JP2015029031A - 配線基板、及び配線基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】隣接配線間での絶縁耐圧確保、配線層の密着性向上、積層構造とした際の層間耐圧確保に適する配線形状を提供する。
【解決手段】支持基板と、当該支持基板の上面に設置されるエネルギーの付与により臨界表面張力が変化する材料を含有する濡れ性変化層と、当該濡れ性変化層に形成された凹部の内部に導電層を有する配線基板であって、前記凹部は、前記導電層の導通方向に対して直交する断面形状において、前記凹部の両側壁が下方に向かって傾斜するテーパー面とされており、前記両側壁の上縁部はなだらかな曲面に形成されている。
【選択図】図１

Description

本発明は、配線基板、及び配線基板の製造方法の技術分野に関する。

近年、半導体素子や電子回路等に使われる配線基板は、支持部材の上面に導電層を形成するために、プリンテッド・エレクトロニクス技術が採用されている。この技術は、金属微粒子に代表される機能性インクやペーストを直接基材に印刷して、導電層のパターンを形成する技術であり、種々の印刷法を用いた配線基板が提案されている。

上記種々の印刷法を用いて、支持部材などに導電層を形成した配線基板として、支持基板にレーザーアブレーション法又はエッチングにより凹部を形成し、その凹部に導電性材料を塗布することで導電層を形成し、薄膜トランジスタを形成可能な配線基板が知られている（例えば、特許文献１、２参照）。

また、支持部材の上面に、エネルギーの付与によって臨界表面張力が変化する濡れ性変化層が形成され、その濡れ性変化層にレーザーアブレーション法を用いて凹部が形成され、同凹部に導電性インクを塗布して導電層が形成された配線基板が知られている（例えば、特許文献３）。

上記の配線基板は、いずれも導電層を形成するために、先ず支持基板に（濡れ性変化層も含む）レーザーアブレーション法又はエッチング法などにより凹部を形成し、同凹部の内部に導電性材料を塗布している。しかし、前記凹部の形状は、その大きさや幅は様々であるが、一様に図９の概念図に示したような、屈曲部Ｋを有する矩形又は台形形状となっている。

したがって、凹部９０の屈曲部Ｋには電界が集中しやすく、隣接配線間での絶縁耐圧が低下する原因となる。また、積層構造とした場合には、層間耐圧が低下する原因となる。

本発明の一つの実施の形態の目的は、隣接配線間での絶縁耐圧確保、配線層の密着性向上、積層構造とした際の層間耐圧確保に適する配線形状を提供することにある。

上記課題に鑑み、本発明の一つの実施の形態の配線基板は、支持基板と、当該支持基板の上面に設置されるエネルギーの付与により臨界表面張力が変化する材料を含有する濡れ性変化層と、当該濡れ性変化層に形成された凹部の内部に導電層を有する配線基板であって、
前記凹部は、前記導電層の導通方向に対して直交する断面形状において、前記凹部の両側壁が下方に向かって傾斜するテーパー面とされており、前記両側壁の上縁部はなだらかな曲面に形成されていることを特徴とする。

本発明の一つの実施の形態によれば、隣接配線間での絶縁耐圧確保、配線層の密着性向上、積層構造とした際の層間耐圧確保に適する配線形状を提供することにある。

実施例１における配線基板の実施の形態の一例を示す。Ａは、断面図を示す。Ｂは、図１Ａに示した配線基板の平面図を示す。 実施例２における配線基板の実施の形態の一例を示す断面図を示す。 実施例３における配線基板の実施の形態の一例を示す断面図を示す。 実施例４における配線基板の実施の形態の一例を示す断面図を示す。 実施例５における配線基板の実施の形態の一例を示す断面図を示す。 本発明に係る配線基板の製造方法の工程を順に示した説明図である。 レーザーアブレーション装置の一例を示す説明図である。 本発明の実施例１を実施した際に得られた配線基板の電子顕微鏡写真断面図である。 従来の導電層を形成する凹部の形状を示す概念図である。 レーザーアブレーション装置のレーザー出力曲線の一例を示すグラフである。 本発明の実施例１を実施した際に得られた凹部端部の状態を示す顕微鏡上方視図である。 本発明の実施例１を実施した際に得られた凹部全体の加工状態を示す顕微鏡上方視図である。 本発明の実施例３を実施した際に得られた凹部全体の加工状態を示す顕微鏡上方視図である。 本発明の実施例１〜４の凹部の加工条件を示す図である。

以下に、本発明の一つの実施の形態としての配線基板を、図面を参照しつつ説明する。しかし、本発明は下記に記載する例によって限定されるものではない。

［配線基板の構成］
図１に、実施例１における配線基板の実施の形態の一例を示す。Ａは、断面図を示す。Ｂは、図１Ａに示した配線基板の平面図を示す。因みに、図１Ａの配線基板１は、導電層４の導通方向Ｄ（図１Ｂ参照）に対して直交する断面形状を示している。

本発明の一つの実施の形態の配線基板１には、支持基板２と、当該支持基板２の上面に設置される、エネルギーの付与により臨界表面張力が変化する材料を含有する濡れ性変化層３が設けられている。そして、濡れ性変化層３には導電性能を発揮する導電層４が形成されている。当該導電層４は、濡れ性変化層３に形成された凹部５の内部に形成されている。この配線基板１は、図示のとおり上記各部材２〜４が積層された構成とされている。
上記した各部材については、以下に説明する。

支持基板２は、例えば、ガラス基板または、フィルム基板などが使用できる。フィルム基板では、ポリイミド（ＰＩ）基板、ポリエーテルサルホン（ＰＥＳ）基板、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）基板、ポリカーボネート（ＰＣ）基板、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）基板、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）基板、ポリアクリレート（ＰＡＲ）基板等を用いることができる。

濡れ性変化層３は、紫外線などの光のエネルギーを付与することにより、臨界表面張力（表面自由エネルギーとも云う。）が変化する材料を用いることができる。臨界表面張力が変化する材料としては、エネルギーの付与前後で臨界表面張力の変化が大きい材料が好ましい。これは、エネルギー付与した部分と、それ以外の部分とで親液性、撥液性のコントランストが大きくなるためである。このような臨界表面張力が変化する材料としては、高分子材料が望ましく、特に側鎖に疎水性基を有する高分子材料であることが好ましい。

側鎖の疎水性基としては、特に限定はされないが、末端基が−ＣＦ_２ＣＨ_３、−ＣＦ_２ＣＦ_３、−ＣＦ（ＣＦ_３）_２、−ＣＦＨ_２等である官能基が挙げられる。また、アルキル基又はフルオロアルキル基、及び多分岐構造を持つアルキル基、フルオロアルキル基、及びそれらの同位体が好ましい。これらの疎水性基は、エネルギー付与によって分解する、Ｃ＝Ｏ（カルボニル基）を含む構造式−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＮＨ−、−ＮＨＣＯＯ−、−ＮＨＯＣＯ−及びそれらの同位体で表される官能基を介して、主鎖と結合していることが好ましい。この場合、側鎖は、紫外線照射により、構造式−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＮＨ−、−ＮＨＣＯＯ−又は−ＮＨＯＣＯ−で表される官能基等の光感応基が切断されると、大気雰囲気中の水分と反応することにより、カルボキシル基、ヒドロキシル基等の親水性基を生成する。

したがって、表面が親水性（高表面エネルギー）となる。特に、多分岐構造を持つ側鎖の場合、少ないエネルギー付与により、濡れ性変化層の臨界表面張力を大きく変化させることができる。

