JP2011014829A - パターン化膜およびその形成方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】より簡易な方法で微細かつ平坦性に優れるパターン化膜を実現するためのパターン化膜の形成方法を提供する。
【解決手段】パターン化膜の形成方法は、第1の基板21上に被転写膜60を形成する工程と、第2の基板20上に濡れ性変化層30を形成する工程と、濡れ性変化層30に低表面エネルギー部位と高表面エネルギー部位とを形成する工程と、第1の基板21上に形成された被転写膜60を、濡れ性変化層30が形成された第2の基板20に押し当てる工程と、第2の基板20から第1の基板21を剥離して濡れ性変化層30の高表面エネルギー部位40のみに選択的に被転写膜60を転写してパターン化膜60aを形成する工程と、を備えている。
【選択図】図1D

Description

本発明は、例えば、導電体、絶縁体、半導体などの機能性材料からなるパターン化膜およびその形成方法に関する。
有機薄膜トランジスタや有機エレクトロルミネッセンス素子などの電子素子に用いられる機能性材料(導電体、絶縁体、半導体など)からなるパターン化膜の形成方法として、印刷法などの低コストプロセスが注目されている。従来このような電子素子の製造方法としてはフォトリソグラフィー法を用いるのが主流であったが、真空成膜装置などの大掛かりな設備を必要とし、工程数が多く、さらに材料使用効率が低いという問題があった。これに対して、機能性材料を含む機能液を、版などを介して基板上の所定位置に所定量だけ供給してパターン化膜を形成する印刷法は、大掛かりな設備が不要、工程数が少ない、材料使用効率が非常に高いといった特徴を有している。
これまでに様々な印刷方式が開発されてきたが、流動性を有する機能液を用いるという特徴から微細化や膜の平坦性に課題があった。例えばインクジェット法では低粘度の機能液をノズルから吐出させてパターニングするが、基板上での機能液の濡れ広がりや液だまり発生などの問題があり、50μm以下の微細化を実現するのが困難である。更に機能液の流動は溶媒の乾燥中にも生じ、乾燥後に平坦な膜が得られにくいという問題もある。
また、スクリーン印刷法では粘性の高いペースト状の機能液をスクリーンの開口部から吐出させてパターニングするが、ペーストの流動性によりパターン幅の揺らぎが発生し、数10μm以下の微細化が困難である。ペーストの流動性はパターン化膜の断面形状にも影響し、微細化が進むと断面形状がドーム型になってしまい平坦化が困難になるという問題もある。
上記印刷法とは別に、基板上に形成された被転写膜を他の基板に転写するといった、転写によるパターン化膜の形成法が提案されている。
例えば特許文献1では、基材上に濡れ性の異なる部位を有する濡れ性変化層と濡れ性変化層上に形成された有機EL層を有する転写シートを作製し、電極層が形成された別基材に接触させた後、加熱および剥離によって有機EL層を別基材に転写する、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法が開示されている。
特許文献1記載のパターン化膜の形成方法は、簡易な製造工程で数10μmの微細なパターン化膜を形成することが可能な点で優れている。
しかしながら濡れ性の異なる部位を有する濡れ性変化層上に均一に有機EL層を塗布などにより形成するのは困難である。特に撥水性領域上に均一に有機EL層を形成するのは困難であり、撥水性領域上に形成された有機EL層を別基材に転写した際に、その膜厚が不均一になるという問題がある。
また、有機EL層は熱により溶融転写されるが、溶融させた場合に生じる流動性によって転写性が劣化する可能性がある。
さらに、転写シート上の濡れ性の高い領域にも有機EL層が形成されるために、一度転写した後、濡れ性の高い領域に残った有機EL層を剥離などで除去しなければならないため、転写シートを再利用することが困難である。
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、より簡易な方法で微細かつ平坦性に優れるパターン化膜を実現するためのパターン化膜の形成方法を提供することを目的とする。
