JP2011035153A - 薄膜トランジスタ基板および表示デバイス - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体層1、ソース電極2、ドレイン電極3、透明導電膜4を有する薄膜トランジスタ基板において、ソース電極2とドレイン電極3は、ドライエッチング法によるパターニングで形成されたGe:0.3原子%〜1.2原子%、Co:0.05原子%〜2.0原子%、Laおよび/またはNd:0.1原子%〜0.5 原子%を含有するAl合金薄膜より成り、半導体層1と直接接続している。
【選択図】図1
Description
本発明の発明例および比較例に係るエッチングレート評価のプロセスフローを図2に示す。まず、シリコン基板上に熱酸化法により膜厚100nmの酸化膜(SiO2)を形成した。続いて、その酸化膜の上に膜厚300nmのAl合金薄膜をスパッタリング法により成膜した。(以上、図2(a)に示す。)次に、フォトリソグラフィーによりレジストの塗布、露光、現像を行って、レジストパターン(PR)を形成した。そのレジストパターンの形成の際、現像液は水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液(TMAH)を用いている。(以上、図2(b)に示す。)
表1には、Ge、Co、Laおよび/またはNdを含有するAl合金薄膜をソース−ドレイン電極とした実施例を記載している。表1によると、Al合金薄膜(ソース−ドレイン電極)の成分組成が本発明の要件を満足するNo.2〜31は、エッチングレートと残さの両項目で合格(○)であり、総合判定は合格(○)であった。また、ソース−ドレイン電極を純Al薄膜としたNo.1の場合も残さは観察されず、総合判定は合格(○)であった。
本発明の発明例および比較例に係る評価用素子(pn接合素子)を作製した。このプロセスフローを図3に示す。まず、p型低抵抗シリコン基板上にLPCVD法により膜厚200nmの多結晶シリコン膜を形成した。(以上、図3(a)に示す。)このとき、原料ガスには、SiH4を用いた。続いて、BF2 +イオンを10keV、3e15/cm2の条件にてイオン注入した。(以上、図3(b)に示す。)次に、このイオン注入後に、800℃、30分の熱処理を行い、p型にドーピングされた多結晶シリコン膜とした。(以上、図3(c)に示す。)更に、このp型多結晶シリコン膜の上に膜厚約40nmのn型にドーピングされた多結晶シリコン膜を形成した。(以上、図3(d)に示す。)このとき、成膜には、SiH4とドーピングガスとしてPH3を用いた。これにより、多結晶シリコンのpn接合が形成された。
ガラス基板上に膜厚300nm のAl合金薄膜を、スパッタリング法により成膜した。次に、フォトリソグラフィーによりレジストパターンを形成した後、レジストをマスクとしてAl合金薄膜のエッチングを行い、幅100μm、長さ10mmのストライプパターン形状に加工した。尚、このAl合金薄膜の組成も、表2のソース−ドレイン電極の欄に示す通りである。
Al合金電極と透明導電膜とを直接接続した際の接触性(コンタクト抵抗)を調べた。表2および表3に示す種々のAl合金電極上にITO膜が形成された試料をArガス雰囲気下、圧力0.4Pa、温度200℃の条件にて形成した。ITO膜は、酸化インジウムに10質量%の酸化スズを加えたものを使用した。
表2および表3によると、No.3〜36は全て、Al合金薄膜(ソース−ドレイン電極)の成分組成が本発明の要件を満足する発明例である。その結果、No.3〜36では、リーク電流、ヒロック耐性、電気抵抗率、コンタクト抵抗の全ての項目で良好であり、総合判定は合格(○)であった。これに対し、ソース−ドレイン電極を純Al薄膜としたNo.1の場合、リーク電流、ヒロック耐性、コンタクト抵抗で良好な結果を得られず、また、ソース−ドレイン電極(Al合金薄膜)と薄膜トランジスタの半導体層との間にバリアメタルとしてCrを介在させたNo.2の場合も、電気抵抗率で不良であり、そのいずれもが総合判定は不合格(×)であった。
Al合金薄膜(ソース−ドレイン電極)の成分組成が、本発明の要件を満足する場合は、実施例1と実施例2のいずれでも総合判定は合格(○)であり、ソース電極およびドレイン電極のドライエッチングレートの低下や、エッチング残さを引き起こすことがなく、且つ、十分に基本的な性能を備えたソース電極やドレイン電極として用いることができる。これに対し、Al合金薄膜(ソース−ドレイン電極)の成分組成が、本発明の要件も満足しない場合や、ソース−ドレイン電極に純Al薄膜を用いた場合、ソース−ドレイン電極(Al合金薄膜)と薄膜トランジスタの半導体層との間にバリアメタルとしてCrを介在させた場合は、少なくとも、実施例1と実施例2のいずれかで総合判定は不合格(×)となり、本発明の課題を解決することはできない。
2…ソース電極
3…ドレイン電極
4…透明導電膜
5…ガラス基板
6…ゲート電極
7…ゲート絶縁膜
Claims (7)
- 薄膜トランジスタの半導体層と、ソース電極、ドレイン電極、および透明導電膜を有する薄膜トランジスタ基板において、
前記ソース電極およびドレイン電極は、ドライエッチング法によるパターニングで形成された、Ge:0.3原子%〜1.2原子%、Co:0.05原子%〜2.0原子%、Laおよび/またはNd:0.1原子%〜1.0 原子%を含有するAl合金薄膜より成るものであって、
更に、前記ソース電極およびドレイン電極は、多結晶ポリシリコン或いは連続粒界結晶ポリシリコンで成る半導体層と直接接続していることを特徴とする薄膜トランジスタ基板。 - 薄膜トランジスタの半導体層と、ソース電極、ドレイン電極、および透明導電膜を有する薄膜トランジスタ基板において、
前記ソース電極およびドレイン電極は、ドライエッチング法によるパターニングで形成された、Ge:0.3原子%〜1.2原子%、Co:0.05原子%〜0.2原子%未満、Laおよび/またはNd:0.1原子%〜1.0 原子%を含有するAl合金薄膜より成るものであって、
更に、前記ソース電極およびドレイン電極は、多結晶ポリシリコン或いは連続粒界結晶ポリシリコンで成る半導体層と直接接続していることを特徴とする薄膜トランジスタ基板。 - 更に、前記ドレイン電極が、前記透明導電膜と直接接続している請求項1または2に記載の薄膜トランジスタ基板。
- 前記ソース電極およびドレイン電極が、スパッタリング法により形成されたものである請求項1乃至3のいずれかに記載の薄膜トランジスタ基板。
- 前記ソース電極およびドレイン電極は、塩素(Cl2)、三塩化ホウ素(BCl3)、臭化水素(HBr)のいずれかの少なくとも1種を含むエッチャントガスを用いたドライエッチング法で形成されたものである請求項1乃至4のいずれかに記載の薄膜トランジスタ基板。
- 前記ソース電極およびドレイン電極は、ドライエッチング前のフォトリソグラフィー現像の際に、その表面が、水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液に曝されて形成されたものである請求項5に記載の薄膜トランジスタ基板。
- 請求項1乃至6のいずれかに記載の薄膜トランジスタ基板が設けられていることを特徴とする表示デバイス。
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