また、前記高分子材料の主鎖についても、特に限定されるものではないが、紫外線の吸収がないもの、もしくは小さいものが望ましい。つまり、紫外線によって主鎖の分子構造が切断されない、又は、切断されにくい構造が好ましい。これは、例えば、紫外線照射によってエネルギー付与した際に、主鎖の結合が切れてしまうと、絶縁性が低下するなど、高分子の統制自体が低下して、材料の安定性、信頼性の低下が生じるためである。

そして、係る条件を満たす主鎖の構造として、例えば、ポリイミド、ポリアミドイミド、（メタ）アクリル酸を重合することにより得られる骨格等が例示できるが、絶縁性を考慮すると主鎖中にポリイミドを含む構造であることが特に好ましい。一般に、ポリイミドは、剛直な構造であると共に、充填性が良いため、紫外線照射等によるエネルギー付与がなされて、分子鎖が切断されることがあっても、ある程度の絶縁性を保持することができる。したがって、信頼性の高い配線を実現できる。

また、ポリイミドを用いた場合、２％程度の吸湿性はあるものの、絶縁性が高く、安定しているため、高い絶縁性を確保しながら、濡れ性制御も可能となる。

ここで、ポリイミドとしては、ポリアミック酸（ポリアミド酸）を加熱することによる脱水縮合反応で生じる熱硬化型ポリイミドと、溶媒に可溶な可溶性ポリイミドが一般的に知られているが、いずれのポリイミドも使用可能である。可溶性ポリイミドは、溶媒に溶解させた塗布液を塗布した後、２００℃未満の低温で溶媒を揮発させることにより、成膜できる。

一方、熱硬化型ポリイミドは、脱水縮合反応が起こる程度まで加熱しないと反応が生じないため、一般に、２００℃以上の高温にする必要がある。したがって、基板の耐熱性等、各種条件に併せて選択される。

特に、フィルム基板のような、低温プロセスが要求され、且つ生産性を向上させるため小さい紫外線照射量で表面エネルギーを変化させる場合には、特許５２１１７２９号に記載しているような、可溶性ポリイミドが好ましく用いられる。これは、主鎖と多分岐構造を含む側鎖からなるポリイミドであり、紫外線照射によって表面自由エネルギーが変化する材料である。

本発明の一つの実施の形態としての濡れ性変化層３は、上記の紫外線照射によって表面自由エネルギーが変化する材料を含む複数の材料を混合し、単層とすることができる。また、紫外線照射によって表面自由エネルギーが変化する材料の一種類の単層とすることもできる。更に、相対的に電気絶縁性に優れた第一の材料と、紫外線のようなエネルギー付与によって表面自由エネルギーの変化する割合が、第一の材料よりも相対的に大きい第二の材料を混合して用いることもできる。この場合、両者材料の物性の違いを利用して膜厚方向に材料の分布のある構造をとることができる。

このような濡れ性変化層３を形成することで、濡れ性変化層３に凹部５を形成する際の光のエネルギー付与によって、凹部５は臨界表面張力が大きい高表面エネルギー部となり、凹部５以外の濡れ性変化層３は臨界表面張力が小さい低表面エネルギー部となる。

このため、導電性インクが導電層４を形成する凹部５からはみ出して塗布された場合でも、低表面エネルギー部には付着しにくく、凹部５に導電性インクが流れ込み、凹部５以外の部分に残渣が発生しない。なお、濡れ性変化層３の厚さは特に限定されるものではなく適宜選択的に決定される。これは例えば、形成する配線（導電層）の深さ、必要とされる絶縁性や、濡れ性変化層３の形態、例えば、単層であるか、積層であるか等によって必要とされる膜厚が異なるためである。

次に、濡れ性変化層３に形成される凹部５について説明する。
凹部５は、導電層４の導通方向に対して直交する断面形状において、前記凹部５の両側壁が下方に向かって傾斜するテーパー面とされている。また、凹部５の上縁部５ａはなだらかな曲面に形成されており、濡れ性変化層３の上面と屈曲部無く繋がる形状とされている。

したがって、凹部５内に形成される導電層４の厚みは、上縁部５ａに向かって緩やかに薄くなる形状となる。

凹部５の深さや形状は特に限定されるものではなく、濡れ性変化層３の厚さ３Ｈと凹部５の深さ５Ｈが一致していてもよい。また、図示はしないが、濡れ性変化層３の厚さ３Ｈよりも、凹部５の深さを浅くして実施しても良い。

次に、凹部５の内部に形成される導電層４について説明する。
導電層４は、凹部５の内部に塗布された導電性インクを、オーブンやホットプレート、光などを用いて加熱焼成、紫外線照射等による固化によって得られる配線層である。前記した導電性インクは、固化した場合に導電性を示すものであれば足り、特に限定されるものではない。例えば、導電性材料を溶媒に溶解したものや、導電性材料の微粒子を溶媒に分散させたもの、導電性材料の前駆体もしくはその前駆体を溶媒に溶解したもの、導電性材料の前駆体を溶媒に分散したものなどがある。

導電性材料としては例えば、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、タングステン（Ｗ）、ニッケル（Ｎｉ）、タンタル（Ｔａ）、ビスマス（Ｂｉ）、鉛（Ｐｂ）、インジウム（Ｉｎ）、錫（Ｓｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、チタン（Ｔｉ）、もしくはアルミニウム（Ａｌ）、またはこれらから選択された２以上の金属種からなる合金、これらの金属種のハロゲン化銀、酸化銅などが挙げられる。更には、カーボンナノチューブ、グラフェン等のナノカーボン系材料を有機溶媒や水に分散したものが用いられる。更に、ドープトＰＡＮＩ（ポリアニリン）、ＰＥＤＯＴ（ポリエチレンジオキシチオフェン）にＰＳＳ（ポリスチレンスルホン酸）をドープした導電性高分子の水溶液などがある。特に、低抵抗な銀、銅、カーボンナノチューブ等が好ましい。

導電層４は、凹部５の内部に塗布された導電性インクが固化した状態で存在するため、その形状は凹部５と略同形である。したがって、凹部５の中心における導電層４の膜厚４Ｈよりも凹部５の上縁部５ａ付近における導電層４の膜厚４Ｌが薄くなっている。因みに、凹部５内へ塗布される導電性インクの量によっては、凹部５の深さ５Ｈに達しない膜厚となる場合もある。

［配線基板の製造方法］
次に、配線基板１の製造方法を説明する。
図６に配線基板１の製造方法の一例を示す。図６において、（ａ）は支持基板２に濡れ性変化層３を形成する工程、（ｂ）は濡れ性変化層３に凹部５を形成する工程、（ｃ）は凹部５内に導電層４を形成する工程を示す。（ｄ）は導電層４を形成した後の状態を示す。２は支持基板、３は濡れ性変化層、４は導電層、５は濡れ性変化層３に形成した凹部、６０はレーザービーム、６１は導電性インクを示す。

（ａ）は、支持基板２の上面に濡れ性変化層３を形成する工程を示す。濡れ性変化層３を支持基板２の上面に形成する方法としては、スピンコート法、ディップコート法、スクリーン印刷法、オフセット印刷法、フレキソ印刷法、グラビア印刷法、マイクロコンタクト法、インクジェット法、ノズルプリンティング法、エアロゾルジェット法等の各種印刷法を用いることができる。

