JP2015015378A - 積層配線の形成方法、積層配線、及び電子素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板11上に、第1の濡れ性変化層12を形成する工程と、第1の導電層13を形成する工程と、第2の濡れ性変化層14を形成する工程と、第2の濡れ性変化層14に、レーザーアブレーション法により、第2の導電層の配線パターンとなる凹部16を形成するとともに露呈した表面の表面エネルギーを変化させて高表面エネルギー領域14aを形成した後、第1の導電層13の一部が露出するようにビアホール18を形成するとともに露呈した表面の表面エネルギーを変化させて高表面エネルギー領域14aを形成する工程と、高表面エネルギー領域14aに導電性インク19を塗布し、第2の導電層21及びビア22を同時に形成する工程と、を有する積層配線の形成方法。
【選択図】図2
Description
特許文献2及び特許文献3には、凹部の形成方法として、レーザーアブレーション法や、ベース部材を表面処理し、溶媒を滴下してエッチングする方法が開示されている。
特許文献4に開示された積層構造体では、フォトマスクを用いて一括露光し、高表面エネルギー領域と低表面エネルギー領域を形成し、その高表面エネルギー領域に親水性のインクをインクジェット法により滴下し、パターンが形成される。この形成方法は、通常のインクジェット印刷に対し、一括露光の工程を追加するのみで工程数の大幅な増加もなく、かつレーザーによる直描よりもスループットに優れた方法である。また、導電層が形成される表面は、表面エネルギー制御のため略平面である。
これに対し、レーザーアブレーション法による凹部形成は、ビーム径や描画方法を工夫することで微細パターンの形成が可能で、比較的スループットも高い。しかしながら、形成された微細な凹部にインクジェット法によりインクを滴下する場合、十分な流れ込みが得られず、ベース材表面に微細な残渣が発生することが予想される。
これに対し、特許文献5に記載の方法では、フォトマスク使用による制限を回避することができ、少ない工程で、より微細で絶縁性の低下がなく、導電層の線幅や厚さの精度の高い配線部材を形成することができる。
図1に本発明に係る積層配線の一例の断面模式図を、図2に本発明に係る積層配線の形成方法の一例の説明図をそれぞれ示す。
図1に示す積層配線は、基板11と、基板11上に形成された第1の濡れ性変化層12と、第2の濡れ性変化層である層間絶縁層14と、第1の導電層(第1の導電層パターン)13と、第2の導電層(第2の導電層パターン)21と、第1の導電層13及び第2の導電層21を電気的に接続するビア22とを有し、図2(A)〜(G)に示す方法により形成される。
積層配線の形成方法は、基板11上に、エネルギーの付与により表面エネルギーが変化する材料を含有する第1の濡れ性変化層12を形成する工程、第1の導電層13を形成する工程(図2(A))、第1の導電層13上に、エネルギーの付与により表面エネルギーが変化する材料を含有する第2の濡れ性変化層14を形成する工程(図2(B))、第2の濡れ性変化層14に、紫外線領域の波長のレーザー15を用いたレーザーアブレーション法により、第2の導電層の配線パターンとなる凹部16を形成するとともに、露呈した第2の濡れ性変化層表面の表面エネルギーを変化させて高表面エネルギー領域14aを形成した後、第1の導電層13の一部が露出するようにビアホール18を形成するとともに、露呈した第2の濡れ性変化層表面の表面エネルギーを変化させて高表面エネルギー領域14aを形成する工程(図2(C)〜(E))、高表面エネルギー領域14aに導電性インク19を塗布し(図2(F))、第2の導電層21及びビア22を同時に形成する工程(図2(G))と、を有する。
第1の導電層13の具体的な形成方法としては、例えば、特開2013−16773号公報に記載された方法などが挙げられる。
