JP5444725B2 - 積層構造体及び積層構造体の製造方法 - Google Patents
積層構造体及び積層構造体の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5444725B2 JP5444725B2 JP2009011364A JP2009011364A JP5444725B2 JP 5444725 B2 JP5444725 B2 JP 5444725B2 JP 2009011364 A JP2009011364 A JP 2009011364A JP 2009011364 A JP2009011364 A JP 2009011364A JP 5444725 B2 JP5444725 B2 JP 5444725B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- surface energy
- high surface
- energy region
- conductive layer
- forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Description
図1に、本実施の形態における積層構造体の構造を示す。図1(a)は、この積層構造体の上面図であり、図1(b)は、図1(a)における破線1A−1Bにおいて切断した断面図である。
次に、本実施の形態における積層構造体の製造方法について説明する。
次に、導電性材料を含む溶液の液滴を供給するための液滴吐出装置であるインクジェット装置について説明する。
本実施例は、図9に示す積層構造体の作製に関するものである。具体的に、本実施例の積層構造体の作製方法について説明する。尚、図9(a)は、この状態の上面図であり、図9(b)は、図9(a)における破線9A−9Bにおいて切断した断面図である。
これにより、濡れ性変化層30の表面に第2の高表面エネルギー領域42を形成する。尚、この際照射される紫外線照射量は、10J/cm2である。
本実施例は、図10に示す積層構造体の作製に関するものである。本実施例では、第2の高表面エネルギー領域42を形成するために照射する紫外線照射量を40J/cm2とし、これ以外の条件は実施例1と同じ条件により積層構造体を作製したものである。尚、図10(a)は、この状態の上面図であり、図10(b)は、図10(a)における破線10A−10Bにおいて切断した断面図である。
(実施例3)
本実施例は、図11に示す積層構造体の作製に関するものである。尚、図11(a)は、この状態の上面図であり、図11(b)は、図11(a)における破線11A−11Bにおいて切断した断面図である。
実施例4として、図12に示す積層構造体を作製し、マイグレーション試験を行なった。尚、図12(a)は、この状態の上面図であり、図12(b)は、図12(a)における破線12A−12Bにおいて切断した断面図である。
比較例1として、図13に示す積層構造体を作製し、マイグレーション試験を行なった。尚、図13(a)は、この状態の上面図であり、図13(b)は、図13(a)における破線13A−13Bにおいて切断した断面図である。
において、櫛形電極間に20Vの電圧を印加し、マイグレーション試験を行なった結
果を表1に示す。表1より、比較例1における積層構造体では、すべて100時間に達する前に櫛形電極間における絶縁抵抗が1MΩ以下となり、マイグレーションが発生した。一方、実施例4における積層構造体では、すべての積層構造体において、100時間を経過しても、櫛形電極間における絶縁抵抗が1MΩ以下となることはなかった。これにより、実施例4の積層構造体の耐マイグレーション性が確認された。
30 濡れ性変化層
40 高表面エネルギー領域
41 第1の高表面エネルギー領域
42 第2の高表面エネルギー領域
50 低表面エネルギー領域
51 第1の低表面エネルギー領域
52 第2の低表面エネルギー領域
70 導電層
80 フォトマスク
90 液滴吐出ノズル
Claims (12)
- 基板と、
前記基板上において、エネルギーを付与することにより臨界表面張力が変化し、低表面エネルギー状態から高表面エネルギー状態へと変化する材料を含むものであって、前記エネルギーの付与により、第1の高表面エネルギー領域及び第2の高表面エネルギー領域と、低表面エネルギー領域とが形成されている濡れ性変化層と、
前記第1の高表面エネルギー領域上に導電性材料により形成された第1の導電層と、
前記第2の高表面エネルギー領域上及び前記第1の導電層上に形成された第2の導電層と、
を有し、
前記第1の導電層を前記第2の導電層により覆われた積層構造の導電層が形成されているものであることを特徴とする積層構造体。 - 前記第2の高表面エネルギー領域は、前記第1の高表面エネルギー領域の外側に隣接して形成されていることを特徴とする請求項1に記載の積層構造体。
- 前記第1の高表面エネルギー領域と前記第2の高表面エネルギー領域との間には、低表面エネルギー領域が形成されていることを特徴とする請求項1に記載の積層構造体。
- 前記第1の高表面エネルギー領域よりも、前記第2の高表面エネルギー領域の前記基板面上の高さが、相対的に低いものであることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の積層構造体。
