CN1780530A - 配线图案的形成方法、设备制造方法、设备及电光学装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供在形成配线图案时可以减少断线等质量问题的配线图案的形成方法、设备的制造方法、设备及电光学装置以及电子机器。在从液滴喷头(1)向基板P上喷出配线图案用功能液(X)而形成配线图案时，在作为由基板(P)上的堤堰(B)划分出的凹部的第1区域部(Gh)和第3区域部(Ga)中，配置配线图案用功能液(X)，通过利用毛细管现象，使配线图案用功能液(X)流入比第1区域部(Gh)、第3区域部(Ga)更窄的第2区域部(Gd)中，并进行煅烧，形成了门电极(11)和门配线(12)。

Description

配线图案的形成方法、设备制造方法、设备及电光学装置
技术领域
本发明涉及配线图案的形成方法、设备的制造方法、设备及电光学装置以及电子机器。
背景技术
在电子电路及集成电路等中所使用的具有配线的设备制造中，例如使用光刻法。该光刻法是如下的方法，即，在预先形成了导电膜的基板上涂布被称作光刻胶的感光材料，向电路图案照射光而进行曝光～显影，通过与光刻胶图案对应地蚀刻导电膜，形成薄膜的配线图案。该光刻法需要真空装置等大型的设备和复杂的工序，另外材料使用效率也仅为百分之几左右，不得不将其大部分废弃，制造成本高。
例如，如专利文献1及专利文献2中所公布的那样，提出了如下的方法，即，使用从液滴喷头中将作为液体材料的功能液成液滴状喷出的液滴喷出法，在基板上形成配线图案。该方法中，将分散了金属微粒等导电性微粒的作为功能液的配线图案用功能液在基板上直接配置于图案的形成区域，其后进行热处理或激光照射，转换为薄膜的导电膜图案。根据该方法，具有如下的优点，即，不需要进行光刻，工序大幅度地简单化，并且原材料的使用量也可以较少(例如参照专利文献1、专利文献2)。
[专利文献1]特开平11-274671号公报
[专利文献2]特开2000-21630号公报
但是，所述以往的配线图案的形成方法中，向形成门配线的部分用液滴喷出法喷出功能液，形成了配线图案。此时，向形成门配线的部分滴下的功能液因毛细管现象而向形成门电极的部分流去，使得形成门配线的部分和形成门电极的部分被功能液充满。但是，由于形成门配线的部分比形成门电极的部分更宽，因此所滴下的功能液的更多部分被形成门配线的部分吸收掉，有滞留在那里的倾向。这样，功能液就不能充分地流向形成门电极的部分。这样，在功能液煅烧后得到的配线图案中形成与形成门配线的部分相比宽度更窄的门电极的部分的所得的膜厚就会变得不均一。这样，就会产生膜厚不足，或产生配线图案的中断等质量问题。当形成该门电极的部分的膜厚变薄时，由于作为配线图案的配线电阻有增高的倾向，因此就会有象素的驱动能力降低的现象。所以，结果就会有无法获得稳定的晶体管特性的情况。
发明内容
本发明的目的在于，提供在形成配线图案时可以减少断线等质量问题的配线图案的形成方法、设备的制造方法、设备及电光学装置以及电子机器。
本发明的配线图案的形成方法是在基板上的给定的区域使用液滴喷出法形成配线图案的方法，其特征是，具有如下的形状，即，所述给定的区域具有第1区域部和与所述第1区域部连接的第2区域部、与所述第2区域部连接的第3区域部，并且所述第2区域部的宽度与所述第1区域部及所述第3区域部的各宽度相比更窄，具有在所述给定的区域上形成用于配置功能液的凹部的工序、向所述第1区域部喷出含有所述配线图案的材料的功能液的第1喷出工序、使向所述第1区域部喷出的所述功能液干燥而形成膜的第1成膜工序、向所述第3区域部喷出所述功能液的第2喷出工序、使向所述第3区域部喷出的所述功能液干燥而形成膜的第2成膜工序。
根据本发明，由于在向与基板上的给定的区域对应的凹部喷出功能液而形成配线图案时，具有形成凹凸的工序、向第1区域部喷出功能液而干燥的第1成膜工序、向第3区域部喷出功能液而干燥的第2成膜工序，因此当将功能液向第1区域部喷出而配置时，由于与第1区域部相比第2区域部的宽度更窄，因此由于毛细管现象，功能液就流入第2区域部而被固化。同样地，当将功能液向第3区域部喷出而配置时，由于与第3区域部相比第2区域部的宽度更窄，因此由于毛细管现象，功能液就流入第2区域部而被固化。这样，固化了的功能液将第2区域部充满。由于被充满了功能液的第2区域部为门电极，因此就可以减少门电极的膜厚不足、图案的中断等的发生。所以，就可以形成质量问题少的电气特性优良的配线图案。
本发明的配线图案的形成方法最好在形成所述凹部的工序中，在所述基板上形成包围所述给定的区域的堤堰。
根据本发明，由于凹部被以堤堰形成，因此向给定的区域喷出的功能液就容易进入凹部。
本发明的配线图案的形成方法最好形成于所述给定的区域中的所述配线图案当中的形成于所述第2区域部的部分为门电极。
根据本发明，由于功能液因毛细管现象而容易滞留在第2区域部，因此就容易将第2区域部的膜厚均一地形成，所以就可以减少作为第2区域部的门电极的膜厚不足、图案的中断等的发生。
本发明的配线图案的形成方法最好所述第3区域部具备在外周的局部具有圆弧的形状。
根据本发明，由于第3区域部为在外周的局部具有圆弧的形状，因此向第3区域部喷出的功能液就容易滞留，滞留的功能液容易因毛细管现象从第3区域部流向第2区域部。
本发明的配线图案的形成方法最好所述配线图案在所述凹部中配置有多层不同的所述膜，逐层进行所述第1喷出工序、所述第1成膜工序、所述第2喷出工序、所述第2成膜工序而层叠多层不同的所述膜。
根据本发明，由于具有第1及第2喷出工序和第1及第2成膜工序，逐层形成多层第1膜和第2膜，因此就可以提供不同的叠层膜的配线图案。
本发明的设备的制造方法是在基板上的给定的区域使用液滴喷出法形成了配线图案的设备的制造方法，其特征是，在所述基板上，使用所述的配线图案形成方法形成配线图案。
根据本发明，由于可以形成门电极的膜厚不足、图案的中断等质量问题较少的电气特性优良的配线图案，因此配线电阻就变得大致均一，所以可以提供象素的驱动能力降低很少的设备。