上記の課題を解決するために第1の発明は、第1の基板上に直接または剥離層を介して被転写膜を形成する工程と、被転写膜が転写される相手側である第2の基板上に、エネルギーの付与により表面エネルギーが変化する濡れ性変化材料を含んでなり、少なくとも、相対的に表面エネルギーが高い高表面エネルギー部位と相対的に表面エネルギーが低い低表面エネルギー部位との2つの部位を有する濡れ性変化層を形成する工程と、第1の基板上に形成された被転写膜を第2の基板の濡れ性変化層に押し当てることで被転写膜の少なくとも一部を、前記濡れ性変化層の高表面エネルギー部位上に転写してパターン化膜を形成する工程と、を備え、前記濡れ性変化層の高表面エネルギー部位の表面エネルギーを、転写前に被転写膜が接する第1の基板もしくは剥離層の表面の表面エネルギーよりも高くしておくことを特徴とするパターン化膜の形成方法である。
また、第2の発明は、第1の発明において、前記第1の基板上に形成される剥離層として、前記濡れ性変化材料を含んでなる濡れ性変化層を用いることを特徴とするパターン化膜の形成方法である。
また、第3の発明は、第1の発明において、第2の基板上に形成された濡れ性変化層の低表面エネルギー部位の表面エネルギーを、転写前に被転写膜が接する第1の基板もしくは剥離層の表面の表面エネルギーよりも相対的に低くしておくことを特徴とするパターン化膜の形成方法である。
また、第4の発明は、第1から第3のいずれかの発明において、被転写膜が、少なくとも樹脂と無機微粒子とを含む混合物で形成されていることを特徴とするパターン化膜の形成方法である。
また、第5の発明は、第1から第4のいずれかの発明において、前記被転写膜を第1の基板または剥離層の上に部分的に形成することを特徴とするパターン化膜の形成方法である。
また、第6の発明は、上記いずれかのパターン化膜の形成方法により形成されたパターン化膜である。
第1の発明によれば、第2の基板上にエネルギーの付与により表面エネルギーが変化する濡れ性変化材料を含み、少なくとも表面エネルギーの異なる2つの部位を有する濡れ性変化層を形成しておくことにより、より密着性の高い高表面エネルギー部位に選択的に被転写膜が転写されるため、微細なパターン化膜を簡易な工程で得ることができる。
第2の発明によれば、第1の基板上の剥離層として濡れ性変化層を形成することによって、被転写膜が接する表面の表面エネルギーを任意に調節できるので、第2の基板上の濡れ性変化層の表面エネルギーとの高低差を設定しやすい。
第3の発明によれば、第2の基板上に形成された濡れ性変化層の低表面エネルギー部位の表面エネルギーが、被転写膜が接する表面の表面エネルギーよりも相対的に低く、濡れ性変化層の低表面エネルギー部位に被転写膜が転写されにくいため、濡れ性変化層の低表面エネルギー部位へ被転写膜の残渣付着を低減できる。
第4の発明によれば、少なくともポリマーと無機微粒子からなる混合物で被転写膜が形成されていることにより、樹脂とフィラーの組み合わせによって転写性・密着性・ガスバリア性・導電性・熱伝導性・硬度などの機能を制御可能である。
第5の発明によれば、被転写膜を第1の基板または剥離層の上に部分的に形成することによって段差が生じるので、第2の基板の濡れ性変化層に押し当てる際の圧接力を大きくし、転写効率を高めることができる。
第6の発明によれば、第1〜第5のいずれか1つの発明に係るパターン化膜の形成方法を用いることによって、低コストにパターン化膜を提供できる。
第1の実施の形態において、第1の基板上に被転写膜を形成した状態を示す図面である。 第1の実施の形態において、第2の基板上に濡れ性変化層を形成した状態を示す図面である。 第1の実施の形態において、濡れ性変化層上に、高表面エネルギー部位と低表面エネルギー部位を形成する工程を説明する図面である。 第1の実施の形態において、第1の基板上の被転写膜を、第2の基板上の濡れ性変化層に押し当てる工程を説明する図面である。 第1の実施の形態において、高表面エネルギー部位のみに選択的に被転写膜を転写した状態を示す図面である。 第2の実施の形態において、第1の基板上に濡れ性変化層と被転写膜を形成する工程を説明する図面である。 第2の実施の形態において、第2の基板上に濡れ性変化層を形成した状態を示す図面である。 第2の実施の形態において、第2の基板の濡れ性変化層上に、高表面エネルギー部位と低表面エネルギー部位を形成する工程を説明する図面である。 