CN112935566A - 激光拼接方法、导电膜、触控模组、电容屏及电子设备 - Google Patents

激光拼接方法、导电膜、触控模组、电容屏及电子设备 Download PDF

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CN112935566A CN202110145372.3A CN202110145372A CN112935566A CN 112935566 A CN112935566 A CN 112935566A CN 202110145372 A CN202110145372 A CN 202110145372A CN 112935566 A CN112935566 A CN 112935566A
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黄俊辉
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Abstract

本发明涉及一种激光拼接方法、导电膜、触控模组、电容屏及电子设备,其中,所述激光拼接方法应用于导电膜,包括:将导电膜划分为多个相拼接的分步蚀刻区域;依次在各个所述分步蚀刻区域内通过激光进行蚀刻,以形成拼接的非导电图案,所述非导电图案包括若干个呈多边形的单元图案;所述分步蚀刻区域由沿第一方向设置在相邻两个所述单元图案相交处的第一拼接线和沿第二方向设置的第二拼接线围绕而成,相邻两个所述单元图案的轮廓线相交且与所述第一拼接线成锐角,其中,所述第一方向与所述第二方向互成一定角度。

Description

激光拼接方法、导电膜、触控模组、电容屏及电子设备
技术领域
本发明涉及触控技术领域,具体地,涉及一种激光拼接方法、导电膜、触控模组、电容屏及电子设备。
背景技术
电容式触控屏因其具有触摸点击灵敏和响应快的特点,现已广泛应用于手机、平板电脑等电子产品中,为了更好地将电容式触控屏应用在企业会议、商业广告、教育教学、会展展示中,需要大尺寸的电容式触控屏,相应地,则需要制作大尺寸的应用于电容式触控屏的导电膜。
目前大多数的激光蚀刻机采用振镜和平台的组合对导电膜进行激光蚀刻,而常规振镜的加工幅面为170mm*170mm,因此,在制作大尺寸的导电膜时,如图 1所示,需要先将导电膜划分为多个分步蚀刻区域,然后在分步蚀刻区域内根据需要蚀刻的导电膜图案通过激光蚀刻在导电膜上形成多条蚀刻线,多条蚀刻线共同形成蚀刻图案,在完成一个分步蚀刻区域的蚀刻即完成振镜的一个幅面加工后,移动振镜来完成其他分步蚀刻区域的激光蚀刻;然而,振镜在进行激光蚀刻时容易发生偏移,这就导致位于相邻两个分步蚀刻区域内的蚀刻图案的拼接处容易发生偏移,从而造成导电膜的短路,进而使得导电膜无法实现触控功能。
发明内容
本发明旨在解决上述现有技术中至少一种缺陷(不足),提供一种激光拼接方法、导电膜、触控模组、电容屏及电子设备,已解决现有技术中导电膜激光拼接处容易错位导致导电膜短路的问题。
一方面,提供一种激光拼接方法,所述方法应用于导电膜,包括:
将导电膜划分为多个相拼接的分步蚀刻区域;
依次在各个所述分步蚀刻区域内通过激光进行蚀刻,以形成拼接的非导电图案,所述非导电图案包括若干个呈多边形的单元图案;
所述分步蚀刻区域由沿第一方向设置在相邻两个所述单元图案相交处的第一拼接线和沿第二方向设置的第二拼接线围绕而成,相邻两个所述单元图案的轮廓线相交且与所述第一拼接线成锐角,其中,所述第一方向与所述第二方向互成一定角度。
通过将第一拼接线设置在相邻两个单元图案相交处,相邻两个单元图案的轮廓线相交且与第一拼接线成锐角,从而即使在完成一个分步蚀刻区域后移动到下一个分步蚀刻区域进行激光蚀刻时发生了偏移,相邻两个分步蚀刻区域的单元图案在拼接处依旧相交,解决了在进行激光蚀刻时发生偏移导致位于相邻两个分步蚀刻区域的单元图案在拼接处有拼接错位,从而导致导电膜短路的问题,提高了对激光偏移的容忍度。
进一步地,所述非导电图案包括若干个沿第一方向平行间隔排布的单元图案组,所述单元图案组由若干个所述单元图案沿第二方向依次连接形成;所述第二拼接线设置在相邻两个所述单元图案组之间的区域上。
通过将第二拼接线设置在相邻两个单元图案组之间的区域上,相邻两个单元图案组之间的区域没有单元图案,从而避免了两个分步蚀刻区域在第二方向上的拼接错位问题,有效地避免了因拼接错位导致导电膜短路的问题。