本发明的设备的制造方法最好在所述基板上，作为所述配线图案形成门电极及门配线。
根据本发明，由于通过将门电极和门配线的膜厚大致均一地形成，配线电阻变得更为均一，因此可以提供象素的驱动能力降低很少的、电气特性优良的设备。
本发明的配线图案是在基板上的给定的区域使用液滴喷出法形成的配线图案，其特征是，具有如下的形状，即，所述给定的区域具有第1区域部和与所述第1区域部连接的第2区域部、与所述第2区域部连接的第3区域部，并且所述第2区域部的宽度与所述第1区域部及所述第3区域部的各宽度相比更窄，具备：通过向所述第1区域部喷出功能液并使所述功能液干燥而形成于所述第1区域部及第2区域部上的第1膜、通过向所述第3区域部喷出功能液并使所述功能液干燥而形成于所述第3区域部及第2区域部上的第2膜。
根据本发明，在向与基板上的给定的区域对应的凹部喷出功能液而形成配线图案时，当将功能液向第1区域部喷出而配置时，由于与第1区域部相比第2区域部的宽度更窄，因此由于毛细管现象，功能液就流入第2区域部而被固化。同样地，当将功能液向第3区域部喷出而配置时，由于与第3区域部相比第2区域部的宽度更窄，因此由于毛细管现象，功能液就流入第2区域部而被固化。这样，固化了的功能液将第2区域部充满。由于被充满了功能液的第2区域部为门电极，因此就可以减少门电极的膜厚不足、图案的中断等的发生。所以，就可以提供质量问题少的电气特性优良的配线图案。
本发明的配线图案最好形成于所述基板上的凹部被以包围所述给定的区域的堤堰形成。
根据本发明，由于凹部被以堤堰形成，因此向给定的区域喷出的功能液就容易进入凹部。
本发明的配线图案最好形成于所述给定的区域中的所述配线图案当中的形成于所述第2区域部的部分为门电极。
根据本发明，由于功能液因毛细管现象而容易滞留在第2区域部，因此就容易将第2区域部的膜厚均一地形成，所以就可以减少作为第2区域部的门电极的膜厚不足、图案的中断等的发生。
本发明的配线图案最好所述第3区域部具备在外周的局部具有圆弧的形状。
根据本发明，由于第3区域部为在外周的局部具有圆弧的形状，因此向第3区域部喷出的功能液就容易滞留，滞留的功能液容易从第3区域部流向第2区域部。
本发明的配线图案最好所述配线图案在所述凹部中配置有多层不同的所述膜，逐层进行所述第1膜、所述第2膜的形成而层叠多层不同的所述膜。
根据本发明，由于在配线图案中具有第1膜和第2膜，将这些第1膜和第2膜逐层形成多层，因此就可以提供不同的叠层膜的配线图案。
本发明的设备是在基板上的给定的区域使用液滴喷出法形成了配线图案的设备，其特征是，在所述基板上，具备所述的配线图案。
根据本发明，由于具备所述的配线图案，因此配线电阻就变得大致均一，所以可以提供象素的驱动能力降低很少的、电气特性优良的设备。
本发明的设备最好在所述基板上，作为所述配线图案具备门电极及门配线。
根据本发明，由于通过将门电极和门配线的膜厚大致均一地形成，配线电阻变得更为均一，因此可以提供象素的驱动能力降低很少的、电气特性优良的设备。
本发明的电光学装置的特征是，具备所述的设备。
根据本发明，由于具有象素的驱动能力降低很少的、电气特性优良的设备，因此就可以提供稳定的晶体管特性。这样，就可以提供实现质量或性能的提高的电光学装置。而且，作为电光学装置，例如除了具有利用电场改变物质的折射率而改变光的透过率的电光学效应的装置以外，还包括将电能转变为光能的装置等。具体来说，有作为电光学物质使用液晶的液晶显示装置、使用有机EL(Electro-Luminescence)的有机EL装置、使用无机EL的无机EL装置、作为电光学物质使用等离子体用气体的等离子体喷射装置等。另外，还有电泳显示装置(EPD：Electrophoretic·Display)、场发射显示装置(FED：电场发射显示装置：Field·Emission·Display)等。
本发明的电子机器的特征是，具备所述的电光学装置。
根据本发明，由于具有可以实现质量或性能的提高的电光学装置，因此就可以提供能够实现质量的进一步的提高的电子机器。
附图说明
图1是表示本实施方式的液滴喷出装置IJ的概略构成的立体图。
图2是说明利用压电方式的液体材料的喷出原理的示意性剖面图。
图3是表示了TFT阵列基板的要部的概略构成的俯视图。
图4(a)是TFT的剖面图。(b)是门配线和源配线平面地交叉的部分的剖面图。
图5是表示配线图案的形成方法的流程图。
图6(a)～(h)是表示形成配线图案的顺序的一个例子的示意图。(a)、(c)、(e)、(g)为俯视图。(b)是表示沿着(a)中的C-C线的剖面构造的概略剖面图。(d)是表示沿着(c)中的C-C线的剖面构造的概略剖面图。(f)是表示沿着(e)中的C-C线的剖面构造的概略剖面图。(h)是表示沿着(g)中的C-C线的剖面构造的概略剖面图。
图7(i)～(n)是表示形成配线图案的顺序的一个例子的示意图。(i)、(k)、(m)为俯视图。(j)是表示沿着(i)中的C-C线的剖面构造的概略剖面图。(l)是表示沿着(k)中的C-C线的剖面构造的概略剖面图。(n)是表示沿着(m)中的C-C线的剖面构造的概略剖面图。
图8是表示了配线图案的概略构成的图，(a)为俯视图。(b)是表示沿着(a)中的C-C线的剖面构造的概略剖面图。
图9是等离子体处理装置的概略构成图。
图10是从液晶显示装置的对置基板侧看到的俯视图。
图11是沿着图10的H-H’线的剖面图。
图12是液晶显示装置的等价电路图。
图13是作为电子机器的携带电话的立体图。
其中，1…液滴喷头，10…TFT阵列基板，11…门电极，12…门配线，14…漏电极，16…源配线，17…源电极，19…象素电极，30…TFT，35…形成于堤堰B、B间的底部，71…作为第1配线图案的基底膜，71a…第1膜，71b…第2膜，73…作为第2配线图案的导电膜，77…作为第3配线图案的扩散防止膜，79…配线图案，100…作为电光学装置的液晶显示装置，600…作为电子机器的携带电话，B…堤堰，Gh…第1区域部，Gd…第2区域部，Ga…第3区域部，IJ…液滴喷出装置，L…液滴，P…基板，X(X1、X2、X3)…配线图案用功能液。