第2の実施の形態において、第1の基板上の被転写膜を、第2の基板上の濡れ性変化層に押し当てる工程を説明する図面である。 第2の実施の形態において、高表面エネルギー部位のみに選択的に被転写膜を転写した状態を示す図面である。 第3の実施の形態において、第1の基板上に濡れ性変化層と被転写膜を形成する工程を説明する図面である。 第3の実施の形態において、第2の基板上に濡れ性変化層を形成した状態を示す図面である。 第3の実施の形態において、第2の基板の濡れ性変化層上に、高表面エネルギー部位と低表面エネルギー部位を形成する工程を説明する図面である。 第3の実施の形態において、第1の基板上の被転写膜を、第2の基板上の濡れ性変化層に押し当てる工程を説明する図面である。 第3の実施の形態において、高表面エネルギー部位のみに選択的に被転写膜を転写した状態を示す図面である。
以下、本発明を実施するための形態について図面を参照しながら説明する。
[第1の実施の形態]
まず、本発明の第1の実施の形態のパターン化膜の形成方法について説明する。図1A〜図1Eは、第1の実施の形態のパターン化膜の形成方法の工程手順の一例を示した図である。
第1の実施の形態のパターン化膜の形成方法は、転写する側の第1の基板21上に被転写膜60を形成する第1の工程と、転写される側の第2の基板20上に濡れ性変化層30を形成する第2の工程と、濡れ性変化層30の一部に紫外線等のエネルギーを付与し、濡れ性変化層30に低表面エネルギー部位50と、この低表面エネルギー部位40よりも相対的に表面エネルギーが高い高表面エネルギー部位40とを形成する第3の工程と、第1の基板21上に形成された被転写膜60を、濡れ性変化層30が形成された第2の基板20に押し当てる第4の工程と、第2の基板20から第1の基板21を剥離して第2の基板20上の濡れ性変化層30の高表面エネルギー部位40のみに選択的に被転写膜60を部分的に転写してパターン化膜60aを形成する第5の工程と、を有する。
第1の工程では、導電体・絶縁体などの機能性材料を含有する機能液を第1の基板21上に塗布し、乾燥させて、図1Aに示すように、第1の基板21上に被転写膜60を形成する。
第1の基板21には、例えばガラス基板、シリコン基板、ステンレス基板、フィルム基板などの基板を用いることができる。フィルム基板としては、例えばポリイミド(PI)基板、ポリエーテルサルホン(PES)基板、ポリエチレンテレフタレート(PET)基板、ポリエチレンナフタレート(PEN)基板などを用いることができる。
被転写膜60の形成に用いられる機能性材料には、任意の材料を用いることができるが、第1の基板21上に塗布するために、無機材料からなる微粒子、有機材料、あるいはこれらの混合物を溶媒中に分散または溶解させたものを用いることが好ましい。
導電性材料を含む機能液の具体例としては、Au、Ag、Cu、Pt、Al、Ni、Pd、Pb、In、Sn、Zn、TIやこれらの合金、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化錫、酸化ガリウムなどの透明導電体からなる金属微粒子を有機溶媒や水などの溶媒中に分散させたインクや、金属錯体を有機溶媒や水などの溶媒中に溶解させたインクや、ドープドPANI(ポリアニリン)やPEDOT(ポリエチレンジオキシチオフェン)にPSS(ポリエチレンスルホン酸)をドープした導電性高分子の水溶液などが挙げられる。
また、絶縁体材料を含む機能液の具体例としては、ポリビニルアルコール、セルロース系ポリマー、シリコンポリマー、ポリエチレン、ポリスチレン、ポリアミド、高分子量ポリエーテル、ポリビニルブチラール、ポリビニルフェノール、メタクリル酸エステル重合体、アクリル酸エステル重合体、ブチルメタクリレート樹脂等のポリマー材料を、一般的な溶媒と混合したもの、さらに必要であれば可塑剤、粘度調整剤と混合したものを用いることができる。また、絶縁膜に高硬度、高熱伝導性、パシベーション性を付与したい場合は、絶縁性の無機物フィラーをこれらの樹脂に混合しても良い。フィラーとしては、例えば金属酸化物や金属窒化物の微粒子が好ましい。絶縁性の無機物の例としては、絶縁性のセラミックスに用いられるアルミナ、シリカ、チタニア、イットリア、ジルコニア、窒化アルミニウム、窒化珪素、窒化チタンなどの微粒子を用いることができる。
