JPWO2017018129A1 - 積層配線の形成方法 - Google Patents

Abstract

効率的に積層配線を形成することができる積層配線の形成方法を提供する。本発明は、第１導電層を最表層に有する基材を用意する工程、上記基材の表面に、撥液性表面領域と親液性表面領域とを有する絶縁膜を形成する工程、及び上記絶縁膜の表面への第２導電層形成用材料の接触により、上記絶縁膜の親液性表面領域へ積層される第２導電層を形成する工程を備え、上記絶縁膜形成工程が、酸解離性基を有する第１重合体と第１酸発生体とを含む絶縁膜形成用組成物により、撥液性の表面を有する絶縁塗膜を形成する工程、及び上記絶縁塗膜の一部の表面領域に上記親液性表面領域を形成する工程を備える積層配線の形成方法である。

Description

本発明は、積層配線の形成方法に関する。

半導体素子や電子回路等に使われる配線、電極等の形成には、フォトリソグラフィー法が広く用いられている。しかし、フォトリソグラフィー法は、高価な設備を必要とし、また、工程も複雑であるため、製造コストが高くなる。これに対し、安価に配線等を形成する技術として、配線を直接印刷するプリンテッドエレクトロニクスが注目されている。

プリンテッドエレクトロニクスにおいて用いられるインクジェット印刷、スクリーン印刷、グラビア印刷等の各印刷法は、基板上に直接所望パターンの配線を形成できるため、簡便で低コストな方法とされている。しかしながら、印刷法による配線の形成においては、使用するインク材料が流動する結果、これらの濡れ広がりやにじみが生じるため、微細な配線パターンを形成するには限界がある。また、従来の一般的な印刷法では、層構造の配線間がビアで接続されてなる積層配線の形成を行うことができない。

このような中、エネルギーの付与により表面エネルギーが変化する材料を用いた印刷法により積層配線を形成する方法が提案されている（特開２０１５−１５３７８号公報参照）。この方法においては、以下の工程により積層配線が形成される。まず、表面に第１の配線が形成された基板上に、エネルギーの付与により表面エネルギーが変化する材料により濡れ性変化層を形成する。この濡れ性変化層が、層間の絶縁膜となる。次いで、この濡れ性変化層の表面の一部に対してレーザーを照射することにより、濡れ性の高い領域を形成する。この濡れ性の高い領域が配線パターンとなる。次いで、形成された濡れ性の高い領域の一部にさらにレーザー照射することによりビア用の孔を形成する。その後、この濡れ性の高い領域上に導電性インクを塗布することで、第２の配線とビアとを同時に形成することができるとされる。

しかし、上記方法は、配線パターンとなる濡れ性の高い領域の形成に高エネルギーのレーザー照射を行うものであり、効率性が良いとは言い難い。レーザーを用いる場合、例えば、配線パターンが複雑になるにつれて、走査経路が複雑になり、作業時間も長くなる。また、上記方法におけるエネルギーの付与により表面エネルギーが変化する具体的な材料としては、主鎖中にポリイミドを含み、紫外線の照射により親水性基を生成可能な側鎖を有するポリマーが用いられているのみである。

特開２０１５−１５３７８号公報

本発明は、以上のような事情に基づいてなされたものであり、その目的は、効率的に積層配線を形成することができる積層配線の形成方法を提供することである。

上記課題を解決するためになされた発明は、第１導電層を最表層に有する基材を用意する工程、上記基材の表面に、撥液性表面領域と親液性表面領域とを有する絶縁膜を形成する工程、及び上記絶縁膜の表面への第２導電層形成用材料の接触により、上記絶縁膜の親液性表面領域へ積層される第２導電層を形成する工程を備え、上記絶縁膜形成工程が、酸解離性基を有する第１重合体と第１酸発生体とを含む絶縁膜形成用組成物により、撥液性の表面を有する絶縁塗膜を形成する工程、及び上記絶縁塗膜の一部の表面領域に上記親液性表面領域を形成する工程を備える積層配線の形成方法である。

当該形成方法においては、絶縁膜の形成に、酸解離性基を有する第１重合体及び第１酸発生体を含む絶縁膜形成用組成物を用いている。このため、例えば、絶縁塗膜における加熱や放射線照射がなされた領域にいては、酸が発生し、この酸の発生により第１重合体の酸解離性基が解離することにより、濡れ性が変化する。このような加熱や放射線照射は、レーザーを用いなくともできるため、当該形成方法によれば、効率的に積層配線を形成することができる。

本発明は、効率的に積層配線を形成することができる積層配線の形成方法を提供することができる。

図１（ａ）は、本発明の一実施形態に係る積層配線の形成方法における工程（Ａ−１）の説明図であり、図１（ｂ）は、工程（Ａ−２）の説明図であり、図１（ｃ）は、工程（Ａ−３）の説明図であり、図１（ｄ）は、工程（Ａ−４）の説明図であり、図１（ｅ）は、工程（Ａ−５）の説明図である。 図２（ａ）は、工程（Ｂ−１）の説明図であり、図２（ｂ）は、工程（Ｂ−２）の説明図であり、図２（ｃ）は、工程（Ｂ−３）〜（Ｂ−４）の説明図である。 図３は、工程（Ｃ）の説明図である。 図４は、実施例における第１導電層が形成された基板を示す画像である。 図５は、実施例における第２層目に親撥パターンが形成された基板を示す画像である。 図６は、実施例における第２導電層が形成された基板を示す画像である。 図７は、図６の第２導電層が形成された基板の拡大画像である。 図８は、実施例における第２導電層及びビア導体が形成された基板を示す画像である。 図９は、実施例における第２導電層及びビア導体が形成された基板を示すＳＥＭ画像である。

以下、適宜図面を参照にしつつ、本発明の一実施形態に係る積層配線の形成方法及び積層配線について詳説する。

＜積層配線の形成方法＞
本発明の一実施形態に係る積層配線の形成方法は、
第１導電層を最表層に有する基材を用意する工程（Ａ）、
上記基材の表面に、絶縁膜を形成する工程（Ｂ）、及び
第２導電層を形成する工程（Ｃ）
を備え、
上記絶縁膜形成工程（Ｂ）が、
絶縁塗膜を形成する工程（Ｂ−１）、及び
親液性表面領域を形成する工程（Ｂ−２）
を備える。

なお、当該形成方法における絶縁膜形成工程（Ｂ）は、
ビア用孔を形成する工程（Ｂ−３）
を備えることが好ましく、
放射線が照射された絶縁塗膜を加熱する工程（Ｂ−４）
を備えることも好ましい。

また、用意工程（Ａ）が、
下地塗膜を形成する工程（Ａ−１）、
親液性表面領域を形成する工程（Ａ−２）、及び
第１導電層を形成する工程（Ａ−４））
を備えることが好ましい。

さらに、当該形成方法における用意工程（Ａ）は、
第１導電層形成工程（Ａ−４）の前に、
放射線が照射された上記下地塗膜を加熱する工程（Ａ−３）
を備えることが好ましい。

また、当該形成方法における用意工程（Ａ）は、
第１導電層形成工程（Ａ−４）の後に、
第１導電層が形成された側の面の全面に放射線を照射する工程（Ａ−５）
を備えることが好ましい。

以下、当該形成方法について、順に詳説する。なお、工程の順は、以下の順に限定されるものでは無く、同様の積層配線を形成することができる限り、工程の順は異なっていてもよく、複数の工程を同時に行ってもよい。

＜用意工程（Ａ）＞
用意工程（Ａ）は、第１導電層を最表層に有する基材を用意する工程である。用意工程（Ａ）は、以下の工程（Ａ−１）〜（Ａ−５）から好ましくは構成される。

＜下地塗膜形成工程（Ａ−１）＞
下地塗膜形成工程（Ａ−１）は、下地膜形成用組成物により、撥液性の表面を有する下地塗膜を形成する工程である。下地膜形成用組成物は、酸解離性基を有する重合体（第２重合体）及び酸発生体（第２酸発生体）を含む。酸解離性基とは、例えばフェノール性水酸基、カルボキシル基、スルホン酸基等の酸性官能基中の水素原子を置換した基をいい、酸の存在下で解離する基をいう。この下地膜形成用組成物については、後に詳述する。工程（Ａ−１）は、具体的には、図１（ａ）に示すように、基板１０表面への下地膜形成用組成物の塗布により、下地塗膜１１を形成する。なお、この下地塗膜１１は、最終的に下地膜１５になる（図１（ｅ）参照）。

基板１０の材質としては、例えばガラス、石英、シリコン、樹脂等を挙げることができる。樹脂としては、ポリエチレンテレフラレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリエーテルスルホン、ポリカーボネート、ポリイミド、環状オレフィンの開環重合体（ＲＯＭＰポリマー）等を挙げることができる。

基板１０としては、従来電子回路に用いられている樹脂製基板、ガラス基板及び半導体基板が好ましい。このような基板を用いることで、得られる積層配線をそのまま電子回路等に用いることができる。

なお、基板１０に下地膜形成用組成物を塗布する前に、必要に応じて基板１０表面に前処理を施してもよい。前処理としては、洗浄、粗面化処理等を挙げることができる。

下地膜形成用組成物の塗布方法としては特に限定されず、はけやブラシを用いた塗布法、ディッピング法、スプレー法、ロールコート法、回転塗布法（スピンコート法）、スリットダイ塗布法、バー塗布法、フレキソ印刷、オフセット印刷、インクジェット印刷、ディスペンス法等の公知の方法を挙げることができる。

下地膜形成用組成物の塗布後、好ましくは下地塗膜１１を加熱（プレベーク）する。加熱条件は、下地膜形成用組成物の組成等によって異なるが、例えば６０℃以上１２０℃以下、１分以上１０分以下程度である。

得られる下地塗膜１１の平均厚みは、用途等に応じて適宜調整することができるが、この下限としては０．０５μｍが好ましく、０．１μｍがより好ましい。一方、この上限としては２０μｍが好ましく、１０μｍがより好ましい。

＜親液性表面領域形成工程（Ａ−２）＞
親液性表面領域形成工程（Ａ−２）は、図１（ｂ）に示すように、例えば、下地塗膜１１の一部の表面領域への放射線（ｈν）の照射（露光）により、親液性表面領域１２を形成する工程である。なお、下地膜形成用組成物から得られる下地塗膜１１の表面は、撥液性を有しており、放射線が照射された領域が親液性表面領域１２となる。一方、放射線が照射されていない領域は撥液性表面領域１３である。ここで、撥液性と親液性とは、相対的な概念である。

放射線の照射により、親液性表面領域１２が形成される理由は以下の通りである。放射線の照射により、下地膜形成用組成物中の感放射線性酸発生体から酸が発生し、これにより、重合体が有する酸解離性基が解離する。酸解離性基の解離により、照射された領域の表面エネルギーが変化し、濡れ性が高まる。特に、酸解離性基がフッ素原子を有する場合、この撥液性の発現が顕著になる。なお、解離した酸解離性基に由来する成分は、好ましくは揮発するため、親液性表面領域１２は凹部（凹パターン）となる。親液性表面領域１２が凹部となることで、後述するようにこの凹部（親液性表面領域１２）に、滲みだすことなく導電層形成用材料を充填することができる。

放射線の照射（露光）は、形成したい配線の形状と同様の形状の親液性表面領域１２が形成されるように、所定のパターンを有するフォトマスクを介して行うことができる。フォトマスクを介して露光を行うことで、複雑なパターンを形成する場合も効率的に照射を行うことができる。その他、直描式露光機等を用いて、所定のパターンを描画露光することができる。

本工程（Ａ−２）において照射する放射線としては、可視光線、紫外線、遠紫外線、荷電粒子線、Ｘ線等を使用することができる。これらの中でも、波長が１９０ｎｍ以上４５０ｎｍ以下の範囲内にある放射線が好ましく、３６５ｎｍの波長の紫外線を含む放射線がより好ましい。

本工程（Ａ−２）における放射線の露光量としては、十分な濡れ性の変化や、凹部の形成ができる範囲で適宜設定すればよい。この露光量の下限としては、放射線の波長３６５ｎｍにおける強度として、１０ｍＪ／ｃｍ^２が好ましく、２０ｍＪ／ｃｍ^２がより好ましい。一方、この上限としては、１０００ｍＪ／ｃｍ^２が好ましく、５００ｍＪ／ｃｍ^２がより好ましい。

形成される親液性表面領域１２のサイズ及び形状は、所望する配線のサイズ及び形状に対応するものであるが、例えば幅が１０μｍ以上３００μｍ以下の線状とすることができる。

＜加熱工程（Ａ−３）＞
加熱工程（Ａ−３）は、放射線が照射された下地塗膜１１を加熱する工程である。この加熱により、放射線が照射された領域（親液性表面領域１２）において解離した成分をさらに揮発させることができる。これにより、親液性表面領域１２（凹部）がさらに深くなる（図１（ｃ）参照）。また、解離した成分が揮発することにより、親液性表面領域１２の濡れ性がより高まる。

親液性表面領域１２（凹部）の深さとしては、例えば０．１μｍ以上１μｍ以下とすることができる。また、下地塗膜１１における撥液性表面領域１３の平均厚みに対する親液性表面領域１２（凹部）の深さの下限としては、５％が好ましく、１０％がより好ましい。一方、この上限としては、７０％が好ましく、５０％がより好ましい。このような深さの親液性表面領域１２を形成することにより、親液性表面領域１２に導電層形成用材料を効果的に充填することができる。これにより、微細な配線を精度よく形成することができる。

本工程における加熱方法としては、特に限定されないが、ホットプレート、オーブン、ドライヤー等を用いて加熱する方法を挙げることができる。その他、真空ベークによって加熱してもよい。加熱条件も、下地膜形成用組成物の組成や膜厚等によって適宜設定されるが、６０℃以上１５０℃以下が好ましく、３分以上３０分以下が好ましい。