具体实施方式
下面将参照附图，对本发明的配线图案的形成方法、设备的制造方法、设备及电光学装置以及电子机器举出实施方式，进行详细说明。
(实施方式)
本实施方式中，对以下情况的例子进行说明，即，利用液滴喷出法从液滴喷头1中成液滴状喷出含有导电性微粒的配线图案用功能液X，在基板上与配线图案对应地形成的堤堰之间形成由多个导电膜构成的配线图案。这里，在对本发明的特征性的构成及方法进行说明之前，首先对液滴喷出法中所使用的配线图案用功能液、基板、液滴喷出方法、液滴喷出装置依次进行说明。
<关于配线图案用功能液>
配线图案用功能液X是由在分散剂中分散了导电性微粒的分散液构成的。本实施方式中，作为导电性微粒，例如除了含有金、银、铜、铁、铬、锰、钼、钛、钯、钨及镍当中的任意一种的金属微粒以外，还可以使用它们的氧化物以及导电性聚合物或超导体的微粒。这些导电性微粒为了提高分散性，也可以在表面上涂覆有机物等而使用。导电性微粒的粒径优选1nm以上0.1μm以下。当大于0.1μm时，则有可能在后述的液滴喷头的喷出喷嘴中产生堵塞。另外，当小于1nm时，则涂覆剂相对于导电性微粒的体积比变大，所得的膜中的有机物的比例变得过多。
作为分散剂，只要是可以分散所述的导电性微粒的材料，不会引起凝聚的材料，就没有特别限定。例如，除了水以外，还可以例示出甲醇、乙醇、丙醇、丁醇等醇类、n-丁烷、n-辛烷、癸烷、十二烷、十四烷、甲苯、二甲苯、异丙甲苯、均四甲苯、茚、二戊烯、四氢化萘、十氢化萘、环己基苯等烃类化合物、乙二醇二甲醚、乙二醇二乙醚、乙二醇甲乙醚、二乙二醇二甲醚、二乙二醇二乙醚、二乙二醇甲乙醚、1，2-二甲氧基乙烷、双(2-甲氧基乙基)醚、p-二氧杂环乙烷等醚类化合物以及碳酸丙烯酯、γ-丁内酯、N-甲基-2-吡咯烷酮、二甲替甲酰胺、二甲亚砜、环己酮等极性化合物。它们当中，从微粒的分散性和分散液的稳定性以及在液滴喷出法中的应用的容易度方面考虑，优选水、醇类、烃类化合物、醚类化合物，作为更优选的分散剂，可以举出水、烃类化合物。
所述导电性微粒的分散液的表面张力优选0.02N/m以上0.07N/m以下的范围内。在用液滴喷出法喷出液体时，当表面张力小于0.02N/m时，则由于配线图案用功能液X的组成物的相对于喷出喷嘴面的浸润性增大，因此容易产生飞行弯曲，当超过0.07N/m时，则由于喷出喷嘴头端的弯月面的形状不稳定，因此喷出量、喷出时刻的控制变得困难。为了调制表面张力，在所述分散液中，在不使与基板的接触角很大地降低的范围内，添加微量的氟类、硅类、非离子类等表面张力调节剂即可。非离子类表面张力调节剂是起到提高液体向基板的浸润性，改良膜的调平性，防止膜的微细的凹凸的产生等作用的材料。所述表面张力调节剂也可以根据需要，含有醇、醚、酯、酮等有机化合物。
所述分散液的粘度优选1mPa·s以上50mPa·s以下。在使用液滴喷出法将液体材料作为液滴喷出时，在粘度小于1mPa·s的情况下，喷出喷嘴周边部容易因配线图案用功能液X的流出而被污染，另外当粘度大于50mPa·s时，喷出喷嘴孔中的堵塞频率增大，难以实现顺利的液滴的喷出。
<关于基板>
作为形成配线图案的基板，可以使用玻璃、石英玻璃、Si晶片、塑料薄膜、金属板等各种材料。另外，还包括在这些各种原材料基板的表面作为基底层形成了半导体膜、金属膜、电介质膜、有机膜等的基板。
<关于液滴喷出法>
这里，作为液滴喷出法的喷出技术，可以举出带电控制方式、加压振动方式、电气机械转换方式、电热转换方式、静电抽吸方式等。带电控制方式是用带电电极向材料提供电荷，用偏转电极控制材料的飞翔方向，使之从喷出喷嘴中喷出的方式。另外，加压振动方式是向材料施加30kg/cm2左右的超高压，使材料向喷出喷嘴头端侧喷出的方式，在不施加控制电压的情况下，材料直进地从喷出喷嘴中喷出，当施加控制电压时，在材料间引起静电的排斥，材料飞散而不从喷出喷嘴中喷出。另外，电气机械转换方式利用压电元件(piezo元件)受到脉冲的电信号而变形的性质的方式，是通过压电元件变形而借助柔性物质向贮留材料的空间赋予压力，将材料从该空间中推出而从喷出喷嘴中喷出的方式。
另外，电热转换方式是如下的方式，即，利用设于贮留了材料的空间内的加热器，使材料急剧地气化而产生气泡，利用气泡的压力使空间内的材料喷出。静电抽吸方式是如下的方式，即，向贮留了材料的空间内施加微小压力，在喷出喷嘴中形成材料的弯月面，在该状态下施加静电引力后将材料抽出。另外，此外还可以应用利用由电场造成的流体的粘性变化的方式、用放电火花使之飞出的方式等技术。液滴喷出法具有如下的优点，即，在材料的使用中没有浪费，而且可以将所需的量的材料可靠地配置于所需的位置。而且，利用液滴喷出法喷出的液状材料的一滴的量例如为1～300纳克。
下面，对制造本发明的设备时所使用的设备制造装置进行说明。作为该设备制造装置，使用通过从液滴喷头向基板喷出(滴下)液滴来制造设备的液滴喷出装置。
<关于液滴喷出法装置>
图1是表示液滴喷出装置IJ的概略构成的立体图。液滴喷出装置IJ具备液滴喷头1、X轴方向驱动轴4、Y轴方向导引轴5、控制装置CONT、台架7、清洁机构8、基台9、加热器15。
台架7是支撑被该液滴喷出装置IJ配置配线图案用功能液X的基板P的构件，具备将基板P固定于基准位置的未图示的固定机构。
液滴喷头1是具备了多个喷出喷嘴的多喷嘴型的液滴喷头，使长边方向与X轴方向一致。多个喷出喷嘴被沿X轴方向并列地以一定间隔设于液滴喷头1的下面。从液滴喷头1的喷出喷嘴中，向被台架7支撑的基板P，喷出含有所述的导电性微粒的配线图案用功能液X。
在X轴方向驱动轴4上连接有X轴方向驱动马达2。X轴方向驱动马达2为步进马达等，当从控制装置CONT提供X轴方向的驱动信号时，就会使X轴方向驱动轴4旋转。当X轴方向驱动轴4旋转时，液滴喷头1就会沿X轴方向移动。
Y轴方向导引轴5被相对于基台9不移动地固定。台架7具备Y轴方向驱动马达3。Y轴方向驱动马达3为步进马达等，当从控制装置CONT提供Y轴方向的驱动信号时，就会将台架7沿Y轴方向移动。
