JP4311342B2 - 配線パターンの形成方法及びデバイスの製造方法 - Google Patents

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Description

本発明は、配線パターンの形成方法、デバイスの製造方法、デバイス、及び電気光学装置、並びに電子機器に関する。
電子回路または集積回路などに使われる配線を有するデバイス製造には、例えば、フォトリソグラフィ法が用いられている。このフォトリソグラフィ法は、予め導電膜を形成した基板上にレジストと呼ばれる感光材を塗布し、回路パターンに光を照射して露光〜現像し、レジストパターンに応じて導電膜をエッチングすることで薄膜の配線パターンを形成するものである。このフォトリソグラフィ法は真空装置などの大掛かりな設備と複雑な工程を必要とし、また材料使用効率も数％程度でそのほとんどを廃棄せざるを得ず、製造コストが高い。
例えば、特許文献１及び特許文献２に開示されているように、液滴吐出ヘッドから液体材料である機能液を液滴状に吐出する液滴吐出法を用いて基板上に配線パターンを形成する方法が提案されている。この方法では、金属微粒子等の導電性微粒子を分散させた機能液である配線パターン用機能液を基板に直接パターンの形成領域に配置し、その後熱処理やレーザー照射を行って薄膜の導電膜パターンに変換する。この方法によれば、フォトリソグラフィが不要となり、プロセスが大幅に簡単なものになるとともに、原材料の使用量も少なくてすむというメリットがある（例えば、特許文献１、特許文献２参照）。
特開平１１−２７４６７１号公報 特開２０００−２１６３３０号公報
ところが、上記従来の配線パターンの形成方法では、ゲート配線を形成する部分に機能液を液滴吐出法で吐出して、配線パターンを形成していた。この際に、ゲート配線を形成する部分に滴下された機能液が、毛細管現象によって、ゲート電極を形成する部分へ向かって流れて行き、ゲート配線を形成する部分とゲート電極を形成する部分とが機能液によって満たされる方法であった。しかしながら、ゲート配線を形成する部分は、ゲート電極を形成する部分より幅が広くなっているので、滴下された機能液のより多くは、ゲート配線を形成する部分に吸収されてしまい、そこに滞留してしまう傾向があった。そして、ゲート電極を形成する部分へ、機能液が十分いきわたらなくなることがあった。そして、機能液焼成後において得られる配線パターンは、ゲート配線を形成する部分より幅の狭いゲート電極を形成する部分の得られる膜厚が、不均一になることがあった。そして、膜厚不足が発生したり、配線パターンの途切れなどの品質問題が発生してしまうことがあった。このゲート電極を形成する部分の膜厚が、薄くなってしまうと、配線パターンとしての配線抵抗が高くなる傾向になるため、画素の駆動能力が低下するという現象があった。したがって、結果的には安定したトランジスタ特性が得られないということがあった。
本発明の目的は、配線パターンを形成するときに、断線などの品質問題を減少させることができる配線パターンの形成方法、デバイスの製造方法、デバイス、及び電気光学装置、並びに電子機器を提供することである。
本発明の配線パターンの形成方法は、基板上の所定の領域に、液滴吐出法を用いて配線パターンを形成する方法であって、前記所定の領域が、第１領域部と前記第１領域部と接続された第２領域部と、前記第２領域部と接続された第３領域部とを有するとともに、前記第２領域部の幅が前記第１領域部及び前記第３領域部の各幅より狭くなった形状を有しており、前記所定の領域に機能液を配置するための凹部を形成する工程と、前記第１領域部に前記配線パターンの材料を含む機能液を吐出する第１の吐出工程と、前記第１領域部に吐出された前記機能液を乾燥させて膜を形成する第１の成膜工程と、前記第３領域部に前記機能液を吐出する第２の吐出工程と、前記第３領域部に吐出された前記機能液を乾燥させて膜を形成する第２の成膜工程と、を有することを特徴とする。
この発明によれば、基板上の所定の領域に対応した凹部に機能液を吐出して配線パターンを形成するときに、凹部を形成する工程と、第１領域部に機能液を吐出して乾燥する第１の成膜工程と、第３領域部に機能液を吐出して乾燥する第２の成膜工程とがあるので、機能液を第１領域部に吐出して配置すると、第１領域部より第２領域部の幅が狭いから、毛細管現象によって、機能液が第２領域部に流れ込んでいき固化される。同様に、機能液を第３領域部に吐出して配置すると、第３領域部より第２領域部の幅が狭いから、毛細管現象によって、機能液が第２領域部に流れ込んでいき固化される。そして、固化した機能液が第２領域部を満たす。機能液が満たされた第２領域部がゲート電極であるので、ゲート電極の膜厚不足や、パターンの途切れなどの発生を少なく抑えることができる。したがって、品質問題の少ない電気的特性に優れた配線パターンが形成できる。
本発明の配線パターンの形成方法は、前記凹部を形成する工程では、前記基板上に前記所定の領域を囲むバンクを形成することが望ましい。
この発明によれば、凹部がバンクで形成されているので、所定の領域に吐出された機能液が凹部に入り込みやすい。
本発明の配線パターンの形成方法は、前記所定の領域に形成された前記配線パターンのうち前記第２領域部に形成された部分が、ゲート電極であることが望ましい。
この発明によれば、毛細管現象によって機能液が第２領域部に溜まりやすいから、第２領域部の膜厚を均一に形成しやすくなるので、第２領域部としてのゲート電極の膜厚不足や、パターンの途切れなどの発生を少なく抑えることができる。
本発明の配線パターンの形成方法は、前記第３領域部は、外周の一部に円弧を有する形状を備えていることが望ましい。
この発明によれば、第３領域部が外周の一部に円弧を有する形状であるから、第３領域部に吐出された機能液が溜まりやすくなるので、溜まった機能液が毛細管現象によって第３領域部から第２領域部に向かって流れやすくなる。
本発明の配線パターンの形成方法は、前記配線パターンは前記凹部に異なる前記膜が複数層配置されてなり、前記第１の吐出工程、前記第１の成膜工程、前記第２の吐出工程、前記第２の成膜工程を一層ごとに行って異なる前記膜を複数積層することが望ましい。
この発明によれば、第１及び第２の吐出工程と第１及び第２の成膜工程とがあって、第１の膜と第２の膜とを一層ごとに複数形成するので、異なる積層膜の配線パターンを提供できる。
本発明のデバイスの製造方法は、基板上の所定の領域に、液滴吐出法を用いて配線パターンが形成されたデバイスの製造方法であって、前記基板上に、前述の配線パターン形成方法を用いて配線パターンを形成することを特徴とする。
この発明によれば、ゲート電極の膜厚不足や、パターンの途切れなどの品質問題の少ない電気的特性に優れた配線パターンが形成できるから、配線抵抗がほぼ均一になるので、画素の駆動能力が低下することの少ない、デバイスを提供できる。
本発明のデバイスの製造方法は、前記基板上に、前記配線パターンとしてゲート電極及びゲート配線を形成することが望ましい。
この発明によれば、ゲート電極とゲート配線との膜厚がほぼ均一に形成されることによって、配線抵抗がより均一になるので、画素の駆動能力が低下することの少ない、電気的特性に優れたデバイスを提供できる。
本発明の配線パターンは、基板上の所定の領域に、液滴吐出法を用いて形成された配線パターンであって、前記所定の領域が、第１領域部と前記第１領域部と接続された第２領域部と、前記第２領域部と接続された第３領域部とを有するとともに、前記第２領域部の幅が前記第１領域部及び前記第３領域部の各幅より狭くなった形状を有しており、前記第１領域部に機能液を吐出して前記機能液を乾燥させて、前記第１領域部及び第２領域部に形成された第１の膜と、前記第３領域部に機能液を吐出して前記機能液を乾燥させて、前記第３領域部及び第２領域部に形成された第２の膜と、を備えていることを特徴とする。
