JP5491528B2 - 絶縁された導電性パターンの製造方法及び積層体 - Google Patents
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Description
a)基板上に導電性膜を形成するステップ;
b)前記導電性膜上に絶縁層パターンを形成するステップ;
c)前記絶縁層パターンをマスクとして利用して前記導電性膜をエッチング(etching)することによって導電性パターンを形成するステップ;および
d)前記導電性パターンを覆うように(covering)前記絶縁層パターンを再形成(reforming)するステップ
を含む絶縁された導電性パターンの製造方法に関する。本発明に係る絶縁された導電性パターンの製造方法の一例を図10に例示する。しかし、本発明の範囲が図10によって限定されるものではなく、追加のステップをさらに追加することができる。
ガラス基板上に蒸着方法によって導電性膜として厚さ300nmのクロム層を形成した。続いて、前記クロム層上にノボラック樹脂組成物(韓国(株)LG化学製造の商品名LG412DF)をフォトリソグラフィ方法を利用して幅60μm、ピッチ5mmの絶縁層パターンを形成した。前記フォトリソグラフィ方法を利用した絶縁層パターンの形成工程の途中に温度を107℃に維持することによって前記絶縁層に対するソフトベークを実行した。
前記絶縁層パターンの材料として界面活性剤を添加したLG412DFをPGMEA/EtOH混合溶媒(混合重量比7:3)と固形粉含量13重量%となるように混合して用い、絶縁層パターン形成方法としてフォトリソグラフィ方法の代わりにリバースオフセット印刷法を利用したことを除いては、実施例1と同じ方法によって実行した。これによって形成された結果物の上面および側面の電子顕微鏡写真を図5に示した。
導電性膜材料としてクロムの代わりに銀を用いたことを除いては、実施例1と同じ方法によって実行した。実施例1で測定された図4のようなリフロー形状を得ることができた。
ソフトベーク温度をそれぞれ105度(実施例4)、106度(実施例5)、107度(実施例6)、108度(実施例7)、109度(実施例8)、および110度(実施例9)で2分30秒間ソフトベークを実行したことを除いては、実施例1と同じように実施した。再形成された絶縁層パターン形状の電子顕微鏡写真を図6に示した。
絶縁層をパターニングした後、それぞれ112度(比較例1)、115度(比較例2)、120度(比較例3)、125度(比較例4)、および130度(比較例5)で2分30秒間ソフトベークを実行したことを除いては、実施例1と同じように実施した。再形成された絶縁層パターン形状の写真を図6に示した。
絶縁層パターンの材料としてそれぞれアクリル系樹脂(カーボンブラックが分散したアクリレートエポキシ樹脂、実施例10)、ポリイミド系樹脂((株)LG化学商品名EL200、実施例11)を用いたことを除いては、実施例1と同じ方法によって実行した。実施例1、10、および11よって形成された結果物の上面および側面の電子顕微鏡写真を図7に示した。図7に示すように、実施例別、製造された導電性パターン内の位置別にリフロー形成に大きい有意差は存在しなかった。
導電性膜のエッチング時のエッチング液として韓国(株)EXAX社提議CE−05EHNO3系エッチング液を利用し、エッチング時間をそれぞれジャストエッチングタイム(just etching time)(3分)のそれぞれ10%延長時間(実施例12)、20%延長時間(実施例13)、および30%延長時間(実施例14)にしたことを除いては、実施例1と同じように実行した。実施例12〜実施例14で製造された導電性パターンの側面写真を図8に示した。エッチング時間の増加に伴い、導電性パターンと絶縁層パターンの間のボイドの厚さおよび長さが広くなることを知ることができる。
リフロー段階を実行せず、エッチング時間をそれぞれジャストエッチングタイム(just etching time)(3分)のそれぞれ10%延長時間(比較例6)、20%延長時間(比較例7)、および30%延長時間(比較例8)にしたことを除いては、実施例1と同じように実行した。比較例6〜8で製造された導電性パターンの側面写真を図8に示した。
絶縁層材料の固形粉含量を15重量%にしたことを除いては、実施例2と同じ方法によって実施した。
絶縁層材料の溶媒のうちEtOHの代わりにMEKを用い、固形粉含量を15重量%にしたことを除いては、実施例2と同じ方法によって実施した。
リフロー条件として、130度で3分間の熱処理の代わりにIPA(isopropyl alcohol)の蒸気雰囲気に露出させて溶媒アニーリング(solvent annealing)を行ったことを除いては、実施例1と同じように実行した。実施例17で製造された積層体の断面の電子顕微鏡写真を図9に示した。