図には示さないが、支持基板２の上面に、絶縁層を設け、当該絶縁層の上面に濡れ性変化層３を設ける手法を用いても良い。絶縁層の形成方法としては、スピンコート法、ディップコート法、スクリーン印刷法、オフセット印刷法、フレキソ印刷法、グラビア印刷法、マイクロコンタクト法、インクジェット法、ノズルプリンティング法、エアロゾルジェット法等の各種印刷法を用いることができる。

（ｂ）は、濡れ性変化層３に凹部５を形成する工程を示す。濡れ性変化層３に凹部５を形成する方法としては、レーザーを用いたレーザーアブレーション法により形成することが好ましい。係る方法によれば、凹部５の形成と同時に凹部表面を高表面エネルギー領域に変えることができる。このため、凹部５という物理的な形状効果だけでなく、レーザー照射による表面改質の効果が１つの工程で得られ、凹部５に導電性インクが充填されやすくなる。

レーザーとしては、気体レーザーや固体レーザーを用いることができる。気体レーザーの場合は、エキシマレーザーを用いることができ、固体レーザーとしては、ＹＡＧレーザーやＹＶＯ_４レーザーを用いることができる。レーザー光の波長としては、紫外光であることが好ましい。エキシマレーザーであれば、ＸｅＦをレーザー媒質とした波長３５１ｎｍ、ＸｅＣｌをレーザー媒質とした波長３０８ｎｍ、ＫｒＦをレーザー媒質とした波長２４８ｎｍなどを用いることができる。ＹＡＧレーザーやＹＶＯ_４レーザーであれば、第３次高調波である波長３５５ｎｍ、第４次高調波である波長２６６ｎｍを用いることができる。

レーザーは、濡れ性変化層３の光学特性によって選択する。つまり、濡れ性変化層３の光吸収スペクトルにおける光吸収端の波長よりも短波長であるレーザーを用いる。このようなレーザーを濡れ性変化層３へ照射した場合、濡れ性変化層３がレーザー光を吸収し、発熱、昇華することで凹部５が形成される。濡れ性変化層３の発熱は層方向にも拡がり所定温度以上になった部分が昇華し除去される。

したがって、レーザービーム径よりも広い幅で凹部５は形成される。この際に、レーザービーム径の端部から外方へ離れるに従って温度が低下することから、濡れ性変化層３の除去量が減少し、ビーム径から外れる凹部５の端部形状（上縁部５ａ）は、図１（図２〜図５も含む）に示すような、なだらかな曲面に形成される。

特に、凹部５を形成する方法としては、凹部５を形成するのに必要な微細なレーザーを用いてレーザービーム６０を走査する、もしくは、加工対象である濡れ変化層３を有するワークを走査する方法が採れる。このように、レーザービーム６０を走査する、もしくはワークを走査する方法は、マスクを必要としないため低コストであり、さらに、工程数の増加を抑えつつ、複雑なパターンをより高速で形成することが可能となる。

前記したレーザービーム６０を走査して凹部５を形成する際には、ガルバノスキャナを用いてレーザービームを走査することで濡れ性変化層３上に凹部５を形成することが好ましい。

また、凹部を形成する領域がガルバノスキャナでレーザービームを走査できる領域よりも大きい場合には、ステップアンドリピートが行なわれる。つまり、ワークを静止した状態でのレーザー光照射による凹部の形成、次の領域へのワークの移動、ワークを静止した状態でのレーザー光照射による凹部の形成を繰り返すことにより、所定の加工領域に対してレーザー光を照射して凹部を形成することができる。

（ｃ）は、濡れ性変化層３に形成された凹部５内に導電層４を形成する工程を示す。即ち、濡れ性変化層３に形成した凹部５の内部に導電性インク６１を塗布し、当該導電性インク６１を固化させることで導電層４を形成する。

塗布方法としては、スピンコート法、ディップコート法、スクリーン印刷法、オフセット印刷法、フレキソ印刷法、グラビア印刷法、マイクロコンタクト法、インクジェット法、ノズルプリンティング法、エアロゾルジェット法等の各種印刷法が挙げられる。特に、導電性インク６１が凹部５に流れ込むのに適した粘度、表面張力で塗布することができ、小さな液滴を供給できるインクジェット法、又はノズルプリンティング法が好ましい。また、上記２つの方法は材料利用効率も、スピンコート法などに比べて格段に高く、マスクレス、非接触印刷であることから、大面積化が容易である利点がある。

（ｄ）は、凹部５内に塗布された導電性インク６１をオーブンやホットプレート、光などを用いて加熱焼成、紫外線照射等により固化して形成した導電層４を示した。

上述した実施の形態を具体化した実施例を、図面を用いて以下に説明する。

本実施例１における配線基板１を図１Ａ、図１Ｂに示した。
図１Ａには、配線基板１における導電層４の導通方向Ｄ（図１Ｂ参照）に対して直交する断面形状を示した、図１Ｂには、図１Ａに示した配線基板１の平面図を示した。

即ち、配線基板１は、支持基板２と、当該支持基板２の上面に設置されるエネルギーの付与により臨界表面張力が変化する材料を含有する濡れ性変化層３と、当該濡れ性変化層３に形成された凹部５の内部に導電層４を有する構成とされている。凹部５と導電層４は、図１Ｂの平面図に示すように、配線基板１の長手方向（導通方向）Ｄに伸びる配線として形成されている。図示例では、２本の配線を示したが、この限りではなく単線でも複線でもどちらでも良い。

本実施例１は凹部５の断面形状に特に特長がある。即ち、凹部５は、導電層４の導通方向Ｄに対して直交する断面形状において、当該凹部５の両側壁が下方に向かって内側方向（中心方向）に傾斜するテーパー面に形成され、その底部は湾曲形状に形成されている。

また、凹部５の上縁部５ａ（境界部とも云う。）はなだらかな曲面に形成されており、濡れ性変化層３の上面と屈曲部無く繋がる形状とされている。上縁部５ａのテーパー角度は２０°程度である。上記のような形状としたので、凹部５は、図９に示した従来の凹部９０に比して、屈曲部が全く存在しない形状となる。特に、凹部５内に形成される導電層４の厚みが上縁部５ａに向かって緩やかに薄くなるように形成され、且つ屈曲箇所が全く無いので、濡れ性変化層３との境界部に電界集中が起きることを確実に防止できる。

したがって、凹部５の内部に形成される導電層４の厚みは、その中心部においては最も深く４Ｈ、上縁部５ａ近傍では薄い４Ｌに形成される。また、導電層４の幅７は、凹部５の幅６と一致している。

上記の構成は、導電層４が形成される凹部５の上縁部５ａと、濡れ性変化層３との境界部に電界集中が生じることを効果的に防止できると共に、隣接する導電層４の絶縁耐圧を確実に確保して、精度の高い配線基板１を実現できる。

本実施例１においては、上縁部５ａのテーパー角度を２０°程度で実施したが、この限りではなく、例えば、１０°〜４０°程度のテーパー角度を適宜設定して実施できる。

濡れ性変化層３は、原料として側鎖にデンドリマーを含む可溶性ポリイミド材料と、当該ポリイミド材料よりも絶縁性が高く、側鎖を有さないポリイミドＣＴ４１１２（商品名、京セラケミカル社製）を混合したポリイミドＮＭＰ溶液を使用した。

