JP2006212555A - 膜パターンの形成方法、デバイス及びその製造方法、電気光学装置、並びに電子機器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 基板P上にバンクBを形成する工程と、バンクBによって区画された領域に機能液Lを配置する工程と、機能液Lを乾燥する工程とを有する。本発明においては、バンクBの形成工程は、無機質の材料からなる層B1,B2を複数層形成する工程と、これら複数の層B1,B2を有機マスクRを用いてパターニングする工程と、有機マスクRを除去する工程とを有する。このように、有機膜である有機マスクRを除去し、無機膜の層B1,B2のみでバンクBを形成することによって、高温プロセスにおける耐熱性を確保することができる。また、バンクBを複数の層B1,B2によって形成することで、必要なバンク厚みも確保することができる。
【選択図】 図1
Description
これに対して、液滴吐出ヘッドから液体材料を液滴状に吐出する液滴吐出法、所謂インクジェット法を用いて基板上に配線パターンを形成する方法が提案されている(例えば、特許文献1参照)。この方法では、金属微粒子等の導電性微粒子を分散した機能液である配線パターン形成用インクを基板に直接パターン塗布し、その後熱処理やレーザ照射を行って薄膜の導電膜パターンに変換する。この方法によれば、フォトリソグラフィが不要となり、プロセスが大幅に簡単なものになるとともに、原材料の使用量も少なくてすむというメリットがある。
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、微細且つ高性能な膜パターンを安定して形成することのできる膜パターンの形成方法、デバイス及びその製造方法、電気光学装置、並びに電子機器を提供することを目的とする。
本発明の膜パターンの形成方法は、機能液を基板上に配置することにより膜パターンを形成する方法であって、前記基板上にバンクを形成する工程と、前記バンクによって区画された領域に前記機能液を配置する工程と、前記基板上に配置された前記機能液を乾燥させる工程とを有し、前記バンクの形成工程は、無機質の材料からなる層を複数層形成する工程と、前記複数の層を有機マスクを用いてパターニングする工程と、前記有機マスクを除去する工程とを有することを特徴とする。
本発明の膜パターンの形成方法では、バンクによって区画された領域に機能液が配置され、この機能液が乾燥することにより、基板上に膜パターンが形成される。この場合、バンクによって膜パターンの形状が規定されることから、例えば隣接するバンク間の幅を狭くするなど、バンクを適切に形成することにより、膜パターンの微細化や細線化を図ることができる。また、本方法においては、バンクの形成材料が無機質の材料を含むことから、バンクの耐熱性が高く、しかもバンクと基板との間の熱膨張率の差が小さい。そのため、機能液の乾燥時の熱などによるバンクの劣化が抑制され、膜パターンが良好な形状で形成される。
ここで、無機質の層はレジスト等の有機材料からなる有機マスクを用いてパターニングされるが、このような有機マスクは、通常はそのまま基板上に残され、無機質の層と共にバンクとして利用されることが多い。これは、無機膜のみでは厚みを稼げないこと等の理由による。しかし、このように有機膜をバンクとして残すと、耐熱性の面で問題があり、高温処理が必要となるプロセスには適用できない。有機マスクの代わりに無機マスクを用いることも考えられるが、この場合は無機膜との間でエッチングの選択比が稼げなくなるという問題がある。
そこで、本発明では、有機マスクを除去し、その代わりに無機質の層を複数層形成することでバンクの厚みを稼いでいる。この方法によれば、十分なバンク厚みを稼ぐことができ、しかもエッチングの選択比等の問題が生じない。このため、微細化や細線化が図られた膜パターンを、精度よく安定して形成することができる。
この方法によれば、バンクの上面のみを撥液化し、バンクの側面を撥液化しない状態とすることができる。したがって、微細なパターンを形成する場合でも、バンク内に機能液がスムーズに入り込めるようになり、膜の均一性も向上する。また、バンクの上面を撥液化したので、バンク間の領域にのみ正確に機能液を配置することができる。
この方法によれば、バンクをパターニングする前に撥液処理を行なうため、バンクの上面(最表面の層)のみを撥液化し、バンクの側面を撥液化しない状態とすることができる。したがって、微細なパターンを形成する場合でも、バンク内に機能液がスムーズに入り込めるようになり、膜の均一性も向上する。