このようにして形成される親液性表面領域１２と、撥液性表面領域１３とのテトラデカンに対する接触角差（撥液性表面領域１３における接触角−親液性表面領域１２における接触角）の下限としては、３０°が好ましく、４０°がより好ましく、５０°がさらに好ましい。この接触角差の上限としては、例えば７０°である。また、親液性表面領域１２と、撥液性表面領域１３との水に対する接触角差（撥液性表面領域１３における接触角−親液性表面領域１２における接触角）の下限としては、２０°が好ましく、２５°がより好ましい。この接触角差の上限としては、例えば６０°である。このように、テトラデカン又は水に対しての接触角差が大きいことで、撥液性表面領域１３に接触した導電層形成用材料が、親液性表面領域１２へ移動しやすくなり、親液性表面領域１２に沿った配線の形成を好適に行うことができる。

＜第１導電層形成工程（Ａ−４）＞
第１導電層形成工程（Ａ−４）は、放射線が照射された下地塗膜１１表面への第１導電層形成用材料の接触により、第１導電層１４を形成する工程である（図１（ｄ）参照）。

第１導電層形成用材料は、特に限定されるものではない。例えば、配線を形成できるような導電性の材料であればよく、導電膜形成インク、導電膜形成ペースト等を挙げることができる。

具体的な好ましい第１導電層形成用材料としては、金属粒子を分散したインク又はペースト、金属塩と還元剤とを含むインク又はペースト、還元雰囲気下による加熱で金属化が可能な金属酸化物粒子を分散したインク又はペースト、導電性高分子の分散体又は溶液であるインク又はペースト、カーボンナノチューブやグラフェン等のナノカーボンを分散したインク又はペースト等を挙げることができる。これらの中でも、特に導電性と塗工性との観点から、銀粒子等の金属粒子を分散したインク及びペースト、並びに金属塩と還元剤とを含むインク及びペーストが好ましい。これらのインク又はペーストは、各種の印刷法、塗布法により塗膜の形成が可能である。また、このような第１導電層形成用材料の塗膜は、加熱されて、第１導電層１４（配線）となる。

第１導電層形成用材料の下地塗膜１１表面への接触は、塗布等の公知に方法で行うことができる。具体的には、はけやブラシを用いた塗布法、ディッピング法、スプレー法、ロールコート法、回転塗布法（スピンコート法）、スリットダイ塗布法、バー塗布法、フレキソ印刷、オフセット印刷、インクジェット印刷、ディスペンス法等の公知の方法を挙げることができる。これらの中でも、ディッピング法、スプレー法、スピンコート法、スリットダイ塗布法、オフセット印刷法、インクジェット法及びディスペンス法が好ましい。

下地塗膜１１の表面には、親液性表面領域１２と撥液性表面領域１３とが形成されている。このため、下地塗膜１１の表面へ第１導電層形成用材料を接触させた場合、第１導電層形成用材料は、撥液性表面領域１３でははじかれ、好ましくは凹部である親液性表面領域１２に流れ込む。これにより、凹部である親液性表面領域１２に沿って第１導電層形成材料が配設される。

＜放射線照射工程（Ａ−５）＞
放射線照射工程（Ａ−５）は、第１導電層形成用材料が塗布された側、すなわち第１導電層１４が形成された側の面の全面に放射線（ｈν）を照射する工程である。このように、露出している下地塗膜１１の表面全面に放射線を照射することにより、撥液性表面領域１３の表面全面が親液性となる。これにより、後述する後工程における下地膜１５表面への絶縁膜形成用組成物の塗布性が向上する。

本工程において照射する放射線の具体例、及び好ましい例としては、親液性表面領域形成工程（Ａ−２）と同様である。また、本工程における放射線の露光量も、親液性表面領域形成工程（Ａ−２）と同様とすることができる。

全面への放射線の照射後、下地塗膜１１等を加熱することが好ましい。この加熱により、露出部分（露光部分）において解離した酸解離性基由来の成分が揮発し、露出部分が薄くなると共に親液性がより高まる。また、この加熱により、第１導電層形成用材料（第１導電層１４）が十分に硬化する。このような工程を経て、下地塗膜１１は下地膜１５となり、第１導電層１４（配線）を最表層に有する基材１６を得ることができる（図１（ｅ）参照）。

この加熱方法としては、特に限定されず、ホットプレート、オーブン、ドライヤー等を用いて加熱する方法を挙げることができる。その他、真空ベークによって加熱してもよい。加熱条件も特に限定されないが、例えば５０℃以上２００℃以下、１分以上１２０分以下とすることができる。但し、下地膜１５（下地塗膜１１）を薄くする必要性は無いため、加熱工程（Ａ−３）よりも穏やかな加熱条件であってよい。

＜絶縁膜形成工程（Ｂ）＞
絶縁膜形成工程（Ｂ）は、例えば、基材１６の表面に、撥液性表面領域１９と、ビア用孔２０が設けられている親液性表面領域１８とを有する絶縁膜２３を形成する工程である（図２（ｃ）参照）。なお、図２（ｃ）等においては、絶縁膜２３の親液性表面領域１８にビア用孔２０を形成しているが、ビア用孔２０は形成されていなくてもよい。

＜絶縁塗膜形成工程（Ｂ−１）＞
絶縁塗膜形成工程（Ｂ−１）は、絶縁膜形成用組成物により、撥液性の表面を有する絶縁塗膜１７を形成する工程である。絶縁膜形成用組成物は、酸解離性基を有する重合体（第１重合体）及び酸発生体（第１酸発生体）を含む。この絶縁膜形成用組成物については、後に詳述する。工程（Ｂ−１）においては、具体的には、図２（ａ）に示すように、基材１６の第１導電層１４が形成されている側の面への絶縁膜形成用組成物の塗布により、絶縁塗膜１７を形成する。絶縁塗膜１７は、最終的に絶縁膜２３になる。

絶縁膜形成用組成物の塗布方法としては、上述した工程（Ａ−１）の下地膜形成用組成物の塗布方法と同様である。

絶縁膜形成用組成物の塗布後、好ましくは絶縁塗膜１７を加熱（プレベーク）する。加熱条件は、絶縁膜形成用組成物の組成等によって異なるが、例えば６０℃以上１２０℃以下、１分以上１０分以下程度である。

得られる絶縁塗膜１７の平均厚みは、用途等に応じて適宜調整することができるが、この下限としては０．０５μｍが好ましく、０．１μｍがより好ましい。一方、この上限としては２０μｍが好ましく、１０μｍがより好ましい。

＜親液性表面領域形成工程（Ｂ−２）＞
親液性表面領域形成工程（Ｂ−２）は、絶縁塗膜１７の一部の表面領域への放射線（ｈν）の照射により、親液性表面領域を形成する工程である（図２（ｂ）参照）。下地膜形成用組成物から得られる下地塗膜１１と同様に、絶縁塗膜１７の表面は、撥液性を有しており、放射線が照射された領域が親液性表面領域１８となる。一方、放射線が照射されていない領域は撥液性表面領域１９である。また、下地塗膜１１と同様に、親液性表面領域１８は凹部（凹パターン）となる。

本工程（Ｂ−２）における放射線の照射（露光）方法、放射線の種類、露光量の具体例、及び好ましい例は、親液性表面領域形成工程（Ａ−２）と同様である。すなわち、放射線の照射は、フォトマスクを介した露光により行うことが好ましい。また、形成される親液性表面領域１８の形状等も、工程（Ａ−２）で形成される親液性表面領域１２と同様とすることができる。

＜ビア用孔形成工程（Ｂ−３）＞
ビア用孔形成工程（Ｂ−３）は、ビア用孔２０を形成する工程である（図２（ｃ）参照）。このビア用孔２０の形成方法は特に限定されないが、好ましくは絶縁塗膜１７の親液性表面領域１８の一部の領域へのレーザーの照射により行うことができる。このようなレーザーアブレーションにより、第１導電層１４と第２導電層２１（図３参照）とを連結させるためのビア用孔２０が形成される。このビア用孔２０は、絶縁塗膜１７を貫通している。なお、ビア用孔２０の形成をレーザーアブレーション以外の方法により行うこともできる。例えば、フォトマスクを介した十分な露光量の放射線照射などによりビア用孔２０を形成してもよい。

本工程（Ｂ−３）において用いられるレーザーの波長としては、特に限定されないが、１９０ｎｍ以上４５０ｎｍ以下の範囲内にある放射線（紫外線）を用いることが好ましい。具体的には、ＹＡＧレーザーの３倍波（３５５ｎｍ）、４倍波（２６６ｎｍ）、５倍波（２１５ｎｍ）や、エキシマ―レーザーであるＸｅＦレーザー（３５１ｎｍ）、ＸｅＣｌレーザー（３０８ｎｍ）、ＫｒＦ（２４８ｎｍ）、ＡｒＦ（１９３ｎｍ）等を挙げることができる。これらの中でも、ＹＡＧレーザーの４倍波（２６６ｎｍ）を用いることが好ましい。

形成されるビア用孔２０のサイズとしては特に限定されないが、通常、線状の親液性表面領域１８の幅より狭い。ビア用孔２０の具体的サイズとしては、例えば１μｍ以上１００μｍ以下程度とすることができる。なお、ビア用孔２０のサイズとは、ビア用孔２０の開口部が円形である場合はその直径、方形である場合は一辺（長辺）の長さをいう。

＜加熱工程（Ｂ−４）＞
加熱工程（Ｂ−４）は、放射線が照射された絶縁塗膜１７を加熱する工程である。この加熱により、放射線が照射された領域（親液性表面領域１８）において解離した成分をさらに揮発させることができる。これにより、親液性表面領域１８（凹部）がさらに深くなる。また、解離した成分が揮発することにより、親液性表面領域１８の濡れ性がより高まる。

この加熱工程（Ｂ−４）を経て得られる絶縁膜２３における親液性表面領域１８の形状、親液性表面領域１８と撥液性表面領域１９との接触角差の関係、加熱方法等は、加熱工程（Ａ−３）の記載と同様である。

なお、この加熱工程（Ｂ−４）は、親液性表面領域形成工程（Ｂ−２）より後であれば、ビア用孔形成工程（Ｂ−３）よりも先に行ってもよく、ビア用孔形成工程（Ｂ−３）よりも後に行ってもよい。但し、ビア用孔形成工程（Ｂ−３）よりも、加熱工程（Ｂ−４）を先に行うことが好ましい。加熱工程（Ｂ−４）を経て親液性表面領域１８を薄膜化した後に、レーザーアブレーションを行うことにより、ビア用孔２０を効率的かつ正確に形成することができる。

＜第２導電層形成工程（Ｃ）＞
第２導電層形成工程（Ｃ）は、絶縁膜２３の表面への第２導電層形成用材料の接触により、絶縁膜２３の親液性表面領域１８へ積層される第２導電層２１（配線）を形成する工程である。この際、第２導電層形成用材料により、第２導電層２１と共に、第１導電層１４と第２導電層２１とを接続するビア導体２２も形成される。第２導電層形成用材料の具体例及び好ましい例については、上述した第１導電層形成用材料と同様である。

第２導電層形成用材料の絶縁膜２３表面への接触方法は、第１導電層形成工程（Ａ−４）における第１導電層形成用材料の場合と同様である。第２導電層形成用材料を絶縁膜２３の表面に接触させた場合、第２導電層形成用材料は、撥液性表面領域１９でははじかれ、好ましくは凹部である親液性表面領域１８に流れ込む。これにより、親液性表面領域１８に沿って第２導電層形成材料が配設される。さらに、親液性表面領域１８に流れ込んだ第２導電層形成用材料は、親液性表面領域１８に形成されたビア用孔２０に充填される。

第２導電層形成用材料の接触（塗布）後、第２導電層形成用材料を基板１０等と共に加熱する。この加熱により、第２導電層形成用材料が硬化し、第２導電層２１とビア導体２２とが形成される。この加熱方法としては、ホットプレート、オーブン、ドライヤー等を用いた加熱や、真空ベーク等が挙げられる。加熱条件も特に限定されないが、例えば５０℃以上２００℃以下、１分以上１２０分以下とすることができる。

このような工程を経て、第１導電層１４と第２導電層２１とを含む配線の積層体である積層配線２４を得ることができる。当該形成方法によれば、このように、レーザーを用いなくとも、フォトマスクを介した露光等により濡れ性パターン（親液性表面領域１２及び親液性表面領域１８）を形成することができるため、効率的に積層配線２４を形成することができる。

＜膜形成用組成物＞
以下、下地膜形成用組成物及び絶縁膜形成用組成物（以下、両組成物をまとめて「膜形成用組成物」ともいう。）について詳説する。下地膜形成用組成物と、絶縁膜形成用組成物とは、異なった組成であってもよいし、同一の組成であってもよいが、同一の組成物であることが好ましい。これらが同一の組成物であることで、積層配線を効率的に製造することができる。

膜形成用組成物は、上述のように、酸解離性基を有する重合体（以下、「重合体（Ａ）」ともいう。）、及び酸発生体（以下、「酸発生体（Ｂ）」ともいう。）を含有する。上記膜形成用組成物は、通常、溶媒（Ｃ）を含有し、その他、好適な成分として、増感剤（Ｄ）、クエンチャー（Ｅ）、重合性化合物（Ｆ）及び感放射線性重合開始剤（Ｇ）を含有することができる。

＜重合体（Ａ）＞
重合体（Ａ）は、酸解離性基を有する重合体である限り特に限定されないが、通常、この酸解離性基を有する構造単位（Ｉ）を有する重合体である。この構造単位（Ｉ）は、アセタール結合及びヘミアセタールエステル結合のいずれかを含む構造であることが好ましい。酸解離性基を含む構造単位（Ｉ）としては、下記式（５−１）又は（５−２）で表される基を含むことがより好ましい。