控制装置CONT向液滴喷头1供给液滴L的喷出控制用的电压。另外，控制装置CONT向X轴方向驱动马达2供给控制液滴喷头1的向X轴方向的移动的驱动脉冲信号，并且向Y轴方向驱动马达3供给控制台架7的向Y轴方向的移动的驱动脉冲信号。
清洁机构8是清洁液滴喷头1的机构，具备未图示的Y轴方向驱动马达。利用该Y轴方向驱动马达的驱动，清洁机构8沿着Y轴方向导引轴5移动。清洁机构8的移动也由控制装置CONT控制。
加热器15是在这里是利用灯退火对基板P进行热处理的机构，进行涂布于基板P上的配线图案用功能液X中所含的溶剂的蒸发及干燥。该加热器15的电源的加入及切断也由控制装置CONT控制。
液滴喷出装置IJ在对液滴喷头1和支撑基板P的台架7进行相对扫描的同时向基板P喷出液滴。这里，在以下的说明中，将Y轴方向作为扫描方向，将与Y轴方向正交的X轴方向作为非扫描方向。所以，液滴喷头1的喷出喷嘴被沿作为非扫描方向的X轴方向以一定间隔并排设置。而且，图1中，液滴喷头1虽然被与基板P的行进方向成直角地配置，但是也可以调整液滴喷头1的角度，使之与基板P的行进方向交叉。这样的话，通过调整液滴喷头1的角度，就可以调节喷嘴间的间距。另外，也能够任意地调节基板P和喷嘴面的距离。
图2是用于说明利用压电方式进行的液体材料的喷出原理的图。图2中，与收容液体材料(配线图案用功能液)的液体室21相邻地设有压电元件22。经过包括收容液体材料的材料罐的液体材料供给系统23，将液体材料向液体室21供给。压电元件22被与驱动电路24连接，通过借助该驱动电路24向压电元件22施加电压，使压电元件22变形，液体室21发生变形，液体材料从喷出喷嘴25中被作为液滴L喷出。此时，通过改变施加电压的值，来控制压电元件22的变形量。另外，通过改变施加电压的频率，来改变压电元件22的变形速度。由于利用压电方式进行的液滴喷出不对材料加热，因此具有不会对材料的组成造成影响的优点。
下面，对作为使用本实施方式的配线图案的形成方法制造的装置的一个例子的薄膜晶体管(TFT(Thin·Film·Transistor))进行说明。图3是表示了包括TFT阵列基板的1个TFT的一部分的概略构成的俯视图。图4(a)是TFT的剖面图，图4(b)是门配线和源配线平面地交叉的部分的剖面图。
如图3所示，在具有TFT30的TFT阵列基板10上，具备门配线12、源配线16、漏电极14、与漏电极14电连接的象素电极19。门配线12被沿X轴方向延伸地形成，其一部分被沿Y轴方向延伸地形成。此外，沿Y轴方向延伸的门配线12的一部分被作为门电极11使用。而且，门电极11的宽度小于门配线12的宽度。此外，该门配线12被用本实施方式的配线图案形成方法形成。另外，沿Y轴方向延伸地形成的源配线16的一部分被较宽地形成，该源配线16的一部分被作为源电极17使用。
如图4所示，门配线12被形成于设于基板P上的堤堰B之间。门配线12及堤堰B被绝缘膜28覆盖，在绝缘膜28之上，形成有源配线16、源电极17、漏电极14、堤堰B1。门配线12被绝缘膜28与源配线16绝缘，门电极11被绝缘膜28与源电极17及漏电极14绝缘。源配线16、源电极17、漏电极14被绝缘膜29覆盖。
下面，对本实施方式的配线图案的形成方法进行说明。图5是表示本实施方式的配线图案的形成方法的一个例子的流程图。图6(a)～(h)及图7(i)～(m)是表示形成配线图案的顺序的一个例子的示意图。图8(a)是表示了配线图案的概略构成的俯视图，图8(b)是表示沿(a)中的C-C线的剖面构造的概略剖面图。
本实施方式的配线图案的形成方法是将所述的配线图案形成用功能液X配置于基板P上，在基板P上形成配线膜，而形成配线图案的方法。步骤S1是按照在基板P上形成与配线图案的形状对应的凹部的方式突出设置堤堰B的堤堰形成工序，其后的步骤S2是对基板P赋予亲液性的亲液化处理工序，其后的步骤S3是对堤堰B的表面赋予疏液性的疏液化处理工序。另外，其后的步骤S4是在被赋予了疏液性的堤堰B之中的第1区域部配置配线图案用功能液X的功能液配置工序，其后的步骤S5是将配线图案用功能液X干燥而形成基底膜71的中间干燥工序，其后的步骤S6是在第3区域部配置配线图案用功能液X的功能液配置工序，此外，最后的步骤S7是对这些配线图案用功能液X和基底膜71进行热处理的煅烧工序。
下面将对各步骤的每个工序进行说明。而且，这里对在基板P上形成由基底膜71、导电膜73、扩散防止膜77构成的叠层膜的配线图案79的情况进行说明。本实施方式中作为基板P使用玻璃基板。
首先，对步骤S1的堤堰形成工序进行说明。该堤堰形成工序中，首先，在涂布堤堰B的形成材料之前，作为表面改性处理，对基板P实施HMDS处理。HMDS处理是将六甲基二硅氨((CH3)3SiNHSi((CH3)3)制成蒸气状而涂布的方法。这样，就在基板P上形成作为提高堤堰B和基板P的密接性的密接层的HMDS层(图示略)。
堤堰B是作为分隔构件发挥作用的构件，堤堰B的形成可以利用光刻法或印刷法等任意的方法来进行。例如，当使用光刻法时，用旋转涂覆、喷射涂覆、滚筒涂覆、染色涂覆、浸渍涂覆等给定的方法，在基板P上与堤堰B的高度匹配地涂布堤堰B的形成材料而形成光刻胶层。此后，与堤堰B的形状(配线图案形状)匹配地实施掩模处理，通过对光刻胶层进行曝光·显影，残留与堤堰B的形状吻合的光刻胶层。最后进行蚀刻，将掩模以外的部分的堤堰B的形成材料除去。
如图6(a)所示，用堤堰B包围而形成作为为了配置配线图案用功能液X而设置的凹部的第1区域部Gh、第2区域部Gd、第3区域部Ga。第1区域部Gh被通过形成配线的图案而成为门配线12，同样地，第2区域部Gd成为门电极11。第2区域部Gd被与第1区域部Gh连接地配置，在第2区域部Gd的一个端部连接配置有第3区域部Ga。此外，第1区域部Gh的宽度与第2区域部Gd相比更宽。第3区域部Ga的宽度与第2区域部Gd相比更宽，第3区域部Ga在其外周部分具备具有圆弧状的部分。