この方法によれば、液滴吐出法を用いることにより、スピンコート法などの他の塗布技術に比べて、液体材料の消費に無駄が少なく、基板上に配置する機能液の量や位置の制御を行ないやすい。
本発明のデバイス製造方法では、デバイスに形成される膜パターンの微細化や細線化が安定して図られる。そのため、高精度なデバイスを安定して製造することができる。
特に、前記膜パターンが前記基板上に設けられたTFT(膜トランジスタ)等のスイッチング素子の一部を構成する場合には、高集積化されたスイッチング素子を安定的に得ることができる。
これにより、高性能なデバイス、電気光学装置、電子機器を提供することができる。
なお、電気光学装置としては、例えば、液晶表示装置、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、プラズマ型表示装置などを例示できる。
図1は、本発明の膜パターンの形成方法を概念的に示す図である。
本発明の膜パターン形成方法は、基板P上にバンクBを形成するバンク形成工程、バンクBによって区画された領域に機能液Lを配置する材料配置工程、及び基板P上に配置された機能液Lを乾燥させる乾燥(焼成)工程を有している。
なお、基板Pとは別の物体上でバンクBを形成し、それを基板P上に配置してもよい。
図2は、本実施形態に係るアクティブマトリックス基板の一部を拡大した図である。
アクティブマトリックス基板20上は、格子状に配線されたゲート配線40とソース配線42とを備える。すなわち、複数のゲート配線40がX方向(第1方向)に延びるように形成され、ソース配線42がY方向(第2方向)に延びるように形成されている。
また、ゲート配線40には、ゲート電極41が接続され、ゲート電極41上に絶縁層を介してTFT30が配置される。一方、ソース配線42には、ソース電極43が接続され、ソース電極43の一端は、TFT(スイッチング素子)30に接続する。
そして、ゲート配線40とソース配線42に囲まれた領域には、画素電極45が配置され、ドレイン電極44を介してTFT30に接続する。
また、アクティブマトリックス基板20上には、ゲート配線40と略平行するように、容量線46が配線される。容量線46は、画素電極45及びソース配線42の下層に絶縁層を介して配置される。
なお、ゲート配線40、ゲート電極41、ソース配線42、容量線46は、同一の面上に形成される。
アクティブマトリックス基板20を液晶表示装置に用いた場合には、画像表示領域には複数の画素100aがマトリクス状に構成される。これらの画素100aの各々には、画素スイッチング用のTFT30が形成されており、画素信号S1、S2、…、Snを供給するソース配線42がソース電極43を介してTFT30のソースに電気的に接続されている。ソース配線42に供給する画素信号S1、S2、…、Snは、この順に線順次で供給してもよく、相隣接する複数のソース配線42同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。
また、TFT30のゲートには、ゲート配線40がゲート電極41を介して電気的に接続されている。そして、所定のタイミングで、ゲート配線40にパルス的に走査信号G1、G2、…、Gmをこの順に線順次で印加するように構成されている。
なお、保持された画素信号S1、S2、…、Snがリークするのを防ぐために、容量線46によって、画素電極45と対向電極121との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量48が付加されている。例えば、画素電極45の電圧は、ソース電圧が印加された時間よりも3桁も長い時間だけ蓄積容量48により保持される。これにより、電荷の保持特性は改善され、コントラスト比の高い液晶表示装置100を実現することができる。
次に、アクティブマトリックス基板20の製造方法について説明する。
アクティブマトリックス基板20は、基板P上に格子パターンの配線を形成する第1工程と、積層部35を形成する第2工程と、画素電極45等を形成する第3工程により製造される。本実施形態においては、ソース電極43、ドレイン電極44、画素電極45の形成工程に本発明の膜パターンの形成方法が適用される。
以下、各工程毎に詳細に説明する。
図4、図5は、第1工程である配線形成工程を説明する図である。なお、図4(b),図5(b)は、それぞれ図4(a),図5(a)におけるA−A’線に沿う断面図である。
