の実施形態による発光装置の例示的な製造方法を示すフローチャートである。 本開示の第１の実施形態による発光装置の例示的な製造方法を説明するための模式的な断面図である。 本開示の第１の実施形態による発光装置の例示的な製造方法を説明するための模式的な断面図である。 本開示の第１の実施形態による発光装置の例示的な製造方法を説明するための模式的な断面図である。 本開示の第１の実施形態による発光装置の例示的な製造方法を説明するための模式的な断面図である。 本開示の第１の実施形態による発光装置の例示的な製造方法を説明するための模式的な断面図である。 本開示の第１の実施形態による発光装置の例示的な製造方法を説明するための模式的な断面図である。 本開示の第１の実施形態による発光装置の例示的な製造方法を説明するための模式的な断面図である。 本開示の第１の実施形態による発光装置の例示的な製造方法を説明するための模式的な断面図である。 本開示の第１の実施形態による発光装置の製造方法の変形例を説明するための模式的な断面図である。 図２０に示す状態から溝構造２１０ｇの内部に配線を形成した状態を示す模式的な工程断面図である。 溝構造２１０ｇ内に形成された第１配線３１０～第３配線３３０により、複数の発光モジュール２００Ａの発光素子２２０を電気的に接続した例を示す模式的な底面図である。 第１配線３１０および第２配線３２０による複数の発光モジュールの電気的接続の他の例を示す模式的な底面図である。 複数の発光モジュールを二次元に配列した例を示す模式的な底面図である。 複数の発光モジュールをワイヤにより電気的に接続した例を示す模式的な底面図である。 本開示の第１の実施形態による発光装置の製造方法の他の変形例を説明するための模式的な断面図である。 本開示の第１の実施形態による発光装置の製造方法の他の変形例を説明するための模式的な断面図である。 本開示の第１の実施形態による発光装置の製造方法の他の変形例を説明するための模式的な断面図である。 本開示の第２の実施形態による発光装置を示す模式的な断面図である。 図２９に示す発光装置１００Ｌを下面１００ｂ側から見た模式的な底面図である。 本開示の第２の実施形態による発光装置の例示的な製造方法を示すフローチャートである。 本開示の第２の実施形態による発光装置の例示的な製造方法を説明するための模式的な断面図である。 本開示の第２の実施形態による発光装置の例示的な製造方法を説明するための模式的な断面図である。 図３２に示す状態からレーザ光の照射によってマスク２３０Ｍの一部を除去した状態を示す模式的な底面図である。 本開示の第２の実施形態による発光装置の例示的な製造方法を説明するための模式的な断面図である。 本開示の第２の実施形態による発光装置の例示的な製造方法を説明するための模式的な断面図である。 本開示の第２の実施形態による発光装置の例示的な製造方法を説明するための模式的な断面図である。 本開示の第２の実施形態による発光装置の例示的な製造方法を説明するための模式的な断面図である。 図３８に示す発光装置１００Ｍを配線基板５００に実装した状態を示す模式的な断面図である。 実施例１－１のサンプルの溝構造の底面に関する顕微鏡画像を示す図である。 実施例１－１のサンプルに関する断面プロファイルを示す図である。 実施例１－２のサンプルの溝構造の底面に関する顕微鏡画像を示す図である。 実施例１－２のサンプルに関する断面プロファイルを示す図である。 実施例１－３のサンプルの溝構造の底面に関する顕微鏡画像を示す図である。 実施例１－３のサンプルに関する断面プロファイルを示す図である。 実施例１－４のサンプルの溝構造の底面に関する顕微鏡画像を示す図である。 実施例１－４のサンプルに関する断面プロファイルを示す図である。 参考例１－１のサンプルの溝構造の底面に関する顕微鏡画像を示すである。 参考例１－１のサンプルに関する断面プロファイルを示す図である。 導電ペーストの充填前の第２部分の顕微鏡画像を示す図である。 第２部分に導電ペーストを充填し、導電ペーストを硬化させた後の断面に関する顕微鏡画像を示す図である。 導電ペーストの充填前の第３部分の顕微鏡画像を示す図である。 第３部分に導電ペーストを充填し、導電ペーストを硬化させた後の断面に関する顕微鏡画像を示す図である。 導電ペーストの充填前の第４部分の顕微鏡画像を示す図である。 第４部分に導電ペーストを充填し、導電ペーストを硬化させた後の断面に関する顕微鏡画像を示す図である。 実施例２－１のサンプルの溝構造の底面に関する顕微鏡画像を示す図である。 実施例２－１のサンプルに関する断面プロファイルを示す図である。 実施例２－２のサンプルの溝構造の底面に関する顕微鏡画像を示す図である。 実施例２－２のサンプルに関する断面プロファイルを示す図である。 実施例２－３のサンプルの溝構造の底面に関する顕微鏡画像を示す図である。 実施例２－３のサンプルに関する断面プロファイルを示す図である。 実施例２－４のサンプルの溝構造の底面に関する顕微鏡画像を示す図である。 実施例２－４のサンプルに関する断面プロファイルを示す図である。 参考例２－１のサンプルに関する断面プロファイルを示す図である。 導電ペーストの充填前の第６部分の顕微鏡画像を示す図である。 第６部分に導電ペーストを充填し、導電ペーストを硬化させた後の断面に関する顕微鏡画像を示す図である。 導電ペーストの充填前の第８部分の顕微鏡画像を示す図である。 第８部分に導電ペーストを充填し、導電ペーストを硬化させた後の断面に関する顕微鏡画像を示す図である。 導電ペーストの充填前の第９部分の顕微鏡画像を示す図である。 第９部分に導電ペーストを充填し、導電ペーストを硬化させた後の断面に関する顕微鏡画像を示す図である。 実施例３－３のサンプルに関する、導電ペースト充填前の溝構造の底面の顕微鏡画像を示す図である。 実施例３－３のサンプルに関する、テープ剥離後の配線の外観を示す平面図である。 比較例３－１のサンプルに関する、導電ペースト充填前の溝構造の底面の顕微鏡画像を示す図である。 比較例３－２のサンプルに関する、テープ剥離後の配線の外観を示す平面図である。 溝構造形成工程の実行後の発光構造の底面に関する顕微鏡画像を示す図である。 図７５に示す破線の円で囲まれた部分についてレーザ顕微鏡によって得られた画像を示す図である。 レーザ顕微鏡によって得られた、溝構造の断面に関する画像を示す図である。 導電ペーストを硬化させた後の実施例４－１のサンプルの断面に関する顕微鏡画像を示す図である。 溝構造形成工程の実行後かつ配線形成工程の実行前の発光構造の底面に関する顕微鏡画像を示す図である。 溝構造の底部の一部に関するＳＥＭ画像を示す図である。 図７９に示す破線の円で囲まれた部分についてレーザ顕微鏡によって得られた画像を示す図である。 レーザ顕微鏡によって得られた、溝構造の断面に関する画像を示す図である。 導電ペーストを硬化させた後の実施例４－２のサンプルの断面に関する顕微鏡画像を示す図である。 溝構造形成工程の実行後かつ配線形成工程の実行前の発光構造の底面に関する顕微鏡画像を示す図である。 溝構造の底部の一部に関するＳＥＭ画像を示す図である。 図８４に示す破線の円で囲まれた部分についてレーザ顕微鏡によって得られた画像を示す図である。 レーザ顕微鏡によって得られた、溝構造の断面に関する画像を示す図である。 導電ペーストを硬化させた後の参考例４－１のサンプルの断面に関する顕微鏡画像を示す図である。

以下、図面を参照しながら、本開示の実施形態を詳細に説明する。以下の実施形態は、例示であり、本開示による発光装置およびその製造方法は、以下の実施形態に限られない。例えば、以下の実施形態で示される数値、形状、材料、ステップ、そのステップの順序などは、あくまでも一例であり、技術的に矛盾が生じない限りにおいて種々の改変が可能である。

図面が示す構成要素の寸法、形状等は、わかり易さのために誇張されている場合があり、実際の透光性部材、発光装置、および、製造装置における、寸法、形状および構成要素間の大小関係を反映していない場合がある。また、図面が過度に複雑になることを避けるために、一部の要素の図示を省略することがある。

以下の説明において、実質的に同じ機能を有する構成要素は共通の参照符号で示し、説明を省略することがある。以下の説明では、特定の方向または位置を示す用語（例えば、「上」、「下」、「右」、「左」およびそれらの用語を含む別の用語）を用いる場合がある。しかしながら、それらの用語は、参照した図面における相対的な方向または位置をわかり易さのために用いているに過ぎない。参照した図面における「上」、「下」等の用語による相対的な方向または位置の関係が同一であれば、本開示以外の図面、実際の製品、製造装置等において、参照した図面と同一の配置でなくてもよい。本開示において「平行」とは、特に他の言及がない限り、２つの直線、辺、面等が０°から±５°程度の範囲にある場合を含む。また、本開示において「垂直」または「直交」とは、特に他の言及がない限り、２つの直線、辺、面等が９０°から±５°程度の範囲にある場合を含む。

（第１の実施形態）
図１は、本開示の第１の実施形態による例示的な発光装置を示す。図１は、本開示の第１の実施形態による発光装置１００Ａを上面１００ａ側から見た外観の一例を示している。図１には、互いに直交するＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を示す矢印があわせて図示されている。本開示の他の図面においてもこれらの方向を示す矢印を図示することがある。

図１に例示する構成において、発光装置１００Ａは、概ね直方体形状を有し、この例では、発光装置１００Ａの上面１００ａの上面視における外形は、概ね正方形状である。図１において上面１００ａの正方形形状の辺は、図中に示すＸ方向およびＹ方向に一致している。本開示の実施形態において、発光装置の上面視における形状が正方形状であることは必須ではない。また、発光装置の上面視における形状が、正方形を含む矩形状であることも必須ではない。

図２は、発光装置１００Ａを発光装置１００Ａの中央付近で図１のＺＸ面に平行に切断したときの断面を模式的に示し、図３は、図１に示す発光装置１００Ａを上面１００ａとは反対側の下面１００ｂ側から見た外観の一例を示す。図２に模式的に示すように、発光装置１００Ａは、概略的には、発光素子２２０を含む発光モジュール２００Ａと、上面１００ａとは反対側に位置する下面１００ｂ側に設けられた第１配線３１０および第２配線３２０とを有する。図示するように、発光モジュール２００Ａの、発光装置１００Ａの上面１００ａとは反対側に位置する下面側には、溝構造２１０ｇが設けられている。この例では、溝構造２１０ｇは、第１部分２１０ｇａおよび第２部分２１０ｇｂの２つの部分を含んでいる。上述の第１配線３１０および第２配線３２０は、この溝構造２１０ｇ内に位置する。

発光モジュール２００Ａは、発光素子２２０を封止するパッケージ２１０Ａをさらに含む。パッケージ２１０Ａは、発光素子２２０を覆う構造であり、図１～図３に例示する構成では、保護部材２１１、波長変換部材２１２、導光部材２１３および光反射性部材２１４Ａを含む。以下、発光装置１００Ａの各構成要素をより詳細に説明する。

［発光素子２２０］
発光素子２２０の典型例は、ＬＥＤである。図２に例示する構成おいて、発光素子２２０は、上面２２３ａおよび側面２２３ｃを有する素子本体２２３を含む。この例では、素子本体２２３の上面２２３ａは、発光素子２２０の上面に一致している。

素子本体２２３は、例えば、サファイアまたは窒化ガリウム等の支持基板と、支持基板上の半導体積層構造とを含む。半導体積層構造は、活性層と、活性層を挟むｎ型半導体層およびｐ型半導体層とを含む。半導体積層構造は、紫外～可視域の発光が可能な窒化物半導体（Ｉｎ_xＡｌ_yＧａ_1-x-yＮ、０≦ｘ、０≦ｙ、ｘ＋ｙ≦１）を含んでいてもよい。ここでは、発光素子２２０として、青色光を出射するＬＥＤを例示する。

発光素子２２０は、発光装置１００Ａの下面１００ｂ側に位置する第１電極２２１および第２電極２２２をさらに含む。第１電極２２１および第２電極２２２は、正極および負極の組であり、半導体積層構造に所定の電流を供給する機能を有する。第１電極２２１および第２電極２２２は、典型的には、Ｃｕ電極である。

第１電極２２１は、下面２２１ｂを有し、第２電極２２２は、下面２２２ｂを有する。第１電極２２１の下面２２１ｂおよび第２電極２２２の下面２２２ｂは、後述の光反射性部材２１４Ａから露出されており、図示するように、これらの下面２２１ｂ、２２２ｂの位置は、光反射性部材２１４Ａの下面２１４ｂの位置に概ね整合している。

［保護部材２１１］
保護部材２１１は、パッケージ２１０Ａにおいて発光素子２２０の上面の上方に位置する板状の部材であり、上面２１１ａおよび下面２１１ｂと、これらの間に位置する側面２１１ｃとを有する。この例では、保護部材２１１の上面２１１ａは、光反射性部材２１４Ａに周囲を取り囲まれており、発光装置１００Ａの上面１００ａのうち発光素子２２０からの光が出射される発光領域を構成する。

保護部材２１１は、典型的には、樹脂を母材とする透光層である。保護部材２１１の材料の例は、シリコーン樹脂、シリコーン変性樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、トリメチルペンテン樹脂もしくはポリノルボルネン樹脂、または、これらの樹脂の２種以上を含む樹脂組成物である。あるいは、保護部材２１１は、ガラスから形成された層であってもよい。なお、本明細書における「透光」および「透光性」の用語は、入射した光に対して拡散性を示すことをも包含するように解釈され、「透明」であることに限定されない。

［波長変換部材２１２］
波長変換部材２１２は、保護部材２１１の下面２１１ｂと発光素子２２０の上面との間に位置し、上面２１２ａ、下面２１２ｂおよび側面２１２ｃを有する。図２に示す例では、波長変換部材２１２の側面２１２ｃは、保護部材２１１の側面２１１ｃに整合している。

波長変換部材２１２は、典型的には、樹脂中に蛍光体の粒子が分散された部材である。波長変換部材２１２は、発光素子２２０から出射された光の少なくとも一部を吸収し、発光素子２２０からの光の波長とは異なる波長の光を発する。例えば、波長変換部材２１２は、発光素子２２０からの青色光の一部を波長変換して黄色光を発する。このような構成によれば、波長変換部材２１２を通過した青色光と、波長変換部材２１２から発せられた黄色光との混色によって、白色光が得られる。

蛍光体には、公知の材料を適用することができる。蛍光体の例は、ＹＡＧ系蛍光体、フッ化物系蛍光体、窒化物蛍光体等である。ＹＡＧ系蛍光体は、青色光を黄色光に変換する波長変換部材の例であり、フッ化物系蛍光体の一種であるＫＳＦ系蛍光体、ならびに、窒化物蛍光体であるＣＡＳＮ蛍光体およびＳＣＡＳＮ蛍光体は、青色光を赤色光に変換する波長変換部材の例であり、窒化物蛍光体の他の一種であるβサイアロン蛍光体は、青色光を緑色光に変換する波長変換部材の例である。蛍光体は、量子ドット蛍光体であってもよい。蛍光体の粒子を分散させる母材としては、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、ユリア樹脂、フェノール樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹脂もしくはフッ素樹脂、または、これらの樹脂の２種以上を含む樹脂を用いることができる。

［導光部材２１３］
導光部材２１３は、発光素子２２０を波長変換部材２１２の下面２１２ｂに機械的および光学的に結合する透光性の構造である。図２に示すように、導光部材２１３の一部は、発光素子２２０の素子本体２２３の側面２２３ｃの少なくとも一部を覆う。また、導光部材２１３は、典型的には、発光素子２２０の上面と、波長変換部材２１２の下面２１２ｂとの間に位置する部分を有する。

図２に模式的に示すように、導光部材２１３の外面２１３ｄは、光反射性部材２１４Ａによって覆われる。そのため、素子本体２２３の側面２２３ｃから出射されて導光部材２１３に導入された光は、導光部材２１３の外面２１３ｄ、すなわち、導光部材２１３と光反射性部材２１４Ａとの界面の位置で発光素子２２０の上方に向けて反射され、波長変換部材２１２に入射する。このように、導光部材２１３は、波長変換部材２１２および保護部材２１１を介して発光装置１００Ａの上面１００ａから取り出される光の増加に貢献し、導光部材２１３を設けることにより、光の取出し効率が向上する。

導光部材２１３は、発光素子２２０の発光ピーク波長を有する光に対して、６０％以上の透過率を示す。光を有効に利用する観点から、発光素子２２０の発光ピーク波長における導光部材２１３の透過率が７０％以上であると好ましく、８０％以上であるとより好ましい。導光部材２１３の材料としては、透明な樹脂材料を母材として含む樹脂組成物を用いることができる。導光部材２１３の母材の典型例は、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂等の熱硬化性樹脂である。導光部材２１３の母材として、シリコーン樹脂、シリコーン変性樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ポリメチルペンテン樹脂もしくはポリノルボルネン樹脂、または、これらの２種以上を含む材料を用いてもよい。導光部材２１３の材料に例えば母材とは屈折率の異なる材料を分散させることにより、導光部材２１３に光拡散性を付与してもよい。