- 前記エネルギーの付与は紫外線照射により行なわれるものであって、前記第1の高表面エネルギー領域を形成する際に照射される紫外線照射量よりも、前記第2の高表面エネルギー領域を形成する際に照射される紫外線照射量の方が多いことを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の積層構造体。
- 前記第1の導電層を形成する導電性材料は、AgまたはCuであることを特徴とする請求項1から5のいずれかに記載の積層構造体。
- 前記第2の導電層を形成する導電性材料は、Sn、Au、Pd、Pt、Fe、Ni又はAlを含む合金、導電性ポリマー、カーボン、ITOであることを特徴とする請求項6に記載の積層構造体。
- 前記第2の導電層を形成する導電性材料は、前記第1の導電層を形成する導電性材料よりも、イオン化傾向が高いものであることを特徴とする請求項1から5のいずれかに記載の積層構造体。
- 基板上にエネルギーの付与により表面エネルギーが変化する濡れ性変化材料を含む濡れ性変化層を形成する工程と、
前記濡れ性変化層に前記エネルギーを付与することにより、第1の高表面エネルギー領域を形成する工程と、
前記第1の高表面エネルギー領域上に第1の導電性材料を含む溶液を供給する工程と、
前記第1の導電性材料を含む溶液を乾燥させることにより、前記第1の高表面エネルギー領域上に第1の導電層を形成する工程と、
前記濡れ性変化層の前記第1の導電層に隣接している部分又は近傍における部分に前記エネルギーを付与することにより、第2の高表面エネルギー領域を形成する工程と、
前記第2の高表面エネルギー領域上及び前記第1の導電層上に第2の導電性材料を含む溶液を供給する工程と、
前記第2の導電性材料を含む溶液を乾燥させることにより、前記第2の高表面エネルギー領域上及び第1の導電層上に第2の導電層を形成する工程と、
を有することを特徴とする積層構造体の製造方法。 - 基板上にエネルギーの付与により表面エネルギーが変化する濡れ性変化材料を含む濡れ性変化層を形成する工程と、
前記濡れ性変化層に前記エネルギーを付与することにより、第1の高表面エネルギー領域及び、前記第1の高表面エネルギー領域の近傍部分に第2の高表面エネルギー領域を形成する工程と、
前記第1の高表面エネルギー領域上に第1の導電性材料を含む溶液を供給する工程と、
前記第1の導電性材料を含む溶液を乾燥させることにより、前記第1の高表面エネルギー領域上に第1の導電層を形成する工程と、
前記第2の高表面エネルギー領域上、前記第1の導電層上及び前記第2の高表面エネルギー領域と前記第1の導電層との間の低表面エネルギー領域上に第2の導電性材料を含む溶液を供給する工程と、
前記第2の導電性材料を含む溶液を乾燥させることにより、前記第2の高表面エネルギー領域上、第1の導電層上及び前記第2の高表面エネルギー領域と前記第1の導電層との間の低表面エネルギー領域上に第2の導電層を形成する工程と、
を有することを特徴とする積層構造体の製造方法。 - 前記エネルギーの付与は紫外線照射により行なわれるものであって、前記第1の高表面エネルギー領域を形成するための紫外線照射量よりも、前記第2の高表面エネルギー領域を形成するための紫外線照射量の方が高いものであることを特徴とする請求項9又は10に記載の積層構造体の製造方法。
- 前記第1の導電性材料を含む溶液は、インクジェット法により供給されるものであることを特徴とする請求項9から11のいずれかに記載の積層構造体の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009011364A JP5444725B2 (ja) | 2009-01-21 | 2009-01-21 | 積層構造体及び積層構造体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009011364A JP5444725B2 (ja) | 2009-01-21 | 2009-01-21 | 積層構造体及び積層構造体の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010171148A JP2010171148A (ja) | 2010-08-05 |
JP5444725B2 true JP5444725B2 (ja) | 2014-03-19 |
Family
ID=42703003
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009011364A Expired - Fee Related JP5444725B2 (ja) | 2009-01-21 | 2009-01-21 | 積層構造体及び積層構造体の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5444725B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6094738B2 (ja) * | 2013-01-17 | 2017-03-15 | 国立大学法人山形大学 | 電子デバイス及びその製造方法 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4629997B2 (ja) * | 2003-06-02 | 2011-02-09 | 株式会社リコー | 薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタアレイ |
JP4666999B2 (ja) * | 2003-10-28 | 2011-04-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 配線及び薄膜トランジスタの作製方法 |
JP2006100324A (ja) * | 2004-09-28 | 2006-04-13 | Seiko Epson Corp | 膜パターンの形成方法 |
JP2006114438A (ja) * | 2004-10-18 | 2006-04-27 | Dainippon Printing Co Ltd | 電子表示媒体用ガスバリア膜 |
-
2009
- 2009-01-21 JP JP2009011364A patent/JP5444725B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2010171148A (ja) | 2010-08-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100900014B1 (ko) | 적층 구조체 및 그 제조방법, 다층 회로 기판, 액티브매트릭스 기판 및 전자 표시장치 | |
JP5978577B2 (ja) | 多層配線基板 | |
US20060236917A1 (en) | Method of forming conductive film and method of manufacturing electronic apparatus | |
JP6473361B2 (ja) | 電子デバイスの製造方法、および、電子デバイス | |
TWI382375B (zh) | 主動矩陣基板及電子顯示裝置 | |
JP6115008B2 (ja) | 配線部材、および、電子素子の製造方法と、それを用いた配線部材、積層配線、電子素子、電子素子アレイ及び表示装置。 | |
JP6197418B2 (ja) | 積層配線の形成方法、積層配線、及び電子素子 | |
JP5386852B2 (ja) | 積層構造体、半導体装置、積層構造体の製造方法及び半導体装置の製造方法 | |
JP2016184618A (ja) | 電子デバイス、その製造方法、および、回路基板 | |
JP5444725B2 (ja) | 積層構造体及び積層構造体の製造方法 | |
EP2040522B1 (en) | Laminated structure, forming method of the same, wiring board, matrix substrate and electronic display apparatus | |
JP4458075B2 (ja) | 層形成方法、アクティブマトリクス基板の製造方法、および多層配線基板の製造方法 | |
JP5434510B2 (ja) | 回路基板、画像表示装置、回路基板の製造方法及び画像表示装置の製造方法 | |
US8012870B2 (en) | Wiring structure between steps and wiring method thereof | |
JP2011014829A (ja) | パターン化膜およびその形成方法 | |
WO2017026127A1 (ja) | 導体とその製造方法、及びそれを用いた積層回路及び積層配線部材 | |
JP2009026900A (ja) | 積層構造体、電子素子及びそれらの製造方法、表示装置 | |
JP2010027862A (ja) | 積層構造体、多層配線基板、アクティブマトリックス基板、画像表示装置及び積層構造体の製造方法 | |
JP2005340437A (ja) | 多層配線基板の製造方法、電子デバイス及び電子機器 | |
JP5887881B2 (ja) | 配線の形成方法 | |
JP2008016643A (ja) | 多層配線基板の製造方法 | |
JP5453793B2 (ja) | 積層構造体の製造方法、有機薄膜トランジスタの製造方法及び有機薄膜トランジスタアレイの製造方法 | |
JP2016213325A (ja) | 多層配線構造、多層配線基板及び多層配線構造の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20111226 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120615 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130827 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130830 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20131022 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131028 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20131126 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20131209 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |