KR100663291B1 - 박막 트랜지스터 액정표시장치 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
Description
여기서, 각각의 식각과정으로 인하여 박막 트랜지스터는 증착된 각각의 층이 남아 있지만, 게이트 패드 부분은 모두 식각되어, 보호막, 게이트 절연막(13), 게이트 금속막 층(11, 11a, 11b)만 남게된다.
여기서, 상기 불투명 금속은 Al, Cr/Al, Mo/Al, Ti/Al-Si/Ti, Al-Ti, Ti/Al, Al-Nd, Mo/ Al(Al-Nd)/Mo, Mo/Al-Nd, Al-Fe, Al-Si, Al-Cu을 사용한다. 상기 Al-Ti, Al-Nd, Al-Fe, Al-Si, Al-Cu의 Ti, Nd, Fe, Si, Cu의 첨가량이 10at% 이하의 Al 합금을 사용한다.
상기 불투명 금속을 증착한 후 또는 패터닝 한 후 B. O. E (100:1) 세정 또는 SF6 플라즈마 처리를 한다. 상기 B. O. E (100:1) 세정 또는 SF6 플라즈마 처리를 행한 후 50 ~ 300℃사이의 온도에서 어닐링을 한다.
상기 보호막을 패터닝한 후 SF6 플라즈마 처리를 행하기 전 B. O. E (100:1) 세정공정을 행한다.
상기 투명 금속 ITO막은 결정질 ITO, 비정질 ITO, IXO 및 IZO막을 사용하며, 상기 결정질 ITO, 비정질 ITO, IXO 및 IZO막의 두께는 100~2000Å으로 증착하고, 상기 결정질 ITO, 비정질 ITO, IXO 및 IZO막 표면상에 상기 플라즈마 처리를 적용하며, 상기 결정질 ITO, 비정질 ITO, IXO 및 IZO막은 게이트 라인 및 소오스/드레인 전극과 콘택되고, 상기 결정질 ITO, 비정질 ITO, IXO 및 IZO막의 증착 온도를 230℃ 이하로 낮추어 증착한다.
상기 두번째 투명 금속 ITO막을 증착하는 단계 후, 280℃에서 마지막 어닐링 공정을 수행하는 단계를 더 포함한다.
상기 SF6 플라즈마 대신에 NF3, CHF3 플라즈마를 사용할 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명하도록 한다.
Molecule | DO 298[KJ/mol] | |
AL - | F | 66.6 ±6.3 |
Al - | O | 511 ±3 |
Claims (13)
- 박막 트랜지스터 액정표시장치의 어레이 기판 상에 증착된 알루미늄 표면의 산화를 방지하기 위한 박막 트랜지스터 액정표시장치 제조 방법으로서,투명성 절연 기판 상에 첫 번째 투명 금속 ITO막을 증착하고, 식각하여 제 1 ITO전극을 형성하는 단계;상기 제 1 ITO전극 상에 불투명 금속을 증착하고, 식각하여 게이트 라인을 형성하는 단계;상기 게이트 라인이 형성된 투명성 절연 기판의 전체 상에 게이트 절연막과 비정질 실리콘막, 도핑된 비정질 실리콘막을 차례로 증착하고 상기 도핑된 비정질 실리콘막과 비정질 실리콘막을 식각하여 오믹층과 채널층을 형성하는 단계;상기 오믹층과 채널층이 형성된 투명성 절연 기판 상에 불투명 금속을 증착하고 식각하여 소오스/드레인 전극을 형성하는 단계;상기 소오스/드레인 전극이 형성된 투명성 절연 기판의 전체 상에 보호막을 증착하고, 식각하여 상기 게이트 라인의 일부분을 노출시키는 콘택 홀을 형성하는 단계;상기 노출된 게이트 라인 부분을 SF6 플라즈마처리를 하는 단계;상기 SF6 플라즈마 처리를 한 게이트 라인 상에 두 번째 투명 금속 ITO막을 증착하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 액정표시장치 제조 방법.
- 제 1항에 있어서,상기 불투명 금속은 Al, Cr/Al, Mo/Al, Ti/Al-Si/Ti, Al-Ti, Ti/Al, Al-Nd, Mo/ Al(Al-Nd)/Mo, Mo/Al-Nd, Al-Fe, Al-Si, Al-Cu을 사용하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 액정표시장치 제조 방법.
- 제 2항에 있어서,상기 Al-Ti, Al-Nd, Al-Fe, Al-Si, Al-Cu의 Ti, Nd, Fe, Si, Cu의 첨가량이 10at% 이하의 Al 합금을 사용하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 액정표시장치 제조 방법.
- 제 3항에 있어서,상기 불투명 금속을 증착한 후 또는 패터닝 한 후 B. O. E (100:1) 세정 또는 SF6 플라즈마 처리를 하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 액정표시장치 제조 방법.
- 제 4항에 있어서,상기 B. O. E (100:1) 세정 또는 SF6 플라즈마 처리를 행한 후 50 ~ 300℃사이의 온도에서 어닐링 하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 액정표시장치 제조 방법.
- 제 1항에 있어서,상기 보호막을 패터닝한 후 SF6 플라즈마 처리를 행하기 전 B. O. E (100:1) 세정공정을 행하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 액정표시장치 제조 방법.
- 제 1항에 있어서,상기 첫 번째 및 두 번째 투명 금속 ITO막은 결정질 ITO, 비정질 ITO, IXO 및 IZO막을 사용하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 액정표시장치 제조 방법.
- 제 7항에 있어서,상기 결정질 ITO, 비정질 ITO, IXO 및 IZO막의 두께는 100~2000Å으로 증착하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 액정표시장치 제조 방법.
- 제 7항에 있어서,상기 결정질 ITO, 비정질 ITO, IXO 및 IZO막 표면상에 상기 플라즈마 처리를 적용하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 액정표시장치 제조 방법.
- 제 7항에 있어서,상기 결정질 ITO, 비정질 ITO, IXO 및 IZO막이 게이트 및 소오스와드레인 전극과 콘택되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 액정표시장치 제조 방법.
- 제 7항에 있어서,상기 결정질 ITO, 비정질 ITO, IXO 및 IZO막의 증착온도를 230℃ 이하로 낮추어 증착하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 액정표시장치 제조 방법.
- 제 1항에 있어서,상기 두번째 투명 금속 ITO막을 증착하는 단계 후, 280℃에서 마지막 어닐링 공정을 수행하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 액정표시장치 제조 방법.
- 제 1항에 있어서,상기 SF6 플라즈마 대신에 NF3, CHF3 플라즈마를 사용할 수 있는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 액정표시장치 패널 제조 방법.
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