導電層４は、粒径約３０ｎｍのＡｇ粒子を水系溶媒に分散した導電性インク６１を凹部５上に選択的に塗布して固化することで形成される。形成方法は下記に具体的に説明する。

また、図１の凹部５は、両側壁が下方に向かって内側方向に傾斜するテーパー面であり全体が逆円錐形状として実施しているが、上縁部５ａ（境界部）に電界集中が生じることを防止する形状であれば良い。例えば、凹部５の全体形状として、側壁の上縁部５ａがなだらかな曲面に形成され、側壁の一部分が幅広に形成されたひょうたん型形状であっても同様に実施できる。

［実施例１に係る配線基板の製造方法］
実施例１の配線基板１の製造方法を図６に基づいて説明する。なお、既に実施の形態において説明した記載は、重複を避けるために省略する。

図６（ａ）に示すように、ウェット洗浄を行ったガラス基板２（支持基板２）上に、濡れ性変化層３を形成した。

濡れ性変化層３の原料としては、側鎖にデンドリマーを含む可溶性ポリイミド材料Ａと、ポリイミド材料Ａよりも絶縁性が高く、側鎖を有さないポリイミドＣＴ４１１２（商品名、京セラケミカル社製）を混合したポリイミドＮＭＰ溶液を用いた。

前記ポリイミドＮＭＰ溶液をスピンコート法によりガラス基板２上に塗布した。次いで、窒素中、１００℃のオーブンでプリベークし、さらに、窒素中１８０℃のオーブンで、１時間のポストベークを行い、５７０ｎｍの膜厚の濡れ性変化層３を形成した。このとき、濡れ性変化層３の表面は、疎水性の側鎖を持つポリイミドにより、低表面エネルギーとなっている。

次に、ＣＡＤデータをもとに配線、電極等の導電層４に相当する部分に、図７に示すレーザーアブレーション装置７００を用いて、紫外線領域のレーザービーム（６０）を照射することによって、濡れ性変化層３に凹部５を形成した（図６（ｂ））。レーザービーム６０を照射した凹部５の表面は、高表面エネルギー領域となり、レーザーを照射していない領域はポリイミドの疎水性側鎖による低表面エネルギー領域となっている。

レーザーアブレーション装置について図７を用いて説明する。図７において、７０１はコントローラ、７０２はレーザーヘッド、７０３はレーザー光、７０４はバリアブルアッテネータ、７０５はレンズユニット、７０６はガルバノスキャナ、７０７はｆθレンズ、７０８はワーク、７０９はステージをそれぞれ示す。

本実施例ではレーザーとしてＹＶＯ_４レーザーを用いた。レーザーヘッド７０２は、Ｎｄ：ＹＶＯ_４レーザー結晶と非線形光学結晶を備える。レーザーダイオード励起ＹＶＯ_４レーザーであって、半導体レーザーでＮｄ：ＹＶＯ_４レーザー結晶が励起され波長１０６４ｎｍのレーザー光が発生し、非線形光学結晶が励起され波長２６６ｎｍのレーザー光７０３が発生する。バリアブルアッテネータ７０４では光量（パワー）を調整する。レンズユニット７０５にて所定のビーム径に整形されたレーザー光をガルバノスキャナ７０６でＸＹ走査し、ｆθレンズ７０７にて平行光としてワーク７０８面にレーザー光を照射する。レーザー光の特性としては次の通りである。レーザー光の波長は２６６ｎｍである。レーザービーム径は１０μｍである。レーザービームの強度分布はガウシアン分布である。

ワーク７０８はステージ７０９上に設置される。ステージ７０９をＸＹ駆動することで、ステージ上に設置したワーク７０８を移動することができる。ステージはＸＹ軸直動駆動機構を備えており、ワーク７０８を位置決め移動することができる。

ガルバノスキャナ７０６によるレーザー光７０３の走査範囲は、Ｘ方向５５ｍｍ、Ｙ方向５５ｍｍであり、５５ｍｍ四方の範囲にレーザー光を照射して、所定箇所に凹部を形成する。ステージ７０９はＸＹ駆動することで、ステージ上に設置したワーク７０８を移動することができる。加工領域が５５ｍｍ四方よりも大きい場合には、ステップアンドリピートを行なう。つまり、ワークを静止した状態での５５ｍｍ四方内へのレーザー光照射による凹部の形成、次の領域へのワークの移動、ワークを静止した状態での５５ｍｍ四方内へのレーザー光照射による凹部の形成を繰り返すことにより、所定の加工領域に対してレーザー光を照射して凹部を形成することができる。

図１４に、実施例１における凹部の加工条件を示した。
実施例１の凹部５の加工条件は次の通りに設定している。即ち、レーザー光の発振周波数は５０ｋＨｚであり、レーザー走査速度は０．５ｍ/ｓｅｃである。ここで、発振周波数とレーザー走査速度は、次の結果から設定した。

先ず、発振周波数の設定において、図１０に示す発振周波数によるレーザー平均出力の変化を参考にした。レーザー平均出力は、発振周波数によって変化し、５０ｋＨｚ付近が最大値になる。よって、発振周波数は、最大パワーが得られる５０ｋＨｚに設定した。

次に、レーザー走査速度の設定について説明する。図１１に、凹部端部の加工状態を顕微鏡写真で示した。パルス光を照射して凹部を形成するために、レーザー光照射条件によっては、凹部端部でラインエッジラフネス（ＬＥＲ：Ｌｉｎｅ Ｅｄｇｅ Ｒｏｕｇｈｎｅｓｓ）が大きくなる。ラインエッジラフネスとは、境界部分（凹部の端部）に発生する揺らぎを指す。ＬＥＲはレーザー光照射条件によって抑制できる。具体的には、「レーザー走査速度（ｍｍ／ｓｅｃ）÷発振周波数（（Ｈｚ）１／ｓｅｃ）」にて求められるパルス間隔の長さ（ｍｍ）が、レーザービーム径以下になるように、レーザー走査速度と発振周波数を設定することによって、ＬＥＲの発生が抑制できる。

本実施例１の場合、レーザービーム径が１０μｍであり、発振周波数が５０ｋＨｚであるので、レーザー走査速度は０．５ｍ／ｓｅｃ以下に設定した。因みに、レーザー出力は、６０ｍＷに設定した。

図１１の１１０３に、発振周波数５０ｋＨｚ、レーザー走査速度は０．５ｍ／ｓｅｃで加工した凹部端部の状態を示した。つまり、パルス間隔の長さがレーザービーム径と同じ１０μｍとなる設定である。図示のように、凹部端部にはＬＥＲ（０μｍ）は認められず、端部の形状はテーパー状になった。しかし、１１０１と１１０２のように、パルス間隔の長さがレーザービーム径以上となる、発振周波数又は走査速度に設定されていると、凹部端部にはＬＥＲが生じてしまうことが確認されている。

図１２に、凹部の加工状態を顕微鏡写真で示した。凹部の幅は加工条件によって変えることができる。図１２の１２０１〜１２０４は、図１４の「実施例１」の４つの場合（幅狭の凹部〜幅広の凹部）を示しており、それぞれ発振周波数５０ｋＨｚ、レーザー走査速度は０．５ｍ／ｓｅｃで加工した凹部である。

凹部５は、複数の平行なレーザー光を線状に走査して異なる幅に形成できる。つまり、一つの凹部５を形成する際、レーザー光の走査回数を変えることによって凹部の幅を変えることができる。ここで、線状とは、直線又は曲線のことであり、線はレーザー光のビーム径の中心を通過する位置を指している。複数の平行なレーザー光を走査して凹部５を形成する場合には、複数の平行な線の間隔を、レーザー光のビーム径以下としている。