この発明によれば、基板上の所定の領域に対応した凹部に機能液を吐出して配線パターンを形成するときに、機能液を第１領域部に吐出して配置すると、第１領域部より第２領域部の幅が狭いから、毛細管現象によって、機能液が第２領域部に流れ込んでいき固化される。同様に、機能液を第３領域部に吐出して配置すると、第３領域部より第２領域部の幅が狭いから、毛細管現象によって、機能液が第２領域部に流れ込んでいき固化される。そして、固化した機能液が第２領域部を満たす。機能液が満たされた第２領域部がゲート電極であるので、ゲート電極の膜厚不足や、パターンの途切れなどの発生を少なく抑えることができる。したがって、品質問題の少ない電気的特性に優れた配線パターンを提供できる。
本発明の配線パターンは、前記基板上に形成された凹部が、前記所定の領域を囲むバンクで形成されていることが望ましい。
この発明によれば、凹部がバンクで形成されているので、所定の領域に吐出された機能液が凹部に入り込みやすい。
本発明の配線パターンは、前記所定の領域に形成された前記配線パターンのうち前記第２領域部に形成された部分が、ゲート電極であることが望ましい。
この発明によれば、毛細管現象によって機能液が第２領域部に溜まりやすいから、第２領域部の膜厚を均一に形成しやすくなるので、第２領域部としてのゲート電極の膜厚不足や、パターンの途切れなどの発生を少なく抑えることができる。
本発明の配線パターンは、前記第３領域部は、外周の一部に円弧を有する形状を備えていることが望ましい。
この発明によれば、第３領域部が外周の一部に円弧を有する形状であるので、第３領域部に吐出された機能液が溜まりやすくなるから、溜まった機能液が第３領域部から第２領域部に向かって流れやすくなる。
本発明の配線パターンは、前記配線パターンは前記凹部に異なる前記膜が複数層配置されてなり、前記第１の膜、前記第２の膜を一層ごとに行って異なる前記膜を複数積層されていることが望ましい。
この発明によれば、配線パターンに第１の膜と第２の膜とがあって、これら第１の膜と第２の膜とを一層ごとに複数形成するので、異なる積層膜の配線パターンを提供できる。
本発明のデバイスは、基板上の所定の領域に、液滴吐出法を用いて配線パターンが形成されたデバイスであって、前記基板上に、前述の配線パターンを備えていることを特徴とする。
この発明によれば、前述の配線パターンを備えているから、配線抵抗がほぼ均一になるので、画素の駆動能力が低下することの少ない、電気的特性に優れたデバイスを提供できる。
本発明のデバイスは、前記基板上に、前記配線パターンとしてゲート電極及びゲート配線を備えていることが望ましい。
この発明によれば、ゲート電極とゲート配線との膜厚がほぼ均一に形成されることによって、配線抵抗がより均一になるので、画素の駆動能力が低下することの少ない、電気的特性に優れたデバイスを提供できる。
本発明の電気光学装置は、前述のデバイスを備えていることを特徴とする。
この発明によれば、画素の駆動能力が低下することの少ない、電気的特性に優れたデバイスを有しているので、安定したトランジスタ特性を得ることができる。そして、品質や性能の向上が図られる電気光学装置を提供できる。なお、電気光学装置としては、例えば、電界により物質の屈折率が変化して光の透過率を変化させる電気光学効果を有するものの他、電気エネルギーを光学エネルギーに変換するもの等も含んで総称している。具体的には、電気光学物質として液晶を用いる液晶表示装置、有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ―Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）を用いる有機ＥＬ装置、無機ＥＬを用いる無機ＥＬ装置、電気光学物質としてプラズマ用ガスを用いるプラズマディスプレイ装置等がある。さらには、電気泳動ディスプレイ装置（ＥＰＤ：Ｅｌｅｃｔｒｏｐｈｏｒｅｔｉｃ・Ｄｉｓｐｌａｙ）、フィールドエミッションディスプレイ装置（ＦＥＤ：電界放出表示装置：Ｆｉｅｌｄ・Ｅｍｉｓｓｉｏｎ・Ｄｉｓｐｌａｙ）等がある。
本発明の電子機器は、前述の電気光学装置を備えていることを特徴とする。
この発明によれば、品質や性能の向上が図られる電気光学装置を有しているので、より品質の向上が可能な電子機器を提供できる。
以下、本発明の配線パターンの形成方法、デバイスの製造方法、デバイス、及び電気光学装置、並びに電子機器について実施形態を挙げ、添付図面に沿って詳細に説明する。
（実施形態）
本実施の形態では、液滴吐出法によって液滴吐出ヘッド１の吐出ノズルから導電性微粒子を含む配線パターン用機能液Ｘを液滴状に吐出し、基板上に配線パターンに応じて形成されたバンクの間に複数の導電膜からなる配線パターンを形成する場合の例を用いて説明する。ここで、本発明の特徴的な構成及び方法について説明する前に、まず、液滴吐出方法で用いられる配線パターン用機能液、基板、液滴吐出方法、液滴吐出装置について順次説明する。
＜配線パターン用機能液について＞
配線パターン用機能液Ｘは、導電性微粒子を分散媒に分散させた分散液からなるものである。本実施の形態では、導電性微粒子として、例えば、金、銀、銅、鉄、クロム、マンガン、モリブデン、チタン、パラジウム、タングステン及びニッケルのうちのいずれかを含有する金属微粒子の他、これらの酸化物、並びに導電性ポリマーや超電導体の微粒子などが用いられる。これらの導電性微粒子は、分散性を向上させるために表面に有機物などをコーティングして使うこともできる。導電性微粒子の粒径は１ｎｍ以上０．１μｍ以下であることが好ましい。０．１μｍより大きいと、後述する液滴吐出ヘッドの吐出ノズルに目詰まりが生じるおそれがある。また、１ｎｍより小さいと、導電性微粒子に対するコーティング剤の体積比が大きくなり、得られる膜中の有機物の割合が過多となる。
分散媒としては、上記の導電性微粒子を分散できるもので、凝集を起こさないものであれば特に限定されない。例えば、水の他に、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノールなどのアルコール類、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、デカン、ドデカン、テトラデカン、トルエン、キシレン、シメン、デュレン、インデン、ジペンテン、テトラヒドロナフタレン、デカヒドロナフタレン、シクロヘキシルベンゼンなどの炭化水素系化合物、またエチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、ビス（２−メトキシエチル）エーテル、ｐ−ジオキサンなどのエーテル系化合物、さらにプロピレンカーボネート、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、シクロヘキサノンなどの極性化合物を例示できる。これらのうち、微粒子の分散性と分散液の安定性、また液滴吐出法への適用の容易さの点で、水、アルコール類、炭化水素系化合物、エーテル系化合物が好ましく、より好ましい分散媒としては、水、炭化水素系化合物を挙げることができる。