ゲート配線40やソース配線42等の格子パターンの配線が形成される基板Pとしては、ガラス、石英ガラス、Siウエハ、プラスチックフィルム、金属板など各種の材料を用いることができる。また、これら各種の素材基板の表面に半導体膜、金属膜、誘電体膜、有機膜などが下地層として形成されたものも含む。
そして、まず、図4に示すように、基板P上に、絶縁性の材料からなるバンク51が形成される。バンクは、後述する配線用インクを基板Pの所定位置に配置するためのものである。
具体的には、図4(a)に示すように、洗浄した基板Pの上面に、格子パターンの配線の形成位置に対応した複数の開口部52,53,54,55を有するバンク51をフォトリソグラフィ法に基づいて形成する。
バンク51の材料としては、例えば、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、オレフィン樹脂、メラミン樹脂などの高分子材料が用いられる。また、耐熱性等を考慮して、無機質の材料を含むものとすることもできる。無機質のバンク材料としては、例えば、ポリシラザン、ポリシロキサン、シロキサン系レジスト、ポリシラン系レジスト等の骨格にケイ素を含む高分子無機材料や感光性無機材料、シリカガラス、アルキルシロキサンポリマー、アルキルシルセスキオキサンポリマー、水素化アルキルシルセスキオキサンポリマー、ポリアリールエーテルのうちいずれかを含むスピンオングラス膜、ダイヤモンド膜、及びフッ素化アモルファス炭素膜、などが挙げられる。さらに、無機質のバンク材料として、例えば、エアロゲル、多孔質シリカ、などを用いてもよい。ポリシラザンと光酸発生剤とを含む感光性ポリシラザン組成物のように感光性を有する材料とした場合には、レジストマスクが不要になるため、好適である。なお、バンク51には、開口部52,53,54,55内に配線パターン用インクを良好に配置させるために、撥液処理が施される。撥液処理として、CF4プラズマ処理等(フッ素成分を有するガスを用いたプラズマ処理)を施す。なお、CF4プラズマ処理等に代えて、バンク51の素材自体に予め撥液成分(フッ素基等)を充填しておいても良い。
具体的には、X方向に延びるように形成された開口部52,53は、ゲート配線40、容量線46の形成位置に対応する。そして、ゲート配線40の形成位置に対応する開口部52には、ゲート電極41の形成位置に対応する開口部54が接続している。また、Y方向に延びるように形成された開口部55は、ソース配線42の形成位置に対応する。なお、Y方向に延びる開口部55は、X方向に延びる開口部52,53と交差しないように、交差部56において分断されるように形成される。
配線用インクは、導電性微粒子を分散媒に分散させた分散液や有機銀化合物や酸化銀ナノ粒子を溶媒(分散媒)に分散した溶液からなるものである。導電性微粒子としては、例えば、金、銀、銅、錫、鉛等の金属微粒子の他、これらの酸化物、並びに導電性ポリマーや超電導体の微粒子などが用いられる。これらの導電性微粒子は、分散性を向上させるために表面に有機物などをコーティングして使うこともできる。
インクジェット法を用いて液体材料を液滴として吐出する際、粘度が1mPa・sより小さい場合にはノズル周辺部がインクの流出により汚染されやすく、また粘度が50mPa・sより大きい場合は、ノズル孔での目詰まり頻度が高くなり円滑な液滴の吐出が困難となる。
乾燥処理は、例えば基板Pを加熱する通常のホットプレート、電気炉などによる加熱処理によって行うことができる。例えば180℃加熱を60分間程度行う。
焼成処理の処理温度は、分散媒の沸点(蒸気圧)、微粒子の分散性や酸化性等の熱的挙動、コーティング剤の有無や量、基材の耐熱温度などを考慮して適宜決定される。例えば、有機物からなるコーティング剤を除去するために、約250℃で焼成することが必要である。
このような乾燥・焼成処理により、導電性微粒子間の電気的接触が確保され、導電性膜に変換される。
液滴吐出装置(インクジェット装置)IJは、液滴吐出ヘッドから基板Pに対して液滴を吐出(滴下)するものであって、液滴吐出ヘッド301と、X方向駆動軸304と、Y方向ガイド軸305と、制御装置CONTと、ステージ307と、クリーニング機構308と、基台309と、ヒータ315とを備えている。ステージ307は、この液滴吐出装置IJによりインク(液体材料)を設けられる基板Pを支持するものであって、基板Pを基準位置に固定する不図示の固定機構を備えている。
Y方向ガイド軸305は、基台309に対して動かないように固定されている。ステージ307は、Y方向駆動モータ303を備えている。Y方向駆動モータ303はステッピングモータ等であり、制御装置CONTからY方向の駆動信号が供給されると、ステージ307をY方向に移動する。