基板11は、配線、電子素子、電子素子アレイ、表示素子をその上に形成できる基材であれば特に限定されず、例えば、ガラス基板、フィルム基板等が挙げられる。フィルム基板としては、ポリイミド(PI)基板、ポリエーテルサルホン(PES)基板、ポリエチレンテレフタレート(PET)基板、ポリカーボネート(PC)基板、ポリエチレンナフタレート(PEN)基板、ポリエーテルイミド(PEI)基板、ポリアクリレート(PAR)基板等が挙げられる。
エネルギーの付与により表面エネルギーが変化する材料としては、エネルギーの付与前後で臨界表面張力の変化が大きくなる材料が好ましい。これは、エネルギー付与した部分(親液性)とそれ以外の部分(撥液性)とのコントランストが明確になるためである。
基板11の主面(例えば、表面)に対し垂直な方向から第1の導電層13を見た場合、第1の導電層13の形態と高表面エネルギー領域部14aの形態とは同じである。
側鎖の疎水性基としては、特に限定されず、末端基が−CF2CH3、−CF2CF3、−CF(CF3)2、−CFH2等である官能基が挙げられる。すなわち、疎水性基としては、アルキル基、フルオロアルキル基、多分岐構造を持つアルキル基、フルオロアルキル基、またはこれらの同位体が好ましい。側鎖の疎水性基は、エネルギー付与によって分解するC=O(カルボニル基)を含む。C=Oを含む構造としては、−CO−、−COO−、−OCO−、−CONH−、−NHCOO−、−NHOCO−、またはこれらの同位体で表される官能基(光感光基)が挙げられる。疎水性基は、C=Oを含む官能基を介して、主鎖と結合していることが好ましい。
一般に、ポリイミドは、剛直な構造であると共に、充填性が良好であるため、エネルギーが付与されて分子鎖が切断された場合であっても、ある程度の絶縁性を保持するからである。このため、主鎖としてポリイミドを用いれば、絶縁信頼性の高い配線部材が形成される。また、ポリイミドを用いた場合、2%程度の吸湿性はあるものの、高い絶縁性を維持する。これにより、高い絶縁性を確保しながら、耐水性も良好になる。
可溶性ポリイミドは、溶媒に溶解させた塗布液を塗布した後、200℃未満の低温で溶媒を揮発させることにより得られる。一方、熱硬化型ポリイミドは、脱水縮合反応が起こる程度まで加熱しないと反応が起きないため、一般に、200℃以上に加熱する必要がある。したがって、基板11の耐熱性等、各種条件にあわせ、いずれかのポリイミドを選択することができる。
特に、フィルム基板のような低温プロセスが要求され、高スループット処理のため小さい紫外線照射量で表面エネルギーを変化させる場合には、例えば特開2009−188259号公報に記載された可溶性ポリイミドなどが用いられる。これらのうち、主鎖と多分岐構造を含む側鎖からなる可溶性ポリイミドが好適に用いられる。
本実施形態の方法によれば、凹部16とビアホール18が形成されるとともに、その表面が高表面エネルギー領域14aに変化するため、凹部という物理的な形状効果だけでなく、系の自由エネルギーを最小にするという効果が1つの工程で得られ、凹部16及びビアホール18に導電性インク19が充填されやすくなる。
凹部16とビアホール18の形成方法としては、一般的に、フォトリソグラフィとエッチングや、レーザーアブレーション法等など任意のパターニング方法を用いることができる。しかしながら、工程数の削減が可能な印刷プロセスとの組み合わせを考慮し、工程数を少なくする観点から、本実施形態では、凹部16またはビアホール18の形成と同時に濡れ性変化層の表面エネルギーを変化させることが可能な方法、つまり、紫外線領域の波長のレーザーを用いたレーザーアブレーション法により形成する。
したがって、できるだけ滑らかで、加工精度の高いレーザーアブレーション法が望まれる。これに対し、紫外線領域の波長のレーザーを用いた場合、微細でばらつきの小さい加工を実現することができ、きれいな加工面が得られる。
さらに、濡れ性変化層に合わせてレーザーの波長を適宜選択することにより、寸法精度の高い微細な凹部16及びビアホール18の形成と、表面エネルギー変化が期待できる。