機能性材料を含有する機能液を第1の基板21上に塗布する方法は、例えばスピンコート法、ロールコート法、ダイコート法、ブレードコート法、ディップコート法、スクリーン印刷法、オフセット印刷法、インクジェット法、フレキソ印刷等が挙げられる。この場合、各種塗布方法に適した粘度・表面張力となるように機能液の物性を調整することが好ましい。塗布方法として印刷方法を用いる場合、転写したい領域のみに選択的に塗布することで材料使用効率を高めることが可能になると同時に、転写したい領域とそうでない領域に高低差(段差)が生じることで第4の工程において被転写膜に選択的に圧力を加えることが可能になるため、好適である(第3の実施の形態を参照)。
第1の基板21へ機能液を塗布した後、溶媒成分を乾燥させて被転写膜60が形成される。被転写膜60の膜厚は機能液の物性や塗布方法により制御可能である。
なお、後述する第2の実施の形態や第3の実施の形態にも示したが、被転写膜60は第1の基板21上に剥離層を介して形成されても良い。第1の基板21の表面エネルギーよりも相対的に表面エネルギーの低い剥離層を形成することで、剥離層と被転写膜60の密着性が下がるため、転写効率をより改善することが可能である。
次に、第2の工程では、濡れ性変化材料を含む溶液を、スピンコート法などにより第2の基板20上に塗布し、乾燥させて、図1Bに示したように濡れ性変化層30を形成する。
第2の基板20には、例えばガラス基板、シリコン基板、ステンレス基板、フィルム基板などの基板を用いることができる。ここで、フィルム基板としては、例えばポリイミド(PI)基板、ポリエーテルサルホン(PES)基板、ポリエチレンテレフタレート(PET)基板、ポリエチレンナフタレート(PEN)基板などを用いることができる。
濡れ性変化層30は、例えば、熱、電子線、紫外線、プラズマ等のエネルギーの付与により表面エネルギー(臨界表面張力)が変化する濡れ性変化材料を含む。この濡れ性変化材料には、側鎖に疎水性基を有する高分子材料を用いることができる。このような高分子材料は、紫外線などのエネルギーの付与により、疎水性基の結合が切断されることで、低表面エネルギー(疎水性)から高表面エネルギー(親水性)に変化する。したがって、所定のパターンを有するフォトマスクなどを用いて、紫外線を濡れ性変化層30上の一部に照射し、露光することで、濡れ性変化層30上の露光領域を高表面エネルギー部位40に変化させ、高表面エネルギー部位40と低表面エネルギー部位50とからなるパターンを形成することができる。
濡れ性変化層30は、エネルギーを与えることによって、臨界表面張力が変化する材料からなる層であるため、濡れ性変化層30を構成する材料は、エネルギー付与の前後での臨界表面張力の変化量が大きいものが好ましい。このような材料の場合、濡れ性変化層30の一部分にエネルギーを付与し、高表面エネルギー部位40と低表面エネルギー部位50とからなる臨界表面張力の異なるパターンを形成することにより、被転写膜が、高表面エネルギー部位40には付着しやすく、低表面エネルギー部位50には付着しにくくなる。なお、本発明において、「高表面エネルギー」および「低表面エネルギー」の語は、相対的な意味で用いられる。
なお、固体表面に対する液体の濡れ性(付着性)については、以下に示すヤングの式(1)が成立する。
γ=γSL+γcosθ … (1)
ここで、γは固体の表面張力、γSLは固体と液体の界面張力、γは液体の表面張力である。表面張力は表面自由エネルギーと実質的に同義であり、同じ値となる。cosθ=1の時、θ=0°となり、固体は完全に濡れる。この時のγの値はγ−γSLとなり、これをその固体の臨界表面張力γと呼ぶ。γは表面張力が判明している液体を用いて、液体の表面張力と接触角の関係をプロットし、θ=0°(cosθ=1)となる表面張力を求めることにより容易に決定できる(Zismannプロット)。γの大きい固体表面は液体で濡れやすく、γの小さい固体表面は液体で濡れにくい。なお、接触角θの測定は、公知の液滴法で行うことができる。
濡れ性変化層30を形成するための高分子材料としては、具体的には、ポリイミドや(メタ)アクリルレート等の骨格を有する主鎖に直接或いは結合基を介して疎水性基を有する側鎖が結合しているものを用いることができる。疎水性基としては、例えばフッ素原子を含むフルオロアルキル基やフッ素元素を含まない炭化水素基を用いることができる。