クリーニング機構308は、液滴吐出ヘッド301をクリーニングするものである。クリーニング機構308には、図示しないY方向の駆動モータが備えられている。このY方向の駆動モータの駆動により、クリーニング機構は、Y方向ガイド軸305に沿って移動する。クリーニング機構308の移動も制御装置CONTにより制御される。
ヒータ315は、ここではランプアニールにより基板Pを熱処理する手段であり、基板P上に塗布された液体材料に含まれる溶媒の蒸発及び乾燥を行う。このヒータ315の電源の投入及び遮断も制御装置CONTにより制御される。
したがって、液滴吐出ヘッド301の吐出ノズルは、非走査方向であるY方向に一定間隔で並んで設けられている。なお、図6では、液滴吐出ヘッド301は、基板Pの進行方向に対し直角に配置されているが、液滴吐出ヘッド301の角度を調整し、基板Pの進行方向に対して交差させるようにしてもよい。このようにすれば、液滴吐出ヘッド301の角度を調整することで、ノズル間のピッチを調節することが出来る。また、基板Pとノズル面との距離を任意に調節することが出来るようにしてもよい。
液滴吐出ヘッド301には、液体材料(配線用インク等)を収容する液体室321に隣接してピエゾ素子322が設置されている。液体室321には、液体材料を収容する材料タンクを含む液体材料供給系323を介して液体材料が供給される。
ピエゾ素子322は駆動回路324に接続されており、この駆動回路324を介してピエゾ素子322に電圧を印加し、ピエゾ素子322を変形させることにより、液体室321が変形し、ノズル325から液体材料が吐出される。
この場合、印加電圧の値を変化させることにより、ピエゾ素子322の歪み量が制御される。また、印加電圧の周波数を変化させることにより、ピエゾ素子322の歪み速度が制御される。ピエゾ方式による液滴吐出は材料に熱を加えないため、材料の組成に影響を与えにくいという利点を有する。
図8〜図11は、第2工程である積層部形成工程を説明する図である。なお、図8(b)〜図11(b)は、それぞれ図8(a)〜図11(a)におけるA−A’線に沿う断面図であり、図9(c)〜図11(c)は、それぞれ図9(a)〜図11(a)におけるB−B’線に沿う断面図である。
第2工程では、バンク51及び格子パターンの配線からなる層上の所定位置に絶縁膜31と半導体膜(コンタクト層33,活性層32)からなる積層部35を形成する。
なお、交差部56上に配置するレジスト58aと容量線46上に配置するレジスト58bとは、接触しなように形成される。また、ゲート電極41上に配置するレジスト58cには、ハーフ露光を行うことにより、図9(b)に示すように、溝59を形成する。
これにより、図10に示すように、レジスト58(58a〜58c)を配置した所定位置以外の領域から、コンタクト層33、活性層32、絶縁膜31が取り除かれる。一方、レジスト58が配置された所定位置には、絶縁膜31と半導体膜(コンタクト層33,活性層32)からなる積層部35が形成される。
なお、ゲート電極41上に形成される積層部35では、レジスト58cにハーフ露光を行って溝59を形成しておいたので、エッチング前に再度現像することにより溝が貫通する。図10(b)示すように、溝59に対応するコンタクト層33が除去され、2つに分断された状態に形成される。これにより、ゲート電極41上に活性層32及びコンタクト層33からなるスイッチング素子としてTFT30が形成される。
このようにして、積層部35の形成が完了する。
図12〜図15は、第3工程である画素電極45等の形成工程を説明する図である。なお、図12(b)〜図15(b)は、それぞれ図12(a)〜図15(a)におけるA−A’線に沿う断面図であり、図12(c)〜図15(c)は、それぞれ図12(a)〜図15(a)におけるB−B’線に沿う断面図である。
第3工程では、ソース電極43、ドレイン電極44、導電層49及び画素電極45を形成する。
ソース電極43、ドレイン電極44、導電層49は、ゲート配線40やソース配線42を形成したのと同じ材料によって形成することができる。画素電極45は、透明性が必要であることから、ITO(Indium Tin Oxide:インジウムスズ酸化物)等の透光性材料によって形成することが望ましい。これらの形成には、第1工程と同様に、液滴吐出法が用いられる。