式（５−１）及び（５−２）中、Ｒ^４及びＲ^５は、それぞれ独立して、水素原子又はメチル基である。Ｒｆは、独立して、フッ素原子を有する有機基である。＊は、結合部位を表す。

式（５−１）及び（５−２）における−Ｃ（Ｒ^１）（Ｒ^２）ＯＲｆが酸解離性基となる。このような基を有する重合体（Ａ）を用いることで、塗膜の露光部において酸解離性基が効率的に解離し、表面エネルギーが上昇する。また、このように、酸解離性基がフッ素原子を含有する場合、この酸解離性基の解離の前後での膜の表面エネルギー、すなわち濡れ性の変化が大きくなるため好ましい。

Ｒｆとしては、１又は複数の水素原子がフッ素原子で置換された炭化水素基、及びこのような炭化水素基の炭素−炭素結合間に酸素原子を有する基が好ましい。Ｒｆのより好ましい基としては、後述する式（１）〜（４）中の−（Ｒ^２−Ｏ）_ｎ−Ｒ^３で表される基を挙げることができる。

構造単位（Ｉ）は、下記式（１）から下記式（４）のいずれかで表される構造単位であることが好ましい。なお、構造単位（Ｉ）は、１種の構造単位のみからなっていてもよいし、複数種の構造単位を含んでいてもよい。

式（１）〜（４）中、Ｒ^１は、それぞれ独立して、水素原子又はメチル基である。Ｒ^２は、それぞれ独立して、メチレン基、炭素数２〜１２のアルキレン基、炭素数２〜１２のアルケニレン基、炭素数６〜１２の２価の芳香族炭化水素基、炭素数４〜１２の２価の脂環式炭化水素基、又はこれらの基が有する１つ以上の水素原子が置換基で置換された基である。Ｒ^３は、それぞれ独立して、１つ以上の水素原子がフッ素原子で置換された炭化水素基である。ｍは、それぞれ独立して、０又は１である。ｎは、それぞれ独立して、０〜１２の整数である。

Ｒ^２で表される炭素数２〜１２のアルキレン基としては、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基等を挙げることができる。

Ｒ^２で表される炭素数２〜１２のアルケニレン基としては、ビニレン基、エテン−１，２−ジイル基等を挙げることができる。

Ｒ^２で表される炭素数６〜１２の２価の芳香族炭化水素基としては、フェニレン基、トリレン基、ナフチレン基、ビフェニレン基等を挙げることができる。

Ｒ^２で表される炭素数４〜１２の２価の脂環式炭化水素基としては、シクロブタンジイル基、シクロヘキサンジイル基等を挙げることができる。

これらの基が有する水素原子を置換する置換基としては、フッ素原子等のハロゲン原子、ヒドロキシ基等を挙げることができる。

Ｒ^２としては、メチレン基、アルキレン基及び芳香族炭化水素基が好ましく、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、フェニレン基及びビフェニレン基がより好ましい。

Ｒ^３で表される１つ以上の水素原子がフッ素原子で置換された炭化水素基（フッ素置換炭化水素基）としては、フッ素置換脂肪族炭化水素基やフッ素置換芳香族炭化水素基を挙げることができるが、フッ素置換脂肪族炭化水素基が好ましい。このフッ素置換炭化水素基の炭素数の下限は、３が好ましく、４がより好ましい。一方、この上限は、３０が好ましく、２０がより好ましく、１５がさらに好ましい。このフッ素置換炭化水素基のフッ素数の下限としては、５が好ましく、１０がより好ましい。一方、この上限としては、例えば３０とすることができる。Ｒ^３をこのような基とすることで、表面エネルギーの変化をより大きくすることができ、また、解離した成分の揮発性を高めることなどもできる。

Ｒ^３で表されるフッ素置換炭化水素基の具体例としては、下記式（Ｒｆ−１）〜（Ｒｆ−３３）で表される基等を例示することができる。

ｎは、０〜１２の整数であるが、この上限としては、８が好ましく、４がより好ましく、２がより好ましい。ｎとしては、０が特に好ましい。

上記式（１）〜（４）で表される構造単位（Ｉ）の具体例としては、以下のものを例示することができる。

重合体（Ａ）の全構造単位に対する構造単位（Ｉ）の含有量の下限としては、２０質量％が好ましく、３５質量％がより好ましい。また、この下限は、５０質量％であってもよく、７０質量％であってもよい。一方、この上限としては、１００質量％とすることができ、８０質量％であってもよい。

重合体（Ａ）は、構造単位（Ｉ）以外の構造単位を有することができる。他の構造単位は、具体的には、後述する（メタ）アクリル酸鎖状アルキルエステル、（メタ）アクリル酸環状アルキルエステル、（メタ）アクリル酸アリールエステル、不飽和芳香族化合物、共役ジエン、テトラヒドロ骨格を有する不飽和化合物、マレイミド、その他のモノマー等に由来する構造単位を挙げることができる。

重合体（Ａ）は、（１）前駆体となる水酸基又はカルボキシ基を有する重合体に、下記式（ａ）で表される化合物（ａ）を反応させる方法、（２）化合物（ａ）を用いて得られるモノマーを重合する方法等により得ることができる。

式（ａ）中、Ｒ^１〜Ｒ^３及びｎは、上記式（１）〜（４）中のＲ^１〜Ｒ^３及びｎと同義である。

（１）前駆体となる重合体に化合物（ａ）を反応させる方法
本方法では、水酸基又はカルボキシ基を有するモノマーを重合することにより水酸基又はカルボキシ基を有する重合体を得て、この重合体に化合物（ａ）を反応させて、重合体（Ａ）を得る。

水酸基を有するモノマーとしては、水酸基を有する（メタ）アクリル酸エステル等を挙げることができる。具体的には、２−ヒドロキシエチルメタクリレート、２−ヒドロキシプロピルメタクリレート、２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシプロピルアクリレート、２−ヒドロキシブチルメタクリレート、２−ヒドロキシブチルアクリレート、２−ヒドロキシ−３−フェノキシプロピルアクリレート、２−アクリロイロキシエチル−２−ヒドロキシルエチルフタル酸、ジプロピレングリコールメタクリレート、ジプロピレングリコールアクリレート、４−ヒドロキシブチルメタクリレート、４−ヒドロキシブチルアクリレート、シクロヘキサンジメタノールモノアクリレート、シクロヘキサンジメタノールモノメタクリレート、エチルα−（ヒドロキシメチル）アクリレート、ポリプロピレングリコールモノメタクリレート、ポリプロピレングリコールモノアクリレート、グリセリンモノメタクリレート、グリセリンモノアクリレート、ポリエチレングリコールモノメタクリレート、ポリエチレングリコールモノアクリレート、ポリ（エチレングリコール−プロピレングリコール）モノメタクリレート、ポリ（エチレングリコール−プロピレングリコール）モノアクリレート、ポリエチレングリコール−ポリプロピレングリコールモノメタクリレート、ポリエチレングリコール−ポリプロピレングリコールモノアクリレート、ポリ（エチレングリコール−テトラメチレングリコール）モノメタクリレート、ポリ（エチレングリコール−テトラメチレングリコール）モノアクリレート、ポリ（プロピレングリコール−テトラメチレングリコール）モノメタクリレート、ポリ（プロピレングリコール−テトラメチレングリコール）モノアクリレート、プロピレングリコールポリブチレングリコールモノメタクリレート、プロピレングリコールポリブチレングリコールモノアクリレート、ｐ−ヒドロキシフェニルメタクリレート、パラヒドロキシフェニルアクリレート等を挙げることができる。

カルボキシ基を有するモノマーとしては、アクリル酸、メタクリル酸、２−アクリロイルオキシエチルコハク酸、２−メタクリロイルオキシエチルコハク酸、２−アクリロイルオキシエチルフタル酸、２−メタクリロイルオキシエチルフタル酸、２−アクリロイルオキシエチルテトラヒドロフタル酸、２−メタクリロイルオキシエチルテトラヒドロフタル酸、２−アクリロイルオキシエチルヘキサヒドロフタル酸、２−メタクリロイルオキシエチルヘキサヒドロフタル酸、２−アクリロイルオキシプロピルフタル酸、２−メタクリロイルオキシプロピルフタル酸、２−アクリロイルオキシプロピルテトラヒドロフタル酸、２−メタクリロイルオキシプロピルテトラヒドロフタル酸、２−アクリロイルオキシプロピルヘキサヒドロフタル酸、２−メタクリロイルオキシプロピルヘキサヒドロフタル酸等を挙げることができる。

上記水酸基又はカルボキシ基を有する重合体は、上述の水酸基又はカルボキシ基を有するモノマーのみを用いて得ることができるほか、上述の水酸基又はカルボキシ基を有するモノマーと、水酸基又はカルボキシ基を有するモノマー以外のモノマーとを共重合して得ることができる。水酸基又はカルボキシ基を有するモノマー以外のモノマーとしては、（メタ）アクリル酸鎖状アルキルエステル、（メタ）アクリル酸環状アルキルエステル、（メタ）アクリル酸アリールエステル、不飽和芳香族化合物、共役ジエン、テトラヒドロフラン骨格を含有する不飽和化合物、マレイミド、及びその他のモノマー等を挙げることができる。

（メタ）アクリル酸鎖状アルキルエステルとしては、例えばメタクリル酸メチル、メタクリル酸エチル、メタクリル酸ｎ−ブチル、メタクリル酸ｓｅｃ−ブチル、メタクリル酸ｔ−ブチル、メタクリル酸２−エチルヘキシル、メタクリル酸イソデシル、メタクリル酸ｎ−ラウリル、メタクリル酸トリデシル、メタクリル酸ｎ−ステアリル、アクリル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸ｎ−ブチル、アクリル酸ｓｅｃ−ブチル、アクリル酸ｔ−ブチル、アクリル酸２−エチルヘキシル、アクリル酸イソデシル、アクリル酸ｎ−ラウリル、アクリル酸トリデシル、アクリル酸ｎ−ステアリル等を挙げることができる。

（メタ）アクリル酸環状アルキルエステルとしては、例えばメタクリル酸シクロヘキシル、メタクリル酸２−メチルシクロヘキシル、メタクリル酸トリシクロ［５．２．１．０^２，６］デカン−８−イル、メタクリル酸イソボルニル、シクロヘキシルアクリレート、２−メチルシクロヘキシルアクリレート、トリシクロ［５．２．１．０^２，６］デカン−８−イルアクリレート、イソボルニルアクリレート等を挙げることができる。

（メタ）アクリル酸アリールエステルとしては、例えばメタクリル酸フェニル、メタクリル酸ベンジル、アクリル酸フェニル、アクリル酸ベンジル等を挙げることができる。

不飽和芳香族化合物としては、例えばスチレン、α−メチルスチレン、ｏ−メチルスチレン、ｍ−メチルスチレン、ｐ−メチルスチレン、ｐ−メトキシスチレン等を挙げることができる。

共役ジエンとしては、例えば１，３−ブタジエン、イソプレン、２，３−ジメチル−１，３−ブタジエン等を挙げることができる。

テトラヒドロフラン骨格を含有する不飽和化合物としては、例えばテトラヒドロフルフリル（メタ）アクリレート、２−メタクリロイルオキシ−プロピオン酸テトラヒドロフルフリルエステル、３−（メタ）アクリロイルオキシテトラヒドロフラン−２−オン等を挙げることができる。

マレイミドとしては、例えばＮ−フェニルマレイミド、Ｎ−シクロヘキシルマレイミド、Ｎ−トリルマレイミド、Ｎ−ナフチルマレイミド、Ｎ−エチルマレイミド、Ｎ−ヘキシルマレイミド、Ｎ−ベンジルマレイミド等を挙げることができる。

その他のモノマーとして、例えばエポキシ基（環状エーテル基）を有する（メタ）アクリル酸エステル等を挙げることができる。具体的には、メタクリル酸グリシジル、メタクリル酸３，４−エポキシシクロヘキシル、アクリル酸３，４−エポキシシクロヘキシル、３−（メタクリロイルオキシメチル）−３−エチルオキセタン、３−（アクリロイルオキシメチル）−３−エチルオキセタン、メタクリル酸トリシクロ［５．２．１．０^２，６］デカン−８−イルオキシエチル、トリシクロ［５．２．１．０^２，６］デカン−８−イルオキシエチルアクリレート等を挙げることができる。

水酸基又はカルボキシ基を有する重合体を合成するための重合反応に用いられる溶媒としては、例えばグリコールエーテル、エチレングリコールアルキルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノアルキルエーテル、ジエチレングリコールジアルキルエーテル、ジプロピレングリコールジアルキルエーテル、プロピレングリコールモノアルキルエーテル、プロピレングリコールアルキルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノアルキルエーテルプロピオネート等を挙げることができる。また、その他のアルコール、エーテル、ケトン、エステル等を用いることもできる。

水酸基又はカルボキシ基を有する重合体を得るための重合反応においては、分子量を調整するために、分子量調整剤を使用できる。分子量調整剤としては、例えばクロロホルム、四臭化炭素等のハロゲン化炭化水素類；ｎ−ヘキシルメルカプタン、ｎ−オクチルメルカプタン、ｎ−ドデシルメルカプタン、ｔ−ドデシルメルカプタン、チオグリコール酸等のメルカプタン類；ジメチルキサントゲンスルフィド、ジイソプロピルキサントゲンジスルフィド等のキサントゲン類；ターピノーレン、α−メチルスチレンダイマー等を挙げることができる。

水酸基又はカルボキシ基を有する重合体のゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）によるポリスチレン換算重量平均分子量（Ｍｗ）の下限としては、１０００が好ましく、５０００がより好ましい。一方、この上限としては、５００００が好ましく、３００００がより好ましい。水酸基又はカルボキシ基を有する重合体のＭｗを上記範囲とすることで、重合体（Ａ）を含有する膜形成用組成物の感度を高めることなどができる。