Claims (13)
- a)基板上に導電性膜を形成する段階;
b)前記導電性膜上に絶縁層パターンを形成(forming)する段階;
c)前記絶縁層パターンをマスクとして利用して前記導電性膜をエッチング(etching)することによって導電性パターンを形成する段階;および
d)前記導電性パターンを覆うように(covering)前記絶縁層パターンを再形成(reforming)する段階;
を含み、
前記b)段階で前記絶縁層パターンを形成する方法は、オフセット印刷、リバースオフセット印刷、グラビア印刷、フォトリソグラフィ法、フォトグラフィ法、マスクを利用した方法、およびレーザー転写のうちから選択される方法であり、
前記c)段階で前記導電性パターンのテーパ角度が0度超過90度未満であり、
前記絶縁層パターンのテーパ角度は0度超過90度未満であり、
前記絶縁層パターンは、前記導電性パターンが絶縁されるように除去されず、
前記絶縁層パターンは、イミド系高分子、ビスフェノール系高分子、エポキシ系高分子、アクリル系高分子、エステル系高分子、およびノボラック(Novolac)系高分子のうちから選択される1種以上の高分子、またはイミド系単量体、ビスフェノール系単量体、エポキシ系単量体、アクリル系単量体、およびエステル系単量体のうちから選択される2つ以上の調合物または共重合体を含む、絶縁された導電性パターンの製造方法。 - 前記c)段階で導電性膜のエッチング後、前記絶縁層パターンの枠下部にアンダーカット(undercut)が形成されることを特徴とする、請求項1に記載の絶縁された導電性パターンの製造方法。
- 前記c)段階で導電性膜のエッチング時間は、ジャストエッチングタイム(just−etching time)〜ジャストエッチングタイムよりも2000%延長した時間である、請求項1または2に記載の絶縁された導電性パターンの製造方法。
- 前記導電性膜は金属を含む単一膜または多層膜である、請求項1〜3のうちのいずれか一項に記載の絶縁された導電性パターンの製造方法。
- 前記d)段階で前記絶縁層パターンの厚さは、前記導電性パターンの厚さよりも厚い、請求項1〜4のうちのいずれか一項に記載の絶縁された導電性パターンの製造方法。
- 前記d)段階で絶縁層パターンの再形成方法は、熱処理、溶媒または溶媒の蒸気との接触、プラズマ処理、または加圧を含む、請求項1〜5のうちのいずれか一項に記載の絶縁された導電性パターンの製造方法。
- b)段階途中または以後にソフトベーク段階を追加で含む、請求項1〜6のうちのいずれか一項に記載の絶縁された導電性パターンの製造方法。
- 基板、前記基板に形成された導電性パターン、および前記導電性パターンを覆っている絶縁層パターンを含み、前記導電性パターンのテーパ角度が0度超過90度未満であり、
前記絶縁層パターンのテーパ角度は0度超過90度未満であり、
前記絶縁層パターンは、前記導電性パターンが絶縁されるように除去されず、
前記絶縁層パターンは、イミド系高分子、ビスフェノール系高分子、エポキシ系高分子、アクリル系高分子、エステル系高分子、およびノボラック(Novolac)系高分子のうちから選択される1種以上の高分子、またはイミド系単量体、ビスフェノール系単量体、エポキシ系単量体、アクリル系単量体、およびエステル系単量体のうちから選択される2つ以上の調合物または共重合体を含む、請求項1〜7のうちのいずれか一項に記載の方法を用いて製造された積層体。 - 前記絶縁層パターンが他の領域と硬化度が相異なる領域を含む、請求項8に記載の積層体。
- 前記導電性パターンの末端地点と前記絶縁層パターンの末端地点との間の距離が、前記絶縁層パターンの材料として熱硬化性樹脂を使用したときに0〜1マイクロメータであり、前記絶縁層パターンの材料として熱可塑性樹脂を使用したときに5マイクロメータ以上である、請求項8または9に記載の積層体。
- パターン不良によるショートが発生しないことを特徴とする、請求項8〜10のうちのいずれか一項に記載の積層体。
- 前記絶縁層パターンのテーパー角が前記導電性パターンのテーパー角より大きいことを特徴とする、請求項8〜11のうちのいずれか一項に記載の積層体。
- 前記導電性パターンの線幅方向の断面において、前記導電性パターンの一側端部から前記絶縁層パターンの一側端部までの距離(a)と前記導電性パターンの他側端部から前記絶縁層パターンの他側端部までの距離(b)の百分比(a/b*100)が90〜110の範囲内である、請求項8〜12のうちのいずれか一項に記載の積層体。
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