如图6(b)所示，堤堰B被配置于基板P上，被该堤堰B包围的第1区域部Gh、第2区域部Gd、第3区域部Ga的底的部分为底部35。
本实施方式的配线图案的形成方法中，作为堤堰B的形成材料，使用无机材质的材料。作为利用无机材质的材料形成堤堰B的方法，例如在使用各种涂覆法或CVD法(化学气相生长法)等在基板P上形成了由无机材质的材料构成的层后，利用蚀刻或抛光等进行图案处理，就可以获得给定的形状的堤堰B。而且，也可以在与基板P不同的物体上形成堤堰B，将其配置于基板P上。
作为堤堰B的形成材料，只要是相对于配线图案用功能液X显示疏液性的材料即可，如后所述，也可以是能够实现利用等离子体处理获得的疏液化(氟化)，与基底基板的密接性良好，容易实施利用光刻进行的图案处理的绝缘有机材料。作为无机材质的堤堰B的形成材料，例如可以举出包括氧化硅玻璃、烷基硅氧烷聚合物、alkylsilsesquioxane聚合物、氢化alkylsilsesquioxane聚合物、聚芳基醚当中的任意一个的旋转玻璃膜、金刚石膜及氟化无定形碳膜等。另外，作为无机材质的堤堰B的形成材料，例如也可以使用气溶胶、多孔氧化硅等。
而且，作为堤堰B的形成材料，也可以使用有机材质的材料。作为形成堤堰B的有机材料，既可以是相对于配线图案用功能液X显示疏液性的材料，也可以如后所述，是能够实现利用等离子体处理获得的疏液化(氟化)，与基底基板的密接性良好，容易实施利用光刻进行的图案处理的绝缘有机材料。例如可以使用丙烯酸树脂、聚亚酰胺树脂、烯烃树脂、酚醛树脂、密胺树脂等高分子材料。或者，也可以是以无机骨架(硅氧烷键)为主链而具有有机基团的材料。
当在基板P上形成堤堰B、B时，即实施氢氟酸处理。氢氟酸处理是通过以例如2.5％氢氟酸水溶液实施蚀刻而除去堤堰B、B间的HMDS层(图示略)的处理。
下面，对步骤S2的亲液化处理工序进行说明。该亲液化处理工序中，进行对堤堰B、B间的底部35(基板P的露出部)赋予亲液性的亲液化处理。作为亲液化处理工序，可以选择照射紫外线的紫外线(UV)照射处理或在大气气氛中以氧作为处理气体的O2等离子体处理等。本实施方式中，实施O2等离子体处理。
O2等离子体处理从等离子体放电电极向基板P照射等离子体状态的氧。作为O2等离子体处理的条件的一个例子，例如等离子体功率为50～1000W，氧气流量为50～100mL/min，基板P相对于等离子体放电电极的相对移动速度为0.5～10mm/sec，基板温度为70～90℃。
此外，当基板P为玻璃基板时，虽然其表面相对于配线图案用功能液X具有亲液性，但是通过像本实施方式那样实施O2等离子体处理或紫外线照射处理，可以进一步提高在堤堰B、B之间露出的基板P表面(底部35)的亲液性。这里，最好按照使堤堰间的底部35的与配线图案用功能液X的接触角达到15度以下的方式，进行O2等离子体处理或紫外线照射处理。
图9是表示在进行O2等离子体处理时所使用的等离子体处理装置的一个例子的概略构成图。图9所示的等离子体处理装置具有与交流电源41连接的电极42、作为接地电极的试样台40。试样台40能够在支撑作为试样的基板P的同时沿Y轴方向移动。在电极42的下面，突出设置有沿与移动方向正交的X轴方向延伸的2条平行的放电发生部44、44，并且包围放电发生部44地设有电介质构件45。电介质构件45是防止放电发生部44的异常放电的构件。此外，包括电介质构件45的电极42的下面成为近似平面状，从而在放电发生部44及电介质构件45和基板P之间形成微小的空间(放电间隙)。另外，在电极42的中央设有被制成沿X轴方向细长的构成处理气体供给部的一部分的气体喷出口46。气体喷出口46经由电极内部的气体通路47及中间小室48与气体导入口49连接。
穿过气体通路47而被从气体喷出口46中喷射的包含处理气体的给定气体在所述空间中被分开而流向移动方向(Y轴方向)的前方及后方，从电介质构件45的前端及后端向外部排出。与此同时，从交流电源41向电极42施加给定的电压，在放电发生部44、44和试样台40之间发生气体放电。这样，由利用该气体放电生成的等离子体生成所述给定气体的激发活性种，穿过放电区域的基板P的表面整体被连续地处理。
本实施方式中，所述给定气体是将作为处理气体的氧(O2)、用于使之在大气压附近的压力下容易开始放电并且维持稳定的氦气(He)、氩气(Ar)等稀有气体或氮气(N2)等惰性气体混合了的气体。特别是，通过使用氧作为处理气体，就可以将堤堰B、B间的底部35的堤堰B形成时的有机物(光刻胶或HMDS)残渣除去。即，所述氢氟酸处理中有时堤堰B、B间的底部35的HMDS(有机物)未被完全除去。或者，还有在堤堰B、B间的底部35残留有堤堰B形成时的光刻胶(有机物)。所以，通过进行O2等离子体处理，将堤堰B、B间的底部35的残渣除去。
而且，这里虽然按照通过进行氢氟酸处理将HMDS层(图示略)除去的方式进行了说明，但是由于利用O2等离子体处理或紫外线照射处理可以将堤堰B、B间的底部35的HMDS层(图示略)充分地除去，因此也可以不进行氢氟酸处理。另外，这里虽然按照作为亲液化处理进行O2等离子体处理或紫外线照射处理的任意一方的方式进行了说明，但是当然也可以将O2等离子体处理和紫外线照射处理组合使用。
下面，对步骤S3的疏液化处理工序进行说明。该疏液化处理工序中，对堤堰B进行疏液化处理，对其表面赋予疏液性。作为疏液化处理，采用以四氟化碳(CF4)作为处理气体的等离子体处理法(CF4等离子体处理法)。CF4等离子体处理的条件例如被设为：等离子体功率为50～1000W，四氟化碳气体流量为50～100mL/min，基体相对于等离子体放电电极的搬送速度为0.5～20mm/sec，基体温度为70～90℃。而且，作为初期气体，并不限定于四氟化碳，也可以使用其他的氟碳类气体，或者使用SF6或SF5CF3等气体。在CF4等离子体处理中，可以使用参照图9说明了的等离子体处理装置。
通过进行此种疏液化处理，向构成堤堰B、B的树脂中导入氟基，对堤堰B、B赋予了高疏液性。而且，作为所述的亲液化处理的O2等离子体处理虽然也可以在堤堰B的形成前进行，但是由于进行利用O2等离子体处理的前处理的话具有容易被氟化(疏液化)的性质，因此最好在形成堤堰B后进行O2等离子体处理。