まず、ゲート配線40及びソース配線42等を覆うようにレジストマスク61をフォトリソグラフィ法に基づいて形成する。すなわち、図12に示すように、略格子状のレジストマスク61が形成される。なお、ソース配線42とゲート配線40、及びソース配線42容量線46との交差部56には開口部62が形成され、TFT30のドレイン領域に対応する位置には開口部63が形成される。
また、開口部62,63は、図12(b)に示すように、ゲート電極41上に形成した積層部35(TFT30)の一部が露出するように形成される。すなわち、レジストマスク61が積層部35(TFT30)をX方向に2分割するように形成される。
レジストマスク61の材料としては、例えば、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、オレフィン樹脂、メラミン樹脂などの高分子材料が用いられる。この材料は、保護膜60とのエッチング選択比等に基づいて最適なものが選択される。
続いて、有機膜であるレジストマスク61を除去する。これにより、無機膜である保護膜60のみがバンクとして現われる。
このようにして、基板P上には、図14に示すように、分断されたソース配線42を連結する導電層49、ソース電極43、ドレイン電極44が形成される。
このようにして、基板P上には、図15に示すように、ドレイン電極44と導通する画素電極45が形成される。
このように、本実施形態では、無機膜である保護膜60をバンクとして用いたので、バンクの耐熱性が高く、しかもバンクと基板との間の熱膨張率の差が小さい。そのため、機能液の乾燥時の熱などによるバンクの劣化が抑制され、膜パターンが良好な形状で形成される。また、保護膜60を複数の層60a,60bによって形成したので、十分なバンク厚みを稼ぐことができ、又、保護膜60に撥液性を付与したので、インクをバンクに区画された領域にのみ正確に配置することができる。特に、本実施形態では、保護膜60のうち最表面の層である保護膜60bのみに撥液性を付与したので、バンクの上面(最表面の層)のみを撥液化し、バンクの側面を撥液化しない状態とすることができる。したがって、微細なパターンを形成する場合でも、バンク内に機能液がスムーズに入り込めるようになり、膜の均一性も向上する。
すなわち、積層部35を形成する層のうち、コンタクト層33は導電性膜であり、そして、交差部56上の積層部35(コンタクト層33)上には、ソース配線42を連結する導電部49が形成される。このため、ソース配線42を流れる電流は、コンタクト層33にも流れる。したがって、容量線46上の積層部35と交差部56上の積層部35と接触していると、上述したように、ソース配線42を流れる電流が容量線46上の積層部35に流れ込んでしまうという現象が発生してしまう。
したがって、本発明のアクティブマトリックス基板20によれば、このような不都合が回避されるので、所望の性能を発揮することが可能となる。
また、本実施形態では、アクティブマトリクス基板の好適な一形態例について説明したが、その構成部材の形状や組み合わせは係る形態に限定されるものではない。例えば、図図10に代えて、積層部35の形状・配置を図16のようなものにすることもできる。この場合、ソース領域とソース配線43とが近接して配置されるため、ソース電極43の形成面積を小さくし、より性能の高いアクティブマトリクス基板を製造することができる。
さらに、本実施形態では、画素電極45等を形成する工程に対して本発明の膜パターンの形成方法を適用したが、ゲート配線等の他のパターンを形成する工程対して本発明を適用することも勿論可能である。
次に、アクティブマトリックス基板20を用いた電気光学装置の一例である液晶表示装置100について説明する。
図17は、液晶表示装置100を対向基板側から見た平面図であり、図18は、図17のH−H’線に沿う断面図である。
なお、以下の説明に用いた各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせてある。
なお、データ線駆動回路201及び走査線駆動回路204をTFTアレイ基板110の上に形成する代わりに、例えば、駆動用LSIが実装されたTAB(Tape Automated Bonding)基板とTFTアレイ基板110の周辺部に形成された端子群とを異方性導電膜を介して電気的及び機械的に接続するようにしてもよい。
なお、液晶表示装置100においては、使用する液晶150の種類、すなわち、TN(Twisted Nematic)モード、C−TN法、VA方式、IPS方式モード等の動作モードや、ノーマリホワイトモード/ノーマリブラックモードの別に応じて、位相差板、偏光板等が所定の向きに配置されるが、ここでは図示を省略する。