具体的には、先ず、濡れ性変化層３の上面において、所定の走査方向に沿ってレーザー光を走査する第１のレーザー光走査工程が行なわれる。そして、第１のレーザー光走査工程の走査方向と平行で、且つ直前のレーザー光の走査開始位置より、レーザー光のビーム径以下にシフトした位置で、レーザー光の走査を繰り返す、繰返し走査工程が行なわれることにより、所定の幅の凹部５を形成することができる。

繰返し走査工程の走査開始位置は、第１の走査方向に対して垂直方向に順次シフトされる。そのシフト量が、レーザー光のビーム径以下にシフトして行なわれるため、図１に示す、凹部の底面に突出部が無い状態で凹部の幅を変えることができる。

本実施例では１回目のレーザー走査位置に対する２回目のレーザー光の走査位置のシフト量は、レーザービーム径と同じ１０μｍとし、且つレーザー光の走査回数を２回として凹部５を形成した。この限りではなく、複数回レーザー光の走査を行なって異なる幅の凹部５を形成できる。因みに、予めレーザー光の走査回数を１回で形成できる凹部の幅を求めておくことによって、次の関係式から凹部の幅を設定することができる。即ち「凹部幅＝レーザービーム径×レーザー走査回数＋レーザー走査１回の場合の凹部幅」である。

上記のレーザー光の走査により、凹部５の形状は、前記導電層４の導通方向に対して直交する断面形状おいて、両側壁が下方に向かって連続的に幅狭に傾斜するテーパー面となり、当該側壁の上縁部５ａはなだらかな曲面になるように形成される。また、図１２の１２０１〜１２０４に示すように、いずれの凹部幅においても端部の形状はテーパー状になることが確認された。

次いで、インクジェット法により、粒径約３０ｎｍのＡｇ粒子を水系溶媒に分散した導電性インク６１を凹部５上に選択的に塗布した（図６（ｃ））。ここでは、水系の金属微粒子分散液を用いているため、導電性インク６１はレーザーアブレーション法で形成した凹部５にわたって広がり、インクジェットの液滴サイズによらず微細なパターンも形成できる。そして、大気中１００℃のオーブンでプリベークを行い、同じく大気中１８０℃のオーブンで、１時間のポストベークを行った。これにより、凹部５の内部に導電層４であるＡｇ配線４を形成した（図６（ｄ））。

図８には、上記製造方法で製造した配線基板８０１のうち、一つの導電層４（一本の配線）の断面形状を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）像で示す。

８０２はガラス基板、８０３は濡れ性変化層であるポリイミド、８０４は導電層であるＡｇ配線、８０５はポリイミドに形成した凹部である。凹部８０５の内部は側壁が下方に向かって傾斜するテーパー面に形成され、上縁部８０５ａはなだらかな曲面に形成されているために屈曲部が全く存在しない。したがって、凹部８０５内の導電層８０４は、上縁部８０５ａに向かって導電層８０４の厚みが緩やかに薄くなる特性を有する。テーパー角度は２０°程度である。

濡れ性変化層であるポリイミド層８０３の膜厚８０６は５７０ｎｍである。ポリイミドに形成した凹部８０５の深さ８０７は、ポリイミド層８０３の膜厚８０６とほぼ等しい５７０ｎｍである。凹部中心付近におけるＡｇ配線８０４（導電層）の厚み８０８は、２６０ｎｍである。凹部端部近傍のＡｇ配線８０４の厚みは、凹部上縁部８０５ａに近づくにつれて薄い。凹部の幅８０９は３０μｍであり、Ａｇ配線の幅８１０は同じく３０μｍである。

上記した配線基板１の製造方法により、フォトリソグラフィの手法を用いることなく、簡易な方法で、配線基板１を製造できる。また、導電層４を形成する際に、濡れ性変化層３とレーザーアブレーション法を組み合わせて用いることにより、凹部５の形成と、加工した凹部５の表面を高表面エネルギー領域に変えることを同時に行える。このため、より少ない工程数で、より微細であり、絶縁性の低下がなく、精度の高い導電層４を形成できる。また、上記レーザーアブレーション法により、凹部５の形状、特に上縁部５ａが上記のようななだらか曲面になるように微細に調整して、電界集中が生じることを効果的に抑制できる。更に、隣接する導電層４の絶縁耐圧を確実に確保する凹部５を、効率よく製造することができる。特に「パルス間隔の長さ（ｍｍ）＝レーザー走査速度（ｍｍ／ｓｅｃ）÷発振周波数（（Ｈｚ）１／ｓｅｃ）」にて求められるパルス間隔の長さが、レーザービーム径以下になるように、レーザー走査速度と発振周波数を設定することによって、ＬＥＲの発生を確実に抑制できる。

次に、本発明の実施例２を図２に基づいて説明する。
図２に、配線基板２１の断面形状を示した。図示した断面図は、導電層２４の導通方向（図１Ｂ参照）に対して直交する断面形状を示している。実施例２は実施例１と略同様の技術的思想に基づいており、以下に、その相違点を中心に説明する。

２２は支持基板であるガラス基板、２３は濡れ性変化層であるポリイミド、２４は導電層であるＡｇ配線、２５はポリイミドに形成した凹部である。濡れ性変化層２３であるポリイミド２３は、上記実施例１に示す材料と同じ材料を用いて形成した。導電層２４であるＡｇ配線２４も、上記実施例１に示す材料と同じ材料を用いて形成した。

実施例２の凹部２５は、導電層２４の導通方向に対して直交する断面形状において、当該凹部２５の両側壁が下方に向かって幅狭に傾斜するテーパー面とされている。また、当該側壁の上縁部２５ａがなだらかな曲面に形成されており、濡れ性変化層２３の上面と屈曲部無く繋がる形状とされている。そのテーパー角度は２０°程度である。そのため図９に示した従来の凹部９０に比して、屈曲部が全く存在しない。つまり、上縁部５ａに向かって導電層４の厚みが緩やかに薄くなるように形成されている点は、実施例１と同じである。

凹部２５の底面には、屈曲部が無い緩やかな凸形状の突出部２５ｂが形成されている。図示例では突出部２５ｂは一箇所であるが、適宜複数形成して実施することもできる。つまり、凹部２５内において、底部が波形形状に形成されており、突出部２５ｂにより凹部深さが浅い部分２５Ｍが形成される構成である。

したがって、凹部２５の浅い深さ２５Ｍにおける導電層２４の膜厚２４Ｍは、凹部２５の深い部分２５Ｈにおける導電層２４の膜厚２４Ｈよりも薄くなっている。

図示例では、導電層２４の厚みは、その中心部においては薄く２４Ｍ、上縁部２５ａ付近では更に薄い２４Ｌに形成されている。

また、凹部２５の深さは、深い部分２５Ｈで導電層２４の膜厚２４Ｈとほぼ等しい５７０ｎｍであり、浅い部分２５Ｍの深さは、深い部分の半分程度に形成される。

導電層２４（Ａｇ配線）の厚み２４Ｈは、凹部２５の深さ２５Ｈとほぼ同じか若干薄くなっている。導電層２４（Ａｇ配線）の厚み２４Ｍも、凹部２５の浅い深さ２５Ｍとほぼ同じになっている。凹部２５の幅２６は６０μｍである。

凹部２５の上縁部２５ａ付近の導電層２４（Ａｇ配線）の厚み２４Ｌは、上縁部２５ａに近づくにつれて徐々に薄くなっている。導電層２４（Ａｇ配線）の幅２７は、凹部２５の幅２６に一致し、６０μｍである。