上記導電性微粒子の分散液の表面張力は０．０２Ｎ／ｍ以上０．０７Ｎ／ｍ以下の範囲内であることが好ましい。液滴吐出法にて液体を吐出する際、表面張力が０．０２Ｎ／ｍ未満であると、配線パターン用機能液Ｘの組成物の吐出ノズル面に対する濡れ性が増大するため飛行曲りが生じやすくなり、０．０７Ｎ／ｍを超えると吐出ノズル先端でのメニスカスの形状が安定しないため吐出量や、吐出タイミングの制御が困難になる。表面張力を調整するため、上記分散液には、基板との接触角を大きく低下させない範囲で、フッ素系、シリコーン系、ノニオン系などの表面張力調節剤を微量添加するとよい。ノニオン系表面張力調節剤は、液体の基板への濡れ性を向上させ、膜のレベリング性を改良し、膜の微細な凹凸の発生などの防止に役立つものである。上記表面張力調節剤は、必要に応じて、アルコール、エーテル、エステル、ケトン等の有機化合物を含んでもよい。
上記分散液の粘度は１ｍＰａ・ｓ以上５０ｍＰａ・ｓ以下であることが好ましい。液滴吐出法を用いて液体材料を液滴として吐出する際、粘度が１ｍＰａ・ｓより小さい場合には吐出ノズル周辺部が配線パターン用機能液Ｘの流出により汚染されやすく、また粘度が５０ｍＰａ・ｓより大きい場合は、吐出ノズル孔での目詰まり頻度が高くなり円滑な液滴の吐出が困難となる。
＜基板について＞
配線パターンが形成される基板としては、ガラス、石英ガラス、Ｓｉウエハ、プラスチックフィルム、金属板など各種のものを用いることができる。また、これら各種の素材基板の表面に半導体膜、金属膜、誘電体膜、有機膜などが下地層として形成されたものも含む。
＜液滴吐出法について＞
ここで、液滴吐出法の吐出技術としては、帯電制御方式、加圧振動方式、電気機械変換式、電気熱変換方式、静電吸引方式などが挙げられる。帯電制御方式は、材料に帯電電極で電荷を付与し、偏向電極で材料の飛翔方向を制御して吐出ノズルから吐出させるものである。また、加圧振動方式は、材料に３０ｋｇ／ｃｍ２程度の超高圧を印加して吐出ノズル先端側に材料を吐出させるものであり、制御電圧をかけない場合には材料が直進して吐出ノズルから吐出され、制御電圧をかけると材料間に静電的な反発が起こり、材料が飛散して吐出ノズルから吐出されない。また、電気機械変換方式は、ピエゾ素子（圧電素子）がパルス的な電気信号を受けて変形する性質を利用したもので、ピエゾ素子が変形することによって材料を貯留した空間に可撓物質を介して圧力を与え、この空間から材料を押し出して吐出ノズルから吐出させるものである。
また、電気熱変換方式は、材料を貯留した空間内に設けたヒータにより、材料を急激に気化させてバブル（泡）を発生させ、バブルの圧力によって空間内の材料を吐出させるものである。静電吸引方式は、材料を貯留した空間内に微小圧力を加え、吐出ノズルに材料のメニスカスを形成し、この状態で静電引力を加えてから材料を引き出すものである。また、この他に、電場による流体の粘性変化を利用する方式や、放電火花で飛ばす方式などの技術も適用可能である。液滴吐出法は、材料の使用に無駄が少なく、しかも所望の位置に所望の量の材料を的確に配置できるという利点を有する。なお、液滴吐出法により吐出される液状材料の一滴の量は、例えば１〜３００ナノグラムである。
次に、本発明に係るデバイスを製造する際に用いられるデバイス製造装置について説明する。このデバイス製造装置としては、液滴吐出ヘッドから基板に対して液滴を吐出（滴下）することによりデバイスを製造する液滴吐出装置が用いられる。
＜液滴吐出法装置について＞
図１は、液滴吐出装置ＩＪの概略構成を示す斜視図である。液滴吐出装置ＩＪは、液滴吐出ヘッド１と、Ｘ軸方向駆動軸４と、Ｙ軸方向ガイド軸５と、制御装置ＣＯＮＴと、ステージ７と、クリーニング機構８と、基台９と、ヒータ１５とを備えている。
ステージ７は、この液滴吐出装置ＩＪにより配線パターン用機能液Ｘを配置される基板Ｐを支持するものであって、基板Ｐを基準位置に固定する不図示の固定機構を備えている。
液滴吐出ヘッド１は複数の吐出ノズルを備えたマルチノズルタイプの液滴吐出ヘッドであり、長手方向とＸ軸方向とを一致させている。複数の吐出ノズルは、液滴吐出ヘッド１の下面にＸ軸方向に並んで一定間隔で設けられている。液滴吐出ヘッド１の吐出ノズルからは、ステージ７に支持されている基板Ｐに対して、上述した導電性微粒子を含む配線パターン用機能液Ｘが吐出される。
Ｘ軸方向駆動軸４にはＸ軸方向駆動モータ２が接続されている。Ｘ軸方向駆動モータ２はステッピングモータ等であり、制御装置ＣＯＮＴからＸ軸方向の駆動信号が供給されると、Ｘ軸方向駆動軸４を回転させる。Ｘ軸方向駆動軸４が回転すると、液滴吐出ヘッド１はＸ軸方向に移動する。
Ｙ軸方向ガイド軸５は基台９に対して動かないように固定されている。ステージ７は、Ｙ軸方向駆動モータ３を備えている。Ｙ軸方向駆動モータ３はステッピングモータ等であり、制御装置ＣＯＮＴからＹ軸方向の駆動信号が供給されると、ステージ７をＹ軸方向に移動する。
制御装置ＣＯＮＴは液滴吐出ヘッド１に液滴Ｌの吐出制御用の電圧を供給する。さらに、制御装置ＣＯＮＴは、Ｘ軸方向駆動モータ２に対して液滴吐出ヘッド１のＸ軸方向への移動を制御する駆動パルス信号を供給するとともに、Ｙ軸方向駆動モータ３に対してステージ７のＹ軸方向への移動を制御する駆動パルス信号を供給する。
クリーニング機構８は液滴吐出ヘッド１をクリーニングするものであって、図示しないＹ軸方向駆動モータを備えている。このＹ軸方向駆動モータの駆動により、クリーニング機構８はＹ軸方向ガイド軸５に沿って移動する。クリーニング機構８の移動も制御装置ＣＯＮＴにより制御される。
ヒータ１５はここではランプアニールにより基板Ｐを熱処理する手段であり、基板Ｐ上に塗布された配線パターン用機能液Ｘに含まれる溶媒の蒸発及び乾燥を行う。このヒータ１５の電源の投入及び遮断も制御装置ＣＯＮＴにより制御される。
液滴吐出装置ＩＪは、液滴吐出ヘッド１と基板Ｐを支持するステージ７とを相対的に走査しつつ基板Ｐに対して液滴Ｌを吐出する。ここで、以下の説明において、Ｙ軸方向を走査方向、Ｙ軸方向と直交するＸ軸方向を非走査方向とする。したがって、液滴吐出ヘッド１の吐出ノズルは、非走査方向であるＸ軸方向に一定間隔で並んで設けられている。なお、図１では、液滴吐出ヘッド１は、基板Ｐの進行方向に対し直角に配置されているが、液滴吐出ヘッド１の角度を調整し、基板Ｐの進行方向に対して交差させるようにしてもよい。このようにすれば、液滴吐出ヘッド１の角度を調整することでノズル間のピッチを調節することが出来る。また、基板Ｐとノズル面との距離を任意に調節可能としてもよい。
図２は、ピエゾ方式による液体材料の吐出原理を説明するための図である。図２において、液体材料（配線パターン用機能液）を収容する液体室２１に隣接してピエゾ素子２２が設置されている。液体室２１には、液体材料を収容する材料タンクを含む液体材料供給系２３を介して液体材料が供給される。ピエゾ素子２２は駆動回路２４に接続されており、この駆動回路２４を介してピエゾ素子２２に電圧を印加し、ピエゾ素子２２を変形させることにより、液体室２１が変形し、吐出ノズル２５から液体材料が液滴Ｌとして吐出される。この場合、印加電圧の値を変化させることによりピエゾ素子２２の歪み量が制御される。また、印加電圧の周波数を変化させることによりピエゾ素子２２の歪み速度が制御される。ピエゾ方式による液滴吐出は材料に熱を加えないため、材料の組成に影響を与えにくいという利点を有する。
次に、本実施形態の配線パターンの形成方法を用いて製造される装置の一例である薄膜トランジスタ（ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ・Ｆｉｌｍ・Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ））について説明する。図３は、ＴＦＴアレイ基板のＴＦＴ１個を含む一部分の概略構成を示した平面図である。図４（ａ）は、ＴＦＴの断面図であり、図４（ｂ）は、ゲート配線とソース配線とが平面的に交差する部分の断面図である。