側鎖に疎水性基を有する構造の高分子材料の具体例としては、下記構造式1または構造式2に記載した化合物を例示できる。
Figure 2011014829
Figure 2011014829
なお、構造式1および構造式2中、x,yは各構成単位の繰り返し数を示す。
濡れ性変化材料として、側鎖に疎水性基を有する構造の高分子材料を用いた場合、低表面エネルギー部位50からなる濡れ性変化層30が第2の基板20上に形成される。
なお、濡れ性変化層30を形成するための高分子材料や、濡れ性変化層30の形成方法については、特許文献2および特許文献3に記載されており、それらを参照することにより本発明の開示内容に含まれる。
次に、第3の工程では、図1Cに示したように、フォトマスク91を用いて、紫外線92を濡れ性変化層30上の一部へ露光する。紫外線92を露光した部分の濡れ性変化層30は、疎水性基の結合が切断され、低表面エネルギーから高表面エネルギーへと変化する。このため、濡れ性変化層30上に、高表面エネルギー部位40と低表面エネルギー部位50とからなるパターンを形成することができる。
次に、第4の工程では、図1Dに示したように、第1の基板21上に形成された被転写膜60を、第2の基板20上に形成された濡れ性変化層30に押し当てる。
転写を行う際の圧力は、例えば0.01MPa以上1MPa以下が好ましい。第1の基板21および第2の基板20がガラス基板のように硬質材料からなる場合、プレス機で直接加圧することができる。また、第1の基板21あるいは第2の基板20の少なくとも一方がフィルム基板の場合には、例えばガラス板などのプレス板を介して加圧することが好ましい。加圧時には必要に応じて熱を加えても良い。熱を加えることでより効率良く転写することができる。
また、例えば被転写膜を構成する機能性材料が熱可塑性樹脂を含有する場合、ガラス転移温度以上の温度に加熱することで可塑性が生じるため、転写後の被転写膜60の表面が平坦化される。同様に機能性材料が熱硬化性樹脂を含有する場合には、第1の工程の機能液乾燥時において、硬化する(架橋反応が生じる)温度以下の温度で熱処理を加えることで、転写後の被転写膜60の表面を平坦化することが可能である。
次に、第5の工程では、第2の基板20から第1の基板21を剥離する。第2の基板20上の濡れ性変化層30にはあらかじめ低表面エネルギー部位50と高表面エネルギー部位40が形成されているため、図1Eに示したように、機能性材料との密着性に優れる高表面エネルギー部位40のみに選択的に被転写膜60が転写されてパターン化膜60aが形成される。
ここで、被転写膜60が形成されていた第1の基板21の表面の表面エネルギーが、前記第2の基板20上に形成された濡れ性変化層30の高表面エネルギー部位40の表面エネルギーよりも相対的に低い場合、被転写膜60の転写効率をより高めることが可能である。具体的には第1の基板21の表面の水に対する接触角と、濡れ性変化層30の高表面エネルギー部位40の水に対する接触角との接触角差が20°以上であることが好ましく、30°以上であることがより好ましい。
また、第2の基板20上に形成された濡れ性変化層30の低表面エネルギー部位50の表面エネルギーが、被転写膜60が形成されていた第1の基板21の表面の表面エネルギーよりも相対的に低い場合、転写後に濡れ性変化層30の低表面エネルギー部位50に被転写膜60の残渣付着が発生することが無いので好ましい。具体的には、第2の基板20上に形成された濡れ性変化層30の低表面エネルギー部位50の水に対する接触角と、被転写膜60が形成されていた第1の基板21の表面の水に対する接触角との接触角差が10°以上であることが好ましく、20°以上であることがより好ましい。また、濡れ性変化層30の低表面エネルギー部位50の水に対する接触角は、50°以上であることが好ましく、80°以上であることがより好ましい。
なお、転写後にパターン化膜60aに熱処理(本硬化処理)を施しても良い。
[第2の実施の形態]
次に、本発明の第2の実施の形態のパターン化膜の形成方法について説明する。図2A〜図2Eは、第2の実施の形態のパターン化膜の形成方法の工程手順の一例を示した図である。なお、以下では、第1の実施の形態との相違点を中心に説明するとともに、図1A〜図1Eと同様の構成には同一の符号を付して説明を省略する。