特に、ガルバノミラースキャナを用いてレーザービームを走査する方法が好ましい。
第1の導電層13、並びに第2の導電層21及びビア22は、塗布された導電性インクをオーブンやホットプレート、光などを用いて加熱焼成、紫外線照射等による固化することによって得られる部材である。
上述のように、本実施形態においては、第2の導電層21及びビア22は同一塗布工程で同一の導電性インクによって形成される。
これらの微粒子は、材料の分散や酸化防止のため、微粒子となる導電体の表面を有機物、または導電物によりコーティングしたものが用いることが好ましい。
特に、第2の導電層21及びビア22を形成する際に、凹部16とビアホール18に同時に導電性インクを塗布する方法としては、濡れ性変化層14の表面エネルギーの影響を受けてインクが凹部16に流れ込むのに適した粘度または表面張力を有する導電性インクを塗布でき、比較的微細なパターンを形成するために小さな液滴を供給できることから、インクジェット法やノズルプリンティング法が好ましい。
これにより、少ない工程数で、より微細でありながら、配線間接続が可能で、より高機能な積層配線を、抵抗ばらつきを少なく形成することができる。
さらに、第2の濡れ性変化層14を積層し、第2の導電層21及びビア22の形成に係る工程を繰り返すことにより、多層配線を形成することもできる。
本発明の積層配線の形成方法により積層配線を形成し、形成された積層配線上に半導体層を形成することにより、電子素子を製造することができる。当該電子素子の製造方法によれば、少ない工程数で電子素子の製造を行うことができる。
また、本実施形態の電子素子の製造方法は、スイッチングトランジスタ、ドライビングトランジスタをビアにて電気的に接続する高機能な電子素子の製造に好適である。
まず、基板上に、印刷によって形成した第一の電極であるゲート電極上に、エネルギーの付与により表面エネルギー(臨界表面張力)が変化する材料を含有する濡れ性変化層を形成する。該濡れ性変化層は、ゲート絶縁膜の機能を併せ持つ。
次いで、紫外線領域の波長のレーザーを用いたレーザーアブレーション法により、濡れ性変化層に電子素子を構成するソース・ドレイン電極や配線と同じ形状の凹部を形成する。
次いで、紫外線領域の波長のレーザーを用いたレーザーアブレーション法により、スイッチングトランジスタのソース電極とドライビングトランジスタのゲート電極を接続するビアを形成するためのビアホールを形成する。
次いで、積層配線の形成方法と同様、濡れ性変化層に凹部及びビアホールを形成するとともに、露呈した表面の表面エネルギーを変化させて高表面エネルギー領域を形成する。
そして、高表面エネルギー領域導電性インクを塗布し、スイッチングトランジスタ、ドライビングトランジスタのソース・ドレイン電極、配線およびビアを同時に形成する。
図5に示す電子素子は、スイッチングトランジスタ59とドライビングトランジスタ58とを有する薄膜トランジスタであり、基板51、濡れ性変化層51、絶縁膜である濡れ性変化層54、ゲート電極である第1の導電層53、ソース電極及びドレイン電極である第2の導電層55、並びに第1の導電層53及び第2の導電層55を電気的に接続するビア56を有する積層配線と、半導体層57とを備えている。ゲート電極(第1の導電層)53は、濡れ性変化層51の表面に形成されている。
図6に示す電子素子は、スイッチングトランジスタ69とドライビングトランジスタ68とを有する薄膜トランジスタであり、基板61、濡れ性変化層61、絶縁膜である濡れ性変化層64、ゲート電極である第1の導電層63、ソース電極及びドレイン電極である第2の導電層65、並びに第1の導電層63及び第2の導電層65を電気的に接続するビア66を有する積層配線と、半導体層67とを備える。ゲート電極(第1の導電層)63は、濡れ性変化層62にレーザーアブレーション法により形成されている。
<実施例1>