図３に示すように、ＴＦＴ３０を有するＴＦＴアレイ基板１０上には、ゲート配線１２と、ソース配線１６と、ドレイン電極１４と、ドレイン電極１４に電気的に接続する画素電極１９とを備えている。ゲート配線１２はＸ軸方向に延びるように形成され、その一部がＹ軸方向に延びるように形成されている。そして、Ｙ軸方向に伸びるゲート配線１２の一部がゲート電極１１として用いられている。なお、ゲート電極１１の幅はゲート配線１２の幅よりも狭くなっている。そして、このゲート配線１２が、本実施形態の配線パターン形成方法で形成される。また、Ｙ軸方向に伸びるように形成されたソース配線１６の一部は幅広に形成されており、このソース配線１６の一部がソース電極１７として用いられている。
図４に示すように、ゲート配線１２は、基板Ｐの上に設けられたバンクＢの間に形成されている。ゲート配線１２及びバンクＢは、絶縁膜２８に覆われており、絶縁膜２８の上に、ソース配線１６と、ソース電極１７と、ドレイン電極１４と、バンクＢ１とが形成されている。ゲート配線１２は、絶縁膜２８によって、ソース配線１６と絶縁されており、ゲート電極１１は、絶縁膜２８によって、ソース電極１７及びドレイン電極１４と絶縁されている。ソース配線１６と、ソース電極１７と、ドレイン電極１４とは、絶縁膜２９で覆われている。
次に、本実施形態の配線パターンの形成方法について説明する。図５は、本実施形態に係る配線パターンの形成方法の一例を示すフローチャートである。図６（ａ）〜（ｈ）及び図７（ｉ）〜（ｍ）は、バンクＢを形成する手順の一例を示す模式図である。図８（ａ）は、配線パターンの概略構成を示した平面図であり、図８（ｂ）は、（ａ）中のＣ−Ｃ線に沿った断面構造を示す概略断面図である。
本実施形態に係る配線パターンの形成方法は、上述した配線パターン形成用機能液Ｘを基板Ｐ上に配置し、基板Ｐ上に配線膜を形成して、配線パターンを形成するものである。ステップＳ１は、基板Ｐ上に配線パターンの形状に応じた凹部を形成するようにバンクＢを突設するバンク形成工程であり、次のステップＳ２は、基板Ｐに親液性を付与する親液化処理工程であり、次のステップＳ３は、バンクＢの表面に撥液性を付与する撥液化処理工程である。また、次のステップＳ４は、撥液性を付与されたバンクＢの内、第１領域部に配線パターン用機能液Ｘを配置する機能液配置工程であり、次のステップＳ５は、配線パターン用機能液Ｘを乾燥して下地膜７１を形成する中間乾燥工程であり、次のステップＳ６は、第３領域部に配線パターン用機能液Ｘを配置する機能液配置工程であり、そして、最後のステップＳ７は、これら配線パターン用機能液Ｘと下地膜７１とを熱処理する焼成工程である。
以下、各ステップの工程毎に詳細に説明する。なお、ここでは基板Ｐ上に下地膜７１、導電膜７３、拡散防止膜７７とで構成された積層膜の配線パターン７９を形成する場合について説明する。本実施形態では基板Ｐとしてガラス基板が用いられる。
最初に、ステップＳ１のバンク形成工程について説明する。このバンク形成工程では、まず、バンクＢの形成材料を塗布する前に表面改質処理として、基板Ｐに対してＨＭＤＳ処理が施される。ＨＭＤＳ処理は、ヘキサメチルジシラサン（（ＣＨ3）3ＳｉＮＨＳｉ（ＣＨ3）3）を蒸気状にして塗布する方法である。これにより、バンクＢと基板Ｐとの密着性を向上する密着層としてのＨＭＤＳ層（図示省略）が基板Ｐ上に形成される。
バンクＢは仕切部材として機能する部材であり、バンクＢの形成はフォトリソグラフィ法や印刷法等、任意の方法で行うことができる。例えば、フォトリソグラフィ法を使用する場合は、スピンコート、スプレーコート、ロールコート、ダイコート、ディップコート等所定の方法で、基板Ｐ上にバンクＢの高さに合わせてバンクＢの形成材料を塗布してレジスト層を形成する。そして、バンクＢの形状（配線パターン形状）に合わせてマスクを施し、レジスト層を露光・現像することによりバンクＢの形状に合わせたレジスト層を残す。最後にエッチングしてマスク以外の部分のバンクＢの形成材料を除去する。
図６（ａ）に示すように、配線パターン用機能液Ｘを配置するために備えられた凹部としての第１領域部Ｇｈ、第２領域部Ｇｄ、第３領域部ＧａとがバンクＢで囲まれるように形成されている。第１領域部Ｇｈは、配線のパターンが形成されることによって、ゲート配線１２となり、同様に、第２領域部Ｇｄは、ゲート電極１１となる。第２領域部Ｇｄは、第１領域部Ｇｈと接続して配置されていて、第２領域部Ｇｄの片端部に第３領域部Ｇａが接続して配置されている。そして、第１領域部Ｇｈの幅は、第２領域部Ｇｄに比べて広く形成されている。第３領域部Ｇａの幅は、第２領域部Ｇｄより広く形成されていて、第３領域部Ｇａは、その外周部分に円弧状を有した部分を備えている。
図６（ｂ）に示すように、バンクＢは基板Ｐ上に配置されていて、このバンクＢで囲まれた、第１領域部Ｇｈ、第２領域部Ｇｄ、第３領域部Ｇａにおける底の部分が、底部３５である。
本実施形態の配線パターンの形成方法では、バンクＢの形成材料として、無機質の材料が用いられる。無機質の材料によってバンクＢを形成する方法としては、例えば、各種コート法やＣＶＤ法（化学的気相成長法）等を用いて基板Ｐ上に無機質の材料からなる層を形成した後、エッチングやアッシング等によりパターニングして所定の形状のバンクＢを得ることができる。なお、基板Ｐとは別の物体上でバンクＢを形成し、それを基板Ｐ上に配置してもよい。
バンクＢの形成材料としては、配線パターン用機能液Ｘに対して撥液性を示す材料でも良いし、後述するように、プラズマ処理による撥液化（フッ素化）が可能で下地基板との密着性が良くフォトリソグラフィによるパターニングがし易い絶縁有機材料でも良い。無機質のバンクＢの形成材料としては、例えば、シリカガラス、アルキルシロキサンポリマー、アルキルシルセスキオキサンポリマー、水素化アルキルシルセスキオキサンポリマー、ポリアリールエーテルのうちいずれかを含むスピンオングラス膜、ダイヤモンド膜、及びフッ素化アモルファス炭素膜、などが挙げられる。さらに、無機質のバンクＢの形成材料として、例えば、エアロゲル、多孔質シリカ、などを用いてもよい。
なお、バンクＢの形成材料として、有機質の材料を用いることもできる。バンクＢを形成する有機材料としては、配線パターン用機能液Ｘに対して撥液性を示す材料でも良いし、後述するように、プラズマ処理による撥液化（フッ素化）が可能で下地基板との密着性が良くフォトリソグラフィによるパターニングがし易い絶縁有機材料でも良い。例えば、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、オレフィン樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂等の高分子材料を用いることが可能である。あるいは、無機骨格（シロキサン結合）を主鎖に有機基を持った材料でもよい。
基板Ｐ上にバンクＢ、Ｂが形成されると、フッ酸処理が施される。フッ酸処理は、例えば２．５％フッ酸水溶液でエッチングを施すことでバンクＢ、Ｂ間のＨＭＤＳ層（図示省略）を除去する処理である。
次に、ステップＳ２の親液化処理工程について説明する。この親液化処理工程では、バンクＢ、Ｂ間の底部３５（基板Ｐの露出部）に親液性を付与する親液化処理が行われる。親液化処理工程としては、紫外線を照射する紫外線（ＵＶ）照射処理や大気雰囲気中で酸素を処理ガスとするＯ2プラズマ処理等を選択できる。本実施形態ではＯ2プラズマ処理を実施する。
Ｏ2プラズマ処理は、基板Ｐに対してプラズマ放電電極からプラズマ状態の酸素を照射する。Ｏ2プラズマ処理の条件の一例として、例えばプラズマパワーが５０〜１０００Ｗ、酸素ガス流量が５０〜１００ｍＬ／ｍｉｎ、プラズマ放電電極に対する基板Ｐの相対移動速度が０．５〜１０ｍｍ／ｓｅｃ、基板温度が７０〜９０℃である。