導光部材２１３が発光素子２２０の側面のより多くの領域を覆うと、より多くの光を発光素子２２０の上方に導くことができる。この観点から、導光部材２１３は、素子本体２２３の側面２２３ｃの下端から上端までの全体を覆っていてもよい。なお、断面視における導光部材２１３の外面２１３ｄの形状は、図２に示すような直線状に限定されず、折れ線状、発光素子２２０に近づく方向に凸の曲線状、発光素子２２０から離れる方向に凸の曲線状等であってもよい。

［光反射性部材２１４Ａ］
光反射性部材２１４Ａは、上述の発光素子２２０等を取り囲む光反射性の構造である。本明細書において、「光反射性」とは、発光素子２２０の発光ピーク波長における反射率が６０％以上であることを指す。光反射性部材２１４Ａの、発光素子２２０の発光ピーク波長における反射率が７０％以上であるとより好ましく、８０％以上であるとさらに好ましい。

光反射性部材２１４Ａは、導光部材２１３の外面２１３ｄと、発光素子２２０の側面のうち導光部材２１３によって覆われていない部分とを覆う。また、光反射性部材２１４Ａは、発光素子２２０の素子本体２２３の下面のうち、第１電極２２１および第２電極２２２が配置された領域を除く領域を覆う。発光素子２２０の素子本体２２３の下面のうち、第１電極２２１および第２電極２２２が配置された領域を除く領域を光反射性部材２１４Ａによって覆うことにより、発光装置１００Ａの下面１００ｂ側へ出射された光を光反射性部材２１４Ａによって発光装置１００Ａの上面１００ａ側へ反射させて光の取出し効率を向上させ得る。

光反射性部材２１４Ａの材料としては、例えば光反射性のフィラーが分散された樹脂組成物を用いることができる。光反射性部材２１４Ａの母材としては、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ＢＴレジン、ポリフタルアミド（ＰＰＡ）等を用い得る。光反射性のフィラーとしては、金属の粒子、または、母材よりも高い屈折率を有する無機材料もしくは有機材料の粒子を用いることができる。光反射性のフィラーの例は、二酸化チタン、酸化ケイ素、二酸化ジルコニウム、チタン酸カリウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、ムライト、酸化ニオブ、硫酸バリウムの粒子、または、酸化イットリウムおよび酸化ガドリニウム等の各種希土類酸化物の粒子等である。高い反射率を得る観点からは、光反射性部材２１４Ａが白色を有すると有利である。その他、光反射性部材２１４Ａの材料として、ガラス繊維強化樹脂、または、窒化アルミニウム、酸化アルミニウムもしくは酸化ジルコニウム等のセラミックも用い得る。

［第１配線３１０および第２配線３２０］
第１配線３１０および第２配線３２０は、発光モジュール２００Ａの下面、ずなわち、保護部材２１１の上面２１１ａとは反対側の面に形成された溝構造２１０ｇの内部に配置された導電構造である。この例では、図２および図３に示すように、第１配線３１０は、溝構造２１０ｇの第１部分２１０ｇａの内部に配置され、他方、第２配線３２０は、溝構造２１０ｇのうち第１部分２１０ｇａとは分離されて形成された第２部分２１０ｇｂの内部に配置されている。すなわち、第２配線３２０は、第２部分２１０ｇｂの内部に配置されることにより、第１配線３１０から電気的に分離されている。なお、図３に示す、溝構造２１０ｇの形状は、あくまでも例示であり、底面視における溝構造２１０ｇの形状は、任意である。

第１配線３１０は、光反射性部材２１４Ａの下面２１４ｂから露出された下面３１０ｂを有し、同様に、第２配線３２０も、光反射性部材２１４Ａの下面２１４ｂから露出された下面３２０ｂを有する。図２に示すように、この例では、第１配線３１０の下面３１０ｂおよび第２配線３２０の下面３２０ｂは、パッケージ２１０Ａの下面に相当する、光反射性部材２１４Ａの下面２１４ｂ、ならびに、第１電極２２１の下面２２１ｂおよび第２電極２２２の下面２２２ｂに概ね整合した位置にある。すなわち、ここでは、発光装置１００Ａの下面１００ｂは、第１電極２２１の下面２２１ｂおよび第２電極２２２の下面２２２ｂ、光反射性部材２１４Ａの下面２１４ｂ、ならびに、第１配線３１０の下面３１０ｂおよび第２配線３２０の下面３２０ｂから構成されるといえる。

図２に模式的に示すように、溝構造２１０ｇの第１部分２１０ｇａの底部および第２部分２１０ｇｂの底部は、平坦面に限定されず、凹凸を有し得る。図２に例示する構成において、第１配線３１０および第２配線３２０は、溝構造２１０ｇの第１部分２１０ｇａの底部および第２部分２１０ｇｂの底部が凹凸を有することに対応して、それぞれ、第１部分２１０ｇａの底部および第２部分２１０ｇｂの底部の形状に整合した形状を有する。第１部分２１０ｇａの底部および第２部分２１０ｇｂの底部を凹凸形状とし、第１配線３１０および第２配線３２０をこれらの凹凸形状に整合した形状とすることによって、より大きなアンカー効果を生じさせ得る。すなわち、第１配線３１０または第２配線３２０の発光モジュール２００Ａからの剥離を抑制する効果が得られる。後述するように、第１部分２１０ｇａの底面および第２部分２１０ｇｂの底面は、複数の溝等の構造から形成され得る。以下、第１部分２１０ｇａの底面を「第１底面２１」と呼び、第２部分２１０ｇｂの底面を「第２底面２２」と呼ぶことがある。

後に詳しく説明するように、第１配線３１０および第２配線３２０は、それぞれ、溝構造２１０ｇの第１部分２１０ｇａおよび第２部分２１０ｇｂの内部に導電性材料を付与し、その後、導電性材料を硬化させることによって形成される。なお、溝構造２１０ｇの第１部分２１０ｇａは、例えば５μｍ以上５０μｍ以下の深さを有する。同様に、溝構造２１０ｇの第２部分２１０ｇｂは、例えば５μｍ以上５０μｍ以下の深さを有する。したがって、第１配線３１０および第２配線３２０も、概ね５μｍ以上５０μｍ以下程度の範囲の厚さを有する。

図２に模式的に示すように、発光素子２２０の第１電極２２１の一部および第２電極２２２の一部は、光反射性部材２１４Ａの下面２１４ｂに対して窪んでいる。すなわち、この例では、第１電極２２１の表面の一部は、第１部分２１０ｇａの第１底面２１の一部を構成している。換言すれば、第１電極２２１の一部は、溝構造２１０ｇの第１部分２１０ｇａの内部に露出されており、第１電極２２１のうち溝構造２１０ｇの内部に露出された部分は、側面２２１ｃを含む段差部Ｓｔ１を有する。第１配線３１０は、第１電極２２１のうち溝構造２１０ｇの第１部分２１０ｇａの内部に露出された部分に接続されることによって第１電極２２１に電気的に接続される。

同様に、第２電極２２２の表面の一部は、第２部分２１０ｇｂの第２底面２２の一部を構成する。すなわち、第２電極２２２の一部は、溝構造２１０ｇの第２部分２１０ｇｂの内部に露出されており、第２電極２２２のうち溝構造２１０ｇの内部に露出された部分は、側面２２２ｃを含む段差部Ｓｔ２を有する。第２配線３２０は、第２電極２２２のうち溝構造２１０ｇの第２部分２１０ｇｂの内部に露出された部分に接続されることによって第２電極２２２に電気的に接続される。

図４は、図３から第１配線３１０および第２配線３２０を取り除いた構造を模式的に示す。図４は、発光装置１００Ａのうち発光モジュール２００Ａを示しているといえる。図４に示す例において、溝構造２１０ｇの第１部分２１０ｇａの第１底面２１および第２部分２１０ｇｂの第２底面２２は、第１方向に延びる複数の第１溝Ｇｒ１の集合を含む。特に、この例では、第１部分２１０ｇａの第１底面２１および第２部分２１０ｇｂの第２底面２２は、複数の第１溝Ｇｒ１の集合によって構成されている。

後に詳しく説明するように、第１溝Ｇｒ１は、第１方向に沿ったレーザ光のビームの走査によって形成することができる。パッケージ２１０Ａの下面、ならびに、第１電極２２１の下面２２１ｂおよび第２電極２２２の下面２２２ｂを第１方向に沿って所定のピッチでレーザ光で照射することにより、光反射性部材２１４Ａの一部、第１電極２２１の一部および第２電極２２２の一部を除去する。これにより、複数の第１溝Ｇｒ１を形成し、複数の第１溝Ｇｒ１の集合から上述の溝構造２１０ｇを形成することが可能である。

図４では、この第１方向を両矢印ｄ１で示している。図４に示す例では、第１方向は、図中のＸ方向およびＹ方向のいずれとも異なる。しかしながら、レーザ光のビームの走査方向は、任意であり、第１方向がＸ方向またはＹ方向に一致していてもよい。第１溝Ｇｒ１の各々は、典型的には、レーザスポットの一部を重ねるようにしてレーザ光を第１方向に沿ってパルス照射することによって形成される。したがって、溝構造２１０ｇの第１部分２１０ｇａの延びる方向および第２部分２１０ｇｂの延びる方向は、第１方向、すなわち、第１溝Ｇｒ１の延びる方向による制約を受けず、溝構造２１０ｇの底面視における形状は、任意である。

また、図４に示す例では、第１部分２１０ｇａの第１底面２１および第２部分２１０ｇｂの第２底面２２は、ドット状の複数の第１凹部Ｄｃ１をさらに有する。図４に模式的に示すように、典型的には、第１凹部Ｄｃ１は、第１溝Ｇｒ１の幅よりも大きな値の直径を有する。なお、図４では、説明の便宜のために第１凹部Ｄｃ１を誇張して大きく描いている。以降の図においても第１凹部Ｄｃ１等を誇張して図示することがある。

後述するように、複数の第１凹部Ｄｃ１も、レーザ光の照射によって形成できる。ただし、複数の第１凹部Ｄｃ１の形成におけるレーザ光の照射パターンは、第１溝Ｇｒ１の形成における照射パターンとは異なる。ここで、本明細書における「照射パターンが異なる」とは、レーザスポットの移動の軌跡が異なるような動作に限定されず、１回目のレーザ光照射の工程と２回目のレーザ光照射の工程との間でレーザスポットの移動の軌跡（あるいはステージに対するレーザヘッドの相対的な移動の軌跡）を共通としながら、レーザの出力、パルス間隔等を互いに異ならせるような動作をも包含するように広く解釈される。

ここでは、複数の第１凹部Ｄｃ１を三角格子状に配置している。もちろん、複数の第１凹部Ｄｃ１の配置は、任意である。第１凹部Ｄｃ１は、均一な密度となるように溝構造２１０ｇの底部に形成され得る。２つの第１凹部Ｄｃ１の中心間距離に対して、上述の複数の第１溝Ｇｒ１は、例えば１０％以上１００％以下の範囲のピッチを有し得る。

上述の第１配線３１０の一部および第２配線３２０の一部は、第１溝Ｇｒ１の内部に位置する。すなわち、第１溝Ｇｒ１の内部は、図２に模式的に示すように、第１配線３１０または第２配線３２０で充填される。また、複数の第１凹部Ｄｃ１のｐ内部も第１配線３１０または第２配線３２０で充填される。

上述したように、発光装置１００Ａの下面１００ｂ側に配置された第１配線３１０および第２配線３２０は、それぞれ、発光素子２２０の第１電極２２１および第２電極２２２との間に電気的接続を有する。したがって、第１配線３１０および第２配線３２０の組を、発光装置１００Ａのアノードおよびカソードの組として機能させることができる。すなわち、第１配線３１０および第２配線３２０にドライバ、電源回路等を接続することにより、発光装置１００Ａを駆動させることができる。

例えば図３から理解されるように、第１配線３１０および第２配線３２０を設けることにより、発光装置１００Ａにおける正極側の接点と負極側の接点との間の距離を、第１電極２２１および第２電極２２２の間隔よりも拡大し得る。つまり、インターポーザを介在させて電極の間隔を拡げたことと同様の効果が得られる。このように、本開示の実施形態によれば、給電用の配線パターンが発光装置側に含まれることとなり、例えば、複雑な配線パターンを有する配線基板を不要とでき、発光装置の実装がより容易となる。

しかも、本開示の実施形態によれば、インターポーザを介在させた場合とは異なり、発光装置１００Ａを支持する基板の表面から発光装置１００Ａの上面１００ａまでの距離を増大させることがない。図２に示すように、第１配線３１０の下面３１０ｂおよび第２配線３２０の下面３２０ｂがパッケージ２１０Ａの下面に概ね整合する構成によれば、これらの配線がパッケージ２１０Ａの下面から盛り上がらないので、より薄型の発光装置の提供に有利である。

また、第１配線３１０および第２配線３２０を収容する溝構造２１０ｇは、図２および図４を参照して説明したように、凹凸を含む底面を有し得る。溝構造２１０ｇがその底部に凹凸を有することによって、第１配線３１０または第２配線３２０と溝構造２１０ｇとの界面の面積が増大し、より高いアンカー効果が得られる。したがって、第１配線３１０および第２配線３２０の剥離を抑制でき、より信頼性の向上された発光装置を提供し得る。特に、図２に示す例では、第１電極２２１は、溝構造２１０ｇの内部に露出された段差部Ｓｔ１を有し、また、第２電極２２２は、溝構造２１０ｇの内部に露出された段差部Ｓｔ２を有している。第１電極２２１が段差部Ｓｔ１を有することにより、第１電極２２１および第１配線３１０の界面の面積が増大し、第１配線３１０の剥離をより効果的に抑制し得る。同様に、第２電極２２２が段差部Ｓｔ２を有することにより、第２電極２２２および第２配線３２０の界面の面積が増大し、第２配線３２０の剥離が抑制される。

（第１の変形例）
図５は、第１の実施形態の第１の変形例による発光装置を示す。ただし、図５は、説明の便宜のために、図４と同様に、発光装置から第１配線３１０および第２配線３２０を取り除いた構造を示している。すなわち、図５は、第１の実施形態の第１の変形例による発光装置１００Ｂのうちの発光モジュール２００Ｂの部分を取り出して示しているといってよい。図５に示す発光装置１００Ｂを上面１００ａ側から見たときの外観、および、下面１００ｂ側から見たときの外観は、それぞれ、図１および図３に示す外観と同じであり得る。

図４を参照して説明した例と同様に、発光装置１００Ｂの発光モジュール２００Ｂは、発光装置１００Ｂの下面１００ｂに対応するその下面に溝構造２１０ｇを有する。また、発光モジュール２００Ｂの溝構造２１０ｇは、その底部に複数の第１溝Ｇｒ１を有する点で、図４に示す発光モジュール２００Ａの溝構造２１０ｇと共通している。ただし、発光モジュール２００Ｂの溝構造２１０ｇは、複数の第１凹部Ｄｃ１に代えて、複数の第１溝Ｇｒ１に重ねて形成された複数の第２溝Ｇｒ２を有している。

図５に模式的に示すように、複数の第２溝Ｇｒ２は、複数の第１溝Ｇｒ１が延びる第１方向とは異なる第２方向に延びる。図５では、この第２方向を両矢印ｄ２で示している。第２溝Ｇｒ２は、複数の第１溝Ｇｒ１の形成の後に、第１溝Ｇｒ１と同様にして、第２方向に沿ったレーザ光のビームの走査によって形成することができる。第２方向としては、第１方向に交差する方向であれば任意の方向を採用できる。この意味において、第２溝Ｇｒ２の形成におけるレーザ光の照射パターンは、第１溝Ｇｒ１の形成におけるレーザ光の照射パターンとは異なる。第２溝Ｇｒ２の深さ、幅および第２溝Ｇｒ２間のピッチは、第１溝Ｇｒ１におけるものと異なっていてもよいし、共通であってもよい。

複数の第１溝Ｇｒ１に重ねて複数の第２溝Ｇｒ２を形成することにより、第１溝Ｇｒ１と第２溝Ｇｒ２とが交差した位置に、これらの溝よりもより深い部分が形成され得る。このような、光反射性部材２１４Ａ、第１電極２２１または第２電極２２２に形成されたより深い部分を第２凹部と呼んでもよい。上述の発光装置１００Ａと同様に、第１溝Ｇｒ１および第２溝Ｇｒ２の内部は、第１配線３１０または第２配線３２０によって充填され得る。同様に、第２凹部の内部にも第１配線３１０または第２配線３２０が位置し得る。この例のように、グリッド状に複数の溝を形成することによっても、第１配線３１０または第２配線３２０と溝構造２１０ｇの底部との界面面積が増大する結果、アンカー効果の増大が期待できる。

（第２の変形例）
図６は、第１の実施形態の第２の変形例による発光装置を示す。図６は、図２と同様に、第２の変形例による発光装置を発光装置の中央付近で上面に垂直に切断したときの断面を模式的に示している。図１に示す発光装置１００Ａと比較して、図６に示す発光装置１００Ｃは、発光モジュール２００Ａに代えて、発光モジュール２００Ｃを有する。発光モジュール２００Ｃは、発光素子２２０と、パッケージ２１０Ｃとを含む。