図2(A)〜(G)に示す方法に従い、積層配線を形成した。
まず、図2(A)に示すように、ウェット洗浄を行ったガラス基板11上に、エネルギーの付与により表面エネルギーが変化する材料を含有する第1の濡れ性変化層12を形成した。
第1の濡れ性変化層12の材料としては、疎水性基を側鎖に有する熱硬化型ポリイミドのNMP溶液を用いた。前記熱硬化型ポリイミドのNMP溶液をスピンコート法により塗布し、膜厚150nmの第1の濡れ性変化層12を形成した。このとき、第1の濡れ性変化層12の表面は、疎水性の側鎖を持つポリイミドにより、低表面エネルギーとなっている。
このとき、第1の濡れ性変化層12には凹部を形成されておらず、略平坦な平面上に高表面エネルギー領域(紫外線照射部)と低表面エネルギー領域(紫外線未照射部)とが形成される。
第2の濡れ性変化層14の材料は、下記式(1)で表される側鎖にデンドリマーを含む可溶性ポリイミド材料Aと、該可溶性ポリイミド材料Aよりも絶縁性が高く、側鎖を有さないポリイミド(商品名:CT4112、京セラケミカル社製)とを混合して調製したポリイミドNMP溶液を用いた。
このとき、第2の濡れ性変化層14の表面は、疎水性の側鎖を持つポリイミドにより、低表面エネルギーとなっている。
このとき、CADデータをもとに、第1の導電層13のアライメントマークを読み取り、第1の導電層13と第2の導電層21のCADデータが重なるように、第1の導電層13のアライメントマークに対し、第2の導電層21のアライメントマークデータ位置の調整を行った。
レーザーが照射された凹部16の表面は高表面エネルギー領域14aとなっており、レーザーが照射されていない領域はポリイミドの疎水性側鎖による低表面エネルギー領域14bとなっている。
図7の横軸は、1パルスあたりの光エネルギー密度(mJ/cm2)であり、縦軸は、凹部16の平均段差(nm)である。濡れ性変化層は、ガラス基板上に形成されたポリイミド層である。レーザーのスキャン速度は、240mm/秒である。
ポリイミド層の形成には、側鎖にデンドリマーを含む上記式(1)で表す可溶性ポリイミド材料Aと、該可溶性ポリイミド材料Aよりも絶縁性が高く、側鎖を有さないポリイミド(商品名:CT4112、京セラケミカル社製)とを混合して調製したポリイミドNMP溶液を用いている。
ポリイミドNMP溶液をガラス基板上に塗布した後、窒素雰囲気で100℃のプリベークを施し、さらに窒素雰囲気で180℃、1時間のポストベークを施し、膜厚500nmのポリイミド層を形成し、これを用いて評価を行った。
加工深さは、アライメントマークとして認識できること、及び異物が飛散しないことを考慮し、適切な深さに制御することができる。また、ポリイミド層の下層の基板にダメージを与えることなく、ポリイミド層の膜厚(500nm)に対応した厚みを選択的に除去することもできる。すなわち、ポリイミド膜厚500nmをすべて除去することも、また部分除去することもできる。
レーザーが照射されたビアホール18の表面は、凹部16の表面とともに高表面エネルギー領域14aとなり、レーザーが照射されていない領域はポリイミドの疎水性側鎖による低表面エネルギー領域14bとなっている。
なお、先の工程において凹部16を形成する際に、第1の導電層13のアライメントパターンを用いてアライメントを実施しているため、再度のアライメント作業は不要である。
一方、凹部16を形成する工程とビアホール18を形成する工程は、特段のアライメント動作もなく、CADデータのみの違いなので、パターンによっては同一プロセス内に混在させてもよい。
本実施例では、レーザー403としてYAGレーザーを用いた。
発振したレーザーは、レーザーヘッド404で4倍波を発生させ、波長266nmとなっている。そして、レーザービーム405は、光学系406およびXYZθステージ409のZ走査によって、ワーク408の加工面において、適切なビーム径、トップハットやガウシアン形状などの適切なビーム形状となるように制御される。