そして、基板Ｐがガラス基板の場合、その表面は配線パターン用機能液Ｘに対して親液性を有しているが、本実施形態のようにＯ2プラズマ処理や紫外線照射処理を施すことで、バンクＢ、Ｂ間で露出する基板Ｐ表面（底部３５）の親液性を更に高めることができる。ここで、バンク間の底部３５の配線パターン用機能液Ｘに対する接触角が１５度以下となるように、Ｏ2プラズマ処理や紫外線照射処理が行われることが好ましい。
図９は、Ｏ2プラズマ処理する際に用いるプラズマ処理装置の一例を示す概略構成図である。図９に示すプラズマ処理装置は、交流電源４１に接続された電極４２と、接地電極である試料テーブル４０とを有している。試料テーブル４０は試料である基板Ｐを支持しつつＹ軸方向に移動可能となっている。電極４２の下面には、移動方向と直交するＸ軸方向に延在する２本の平行な放電発生部４４，４４が突設されているとともに、放電発生部４４を囲むように誘電体部材４５が設けられている。誘電体部材４５は放電発生部４４の異常放電を防止するものである。そして、誘電体部材４５を含む電極４２の下面は略平面状となっており、放電発生部４４及び誘電体部材４５と基板Ｐとの間には僅かな空間（放電ギャップ）が形成されるようになっている。また、電極４２の中央にはＸ軸方向に細長く形成された処理ガス供給部の一部を構成するガス噴出口４６が設けられている。ガス噴出口４６は、電極内部のガス通路４７及び中間チャンバ４８を介してガス導入口４９に接続している。
ガス通路４７を通ってガス噴出口４６から噴射された処理ガスを含む所定ガスは、前記空間の中を移動方向（Ｙ軸方向）の前方及び後方に分かれて流れ、誘電体部材４５の前端及び後端から外部に排気される。これと同時に、交流電源４１から電極４２に所定の電圧が印加され、放電発生部４４，４４と試料テーブル４０との間で気体放電が発生する。そして、この気体放電により生成されるプラズマで前記所定ガスの励起活性種が生成され、放電領域を通過する基板Ｐの表面全体が連続的に処理される。
本実施形態では、前記所定ガスは、処理ガスである酸素（Ｏ2）と、大気圧近傍の圧力下で放電を容易に開始させ且つ安定に維持するためのヘリウム（Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）等の希ガスや窒素（Ｎ2）等の不活性ガスとを混合したものである。特に、処理ガスとして酸素を用いることにより、バンクＢ、Ｂ間の底部３５におけるバンクＢ形成時の有機物（レジストやＨＭＤＳ）残渣を除去できる。すなわち、上記フッ酸処理ではバンクＢ、Ｂ間の底部３５のＨＭＤＳ（有機物）が完全に除去されない場合がある。あるいは、バンクＢ、Ｂ間の底部３５にバンクＢの形成時のレジスト（有機物）が残っている場合もある。そこで、Ｏ2プラズマ処理を行うことにより、バンクＢ、Ｂ間の底部３５の残渣が除去される。
なお、ここでは、フッ酸処理を行うことでＨＭＤＳ層（図示省略）を除去するように説明したが、Ｏ2プラズマ処理あるいは紫外線照射処理によりバンクＢ、Ｂ間の底部３５のＨＭＤＳ層（図示省略）を十分に除去できるため、フッ酸処理は行わなくてもよい。また、ここでは、親液化処理としてＯ2プラズマ処理又は紫外線照射処理のいずれか一方を行うように説明したが、もちろん、Ｏ2プラズマ処理と紫外線照射処理とを組み合わせてもよい。
次に、ステップＳ３の撥液化処理工程について説明する。この撥液化処理工程では、バンクＢに対して撥液化処理を行い、その表面に撥液性を付与する。撥液化処理としては、四フッ化炭素（テトラフルオロメタン）を処理ガスとするプラズマ処理法（ＣＦ4プラズマ処理法）を採用する。ＣＦ4プラズマ処理の条件は、例えばプラズマパワーが５０〜１０００Ｗ、４フッ化炭素ガス流量が５０〜１００ｍＬ／ｍｉｎ、プラズマ放電電極に対する基体搬送速度が０．５〜２０ｍｍ／ｓｅｃ、基体温度が７０〜９０℃とされる。なお、処理ガスとしては、テトラフルオロメタンに限らず、他のフルオロカーボン系のガス、または、ＳＦ６やＳＦ５ＣＦ３などのガスも用いることができる。ＣＦ4プラズマ処理には、図９を参照して説明したプラズマ処理装置を用いることができる。
このような撥液化処理を行うことにより、バンクＢ、Ｂにはこれを構成する樹脂中にフッ素基が導入され、バンクＢ、Ｂに対して高い撥液性が付与される。なお、上述した親液化処理としてのＯ2プラズマ処理は、バンクＢの形成前に行ってもよいが、Ｏ2プラズマによる前処理がなされた方がよりフッ素化（撥液化）されやすいという性質があるため、バンクＢを形成した後にＯ2プラズマ処理することが好ましい。
なお、バンクＢ、Ｂに対する撥液化処理により、先に親液化処理したバンクＢ、Ｂ間の基板Ｐ露出部に対し多少は影響があるものの、特に基板Ｐがガラス等からなる場合には、撥液化処理によるフッ素基の導入が起こらないため、基板Ｐはその親液性、すなわち濡れ性が実質上損なわれることはない。
上述した親液化処理工程及び撥液化処理工程により、バンクＢの撥液性がバンクＢ、Ｂ間の底部３５の撥液性より高くなるように表面改質処理されたことになる。なお、ここでは親液化処理としてＯ2プラズマ処理を行っているが、上述したように、基板Ｐがガラス等からなる場合には撥液化処理によるフッ素基の導入が起こらないため、Ｏ2プラズマ処理を行わずにＣＦ4プラズマ処理のみを行うことによっても、バンクＢの撥液性をバンクＢ、Ｂ間の底部３５より高くすることができる。配線パターン用機能液Ｘを配置する前の状態を図６（ａ）、（ｂ）に示す。
次に、ステップＳ４の機能液配置工程について説明する。この機能液配置工程では、上記した液滴吐出装置ＩＪによる液滴吐出法を用いて、配線パターン用機能液Ｘが基板Ｐ上のバンクＢ、Ｂ間に配置される。この機能液配置工程では、液滴吐出ヘッド１から配線パターン形成用材料を含む配線パターン用機能液Ｘを液滴Ｌにして吐出する。液滴吐出装置ＩＪによる液滴吐出法を用いて、下地膜７１を形成するための配線パターン用機能液Ｘが、図６（ｃ）、（ｄ）に示すように、第１領域部Ｇｈに配置される。そして、図６（ｅ）、（ｆ）に示すように、第１領域部Ｇｈに配置された配線パターン用機能液Ｘの一部が、毛細管現象によって、第２領域部Ｇｄに流れ込む。なお、下地膜７１を形成するための配線パターン用機能液Ｘ（Ｘ１）は、下地膜７１を形成する原料としてマンガンを用い、溶媒（分散媒）としてジエチレングリコールジエチルエーテルを用いている。
本実施形態では、液滴Ｌを吐出する雰囲気は、温度６０℃以下、湿度８０％以下に設定されていることが好ましい。これにより、液滴吐出ヘッド１の吐出ノズル２５が目詰まりすることなく安定した液滴吐出を行うことができる。
次に、ステップＳ５の中間乾燥工程について説明する。この中間乾燥工程では、基板Ｐに配線パターン用機能液Ｘ（Ｘ１）を配置した後、分散媒の除去及び膜厚確保のため、必要に応じて乾燥処理をする。乾燥処理は、例えば基板Ｐを加熱する通常のホットプレート、電気炉などによる処理の他、ランプアニールによって行なうこともできる。ランプアニールに使用する光の光源としては、特に限定されないが、赤外線ランプ、キセノンランプ、ＹＡＧレーザー、アルゴンレーザー、炭酸ガスレーザー、ＸｅＦ、ＸｅＣｌ、ＸｅＢｒ、ＫｒＦ、ＫｒＣｌ、ＡｒＦ、ＡｒＣｌなどのエキシマレーザーなどを光源として使用することができる。これらの光源は一般には、出力１０Ｗ以上５０００Ｗ以下の範囲のものが用いられるが、本実施形態では１００Ｗ以上１０００Ｗ以下の範囲で十分である。図６（ｇ）、（ｈ）に示すように、配線パターン用機能液Ｘ（Ｘ１）を中間乾燥することによって、第１領域部Ｇｈと、第２領域部Ｇｄの一部に第１の膜７１ａが形成される。