次いで、得られた水酸基又はカルボキシルを有する重合体の水酸基又はカルボキシ基に化合物（ａ）を反応させる。これらの反応の一例は、以下の反応式により表される。

水酸基を有する重合体の水酸基と、上記化合物（ａ）のビニルエーテル基とによって、アセタール結合が形成され、また、カルボキシ基を有する重合体のカルボキシ基と、上記化合物（ａ）のビニルエーテル基とによって、ヘミアセタールエステル結合が形成され、重合体（Ａ）となる。

具体的な反応方法としては、まず、水酸基又はカルボキシ基を有する重合体を有機溶媒中に溶解した後、重合体が有する水酸基又はカルボキシ基に対して等モル又は過剰量の化合物（ａ）を加える。得られた反応混合物を０℃から室温程度に冷却した後、上記有機溶媒と同じ溶媒に溶解させた酸（例えばシュウ酸）を触媒として滴下し、室温下で１時間〜２４時間程度撹拌し、反応させる。反応終了後、有機溶媒を除去することにより、目的の重合体（Ａ）を得ることができる。

（２）化合物（ａ）を用いて得られるモノマーを重合する方法
本方法では、水酸基又はカルボキシ基を有する重合性化合物の水酸基又はカルボキシ基に上記化合物（ａ）を反応させることで所望するモノマーを得て、このモノマーを重合させることで、重合体（Ａ）を得る。このような重合体（Ａ）の製造方法は、公知の方法を参考にすることができる。

上記方法においては、具体的には、水酸基を有する重合性化合物の水酸基と、ビニルエーテル化合物（化合物（ａ））のビニルエーテル基とによってアセタール結合が形成され、又は、カルボキシ基を有する重合性化合物のカルボキシ基と、ビニルエーテル化合物（化合物（ａ））のビニルエーテル基とによってヘミアセタールエステル結合が形成され、所望するモノマーが得られる。次いで、得られたモノマーを用いて、上述した水酸基又はカルボキシ基を有する重合体の製造方法と同様にして重合することで、重合体（Ａ）を得ることができる。

＜酸発生体（Ｂ）＞
酸発生体（Ｂ）は、例えば、加熱や放射線等に感応して酸を発生する機能を有する。酸発生体（Ｂ）は、感放射線性酸発生体であることが好ましい。酸発生体（Ｂ）は、所謂酸発生剤として、化合物の形態で含有されていてもよいし、重合体（Ａ）等の重合体の一部に組み込まれた形態であってもよい。膜形成用組成物が、酸発生体（Ｂ）を含有することで、重合体（Ａ）から酸解離性基を脱離させることができる。

感放射線性酸発生体である酸発生剤としては、例えばオキシムスルホネート化合物、オニウム塩、スルホンイミド化合物、ハロゲン含有化合物、ジアゾメタン化合物、スルホン化合物、スルホン酸エステル化合物、カルボン酸エステル化合物等を挙げることができる。酸発生剤は、単独で又は２種類以上を組み合わせて用いてもよい。これらの感放射線性酸発生剤は、感熱性酸発生剤として機能するものであってもよい。

［オキシムスルホネート化合物］
上記オキシムスルホネート化合物としては、下記式（６）で表されるオキシムスルホネート基を含む化合物が好ましい。

上記式（６）中、Ｒ^１１は、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数１〜１２のフルオロアルキル基、炭素数４〜１２の脂環式炭化水素基、炭素数６〜２０のアリール基、又はこれらのアルキル基、脂環式炭化水素基及びアリール基が有する水素原子の一部又は全部が置換基で置換された基である。

上記アルキル基、脂環式炭化水素基及びアリール基が有していてもよい置換基としては、炭素数１〜１０のアルコキシ基、水酸基、ハロゲン原子等を挙げることができる。

上記式（６）で表されるオキシムスルホネート基を含有する化合物としては、例えば下記式（６−１）〜（６−３）で表されるオキシムスルホネート化合物が挙げられる。

上記式（６−１）〜（６−３）中、Ｒ^１１は、上記式（６）中のＲ^１１と同義である。Ｒ^１５は、炭素数１〜１２のアルキル基、又は炭素数１〜１２のフルオロアルキル基である。Ｘは、アルキル基、アルコキシ基又はハロゲン原子である。ｍは、０〜３の整数である。但し、Ｘが複数の場合、複数のＸは同一であっても異なっていてもよい。

上記式（６−３）で表されるオキシムスルホネート化合物としては、例えば下記式（６−３−１）〜（６−３−５）で表される化合物等が挙げられる。

上記式（６−３−１）〜（６−３−５）で表される化合物は、順に（５−プロピルスルフォニルオキシイミノ−５Ｈ−チオフェン−２−イリデン）−（２−メチルフェニル）アセトニトリル、（５−オクチルスルフォニルオキシイミノ−５Ｈ−チオフェン−２−イリデン）−（２−メチルフェニル）アセトニトリル、（カンファースルフォニルオキシイミノ−５Ｈ−チオフェン−２−イリデン）−（２−メチルフェニル）アセトニトリル、（５−ｐ−トルエンスルフォニルオキシイミノ−５Ｈ−チオフェン−２−イリデン）−（２−メチルフェニル）アセトニトリル、及び（５−オクチルスルフォニルオキシイミノ）−（４−メトキシフェニル）アセトニトリルである。

上記式（６）で表されるオキシムスルホネート基を含有するその他の化合物としては、（５−オクチルスルフォニルオキシイミノ）−（４−メトキシフェニル）アセトニトリル等を挙げることができる。

［オニウム塩］
上記オニウム塩としては、例えばジフェニルヨードニウム塩、トリフェニルスルホニウム塩、アルキルスルホニウム塩、ベンジルスルホニウム塩、ジベンジルスルホニウム塩、置換ベンジルスルホニウム塩、ベンゾチアゾニウム塩、テトラヒドロチオフェニウム塩等を挙げることができる。

上記ジフェニルヨードニウム塩としては、例えばジフェニルヨードニウムテトラフルオロボレート、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロホスホネート、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロアルセネート、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホナート、ジフェニルヨードニウムトリフルオロアセテート、ジフェニルヨードニウム−ｐ−トルエンスルホナート、ジフェニルヨードニウムブチルトリス（２，６−ジフルオロフェニル）ボレート、４−メトキシフェニルフェニルヨードニウムテトラフルオロボレート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムテトラフルオロボレート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムヘキサフルオロアルセネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムトリフルオロメタンスルホナート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムトリフルオロアセテート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウム−ｐ−トルエンスルホナート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムカンファースルホン酸等を挙げることができる。

上記トリフェニルスルホニウム塩としては、例えばトリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホナート、トリフェニルスルホニウムカンファースルホン酸、トリフェニルスルホニウムテトラフルオロボレート、トリフェニルスルホニウムトリフルオロアセテート、トリフェニルスルホニウム−ｐ−トルエンスルホナート、トリフェニルスルホニウムブチルトリス（２、６−ジフルオロフェニル）ボレート等を挙げることができる。

上記アルキルスルホニウム塩としては、例えば４−アセトキシフェニルジメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、４−アセトキシフェニルジメチルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、ジメチル−４−（ベンジルオキシカルボニルオキシ）フェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジメチル−４−（ベンゾイルオキシ）フェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジメチル−４−（ベンゾイルオキシ）フェニルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、ジメチル−３−クロロ−４−アセトキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート等を挙げることができる。

上記ベンジルスルホニウム塩としては、例えばベンジル−４−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ベンジル−４−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、４−アセトキシフェニルベンジルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ベンジル−４−メトキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ベンジル−２−メチル−４−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ベンジル−３−クロロ−４−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、４−メトキシベンジル−４−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート等を挙げることができる。

上記ジベンジルスルホニウム塩としては、例えばジベンジル−４−ヒドロキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジベンジル−４−ヒドロキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、４−アセトキシフェニルジベンジルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジベンジル−４−メトキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジベンジル−３−クロロ−４−ヒドロキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、ジベンジル−３−メチル−４−ヒドロキシ−５−ｔ−ブチルフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ベンジル−４−メトキシベンジル−４−ヒドロキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート等を挙げることができる。

上記置換ベンジルスルホニウム塩としては、例えばｐ−クロロベンジル−４−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ｐ−ニトロベンジル−４−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ｐ−クロロベンジル−４−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、ｐ−ニトロベンジル−３−メチル−４−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、３，５−ジクロロベンジル−４−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ｏ−クロロベンジル−３−クロロ−４−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート等を挙げることができる。

上記ベンゾチアゾニウム塩としては、例えば３−ベンジルベンゾチアゾニウムヘキサフルオロアンチモネート、３−ベンジルベンゾチアゾニウムヘキサフルオロホスフェート、３−ベンジルベンゾチアゾニウムテトラフルオロボレート、３−（ｐ−メトキシベンジル）ベンゾチアゾニウムヘキサフルオロアンチモネート、３−ベンジル−２−メチルチオベンゾチアゾニウムヘキサフルオロアンチモネート、３−ベンジル−５−クロロベンゾチアゾニウムヘキサフルオロアンチモネート等を挙げることができる。

上記テトラヒドロチオフェニウム塩としては、例えば４，７−ジ−ｎ−ブトキシ−１−ナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、１−（４−ｎ−ブトキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、１−（４−ｎ−ブトキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、１−（４−ｎ−ブトキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウム−１，１，２，２−テトラフルオロ−２−（ノルボルナン−２−イル）エタンスルホネート、１−（４−ｎ−ブトキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウム−２−（５−ｔ−ブトキシカルボニルオキシビシクロ［２．２．１］ヘプタン−２−イル）−１，１，２，２−テトラフルオロエタンスルホネート、１−（４−ｎ−ブトキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウム−２−（６−ｔ−ブトキシカルボニルオキシビシクロ［２．２．１］ヘプタン−２−イル）−１，１，２，２−テトラフルオロエタンスルホネート等を挙げることができる。

［スルホンイミド化合物］
上記スルホンイミド化合物としては、例えばＮ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（カンファスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（４−メチルフェニルスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（２−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（４−フルオロフェニルスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ−（カンファスルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ−（２−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ−（２−フルオロフェニルスルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−（カンファスルホニルオキシ）ジフェニルマレイミド、４−メチルフェニルスルホニルオキシ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−（２−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−（４−フルオロフェニルスルホニルオキシ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−（４−フルオロフェニルスルホニルオキシ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−（フェニルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（４−メチルフェニルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（ノナフルオロブタンスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（カンファスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（カンファスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（４−メチルフェニルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（４−メチルフェニルスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（２−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（２−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（４−フルオロフェニルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（４−フルオロフェニルスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプタン−５，６−オキシ−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（カンファスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプタン−５，６−オキシ−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（４−メチルフェニルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプタン−５，６−オキシ−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（２−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプタン−５，６−オキシ−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（４−フルオロフェニルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプタン−５，６−オキシ−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシイミド、Ｎ−（カンファスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシイミド、Ｎ−（４−メチルフェニルスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシイミド、Ｎ−（フェニルスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシイミド、Ｎ−（２−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシイミド、Ｎ−（４−フルオロフェニルスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシイミド、Ｎ−（ペンタフルオロエチルスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシイミド、Ｎ−（ヘプタフルオロプロピルスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシイミド、Ｎ−（ノナフルオロブチルスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシイミド、Ｎ−（エチルスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシイミド、Ｎ−（プロピルスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシイミド、Ｎ−（ブチルスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシイミド、Ｎ−（ペンチルスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシイミド、Ｎ−（ヘキシルスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシイミド、Ｎ−（ヘプチルスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシイミド、Ｎ−（オクチルスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシイミド、Ｎ−（ノニルスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシイミド等が挙げられる。

［ハロゲン含有化合物］
上記ハロゲン含有化合物としては、例えばハロアルキル基含有炭化水素化合物、ハロアルキル基含有ヘテロ環状化合物等を挙げることができる。

［ジアゾメタン化合物］
上記ジアゾメタン化合物としては、例えばビス（トリフルオロメチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（シクロヘキシルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（フェニルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｐ−トリルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（２，４−キシリルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｐ−クロロフェニルスルホニル）ジアゾメタン、メチルスルホニル−ｐ−トルエンスルホニルジアゾメタン、シクロヘキシルスルホニル（１，１−ジメチルエチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（１，１−ジメチルエチルスルホニル）ジアゾメタン、フェニルスルホニル（ベンゾイル）ジアゾメタン等を挙げることができる。

［スルホン化合物］
上記スルホン化合物としては、例えばβ−ケトスルホン化合物、β−スルホニルスルホン化合物、ジアリールジスルホン化合物等を挙げることができる。

［スルホン酸エステル化合物］
上記スルホン酸エステル化合物としては、例えばアルキルスルホン酸エステル、ハロアルキルスルホン酸エステル、アリールスルホン酸エステル、イミノスルホネート等を挙げることができる。

［カルボン酸エステル化合物］
上記カルボン酸エステル化合物としては、例えばカルボン酸ｏ−ニトロベンジルエステル等を挙げることができる。

感熱性酸発生体である酸発生剤としては、例えばジフェニルヨードニウム塩、トリフェニルスルホニウム塩、スルホニウム塩、ベンゾチアゾニウム塩、アンモニウム塩、ホスホニウム塩、テトラヒドロチオフェニウム塩等のオニウム塩、スルホンイミド化合物等が挙げられる。これらの感熱性酸発生剤は、感放射線性酸発生剤として機能するものであってもよい。