而且，虽然利用对堤堰B、B的疏液化处理，对于先前进行了亲液化处理的堤堰B、B间的基板P露出部多少会有些影响，但是特别是在基板P由玻璃等制成的情况下，由于不会引起由疏液化处理造成的氟基的导入，因此基板P的亲液性，即浸润性实质上不会被损害。
利用所述的亲液化处理工序及疏液化处理工序，即按照使堤堰B的疏液性高于堤堰B、B间的底部35的疏液性的方式进行了表面改性处理。而且，虽然这里作为亲液化处理进行O2等离子体处理，但是如上所述，由于在基板P由玻璃等制成的情况下不会引起由疏液化处理造成的氟基的导入，因此即使不进行O2等离子体处理，而仅进行CF4等离子体处理，也可以使堤堰B的疏液性高于堤堰B、B间的底部35。将配置配线图案用功能液X前的状态表示在图6(a)、(b)中。
下面，对步骤S4的功能液配置工序进行说明。该功能液配置工序中，使用所述的利用液滴喷出装置IJ进行的液滴喷出法，将配线图案用功能液X配置在基板P上的堤堰B、B间。该功能液配置工序中，从液滴喷头1将含有配线图案形成用材料的配线图案用功能液X作为液滴L喷出。使用利用液滴喷出装置IJ的液滴喷出法，将用于形成基底膜71的配线图案用功能液X如图6(c)、(d)所示地配置在第1区域部Gh。此后，如图6(e)、(f)所示，配置于第1区域部Gh的配线图案用功能液X的一部分因毛细管现象而流入第2区域部Gd。而且，用于形成基底膜71的配线图案用功能液X(X1)作为形成基底膜71的原料使用锰，作为溶剂(分散剂)使用二乙二醇二乙醚。
本实施方式中，喷出液滴L的气氛最好被设定为温度在60℃以下，湿度在80％以下。这样，就可以不堵塞液滴喷头1的喷出喷嘴25地进行稳定的液滴喷出。
下面，对步骤S5的中间干燥工序进行说明。该中间干燥工序中，在基板P上配置了配线图案用功能液X(X1)后，为了除去分散剂及确保膜厚，根据需要进行干燥处理。干燥处理例如除了加热基板P的利用通常的加热板、电炉等的处理以外，也可以利用灯退火来进行。作为灯退火中所使用的光的光源，虽然没有特别限定，但是可以将红外线灯、氙灯、YAG激光器、氩激光器、二氧化碳激光器、XeF、XeCl、XeBr、KrF、KrCl、ArF、ArCl等准分子激光器等作为光源使用。这些光源一般来说使用输出10W以上5000W以下的范围的，但是本实施方式中，用100W以上1000W以下的范围即足够。如图6(g)、(h)所示，通过对配线图案用功能液X(X1)进行中间干燥，即在第1区域部Gh、第2区域部Gd的一部分形成第1膜71a。
下面，对步骤S6的功能液配置工序进行说明。该功能液配置工序中，如图7(i)、(j)所示，当在第3区域部Ga配置配线图案用功能液X(X1)时，配置于第3区域部Ga的配线图案用功能液X(X1)就如图7(k)、(l)所示，因毛细管现象而流入第2区域部Gd。
下面，对步骤S7的煅烧工序进行说明。该煅烧工序中，进行用于除去配线图案用功能液X(X1)之中的分散剂及确保膜厚的热处理。另外，在金属微粒的表面为了提高分散性而涂覆了有机物等的情况下，需要将该涂覆材料也除去。由此，对喷出工序后的基板实施热处理及/或光处理。热处理及/或光处理虽然通常在大气中进行，但是根据需要，也可以在氮气、氩气、氦气等惰性气体气氛中或氢气等还原性气氛中进行。热处理及/或光处理的处理温度要考虑分散剂的沸点(蒸气压)、气氛气体的种类或压力、微粒的分散性或氧化性等热性质、涂覆材料的有无或用量、基材的耐热温度等而适当地决定。本实施方式中，对形成了图案的配线图案用功能液X，在大气中用洁净烤炉在280～300℃下进行300分钟的煅烧工序。而且，例如在除去有机银化合物的有机成分时，需要在大约200℃下煅烧。另外，在使用塑料等基板的情况下，最好在室温以上250℃以下进行。利用以上的工序，喷出工序后的干燥膜就被确保了微粒间的电接触，被转换为导电性膜。利用以上的工序，在喷出工序后，在第3区域部Ga、第2区域部Gd的一部分上形成第2膜71b。其结果是，如图7(m)、(n)所示，形成作为第1配线图案的基底膜71。
如图8(a)所示，被堤堰B包围的区域由第1区域部Gh、第2区域部Gd、第3区域部Ga构成。而且，通过在基板P上，形成作为第1配线图案的基底膜71，第1区域部Gh就成为门配线12，第2区域部Gd就成为门电极11。如图8(b)所示，在基板P上，在被堤堰B包围的区域中，形成三层构造的叠层膜的配线图案79。该配线图案79由作为第1配线图案的基底膜71、作为第2配线图案的导电膜73、作为第3配线图案的扩散防止膜77构成。
下面，对该三层构造的叠层膜的配线图案79的形成方法进行说明。进行图5所示的步骤S1～步骤S7，在基板P上形成作为第1配线图案的基底膜71。然后，反复进行图5所示的步骤S4～步骤S7(图6(c)～(n))，形成作为第2配线图案的导电膜73。继而，反复进行图5所示的步骤S4～步骤S7(图6(c)～(n))，形成作为第3配线图案的扩散防止膜77。这样，在基板P上，就获得层叠了基底膜71、导电膜73和扩散防止膜77的三层构造的叠层膜的配线图案79。
更具体来说，作为用于形成作为第2配线图案的导电膜73的导电性材料，使用有机银化合物，作为配线图案用功能液X(X2)的溶剂(分散剂)，使用二乙二醇二乙醚。在图5所示的步骤S4的功能液配置工序中，从液滴喷头1中喷出配线图案用功能液X(X2)，配置于第1区域部Gh中。在步骤S5的中间干燥工序中将配线图案用功能液X(X2)干燥。继而，在步骤S6的功能液配置工序中将配线图案用功能液X(X2)配置于第3区域部Ga中，在步骤S7的煅烧工序中进行煅烧。在作为第1配线图案的基底膜71之上形成作为第2配线图案的导电膜73。