第2の実施の形態のパターン化膜の形成方法は、転写する側の第1の基板21上に、濡れ性変化層30を形成した後、さらに被転写膜60を積層して形成する第1の工程と、転写される側の第2の基板20上に濡れ性変化層30を形成する第2の工程と、濡れ性変化層30の一部に紫外線等のエネルギーを付与し、濡れ性変化層30に低表面エネルギー部位50と、この低表面エネルギー部位40よりも相対的に表面エネルギーが高い高表面エネルギー部位40とを形成する第3の工程と、第1の基板21上に形成された被転写膜60を、濡れ性変化層30が形成された第2の基板20に押し当てる第4の工程と、第2の基板20から第1の基板21を剥離して第2の基板20上の濡れ性変化層30の高表面エネルギー部位40のみに選択的に被転写膜60を転写してパターン化膜60aを形成する第5の工程と、を有する。
第1の工程では、図2Aに示すように、濡れ性変化材料を含む溶液を第1の基板21上に塗布し、乾燥させて濡れ性変化層30を形成した後、この濡れ性変化層30上にさらに機能液を塗布し、乾燥させて、第1の基板21上に濡れ性変化層30を介して被転写膜60を形成する。本実施の形態において、第1の基板21上に形成された濡れ性変化層30は、剥離層として機能する。すなわち、第1の基板21の表面エネルギーよりも表面エネルギーの低い低表面エネルギー部位50を有する濡れ性変化層30を形成しておくことによって、剥離層である濡れ性変化層30と被転写膜60との密着性が下がるため、転写効率をより改善することが可能である。このように、濡れ性変化層30を剥離層として用いることで、被転写膜60が接する表面の表面エネルギーを任意の大きさに調節しやすくなる。
次に、第2の工程では、濡れ性変化材料を含む溶液を、スピンコート法などにより第2の基板20上に塗布し、乾燥させて、図2Bに示したように濡れ性変化層30を形成する。
次に、第3の工程では、図2Cに示したように、フォトマスク91を用いて、紫外線92を濡れ性変化層30上の一部へ露光することにより、濡れ性変化層30上に、高表面エネルギー部位40と低表面エネルギー部位50とからなるパターンを形成する。
次に、第4の工程では、図2Dに示したように、第1の基板21上に形成された被転写膜60を、第2の基板20上に形成された濡れ性変化層30に押し当てる。
次に、第5の工程では、第2の基板20から第1の基板21を剥離する。第2の基板20上の濡れ性変化層30にはあらかじめ低表面エネルギー部位50と高表面エネルギー部位40とが形成されているため、図2Eに示したように、機能性材料との密着性に優れる高表面エネルギー部位40のみに選択的に被転写膜60の一部分が転写され、パターン化膜60aが形成される。この際、第1の基板21では、低表面エネルギー部位50を有する濡れ性変化層30を介して被転写膜60が形成されていることから、被転写膜60は、第2の基板20の高表面エネルギー部位40側に転写されやすくなり、転写効率をより高めることが可能である。この場合、濡れ性変化層30の低表面エネルギー部位50の水に対する接触角は50°以上であることが好ましく、80°以上であることがより好ましい。
[第3の実施の形態]
次に、本発明の第3の実施の形態のパターン化膜の形成方法について説明する。図3A〜図3Eは、第3の実施の形態のパターン化膜の形成方法の工程手順の一例を示した図である。本実施の形態では、第1の基板21上に濡れ性変化層30を介して部分的に被転写膜60を形成すること以外は、第2の実施の形態と同様である。すなわち、図3Aに示したように、濡れ性変化材料を含む溶液を第1の基板21上に塗布し、乾燥させて濡れ性変化層30を形成した後、この濡れ性変化層30上の転写したい領域にのみ、例えばスクリーン印刷法、オフセット印刷法、インクジェット法、フレキソ印刷等の方法で選択的に機能液を塗布し、乾燥させて、被転写膜60を形成する。
以降、図3B〜図3Eは、第2の実施の形態と同様に実施できるので説明を省略する。また、図1A〜図1Eと同様の構成には同一の符号を付して説明を省略する。