図６に模式的に示すように、この例では、溝構造２１０ｇの第１部分２１０ｇａの第１底面２１のうち発光素子２２０の第１電極２２１に形成された部分は、第１底面２１のうち発光素子２２０の第１電極２２１の外側の領域に形成された部分、換言すれば、第１底面２１のうちパッケージ２１０Ｃの光反射性部材２１４Ｃに形成された部分と比較して、より小さな深さを有する。同様に、第２部分２１０ｇｂの第２底面２２のうち発光素子２２０の第２電極２２２に形成された部分は、第２底面２２のうちパッケージ２１０Ｃの光反射性部材２１４Ｃに形成された部分よりも浅い。すなわち、この例では、第１配線３１０のうち光反射性部材２１４Ｃに重なる部分は、第１電極２２１上にある部分よりも厚く、第２配線３２０のうち光反射性部材２１４Ｃに重なる部分は、第２電極２２２上にある部分よりも厚い。

溝構造のうち発光素子の電極と重ならない部分を相対的に深くすることにより、図２に示す例のように溝構造のうち発光素子の電極と重なる部分とそれ以外の部分との間で溝構造の深さをほぼ一定とした構成と比較して、電極の表面のより多くの部分（例えば電極の側面）を溝構造の内部において露出させることができる。したがって、第１配線３１０と第１電極２２１との間の接触面積および第２配線３２０と第２電極２２２との間の接触面積が増大し、第１配線３１０と第１電極２２１との間および第２配線３２０と第２電極２２２との間の接触抵抗を低下させて消費電力を低減させる効果が得られる。

あるいは、第１電極２２１および第２電極２２２へのレーザ光のビームの走査を繰り返すことにより、溝構造のうち、発光素子の電極に重なる部分を相対的に深くしてもよい。第１配線３１０と第１電極２２１との間の接触面積および第２配線３２０と第２電極２２２との間の接触面積が増大することになり、アンカー効果の増大によって第１配線３１０および第２配線３２０の、第１電極２２１または第２電極２２２からの剥離の可能性を低減させ得る。

（第３の変形例）
図７および図８は、第１の実施形態の第３の変形例による発光装置を示す。図７は、第１の実施形態の第３の変形例による発光装置１００Ｄを上面１００ａ側から見た外観の一例を示し、図８は、図７に示す発光装置１００Ｄを発光装置１００Ｄの中央付近で図７のＺＸ面に平行に切断したときの断面を模式的に示している。

図１に示す発光装置１００Ａと比較して、図７および図８に示す発光装置１００Ｄは、パッケージ２１０Ａに代えて、光反射性部材２１４Ｄを含むパッケージ２１０Ｄを有する。図８に示すように、発光装置１００Ｄは、概略的には、パッケージ２１０Ａを含む発光モジュール２００Ｄと、第１配線３１０および第２配線３２０とを有する。発光モジュール２００Ｄが、第１部分２１０ｇａおよび第２部分２１０ｇｂを含む溝構造２１０ｇをその下面側に有し、第１配線３１０および第２配線３２０が、溝構造２１０ｇの第１部分２１０ｇａおよび第２部分２１０ｇｂの内部にそれぞれ配置されている点は、これまでに説明した例と同様である。

図７および図８に例示する構成において、保護部材２１１の側面２１１ｃおよび波長変換部材２１２の側面２１２ｃは、光反射性部材２１４Ｄによって覆われておらず、パッケージ２１０Ｄの外側に露出されている。したがって、上述の発光装置１００Ａ、１００Ｂでは、指向特性（Directivity）が向上された配光が得られることに対して、この例では、保護部材２１１の上面２１１ａだけでなく保護部材２１１の側面２１１ｃおよび波長変換部材２１２の側面２１２ｃからも光が取り出されるので、より拡大された配光特性を得ることができる。

（第４の変形例）
図９は、第１の実施形態の第４の変形例による発光装置を示す。図９は、図２、図６および図８と同様に、第４の変形例による発光装置を発光装置の中央付近で上面に垂直に切断したときの断面を模式的に示している。

図９に示す発光装置１００Ｅの発光モジュール２００Ｅは、第１発光素子２２０Ａおよび第２発光素子２２０Ｂをその一部に含む。図９に例示する構成において、第１発光素子２２０Ａおよび第２発光素子２２０Ｂのそれぞれは、導光部材２１３によって波長変換部材２１２の下面２１２ｂに固定されている。発光モジュール２００Ｅのパッケージ２１０Ｅは、これら第１発光素子２２０Ａと第２発光素子２２０Ｂとを覆う光反射性部材２１４Ｅをその一部に含む。

この例においても、発光モジュール２００Ｅは、発光装置１００Ｅの下面１００ｂ側に設けられた溝構造２１０ｇを有する。ただし、この例では、溝構造２１０ｇは、第１部分２１０ｇａ、第２部分２１０ｇｂおよび第３部分２１０ｇｃの３つの部分を含む。図９に模式的に示すように、第１部分２１０ｇａの第１底面２１、第２部分２１０ｇｂの第２底面２２および第３部分２１０ｇｃの第３底面２３は、典型的には、凹凸面である。これら底面の凹凸形状は、複数の第１溝Ｇｒ１および複数の第１凹部Ｄｃ１、あるいは、複数の第１溝Ｇｒ１および複数の第２溝Ｇｒ２から形成され得る。

図示するように、溝構造２１０ｇの第１部分２１０ｇａの内部には、第１配線３１０が位置し、第２部分２１０ｇｂの内部には、第２配線３２０が位置する。第１配線３１０は、第１部分２１０ｇａの内部において第１発光素子２２０Ａの第１電極２２１に接続しており、第２配線３２０は、第２部分２１０ｇｂの内部において第１発光素子２２０Ａの第２電極２２２に接続している。また、この例では、第３部分２１０ｇｃの内部には、第３配線３３０が位置している。この例では、第３配線３３０は、第３部分２１０ｇｃの内部において第２発光素子２２０Ｂの第２電極２２２に接続している。第２発光素子２２０Ｂの第１電極２２１は、第２部分２１０ｇｂの内部において第２配線３２０に接続している。

すなわち、この例では、第２発光素子２２０Ｂの第１電極２２１および第１発光素子２２０Ａの第２電極２２２が、第２配線３２０によって互いに電気的に接続されている。第２発光素子２２０Ｂの第１電極２２１は、例えば正極であり、第１発光素子２２０Ａの第２電極２２２は、例えば負極である。図９は、第１発光素子２２０Ａと第２発光素子２２０Ｂとを電気的に直列に接続した例である。もちろん、第１発光素子２２０Ａと第２発光素子２２０Ｂとの間の電気的接続は、この例に限定されず、例えば第１配線３１０および第２配線３２０によって第１発光素子２２０Ａと第２発光素子２２０Ｂとを電気的に並列に接続してもよい。

（第５の変形例）
このように、発光装置は、２個あるいは３個以上の発光素子を含んでいてもよい。なお、図９に例示する構成では、第１発光素子２２０Ａおよび第２発光素子２２０Ｂが、共通して単一の波長変換部材２１２上に配置されている。しかしながら、この例に限定されず、図１０に示す発光装置１００Ｆのように、発光モジュールにおいて発光素子ごとに波長変換部材２１２が設けられてもよい。

図１０に例示する構成において、発光装置１００Ｆの発光モジュール２００Ｆは、第１発光素子２２０Ａおよび第２発光素子２２０Ｂと、パッケージ２１０Ｆとを有する。パッケージ２１０Ｆは、第１発光素子２２０Ａおよび第２発光素子２２０Ｂを被覆する光反射性部材２１４Ｆを含む。図示するように、この例では、第１発光素子２２０Ａの上方と、第２発光素子２２０Ｂの上方とにそれぞれ波長変換部材２１２および保護部材２１１の組が配置されている。第１発光素子２２０Ａの上方に位置する波長変換部材２１２および保護部材２１１と、第２発光素子２２０Ｂの上方に位置する波長変換部材２１２および保護部材２１１とは、パッケージ２１０Ｆ内において光反射性部材２１４Ｆによって互いに分離されている。

図９および図１０を参照して説明した例のように、発光装置が複数の発光素子を含む場合、発光素子から出射される光のピーク波長は、発光素子ごとに異なっていてもよいし、複数の発光素子の間で共通であってもよい。あるいは、第１発光素子２２０Ａの上方に位置する波長変換部材２１２と、第２発光素子２２０Ｂの上方に位置する波長変換部材２１２との間で、波長変換部材２１２に分散させる蛍光体を変えてもよい。このような構成によれば、第１発光素子２２０Ａおよび第２発光素子２２０Ｂとして共通の素子を用いた場合であっても、第１発光素子２２０Ａ側の保護部材２１１の上面２１１ａと、第２発光素子２２０Ｂ側の保護部材２１１の上面２１１ａとから、波長域の異なる光をそれぞれ取り出すことが可能になる。

なお、図９および図１０に示す例では、保護部材２１１の側面２１１ｃおよび波長変換部材２１２の側面２１２ｃは、光反射性部材２１４Ｅまたは２１４Ｆによって覆われている。もちろん、この例に限定されず、保護部材２１１の側面２１１ｃおよび波長変換部材２１２の側面２１２ｃを光反射性部材２１４Ｅまたは２１４Ｆから露出させてもよい。

（発光装置の製造方法）
以下、図面を参照しながら、本開示の第１の実施形態による発光装置の製造方法を説明する。図１１は、本開示の第１の実施形態による発光装置の製造方法を概略的に示す。図１１に示す、発光装置の製造方法は、発光素子および発光素子を覆う被覆部材を含む発光構造を準備する工程（ステップＳ１）と、レーザ光の照射により、発光構造に溝構造を形成する工程（ステップＳ２）と、溝構造の内部を導電性材料で充填することによって複数の配線を形成する工程（ステップＳ３）とを含む。以下、図９に示す発光装置１００Ｅを主に例にとってそれぞれの工程の詳細を説明する。

（発光構造の準備工程（Ａ））
まず、発光素子および発光素子を覆う被覆部材を含む発光構造を準備する（図１１のステップＳ１）。ここでは、第１発光素子２２０Ａおよび第２発光素子２２０Ｂと、これら２つの発光素子を覆う被覆部材とを有する発光構造を準備する。発光構造は、購入によって準備されてもよいし、以下に説明するような手順に沿って作製されてもよい。

発光構造の作製にあたり、図１２に示すように、まず、保護部材２１１および波長変換部材２１２を含む積層シートＬＳを準備する。積層シートＬＳは、例えば、蛍光体の粒子が分散された樹脂組成物中の樹脂を予備硬化の状態とした蛍光体シートと、透光性の樹脂シートとを準備し、これらを熱によって貼り合わせ、超音波カッター等により所定の寸法の切断片を得ることによって準備することができる。蛍光体シートは、母材としての樹脂、蛍光体、フィラー粒子および溶媒を含有する樹脂組成物から形成することができる。母材としては、波長変換部材２１２の材料として例示した各種の樹脂（例えばシリコーン樹脂）を用いることができる。蛍光体も、波長変換部材２１２の材料として例示した各種の蛍光体を用い得る。透光性の樹脂シートは、例えば、透光性の樹脂組成物を硬化させることによって得ることができる。透光性の樹脂シートの材料としては、保護部材２１１の母材として例示した各種の材料を用いることができ、付加的に、光反射性のフィラー等を含んでいてもよい。なお、透光性の樹脂シート上に、スプレー法、キャスト法、ポッティング法等の塗布法によって、蛍光体を含有する樹脂組成物を付与し、付与された樹脂組成物を硬化させることによって積層シートＬＳを得てもよい。積層シートＬＳ中の保護部材２１１は、板状のポリカーボネート、ガラスであってもよい。

次に、積層シートＬＳの波長変換部材２１２側の主面（波長変換部材２１２の下面２１２ｂ）の所定の位置に、ディスペンサ等を利用して透光性の樹脂組成物２１３ｒを付与し、さらに、図１３に示すように、付与された樹脂組成物２１３ｒ上に第１発光素子２２０Ａおよび第２発光素子２２０Ｂを配置する。このとき、素子本体２２３の上面２２３ａ（第１発光素子２２０Ａの上面、第２発光素子２２０Ｂの上面に相当）を波長変換部材２１２の下面２１２ｂに向けて第１発光素子２２０Ａおよび第２発光素子２２０Ｂを樹脂組成物２１３ｒ上に配置する。樹脂組成物２１３ｒとしては、導光部材２１３の材料として例示した樹脂組成物を用いることができる。樹脂組成物２１３ｒを硬化させることにより、樹脂組成物２１３ｒから導光部材２１３を形成して第１発光素子２２０Ａおよび第２発光素子２２０Ｂを波長変換部材２１２に固定することができる。

その後、導光部材２１３の形成された構造を覆う光反射性樹脂層２１４Ｔを形成する。光反射性樹脂層２１４Ｔの形成は、導光部材２１３、積層シートＬＳ、第１発光素子２２０Ａおよび第２発光素子２２０Ｂを含む構造を、図１４に示すように例えば耐熱性の粘着テープ等の支持体３００上に配置し、トランスファー成形、スプレー塗布、圧縮成形等を適用することによって実行できる。図１４に示すように、この例では、光反射性樹脂層２１４Ｔは、保護部材２１１の側面２１１ｃおよび波長変換部材２１２の側面２１２ｃを覆っている。

光反射性樹脂層２１４Ｔの材料としては、光反射性部材２１４Ａの材料として例示した樹脂組成物を用いることができる。あるいは、光反射性樹脂層２１４Ｔは、内部に光反射性のフィラーが分散された、発泡ポリエチレンテレフタレート（発泡ＰＥＴ）等の発泡プラスチックの層の形で形成されてもよい。

光反射性樹脂層２１４Ｔの形成後、典型的には、研削加工等により、第１電極２２１の下面２２１ｂおよび第２電極２２２の下面２２２ｂを光反射性樹脂層２１４Ｔから露出させる。図１５に模式的に示すように、グラインダ装置等に取り付けられた研削砥石４３０を用いた研削加工により、光反射性樹脂層２１４Ｔの研削面２１４ｇの位置を第１電極２２１の下面２２１ｂおよび第２電極２２２の下面２２２ｂの位置に揃えることができる。なお、研削面２１４ｇから第１電極２２１の下面２２１ｂおよび第２電極２２２の下面２２２ｂが露出していることは必ずしも求められない。後述する溝構造形成の工程において、光反射性樹脂層２１４Ｔの一部が第１電極２２１および第２電極２２２を覆っていても、光反射性樹脂層２１４Ｔを介して第１電極２２１および第２電極２２２の位置を検出することが可能であればよい。

次に、ダイシング装置等を利用して光反射性樹脂層２１４Ｔを所望の形状に切り出す。これにより、図１６に示すように、光反射性樹脂層２１４Ｔから光反射性部材２１４Ｅｆを形成して、第１発光素子２２０Ａおよび第２発光素子２２０Ｂを覆う被覆部材２１０Ｅｆを有する発光構造２００Ｅｆを支持体３００上に得ることができる。被覆部材２１０Ｅｆは、保護部材２１１、波長変換部材２１２、導光部材２１３および光反射性部材２１４Ｅｆを含む。

発光構造２００Ｅｆは、保護部材２１１の上面２１１ａをその一部に含む上面２００ａ（第２面）と、上面２００ａとは反対側の下面２００ｂ（第１面）とを有する。図示するように、第１電極２２１の下面２２１ｂおよび第２電極２２２の下面２２２ｂは、発光構造２００Ｅｆの上面２００ａよりも下面２００ｂの近くに位置し、この例では、第１電極２２１の下面２２１ｂおよび第２電極２２２の下面２２２ｂは、光反射性部材２１４Ｅｆから露出されている。第１電極２２１の下面２２１ｂおよび第２電極２２２の下面２２２ｂが発光構造２００Ｅｆの上面２００ａから露出されているといってもよい。

（溝構造形成工程（Ｂ））
次に、レーザ光の照射により、発光構造に溝構造を形成する（図１１のステップＳ２）。ここでは、発光構造２００Ｅｆの下面２００ｂをレーザ光で照射し、下面２００ｂに溝構造を形成する。

レーザ光の照射には、公知のレーザアブレーション装置を適用できる。図１７では、レーザ光源４１０およびガルバノミラー４２０を含むレーザアブレーション装置４００を適用した例を模式的に示している。レーザアブレーション装置４００中のガルバノミラーの個数は、２以上であり得る。レーザ光源４１０の例は、ＣＯ_２レーザ、Ｎｄ：ＹＡＧレーザ、Ｎｄ：ＹＶＯ_４レーザ等である。あるいは、５３２ｎｍの波長を有するレーザを出力する、グリーンレーザと呼ばれるレーザ光源をレーザ光源４１０として用いることも可能である。

発光構造２００Ｅｆの下面２００ｂをレーザ光のビームＬＢで走査することにより、被覆部材２１０Ｅｆの一部、第１電極２２１の一部および第２電極２２２の一部を除去することができる。ここでは、被覆部材２１０Ｅｆの一部、第１電極２２１の一部および第２電極２２２の一部の除去によって、第１部分２１０ｇａ、第２部分２１０ｇｂおよび第３部分２１０ｇｃを含む溝構造２１０ｇを発光構造２００Ｅｆの下面２００ｂ側に形成している。すなわち、この例では、被覆部材２１０Ｅｆの一部、第１電極２２１の一部および第２電極２２２の一部の除去により、図９に示す発光モジュール２００Ｅと同様の構造を得ている。

溝構造２１０ｇの形成により、図１７に模式的に示すように、第１発光素子２２０Ａの第１電極２２１の少なくとも一部と、第１発光素子２２０Ａの第２電極２２２の少なくとも一部とが、溝構造２１０ｇの内部に露出される。この例では、第１発光素子２２０Ａの第１電極２２１の一部が溝構造２１０ｇの第１部分２１０ｇａの内部に露出され、第１発光素子２２０Ａの第２電極２２２の一部が溝構造２１０ｇの第２部分２１０ｇｂの内部に露出されている。また、第２発光素子２２０Ｂの第１電極２２１の一部が溝構造２１０ｇの第２部分２１０ｇｂの内部に露出され、第２発光素子２２０Ｂの第２電極２２２の一部が溝構造２１０ｇの第３部分２１０ｇｃの内部に露出されている。

図１７に模式的に示すように、溝構造２１０ｇの第１部分２１０ｇａの第１底面２１、第２部分２１０ｇｂの第２底面２２および第３部分２１０ｇｃの第３底面２３は、凹凸面であり得る。溝構造２１０ｇの第１部分２１０ｇａ、第２部分２１０ｇｂおよび第３部分２１０ｇｃのそれぞれは、例えば、発光構造２００Ｅｆの下面２００ｂ上でレーザ光のビームＬＢをある方向（第１方向）に沿って走査することによって形成される。この場合、第１底面２１、第２底面２２および第３底面２３は、第１方向に延びる複数の第１溝Ｇｒ１の集合によって形成された面であり得る。第１部分２１０ｇａの深さ、換言すれば、第１底面２１から発光構造２００Ｅｆの下面２００ｂまでの距離Ｄｐ１は、例えば５μｍ以上５０μｍ以下の範囲である。ここで、第１底面２１の位置は、互いに隣接する２つの第１溝Ｇｒ１の間に形成される複数の頂部の位置に概ね一致するといってよい。同様に、溝構造２１０ｇの第２部分２１０ｇｂの深さ、および、溝構造２１０ｇの第３部分２１０ｇｃの深さも、例えば５μｍ以上５０μｍ以下の範囲であり得る。

図４を参照しながら説明したように、さらなるレーザ光の照射により、第１部分２１０ｇａの第１底面２１、第２部分２１０ｇｂの第２底面２２および第３部分２１０ｇｃの第３底面２３に、複数の第１溝Ｇｒ１に重ねて複数の第１凹部Ｄｃ１を形成してもよい。上述したように、複数の第１凹部Ｄｃ１の形成におけるレーザ光の照射パターンは、第１溝Ｇｒ１の形成における照射パターンとは異なる。例えば、第１方向とは異なる第２方向に沿って間隔をあけてレーザ光のビームＬＢを照射することにより、複数の第１凹部Ｄｃ１を形成することができる。

複数の第１溝Ｇｒ１に重ねて複数の第１凹部Ｄｃ１を形成し、より深い部分を溝構造２１０の底部に形成することによって、より大きなアンカー効果を発揮させ得る。第２方向に沿って間隔をあけてレーザ光のビームＬＢを照射することによって複数の第１凹部Ｄｃ１を形成することに代えて、図５を参照しながら説明した例のように、さらなるレーザ光の照射によって、複数の第１溝Ｇｒ１の延びる方向（すなわち、第１方向）とは異なる方向に延びる複数の第２溝Ｇｒ２を複数の第１溝Ｇｒ１に重ねて形成してもよい。複数の第１溝Ｇｒ１に加えて複数の第２溝Ｇｒ２を形成することにより、第１溝Ｇｒ１と第２溝Ｇｒ２とが交差した位置に、これらの溝よりもより深い部分（第２凹部）が形成され、複数の第１凹部Ｄｃ１を形成したときと同様に、アンカー効果の向上が期待できる。

溝構造２１０ｇを形成にレーザ光の走査を適用する場合、レーザ光を吸収する材料が光反射性部材２１４Ｅｆ中に分散されていると、レーザ光を効率的に光反射性部材２１４Ｅｆに吸収させて光反射性部材２１４Ｅｆの表面の部分的な除去を効率的に行い得る。例えば、発光素子の第１電極２２１および第２電極２２２と比較して光反射性部材２１４Ｅｆの部分をより深く彫りこむことができる。レーザ光を吸収する材料の典型例は、着色材である。例えば、レーザ光源４１０として、中心波長が紫外域にあるＵＶレーザを用いる場合、二酸化チタン、カーボン、硫酸バリウム、酸化亜鉛等のフィラーを、レーザ光を吸収する材料として光反射性部材２１４Ｅｆ中に分散させ得る。レーザ光源４１０にグリーンレーザを適用した場合には、カーボン、酸化ニッケル、酸化鉄（III）等をフィラーに用いることができ、中心波長が赤外域にあるＩＲレーザを適用した場合には、カーボン、硫酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化アルミニウム、タングステン複合酸化物等をフィラーに用い得る。

光反射性部材２１４Ｅｆが発泡プラスチックから形成されていると、光反射性部材２１４Ｅｆが、それぞれが複数の孔（pore）を有するセルを含むことにより、発光構造２００Ｅｆの下面２００ｂ側からの光反射性部材２１４Ｅｆの部分的な除去によって溝構造２１０の底部に自然に微細な凹凸が形成される。したがって、アンカー効果の向上が期待できる。

発光構造２００Ｅｆへの溝構造２１０の形成により、光反射性部材２１４Ｅｆから光反射性部材２１４Ｅを形成して、図９に示すパッケージ２１０Ｅを形成することができる。すなわち、図９を参照しながら説明した発光モジュール２００Ｅが得られる。

（配線形成工程（Ｃ））
次に、溝構造の内部を導電性材料で充填することによって複数の配線を形成する（図１１のステップＳ３）。ここでは、図１８に模式的に示すように、溝構造２１０ｇを導電性材料としての導電ペースト３５０ｒで充填する。図１８では、スキージ３９０を用いた印刷によって溝構造２１０ｇの内部に導電ペースト３５０ｒを配置する例を示している。導電ペースト３５０ｒとしては、エポキシ樹脂等の母材にＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ等の粒子を分散させた材料を用いることができる。例えば、公知のＡｕペースト、ＡｇペーストまたはＣｕペーストを導電ペースト３５０ｒとして用い得る。導電ペースト３５０ｒは、溶剤を含んでいてもかまわない。導電ペースト３５０ｒに代えて、例えば、Ｓｎ－Ｂｉ系はんだに銅粉が含有された合金材料を導電性材料として用いてもよい。

溝構造２１０ｇの内部あるいは光反射性部材２１４Ｅの下面２１４ｂ上に導電ペースト３５０ｒを付与し、図１８に太い矢印ＭＶで示すようにスキージ３９０を下面２１４ｂ上で移動させる。このとき、導電ペースト３５０ｒの一部が第１溝Ｇｒ１の内部に入り込む。また、導電ペースト３５０ｒの一部は、第１凹部Ｄｃ１または第２溝Ｇｒ２の内部にも入り込む。すなわち、第１溝Ｇｒ１の内部、第１凹部Ｄｃ１の内部および第２溝Ｇｒ２の内部は、導電ペースト３５０ｒで充填された状態となる。

スキージ３９０の移動により、光反射性部材２１４Ｅ上に付与された導電ペースト３５０ｒのうち下面２１４ｂよりも盛り上がった部分が除去される。導電ペースト３５０ｒのうち不要な部分を除去することにより、導電ペースト３５０ｒの表面３５０ｒａを光反射性部材２１４Ｅの下面２１４ｂに概ね揃えることができる。

発光モジュール２００Ｅへの導電ペースト３５０ｒの付与の方法は、スキージを用いた方法に限定されない。導電ペースト３５０ｒの付与には、スピンコート法、ディップコート法、スクリーン印刷法、オフセット印刷法、フレキソ印刷法、グラビア印刷法、マイクロコンタクト法、インクジェット法、ノズルプリンティング法、エアロゾルジェット法等の各種の印刷法を適用し得る。もちろん、印刷法以外の方法により、発光モジュール２００Ｅに導電ペースト３５０ｒを付与してもよい。

その後、溝構造２１０ｇの内部に配置された導電ペースト３５０ｒを加熱または光の照射によって硬化させる。導電ペースト３５０ｒの硬化により、図３に示す例のように、発光装置の下面１００ｂの法線方向から見たときの溝構造２１０ｇの形状に整合した形状を有する配線パターンを導電ペースト３５０ｒから形成することができる。この例では、導電ペースト３５０ｒの硬化により、溝構造２１０ｇの第１部分２１０ｇａの内部に、第１部分２１０ｇａの形状に整合した形状の第１配線３１０が形成され、第２部分２１０ｇｂの内部に、第２部分２１０ｇｂの形状に整合した形状の第２配線３２０が形成される。また、第３部分２１０ｇｃの内部に、第３部分２１０ｇｃの形状に整合した形状の第３配線３３０が形成される。以上の工程により、図９に示す発光装置１００Ｅが得られる。

必要に応じて、導電ペースト３５０ｒの硬化後に付加的に研磨工程を実施してもよい。図１９に示す例では、研削砥石４３０を用いて、硬化後の導電ペースト３５０ｒの表面および発光モジュール２００Ｅの下面２００Ｅｂを研磨している。研磨により、研磨面である第１配線３１０の下面３１０ｂ、第２配線３２０の下面３２０ｂおよび第３配線３３０の下面３３０ｂを発光モジュール２００Ｅの下面２００Ｅｂに整合させ得る。また、発光モジュール２００Ｅの下面２００Ｅｂに付着した導電ペースト３５０ｒの残渣を除去することができる。必要に応じて、硬化後の導電ペースト３５０ｒ上に銅めっきの層またはニッケル－金めっきの層を形成してもよい。

第１発光素子２２０Ａの第１電極２２１の一部が第１部分２１０ｇａの内部において露出されていることにより、第１配線３１０は、第１発光素子２２０Ａの第１電極２２１と電気的に接続される。同様に、第２発光素子２２０Ｂの第２電極２２２の一部が第３部分２１０ｇｃの内部において露出されていることにより、第３配線３３０は、第２発光素子２２０Ｂの第２電極２２２と電気的に接続される。また、この例では、第１発光素子２２０Ａの第２電極２２２の一部と、第２発光素子２２０Ｂの第１電極２２１の一部とが第２部分２１０ｇｂの内部において露出されている。そのため、第２部分２１０ｇｂの内部に形成された第２配線３２０は、第１発光素子２２０Ａの第２電極２２２と、第２発光素子２２０Ｂの第１電極２２１とを互いに電気的に接続する。

第１発光素子２２０Ａの第２電極２２２は、例えば第１発光素子２２０Ａの負極であり、第２発光素子２２０Ｂの第１電極２２１は、例えば第２発光素子２２０Ｂの正極である。この場合、第１配線３１０、第２配線３２０および第３配線３３０の形成により、第１発光素子２２０Ａと第２発光素子２２０Ｂとが電気的に直列に接続されることとなる。あるいは、第２発光素子２２０Ｂの第１電極２２１および第１発光素子２２０Ａの第２電極２２２が負極であるような場合には、第２配線３２０を介して第１発光素子２２０Ａの負極と第２発光素子２２０Ｂの負極とが電気的に接続される。換言すれば、第１配線３１０、第２配線３２０および第３配線３３０の形成により、第１発光素子２２０Ａと第２発光素子２２０Ｂとを電気的に並列に接続できる。なお、第１発光素子２２０Ａと第２発光素子２２０Ｂとが並列に接続される場合には、第１配線３１０が第３配線３３０に短絡されていてもよい。

このように、本実施形態によれば、例えば、発光素子の第１電極２２１に接続された第１配線３１０と、発光素子の第２電極２２２に接続された第２配線３２０とを溝構造２１０ｇ内に比較的容易に形成することができる。すなわち、発光装置側に配線パターンが含まれることとなり、例えば、第１配線３１０、第２配線３２０に給電用のコネクタを接続する簡易な接続によって発光装置を駆動させることができる。したがって、予め所定の配線パターンが設けられた配線基板を不要としながら、発光装置を駆動させることが可能になる。また、発光装置が複数の発光素子を含む場合でも、これらの発光素子を接続する配線を予め有する発光装置を提供することができる。

なお、図１２に示す工程において、複数枚の積層シートＬＳを準備し、これらのシートを耐熱性の粘着テープ等の支持体上に二次元に配置して、図１３～図１６に示す工程を実行してもよい。この場合、光反射性樹脂層２１４Ｔの形成後に、支持体上で隣接する２枚の積層シートＬＳの間の位置で光反射性樹脂層２１４Ｔを切断することにより、複数の発光モジュール２００Ｅを効率的に作製することができる。図１６に示す例では、保護部材２１１の側面２１１ｃおよび波長変換部材２１２の側面２１２ｃは、光反射性部材２１４Ｅｆによって覆われているが、光反射性樹脂層２１４Ｔだけでなく、保護部材２１１および波長変換部材２１２を含む位置で支持体３００上の構造を切断すれば、図７および図８を参照して説明した構成と同様の、光反射性部材から保護部材２１１の側面２１１ｃおよび波長変換部材２１２の側面２１２ｃが露出された発光装置が得られる。

図１３を参照して説明した例では、積層シートＬＳ上に第１発光素子２２０Ａおよび第２発光素子２２０Ｂの２つの発光素子を配置しているが、積層シートＬＳ上に配置する発光素子の数は、任意である。１つの積層シートＬＳに対して１つの発光素子２２０を配置するようにすれば、図２に示す発光装置１００Ａが得られる。なお、各積層シートＬＳ上に１つの発光素子２２０が固定された構造を支持体上に二次元に配置し、それらの構造を光反射性樹脂層２１４Ｔで一括して覆ってもよい。例えば、積層シートＬＳごとに１つの発光素子２２０を含む複数の構造の２つを単位として切り出すことにより、図１０に示す発光装置１００Ｆを得ることができる。

上述した発光構造の準備工程（Ａ）において複数の発光構造を得た後、配線形成工程（Ｃ）においてこれら複数の発光構造を電気的に接続してもよい。図２０では、それぞれが、発光素子２２０と、発光素子２２０を覆う被覆部材２１０Ａｆとを有する複数の発光構造２００Ａｆを得た段階で、第１および第２の２つの発光構造２００Ａｆを耐熱性の粘着テープ等の支持体３６０上に並べた例を示している。

発光構造２００Ａｆのそれぞれは、例えば、１つの積層シートＬＳに対して１つの発光素子２２０を配置するようにして、図１２～図１７を参照して説明した工程に従って作製することにより得られる。各発光構造２００Ａｆは、第１部分２１０ｇａおよび第２部分２１０ｇｂを含む溝構造２１０ｇを下面２００ｂ側に有する。各発光構造２００Ａｆの被覆部材２１０Ａｆは、光反射性部材２１４Ａｆを含み、第１の発光構造２００Ａｆの光反射性部材２１４Ａｆと、第２の発光構造２００Ａｆの光反射性部材２１４Ａｆとは、支持体３６０上において隙間なく配列される。これら２つの発光構造２００Ａｆの光反射性部材２１４Ａｆは、接着剤等によって接合されていてもよい。

第１および第２の発光構造２００Ａｆの配置後、図１８および図１９を参照して説明した工程と同様にして第１部分２１０ｇａおよび第２部分２１０ｇｂの内部に配線を形成する。これにより、図２１に示すように、２つの発光モジュール２００Ａが第２配線３２０によって連結された構成を有する発光装置１００Ｎが得られる。

図２１に例示する構成において、第２配線３２０は、図の左側に位置する発光モジュール２００Ａに設けられた溝構造２１０の第２部分２１０ｇｂと、図の右側に位置する発光モジュール２００Ａに設けられた溝構造２１０の第１部分２１０ｇａとにわたってこれらの内部に連続的に形成されている。すなわち、第２配線３２０は、図の左側に位置する発光モジュール２００Ａの発光素子２２０の第２電極２２２と、図の右側に位置する発光モジュール２００Ａの発光素子２２０の第１電極２２１とを電気的に接続する。また、図の左側に位置する発光モジュール２００Ａに設けられた溝構造２１０の第１部分２１０ｇａ内には、第１配線３１０が形成され、図の右側に位置する発光モジュール２００Ａに設けられた溝構造２１０の第２部分２１０ｇｂ内には、第３配線３３０が形成されている。したがって、外部の電源に第１配線３１０および第３配線３３０を接続することにより、これらの発光モジュール２００Ａを駆動させることができる。

図２２は、６個の発光モジュール２００Ａを一次元に配列し、隣接するモジュールの電極を第２配線３２０によって互いに電気的に接続した例を示す。図２２に例示するように、複数の発光モジュール２００Ａを例えば一次元に配列することにより、棒状光源を得ることができる。この例からも明らかなように、溝構造２１０内に配置された配線によって電気的接続が形成される発光モジュールの数は、任意である。

複数の発光モジュールに含まれる発光素子２２０の電気的接続は、直列接続であってもよいし、並列接続であってもよい。図２３に示す発光装置１００Ｇは、一次元に配列された４つの発光モジュールを含む。図２３に例示する構成において、下面１００ｂに設けられた溝構造２１０ｇの内部に配置された第１配線３１０および第２配線３２０は、それぞれ、各発光モジュール中の発光素子の第１電極２２１および第２電極２２２を互いに電気的に接続している。図２３は、複数の発光モジュールに含まれる発光素子２２０を電気的に並列に接続した例である。この例では、第１配線３１０および第２配線３２０を端子として利用することにより、これらの発光モジュールに含まれる発光素子２２０を一斉に点灯または消灯させることができる。

図２４は、６個の発光モジュールを二次元に配列し、これらに含まれる発光素子２２０を溝構造２１０ｇ内に配置された第１配線３１０～第３配線３３０によって互いに電気的に接続した例を示す。図２４に示す発光装置１００Ｈは、６個の発光モジュールの２行３列の配列を有する。この例では、図２１および図２２を参照して説明した発光装置１００Ｎと同様に、ある発光モジュールの第１電極２２１と、他のある発光モジュールの第２電極２２２とが、第２配線３２０を介して電気的に接続される。したがって、第１配線３１０および第３配線３３０を正極側および負極側の端子の組として利用することができ、６個の発光モジュールを個別に実装する必要がなく、より容易に配線基板等に実装することができる。

図２４に例示するように、複数の発光モジュールを二次元に配列することによって、大面積の発光面を実現できる。このように、本実施形態によれば、各発光構造に設けられた溝構造の内部に位置する配線によって複数の発光構造を電気的に接続することが比較的容易であり、したがって、簡易な工程によって大面積の発光面を得ることが可能である。このように、それぞれが溝構造２１０ｇを有する複数の発光構造を一次元または二次元に配列してから導電ペースト等によって溝構造２１０ｇ内に配線を形成することにより、複数の発光モジュール間で発光素子を電気的に接続する配線を一括して効率的に形成することができる。

なお、複数の発光モジュールの発光素子間の電気的接続は、互いに隣接する２つの発光モジュールの間において溝構造２１０ｇの内部に連続的に形成された配線を介した接続に限定されない。図２５に示す発光装置１００Ｋは、複数の発光モジュール２００Ａと、複数の第１配線３１０および第２配線３２０と、複数のワイヤ３５０とを含む。図２５に例示する構成では、ある発光モジュール２００Ａに形成された第１配線３１０と、その発光モジュール２００Ａに隣接する他のある発光モジュール２００Ａに形成された第２配線３２０とが、ワイヤ３５０のうちの１つによって電気的に接続されている。また、複数の発光モジュールの配置は、任意であり、複数の発光モジュールを例えば環状に配置してこれらを電気的に接続してもよい。

あるいは、複数の発光構造を得た段階でそれらの発光構造を一次元または二次元に配列し、複数の発光構造の下面に一括して溝構造を形成してもよい。図２６は、複数の発光構造２００Ａｆを支持体３００上に隙間なく配列した状態を示す。図２６では、簡単のために、それぞれが光反射性部材２１４Ａｆを有する２つの発光構造２００Ａｆを図のＸ方向に一次元に配列した例を示しているが、このときの発光構造２００Ａｆの数および配置は、任意である。

次に、上述の溝構造形成工程を実行する。例えば、図２７に模式的に示すように、発光構造２００Ａｆの下面２００ｂをレーザ光のビームＬＢで走査することにより下面２００ｂに溝構造２１０ｇを形成する。このとき、発光構造２００Ａｆの下面２００ｂ側に複数の第１溝Ｇｒ１を形成してもよい。上述の例と同様に、複数の第１溝Ｇｒ１に重ねて複数の第１凹部Ｄｃ１をさらに形成してもよいし、複数の第１溝Ｇｒ１に重ねて複数の第２溝Ｇｒ２をさらに形成してもよい。

その後の工程は、図１８および図１９を参照して説明した工程と同様であり得る。すなわち、図２８に模式的に示すように、各発光構造２００Ａｆに形成された溝構造２１０ｇ内に例えば導電ペースト３５０ｒを配置する。その後、導電ペースト３５０ｒを硬化させる。必要に応じて、図１９を参照しながら説明した研磨工程をその後にさらに実行してもよい。以上の工程により、図２１に示す発光装置１００Ｎと同様の構造が支持体３００上に得られる。この例のように溝構造２１０ｇの形成に先立ち複数の発光構造を配列しておくことにより、複数の発光構造に対して一括して溝構造２１０ｇを形成することができ、溝構造２１０ｇの形状に応じた配線を効率的に形成できる。

（第２の実施形態）
図２９は、本開示の第２の実施形態による例示的な発光装置の断面を示す。図２９は、本開示の第２の実施形態による発光装置１００Ｌを発光装置１００Ｌの中央付近で上面１００ａに垂直に切断したときの断面を模式的に示している。なお、発光装置１００Ｌを上面１００ａ側から見た外観は、図１に示す発光装置１００Ａの外観と同様であり得るので、ここでは図示を省略する。

図２９に模式的に示すように、発光装置１００Ｌは、概略的には、発光素子２２０を含む発光モジュール２００Ｌと、第１配線３１０および第２配線３２０とを有する。発光モジュール２００Ｌが、発光装置１００Ｌの上面１００ａとは反対側の下面側に溝構造２１０ｈを有し、第１配線３１０および第２配線３２０が、溝構造２１０ｈの内部に配置されている点は、第１の実施形態とほぼ同様である。図２９に示す例においても、溝構造２１０ｈは、第１部分２１０ｈａおよび第２部分２１０ｈｂの２つの部分を含む。第１配線３１０は、溝構造２１０ｈの第１部分２１０ｈａ内に位置し、発光素子２２０の第１電極２２１のうち第１部分２１０ｈａの内部において露出された領域に接続されている。また、第２配線３２０は、溝構造２１０ｈの第２部分２１０ｈｂ内に位置し、発光素子２２０の第２電極２２２のうち第２部分２１０ｈｂの内部において露出された領域に接続されている。

第１の実施形態による発光装置と同様に、発光モジュール２００Ｌは、発光素子２２０を覆うパッケージ２１０Ｌを含む。ここでは、パッケージ２１０Ｌは、保護部材２１１、波長変換部材２１２、導光部材２１３および光反射性部材２１４Ａｆを有する被覆部材２１０Ａｆと、樹脂層２３０とを含む。なお、パッケージ２１０Ｌによって覆われる発光素子の数は、１個に限定されず２個以上であってもよい。

［被覆部材２１０Ａｆ］
図２９に模式的に示すように、被覆部材２１０Ａｆは、発光素子２２０の第１電極２２１の下面２２１ｂの一部および第２電極２２２の下面２２２ｂの一部を除いて発光素子２２０を覆う構造であり、図２６に示す被覆部材２１０Ａｆと実質的に同じであるといってよい。図示するように、この例では、第１電極２２１の下面２２１ｂの一部が溝構造２１０ｈの第１部分２１０ｈａの内部において露出されている。また、第１部分２１０ｈａの第１底面２１の位置は、第１電極２２１の下面２２１ｂの位置に一致している。同様に、この例では、第２電極２２２の下面２２２ｂの一部が溝構造２１０ｈの第２部分２１０ｈｂの内部において露出されており、第２部分２１０ｈｂの第２底面２２の位置は、第２電極２２２の下面２２２ｂの位置に一致している。

図２９に示す例では、第１部分２１０ｈａの第１底面２１および第２部分２１０ｈｂの第２底面２２は、概ね平坦な面である。しかしながら、溝構造２１０ｈの底部の形状は、平坦面に限定されず、図２等を参照しながら説明した例と同様に、第１底面２１および第２底面２２が凹凸を有していてもかまわない。例えば第１底面２１および第２底面２２が複数の第１溝Ｇｒ１の集合から形成されてもよい。複数の第１溝Ｇｒ１に重ねて、複数の第１凹部Ｄｃ１および／または複数の第２溝Ｇｒ２等を形成してもよい。このように、本明細書に示す種々の構成は、技術的に矛盾が生じない限りにおいて任意に組み合わせることが可能である。

被覆部材２１０Ａｆ中の光反射性部材２１４Ａｆは、発光素子２２０を取り囲み、この例では、保護部材２１１の側面２１１ｃおよび波長変換部材２１２の側面２１２ｃを覆っている。保護部材２１１の側面２１１ｃおよび波長変換部材２１２の側面２１２ｃが、図８に示す例のように、光反射性部材から露出されるような構成ももちろん可能である。

［樹脂層２３０］
樹脂層２３０は、被覆部材２１０Ａｆの下面２１０Ａｂ上、換言すれば、パッケージ２１０Ｌにおいて溝構造２１０ｈが設けられた下面側に位置し、その一部に開口を有する。図３０は、図２９に示す発光装置１００Ｌを上面１００ａとは反対側の下面１００ｂ側から見た外観の一例を示す。図２９および図３０から理解されるように、第１配線３１０および第２配線３２０は、樹脂層２３０の開口の内側の空間を占める。すなわち、本実施形態において、発光モジュール２００Ｌの溝構造２１０ｈは、樹脂層２３０に設けられた開口によって規定される平面形状を有するといえる。言うまでもないが、図３０に示す、溝構造２１０ｈの形状は、あくまでも例示である。底面視における溝構造２１０ｈの形状は、発光素子の第１電極２２１の一部および第２電極２２２の一部と重なる限りにおいて、特に制限はない。

樹脂層２３０は、接着剤の硬化によって形成された層であり得る。接着剤としては、熱可塑性あるいは熱硬化性の公知の材料、例えば、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂および合成エラストマーを用いることができる。樹脂層２３０の材料として、アクリロニトリルと１，３－ブタジエンとの共重合体（ＮＢＲとも呼ばれる）またはエポキシ樹脂を用いることもでき、ＮＢＲまたはアクリル樹脂が添加されたエポキシ樹脂等を樹脂層２３０の材料として用いてもよい。

本実施形態においても、第１の実施形態と同様に、第１配線３１０および第２配線３２０の組を、発光装置１００Ｌのアノードおよびカソードの組として機能させることができる。すなわち、第１配線３１０および第２配線３２０にドライバ、電源回路等を接続することにより、発光装置１００Ｌを駆動させることができる。特に、樹脂層２３０が粘着層であると、粘着層を利用して発光装置１００Ｌを配線基板等に仮留めすることができ、実装をより容易に実行し得る。

（発光装置の製造方法）
以下、図面を参照しながら、本開示の第２の実施形態による発光装置の製造方法を説明する。図３１は、本開示の第２の実施形態による発光装置の製造方法を概略的に示す。図３１に示す、発光装置の製造方法は、第１電極および第２電極を有する発光素子、ならびに、発光素子を覆う被覆部材を含む発光構造を準備する工程（ステップＳ１１）と、発光素子の電極の下面の上方にシート状のマスクを配置する工程（ステップＳ１２）と、レーザ光の照射により少なくともマスクの一部を除去して第１電極の少なくとも一部および第２電極の少なくとも一部を露出させる工程（ステップＳ１３）と、マスクが除去された部分を導電性材料で充填することによって複数の配線を形成する工程（ステップＳ１４）とを含む。ここでは、それぞれが、発光素子と、発光素子を覆う被覆部材とを有する複数の発光構造を得て、これらの発光構造から複数の発光モジュールを有する発光装置を得る製造方法の例を説明する。

（発光構造の準備工程（Ａ’））
まず、それぞれが発光素子２２０と、発光素子２２０を覆う被覆部材２１０Ａｆとを有する複数の発光構造２００Ａｆを準備する（図３１のステップＳ１１）。ここでは、図２６を参照しながら説明した例と同様に、これら複数の発光構造２００Ａｆを耐熱性の粘着テープ等の支持体３００上に並べる。複数の発光構造２００Ａｆの準備の段階において、典型的には、各発光素子２２０の第１電極２２１の下面２２１ｂおよび第２電極２２２の下面２２２ｂは、光反射性部材２１４Ａｆから露出された状態にある。

（マスク配置工程（Ｂ’））
次に、発光素子の電極の下面の上方にマスクを配置する（図３１のステップＳ１２）。例えば、図３２に示すように、発光素子２２０の第１電極２２１の下面２２１ｂおよび第２電極２２２の下面２２２ｂが覆われるようにしてシート状のマスク２３０Ｍを発光構造２００Ａｆ上に配置する。ここでは、支持層２３０ｓおよび粘着層２３０ａを有する積層シートをマスク２３０Ｍとして用い、粘着層２３０ａの側を発光構造２００Ａｆの下面２００ｂに向けてこの積層シートを発光構造２００Ａｆに貼付する。支持層２３０ｓは、例えばポリエチレンテレフタレートのシートであり、粘着層２３０ａは、例えばニトリルゴムが添加されたエポキシ系接着剤の層である。粘着層２３０ａは、５μｍ以上５０μｍ以下程度の範囲の厚さを有する。マスク２３０Ｍの貼付後、必要に応じて加熱等によって粘着層２３０ａの材料を硬化させる。なお、図３２では、図面が過度に複雑になることを避けるために、支持体３００上にＸ方向に隙間なく２つの発光構造２００Ａｆを並べた例を示しているが、発光構造２００Ａｆの数は、３個以上であってもよく、発光構造２００Ａｆの配列も一次元配列に限定されず、二次元配列であってもよい。

（照射工程（Ｃ’））
次に、レーザ光の照射によってマスクを部分的に除去する。このとき、マスクの除去により、発光素子の各電極の一部を露出させる（図３１のステップＳ１３）。例えば、レーザアブレーション装置４００を用い、図３３に模式的に示すように、マスク２３０Ｍの支持層２３０ｓ側から、マスク２３０Ｍを介してレーザ光のビームＬＢで発光構造２００Ａｆの下面２００ｂを照射する。これにより、マスク２３０Ｍの一部を除去して、各発光素子２２０の第１電極２２１の下面２２１ｂの一部と、第２電極２２２の下面２２２ｂの一部とをマスク２３０Ｍから露出させることができる。

図３４は、レーザ光の照射によってマスク２３０Ｍの一部を除去した状態を模式的に示す。図３４に示すように、マスク２３０Ｍの部分的な除去によってマスク２３０Ｍに形成された開口において、発光構造２００Ａｆの下面２００ｂの一部が露出される。発光構造２００Ａｆの下面２００ｂのうち、マスク２３０Ｍから露出された部分は、発光素子２２０の第１電極２２１の下面２２１ｂの一部、第２電極２２２の下面２２２ｂの一部、および、光反射性部材２１４Ａｆの下面２１４ｂの一部を含む。

この照射工程（Ｃ’）において、第１の実施形態と同様に、発光素子２２０の第１電極２２１の一部および第２電極２２２の一部がレーザ光の照射によって除去されてもよい。また、光反射性部材２１４Ａｆの下面２１４ｂの一部がレーザ光の照射によって除去されてもよい。このとき、光反射性部材２１４Ａｆの下面２１４ｂ、第１電極２２１の下面２２１ｂおよび第２電極２２２の下面２２２ｂに凹凸形状を付与してもよい。例えば、図２７を参照しながら説明した例と同様にして、レーザ光の走査により、マスク２３０Ｍの部分的な除去と、複数の第１溝Ｇｒ１の形成とを実行してもよい。マスク２３０Ｍの部分的な除去の実行後に、発光構造２００Ａｆの下面２００ｂのうちマスク２３０Ｍから露出された領域に対してさらなるレーザ光の照射を行い、複数の第１溝Ｇｒ１に重ねて複数の第１凹部Ｄｃ１をさらに形成したり、複数の第１溝Ｇｒ１に重ねて複数の第２溝Ｇｒ２をさらに形成したりしてもよい。

（配線形成工程（Ｄ’））
次に、マスクが除去された部分を導電性材料で充填し、複数の配線を形成する（図３１のステップＳ１４）。配線の形成の具体的な方法は、第１の実施形態の配線形成工程（Ｃ）における方法とほぼ同様であり得る。すなわち、発光構造２００Ａｆの下面２００ｂのうち、マスク２３０Ｍから露出された部分上、および／または、マスク２３０Ｍのうちレーザ光の照射によって除去されずに残された部分上に、導電性材料としての導電ペースト３５０ｒを配置する。その後、図３５中に太い矢印ＭＶで示すようにスキージ３９０をマスク２３０Ｍの表面の高さで移動させる。もちろん、支持体３００上の構造のうちマスク２３０Ｍの除去された部分を導電性材料で充填する方法は、スキージ３９０を用いた印刷に限定されず、他の方法であってもよい。

その後、マスク２３０Ｍの開口部分に充填された導電ペースト３５０ｒを硬化させる。導電ペースト３５０ｒの硬化により、マスク２３０Ｍの開口部分の形状に応じた形状を有する複数の配線をマスク２３０Ｍの開口部分の内部に形成することができる。図３６に例示する構成では、導電ペースト３５０ｒから、第１配線３１０、第２配線３２０および第３配線３３０がマスク２３０Ｍの開口部分に形成されている。図示するように、第１配線３１０は、図の左側に位置する発光構造２００Ａｆの発光素子２２０の第１電極２２１に接し、この第１電極２２１との間に電気的接続を有する。第３配線３３０は、図の右側に位置する発光構造２００Ａｆの発光素子２２０の第２電極２２２に接し、この第２電極２２２との間に電気的接続を有する。また、第２配線３２０は、図の左側に位置する発光構造２００Ａｆの発光素子２２０の第２電極２２２および図の右側に位置する発光構造２００Ａｆの発光素子２２０の第１電極２２１に接し、これらの電極を互いに電気的に接続する。

必要に応じ、マスク２３０Ｍの残余の部分のうち、支持層２３０ｓに相当する部分を除去する。支持層２３０ｓに相当する部分を例えば機械的な方法によって剥離することにより、マスク２３０Ｍの残余の部分のうち粘着層２３０ａに相当する部分を発光構造２００Ａｆ上に残しながら、支持層２３０ｓに相当する部分を選択的に除去することができる。複数の配線の形成後に、支持層２３０ｓに相当する部分を発光構造２００Ａｆ上から除去することにより、図３７に模式的に示すように、樹脂層２３０および被覆部材２１０Ａｆを有するパッケージ２１０Ｌを得ることができる。マスク２３０Ｍの残余の部分のうち、粘着層２３０ａに相当する部分が、パッケージ２１０Ｌ中の樹脂層２３０に相当する。

マスク２３０Ｍの残余の部分のうち、支持層２３０ｓに相当する部分の除去により、被覆部材２１０Ａｆの保護部材２１１とは反対側に、樹脂層２３０に形成された開口によって規定される溝構造２１０ｈが形成される。図３７に示すように、溝構造２１０ｈは、その内部において第１電極２２１の一部が露出された第１部分２１０ｈａと、その内部において第２電極２２２の一部が露出された第２部分２１０ｈｂとを含む。この例において、第２配線３２０は、図の左側に位置するパッケージ２１０Ｌに形成された第２部分２１０ｈｂと、図の右側に位置するパッケージ２１０Ｌに形成された第１部分２１０ｈａとにわたって連続的に形成されている。つまり、支持体３００上の２つの発光モジュールは、第２配線３２０によって互いに電気的に接続されているといえる。

支持層２３０ｓに相当する部分の除去により、上述の照射工程（Ｃ’）において飛散してマスク２３０Ｍ上に付着したデブリの残渣、および、配線形成工程（Ｄ’）においてマスク２３０Ｍ上で硬化した導電ペースト３５０ｒの残渣を支持層２３０ｓとともに除去することができる。すなわち、発光装置の下面へのデブリ等の残留を回避することが可能である。また、上述したように、マスク２３０Ｍの残余の部分のうち、粘着層２３０ａに相当する部分を利用して、発光装置を実装基板等に仮留めすることが可能になる。

支持層２３０ｓに相当する部分の除去後、研磨によって第１電極２２１の一部と、第２電極２２２の一部とを除去してもよい。図３８に示す例では、研削砥石４３０を用いて、第１配線３１０～第３配線３３０の表面を研磨している。このような研磨工程を実行することにより、第１配線３１０の下面３１０ｂ、第２配線３２０の下面３２０ｂおよび第３配線３３０の下面３３０ｂの位置を樹脂層２３０の表面の位置に整合させ得る。マスク２３０Ｍの粘着層２３０ａは、例えば５μｍ以上５０μｍ以下の厚さを有する。研磨工程の実行後の第１配線３１０、第２配線３２０および第３配線３３０の厚さは、概ね５μｍ以上５０μｍ以下程度の範囲であり得る。必要に応じて、第１配線３１０～第３配線３３０の表面に銅めっきの層またはニッケル－金めっきの層を形成してもよい。

以上の工程により、図２９に示す発光モジュール２００Ｌを２つ連結した構造を有する発光装置１００Ｍが得られる。２つの発光モジュール２００Ｌの発光素子２２０間の電気的接続は、直列接続であってもよいし、並列接続であってもよい。

図３９は、図３８に示す発光装置１００Ｍを配線基板に実装した状態を模式的に示す。図３９に示すように、ガラスエポキシ基板等の配線基板５００の配線パターン５１０上に、はんだ、導電ペースト等の接合部材５２０を配置することにより、接合部材５２０を介して発光装置１００Ｍを配線基板５００に実装することができる。第１の実施形態と同様に、本実施形態においても、発光装置側に配線が含まれているので、複雑な配線パターンを有する配線基板を用いる必要がなくなり、配線基板に対する発光装置の実装が容易になる。また、発光装置側の第１配線３１０～第３配線３３０の形成にフォトリソグラフィおよびエッチングが不要であるので、簡易な工程により、発光装置の下面側にこれらの配線を形成することができる。

図３２～図３９を参照しながら説明した例のように複数の発光構造の一次元配列または二次元配列を形成して第１配線３１０および第２配線３２０を含む複数の配線を形成することにより、簡易な工程によって大面積の発光面を得ることができる。特に、一次元または二次元に配列された複数の発光構造を一括して覆うようにマスク２３０Ｍを複数の発光構造上に配置することにより、複数の発光モジュールにわたる溝構造を効率的に形成することが可能になる。もちろん、図１６に示すような、それぞれが第１発光素子２２０Ａおよび第２発光素子２２０Ｂを有する複数の発光構造を準備し、これらの複数の発光構造に対して、上述のマスク配置工程（Ｂ’）、照射工程（Ｃ’）および配線形成工程（Ｄ’）を実行してもよい。このような工程によれば、配線形成工程（Ｄ’）において、第１発光素子２２０Ａと第２発光素子２２０Ｂとを電気的に直列または並列に接続する配線を形成することができ、複数の発光素子を接続する配線を予め有する発光装置を提供することができる。

以下、実施例により、本開示の実施形態による発光装置をより詳細に説明する。もちろん、本開示の実施形態は、以下の実施例によって特定される形態に限定されない。

（溝構造の底部の形状に関する評価１）
白色の樹脂板に対するレーザ光のビームの走査により樹脂板の一方の主面に溝構造を形成し、照射パターンを変えて溝構造の底部をレーザ光でさらに照射した複数のサンプルを作製し、これらのサンプルについて溝構造の底部の形状に関する評価を行った。

（実施例１－１）
まず、母材としてのシリコーン樹脂に二酸化チタンの粒子が分散された樹脂板を準備した。次に、この樹脂板の一方の主面上でレーザ光のビームをある方向（第１方向）に走査することにより、それぞれが第１方向に沿って延びる複数の第１溝を樹脂板に形成した（上述の溝構造形成工程に相当）。ここでは、樹脂板の主面上の相異なる５つの領域に対してレーザ光のビームの走査を実行することにより、それぞれが複数の第１溝の集合によって規定される底面を有する５つの部分を含む溝構造を樹脂板に形成した。このときのレーザ光の照射条件を以下に示す。
レーザ光のピーク波長：５３２ｎｍ
レーザ出力：２．４Ｗ
パルス幅：１００ナノ秒
周波数：５０ｋＨｚ
送り速度：２００ｍｍ／ｓ
デフォーカス：０μm
第１溝のピッチ：１５μｍまたは３０μｍ

次に、溝構造に含まれる５つの部分のうちから、第１溝のピッチが１５μｍとされた１つを無作為に選び、第１方向と交差する第２方向にレーザ光のビームを走査して、ここで選び出された部分（以下、第１部分と呼ぶ）の底部をレーザ光のビームで照射した。これにより、第１部分の底部に、図４に示す例と同様にドット状の複数の第１凹部を形成し、実施例１－１のサンプルとした。なお、ここでは、第２方向として第１方向に直交する方向を選んだ。上面視において各第１凹部は、およそ０．１ｍｍの直径を有していた。このときのレーザ光の照射条件を以下に示す。
レーザ光のピーク波長：５３２ｎｍ
レーザ出力：２．４Ｗ
パルス幅：１００ナノ秒
周波数：５０ｋＨｚ
送り速度：２００ｍｍ／ｓ
デフォーカス：０μm
第１凹部の中心間距離：１５μｍ

図４０は、実施例１－１のサンプルの溝構造の底面を拡大して示す顕微鏡画像である。図４１は、レーザー顕微鏡によって得られた、実施例１－１のサンプルに関する断面プロファイルを示し、図４０のXLI－XLI断面図に相当する。図４１中の水平の白い一点鎖線は、溝構造の形成前における樹脂板の表面の位置を示している。図４０に示すように、ここでは、第１部分の底部に、紙面の水平方向に並ぶ３つの第１凹部が形成されている。図４１に示す断面プロファイル中の３つの第１凹部の深さの平均値は、およそ１２０μｍであった。

（実施例１－２）
溝構造に含まれる５つの部分のうち、第１溝のピッチが１５μｍとされた他の１つを無作為に選び、レーザ光の照射条件のうちレーザ出力を１．２Ｗとし、第１凹部の中心間距離が６０μｍとなるように周波数を変更したこと以外は実施例１－１と同様にして、ここで選び出された部分（以下、第２部分と呼ぶ）の底部をレーザ光のビームで照射した。これにより、第２部分の底部にドット状の複数の第１凹部を形成し、実施例１－２のサンプルとした。

図４２は、実施例１－２のサンプルの溝構造の底面を拡大して示す顕微鏡画像である。図４３は、レーザー顕微鏡によって得られた、実施例１－２のサンプルに関する断面プロファイルを示し、図４２のXLIII－XLIII断面図に相当する。図４１と同様に、図４３中の水平の白い一点鎖線は、溝構造の形成前における樹脂板の表面の位置を示している。図４２からは確認しにくいが、ここでは、図４０に示す例と同様に、XLIII－XLIII線に沿って３つの第１凹部が形成されている。図４３に示す断面プロファイル中の３つの第１凹部の深さの平均値は、およそ５０μｍであった。

（実施例１－３）
溝構造に含まれる５つの部分のうち、第１溝のピッチが３０μｍとされた１つを無作為に選び、レーザ光の照射条件のうち第１凹部の中心間距離が３０μｍとなるように周波数を変更したこと以外は実施例１－２と同様にして、ここで選び出された部分（以下、第３部分と呼ぶ）の底部をレーザ光のビームで照射した。これにより、第３部分の底部にドット状の複数の第１凹部を形成し、実施例１－３のサンプルとした。

図４４は、実施例１－３のサンプルの溝構造の底面を拡大して示す顕微鏡画像である。図４５は、レーザー顕微鏡によって得られた、実施例１－３のサンプルに関する断面プロファイルを示し、図４４のXLV－XLV断面図に相当する。図４５中の水平の白い一点鎖線は、溝構造の形成前における樹脂板の表面の位置を示している。図４４からは確認しにくいが、図４０および図４２に示す例と同様に、この例においても、XLV－XLV線に沿って３つの第１凹部が形成されている。図４５に示す断面プロファイル中の３つの第１凹部の深さの平均値は、およそ４０μｍであった。

（実施例１－４）
溝構造に含まれる５つの部分のうち、第１溝のピッチが３０μｍとされた他の１つを無作為に選び、レーザ光の照射条件のうち第１凹部の中心間距離が６０μｍとなるように周波数を変更したこと以外は実施例１－３と同様にして、ここで選び出された部分（以下、第４部分と呼ぶ）の底部をレーザ光のビームで照射した。これにより、第４部分の底部にドット状の複数の第１凹部を形成し、実施例１－４のサンプルとした。

図４６は、実施例１－４のサンプルの溝構造の底面を拡大して示す顕微鏡画像である。図４７は、レーザー顕微鏡によって得られた、実施例１－４のサンプルに関する断面プロファイルを示し、図４６のXLVII－XLVII断面図に相当する。図４７中の水平の白い一点鎖線は、溝構造の形成前における樹脂板の表面の位置を示している。図４６からは確認しにくいが、図４０、図４２および図４４に示す例と同様に、この例においても、XLVII－XLVII線に沿って３つの第１凹部が形成されている。図４７に示す断面プロファイル中の３つの第１凹部の深さの平均値は、およそ３８μｍであった。

（参考例１－１）
レーザ光の照射条件のうち送り速度を５００ｍｍ／ｓに変更したこと以外は実施例１－２と同様にして、溝構造に含まれる５つの部分のうち、残りの１つ（以下、第５部分と呼ぶ）の底部をレーザ光のビームで照射した。これにより、第５部分の底部にドット状の複数の第１凹部を形成し、参考例１－１のサンプルとした。

図４８は、参考例１－１のサンプルの溝構造の底面を拡大して示す顕微鏡画像である。図４９は、レーザー顕微鏡によって得られた、参考例１－１のサンプルに関する断面プロファイルを示し、図４８のXLIX－XLIX断面図に相当する。図４９中の水平の白い一点鎖線は、溝構造の形成前における樹脂板の表面の位置を示している。図４８からは確認しにくいが、図４０、図４２、図４４および図４６に示す例と同様に、この例においても、XLIX－XLIX線に沿って３つの第１凹部が形成されている。図４９に示す断面プロファイル中の３つの第１凹部の深さの平均値は、およそ２２μｍであった。

実施例１－１～実施例１－４の各サンプルに関する断面プロファイル（図４１、図４３、図４５および図４７）および参考例１－１のサンプルに関する断面プロファイル（図４９）から、互いに隣接する２つの第１溝の間に形成される複数の頂部は、溝構造の形成前における樹脂板の表面よりも低い位置にあることがわかった。すなわち、これらのサンプルでは、溝構造の底面の位置は、溝構造の形成前における樹脂板の表面よりも低い。そのため、溝構造の内部に導電性材料を配置した場合、導電性材料が溝構造の底部だけでなく、底部と樹脂板の表面との間に位置する溝構造の側面にも接触することになり、溝構造の側面と導電性材料との界面でのアンカー効果の発揮が期待される。

実施例１－１～実施例１－４の各サンプルに関する断面プロファイルと、参考例１－１のサンプルに関する断面プロファイルとを比較すればわかるように、参考例１－１のサンプルでは、レーザ光を照射した領域にあまり大きな凹凸は形成されていない。すなわち、溝構造形成工程において複数の第１溝を有する底面に適当な深さの第１凹部を形成する観点からは、送り速度を極端に大きくしないことが有益であるとわかった。また、実施例１－１のサンプルに関する断面プロファイルと、実施例１－２～実施例１－４の各サンプルに関する断面プロファイルとの比較から、同じ送り速度であれば、レーザ出力をある程度の範囲に抑える方が、より細かい形状の凹凸を得やすいことがわかった。

（配線の形状の評価１）
次に、溝構造を導電ペーストで充填して導電ペーストを硬化させることによって溝構造内に配線を形成し（上述の配線形成工程に相当）、断面観察により、配線が溝構造の底部の形状に追従した形状を有しているかどうかを調べた。

（実施例１－５）
以下の手順により、実施例１－２のサンプルの第２部分を導電ペーストで充填して導電ペーストを硬化させ、実施例１－５のサンプルを作製した。ここでは、まず、スキージを用いた印刷法により、第２部分を導電ペーストで充填し、その後、導電ペーストが充填された樹脂板を１３０℃の温度下に３０分置くことにより、導電ペーストを硬化させて第２部分の内部に配線を形成した。

図５０は、導電ペーストの充填前の第２部分を示す顕微鏡画像である。紙面において斜め方向に走る複数の第１溝と、複数の第１凹部とを確認できる。図５１は、第２部分に導電ペーストを充填し、導電ペーストを硬化させた後の断面を示す。以降の説明において、導電ペーストを硬化させた後の断面に関する図は、およそ４ｍｍ□の範囲を切断したときの断面を示している。

（実施例１－６）
実施例１－３のサンプルの第３部分を導電ペーストで充填したこと以外は実施例１－５のサンプルと同様にして、実施例１－６のサンプルを作製した。図５２は、導電ペーストの充填前の第３部分を示す顕微鏡画像である。図５３は、第３部分に導電ペーストを充填し、導電ペーストを硬化させた後の断面を示す。

（実施例１－７）
実施例１－４のサンプルの第４部分を導電ペーストで充填したこと以外は実施例１－５のサンプルと同様にして、実施例１－７のサンプルを作製した。図５４は、導電ペーストの充填前の第４部分を示す顕微鏡画像である。図５５は、第４部分に導電ペーストを充填し、導電ペーストを硬化させた後の断面を示す。

実施例１－５～実施例１－７の各サンプルに関する断面画像（図５１、図５３および図５５）から、いずれのサンプルについても、配線の一部が第１溝および第１凹部の内部に入り込んでいることがわかった。すなわち、配線は、溝構造の底部の形状に良く追従しており、配線と溝構造の底部との間にボイド等は生じていなかった。

（溝構造の底部の形状に関する評価２）
溝構造形成工程においてドット状の複数の第１凹部を形成することに代えて、第１方向とは異なる第２方向にレーザ光のビームを走査して溝構造の底部をレーザ光で照射することにより、溝構造の底部に、それぞれが第２方向に延びる複数の第２溝をさらに有する複数のサンプルを作製した。これらのサンプルについて、溝構造の底部の形状に関する評価を行った。

（実施例２－１）
まず、上述の実施例１－１のサンプルの作製時と同様にして、それぞれが複数の第１溝の集合によって規定される底面を有する５つの部分を含む溝構造を樹脂板に形成した。ただし、ここでは、第１溝のピッチが５０μｍとなるようにレーザ光の照射条件を適宜に変更している。以下、これらの５つの部分を第６部分～第１０部分と呼ぶ。