酸発生体（Ｂ）としては、オキシムスルホネート化合物、オニウム塩及びスルホン酸エステル化合物が好ましく、オキシムスルホネート化合物がより好ましい。酸発生体（Ｂ）をこれらの化合物とすることで、膜形成用組成物は、感度をより向上させることができ、また、溶解性を向上させることなどもできる。

酸発生体（Ｂ）が酸発生剤である場合、酸発生剤の含有量の下限としては、重合体（Ａ）１００質量部に対して、０．１質量部が好ましく、１質量部がより好ましい。一方、この上限としては、１０質量部が好ましく、５質量部がより好ましい。酸発生剤の含有量を上記範囲とすることで、感度を最適化でき、より良好な積層配線を形成できる。

＜溶媒（Ｃ）＞
溶媒（Ｃ）としては特に限定されないが、重合体（Ａ）及び酸発生体（Ｂ）の他、他の成分を均一に溶解又は分散することができる溶媒が好ましい。

溶媒（Ｃ）としては、アルコール類、エーテル類、ジエチレングリコールアルキルエーテル類、エチレングリコールアルキルエーテルアセテート類、プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類、プロピレングリコールモノアルキルエーテルプロピオネート類、脂肪族炭化水素類、芳香族炭化水素類、ケトン類、エステル類等を挙げることができる。

上記アルコール類としては、例えば１−ヘキサノール、１−オクタノール、１−ノナノール、１−ドデカノール、１，６−ヘキサンジオール、１，８−オクタンジオール等の長鎖アルキルアルコール類；
ベンジルアルコール等の芳香族アルコール類；
エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル等のエチレングリコールモノアルキルエーテル類；
プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル等のプロピレングリコールモノアルキルエーテル類；
ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノプロピルエーテル、ジプロピレングリコールモノブチルエーテル等のジプロピレングリコールモノアルキルエーテル類等を挙げることができる。

上記エーテル類としては、例えばテトラヒドロフラン、ヘキシルメチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールジエチルエーテル、１，４−ジオキサン等を挙げることができる。

上記ジエチレングリコールアルキルエーテル類としては、例えばジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル等を挙げることができる。

上記エチレングリコールアルキルエーテルアセテート類としては、例えばメチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテー等を挙げることができる。

上記プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類としては、例えばプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノブチルエーテルアセテート等を挙げることができる。

上記プロピレングリコールモノアルキルエーテルプロピオネート類としては、例えばプロピレングリコールモノメチルエーテルプロピオネート、プロピレングリコールモノエチルエーテルプロピオネート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルプロピオネート、プロピレングリコールモノブチルエーテルプロピオネート等を挙げることができる。

上記脂肪族炭化水素類としては、例えばｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、ｎ−ノナン、ｎ−デカン、ｎ−ウンデカン、ｎ−ドデカン、シクロヘキサン、デカリン等を挙げることができる。

上記芳香族炭化水素類としては、例えばベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、ｎ−プロピルベンゼン、ｉ−プロピルベンゼン、ｎ−ブチルベンゼン、メシチレン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン等を挙げることができる。

上記ケトン類としては、例えばメチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、２−ヘプタノン、４−ヒドロキシ−４−メチル−２−ペンタノン等を挙げることができる。

上記エステル類としては、例えば酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ｉ−プロピル、酢酸ブチル、２−ヒドロキシプロピオン酸エチル、２−ヒドロキシ−２−メチルプロピオン酸メチル、２−ヒドロキシ−２−メチルプロピオン酸エチル、ヒドロキシ酢酸メチル、ヒドロキシ酢酸エチル、ヒドロキシ酢酸ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸プロピル、乳酸ブチル、３−ヒドロキシプロピオン酸メチル、３−ヒドロキシプロピオン酸エチル、３−ヒドロキシプロピオン酸プロピル、３−ヒドロキシプロピオン酸ブチル、２−ヒドロキシ−３−メチルブタン酸メチル、メトキシ酢酸メチル、メトキシ酢酸エチル、メトキシ酢酸プロピル、メトキシ酢酸ブチル、エトキシ酢酸メチル、エトキシ酢酸エチル、エトキシ酢酸プロピル、エトキシ酢酸ブチル、プロポキシ酢酸メチル、プロポキシ酢酸エチル、プロポキシ酢酸プロピル、プロポキシ酢酸ブチル、ブトキシ酢酸メチル、ブトキシ酢酸エチル、ブトキシ酢酸プロピル、ブトキシ酢酸ブチル、２−メトキシプロピオン酸メチル、２−メトキシプロピオン酸エチル、２−メトキシプロピオン酸プロピル、２−メトキシプロピオン酸ブチル、２−エトキシプロピオン酸メチル、２−エトキシプロピオン酸エチル等を挙げることができる。

溶媒（Ｃ）は、１種を単独で使用してもよいし、２種以上を混合して使用してもよい。
溶媒（Ｃ）の含有量の下限としては、膜形成用組成物の溶媒（Ｃ）以外の成分１００質量部に対して、２００質量部が好ましく、４００質量部がより好ましい。一方、この上限としては、１６００質量部が好ましく、１０００質量部がより好ましい。溶媒（Ｃ）の含有量を上記範囲とすることによって、塗布性が向上し、塗布ムラ（筋状ムラ、ピン跡ムラ、モヤムラ等）の発生が抑制され、膜厚均一性の向上した塗膜を得ることができる。

＜増感剤（Ｄ）＞
増感剤（Ｄ）は、膜形成用組成物の放射線感度を向上させる機能を有する。増感剤（Ｄ）は、放射線を吸収して電子励起状態となる化合物であることが好ましい。電子励起状態となった増感剤（Ｄ）は、酸発生体（Ｂ）と接触して、電子移動、エネルギー移動、発熱等が生じ、これにより酸発生体（Ｂ）は化学変化を起こして分解し、酸を生成する。

増感剤（Ｄ）としては、以下の化合物類に属し、かつ３５０ｎｍ〜４５０ｎｍの領域に吸収波長を有する化合物等が挙げられる。

増感剤（Ｄ）としては、例えばピレン、ペリレン、トリフェニレン、アントラセン、９，１０−ジブトキシアントラセン、９，１０−ジエトキシアントラセン，３，７−ジメトキシアントラセン、９，１０−ジプロピルオキシアントラセン等の多核芳香族類；
フルオレッセイン、エオシン、エリスロシン、ローダミンＢ、ローズベンガル等のキサンテン類；
キサントン、チオキサントン、ジメチルチオキサントン、ジエチルチオキサントン（２，４−ジエチルチオキサンテン−９−オン等）、イソプロピルチオキサントン（２−イソプロピルチオキサントン等）等のキサントン類；
チアカルボシアニン、オキサカルボシアニン等のシアニン類；
メロシアニン、カルボメロシアニン等のメロシアニン類；
ローダシアニン類；
オキソノール類；
チオニン、メチレンブルー、トルイジンブルー等のチアジン類；
アクリジンオレンジ、クロロフラビン、アクリフラビン等のアクリジン類；
アクリドン、１０−ブチル−２−クロロアクリドン等のアクリドン類；
アントラキノン等のアントラキノン類；
スクアリウム等のスクアリウム類；
スチリル類；
２−［２−［４−（ジメチルアミノ）フェニル］エテニル］ベンゾオキサゾール等のベーススチリル類；
７−ジエチルアミノ４−メチルクマリン、７−ヒドロキシ４−メチルクマリン、２，３，６，７−テトラヒドロ−９−メチル−１Ｈ，５Ｈ，１１Ｈ［ｌ］ベンゾピラノ［６，７，８−ｉｊ］キノリジン−１１−ノン等のクマリン類等を挙げることができる。

これらの増感剤（Ｄ）の中でも、多核芳香族類、アクリドン類、スチリル類、ベーススチリル類、クマリン類及びキサントン類が好ましく、キサントン類がより好ましい。増感剤（Ｄ）は、１種を単独で使用してもよいし、２種以上を混合して使用してもよい。

増感剤（Ｄ）の含有量の下限としては、重合体（Ａ）１００質量部に対して、０．１質量部が好ましく、０．３質量部がより好ましい。一方、この上限としては、８質量部が好ましく、４質量部がより好ましい。増感剤（Ｄ）の含有量を上記範囲とすることで、膜形成用組成物の感度を最適化でき、高解像度なパターン（配線）を形成できる。

＜クエンチャー（Ｅ）＞
クエンチャー（Ｅ）は、酸発生体（Ｂ）からの酸の拡散を制御する機能を有する。クエンチャー（Ｅ）としては、例えばアミン化合物、アミド基含有化合物、ウレア化合物、含窒素複素環化合物等が挙げられる。

アミン化合物としては、例えばモノ（シクロ）アルキルアミン類；ジ（シクロ）アルキルアミン類；トリ（シクロ）アルキルアミン類；置換アルキルアニリン又はその誘導体；エチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、４，４’−ジアミノジフェニルメタン、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル、４，４’−ジアミノベンゾフェノン、４，４’−ジアミノジフェニルアミン、２，２−ビス（４−アミノフェニル）プロパン、２−（３−アミノフェニル）−２−（４−アミノフェニル）プロパン、２−（４−アミノフェニル）−２−（３−ヒドロキシフェニル）プロパン、２−（４−アミノフェニル）−２−（４−ヒドロキシフェニル）プロパン、１，４−ビス（１−（４−アミノフェニル）−１−メチルエチル）ベンゼン、１，３−ビス（１−（４−アミノフェニル）−１−メチルエチル）ベンゼン、ビス（２−ジメチルアミノエチル）エーテル、ビス（２−ジエチルアミノエチル）エーテル、１−（２−ヒドロキシエチル）−２−イミダゾリジノン、２−キノキサリノール、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（２−ヒドロキシプロピル）エチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’’Ｎ’’−ペンタメチルジエチレントリアミン等が挙げられる。

アミド基含有化合物としては、例えばＮ−ｔ−ブトキシカルボニル基含有アミノ化合物、ホルムアミド、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、アセトアミド、Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、プロピオンアミド、ベンズアミド、ピロリドン、Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ−アセチル−１−アダマンチルアミン、イソシアヌル酸トリス（２−ヒドロキシエチル）等が挙げられる。

ウレア化合物としては、例えば尿素、メチルウレア、１，１−ジメチルウレア、１，３−ジメチルウレア、１，１，３，３−テトラメチルウレア、１，３−ジフェニルウレア、トリ−ｎ−ブチルチオウレア等が挙げられる。

含窒素複素環化合物としては、例えば２−フェニルベンゾイミダゾール等のイミダゾール類；４−（ジメチルアミノ）ピリジン等のピリジン類；ピペラジン類；ピラジン、ピラゾール、ピリダジン、キノザリン、プリン、ピロリジン、ピペリジン、ピペリジンエタノール、３−ピペリジノ−１，２−プロパンジオール、モルホリン、４−メチルモルホリン、１−（４−モルホリニル）エタノール、４−アセチルモルホリン、３−（Ｎ−モルホリノ）−１，２−プロパンジオール、１，４−ジメチルピペラジン、１，４−ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン等が挙げられる。

また、クエンチャー（Ｅ）としては、光崩壊性塩基を用いることができる。光崩壊性塩基としては、スルホニウム塩化合物や、ヨードニウム塩化合物等のオニウム塩化合物を挙げることができる。

クエンチャー（Ｅ）としては、含窒素複素環化合物が好ましく、イミダゾール類及びピリジン類がより好ましい。クエンチャー（Ｅ）は、１種を単独で使用してもよいし、２種以上を混合して使用してもよい。

クエンチャー（Ｅ）の含有量の下限としては、重合体（Ａ）１００質量部に対して、０．００１質量部が好ましく、０．０１質量部がより好ましい。一方、この上限としては、３質量部が好ましく、１質量部がより好ましい。クエンチャー（Ｅ）の含有量を上記範囲とすることで、膜形成用組成物の反応性を最適化等することができ、高解像度なパターン（配線）を形成できる。

＜重合性化合物（Ｆ）＞
膜形成用組成物は、重合性化合物（Ｆ）を含有することで、硬化性を高めることができる。重合性化合物（Ｆ）は、通常、エチレン性不飽和結合を有する重合性化合物である。

重合性化合物（Ｆ）としては、重合性が良好であり、得られる膜の強度が向上するという観点から、単官能、２官能又は３官能以上の（メタ）アクリル酸エステルが好ましい。なお、単官能化合物とは、（メタ）アクリロイル基を１つ有する化合物のことをいい、２官能又は３官能以上の化合物とは、それぞれ、（メタ）アクリロイル基を２つ又は３つ以上有する化合物のことをいう。

上記単官能（メタ）アクリル酸エステルとしては、例えば２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシエチルメタクリレート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアクリレート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルメタクリレート、（２−アクリロイルオキシエチル）（２−ヒドロキシプロピル）フタレート、（２−メタクリロイルオキシエチル）（２−ヒドロキシプロピル）フタレート、ω−カルボキシポリカプロラクトンモノアクリレート等を挙げることができる。

上記２官能（メタ）アクリル酸エステルとしては、例えばエチレングリコールジアクリレート、プロピレングリコールジアクリレート、プロピレングリコールジメタクリレート、エチレングリコールジメタクリレート、ジエチレングリコールジアクリレート、ジエチレングリコールジメタクリレート、テトラエチレングリコールジアクリレート、テトラエチレングリコールジメタクリレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジメタクリレート、１，９−ノナンジオールジアクリレート、１，９−ノナンジオールジメタクリレート等を挙げることができる。