次に、ステップＳ６の機能液配置工程について説明する。この機能液配置工程では、図７（ｉ）、（ｊ）に示すように、第３領域部Ｇａに配線パターン用機能液Ｘ（Ｘ１）を配置すると、第３領域部Ｇａに配置された配線パターン用機能液Ｘ（Ｘ１）は、図６（ｋ）、（ｌ）に示すように、毛細管現象によって、第２領域部Ｇｄに流れ込む。
次に、ステップＳ７の焼成工程について説明する。この焼成工程では、配線パターン用機能液Ｘ（Ｘ１）の中の分散媒の除去及び膜厚確保のための熱処理を行う。また、金属微粒子の表面には分散性を向上させるために有機物などのコーティングがされている場合には、このコーティング材も除去する必要がある。そのため、吐出工程後の基板には熱処理及び／又は光処理が施される。熱処理及び／又は光処理は通常大気中で行なわれるが、必要に応じて、窒素、アルゴン、ヘリウムなどの不活性ガス雰囲気中、または水素などの還元雰囲気中で行なうこともできる。熱処理及び／又は光処理の処理温度は、分散媒の沸点（蒸気圧）、雰囲気ガスの種類や圧力、微粒子の分散性や酸化性等の熱的挙動、コーティング材の有無や量、基材の耐熱温度などを考慮して適宜決定される。本実施形態では、パターンを形成した配線パターン用機能液Ｘに対して、大気中クリーンオーブンにて２８０〜３００℃で３００分間の焼成工程が行われる。なお、例えば、有機銀化合物の有機分を除去するには、約２００℃で焼成することが必要である。また、プラスチックなどの基板を使用する場合には、室温以上２５０℃以下で行なうことが好ましい。以上の工程により吐出工程後の乾燥膜は微粒子間の電気的接触が確保され、導電性膜に変換される。以上の工程により吐出工程後は、第３領域部Ｇａと、第２領域部Ｇｄの一部に第２の膜７１ｂが形成される。その結果、図７（ｍ）、（ｎ）に示すように、第１の配線パターンとしての下地膜７１が形成される。
図８（ａ）に示すように、バンクＢで囲まれた領域は、第１領域部Ｇｈ、第２領域部Ｇｄ、第３領域部Ｇａで構成されている。なお、基板Ｐ上に、第１の配線パターンとしての下地膜７１が形成されることによって、第１領域部Ｇｈは、ゲート配線１２となり、第２領域部Ｇｄは、ゲート電極１１となる。図８（ｂ）に示すように、基板Ｐ上に、バンクＢで囲まれた領域に、三層構造の積層膜の配線パターン７９が形成されている。この配線パターン７９は、第１の配線パターンとしての下地膜７１、第２の配線パターンとしての導電膜７３、第３の配線パターンとしての拡散防止膜７７で構成される。
次に、この三層構造の積層膜の配線パターン７９の形成方法について説明する。図５に示すステップＳ１〜ステップＳ７を行い、基板Ｐ上に第１の配線パターンとしての下地膜７１を形成する。次に、図５に示すステップＳ４〜ステップＳ７を繰り返して（図６（ｃ）〜（ｎ））、第２の配線パターンとしての導電膜７３を形成する。さらに、図５に示すステップＳ４〜ステップＳ７を繰り返して（図６（ｃ）〜（ｎ））、第３の配線パターンとしての拡散防止膜７７を形成する。そして、基板Ｐ上に、下地膜７１と導電膜７３と拡散防止膜７７とが積層した三層構造の積層膜の配線パターン７９を得る。
より具体的には、第２の配線パターンとしての導電膜７３を形成するための導電性材料として有機銀化合物を用い、配線パターン用機能液Ｘ（Ｘ２）の溶媒（分散媒）として、ジエチレングリコールジエチルエーテルを用いる。図５に示すステップＳ４の機能液配置工程で、配線パターン用機能液Ｘ（Ｘ２）を液滴吐出ヘッド１から吐出して、第１領域部Ｇｈに配置する。ステップＳ５の中間乾燥工程で配線パターン用機能液Ｘ（Ｘ２）を乾燥する。さらに、ステップＳ６の機能液配置工程で配線パターン用機能液Ｘ（Ｘ２）を第３領域部Ｇａに配置して、ステップＳ７の焼成工程で焼成をする。第１の配線パターンとしての下地膜７１の上に第２の配線パターンとしての導電膜７３を形成する。
次に、第３の配線パターンとしての拡散防止膜７７を形成するための拡散防止材料としてニッケルを用い、配線パターン用機能液Ｘ（Ｘ３）の溶媒（分散媒）として、ジエチレングリコールジエチルエーテルを用いる。図５に示すステップＳ４の機能液配置工程で、配線パターン用機能液Ｘ（Ｘ３）を液滴吐出ヘッド１から吐出して、第１領域部Ｇｈに配置する。ステップＳ５の中間乾燥工程で配線パターン用機能液Ｘ（Ｘ３）を乾燥する。さらに、ステップＳ６の機能液配置工程で配線パターン用機能液Ｘを第３領域部Ｇａに配置して、ステップＳ７の焼成工程で焼成をする。第２の配線パターンとしての導電膜７３の上に第３の配線パターンとしての拡散防止膜７７を形成する。そして、基板Ｐ上に、下地膜７１と導電膜７３と拡散防止膜７７とが三層構造に積層した積層膜の配線パターン７９を得る。
なお、配線パターン用機能液Ｘ２と配線パターン用機能液Ｘ３との配置方法は、前述の配線パターン用機能液Ｘ１の配置方法と同様である。液滴吐出ヘッド１から第１領域部Ｇｈに配置された配線パターン用機能液Ｘ２は、毛細管現象によって、第２領域部Ｇｄに流れ込み、機能液を乾燥させて固化すると膜が形成される。同様に、第３領域部Ｇａに配置された配線パターン用機能液Ｘ３は、毛細管現象によって、第２領域部Ｇｄに流れ込み、機能液を乾燥させて固化すると膜が形成される。
以上のような実施形態では、次のような効果が得られる。
（１）第１領域部Ｇｈ配置された配線パターン用機能液Ｘ（Ｘ１）が、毛細管現象によって、第１領域部Ｇｈから第２領域部Ｇｄに向かって流れていき、この機能液を乾燥させて固化すると膜が形成される。さらに、第３領域部Ｇａを設けたことによって、第３領域部Ｇａに配置された配線パターン用機能液Ｘ（Ｘ１）が、毛細管現象によって第２領域部Ｇｄに流れていき、この機能液を乾燥させて固化すると膜が形成される。このとき、機能液が、より多く第２領域部Ｇｄに満たされることになるから、第２領域部Ｇｄであるゲート電極１１における膜厚が、ほぼ均一に形成される。しかも、ゲート電極１１の膜厚不足やパターン切れを少なく抑えることができるから、ゲート電極１１とゲート配線１２との膜厚が、均一に形成される。この膜厚が、均一に形成されることによって、パターンとしての配線抵抗が、ほぼ均一になるので、電気的特性の優れた配線パターンができる。
（２）電気的特性の優れた配線パターンができるので、画素の駆動能力が、低下することを抑えることができるデバイスが得られる。
（３）電気的特性の優れたデバイスが得られるので、安定したトランジスタ特性を得ることができる。したがって、品質や性能の向上が図られる電気光学装置及び、電子機器を提供できる。
＜表示装置（電気光学装置）及びその製造方法＞
次に、本発明に係る電気光学装置の一例である液晶表示装置１００について説明する。本実施形態の液晶表示装置１００は、第１の実施形態で説明した回路配線形成方法を用いて形成された回路配線を有するＴＦＴを備えている。
図１０は、本実施形態に係る液晶表示装置１００について、各構成要素とともに示す対向基板側から見た平面図であり、図１１は図１０のＨ−Ｈ'線に沿う断面図である。図１１は液晶表示装置１００の画像表示領域においてマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図で、なお、以下の説明に用いた各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせてある。
図１０及び図１１において、本実施の形態の液晶表示装置（電気光学装置）１００は、対をなすＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが光硬化性の封止材であるシール材５２によって貼り合わされ、このシール材５２によって区画された領域内に液晶５０が封入、保持されている。シール材５２は、基板面内の領域において閉ざされた枠状に形成されている。