次に、第１方向と交差する第２方向にレーザ光のビームを走査して、溝構造のうち第６部分の底部をレーザ光のビームで照射した。これにより、図５に示す例と同様にそれぞれが第２方向に延びる複数の第２溝を、第１溝に重ねて第６部分の底部に形成し、実施例２－１のサンプルとした。なお、ここでも、第２方向として第１方向に直交する方向を選んでいる。このときのレーザ光の照射条件を以下に示す。
レーザ光のピーク波長：５３２ｎｍ
レーザ出力：２．４Ｗ
パルス幅：１００ナノ秒
周波数：５０ｋＨｚ
送り速度：２００ｍｍ／ｓ
デフォーカス：０μm
第２溝のピッチ：５０μｍ

図５６は、実施例２－１のサンプルの溝構造の底面を拡大して示す顕微鏡画像である。図５７は、レーザー顕微鏡によって得られた、実施例２－１のサンプルに関する断面プロファイルを示し、図５６のLVII－LVII断面図に相当する。図５７中の水平の白い一点鎖線は、溝構造の形成前における樹脂板の表面の位置を示している。図５７に示すように、ここでは、第６部分の底部に、紙面の水平方向に沿って８つの第１凹部が形成されていた。図５７に示す断面プロファイル中の８つの第１凹部の深さの平均値は、およそ５０μｍであった。

（実施例２－２）
レーザ光の照射条件のうちレーザ出力を１．２Ｗとしたこと以外は実施例２－１と同様にして、溝構造のうち第７部分の底部をレーザ光のビームで照射した。これにより、それぞれが第２方向に延びる複数の第２溝を、第１溝に重ねて第７部分の底部に形成し、実施例２－２のサンプルとした。

図５８は、実施例２－２のサンプルの溝構造の底面を拡大して示す顕微鏡画像である。図５９は、レーザー顕微鏡によって得られた、実施例２－２のサンプルに関する断面プロファイルを示し、図５８のLIX－LIX断面図に相当する。図５７と同様に、図５９中の水平の白い一点鎖線は、溝構造の形成前における樹脂板の表面の位置を示している。この例においても、図５７に示す例と同様に、LIX－LIX線に沿って８つの第１凹部が形成されていた。図５９に示す断面プロファイル中の８つの第１凹部の深さの平均値は、およそ３５μｍであった。

（実施例２－３）
レーザ光の照射条件のうちレーザ出力を１．６Ｗとしたこと以外は実施例２－１と同様にして、溝構造のうち第８部分の底部をレーザ光のビームで照射した。これにより、それぞれが第２方向に延びる複数の第２溝を、第１溝に重ねて第８部分の底部に形成し、実施例２－３のサンプルとした。

図６０は、実施例２－３のサンプルの溝構造の底面を拡大して示す顕微鏡画像である。図６１は、レーザー顕微鏡によって得られた、実施例２－３のサンプルに関する断面プロファイルを示し、図６０のLXI－LXI断面図に相当する。図６１中の水平の白い一点鎖線は、溝構造の形成前における樹脂板の表面の位置を示している。図５７および図５９に示す例と同様に、この例においても、LXI－LXI線に沿って８つの第１凹部が形成されていた。図６１に示す断面プロファイル中の８つの第１凹部の深さの平均値は、およそ３７μｍであった。

（実施例２－４）
レーザ光の照射条件のうちレーザ出力を２Ｗとしたこと以外は実施例２－１と同様にして、溝構造のうち第９部分の底部をレーザ光のビームで照射した。これにより、それぞれが第２方向に延びる複数の第２溝を、第１溝に重ねて第９部分の底部に形成し、実施例２－４のサンプルとした。

図６２は、実施例２－４のサンプルの溝構造の底面を拡大して示す顕微鏡画像である。図６３は、レーザー顕微鏡によって得られた、実施例２－４のサンプルに関する断面プロファイルを示し、図６２のLXIII－LXIII断面図に相当する。図６３中の水平の白い一点鎖線は、溝構造の形成前における樹脂板の表面の位置を示している。図５７、図５９および図６１に示す例と同様に、この例においても、LXIII－LXIII線に沿って８つの第１凹部が形成されていた。図６３に示す断面プロファイル中の８つの第１凹部の深さの平均値は、およそ４２μｍであった。

（参考例２－１）
レーザ光の照射条件のうち送り速度を５００ｍｍ／ｓとしたこと以外は実施例２－１と同様にして、溝構造のうち第１０部分の底部をレーザ光のビームで照射した。これにより、それぞれが第２方向に延びる複数の第２溝を、第１溝に重ねて第１０部分の底部に形成し、参考例２－１のサンプルとした。

図６４は、レーザー顕微鏡によって得られた、参考例２－１のサンプルに関する断面プロファイルを示す。図６４中の水平の白い一点鎖線は、溝構造の形成前における樹脂板の表面の位置を示している。図５７、図５９、図６１および図６３に示す例と同様に、この例においても、断面視において８つの第１凹部の形成が確認された。図６４に示す断面プロファイル中の８つの第１凹部の深さの平均値は、およそ３０μｍであった。

実施例２－１～実施例２－４の各サンプルに関する断面プロファイル（図５７、図５９、図６１および図６３）から、実施例１－１～実施例１－４および参考例１－１のサンプルと同様に、これらのサンプルにおいても、互いに隣接する２つの第１溝の間に形成される複数の頂部は、溝構造の形成前における樹脂板の表面よりも低い位置にあることがわかった。したがって、これらのサンプルについても、溝構造の側面と導電性材料との界面でのアンカー効果の発揮が期待される。

これに対し、参考例２－１のサンプルに関する断面プロファイル（図６４）を参照すると、参考例２－１のサンプルでは、溝構造の底面の位置は、溝構造の形成前における樹脂板の表面の位置に概ね一致している。これは、アスペクト比の大きな配線の形成が比較的難しいことを意味する。このことから、溝構造の内部に導電性材料を配置して導電性材料から配線を形成する観点からは、送り速度を極端に大きくしないことが有益であるといえる。

（配線の形状の評価２）
次に、溝構造の底部に複数の第１溝および第２溝を設けた構成に関しても、配線が溝構造の底部の形状に追従した形状を有するかどうかを調べた。

（実施例２－５）
実施例１－５のサンプルと同様にして、溝構造のうちの第６部分を導電ペーストで充填して導電ペーストを硬化させた。これにより、導電ペーストから形成された配線を第６部分の内部に有する実施例２－５のサンプルを得た。

図６５は、導電ペーストの充填前の第６部分を示す顕微鏡画像である。図６５では、溝構造の底部にジグザグ状の複数の溝を形成したように見えるが、実際には、第１方向に沿ったレーザ光のビームの走査による複数の第１溝の形成と、第２方向に沿ったレーザ光のビームの走査による複数の第２溝の形成とを順次に実行している。図６５中の両矢印ｄ１および両矢印ｄ２は、第１方向および第２方向をそれぞれ表している。図６６は、第６部分に導電ペーストを充填し、導電ペーストを硬化させた後の断面を示す。図６６中の白い点線は、溝構造の底面のおおよその位置を示している。

（実施例２－６）
実施例２－３のサンプルの第８部分を導電ペーストで充填したこと以外は実施例２－５のサンプルと同様にして、実施例２－６のサンプルを作製した。図６７は、導電ペーストの充填前の第８部分を示す顕微鏡画像である。第１方向に沿ったレーザ光のビームの走査による複数の第１溝の形成と、第２方向に沿ったレーザ光のビームの走査による複数の第２溝の形成とを順次に実行した点は、実施例２－５のサンプルと同様である。図６８は、第８部分に導電ペーストを充填し、導電ペーストを硬化させた後の断面を示す。図６６と同様に、図６８中の白い点線は、溝構造の底面のおおよその位置を示している。

（実施例２－７）
実施例２－４のサンプルの第９部分を導電ペーストで充填したこと以外は実施例２－５のサンプルと同様にして、実施例２－７のサンプルを作製した。図６９は、導電ペーストの充填前の第９部分を示す顕微鏡画像である。実施例２－５のサンプルおよび実施例２－６のサンプルと同様に、この例においても、第１方向に沿ったレーザ光のビームの走査による複数の第１溝の形成と、第２方向に沿ったレーザ光のビームの走査による複数の第２溝の形成とを順次に実行した。図７０は、第９部分に導電ペーストを充填し、導電ペーストを硬化させた後の断面を示す。図７０中の白い点線は、溝構造の底面のおおよその位置を示している。

実施例２－５～実施例２－７の各サンプルに関する断面画像（図６６、図６８および図７０）から、いずれのサンプルについても、配線の一部が第１溝および第２溝の内部に入り込んでいることがわかった。すなわち、配線は、溝構造の底部の形状に良く追従しており、配線と溝構造の底部との間にボイド等は生じていなかった。

（配線の密着性に関する評価）
次に、ＪＩＳ Ｋ ５６００－５－６（１９９９）に規定されるクロスカット試験に準じた方法で塗膜の機械的性質の評価と同様にして、配線の密着性に関する簡易な評価を行った。

（実施例３－１）
まず、複数の第１溝の集合によって規定される底面を有する７つの矩形状の部分を含む溝構造を樹脂板に形成した。このときのレーザ光の照射条件を以下に示す。
レーザ光のピーク波長：５３２ｎｍ
レーザ出力：０．３Ｗ～２．８Ｗ
パルス幅：１００ナノ秒
周波数：５０ｋＨｚ
送り速度：２００ｍｍ／ｓ
デフォーカス：０μm
第１溝のピッチ：１５μｍ

以下では、ここで形成された７つの部分を第１１部分～第１７部分と呼ぶ。ここでは、第１１部分～第１７部分の間で第１溝の深さが互いに異なるようにレーザ出力を調整した。第１１部分の形成時におけるレーザ出力は、０．３Ｗであった。第１１部分～第１７部分の上面視における寸法は、およそ３００μｍ□～５００μｍ□の範囲であった。

次に、第１方向と交差する第２方向にレーザ光のビームを走査して、溝構造のうち第１１部分の底部をレーザ光のビームで照射した。これにより、図５に示す例と同様にそれぞれが第２方向に延びる複数の第２溝を、第１溝に重ねて第１１部分の底部に形成した。なお、ここでも、第２方向として第１方向に直交する方向を選んでいる。このときのレーザ光の照射条件を以下に示す。
レーザ光のピーク波長：５３２ｎｍ
レーザ出力：０．３Ｗ
パルス幅：１００ナノ秒
周波数：５０ｋＨｚ
送り速度：２００ｍｍ／ｓ
デフォーカス：０μm
第２溝のピッチ：２０μｍ

なお、レーザ顕微鏡による断面撮影を利用した測定によると、第２溝の深さの平均値は、およそ５μｍであった。

次に、実施例１－５のサンプルと同様にして、溝構造のうちの第１１部分を導電ペーストで充填して導電ペーストを硬化させた。これにより、導電ペーストから形成された配線を第１１部分の内部に有する実施例３－１のサンプルを得た。

（実施例３－２）
第１溝および第２溝の深さがより大きくなるように、レーザ光の照射の条件のうちレーザ出力を０．６Ｗに変更したこと以外は実施例３－１のサンプルと同様にして、それぞれが第２方向に延びる複数の第２溝を第１溝に重ねて第１２部分の底部に形成した。レーザ顕微鏡による断面撮影を利用した測定によると、形成された第２溝の深さの平均値は、およそ１０μｍであった。

次に、実施例３－１のサンプルと同様にして、溝構造のうちの第１２部分を導電ペーストで充填して導電ペーストを硬化させた。これにより、導電ペーストから形成された配線を第１２部分の内部に有する実施例３－２のサンプルを得た。

（実施例３－３）
第１溝および第２溝の深さがより大きくなるように、レーザ光の照射の条件のうちレーザ出力を１．２Ｗに変更したこと以外は実施例３－１のサンプルと同様にして、それぞれが第２方向に延びる複数の第２溝を第１溝に重ねて第１３部分の底部に形成した。レーザ顕微鏡による断面撮影を利用した測定によると、形成された第２溝の深さの平均値は、およそ２５μｍであった。

次に、実施例３－１のサンプルと同様にして、溝構造のうちの第１３部分を導電ペーストで充填して導電ペーストを硬化させた。これにより、導電ペーストから形成された配線を第１３部分の内部に有する実施例３－３のサンプルを得た。

（実施例３－４）
第１溝および第２溝の深さがより大きくなるように、レーザ光の照射の条件のうちレーザ出力を２．４Ｗに変更したこと以外は実施例３－１のサンプルと同様にして、それぞれが第２方向に延びる複数の第２溝を第１溝に重ねて第１４部分の底部に形成した。レーザ顕微鏡による断面撮影を利用した測定によると、形成された第２溝の深さの平均値は、およそ５０μｍであった。

次に、実施例３－１のサンプルと同様にして、溝構造のうちの第１４部分を導電ペーストで充填して導電ペーストを硬化させた。これにより、導電ペーストから形成された配線を第１４部分の内部に有する実施例３－４のサンプルを得た。

（比較例３－１）
第１溝の形成において、第１溝の深さがより小さくなるようにレーザ光の照射の条件を変更したこと以外は実施例３－１のサンプルと同様にして、それぞれが第１方向に延びる複数の第１溝を有する第１５部分を形成した。複数の第１溝の形成に際し、ここでは、０．２Ｗに変更して複数の第１溝の形成を実行した。なお、ここでは複数の第２溝の形成は行っていない。レーザ顕微鏡による断面撮影を利用した測定によると、第１溝の深さの平均値は、およそ１．５μｍであった。

次に、実施例３－１のサンプルと同様にして、溝構造のうちの第１５部分を導電ペーストで充填して導電ペーストを硬化させた。これにより、導電ペーストから形成された
配線を第１５部分の内部に有する比較例３－１のサンプルを得た。

（比較例３－２）
比較例３－１のサンプルと同様に、実施例３－１のサンプルと比較して第１溝の深さがより小さくなるようにレーザ光の照射の条件を変更して、それぞれが第１方向に延びる複数の第１溝を有する第１６部分を形成した。複数の第１溝の形成に際し、ここでは、０．２Ｗに変更して複数の第１溝の形成を実行した。

次に、第１方向と交差する第２方向にレーザ光のビームを走査して、溝構造のうち第１６部分の底部をレーザ光のビームで照射することにより、図５に示す例と同様にそれぞれが第２方向に延びる複数の第２溝を、第１溝に重ねて第１６部分の底部に形成した。なお、ここでも、第２方向として第１方向に直交する方向を選んでいる。このときのレーザ光の照射条件は、レーザ出力を０．２Ｗとし、第２溝のピッチが２０μｍとなるようにしたこと以外は、第１溝の形成時と共通である。なお、レーザ顕微鏡による断面撮影を利用した測定によると、第２溝の深さの平均値は、およそ３μｍであった。

次に、実施例３－１のサンプルと同様にして、溝構造のうちの第１６部分を導電ペーストで充填して導電ペーストを硬化させた。これにより、導電ペーストから形成された配線を第１６部分の内部に有する比較例３－２のサンプルを得た。

（比較例３－３）
第１溝の形成において、第１溝の深さがより大きくなるようにレーザ光の照射の条件を変更したこと以外は実施例３－１のサンプルと同様にして、それぞれが第１方向に延びる複数の第１溝を有する第１７部分を形成した。複数の第１溝の形成に際し、ここでは、２．８Ｗに変更して複数の第１溝の形成を実行した。

次に、レーザ出力を２．８Ｗとしたこと以外は比較例３－２のサンプルと同様にして、第１方向と交差する第２方向にレーザ光のビームを走査して、溝構造のうち第１７部分の底部をレーザ光のビームで照射することにより、複数の第２溝を第１溝に重ねて第１７部分の底部に形成した。レーザ顕微鏡による断面撮影を利用した測定によると、第２溝の深さの平均値は、およそ６０μｍであった。

次に、実施例３－１のサンプルと同様にして、溝構造のうちの第１７部分の内部への導電ペーストの充填を試みた。しかしながら、第１７部分の内部に十分に導電ペーストが充填されず、導電ペーストを硬化させたものの、所期の形状の配線パターンが得られなかった。

次に、実施例３－１～実施例３－４、比較例３－１および比較例３－２の各サンプルについて、カッターを利用して、溝構造の底面に達する溝をグリッド状に配線に形成することにより、合計２５個の矩形状の区画を形成した。このとき、およそ１ｍｍのピッチで配線に溝を形成した。

次に、配線に形成された複数の区画を覆うようにセロハンテープを配線の表面に貼り付け、テープを貼付してから５分が経過する前に、配線の表面の法線方向にテープを剥離した。このとき、配線に形成された２５個の区画のうち、テープ側に付着することにより樹脂板から剥離した部分の生じた区画の割合を調べることにより、配線の密着性を評価した。

実施例３－１のサンプルにおいては、２５個の区画のうち剥離が確認された区画は、１つのみであり、実施例３－２～実施例３－４の各サンプルについては、２５個の区画のいずれも剥離が確認されなかった。他方、比較例３－１のサンプルおよび比較例３－２のサンプルでは、２５個の区画のうち剥離が確認された区画は、それぞれ、１２．５個および５個であった。