上記３官能以上の（メタ）アクリル酸エステルとしては、例えばトリメチロールプロパントリアクリレート、トリメチロールプロパントリメタクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールトリメタクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ペンタエリスリトールテトラメタクリレート、ジペンタエリスリトールペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールペンタメタクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、ジペンタエリスリトールペンタアクリレートとジペンタエリスリトールヘキサアクリレートの混合物、ジペンタエリスリトールヘキサメタクリレート、エチレンオキサイド変性ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、トリ（２−アクリロイルオキシエチル）フォスフェート、トリ（２−メタクリロイルオキシエチル）フォスフェート、コハク酸変性ペンタエリスリトールトリアクリレート、コハク酸変性ジペンタエリスリトールペンタアクリレート、トリス（アクリロキシエチル）イソシアヌレート等を挙げることができる。

重合性化合物（Ｆ）としては、２官能又は３官能以上の（メタ）アクリル酸エステルが好ましく、１，９−ノナンジオールジメタクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレートとジペンタエリスリトールペンタアクリレートとの混合物、エチレンオキサイド変性ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、コハク酸変性ペンタエリスリトールトリアクリレート、コハク酸変性ジペンタエリスリトールペンタアクリレート、及び多官能ウレタンアクリレート系化合物がより好ましい。重合性化合物（Ｆ）は、１種を単独で使用してもよいし、２種以上を混合して使用してもよい。

重合性化合物（Ｆ）の含有量の下限としては、重合体（Ａ）１００質量部に対して、１質量部が好ましく、３質量部がより好ましく、５質量部がさらに好ましい。一方、この上限としては、１００質量部が好ましく、５０質量部がより好ましく、２０質量部がさらに好ましく、１０質量部が特に好ましい。重合性化合物（Ｆ）の含有量を上記範囲とすることで、得られる膜の硬度を高めることなどができる。

＜感放射線性重合開始剤（Ｇ）＞
感放射線性重合開始剤（Ｇ）は、放射線の照射を受けて、重合性化合物（Ｆ）の重合を開始又は促進させる化合物である。従って、膜形成用組成物が重合性化合物（Ｆ）を含有する場合、感放射線性重合開始剤（Ｇ）を用いることが好ましい。

感放射線性重合開始剤（Ｇ）としては、Ｏ−アシルオキシム化合物、アセトフェノン化合物、ビイミダゾール化合物等を挙げることができる。

上記Ｏ−アシルオキシム化合物としては、例えばエタノン−１−〔９−エチル−６−（２−メチルベンゾイル）−９Ｈ−カルバゾール−３−イル〕−１−（Ｏ−アセチルオキシム）、１−〔９−エチル−６−ベンゾイル−９．Ｈ．−カルバゾール−３−イル〕−オクタン−１−オンオキシム−Ｏ−アセテート、１−〔９−エチル−６−（２−メチルベンゾイル）−９．Ｈ．−カルバゾール−３−イル〕−エタン−１−オンオキシム−Ｏ−ベンゾエート、１−〔９−ｎ−ブチル−６−（２−エチルベンゾイル）−９．Ｈ．−カルバゾール−３−イル〕−エタン−１−オンオキシム−Ｏ−ベンゾエート、エタノン−１−〔９−エチル−６−（２−メチル−４−テトラヒドロフラニルベンゾイル）−９．Ｈ．−カルバゾール−３−イル〕−１−（Ｏ−アセチルオキシム）、エタノン−１−〔９−エチル−６−（２−メチル−４−テトラヒドロピラニルベンゾイル）−９．Ｈ．−カルバゾール−３−イル〕−１−（Ｏ−アセチルオキシム）、エタノン−１−〔９−エチル−６−（２−メチル−５−テトラヒドロフラニルベンゾイル）−９．Ｈ．−カルバゾール−３−イル〕−１−（Ｏ−アセチルオキシム）、エタノン−１−〔９−エチル−６−｛２−メチル−４−（２，２−ジメチル−１，３−ジオキソラニル）メトキシベンゾイル｝−９．Ｈ．−カルバゾール−３−イル〕−１−（Ｏ−アセチルオキシム）、エタノン−１−〔９−エチル−６−（２−メチル−４−テトラヒドロフラニルメトキシベンゾイル）−９．Ｈ．−カルバゾール−３−イル〕−１−（Ｏ−アセチルオキシム）等を挙げることができる。

上記アセトフェノン化合物としては、例えばα−アミノケトン化合物、α−ヒドロキシケトン化合物等を挙げることができる。

上記アミノケトン化合物としては、例えば２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルフォリノフェニル）−ブタン−１−オン、２−ジメチルアミノ−２−（４−メチルベンジル）−１−（４−モルフォリン−４−イル−フェニル）−ブタン−１−オン、２−メチル−１−（４−メチルチオフェニル）−２−モルフォリノプロパン−１−オン等を挙げることができる。

上記α−ヒドロキシケトン化合物としては、例えば１−フェニル−２−ヒドロキシ−２−メチルプロパン−１−オン、１−（４−ｉ−プロピルフェニル）−２−ヒドロキシ−２−メチルプロパン−１−オン、４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル−（２−ヒドロキシ−２−プロピル）ケトン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン等を挙げることができる。

上記ビイミダゾール化合物としては、例えば２，２’−ビス（２−クロロフェニル）−４，４’，５，５’−テトラキス（４−エトキシカルボニルフェニル）−１，２’−ビイミダゾール、２，２’−ビス（２−クロロフェニル）−４，４’，５，５’−テトラフェニル−１，２’−ビイミダゾール、２，２’−ビス（２，４−ジクロロフェニル）−４，４’，５，５’−テトラフェニル−１，２’−ビイミダゾール、２，２’−ビス（２，４，６−トリクロロフェニル）−４，４’，５，５’−テトラフェニル−１，２’−ビイミダゾール等を挙げることができる。

感放射線性重合開始剤（Ｇ）としてビイミダゾール化合物を使用する場合、これを増感するために、ジアルキルアミノ基を有する脂肪族又は芳香族化合物を併用することができる。このようなジアルキルアミノ基を有する脂肪族又は芳香族化合物としては、例えば４，４’−ビス（ジメチルアミノ）ベンゾフェノン、４，４’−ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノン等を挙げることができる。

感放射線性重合開始剤（Ｇ）としては、Ｏ−アシルオキシム化合物及びアセトフェノン化合物が好ましい。アセトフェノン化合物としては、アミノケトン化合物が好ましい。感放射線性重合開始剤（Ｇ）は、１種を単独で使用してもよいし、２種以上を混合して使用してもよい。

感放射線性重合開始剤（Ｇ）の含有量の下限としては、重合体（Ａ）１００質量部に対して、０．０５質量部が好ましく、０．１質量部がより好ましい。一方、この上限としては、１０質量部が好ましく、２質量部がより好ましい。感放射線性重合開始剤（Ｇ）の含有量を上記範囲とすることによって、膜形成用組成物は、低露光量でも、高い放射線感度で塗膜の硬化を十分に行うことができる。

＜その他の任意成分＞
上記膜形成用組成物は、さらに、本発明の効果を損なわない限りその他の任意成分を含有することができる。その他の任意成分としては、界面活性剤、保存安定剤、接着助剤、耐熱性向上剤等を挙げることができる。その他の任意成分は、１種を単独で使用してもよいし、２種以上を混合して使用してもよい。

＜積層配線＞
本発明の一実施形態に係る積層配線は、上記積層配線の形成方法により得られた積層配線である。当該積層配線は、上記形成方法により得られるものであるため、生産性に優れ、低コスト化を可能にすることができる。

当該積層配線は、半導体素子や電子回路に好適に使用することができる。また、この半導体素子や電子回路は、電子デバイス等に好適に使用することができる。当該積層配線が用いられた電子デバイスは、小型化、薄型化、高機能化等が可能となる。この電子デバイスとしては、液晶ディスプレイ、携帯情報機器、デジタルカメラ、有機ディスプレイ、有機ＥＬ照明、センサー、ウェアラブルデバイス等を挙げることができる。

＜その他の実施形態＞
本発明の積層配線の形成方法及び積層配線は、上記実施形態に限定されるものでは無い。例えば、当該積層配線の形成方法において、３層以上の導電層（配線）を有する多層の積層配線を形成することもできる。この場合、例えば工程（Ｂ）と工程（Ｃ）とを複数回繰り返すことなどによって、多層の積層配線を形成することができる。一方、第１導電層を最表層に有する基材を用意する工程（Ａ）として、下地膜形成用組成物等を用いて第１導電層を形成するかわりに、既存の導電層付き基板を用意してそのまま使用することなどもできる。なお、当該積層配線の形成方法は、放射線の照射後、現像液を用いた現像工程を経ずにパターンを得ることができる方法である。但し、当該形成方法において、例えば放射線照射後の加熱に代えて、又は加熱と共に、現像処理あるいは洗浄処理を行うこともできる。

また、絶縁膜形成用組成物や下地膜形成用組成物に含まれる酸発生体として、感熱性酸発生体等を用いることができる。この場合、放射線照射に代えて、表面領域の一部を加熱することで酸を発生させ、親液性表面領域を形成することができる。表面領域の一部の加熱は、例えばレーザー等により行うことができる。また、放射線の照射によって、表面領域の一部を加熱してもよい。

また、絶縁膜にはビア用孔を設けなくてもよい。この場合、第１導電層と第２導電層とが導通していない（絶縁された）積層配線を形成することができる。

以下、実施例に基づき本発明を詳述するが、本発明は、この実施例に限定的して解釈されるものではない。以下に、本実施例で用いた測定方法を示す。

［重量平均分子量（Ｍｗ）及び分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）］
以下の合成例で得られた重合体のポリスチレン換算の重量平均分子量（Ｍｗ）及び分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は、以下の条件で測定した。
・測定方法：ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法
・標準物質：ポリスチレン換算
・装置 ：東ソー社の「ＨＬＣ−８２２０」
・カラム ：東ソー社のガードカラム「Ｈ_ＸＬ−Ｈ」、「ＴＳＫ ｇｅｌ Ｇ７０００Ｈ_ＸＬ」、「ＴＳＫ ｇｅｌ ＧＭＨ_ＸＬ」２本、及び「ＴＳＫ ｇｅｌ Ｇ２０００Ｈ_ＸＬ」を順次連結したもの
・溶媒 ：テトラヒドロフラン
・サンプル濃度：０．７質量％
・注入量 ：７０μＬ
・流速 ：１ｍＬ／ｍｉｎ

［^１Ｈ−ＮＭＲの測定］
^１Ｈ−ＮＭＲは、溶媒としてＣＤＣｌ_３を用い、核磁気共鳴装置（Ｂｒｕｋｅｒ社の「ＡＶＡＮＣＥＩＩＩ ＡＶ４００Ｎ」）を用い、温度２５℃の条件下で測定した。

＜重合体の合成＞
［合成例１］
冷却管及び撹拌機を備えたフラスコに、ジメチル２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオネート）８質量部、２，４−ジフェニル−４−メチル−１−ペンテン２質量部、及び、ジエチレングリコールジメチルエーテル２００質量部を仕込んだ。引き続きメタクリル酸２−ヒドロキシエチル４２質量部及びメタクリル酸ベンジル５８質量部を仕込み、窒素雰囲気下で緩やかに攪拌しつつ、溶液の温度を８０℃に上昇させ、この温度を４時間保持して重合することにより、共重合体である重合体（Ａ−１）を含む溶液を得た（固形分濃度＝３４．６質量％）。なお、固形分濃度は共重合体溶液の全質量に占める共重合体質量の割合を意味する。得られた溶液を大過剰のヘキサンに滴下し、沈殿物を乾燥させることで白色固体状の重合体（Ａ−１）を得た（Ｍｗ＝２６０００、Ｍｗ／Ｍｎ＝２．２）。

次いで、得られた重合体（Ａ−１）を含む溶液１０質量部に、ジエチレングリコールジメチルエーテル１３質量部、及び３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，８−トリデカフルオロ−１−ビニルオキシオクタン４．８質量部を加え、十分に攪拌した後、トリフルオロ酢酸０．２７質量部を加え、窒素雰囲気下、８０℃で９時間反応させた。続いて反応溶液を室温まで冷却し、ピリジン０．３質量部を加え反応をクエンチした。得られた反応溶液を大過剰のメタノールに滴下することにより再沈殿精製を行った。続いて沈殿物を１０質量部のジエチレングリコールジメチルエーテルに溶解させた後、大過剰のヘキサンに滴下することにより再沈殿精製を行い、沈殿物を乾燥させることで、白色固形状の共重合体として重合体（Ｐ−１）６．８質量部を得た。得られた重合体（Ｐ−１）について^１Ｈ−ＮＭＲを用いて分析を行い、アセタール化が進行していることを確認した（化学シフト：４．８０ｐｐｍ、アセタール基Ｃ−Ｈ）。

［合成例２］
冷却管及び撹拌機を備えたフラスコに、ジメチル２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオネート）８質量部、２，４−ジフェニル−４−メチル−１−ペンテン２質量部、及びジエチレングリコールジメチルエーテル２００質量部を仕込んだ。引き続きメタクリル酸２−ヒドロキシエチル４２質量部、Ｎ−シクロヘキシルマレイミド３７質量部、及びスチレン２１質量部を仕込み、窒素置換した後、緩やかに攪拌しつつ、溶液の温度を８０℃に上昇させ、この温度を４時間保持して重合することにより、共重合体である重合体（Ａ−２）を含有する溶液を得た。得られた溶液を大過剰のヘキサンに滴下し、沈殿物を乾燥させることで白色固体状の重合体（Ａ−２）を得た（Ｍｗ＝２０１００、Ｍｗ／Ｍｎ＝２．１）。