然后，作为用于形成作为第3配线图案的扩散防止膜77的扩散防止材料，使用镍，作为配线图案用功能液X(X3)的溶剂(分散剂)，使用二乙二醇二乙醚。在图5所示的步骤S4的功能液配置工序中，从液滴喷头1中喷出配线图案用功能液X(X3)，配置于第1区域部Gh中。在步骤S5的中间干燥工序中将配线图案用功能液X(X3)干燥。继而，在步骤S6的功能液配置工序中将配线图案用功能液X配置于第3区域部Ga中，在步骤S7的煅烧工序中进行煅烧。在作为第2配线图案的导电膜73之上形成作为第3配线图案的扩散防止膜77。这样，在基板P上，就获得层叠了基底膜71、导电膜73和扩散防止膜77的三层构造的叠层膜的配线图案79。
而且，配线图案用功能液X2和配线图案用功能液X3的配置方法与所述的配线图案用功能液X1的配置方法相同。从液滴喷头1中配置于第1区域部Gh中的配线图案用功能液X2因毛细管现象而流入第2区域部Gd，当使功能液干燥固化时，即形成膜。同样地，配置于第3区域部Ga的配线图案用功能液X3因毛细管现象流入第2区域部Gd，当使功能液干燥固化时，即形成膜。
如上所述的实施方式中，可以获得如下的效果。
(1)配置于第1区域部Gh中的配线图案用功能液X(X1)因毛细管现象而从第1区域部Gh流向第2区域部Gd，当使该功能液干燥而固化时，即形成膜。另外，由于设置了第3区域部Ga，配置于第3区域部Ga中的配线图案用功能液X(X1)就因毛细管现象流向第2区域部Gd，当使该功能液干燥而固化时，即形成膜。此时，由于功能液更多地被充满于第2区域部Gd，因此作为第2区域部Gd的门电极11的膜厚就被大致均一地形成。而且，由于可以减少门电极11的膜厚不足或图案中断的情况，因此门电极11和门配线12的膜厚就被均一地形成。由于该膜厚被均一地形成，因此作为图案的配线电阻就变得大致均一，所以就可以获得电气特性优良的配线图案。
(2)由于可以获得电气特性优良的配线图案，因此可以获得防止了象素的驱动能力降低的情况的设备。
(3)由于可以获得电气特性优良的设备，因此可以获得稳定的晶体管特性。所以，可以提供实现了质量、性能的提高的电光学装置及电子机器。
<显示装置(电光学装置)及其制造方法>
下面，对作为本发明的电光学装置的一个例子的液晶显示装置100进行说明。本实施方式的液晶显示装置100具备具有使用实施方式1中说明了的电路配线形成方法形成的电路配线的TFT。
图10是从对置基板侧看到的本实施方式的液晶显示装置100及其各构成要素的俯视图。图11是沿着图10的H-H’线的剖面图。图12是在液晶显示装置100的图像显示区域中被制成矩阵状的多个象素的各种元件、配线等的等价电路图，而且，在以下的说明中所使用的各图中，由于将各层或各构件设为可以在图面上识认的程度的大小，因此对于各层或各构件，其比例尺不同。
图10及图11中，本实施方式的液晶显示装置(电光学装置)100利用作为光硬化性的封堵材料的密封材料52将构成一对的TFT阵列基板10与对置基板20贴合，向被该密封材料52划分出的区域内封入液晶50并保持。密封材料52在基板面内的区域中被制成被封闭了的框状。
在密封材料52的形成区域的内侧的区域中，形成有由遮光性材料制成的周边分隔板53。在密封材料52的外侧的区域中，沿着TFT阵列基板10的一边形成有数据线驱动电路201及安装端子202，沿着与该一边相邻的2边形成有扫描线驱动电路204。在TFT阵列基板10的剩下的一边上，设有用于将设于图像显示区域的两侧的扫描线驱动电路204之间连接的多条配线205。另外，在对置基板20的角部的至少一个部位上，配设有用于在TFT阵列基板10和对置基板20之间形成电导通的基板间导通材料206。
而且，也可以不是在TFT阵列基板10上形成数据线驱动电路201及扫描线驱动电路204，而是例如将安装了驱动用LSI的TAB(Tape·Automated·Bonding)基板和形成于TFT阵列基板10的周边部的端子组借助异向性导电膜电气地及机械地连接。而且，在液晶显示装置100中，虽然根据所使用的液晶50的种类，即根据TN(Twisted·Nematic)模式、STN(Super·Twisted·Nematic)模式等动作模式、常白模式/常黑模式的区别，沿特定的朝向配置相位差片、偏光片等，但是在这里将图示省略。另外，在将液晶显示装置10的后述的与各象素电极相面对的区域中，例如将红(R)、绿(G)、蓝(B)的滤色片与其保护膜一起形成。
在具有此种构造的液晶显示装置100的图像显示区域中，如图12所示，多个象素100a被以矩阵状构成，并且在这些象素100a的各自之中，形成有象素开关用的TFT(开关元件)30，提供象素信号S1、S2、…、Sn的数据线6a被与TFT30的源极电连接。写入数据线6a的象素信号S1、S2、…、Sn既可以以该顺序向各数据线依次供给，也可以向相邻的多条数据线6a之间构成的各组供给。另外，在TFT30的门极上电连接有扫描线3a，在给定的时刻，向扫描线3a脉冲地将扫描信号G1、G2、…、Gm以该顺序依次向各扫描线施加。
而且，所述实施方式中，虽然采用了将TFT30作为用于液晶显示装置100的驱动的开关元件使用的构成，但是除了液晶显示装置100以外，例如也可以应用于有机EL(电致发光)显示设备中。有机EL显示设备是如下的元件，即，具有将含有荧光性的无机及有机化合物的薄膜用阴极和阳极夹持的构成，通过向所述薄膜注入电子及空穴(hole)而使之复合来生成激子(exciton)，利用该激子失活时的光的放出(荧光·磷光)来发光。此外，在具有所述的TFT30的基板上，将有机EL显示元件中所使用的荧光性材料当中的呈现红、绿及蓝色的发光颜色的材料，即形成发光层形成材料及空穴注入/电子输送层的材料作为配线图案用功能液X，通过分别进行图案处理，就可以制造自发光全色EL设备。在本发明的设备(电光学装置)的范围中也包括此种有机EL设备。
而且，作为本发明的设备(电光学装置)，除了所述的以外，还可以适用于PDP(等离子体显示器面板)、表面传导型电子发射元件等，其中电子发射元件是利用通过在形成于基板上的小面积的薄膜上与膜面平行地流过电流而产生电子发射的现象的元件。
下面，对具备了本发明的液晶显示装置100的电子机器进行说明。
图13是表示了携带电话的一个例子的立体图。图13中，表示了携带电话主体600，表示有具备了所述实施方式的液晶显示装置100的液晶显示部601。