図７１は、実施例３－３のサンプルに関する、導電ペースト充填前の溝構造の底面を拡大して示す顕微鏡画像である。図７２は、実施例３－３のサンプルに関する、テープ剥離後の配線の外観を示す。図７３は、比較例３－１のサンプルに関する、導電ペースト充填前の溝構造の底面を拡大して示す顕微鏡画像である。図７４は、比較例３－２のサンプルに関する、テープ剥離後の配線の外観を示す。

テープ剥離後の結果から、第２溝の形成によりアンカー効果による配線の脱落防止の効果が得られ、特に、第２溝の深さが５μｍ以上であると、配線の脱落防止により有利であることがわかった。また、第２溝が深くなるほど、より大きなアンカー効果が得られる傾向が得られるものの、第２溝の深さが６０μｍを超えない程度とすることが、所望の形状の配線の形成に有利であることもわかった。

（溝構造および配線の成型性に関する評価）
次に、図２６に示す発光構造２００Ａｆと同様の発光構造を準備し、上述の実施形態の溝構造形成工程および配線形成工程の手順に従って発光構造の下面側に溝構造および配線を形成することにより、溝構造および配線の成型性を評価した。ここで、溝構造の形成前の段階において、評価に用いた発光構造の下面からは、発光素子の電極の下面（第１電極２２１の下面２２１ｂおよび第２電極２２２の下面２２２ｂ）が露出された状態であった。

（実施例４－１）
発光構造の準備後、発光構造の下面をレーザ光のビームである方向（第１方向）に走査することにより、それぞれが第１方向に沿って延びる複数の第１溝を形成した。レーザ光のビームの走査により、光反射性部材の一部および発光素子の電極の一部が除去され、それぞれが複数の第１溝の集合によって規定される底面を有する溝構造が発光構造の下面に形成された。このときのレーザ光の照射条件を以下に示す。
レーザ光のピーク波長：５３２ｎｍ
レーザ出力：２．４Ｗ
パルス幅：１００ナノ秒
周波数：５０ｋＨｚ
送り速度：２００ｍｍ／ｓ
デフォーカス：０μm
第１溝のピッチ：１５μｍまたは３０μｍ

次に、第１方向と交差する第２方向にレーザ光のビームを走査して、溝構造の底部をレーザ光のビームでさらに照射した。これにより、図４に示す例と同様のドット状の複数の第１凹部を溝構造の底部に形成した。ここでは、第２方向として第１方向に直交する方向を選んだ。上面視において各第１凹部は、およそ０．１ｍｍの直径を有していた。このときのレーザ光の照射条件を以下に示す。
レーザ光のピーク波長：５３２ｎｍ
レーザ出力：２．４Ｗ
パルス幅：１００ナノ秒
周波数：５０ｋＨｚ
送り速度：２００ｍｍ／ｓ
デフォーカス：０μm
第１凹部の中心間距離：１５μｍ

図７５は、溝構造形成工程の実行後の発光構造の底面を示す。図７６は、図７５に示す破線の円で囲まれた部分についてレーザ顕微鏡によって得られた画像を示し、図７７は、レーザ顕微鏡によって得られた、溝構造の断面に関する画像を示す。図７７は、溝構造のうち、光反射性部材に形成された部分に関する断面を示している。

次に、実施例１－５のサンプルと同様にして、溝構造を導電ペーストで充填して導電ペーストを硬化させることにより、溝構造内に配線を形成し（上述の配線形成工程に相当）、実施例４－１のサンプルを得た。図７８は、溝構造に導電ペーストを充填し、導電ペーストを硬化させた後の断面を示す。

（実施例４－２）
複数の第１凹部を形成することに代えて、第１方向とは異なる第２方向にレーザ光のビームを走査して溝構造の底部をレーザ光で照射することにより、溝構造の底部に、それぞれが第２方向に延びる複数の第２溝をさらに形成したこと以外は実施例４－１のサンプルと同様にして、実施例４－２のサンプルを作製した。複数の第２溝の形成時におけるレーザ光の照射条件は、以下の通りである。なお、ここでも、第２方向として第１方向に直交する方向を選んでいる。
レーザ光のピーク波長：５３２ｎｍ
レーザ出力：２．４Ｗ
パルス幅：１００ナノ秒
周波数：５０ｋＨｚ
送り速度：２００ｍｍ／ｓ
デフォーカス：０μm
第２溝のピッチ：５０μｍ

図７９は、溝構造形成工程の実行後かつ配線形成工程の実行前の発光構造の底面を示す。図８０は、溝構造の底部の一部に関するＳＥＭ画像を示す。図８１は、図７９に示す破線の円で囲まれた部分についてレーザ顕微鏡によって得られた画像を示し、図８２は、レーザ顕微鏡によって得られた、溝構造の断面に関する画像を示す。図７７と同様に、図８０および図８２は、溝構造のうち、光反射性部材に形成された部分に関する断面を示している。

溝構造の形成後、実施例４－１のサンプルと同様に、溝構造を導電ペーストで充填して導電ペーストを硬化させることにより、溝構造内に配線を形成した。図８３は、溝構造に導電ペーストを充填し、導電ペーストを硬化させた後の断面を示す。

（参考例４－１）
複数の第１溝の形成後に、複数の第１凹部および複数の第２溝のいずれをも形成しなかったこと以外は実施例４－１のサンプルと同様にして、参考例４－１のサンプルを作製した。図８４は、溝構造形成工程の実行後かつ配線形成工程の実行前の発光構造の底面を示す。図８５は、溝構造の底部の一部に関するＳＥＭ画像を示す。図８６は、図８４に示す破線の円で囲まれた部分についてレーザ顕微鏡によって得られた画像を示し、図８７は、レーザ顕微鏡によって得られた、溝構造の断面に関する画像を示す。図７７と同様に、図８５および図８７は、溝構造のうち、光反射性部材に形成された部分に関する断面を示している。

溝構造の形成後、実施例４－１のサンプルと同様に、溝構造を導電ペーストで充填して導電ペーストを硬化させることにより、溝構造内に配線を形成した。図８８は、溝構造に導電ペーストを充填し、導電ペーストを硬化させた後の断面を示す。

図７８に示す、実施例４－１のサンプルに関する断面画像から、実施例４－１のサンプルでは、配線の一部が第１溝および第１凹部の内部に入り込んでいることがわかった。同様に、図８３に示す、実施例４－２のサンプルに関する断面画像から、実施例４－２のサンプルでは、配線の一部が第１溝および第２溝の内部に入り込んでいることがわかった。すなわち、これらのサンプルでは、配線の形状が溝構造の底部の形状に良く追従しており、したがって、配線と溝構造の底部との間における高いアンカー効果が期待できる。

図８５および図８６から、参考例４－１のサンプルでは、溝構造の底面は、比較的滑らかな形状を有していることがわかった。図８８を参照すればわかるように、参考例４－１のサンプルにおいても、配線と溝構造の底部との間にボイド等は生じていなかった。

本開示の実施形態によれば、複雑な配線パターンの形成された基板を基本的に不要とでき、実装の容易な発光装置が提供される。本開示の実施形態は、各種照明用光源、車載用光源、バックライト用光源等に幅広く適用することが可能である。

１００Ａ～１００Ｈ、１００Ｋ～１００Ｎ 発光装置
２００Ａ～２００Ｆ、２００Ｌ 発光モジュール
２００Ａｆ、２００Ｅｆ 発光構造
２１０ ：溝構造
２１０Ａ、２１０Ｃ～２１０Ｆ、２１０Ｌ パッケージ
２１０Ａｆ、２１０Ｅｆ 被覆部材
２１０ｇ、２１０ｈ 溝構造
２１０ｇａ、２１０ｈａ 溝構造の第１部分
２１０ｇｂ、２１０ｈｂ 溝構造の第２部分
２１０ｇｃ 溝構造の第３部分
２１１ 保護部材
２１２ 波長変換部材
２１３ 導光部材
２１４Ａ、２１４Ａｆ、２１４Ｅｆ 光反射性部材
２１４Ｃ～２１４Ｆ 光反射性部材
２１４Ｔ 光反射性樹脂層
２２０、２２０Ａ、２２０Ｂ 発光素子
２２１ 発光素子の第１電極
２２２ 発光素子の第２電極
２２３ 発光素子の素子本体
２３０ 樹脂層
２３０Ｍ マスク
２３０ａ マスクの粘着層
２３０ｓ マスクの支持層
３００、３６０ 支持体
３１０ 第１配線
３２０ 第２配線
３３０ 第３配線
３５０ｒ 導電ペースト
３９０ スキージ
４００ レーザアブレーション装置
４３０ 研削砥石
Ｄｃ１ 第１凹部
Ｇｒ１ 第１溝
Ｇｒ２ 第２溝
ＬＳ 積層シート
Ｓｔ１、Ｓｔ２ 段差部

Claims (29)

1. それぞれが第１電極および第２電極を有する１以上の発光素子、ならびに、前記１以上の発光素子を覆う被覆部材を含み、第１面および前記第１面とは反対側に位置する第２面を有する発光構造を準備する、準備工程であって、各発光素子の前記第１電極および前記第２電極は、下面を有し、前記第１電極の下面および前記第２電極の下面は、前記第２面よりも前記第１面の近くに位置する、準備工程と、
   前記第１面側からのレーザ光の照射により、前記被覆部材の一部、前記第１電極の一部および前記第２電極の一部を除去し、前記第１電極の少なくとも一部および前記第２電極の少なくとも一部が内部に露出された溝構造を前記発光構造の前記第１面側に形成する、溝構造形成工程と、
   前記溝構造の内部を導電性材料で充填することによって、複数の配線を形成する、配線形成工程と、
   を含む、発光装置の製造方法。
2. 前記１以上の発光素子は、第１発光素子および第２発光素子を含み、
   前記配線形成工程は、前記複数の配線によって前記第１発光素子と前記第２発光素子とを電気的に直列または並列に接続する工程を含む、請求項１に記載の発光装置の製造方法。
3. 前記準備工程は、第１発光構造および第２発光構造を含む複数の前記発光構造を準備する工程であり、
   前記配線形成工程は、前記複数の配線によって前記第１発光構造側の発光素子と前記第２発光構造側の発光素子とを電気的に直列または並列に接続する工程を含む、請求項１または２に記載の発光装置の製造方法。
4. 前記準備工程と前記溝構造形成工程との間、または、前記溝構造形成工程と前記配線形成工程との間に、前記複数の前記発光構造を一次元または二次元に配列する配列工程をさらに含む、請求項３に記載の発光装置の製造方法。
5. それぞれが第１電極および第２電極を有する１以上の発光素子、ならびに、前記１以上の発光素子を覆う被覆部材を含む発光構造を準備する、準備工程であって、前記第１電極および前記第２電極のそれぞれは、下面を有する、準備工程と、
   前記第１電極の下面および前記第２電極の下面の上方にシート状のマスクを配置するマスク配置工程と、
   レーザ光の照射により少なくとも前記マスクの一部を除去して前記第１電極の少なくとも一部および前記第２電極の少なくとも一部を露出させる照射工程と、
   前記マスクが除去された部分を導電性材料で充填することによって複数の配線を形成する配線形成工程と、
   を含む、発光装置の製造方法。
6. 前記１以上の発光素子は、第１発光素子および第２発光素子を含み、
   前記配線形成工程は、前記複数の配線によって前記第１発光素子と前記第２発光素子とを電気的に直列または並列に接続する工程を含む、請求項５に記載の発光装置の製造方法。
7. 前記準備工程は、第１発光構造および第２発光構造を含む複数の前記発光構造を準備する工程であり、
   前記配線形成工程は、前記複数の配線によって前記第１発光構造側の発光素子と前記第２発光構造側の発光素子とを電気的に直列または並列に接続する工程を含む、請求項５または６に記載の発光装置の製造方法。
8. 前記準備工程と前記マスク配置工程との間に、前記複数の前記発光構造を一次元または二次元に配列する配列工程をさらに含む、請求項７に記載の発光装置の製造方法。
9. 前記マスクは、支持層および粘着層を有し、
   前記マスク配置工程は、前記粘着層を介して前記マスクを前記発光構造に貼付する工程を含み、
   前記配線形成工程の後に、前記マスクの残余の部分のうち、前記支持層に相当する部分を前記発光構造上から除去する、除去工程をさらに含む、請求項５から８のいずれかに記載の発光装置の製造方法。
10. 前記除去工程の後に、研磨によって前記第１電極および前記第２電極の一部を除去し、前記第１電極の表面および前記第２電極の表面を前記粘着層の表面に整合させる、研磨工程をさらに含む、請求項９に記載の発光装置の製造方法。
11. 前記照射工程は、前記第１電極の一部および前記第２電極の一部を除去する工程を含む、請求項５から１０のいずれかに記載の発光装置の製造方法。
12. 前記準備工程において、前記第１電極の下面および前記第２電極の下面は、前記被覆部材から露出されている、請求項１から１１のいずれかに記載の発光装置の製造方法。
13. それぞれが第１電極および第２電極を有する１以上の発光素子、ならびに、前記１以上の発光素子を覆うパッケージを含み、下面側に溝構造を有する発光モジュールと、
    その一部または全体が前記溝構造内に位置する第１配線および第２配線と、
    を備え、
    前記第１電極の少なくとも一部および前記第２電極の少なくとも一部は、前記溝構造の内部において露出されており、
    前記第１配線は、前記第１電極に電気的に接続されており、
    前記第２配線は、前記第２電極に電気的に接続されており、
    前記溝構造は、凹凸を有する底面を含む、
    発光装置。
14. 前記溝構造は、５μｍ以上５０μｍ以下の深さを有する、請求項１３に記載の発光装置。
15. 前記溝構造の前記底面は、複数の第１溝の集合を含む、請求項１３に記載の発光装置。
16. 前記溝構造の前記底面は、前記複数の第１溝の集合によって構成されており、ドット状の複数の凹部をさらに有する、請求項１５に記載の発光装置。
17. 前記凹部の直径は、前記第１溝の幅よりも大きい、請求項１６に記載の発光装置。
18. 前記複数の第１溝のピッチは、前記凹部の中心間距離の１０％以上１００％以下の範囲である、請求項１６に記載の発光装置。
19. 前記複数の第１溝の内部および前記複数の凹部の内部は、前記第１配線または前記第２配線で満たされている、請求項１６から１８のいずれかに記載の発光装置。
20. 前記溝構造の前記底面は、前記複数の第１溝の集合によって構成されており、それぞれが前記複数の第１溝の延びる方向とは異なる方向に延びる複数の第２溝をさらに有する、請求項１５に記載の発光装置。
21. 前記複数の第１溝の内部および前記複数の第２溝の内部は、前記第１配線または前記第２配線で満たされている、請求項２０に記載の発光装置。
22. 前記第１配線の表面および前記第２配線の表面は、前記パッケージの前記下面に概ね整合している、請求項１３から２１のいずれかに記載の発光装置。
23. 前記第１電極のうち前記溝構造の内部において露出された部分および前記第２電極のうち前記溝構造の内部において露出された部分は、段差部を有する、請求項１３から２２のいずれかに記載の発光装置。
24. それぞれが第１電極および第２電極を有する１以上の発光素子、ならびに、前記１以上の発光素子を覆うパッケージを含み、下面側に溝構造を有する発光モジュールと、
    その一部または全体が前記溝構造内に位置する第１配線および第２配線と、
    を備え、
    前記第１電極の少なくとも一部および前記第２電極の少なくとも一部は、前記溝構造の内部において露出されており、
    前記第１配線は、前記第１電極に電気的に接続されており、
    前記第２配線は、前記第２電極に電気的に接続されており、
    前記第１電極のうち前記溝構造の内部において露出された部分および前記第２電極のうち前記溝構造の内部において露出された部分は、段差部を有する、発光装置。
25. 前記溝構造は、５μｍ以上５０μｍ以下の深さを有する、請求項２４に記載の発光装置。
26. 前記第１配線の表面および前記第２配線の表面は、前記パッケージの前記下面に概ね整合している、請求項２４または２５に記載の発光装置。
27. 前記パッケージは、
    前記第１電極の一部および前記第２電極の一部を除いて前記１以上の発光素子を覆う被覆部材と、
    前記被覆部材の、前記パッケージの前記下面側に位置し、開口を有する樹脂層と
    を含み、
    前記溝構造は、前記樹脂層の前記開口によって規定される構造であり、
    前記第１配線の一部および前記第２配線の一部は、前記樹脂層の前記開口の内部に位置する、請求項１３から２６のいずれかに記載の発光装置。
28. 前記１以上の発光素子は、第１発光素子および第２発光素子を含み、
    前記第１発光素子および前記第２発光素子は、前記第１配線および前記第２配線によって電気的に直列または並列に接続される、請求項１３から２７のいずれかに記載の発光装置。
29. 前記発光装置は、第１発光モジュールおよび第２発光モジュールを含む複数の前記発光モジュールの一次元または二次元の配列を含み、
    前記第１発光モジュール側の発光素子および前記第２発光モジュール側の発光素子は、前記第１配線および前記第２配線によって電気的に直列または並列に接続される、請求項１３から２８のいずれかに記載の発光装置。

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