次いで重合体（Ａ−２）１０質量部をテトラヒドロフラン４５質量部に溶解させ、３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，８−トリデカフルオロ−１−ビニルオキシオクタン１３．８質量部を加え、十分に攪拌した後にトリフルオロ酢酸０．７７質量部を加え、窒素雰囲気下、６０℃で８時間反応させた。続いて反応溶液を室温まで冷却し、ピリジン１．０質量部を加え反応をクエンチした。得られた反応溶液を過剰量のメタノールに滴下することにより再沈殿精製を行った。続いて沈殿物を再度３０質量部のテトラヒドロフランに溶解させた後、ヘキサンに滴下することにより再沈殿精製を行い、沈殿物を乾燥させることで白色固形状の共重合体として重合体（Ｐ−２）１６．５質量部を得た。得られた重合体（Ｐ−２）について^１Ｈ−ＮＭＲを用いて分析を行い、アセタール化が進行していることを確認した（化学シフト：４．８０ｐｐｍ、アセタール基Ｃ−Ｈ）。

［合成例３］
冷却管及び撹拌機を備えたフラスコに、ジメチル２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオネート）８質量部、２，４−ジフェニル−４−メチル−１−ペンテン２質量部、及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート２００質量部を仕込んだ。引き続きメタクリル酸３０質量部及びメタクリル酸ベンジル７０質量部を仕込み、窒素置換した後、緩やかに攪拌しつつ、溶液の温度を８０℃に上昇させ、この温度を４時間保持して重合することにより、共重合体である重合体（Ａ−３）を含有する溶液を得た。得られた溶液を大過剰のヘキサンに滴下し、沈殿物を乾燥させることで白色固体状の重合体（Ａ−３）を得た（Ｍｗ＝２４０００、Ｍｗ／Ｍｎ＝２．２）。

次いで、重合体（Ａ−３）５質量部をジエチレングリコールジメチルエーテル３４質量部に溶かし、３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，９，９，１０，１０，１０−ヘプタデカフルオロ−１−ビニルオキシデカン９．４質量部を加え、十分に攪拌した後にパラトルエンスルホン酸ピリジニウム０．０９質量部を加え、窒素雰囲気下、８０℃で５時間反応させた。続いて反応溶液を室温まで冷却し、ピリジン０．０４質量部を加え反応をクエンチした。得られた反応溶液を過剰量のメタノールに滴下することにより再沈殿精製を行った。続いて沈殿物を再度１５質量部のジエチレングリコールジメチルエーテルに溶解させた後、ヘキサンに滴下することにより再沈殿精製を行い、沈殿物を乾燥させることで白色固形状の共重合体として重合体（Ｐ−３）１０．９質量部を得た。得られた重合体（Ｐ−３）について^１Ｈ−ＮＭＲを用いて分析を行い、アセタール化が進行していることを確認した（化学シフト：５．７４ｐｐｍ、アセタール基Ｃ−Ｈ）。

［合成例４］
冷却管及び撹拌機を備えたフラスコに、ジメチル２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオネート）８質量部、２，４−ジフェニル−４−メチル−１−ペンテン２質量部、及びジエチレングリコールジメチルエーテル２００質量部を仕込んだ。引き続きｐ−ヒドロキシフェニルメタクリレート５６質量部、Ｎ−シクロヘキシルマレイミド２８質量部、及びスチレン１６質量部を仕込み、窒素置換した後、緩やかに攪拌しつつ、溶液の温度を８０℃に上昇させ、この温度を４時間保持して重合することにより、共重合体である重合体（Ａ−４）を含有する溶液を得た。得られた溶液を大過剰のヘキサンに滴下し、沈殿物を乾燥させることで白色固体状の重合体（Ａ−４）を得た（Ｍｗ＝２０５００、Ｍｗ／Ｍｎ＝２．０）。

次いで、重合体（Ａ−４）１０質量部をテトラヒドロフラン４５質量部に溶かし、３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，８−トリデカフルオロ−１−ビニルオキシオクタン１３．５質量部を加え、十分に攪拌した後にトリフルオロ酢酸０．０７９質量部を加え、窒素雰囲気下、６０℃で８時間反応させた。続いて反応溶液を室温まで冷却し、ピリジン１．１質量部を加え反応をクエンチした。得られた反応溶液を過剰量のメタノールに滴下することにより再沈殿精製を行った。続いて沈殿物を再度３０質量部のテトラヒドロフランに溶解させた後、ヘキサンに滴下することにより再沈殿精製を行い、沈殿物を乾燥させることで白色固形状の共重合体として重合体（Ｐ−４）１７．５質量部を得た。得られた重合体（Ｐ−４）について^１Ｈ−ＮＭＲを用いて分析を行い、アセタール化が進行していることを確認した（化学シフト：５．５０ｐｐｍ、アセタール基Ｃ−Ｈ）。

［合成例５］
冷却管及び撹拌機を備えたフラスコに、ポリビニルフェノール（丸善石油化学社の「マルカリンカーＳ−４Ｐ」）５質量部を加え、テトラヒドロフラン５０質量部で溶かし、３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，８−トリデカフルオロ−１−ビニルオキシオクタン１６質量部を加え、十分に攪拌した後にトリフルオロ酢酸０．５０質量部を加え、窒素雰囲気下、６０℃で９時間反応させた。続いて反応溶液を室温まで冷却し、ピリジン０．５質量部を加え反応をクエンチした。得られた反応溶液を過剰量のメタノールに滴下することにより再沈殿精製を行った。続いて沈殿物を再度３０質量部のテトラヒドロフランに溶解させた後、ヘキサンに滴下することにより再沈殿精製を行い、沈殿物を乾燥させることで白色固形状の共重合体として重合体（Ｐ−５）を得た。得られた重合体（Ｐ−５）について^１Ｈ−ＮＭＲを用いて分析を行い、アセタール化が進行していることを確認した（化学シフト：５．４８ｐｐｍ、アセタール基Ｃ−Ｈ）。

［合成例６］
冷却管及び撹拌機を備えたフラスコに、下記式で示されるフェノールノボラック樹脂（荒川化学工業社の「Ｐ−２００」）５質量部を加え、テトラヒドロフラン６０質量部で溶かし、３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，９，９，１０，１０，１０−ヘプタデカフルオロ−１−ビニルオキシデカン２０質量部を加え、十分に攪拌した後にトリフルオロ酢酸０．５０質量部を加え、窒素雰囲気下、６０℃で９時間反応させた。続いて反応溶液を室温まで冷却し、ピリジン０．５質量部を加え反応をクエンチした。得られた反応溶液を過剰量のメタノールに滴下することにより再沈殿精製を行った。続いて沈殿物を再度３０質量部のテトラヒドロフランに溶解させた後、ヘキサンに滴下することにより再沈殿精製を行い、沈殿物を乾燥させることで白色固形状の共重合体として重合体（Ｐ−６）１２．１質量部を得た。得られた重合体（Ｐ−６）について^１Ｈ−ＮＭＲを用いて分析を行い、アセタール化が進行していることを確認した（化学シフト：５．４９ｐｐｍ、アセタール基Ｃ−Ｈ）。

［合成例７］
冷却管及び撹拌機を備えたフラスコに、メタクリル酸２−ヒドロキシエチル２５質量部、３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，８−トリデカフルオロ−１−ビニルオキシ−オクタン１０１質量部、トリフルオロ酢酸（ＴＦＡ）２．０質量部及びテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）２００質量部を仕込み、窒素雰囲気下、６０℃で９時間保持して反応させた。冷却後、反応液にピリジン２．１質量部を加えクエンチした。得られた反応液を水洗、分液し、ロータリーエバポレーターで溶媒を除去し、減圧蒸留により未反応成分を除去することにより下記のアセタール化生成物（Ｍ−１）を得た。

次いで、冷却管及び撹拌機を備えたフラスコに、ジメチル２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオネート）８質量部、２，４−ジフェニル−４−メチル−１−ペンテン２質量部、及びプロピレングリコールモノメチルエーテル２００質量部を仕込んだ。引き続き得られた上記アセタール化生成物（Ｍ−１）７０質量部及びメタクリル酸ベンジル３０質量部を仕込み、窒素置換した後、緩やかに攪拌しつつ、溶液の温度を８０℃に上昇させ、この温度を４時間保持して重合することにより、共重合体である重合体（Ｐ−７）を含有する溶液を得た（Ｍｗ＝２２２００、Ｍｗ／Ｍｎ＝２．３、^１Ｈ−ＮＭＲ 化学シフト：４．８０ｐｐｍ、アセタール基Ｃ−Ｈ）。

［合成例８］
冷却管及び撹拌機を備えたフラスコに、ヒドロキシフェニルメタクリレート２５質量部、３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，８−トリデカフルオロ−１−ビニルオキシ−オクタン８２質量部、トリフルオロ酢酸（ＴＦＡ）１．６質量部、及びテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）２００質量部を仕込み、窒素雰囲気下、６０℃で９時間保持して反応させた。冷却後、反応液にピリジン１．７質量部を加えクエンチした。得られた反応液を水洗、分液し、ロータリーエバポレーターで溶媒を除去し、減圧蒸留により未反応成分を除去することにより下記のアセタール化生成物（Ｍ−２）を得た。

次いで、冷却管及び撹拌機を備えたフラスコに、ジメチル２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオネート）８質量部、２，４−ジフェニル−４−メチル−１−ペンテン２質量部、及びプロピレングリコールモノメチルエーテル２００質量部を仕込んだ。次いで、得られた上記アセタール化生成物（Ｍ−２）７５質量部、及びメタクリル酸ベンジル２５質量部を仕込み、窒素置換した後、緩やかに攪拌しつつ、溶液の温度を８０℃に上昇させ、この温度を４時間保持して重合することにより、共重合体である重合体（Ｐ−８）を含有する溶液を得た（Ｍｗ＝２３２００、Ｍｗ／Ｍｎ＝２．２、^１Ｈ−ＮＭＲ 化学シフト：５．５０ｐｐｍ、アセタール基Ｃ−Ｈ）。

［合成例９］
冷却管及び撹拌機を備えたフラスコに、メタクリル酸２−（２−ビニロキシエトキシ）エチル（日本触媒社の「ＶＥＥＭ」）２５質量部、３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，８−トリデカフルオロオクタノール４５質量部、パラトルエンスルホン酸ピリジニウム（ＰＰＴＳＡ）１．６質量部、及びテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）２００質量部を仕込み、窒素雰囲気下、室温で８時間保持して反応させた。反応終了後、反応液にピリジン０．７質量部を加えクエンチした。得られた反応液を水洗、分液し、ロータリーエバポレーターで溶媒を除去し、減圧蒸留により未反応成分を除去することにより以下のアセタール化生成物（Ｍ−３）を得た。

次いで、冷却管及び撹拌機を備えたフラスコに、ジメチル２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオネート）８質量部、２，４−ジフェニル−４−メチル−１−ペンテン２質量部、及びプロピレングリコールモノメチルエーテル２００質量部を仕込んだ。次いで、得られた上記アセタール化生成物（Ｍ−３）７５質量部及びメタクリル酸ベンジル２５質量部を仕込み、窒素置換した後、緩やかに攪拌しつつ、溶液の温度を８０℃に上昇させ、この温度を４時間保持して重合することにより、共重合体である重合体（Ｐ−９）を含有する溶液を得た（Ｍｗ＝２４２００、Ｍｗ／Ｍｎ＝２．１、化学シフト：４．８０ｐｐｍ、アセタール基Ｃ−Ｈ）。

＜膜形成用組成物の調製＞
実施例及び比較例で用いた各成分の詳細を以下に示す。
＜重合体（Ａ）＞
Ｐ−１：合成例１で合成した重合体（Ｐ−１）
Ｐ−２：合成例２で合成した重合体（Ｐ−２）
Ｐ−３：合成例３で合成した重合体（Ｐ−３）
Ｐ−４：合成例４で合成した重合体（Ｐ−４）
Ｐ−５：合成例５で合成した重合体（Ｐ−５）
Ｐ−６：合成例６で合成した重合体（Ｐ−６）
Ｐ−７：合成例７で合成した重合体（Ｐ−７）
Ｐ−８：合成例８で合成した重合体（Ｐ−８）
Ｐ−９：合成例９で合成した重合体（Ｐ−９）
Ａ−１：合成例１で合成した重合体（Ａ−１）
Ａ−３：合成例３で合成した重合体（Ａ−３）
＜酸発生剤（Ｂ）＞
Ｃ−１：Ｎ−ヒドロキシナフタルイミド−トリフルオロメタンスルホン酸エステル
Ｃ−２：４，７−ジ−ｎ−ブトキシ−１−ナフチルテトラヒドロチオフェニウム トリフルオロメタンスルホネート
Ｃ−３：（５−オクチルスルフォニルオキシイミノ）−（４−メトキシフェニル）アセトニトリル（ＢＡＳＦ社の「ＣＧＩ７２５」）
＜増感剤（Ｄ）＞
Ｄ−１：２−イソプロピルチオキサントン
Ｄ−２：２，４−ジエチルチオキサンテン−９−オン
＜クエンチャー（Ｅ）＞
Ｅ−１：２−フェニルベンゾイミダゾール
Ｅ−２：４−（ジメチルアミノ）ピリジン
＜重合性化合物（Ｆ）＞
Ｆ−１：ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート
Ｆ−２：１，９−ノナンジオールジアクリレート
＜感放射線性重合開始剤（Ｇ）＞
Ｇ−１：２−メチル−１−（４−メチルチオフェニル）−２−モルフォリノプロパン−１−オン（ＢＡＳＦ社の「イルガキュア（登録商標）９０７」）
Ｇ−２：２−ジメチルアミノ−２−（４−メチルベンジル）−１−（４−モルフォリン−４−イル−フェニル）−ブタン−１−オン（ＢＡＳＦ社の「イルガキュア（登録商標）３７９」）
Ｇ−３：エタノン−１−〔９−エチル−６−（２−メチルベンゾイル）−９Ｈ−カルバゾール−３−イル〕−１−（Ｏ−アセチルオキシム）（ＢＡＳＦ社の「イルガキュア（登録商標）ＯＸＥ０２」）