シール材５２の形成領域の内側の領域には、遮光性材料からなる周辺見切り５３が形成されている。シール材５２の外側の領域には、データ線駆動回路２０１及び実装端子２０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って形成されており、この一辺に隣接する２辺に沿って走査線駆動回路２０４が形成されている。ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺には、画像表示領域の両側に設けられた走査線駆動回路２０４の間を接続するための複数の配線２０５が設けられている。また、対向基板２０のコーナー部の少なくとも１箇所においては、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的導通をとるための基板間導通材２０６が配設されている。
なお、データ線駆動回路２０１及び走査線駆動回路２０４をＴＦＴアレイ基板１０の上に形成する代わりに、例えば、駆動用ＬＳＩが実装されたＴＡＢ（Ｔａｐｅ・Ａｕｔｏｍａｔｅｄ・Ｂｏｎｄｉｎｇ）基板とＴＦＴアレイ基板１０の周辺部に形成された端子群とを異方性導電膜を介して電気的及び機械的に接続するようにしてもよい。なお、液晶表示装置１００においては、使用する液晶５０の種類、すなわち、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ・Ｎｅｍａｔｉｃ）モード、ＳＴＮ（Ｓｕｐｅｒ・Ｔｗｉｓｔｅｄ・Ｎｅｍａｔｉｃ）モード等の動作モードや、ノーマリホワイトモード／ノーマリブラックモードの別に応じて、位相差板、偏光板等が所定の向きに配置されるが、ここでは図示を省略する。また、液晶表示装置１００をカラー表示用として構成する場合には、対向基板２０において、ＴＦＴアレイ基板１０の後述する各画素電極に対向する領域に、例えば赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のカラーフィルタをその保護膜とともに形成する。
このような構造を有する液晶表示装置１００の画像表示領域においては、図１２に示すように、複数の画素１００ａがマトリクス状に構成されているとともに、これらの画素１００ａの各々には、画素スイッチング用のＴＦＴ（スイッチング素子）３０が形成されており、画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを供給するデータ線６ａがＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次で供給してもよく、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。また、ＴＦＴ３０のゲートには走査線３ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍをこの順に線順次で印加するように構成されている。
なお、上記実施形態では、ＴＦＴ３０を液晶表示装置１００の駆動のためのスイッチング素子として用いる構成としたが、液晶表示装置１００以外にも例えば有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示デバイスに応用が可能である。有機ＥＬ表示デバイスは、蛍光性の無機及び有機化合物を含む薄膜を、陰極と陽極とで挟んだ構成を有し、前記薄膜に電子及び正孔（ホール）を注入して再結合させることにより励起子（エキシトン）を生成させ、このエキシトンが失活する際の光の放出（蛍光・燐光）を利用して発光させる素子である。そして、上記のＴＦＴ３０を有する基板上に、有機ＥＬ表示素子に用いられる蛍光性材料のうち、赤、緑及び青色の各発光色を呈する材料すなわち発光層形成材料及び正孔注入／電子輸送層を形成する材料を配線パターン用機能液Ｘとし、各々をパターニングすることで、自発光フルカラーＥＬデバイスを製造することができる。本発明におけるデバイス（電気光学装置）の範囲にはこのような有機ＥＬデバイスをも含むものである。
なお、本発明に係るデバイス（電気光学装置）としては、上記の他に、ＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル）や、基板上に形成された小面積の薄膜に膜面に平行に電流を流すことにより、電子放出が生ずる現象を利用する表面伝導型電子放出素子等にも適用可能である。
＜電子機器＞
次に、本発明に係る液晶表示装置１００を備えた電子機器について説明する。
図１３は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図１３において、携帯電話本体６００を示し、上記実施形態の液晶表示装置１００を備えた液晶表示部６０１を示している。
図１３に示す携帯電話本体６００は、前記した実施形態の液晶表示装置１００を備えたものであり、上記実施形態のバンク構造を有するパターン形成方法により形成された液晶表示装置を備えたものであるので、高い品質や性能が得られる。なお、本実施形態の電子機器は液晶装置を備えるものとしたが、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、プラズマ型表示装置等、他の電気光学装置を備えた電子機器とすることもできる。
以上、好ましい実施の形態を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記各実施の形態に限定されるものではなく、以下に示すような変形をも含み、本発明の目的を達成できる範囲で、他のいずれの具体的な構造及び形状に設定できる。
（変形例１）前述の実施形態で、第１領域部Ｇｈに配線パターン用機能液Ｘを配置し、乾燥させてから、第３領域部Ｇａに配線パターン用機能液Ｘをさらに配置して焼成したが、これに限定されない。例えば、工程を逆にして、第３領域部Ｇａに配線パターン用機能液Ｘを配置し、乾燥させてから、第１領域部Ｇｈに配線パターン用機能液Ｘをさらに配置して焼成しても良い。このようにしても、実施形態と同様に、できあがったゲート電極１１における膜厚が、ほぼ均一に形成できる。しかも、ゲート電極１１の膜厚不足やパターン切れを少なく抑えることができる。ゲート電極１１とゲート配線１２との膜厚が、ほぼ均一に形成されるので、実施形態と同様な効果が得られる。また、積層膜の配線パターン７９も同様な方法で形成できるので、実施形態と同様な効果が得られる。
（変形例２）前述の実施形態で、第３領域部Ｇａの外周を円弧状にしたが、これに限定されない。例えば、正方形でも矩形状でも良い。このようにしても、第３領域部Ｇａに配置された配線パターン用機能液Ｘが、毛細管現象によって、第２領域部Ｇｄに流れていくので、実施形態と同様な効果が得られる。
（変形例３）前述の実施形態で、第３領域部Ｇａの底部３５の高さを第１領域部Ｇｈ、第２領域部Ｇｄと同じ高さにしたが、これに限定されない。例えば、第３領域部Ｇａの底部３５を第１領域部Ｇｈ、第２領域部Ｇｄより高くしても良い。このようにしても、第３領域部Ｇａに配置された配線パターン用機能液Ｘが、毛細管現象によって、第２領域部Ｇｄに流れていくので、実施形態と同様な効果が得られる。
（変形例４）前述の実施形態で、第３領域部Ｇａの底部３５の高さを第１領域部Ｇｈ、第２領域部Ｇｄと同じ高さにしたが、これに限定されない。例えば、第３領域部Ｇａの底部３５を第１領域部Ｇｈ、第２領域部Ｇｄより低くしても良い。このようにしても、第３領域部Ｇａの高さが低くなることで、第３領域部Ｇａの容積が増えることになるが、単位時間当たりに配置する配線パターン用機能液Ｘの量を多くすれば良いので、実施形態と同様な効果が得られる。