このワーク上のアライメントマーク位置とCADの描画パターンをコントローラー401にて処理し、ガルバノスキャナ407、XYZθステージ409及びレーザー403をコントローラー401で制御することにより、CADデータに従った凹部16及びビアホール18が形成される。
また、XY方向や斜めなどの直線だけではなく、円や楕円、矩形パターンも描画できるため、より複雑な形状に対応でき、設計自由度が広がる。
本実施例では、例えば、スキャン速度を240mm/秒、1パルスあたりの光エネルギーを35mJ/cm2としてレーザー照射を行い、凹部16を形成した。
ホール径は、ビーム径、焦点位置で変化させることができ、ビーム深さは、レーザー出力、shot数、発振周波数で制御することができる。本実施例では、15shot、1パルスあたりの光エネルギーを50mJ/cm2としてレーザー照射を行い、ビアホール18の形成を行った。
本実施例では、水系の金属微粒子分散液を用いているため、導電性インク19はレーザーアブレーション法で形成した凹部16及びビアホール18にわたって広がり、インクジェットの液滴サイズによらず微細なパターンも形成可能である。
なお、インクジェット法による塗布は、スピンコートとエッチングを用いる場合よりも材料の使用効率に優れ、プロセス工数を削減することができるため、低コストの配線形成に適している。
線幅10μmの配線に関しては、ビア径15μmに対して、片側2.5μmのオーバーラップとしている(部分的に線幅20μm)。
また、YAGの4倍波を用いたレーザーアブレーション法を利用し、第2の濡れ性変化層14を除去し、インクジェット法により導電性インク19を塗布することにより工程数の増加を抑えることができ、印刷による少ない工程数のメリットを生かしつつ、微細で、配線間接続が可能な、より機能の高い配線を形成することができる。
レーザーアブレーション法において、ガルバノミラースキャナを用いてレーザービームをスキャンすることにより、マスクを必要とせず、低コストで、複雑なパターンをより高速で処理することが可能である。
本実施例では、図3に示す積層配線を形成した。
図3の積層配線は、第1の濡れ性変化層12にレーザー直描により配線パターンに相当する凹部を形成し、ノズルプリンティング法により導電性インクを塗布して第1の導電層13を形成したことと、第2の導電層21とビア22を形成する導電性インクをノズルプリンティング法により塗布して形成したこと以外は、実施例1と同様の工程により形成した。
ポリイミドNMP溶液をスピンコート法で塗布し、窒素中100℃のオーブンでプリベークしたのち、同じく窒素中180℃のオーブンで1時間のポストベークを行い、550nmの膜厚の第2の濡れ性変化層14を形成した。
このとき、第2の濡れ性変化層14の表面は、疎水性の側鎖を持つポリイミドにより、低表面エネルギーとなっている。
レーザーが照射された凹部16の表面は高表面エネルギー領域14aとなり、レーザーが照射されていない領域はポリイミドの疎水性側鎖による低表面エネルギー領域14bとなっている。
レーザー照射は15shot、1パルスあたりの光エネルギーを50mJ/cm2とした。形成されたビアホール18のホール径は15μm、深さは400nmであった。
レーザーが照射されたビアホール18の表面は高表面エネルギー領域14aとなり、レーザーが照射されていない領域はポリイミドの疎水性側鎖による低表面エネルギー領域14bとなっている。
導電性インクを塗布した後、大気中100℃のオーブンでプリベークを行い、同じく大気中180℃のオーブンで、1時間のポストベークを行った。これにより、配線幅が20μm、膜厚が130nmの第2の導電層21と、ホール径が15μm、深さが400nmのビア22が形成された。
本実施例では、図5に示す電子素子(薄膜トランジスタ)を形成した。
図5に示す薄膜トランジスタは、スイッチングトランジスタ59と、ドライビングトランジスタ58と、図示しない蓄積容量からなる2T1Cの駆動素子である。