［調製例１〜９及び比較調製例１〜２］
表１に示す種類、含有量の各成分を混合し、固形分濃度が１０質量％となるように、それぞれ溶媒（Ｂ）として、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを加えた。その後、孔径０．５μｍのメンブレンフィルターでろ過することにより、各膜形成用組成物を調製した。なお、表１中の「−」は該当する成分を使用しなかったことを表す。

＜積層配線の形成及び評価＞
調製例１〜９及び比較調製例で調製した各膜形成用組成物を用い、積層配線の形成を行い、以下の評価を実施した。結果を表２に示す。調製例１〜９の膜形成用組成物を用いたものがそれぞれ実施例１〜９であり、比較調製例１〜２の膜形成用組成物を用いたものがそれぞれ比較例１〜２である。

［第１層目の配線（第１導電層）の形成］
ガラス基板（コーニング社の「ＥＡＧＬＥ−ＸＧ」）上に、調製例１〜９又は比較調製例１〜２で調製した膜形成用組成物をそれぞれスピンナーで塗布した後、９０℃のクリーンオーブン上で５分間プレベークすることにより０．２μｍ厚の塗膜を形成した。次いで、得られた塗膜に、高圧水銀ランプ（大日本科研社の「ＭＡ−１４００」）を用い、石英マスク（Ｌ／Ｓ＝５０μｍ／４５０μｍ、コンタクト）を介して、露光量を２５０ｍＪ／ｃｍ^２として放射線照射を行った。その後、ホットプレートを用い１１０℃で１５分ベークすることにより、親撥パターニング基板（撥液性表面領域と親液性表面領域とを有する下地膜を有する基材）を形成した。

上記親撥パターニング基板のパターニング面を銀ナノインク（ハリマ化成社の「ＮＰＳ−ＪＬ」）に浸漬し、すぐに引き上げて基板を４５°以上に傾けた状態で１分間保持することにより、銀ナノインクがパターニングされた基板を得た。その後、銀ナノインクがパターニングされた基板全面に高圧水銀ランプ（大日本科研社の「ＭＡ−１４００」）を用い、露光量を２５０ｍＪ／ｃｍ^２として放射線照射を行い、その後ホットプレートで１２０℃／３０分ベークした。これにより撥液部が除去され、Ｌ／Ｓ＝５０μｍ／４５０μｍで線状の第１導電層としての銀配線が形成された基板（第１導電層を最表面に有する基材）を得た。なお、実施例１の「第１導電層が形成された基材」の画像を図４に示す。

［第２層目の膜形成用組成物の塗布性］
上記工程にて得られた第１導電層が形成された基板上に、調製例１〜９又は比較調製例１〜２で調製した膜形成用組成物をそれぞれスピンナーで塗布した後、９０℃のホットプレート上で２分間プレベークすることにより、１．０μｍ厚の２層目塗膜を形成した。このときの塗膜に塗布ムラが無ければ良好（Ａ）、顕著な塗布ムラがあれば不良（Ｂ）として目視にて確認した。

［第２層目に形成された塗膜の接触角］
上記「第２層目の膜形成用組成物の塗布性」で形成された塗膜に対して、高圧水銀ランプを用い（大日本科研社の「ＭＡ−１４００」）、石英マスク（コンタクト）を介して露光量を２５０ｍＪ／ｃｍ^２として放射線照射を行った。その後、ホットプレートを用い１１０℃で１５分ベークすることにより、親液性表面領部（露光部）と撥液性表面領域（非露光部）とを形成した。

その後、接触角計（協和界面科学社の「ＣＡ−Ｘ」）を用い、露光部の塗膜表面、及び非露光部分の塗膜表面それぞれにおける、水及びテトラデカンの接触角を測定し、親撥性能を確認した。なお、表２中、露光部表面における水の接触角を「親液部 水」と示し、非露光部表面における水の接触角を「撥液部 水」と示している。テトラデカンの接触角についても同様である。

［第２層目に形成された塗膜の凹パターニング性確認］
上記「第２層目の膜形成用組成物の塗布性」で形成された塗膜において、高圧水銀ランプ（大日本科研社の「ＭＡ−１４００」）を用い、石英マスク（Ｌ／Ｓ＝５０μｍ／４５０μｍ、コンタクト）を介して、露光量を２５０ｍＪ／ｃｍ^２として放射線照射を行った。その後、ホットプレートを用い１１０℃で１５分ベークすることにより、第２層目に親撥パターンを有する基板を形成した。その後、親液性表面領域である露光部（凹部）及び撥液性表面領域である非露光部（凸部）の膜厚を接触式膜厚計（キーエンス社の「アルファステップＩＱ」）で測定し、凹部の深さを求めた。なお、実施例１の「第２層目に親撥パターンが形成された基板」の画像を図５に示す。図５においては、左右方向に第２層目の親撥パターンが形成されている。

［積層配線形成性の確認］
上記「第２層目に形成された塗膜の凹パターニング性確認」で得られた２層目に親撥パターンを有する基板のパターニング面を銀ナノインク（ハリマ化成社の「ＮＰＳ−ＪＬ」に浸漬し、すぐに引き上げて基板を４５°以上に傾けた状態で１分間保持することにより、第２層目の銀ナノインクがパターニングされた基板を形成した。その後、銀ナノインクがパターニングされた基板全面に高圧水銀ランプ（大日本科研社の「ＭＡ−１４００」）を用い、露光量を２５０ｍＪ／ｃｍ^２として放射線照射を行った後にホットプレートで１２０℃／３０分ベークした。これにより、２層目の撥液部が除去され、Ｌ／Ｓ＝５０μｍ／４５０μｍの銀配線が形成された基板を得た。この時、Ｌ／Ｓ＝５０μｍ／４５０μｍの銀配線がパターニング性よく形成されていれば良好（Ａ）、パターニング不良があれば不良（Ｂ）として、目視及び光学顕微鏡（ニコン社の「エクリプスＬ２００Ｄ」）で確認した。なお、実施例１の「第２層目の銀配線（第２導電層）が形成された基板」の画像を図６及び図７に示す。

＜レーザー加工による３次元導通評価＞
調製例１〜９及び比較調製例１〜２で調製した膜形成用組成物を用いて、ＩＴＯ基板上での膜形成を行い、以下の評価を実施した。結果を表２に示す。

［ホール形成性］
ＩＴＯが成膜されたガラス基板上に、調製例１〜９又は比較調製例１〜２で調製した膜形成用組成物をそれぞれスピンナーで塗布した後、９０℃のクリーンオーブン上で５分間プレベークすることにより０．２μｍ厚の塗膜を形成した。次いで、得られた塗膜に高圧水銀ランプ（大日本科研社の「ＭＡ−１４００」）を用い、石英マスク（Ｌ／Ｓ＝５０μｍ／４５０μｍ、コンタクト）を介して、露光量を２５０ｍＪ／ｃｍ^２として放射線照射を行った。その後、ホットプレートを用い１１０℃で１５分ベークすることにより、親撥パターニング基板を形成した。

得られた親撥パターニング基板の親液部（親液性表面領域）にＹＡＧレーザー薄膜加工装置（ＴＮＳシステムズ合同会社の「ＶＬ−Ｃ」、発振波長：２６６ｎｍ）にて２０μｍ角のホールを形成した。こ光学顕微鏡（ニコン社の「エクリプスＬ２００Ｄ」）で観察し、ホールが形成できていれば良好（Ａ）、ホール内に残渣が残っていれば不良（Ｂ）として評価した。なお、比較例１、２においては、パターニングをすることができなかったため、ホールを形成していない。

［３次元導通確認］
上記「ＩＴＯ基板上への凹パターン形成及びレーザー加工によるホール形成」にて得られたホールを有する親撥パターン基板の親液部にインクジェット装置（富士フィルム社の「Ｄｉｍａｔｉｘ ＤＭＰ−２８３１」）を用いて銀ナノインク（ハリマ化成社の「ＮＰＳ−ＪＬ」）を塗布し、親液部にのみ銀ナノインクのパターンを形成した。その後ホットプレートで１２０℃／３０分ベークすることにより、５０μｍ幅の銀配線が形成された基板を得た。レーザー加工により形成されたホールはＳＥＭ観察により銀ナノインクから生じた銀により埋められていることが確認された。なお、実施例１の「銀配線（第２導電層及びビア導体）が形成された基板」の画像を図８及び図９に示す。図８は平面視した画像であり、図９はＳＥＭ画像である。

ケースレー社の２０００型デジタルマルチメーターを用い、銀配線と基板表面のＩＴＯとの間の抵抗を測定した。導通が確認されれば、銀で埋められたホールを介して３次元導通したことを意味するため良好（Ａ）とし、導通が得られなければ、３次元導通不良（Ｂ）として評価した。なお、比較例１、２においては、パターニングをすることができなかったため、ホールを形成していない。

表２に示されるように調製例１〜９の膜形成用組成物を用いた実施例１〜９によれば、良好な親撥パターン（濡れ性パターン）を形成することができ、導電層間の導通性も良好な積層配線を得ることができることがわかる。

本発明の積層配線の形成方法は、効率的に三次元の配線パターンを形成することができ、プリンテッドエレクトロニクス等に利用することができる。また、本発明の積層配線の形成方法により得られる積層配線は、液晶ディスプレイ、携帯情報機器、デジタルカメラ、有機ディスプレイ、有機ＥＬ照明、センサー、ウェアラブルデバイス等の電子デバイスに備わる電子回路等に好適に利用することができる。

１０ 基板
１１ 下地塗膜
１２ 親液性表面領域
１３ 撥液性表面領域
１４ 第１導電層
１５ 下地膜
１６ 基材
１７ 絶縁塗膜
１８ 親液性表面領域
１９ 撥液性表面領域
２０ ビア用孔
２１ 第２導電層
２２ ビア導体
２３ 絶縁膜
２４ 積層配線
ｈν 放射線

Claims (14)

1. 第１導電層を最表層に有する基材を用意する工程、
   上記基材の表面に、撥液性表面領域と親液性表面領域とを有する絶縁膜を形成する工程、及び
   上記絶縁膜の表面への第２導電層形成用材料の接触により、上記絶縁膜の親液性表面領域へ積層される第２導電層を形成する工程
   を備え、
   上記絶縁膜形成工程が、
   酸解離性基を有する第１重合体と第１酸発生体とを含む絶縁膜形成用組成物により、撥液性の表面を有する絶縁塗膜を形成する工程、及び
   上記絶縁塗膜の一部の表面領域に上記親液性表面領域を形成する工程
   を備える積層配線の形成方法。
2. 上記絶縁膜形成工程が、
   上記絶縁塗膜の上記親液性表面領域の一部の領域へのレーザーの照射により、ビア用孔を形成する工程
   をさらに備え、
   上記第２導電層形成工程において、上記第２導電層形成用材料により、上記第２導電層と共に、上記第１導電層と第２導電層とを接続するビア導体を形成する請求項１に記載の積層配線の形成方法。
3. 上記第１酸発生体が感放射線性酸発生体であり、
   上記親液性表面領域形成工程を上記絶縁塗膜の一部の表面領域への放射線の照射により行う請求項１又は請求項２に記載の積層配線の形成方法。
4. 上記放射線の照射を、フォトマスクを介した露光により行う請求項３に記載の積層配線の形成方法。
5. 上記絶縁膜形成工程が、
   放射線が照射された上記絶縁塗膜を加熱する工程
   をさらに備える請求項３又は請求項４に記載の積層配線の形成方法。
6. 上記絶縁膜に形成された親液性表面領域が凹部である請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の積層配線の形成方法。
7. 上記酸解離性基が、フッ素原子を含有する請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の積層配線の形成方法。
8. 上記第１重合体が、下記式（１）から下記式（４）でそれぞれ表される構造単位の少なくとも一つを有する請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の積層配線の形成方法。
   

   

   （式（１）〜（４）中、Ｒ^１は、それぞれ独立して、水素原子又はメチル基である。Ｒ^２は、それぞれ独立して、メチレン基、炭素数２〜１２のアルキレン基、炭素数２〜１２のアルケニレン基、炭素数６〜１２の２価の芳香族炭化水素基、炭素数４〜１２の２価の脂環式炭化水素基、又はこれらの基が有する１つ以上の水素原子が置換基で置換された基である。Ｒ^３は、それぞれ独立して、１つ以上の水素原子がフッ素原子で置換された炭化水素基である。ｍは、それぞれ独立して、０又は１である。ｎは、それぞれ独立して、０〜１２の整数である。）
9. 上記用意工程が、
   酸解離性基を有する第２重合体と第２酸発生体とを含む下地膜形成用組成物により、撥液性の表面を有する下地塗膜を形成する工程、
   上記下地塗膜の一部の表面領域に親液性表面領域を形成する工程、及び
   上記親液性表面領域が形成された上記下地塗膜の表面への第１導電層形成用材料の接触により、上記第１導電層を形成する工程
   を備える請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の積層配線の形成方法。
10. 上記第２酸発生体が感放射線性酸発生体であり、
    上記下地塗膜への親液性表面領域形成工程を、上記下地塗膜の一部の表面領域への放射線の照射により行う請求項９に記載の積層配線の形成方法。
11. 上記用意工程が、上記第１導電層形成工程の後に、
    上記第１導電層が形成された側の面の全面に放射線を照射する工程
    をさらに備える請求項１０に記載の積層配線の形成方法。
12. 上記用意工程が、上記第１導電層形成工程の前に、
    放射線が照射された上記下地塗膜を加熱する工程
    をさらに備える請求項１０又は請求項１１に記載の積層配線の形成方法。
13. 上記下地塗膜に形成された親液性表面領域が凹部である請求項９から請求項１２のいずれか１項に記載の積層配線の形成方法。
14. 上記絶縁膜形成用組成物と上記下地膜形成用組成物とが同一の組成物である請求項９から請求項１３のいずれか１項に記載の積層配線の形成方法。
    
    

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