本実施形態の液滴吐出装置ＩＪの概略構成を示す斜視図。 ピエゾ方式による液体材料の吐出原理を説明する模式断面図。 ＴＦＴアレイ基板の要部の概略構成を示した平面図。 （ａ）は、ＴＦＴの断面図。（ｂ）は、ゲート配線とソース配線とが平面的に交差する部分の断面図。 配線パターンの形成方法を示すフローチャート。 （ａ）〜（ｈ）は、バンクを形成する手順の一例を示す模式図であり、（ａ）、（ｃ）、（ｅ）、（ｇ）は、平面図。（ｂ）は、（ａ）中のＣ−Ｃ線に沿った断面構造を示す概略断面図。（ｄ）は、（ｃ）中のＣ−Ｃ線に沿った断面構造を示す概略断面図。（ｆ）は、（ｅ）中のＣ−Ｃ線に沿った断面構造を示す概略断面図。（ｈ）は、（ｇ）中のＣ−Ｃ線に沿った断面構造を示す概略断面図。 （ｉ）〜（ｎ）は、バンクを形成する手順の一例を示す模式図であり、（ｉ）、（ｋ）、（ｍ）は、平面図。（ｊ）は、（ｉ）中のＣ−Ｃ線に沿った断面構造を示す概略断面図。（ｌ）は、（ｋ）中のＣ−Ｃ線に沿った断面構造を示す概略断面図。（ｎ）は、（ｍ）中のＣ−Ｃ線に沿った断面構造を示す概略断面図。 配線パターンの概略構成を示した図であり、（ａ）は、平面図。（ｂ）は、（ａ）中のＣ−Ｃ線に沿った断面構造を示す概略断面図。 プラズマ処理装置の概略構成図。 液晶表示装置の対向基板側から見た平面図。 図１０のＨ−Ｈ’線に沿う断面図。 液晶表示装置の等価回路図。 電子機器としての携帯電話の斜視図。
符号の説明
１…液滴吐出ヘッド、１０…ＴＦＴアレイ基板、１１…ゲート電極、１２…ゲート配線、１４…ドレイン電極、１６…ソース配線、１７…ソース電極、１９…画素電極、３０…ＴＦＴ、３５…バンクＢ、Ｂ間に形成された底部、７１…第１の配線パターンとしての下地膜、７１ａ…第１の膜、７１ｂ…第２の膜、７３…第２の配線パターンとしての導電膜、７７…第３の配線パターンとしての拡散防止膜、７９…配線パターン、１００…電気光学装置としての液晶表示装置、６００…電子機器としての携帯電話、Ｂ…バンク、Ｇｈ…第１領域部、Ｇｄ…第２領域部、Ｇａ…第３領域部、ＩＪ…液滴吐出装置、Ｌ…液滴、Ｐ…基板、Ｘ（Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３）…配線パターン用機能液。

Claims (5)

  1. 基板上の所定の領域に、液滴吐出法を用いて配線パターンを形成する方法であって、
    前記所定の領域が、第１領域部と前記第１領域部と接続された第２領域部と、前記第２領域部と接続された第３領域部とを有するとともに、前記第２領域部の幅が前記第１領域部及び前記第３領域部の各幅より狭くなった形状を有しており、
    前記所定の領域に機能液を配置するための凹部を形成する工程と、
    前記第１領域部に前記配線パターンの材料を含む機能液を吐出する第１の吐出工程と、
    前記第１領域部に吐出された前記機能液を乾燥させて膜を形成する第１の成膜工程と、
    前記第３領域部に前記機能液を吐出する第２の吐出工程と、
    前記第３領域部に吐出された前記機能液を乾燥させて膜を形成する第２の成膜工程と、を有し、
    前記機能液が導電性微粒子を分散媒に分散させた分散液からなり、
    前記凹部を形成する工程では、前記基板上に前記所定の領域を囲むバンクを形成し、
    前記バンク間の底部の親液化処理と前記バンクの撥液化処理を行い、
    前記第１の吐出工程は前記第１領域部に前記配線パターンの材料を含む機能液を吐出して毛細管現象によって前記第２領域部に流れ込ませ、
    前記第２の吐出工程は前記第３領域部に前記配線パターンの材料を含む機能液を吐出して毛細管現象によって前記第２領域部に流れ込ませることを特徴とする配線パターン形成方法。
  2. 請求項１に記載の配線パターン形成方法において、
    前記所定の領域に形成された前記配線パターンのうち前記第２領域部に形成された部分が、ゲート電極であることを特徴とする配線パターン形成方法。
  3. 請求項１に記載の配線パターン形成方法において、
    前記第３領域部は、外周の一部に円弧を有する形状を備えていることを特徴とする配線パターン形成方法。
  4. 基板上の所定の領域に、液滴吐出法を用いて配線パターンが形成されたデバイスの製造方法であって、
    前記基板上に、請求項１〜請求項３のいずれか一項に記載の配線パターン形成方法を用いて前記配線パターンを形成することを特徴とするデバイスの製造方法。
  5. 請求項４に記載のデバイスの製造方法において、
    前記基板上に、前記配線パターンとしてゲート電極及びゲート配線を形成することを特徴とするデバイスの製造方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009075252A (ja) * 2007-09-19 2009-04-09 Ricoh Co Ltd 積層構造体およびその形成方法、配線基板、マトリクス基板、電子表示装置
FR2938834B1 (fr) * 2008-11-27 2011-03-04 Commissariat Energie Atomique Procede de realisation d'une matrice de retention et comprenant un liquide fonctionnel
KR101064381B1 (ko) * 2009-07-29 2011-09-14 삼성모바일디스플레이주식회사 유기전계발광 표시장치
KR101034718B1 (ko) * 2009-10-13 2011-05-17 삼성모바일디스플레이주식회사 유기전계발광 표시장치
WO2012067060A1 (ja) * 2010-11-19 2012-05-24 シャープ株式会社 薄膜トランジスタの製造方法、および、それを用いて製造された薄膜トランジスタを含む表示装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW369672B (en) * 1997-07-28 1999-09-11 Hitachi Ltd Wiring board and its manufacturing process, and electrolysis-free electroplating method
US6766817B2 (en) * 2001-07-25 2004-07-27 Tubarc Technologies, Llc Fluid conduction utilizing a reversible unsaturated siphon with tubarc porosity action
US6616967B1 (en) * 2002-04-15 2003-09-09 Texas Instruments Incorporated Method to achieve continuous hydrogen saturation in sparingly used electroless nickel plating process
JP3788467B2 (ja) * 2003-05-28 2006-06-21 セイコーエプソン株式会社 パターン形成方法、デバイス及びデバイスの製造方法、電気光学装置、電子機器並びにアクティブマトリクス基板の製造方法
TWI275333B (en) * 2003-12-05 2007-03-01 Ind Tech Res Inst Method for forming metal wire by microdispensing

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