由于图13所示的携带电话主体600是具备了所述的实施方式的液晶显示装置100的构件，是具备了利用所述实施方式的具有堤堰构造的图案形成方法形成的液晶显示装置的构件，因此可以获得高质量、性能。而且，本实施方式的电子机器虽然采用了具备液晶装置的机器，但是也可以采用具备了有机电致发光显示装置、等离子体型显示装置等其他的电光学装置的电子机器。
以上虽然通过举出优选的实施方式而对本发明进行了说明，但是本发明并不限定于所述各实施方式，还包括如下所示的变形，在可以达成本发明的目的的范围中，可以设定为其他的任意一个具体的构造及形状。
(变形例1)所述的实施方式中，虽然在第1区域部Gh配置配线图案用功能液X而使之干燥后，在第3区域部Ga再配置配线图案用功能液X而煅烧，但是并不限定于此。例如，也可以将工序倒置，在第3区域部Ga配置配线图案用功能液X而使之干燥后，再在第1区域部Gh配置配线图案用功能液X而煅烧。即使如此设置，也可以与实施方式同样地使所完成的门电极11的膜厚大致均一地形成。而且，可以减少门电极11的膜厚不足或图案中断的情况。由于门电极11和门配线12的膜厚被大致均一地形成，因此可以获得与实施方式相同的效果。另外，由于可以用相同的方法形成叠层膜的配线图案79，因此可以获得与实施方式相同的效果。
(变形例2)所述的实施方式中，虽然将第3区域部Ga的外周设为圆弧状，但是并不限定于此。例如既可以是正方形，也可以是矩形。由于即使如此设置，配置于第3区域部Ga的配线图案用功能液X也会因毛细管现象而流向第2区域部Gd，因此可以获得与实施方式相同的效果。
(变形例3)所述的实施方式中，虽然将第3区域部Ga的底部35的高度设为与第1区域部Gh、第2区域部Gd相同的高度，但是并不限定于此。例如也可以使第3区域部Ga的底部35高于第1区域部Gh、第2区域部Gd。由于即使如此设置，配置于第3区域部Ga的配线图案用功能液X也会因毛细管现象而流向第2区域部Gd，因此可以获得与实施方式相同的效果。
(变形例4)
所述的实施方式中，虽然将第3区域部Ga的底部35的高度设为与第1区域部Gh、第2区域部Gd相同的高度，但是并不限定于此。例如也可以使第3区域部Ga的底部35低于第1区域部Gh、第2区域部Gd。由于即使如此设置，虽然因第3区域部Ga的高度变低，第3区域部Ga的容积增加，但是只要增多每单位时间所配置的配线图案用功能液X的量即可，因而可以获得与实施方式相同的效果。

Claims (16)

1.一种配线图案形成方法，是在基板上的给定的区域使用液滴喷出法形成配线图案的方法，其特征是，
配线图案具有如下的形状，即，所述给定的区域具有第1区域部和与所述第1区域部连接的第2区域部、与所述第2区域部连接的第3区域部，并且所述第2区域部的宽度与所述第1区域部及所述第3区域部的各宽度相比更窄，
配线图案形成方法包括：在所述给定的区域上形成用于配置功能液的凹部的工序、向所述第1区域部喷出含有所述配线图案的材料的功能液的第1喷出工序、使向所述第1区域部喷出的所述功能液干燥而形成膜的第1成膜工序、向所述第3区域部喷出所述功能液的第2喷出工序、以及使向所述第3区域部喷出的所述功能液干燥而形成膜的第2成膜工序。
2.根据权利要求1所述的配线图案形成方法，其特征是，在形成所述凹部的工序中，在所述基板上形成包围所述给定的区域的堤堰。
3.根据权利要求1或2所述的配线图案形成方法，其特征是，形成于所述给定的区域中的所述配线图案当中的形成于所述第2区域部的部分为栅电极。
4.根据权利要求1或2所述的配线图案形成方法，其特征是，所述第3区域部具备在外周的一部分具有圆弧的形状。
5.根据权利要求1～4中任意一项所述的配线图案形成方法，其特征是，所述配线图案在所述凹部中配置有多层不同的所述膜，逐层进行所述第1喷出工序、所述第1成膜工序、所述第2喷出工序、所述第2成膜工序而层叠多层不同的所述膜。
6.一种设备的制造方法，是在基板上的给定的区域使用液滴喷出法形成了配线图案的设备的制造方法，其特征是，在所述基板上，使用权利要求1～5中任意一项所述的配线图案形成方法形成所述配线图案。
7.根据权利要求6所述的设备的制造方法，其特征是，在所述基板上，作为所述配线图案形成栅电极及栅配线。
8.一种配线图案，是在基板上的给定的区域使用液滴喷出法形成的配线图案，其特征是，
具有如下的形状，即，所述给定的区域具有第1区域部和与所述第1区域部连接的第2区域部、与所述第2区域部连接的第3区域部，并且所述第2区域部的宽度与所述第1区域部及所述第3区域部的各宽度相比更窄，
包括：通过向所述第1区域部喷出功能液并使所述功能液干燥而形成于所述第1区域部及第2区域部上的第1膜、以及通过向所述第3区域部喷出功能液并使所述功能液干燥而形成于所述第3区域部及第2区域部上的第2膜。
9.根据权利要求8所述的配线图案，其特征是，形成于所述基板上的凹部由包围所述给定的区域的堤堰形成。
10.根据权利要求8或9所述的配线图案，其特征是，形成于所述给定的区域中的所述配线图案当中的形成于所述第2区域部的部分为栅电极。
11.根据权利要求8或9所述的配线图案，其特征是，所述第3区域部具备在外周的一部分具有圆弧的形状。
12.根据权利要求9～11中任意一项所述的配线图案，其特征是，所述配线图案在所述凹部中配置有多层不同的所述膜，逐层进行所述第1膜、所述第2膜的形成而层叠多层不同的所述膜。
13.一种设备，是在基板上的给定的区域使用液滴喷出法形成了配线图案的设备，其特征是，在所述基板上，具备权利要求8～12中任意一项记载的所述配线图案。
14.根据权利要求13所述的设备，其特征是，在所述基板上，作为所述配线图案具备栅电极及栅配线。
15.一种电光学装置，其特征是，具备权利要求13或14所述的设备。
16.一种电子机器，其特征是，具备权利要求15所述的电光学装置。
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