薄膜トランジスタは、半導体層57と、基板、絶縁膜である濡れ性変化層54、ゲート電極である第1の導電層53、ソース電極及びドレイン電極である第2の導電層55、並びに第1の導電層53及び第2の導電層55を電気的に接続するビア56を有する積層配線とを備え、該積層配線は、実施例1の積層配線の形成方法により形成されてなる。
まず、ウェット洗浄を行ったフィルム基板51上に、実施例1と同様の工程により、疎水性基を側鎖に持つ熱硬化型ポリイミドNMP溶液を原料として、膜厚50nmの第1の濡れ性変化層52を形成した。
この照射により、第1の濡れ性変化層52上に、スイッチングトランジスタ59とドライビングトランジスタ58の各々のゲート電極53のパターンと、図示しない蓄積容量の下層電極のパターンに相当する高表面エネルギー領域を形成した。
このとき、各々のトランジスタのゲート電極53に対し、ソース・ドレイン電極55が適切な配置となるように、ゲート電極53と同一の層でアライメントマークが形成される。該アライメントマークをレーザーアブレーション装置のアライメント機構で観察し、ソース・ドレイン電極55と同一のデータ内にあるアライメントデータが重なるようにレーザーアブレーション加工が行われる。
ホール径は、ビーム径、焦点位置で変化させることができ、ビーム深さは、レーザー出力、shot数、発振周波数で制御することができる。本実施例では、15shot、1パルスあたりの光エネルギーを50mJ/cm2としてレーザー照射を行った。
その後、実施例1と同じ条件でプリベーク及びポストベークを行い、膜厚130nmのソース・ドレイン電極55と、ホール径が15μm、深さが500nmのビア56を同時に形成した。
また、スイッチングトランジスタ59とドライビングトランジスタ58の動作を確認し、二つのトランジスタが、ビア56を介して有効に動作していることを確認した。
また、スイッチングトランジスタ59とドライビングトランジスタ58のソース電極55とゲート電極53を、レーザーアブレーション法とインクジェット法の印刷により形成されたビア56で電気的に接続することができるため、より高機能な電子素子を形成することができる。
本実施例では、図6に示す電子素子(薄膜トランジスタ)を形成した。
図6に示す薄膜トランジスタは、スイッチングトランジスタ69と、ドライビングトランジスタ68と、図示しない蓄積容量からなる2T1Cの駆動素子である。
薄膜トランジスタは、半導体層67と、基板、絶縁膜である濡れ性変化層64、ゲート電極である第1の導電層63、ソース電極及びドレイン電極である第2の導電層65、並びに第1の導電層63及び第2の導電層65を電気的に接続するビア66を有する積層配線とを備え、該積層配線は、実施例2の積層配線の形成方法により形成されてなる。
また、凹部の形成と濡れ性の変化を同一工程内で行うことができ、ビアホールと濡れ性の変化を同一工程内で行うことができ、さらに凹部とビアホールを同一レーザー装置で、データのみを変更することで形成できるため、工程数と仕様設備の増加をおさえながら、印刷による少ない工程数のメリットを生かしつつ、微細で、絶縁性の低下がない配線部材を形成できる。
さらに、インクジェットの版レスとレーザー直描の版レスのプロセスを用いることで、マスク不要な印刷と光プロセスとが融合した新しい配線形成プロセスが提供される。
12 第1の濡れ性変化層
13 第1の導電層
14 第2の濡れ性変化層
14a 高表面エネルギー領域
14b 低表面エネルギー領域
15、17 レーザー
16 凹部(第2の導電層の配線パターンとなる凹部)
18 ビアホール
19 導電性インク
21 第2の導電層
22 ビア
51、61 基板
52、62 濡れ性変化層
53、63 ゲート電極(第1の導電層)
54、64 濡れ性変化層(絶縁膜)
55、65 ソース・ドレイン電極(第2の導電層)
56、66 ビア
57、67 半導体層
58、68 ドライビングトランジスタ