上記のように、凹部２５の断面形状は導通方向と直交する面において、その両側壁が下方に向かって連続的に傾斜するテーパー面とされ、底部が突出部２５ｂにより波形形状とされる構成である。したがって、凹部２５と、当該凹部２５内に形成される導電層２４との接触面積が大きくなり、導電層２４の密着性を上げることができる。また、導電層２４の表面積を増加させることができ、アンテナのような金属材料の表皮効果を利用するデバイスには有効な構造となる。

［実施例２に係る配線基板の製造方法］
実施例２の配線基板２１の製造方法を簡潔に説明する。なお、製造方法は既に実施の形態で図６を用いて説明した通りであり、新たに図面を作成することは省略した。以下に、実施例１との相違点のみ説明する。

つまり、濡れ性変化層２３に凹部２５を形成する手法が異なる（図６（ｂ）に該当）。とは言え、レーザーアブレーション法であることは同じである。

図１４に、実施例２における凹部の加工条件を示した。
発振周波数、レーザー走査速度、レーザー出力は実施例１と同じである。実施例１と異なるのは、複数回レーザー光を走査して凹部を形成する際の、２回目以降のレーザー光の走査開始位置のシフト量である。シフト量は実施例１よりも大きく２０μｍに設定している。実施例１では、レーザー光の走査位置のシフト量をレーザービーム径と等しく１０μｍに設定することで、底面に突出部が存在しない凹部を形成した。実施例２では、レーザー光の走査位置のシフト量を、レーザービーム径を超えた設定にすることにより、凹部の底面に突出部２５ｂを形成することができる。

まず、支持基板２２の上面に、実施例１で記載したと同様の製造方法により濡れ性変化層２３であるポリイミド層が形成される。

実施例２の凹部２５は、図２に示すように複数の平行なレーザー光を線状に走査して（図示では２回）形成されるものであり、複数（図示では２本）の平行な線の間隔が、レーザー光のビーム径を越えるようにレーザ光の走査が行なわれる。線状とは、直線又は曲線のことであり、線はレーザー光のビーム径の中心を通過する位置を指している。

具体的には、濡れ性変化層２３の上面に先ず、第１のレーザー光走査工程において、一箇所の凹み部２５Ｌを形成する。２回目のレーザー光の走査（実施例１の繰返し走査工程に相当）においては、１回目のレーザー光の走査位置より、レーザービーム径を越えた２０μｍにシフトさせてレーザー光を走査し、凹み部２５Ｒを形成する。ここで、レーザービーム径を超えるとは、凹み部２５Ｌと凹み部２５Ｒの中心間の距離が、レーザビーム径を超えているという意味である。したがって、凹部幅が広く、底面部が波形形状の凹部２５が形成できる。１回目のレーザー光の走査によって形成された左側の凹み部（２５Ｌ）と、オーバーラップ部分Ｒを形成可能な位置に、右側の凹み部（２５Ｒ）を形成するように位置決めされる。上記のように製造すると、凹部２５の中央部に、前記オーバーラップ部分Ｒが突出部２５ｂとして形成され、底面に突出部２５ｂが存在する凹部２５が形成できる。

その後、前記凹部２５内に導電性インク６１が塗布、固化されて導電層２４が形成されることは（図６（ｃ）、（ｄ）に該当）、上記実施例１と同様である。

上記の製造方法により、凹部２５の両側壁を下方に向かって連続的に傾斜するテーパー面に形成して屈曲部を全く存在させない。また、側壁の上縁部２５ａをなだらかな曲面にできる。つまり、上縁部２５ａに向かって導電層２４の厚みが緩やかに薄く形成できる。

次に、本発明の実施例３を図３に基づいて説明する。
図３に、配線基板３１の断面形状を示した。図示した断面図は、導電層３４１、３４２の導通方向（図１Ｂ参照）に対して直交する断面形状を示している。実施例３は実施例１、２と略同様の技術的思想に基づいており、以下に、その相違点を中心に説明する。

３２はガラス基板、３３は濡れ性変化層であるポリイミド、３５１はポリイミドに形成した幅の狭い凹部、３４１は幅の狭い凹部上の導電層（Ａｇ配線）である。３５２はポリイミドに形成した幅の広い凹部、３４２は幅の広い凹部上の導電層（Ａｇ配線）である。濡れ性変化層であるポリイミド３３は、実施例１、２に示す材料と同じ材料を用いて形成した。導電層であるＡｇ配線３４１、３４２は、実施例１、２と同じ材料を用いて形成した。

要するに、濡れ性変化層３３の同一平面内に、幅の狭い凹部３５１と幅の広い凹部３５２による、二種類の導電層３４１、３４２が形成されている。

因みに、凹部３５１、３５２は、導電層３４１、３４２の導通方向に対して直交する断面形状において、両側壁が下方に向かって連続的に幅狭に傾斜するテーパー面とされている。また、凹部３５１、３５２の上縁部３５１ａ、３５２ａはなだらかな曲面に形成されている。つまり、上縁部３５１ａに向かって導電層３４１の厚みが緩やかに薄くなるように形成されている点、また、上縁部３５２ａ向かって導電層３４２の厚みが緩やかに薄くなるように形成されている点は、実施例１、２と同じである。

凹部３５２の断面形状は、その底面に屈曲部が無く緩やかな凸形状の突出部３５２ｂが複数設けられている。図示例では、６個の突出部３５２ｂを設けた。

実施例３の濡れ性変化層３３には、同一平面内に横幅の異なる二種類の凹部３５１と凹部３５２が存在し両者の関係について特長がある。

以下に、凹部３５１と凹部３５２の関係について具体的に説明する。

端的に言うと、幅３６の幅狭な凹部３５１と、幅３７の幅広な凹部３５２とは、両凹部の内部に形成される導電層３４１、３４２の断面積が近くなるような厚さと形状に形成されている。導電層３４１、３４２と、凹部３５１、３５２とは、図３では、導通方向に対して直行する断面形状に記載しているので、「導電層３４１、３４２の断面積が近くなるような」と上述した。しかし、導電層３４１、４３２と、凹部３５１、３５２とは、実際には図１Ｂに示すように導通方向に伸びる形状であるため、「導電層３４１、３４２の体積が近くなるような」形状に、凹部３５１、３５２が形成される。

したがって、濡れ性変化層３３の同一層内（同一面内）において、二種類の導電層３４１、３４２の厚みが異なる。配線幅が広い導電層３４２の厚さ３４２Ｈは、配線幅が細い導電層３４１の厚さ３４１Ｈよりも薄く形成して、導電層３４１と３４２の断面積を近づける。上記の構成とすることで、導電層３４１と３４２の抵抗の不連続性を抑制することができる。

上記した濡れ性変化層３３に形成した幅の狭い凹部３５１の深さ３５１Ｈは、５００ｎｍであり、幅の広い凹部３５２の深い部分３５２Ｈは１５０ｎｍに形成されている。

凹部３５１内の導電層３４１（Ａｇ配線）の厚み３４１Ｈは、凹部深さ３５１Ｈとほぼ同じか若干薄くなっている。導電層３４１（Ａｇ配線）の幅３８は、凹部３５１の幅３６に一致し、２０μｍである。凹部３５２内の導電層３４２（Ａｇ配線）の厚み３４２Ｈも、凹部深さ３５２Ｈとほぼ同じか若干薄くなっている。凹部３５２の幅３７は６０μｍとされている。また、導電層３４２（Ａｇ配線）の幅３９は、凹部３５２の幅３７に一致し、６０μｍとされている。