本実施の形態では、転写したい領域のみに選択的に塗布することで材料使用効率を高めることが可能になると同時に、転写したい領域とそうでない領域に高低差(段差)が生じることで、転写時(図3D参照)に、被転写膜に選択的に圧力を加えることが可能になるため、優れた転写効率が得られる。
以下、実施例により本発明をより具体的に説明するが、本発明は、下記実施例に制限されることはなく、本発明の範囲を逸脱することなく、下記実施例に種々の変形及び置換を加えることができる。
(実施例1)
実施例1は図2A〜図2Eに示すパターン化膜の形成方法に従って実施した。まず、第1の基板としてガラス基板を用い、濡れ性変化材料を含有するNMP(N−メチルピロリドン)溶液を、ガラス基板上にスピンコート塗布し、剥離層を形成した。この濡れ性変化材料には、前記構造式1で表されるポリイミド材料を用いた。
次に、100℃のオーブンで前焼成を行った後、300℃のオーブンで熱処理を加えた。
次に、剥離層上にスクリーン印刷で被転写膜としての絶縁膜をベタ状に印刷し、1Torr(133.3Pa)の減圧環境下で120℃・1時間の熱処理を施して溶媒を乾燥させ、被転写膜を形成した。
絶縁膜を形成するためのペーストには、シリカ微粒子よりなるフィラーと、ポリビニルアルコール系樹脂よりなるバインダとを混合したものを用いている。その際、ペースト状とするためにエチレングリコール系溶媒を添加した。そのペーストのフィラーおよびバインダ濃度は58wt%であり、粘度は200Pa・sである。
スクリーンは#500(1インチ当たり500本の線密度)のステンレスメッシュ上に厚さ25μmの乳剤をパターニングしたものを用いた。メッシュのワイヤは高張力に対応できるステンレス線材を用い、その線径は19μmとした。
また乳剤のパターンとして、乳剤開口部の大きさが50mm×50mmのものを用いている。
得られた絶縁膜の平均膜厚、面粗さ(Ra)、最大高低差をレーザ顕微鏡により評価した所、それぞれ約8.5μm、約0.3μm、約3.4μmであった。
続いて、第2の基板としてガラス基板を用い、濡れ性変化材料を含有するNMP溶液を、ガラス基板上にスピンコート塗布した。ここで用いた濡れ性変化材料は、第1の基板上に形成した剥離層に用いたものと同一である。次に、100℃のオーブンで前焼成を行った後、300℃のオーブンで熱処理を加えて濡れ性変化層を形成した。
続いて、線幅50μm/スペース50μmのストライプ状の開口パターンを有するフォトマスクを用いて、波長300nm以下の紫外線(超高圧水銀ランプ)を転写用ガラス基板上に形成された濡れ性変化層上の一部へ露光させ、濡れ性変化層上に高表面エネルギー部位と低表面エネルギー部位とからなるパターンを形成した。
ここで、高表面エネルギー部位の水接触角は約50°、低表面エネルギー部位の水接触角は約80°である。
続いて、第1の基板上に剥離層を介して形成された絶縁パターン化膜と、転写基板上に形成された濡れ性変化層を張り当て、プレス機によって0.1MPaの圧力を10分加えた。また加圧の際に80℃で加熱を施した。この温度は絶縁パターン化膜に用いられるポリビニルアルコール系樹脂のガラス転移温度(約70℃)よりも高温である。
続いて、室温に冷却して第2の基板から第1の基板を剥離した所、絶縁パターン化膜が第2の基板上に形成された濡れ性変化層の高表面エネルギー部位のみに概ね選択的に転写されていることが確認できた。しかしながら第2の基板上に形成された濡れ性変化層の低表面エネルギー部位の一部に絶縁パターン化膜の残渣が確認された。
転写された絶縁パターン化膜の幅変動量、平均膜厚、面粗さ(Ra)、最大高低差をレーザ顕微鏡により評価した所、それぞれ約±1μm、約8.4μm、約0.04μm、約0.3μmとなった。転写と同時に絶縁パターン化膜の平坦化も実現できることが確認された。
(実施例2)
実施例2は図3A〜図3Eに示すパターン化膜の形成方法に従って実施したものであり、第1の基板上の剥離層上にスクリーン印刷で線幅60μm/スペース40μmの絶縁パターン化膜を形成し、これを転写基板上の濡れ性変化層の高表面エネルギー部位に位置合わせして転写した以外は、実施例1と同様の作製方法である。
転写状態を確認した結果、第2の基板上に形成された濡れ性変化層の低表面エネルギー部位に絶縁パターン化膜の残渣は確認されなかった。高低差(段差)のある絶縁パターン化膜を用いた方が、転写性が良好であることを確認できた。