59、69 スイッチングトランジスタ
Claims (10)
- 基板上に、エネルギーの付与により表面エネルギーが変化する材料を含有する第1の濡れ性変化層を形成する工程と、
前記第1の濡れ性変化層中又は第1の濡れ性変化層上に第1の導電層を形成する工程と、
前記第1の導電層が形成された第1の濡れ性変化層上に、エネルギーの付与により表面エネルギーが変化する材料を含有する第2の濡れ性変化層を形成する工程と、
前記第2の濡れ性変化層に、紫外線領域の波長のレーザーを用いたレーザーアブレーション法により、第2の導電層の配線パターンとなる凹部を形成するとともに、該凹部の形成によって露呈した第2の濡れ性変化層表面の表面エネルギーを変化させて高表面エネルギー領域を形成した後、前記第1の導電層の一部が露出するようにビアホールを形成するとともに、該ビアホールの形成によって露呈した第2の濡れ性変化層表面の表面エネルギーを変化させて高表面エネルギー領域を形成する工程と、
前記高表面エネルギー領域に導電性インクを塗布し、第2の導電層及びビアを同時に形成する工程と、
を有することを特徴とする積層配線の形成方法。 - 前記第1の導電層が、前記第1の濡れ性変化層に紫外線領域の波長のレーザーを照射して高表面エネルギー領域を形成し、前記高表面エネルギー領域の上部に導電性インクを塗布して形成されることを特徴とする請求項1に記載の積層配線の形成方法。
- 前記第1の導電層が、前記第1の濡れ性変化層に、紫外線領域の波長のレーザーを用いたレーザーアブレーション法により前記第1の導電層の配線パターンとなる凹部を形成するとともに、該凹部の形成によって露呈した第1の濡れ性変化層表面の表面エネルギーを変化させて高表面エネルギー領域を形成し、前記高表面エネルギー領域に導電性インクを塗布して形成されることを特徴とする請求項1に記載の積層配線の形成方法。
- 前記紫外線領域の波長のレーザーは、YAGレーザーの3倍波、YAGレーザーの4倍波、及びエキシマレーザーのいずれかであることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の積層配線の形成方法。
- 前記第2の導電層の配線パターンとなる凹部及び前記ビアホールの少なくともいずれかが、ガルバノミラースキャナを用いてレーザービームを走査することにより形成されることを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載の積層配線の形成方法。
- 前記導電性インクを塗布する方法が、インクジェット法及びノズルプリンティング法のいずれかであることを特徴とする請求項1から5のいずれかに記載の積層配線の形成方法。
- 前記エネルギーの付与により表面エネルギーが変化する材料が、主鎖と、紫外線の照射により親水性基を生成可能な側鎖とを有し、前記主鎖中にポリイミドを含む材料であることを特徴とする請求項1から6のいずれかに記載の積層配線の形成方法。
- 基板と、第1の濡れ性変化層と、第2の濡れ性変化層からなる層間絶縁層と、第1の導電層と、第2の導電層と、前記第1の導電層及び前記第2の導電層を電気的に接続するビアとを有し、請求項1から7のいずれかに記載の積層配線の形成方法により形成されたことを特徴とする積層配線。
- 請求項1から7のいずれかに記載の積層配線の形成方法により積層配線を形成する工程と、前記積層配線上に半導体層を形成する工程とを有することを特徴とする電子素子の製造方法。
- 基板、絶縁膜である濡れ性変化層、ゲート電極である第1の導電層、ソース電極及びドレイン電極である第2の導電層、並びに前記第1の導電層及び前記第2の導電層を電気的に接続するビアを有する積層配線と、半導体層とを備え、前記積層配線が請求項1から7のいずれかに記載の積層配線の形成方法により形成されたことを特徴とする電子素子。
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