図示例では二種類の凹部を例に取り説明したが、二種類以上の凹部が存在する場合においても、各凹部の異なる幅に応じて、複数の導電層の断面積（体積）が近くなるように、当該凹部の深さと形状が適宜調整される。

［実施例３に係る配線基板の製造方法］
実施例３の配線基板３１の製造方法を簡潔に説明する。なお、製造方法は既に実施の形態で図６を用いて説明した通りであり、新たに図面を作成して一から説明することは省略した。以下に、実施例１、２との相違点のみ説明する。

つまり、濡れ性変化層３３へ幅の異なる二種類の凹部３５１、凹部３５２を形成する手法（図６（ｂ）に該当）が異なる。とは言え、レーザーアブレーション法であることは同じである。

図１４に、実施例３における凹部の加工条件を示した。
発振周波数、レーザー走査速度、走査位置のシフト量は実施例１と同じである。実施例１との相違点は、レーザー出力である。幅広の凹部を形成する場合には、幅狭の凹部を形成する場合よりもレーザー出力を下げる。凹部の深さはレーザー出力に応じて変化する。凹部の幅は、実施例１と同様にレーザー光の走査回数に応じて変化する。したがって、幅広の凹部の形成する際には、幅狭の凹部を形成する条件よりも、レーザー出力が低く、レーザー光の走査回数が多くなっている。実施例３の場合、幅狭の凹部３５１は、レーザー出力を４０ｍＷ、レーザー光の走査回数を１回とし、幅広の凹部３５２は、レーザー出力を２０ｍＷ、レーザー光の走査回数を６回とした。

配線基板の製造方法としては、まず、支持基板３２の上面に、実施例１で記載したと同様の製造方法により濡れ性変化層３３であるポリイミド層が形成される。

次に、図３の左側に示す幅３６の狭い凹部３５１は、レーザー出力を４０ｍＷに調整して、右側に示す幅３７の広い凹部３５２より深くなるように形成した。凹部３５２は、レーザー出力を２０ｍＷに下げ、実施例２で説明したと同様に、１回目のレーザー光の走査に対して、２回目以降のレーザー光の走査位置を左右方向（走査位置に対して垂直方向）に少しずつシフトさせることによって、幅が広く浅い凹部３５２を形成する。レーザー光の走査位置のシフト量は実施例１と同じくレーザービーム径以下の１０μｍである。

図１３に、凹部の加工状態を顕微鏡写真で示した。
図１３の１３０１（図３の凹部３５１に相当）および１３０２（図３の凹部３５２に相当）は、それぞれ発振周波数５０ｋＨｚ、レーザー走査速度は０．５ｍ／ｓｅｃで加工した凹部である。レーザー出力とレーザー光の走査回数を、それぞれに変えることによって、幅が狭く深い凹部１３０１と、幅が広く浅い凹部１３０２を形成できた。「凹部断面積＝凹部幅×深さ」の関係式で概略見積もる断面積は、幅が狭く深い凹部１３０１では、１μｍ^２、幅が広く浅い凹部１３０２では０.９μｍ^２であり、近い値に形成できる。また、図１３の１３０１に示すように、凹部端部の形状はテーパー状になっている。

その後、前記各凹部３５１、３５２内に導電性インク６１が塗布、固化されて導電層３４１、３４２が形成される（図６（ｃ）、（ｄ）に該当）ことは、上記実施例１、２と同様である。

したがって、上記レーザー光の走査により形成された凹部３５１と３５２内の断面積が近くなると、凹部３５１、３５２内に形成される導電層３４１と３４２の断面積（体積）も近くなり、導電層３４１、３４２の抵抗の不連続性を抑制できるのである。

上記の製造方法により、凹部３５１の両側壁を下方に向かって連続的に幅狭に傾斜するテーパー面にして屈曲部を全く存在させない。また、上縁部３５１ａをなだらかな曲面に形成できる。凹部３５２も同じように、両側壁を幅狭に傾斜するテーパー面にして屈曲部を全く存在させない。また、上縁部３５２ａをなだらかな曲面に形成できることは上記したとおりである。

次に、本発明の実施例４を図４に基づいて説明する。
図４に、配線基板４１の断面形状を示した。図示した断面図は、導電層４４の導通方向（図１Ｂ参照）に対して直交する断面形状を示している。実施例４は実施例１〜３と略同様の技術的思想に基づいており、以下に、その相違点を中心に説明する。

実施例４の配線基板４１において、４２は支持基板、４３は濡れ性変化層、４４は凹部上の導電層、４５は濡れ性変化層に形成された凹部、４６は絶縁層であり、前記した４２〜２６を積層した構成とされている。

本実施例４の特長は、支持基板４２と、濡れ性変化層４３との間に絶縁層４６を介在している点にある。したがって、濡れ性変化層４３と、絶縁層４６とで機能を分離することが可能となり、層間耐圧を確実に確保して、精度の高い配線基板を実現できる。

支持基板４２はガラス基板、濡れ性変化層４３はポリイミド、導電層４４はＡｇ配線である点は、上記した各実施例と同様である。

本実施例の絶縁層４６は絶縁性ポリイミドを使用している。このポリイミドは、濡れ性変化層４３であるポリイミドとは異なり、側鎖にデンドリマーを含む可溶性ポリイミド材料Ａを混合せず、側鎖を有さない。よって、絶縁性ポリイミドとして、濡れ性変化層４３のポリイミドとは区別している。

具体的には、絶縁層４６は、有機材料では、ポリイミド、ポリアミドイミド、エポキシ樹脂、シルセスキオキサン、ポリビニルフェノール、ポリカーボネート、フッ素系樹脂、ポリパラキシリレン、ポリビニルブチラール等が挙げられる。ここで、ポリビニルフェノールやポリビニルアルコールは適当な架橋剤によって、架橋して用いてもよい。また、無機材料では、ＴｉＯ_２、ＳｉＯ_２、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＳｉＯＮなどが挙げられる。

要するに、支持基板４２と濡れ性変化層４３とを分離できる材料であれば適宜使用することができる。

因みに、上記した絶縁層４６の膜厚４６Ｈは５００ｎｍである。濡れ性変化層４３の膜厚４３Ｈは５７０ｎｍである。凹部４５の深さ４５Ｈは、濡れ性変化層４３の膜厚４３Ｈよりも若干浅い５００ｎｍである。

また、凹部４５の幅４７は２０μｍである。凹部４５の中心付近における導電層４４（Ａｇ配線）の厚み４４Ｈは、凹部４５の深さ４５Ｈとほぼ同じか若干薄くなっている。凹部４５の上縁部４５ａ付近の導電層４４の厚み４４Ｌは、上縁部４５ａに近づくにつれて徐々に薄くなっている。導電層４４の幅４８は、凹部４５の幅４７に一致し、２０μｍである。

［実施例４に係る配線基板の製造方法］
実施例４の配線基板４１の作製方法を簡潔に説明する。なお、製造方法は既に実施の形態で図６を用いて説明した通りであり、新たに図面を作成して一から説明することは省略した。以下に、相違点を中心に説明する。

要するに、図６（ａ）以前に、支持基板４２の上面に絶縁層４６を形成する工程が行われている点が相違する。

先ず、ウェット洗浄を行ったガラス基板４２（支持基板）上に、ポリイミド溶液ＰＩ２１３Ｂ（商品名、丸善石油化学社製）をスピンコート法により塗布した後、窒素中、１００℃のプリベークと、１８０℃での焼成を行い絶縁層４６に形成する。