また、液晶表示装置100をカラー表示用として構成する場合には、対向基板120において、TFTアレイ基板110の後述する各画素電極に対向する領域に、例えば、赤(R)、緑(G)、青(B)のカラーフィルタをその保護膜とともに形成する。
また、前記のアクティブマトリクス基板は、液晶表示装置以外の他の電気光学装置、例えば有機EL(エレクトロルミネッセンス)表示装置等にも応用が可能である。有機EL表示装置は、蛍光性の無機および有機化合物を含む薄膜を、陰極と陽極とで挟んだ構成を有し、前記薄膜に電子および正孔(ホール)を注入して励起させることにより励起子(エキシトン)を生成させ、このエキシトンが再結合する際の光の放出(蛍光・燐光)を利用して発光させる素子である。そして、上記のTFT30を有する基板上に、有機EL表示素子に用いられる蛍光性材料のうち、赤、緑および青色の各発光色を呈する材料すなわち発光層形成材料及び正孔注入/電子輸送層を形成する材料をインクとし、各々をパターニングすることで、自発光フルカラーELデバイスを製造することができる。本発明における電気光学装置の範囲には、このような有機ELデバイスも含まれるものとする。なお、有機EL表示装置においては、正孔注入/輸送層形成材料や発光層形成材料を形成する方法として本発明の膜パターンの形成方法を適用することも可能である。
更に、アクティブマトリックス基板20は、PDP(プラズマディスプレイパネル)や、基板上に形成された小面積の薄膜に膜面に平行に電流を流すことにより、電子放出が生ずる現象を利用する表面伝導型電子放出素子等にも適用可能である。
次に、本発明の電子機器の具体例について説明する。
図19(a)は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図19(a)において、600は携帯電話本体を示し、601は上記実施形態の液晶表示装置100を備えた表示部を示している。
図19(b)は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図19(b)において、700は情報処理装置、701はキーボードなどの入力部、703は情報処理本体、702は上記実施形態の液晶表示装置100を備えた表示部を示している。
図19(c)は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図19(c)において、800は時計本体を示し、801は上記実施形態の液晶表示装置100を備えた表示部を示している。
このように、図19(a)〜(c)に示す電子機器は、上記実施形態の液晶表示装置100を備えたものであるので、高い品質や性能が得られる。
また、テレビやモニター等の大型液晶パネルにおいても本実施形態を用いることができる。
Claims (9)
- 機能液を基板上に配置することにより膜パターンを形成する方法であって、
前記基板上にバンクを形成する工程と、
前記バンクによって区画された領域に前記機能液を配置する工程と、
前記基板上に配置された前記機能液を乾燥させる工程とを有し、
前記バンクの形成工程は、無機質の材料からなる層を複数層形成する工程と、前記複数の層を有機マスクを用いてパターニングする工程と、前記有機マスクを除去する工程とを有することを特徴とする、膜パターンの形成方法。 - 前記複数の層のうち最表面の層は撥液性の材料からなることを特徴とする、請求項1記載の膜パターンの形成方法。
- 前記複数の層をパターニングする前に、最表面の層を撥液処理する工程を含むことを特徴とする、請求項1記載の膜パターンの形成方法。
- 前記機能液を液滴吐出法を用いて前記領域に配置することを特徴とする、請求項1〜3のいずれかの項に記載の膜パターンの形成方法。
- 基板に膜パターンが形成されてなるデバイスの製造方法であって、
請求項1〜4のいずれかの項に記載の膜パターンの形成方法により、前記基板に前記膜パターンを形成することを特徴とする、デバイス製造方法。 - 前記膜パターンは、前記基板上に設けられたスイッチング素子の一部を構成することを特徴とする、請求項5記載のデバイス製造方法。
- 請求項5又は6記載のデバイス製造方法を用いて製造されたことを特徴とする、デバイス。
- 請求項7記載のデバイスを備えることを特徴とする、電気光学装置。
- 請求項8記載の電気光学装置を備えることを特徴とする、電子機器。
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