(実施例3)
実施例3は図2A〜図2Eに示すパターン化膜の作製方法に従って実施したものであり、第1の基板上に塗布する濡れ性変化材料の種類を前記構造式1で表されるポリイミド材料のままとし、第2の基板上に塗布する濡れ性変化材料の種類を前記構造式2で表されるポリイミド材料とした以外は実施例1と同様の作製方法である。
第2の基板上に形成された濡れ性変化層の高表面エネルギー部位の水接触角は約50°、低表面エネルギー部位の水接触角は約100°である。
転写状態を確認した結果、第2の基板上に形成された濡れ性変化層の低表面エネルギー部位に絶縁パターン化膜の残渣は確認されなかった。第2の基板上に形成された濡れ性変化層の低表面エネルギー部位の表面エネルギーが、被転写膜が形成される表面の表面エネルギーよりも相対的に低い方が、転写性が良好であることを確認できた。
(比較例1)
実施例1の比較例として、加圧時の温度を60℃とした以外は実施例1と同様の作製方法を試みた。
転写状態を確認した結果、第2の基板上に形成された濡れ性変化層の高表面エネルギー部位の全域に絶縁パターン化膜を形成することができなかった。また、転写された絶縁パターン化膜の面粗さ(Ra)、最大高低差は、それぞれ約0.2μm、約2.2μmとなっており、十分に平坦化されていないことがわかった。加圧時の加熱処理が有効であることが確認できた。
このように、本発明によれば、第2の基板上にエネルギーの付与により表面エネルギーが変化する濡れ性変化材料を含み、少なくとも表面エネルギーの異なる2つの部位を有する濡れ性変化層を形成しておくことにより、より密着性の高い高表面エネルギー部位に選択的に被転写膜が転写されるため、微細なパターン化膜を簡易な工程で得ることができる。
以上、本発明の実施の形態を述べたが、本発明は上記実施の形態に制約されることはなく、種々の変形が可能である。
20:第2の基板
21:第1の基板
30:濡れ性変化層
40:高表面エネルギー部位
50:低表面エネルギー部位
60:被転写膜
60a:パターン化膜
91:フォトマスク
92:紫外線
特開2003−100454号公報 特開2005−310962号公報 特開2008−227294号公報

Claims (6)

  1. 第1の基板上に直接または剥離層を介して被転写膜を形成する工程と、
    被転写膜が転写される相手側である第2の基板上に、エネルギーの付与により表面エネルギーが変化する濡れ性変化材料を含んでなり、少なくとも、相対的に表面エネルギーが高い高表面エネルギー部位と相対的に表面エネルギーが低い低表面エネルギー部位との2つの部位を有する濡れ性変化層を形成する工程と、
    第1の基板上に形成された被転写膜を第2の基板の濡れ性変化層に押し当てることで被転写膜の少なくとも一部を、前記濡れ性変化層の高表面エネルギー部位上に転写してパターン化膜を形成する工程と、
    を備え、
    前記濡れ性変化層の高表面エネルギー部位の表面エネルギーを、転写前に被転写膜が接する第1の基板もしくは剥離層の表面の表面エネルギーよりも高くしておくことを特徴とするパターン化膜の形成方法。
  2. 前記第1の基板上に形成される剥離層として、前記濡れ性変化材料を含んでなる濡れ性変化層を用いることを特徴とする請求項1に記載のパターン化膜の形成方法。
  3. 第2の基板上に形成された濡れ性変化層の低表面エネルギー部位の表面エネルギーを、転写前に被転写膜が接する第1の基板もしくは剥離層の表面の表面エネルギーよりも相対的に低くしておくことを特徴とする請求項1に記載のパターン化膜の形成方法。
  4. 被転写膜が、少なくとも樹脂と無機微粒子とを含む混合物で形成されていることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載のパターン化膜の形成方法。
  5. 前記被転写膜を第1の基板または剥離層の上に部分的に形成することを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載のパターン化膜の形成方法。
  6. 請求項1〜5のいずれか1項に記載のパターン化膜の形成方法により形成したパターン化膜。
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