しかる後は、図６（ａ）〜（ｄ）と同様の製造方法である。即ち、絶縁層４６の上面に、濡れ性変化層４３であるポリイミドを、実施例１に示す材料と同じ材料を、同じ方法を用いて形成する。濡れ性変化層４３に凹部４５を形成する方法も、実施例１と同じ方法を用いて行う。

図１４に実施例４における凹部の加工条件を示した。
発振周波数、レーザー走査速度、走査位置のシフト量は実施例１と同じである。実施例１と異なるのは、レーザー出力である。下層の絶縁性ポリイミド４６にダメージを与えないように、上層の濡れ性変化層であるポリイミド４３が凹部の底面に残るようにレーザー出力を４０ｍＷに下げて加工した。

また、凹部４５内に形成される導電層４４であるＡｇ配線４４も、実施例１に示す材料と同じ材料を、同じ方法を用いて形成する。

上記の製造方法により、凹部４５の両側壁を下方に向かって幅狭に傾斜するテーパー面にして屈曲部を全く存在させない。また、上縁部４５ａをなだらかな曲面に形成できることは上記したとおりである。テーパー角度は２０°程度である

次に、本発明の実施例５を図５に基づいて説明する。
図５に、配線基板５１の断面形状を示した。図示した断面図は、導電層５４の導通方向（図１Ｂ参照）に対して直交する断面形状を示している。実施例５は実施例１又は４と略同様の技術的思想に基づいており、以下に、その相違点を中心に説明する。

配線基板５１の基本構成は、上記実施例４に記載した、支持基板５２と濡れ性変化層５３との間に絶縁層５６を介在させる点が同様である。

また、支持基板５２は、ガラス基板、濡れ性変化層５３はポリイミド、導電層５４はＡｇ配線である点は上記した各実施例と同様であり、絶縁層５６が濡れ性変化層５３とは異なるポリイミドが使用されることも同じである。

相違点は、支持基板５２の上面に、絶縁層５６を介在させた導電層５４を有する濡れ性変化層５３を一ユニットとする積層ユニットが、上下方向に複数積層されていることにある。５０１は１層目の積層ユニット構造、５０２は２層目の積層ユニット構造、５０３は３層目の積層ユニット構造をそれぞれ示し、１層目の構造を繰り返し積層した多層構造である。

上記積層構造は、濡れ性変化層５３の間に絶縁層４６を介在させることでリセス（段差状の凹み）が少ない積層配線を実現でき、層間耐圧を確実に確保することができる。

［実施例５に係る配線基板の製造方法］
実施例５の配線基板５１の作製方法について簡潔に説明する。なお、製造方法は既に実施の形態で図６を用いて説明した通りであり、新たに図面を作成して一から説明することは省略した。

特に本実施例５の配線基板５１の製造方法は、実施例４に記載した製造方法を上下方向に繰り返してなされるものであり、１層目の積層ユニット５０１について特に説明することは省略する。

実施例４の製造方法で１層目の積層ユニット構造５０１が製造されると、１層目の最上層に位置する濡れ性変化層５３の上面に、ポリイミド溶液ＰＩ２１３Ｂ（商品名、丸善石油化学社製）をスピンコート法により塗布する。そして、窒素中、１００℃のプリベークと、１８０℃での焼成を行って、絶縁層５６を形成する。

その後、絶縁層５６の上面に濡れ性変化層５３を、実施例１と同じ方法を用いて形成する。そして、濡れ性変化層５３に、凹部５５と、導電層５４であるＡｇ配線５４を、実施例１と同じ方法を用いて形成して、２層目の積層ユニット構造５０２を製造する。

上記２層目の積層ユニット構造５０２の製造方法を繰り返すことで、３層目以上の積層ユニット構造が構築される。

以上のとおり、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は上述した実施の形態に制限されるものではない。また、本発明は、添付の特許請求の範囲に照らし、種々に変形又は変更することが可能である。

１、２１、３１、４１、５１、８０１ 配線基板
２、２２、３２、４２、５２、８０２ 支持基板
３、２３、３３、４３、５３、８０３ 濡れ性変化層
４、２４、３４１、３４２、４４、５４、８０４ 導電層（配線層）
５、２５、３５１、３５２、４５、５５、８０５ 凹部
４６、５６ 絶縁層
６０ レーザービーム
６１ 導電性インク
７００ レーザーアブレーション装置

特開２００６―１６３４１８号公報 特開２００９―１０５４１３号公報 特開２０１３−０１６７７３号公報

Claims (10)

1. 支持基板と、当該支持基板の上面に設置されるエネルギーの付与により臨界表面張力が変化する材料を含有する濡れ性変化層と、当該濡れ性変化層に形成された凹部の内部に導電層を有する配線基板であって、
   前記凹部は、前記導電層の導通方向に対して直交する断面形状において、前記凹部の両側壁が下方に向かって傾斜するテーパー面とされており、前記両側壁の上縁部はなだらかな曲面に形成されていることを特徴とする、配線基板。
2. 前記凹部は、前記導電層の導通方向に対して直交する断面形状において、当該凹部の底面に突出部が少なくとも１つ形成されていることを特徴とする、請求項１に記載した配線基板。
3. 前記濡れ性変化層には、同一平面内に複数の幅の異なる凹部が形成されており、
   幅が狭い凹部ほど導電層の厚みが厚いことを特徴とする、請求項１又は２に記載した配線基板。
4. 前記支持基板と、前記濡れ性変化層との間に絶縁層が介在されていることを特徴とする、請求項１〜３の何れか一項に記載した配線基板。
5. 前記支持基板の上に、絶縁層を介在させた導電層を有する濡れ性変化層が、上下方向に複数積層されていることを特徴とする、請求項１〜３の何れか一項に記載した配線基板。
6. 支持基板上に、エネルギーの付与により臨界表面張力が変化する材料を含有する濡れ性変化層を形成する工程と、レーザーアブレーション法により、前記濡れ性変化層に凹部を形成する工程と、前記凹部の内部に導電性インクを塗布して導電層を形成する配線基板の製造方法であって、
   前記凹部は、前記導電層の導通方向に対して直交する断面形状において、前記凹部の両側壁を下方に向かって傾斜させるテーパー面とし、前記両側壁の上縁部をなだらかな曲面に形成することを特徴とする、配線基板の製造方法。
7. 前記レーザーアブレーション法により、前記濡れ性変化層に凹部を形成する工程において、
   レーザー光源として固体レーザーを用い、レーザー光を走査する手段としてガルバノスキャナを用い、レーザー走査速度と発振周波数は、レーザー走査速度÷発振周波数で求められるパルス間隔の長さが、レーザービーム径以下となるように設定されていることを特徴とする、請求項６に記載した配線基板の製造方法。
8. 前記凹部は、複数の平行なレーザー光を線状に走査して形成されており、
   前記複数の平行な線の間隔は、レーザー光のビーム径以下とされていることを特徴とする、請求項６又は７に記載した配線基板の製造方法。
9. 前記凹部は、複数の平行なレーザー光を線状に走査して形成されており、
   前記複数の線の間隔が、レーザー光のビーム径を越えていることを特徴とする、請求項６又は７に記載した配線基板の製造方法。
10. 前記濡れ性変化層の同一平面内に複数の幅の異なる凹部が形成されており、
    幅が狭い凹部ほど前記導電層の厚みが厚いことを特徴とする、請求項６〜９の何れか一項に記載した配線基板の製造方法。