进一步地,所述单元图案为具有斜线网格的多边形轴对称图案,其至少具有沿所述第二方向的对称轴;所述非导电图案包括若干个沿第一方向平行间隔排布的单元图案组,所述单元图案组由若干个所述单元图案沿第二方向依次连接形成;所述第二拼接线设置在所述单元图案组沿所述第二方向的对称轴上,所述斜线与所述第二拼接线之间的夹角为锐角。
通过将第二拼接线设置在相邻两个单元图案组之间的区域或设置在单元图案组沿第二方向的对称轴上,斜线与第二拼接线之间的夹角为锐角,从而即使在完成一个分步蚀刻区域后移动到下一个分步蚀刻区域进行激光蚀刻时发生了偏移,相邻两个分步蚀刻区域的单元图案在拼接处依旧相交,从而避免了两个分步蚀刻区域在第二方向上的拼接错位问题,有效地避免了因拼接错位导致导电膜短路的问题。
进一步地,所述依次在各个所述分步蚀刻区域内通过激光进行蚀刻,以形成拼接的非导电图案,所述非导电图案包括若干个呈多边形的单元图案,具体包括:
将需要蚀刻在导电膜上的所述非导电图案输入激光机;
根据所述分步蚀刻区域设定所述激光机的运动区域,以使所述激光机根据所述非导电图案、所述第一拼接线和所述第二拼接线对所述导电膜进行蚀刻。
通过根据分步蚀刻区域设定激光机的运动区域,从而即使激光机在完成一个分步蚀刻区域后移动到下一个分步蚀刻区域进行激光蚀刻时发生了偏移,相邻两个分步蚀刻区域的单元图案在拼接处依旧相交,解决了在激光机进行激光蚀刻时发生偏移导致位于相邻两个分步蚀刻区域的单元图案在拼接处有拼接错位,从而导致导电膜短路的问题,提高了对激光偏移的容忍度。
进一步地,在所述根据所述分步蚀刻区域设定所述激光机的运动区域之前,还包括:
设定所述激光机在所述导电膜上蚀刻所述非导电图案的基本参数,以使所述激光机根据所述基本参数对所述导电膜进行蚀刻。
进一步地,还包括:将所述导电膜固定在所述激光机的激光头的下方,并对所述导电膜进行定位。
通过对导电膜进行定位,从而提高了激光机在导电膜上进行激光蚀刻形成拼接的非导电图案激光蚀刻的精度。
进一步地,所述将所述导电膜固定在所述激光机的下方具体包括:
在所述导电膜的底部采用吸风的方式将所述导电膜进行固定。
通过采用吸风的方式将所述导电膜进行固定,从而避免了在进行激光蚀刻时因导电膜移动导致蚀刻错误的问题,提高了非导电图案激光蚀刻的精度。
进一步地,所述基本参数包括所述激光机的移动方向,所述激光机根据所述移动方向依次在各个分步蚀刻区域上进行蚀刻,以形成拼接的所述非导电图案。
一方面,提供一种导电膜,包括导电膜本体和采用如上所述的激光拼接方法在所述导电膜本体上蚀刻形成的非导电图案。
一方面,提供一种触控模组,包括基板和如上所述的导电膜。
一方面,提供一种电容屏,包括保护盖板、显示模组和如上所述的触控模组,所述保护盖板、所述触控模组和所述显示模组从上至下依次设置。
另一方面,提供一种电子设备,包括采用如上所述激光拼接方法加工而成的导电膜。
与现有技术相比,本发明的有益效果为:通过将第一拼接线设置在相邻两个单元图案相交处,相邻两个单元图案的轮廓线相交且与第一拼接线成锐角,从而即使在完成一个分步蚀刻区域后移动到下一个分步蚀刻区域进行激光蚀刻时发生了偏移,在第一方向上相邻两个分步蚀刻区域的单元图案在拼接处依旧相交,解决了在进行激光蚀刻时在第一方向上发生偏移导致位于相邻两个分步蚀刻区域的单元图案在拼接处有拼接错位,从而导致导电膜短路的问题,提高了对激光偏移的容忍度;通过将第二拼接线设置在相邻两个单元图案组之间的区域上,相邻两个单元图案组之间的区域没有单元图案,或者,通过将第二拼接线设置在相邻两个单元图案组之间的区域或设置在单元图案组沿第二方向的对称轴上,即使在进行激光蚀刻时在第二方向上发生了偏移,在第二方向上相邻两个分步蚀刻区域的单元图案在拼接处依旧相交,有效地避免了因拼接错位导致导电膜短路的问题。
附图说明
图1为本发明中分步蚀刻区域的示意图。
图2为现有技术中相邻两个分步蚀刻区域拼接处的局部示意图。
图3为现有技术中相邻两个分步蚀刻区域拼接处激光蚀刻后的示意图。
图4本发明中第一方向上相邻两个分步蚀刻区域相交处的局部示意图。
图5为本发明中第一方向上相邻两个分步蚀刻区域相交处激光蚀刻后的示意图。
具体实施方式
本发明附图仅用于示例性说明,不能理解为对本发明的限制。为了更好说明以下实施例,附图某些部件会有省略、放大或缩小,并不代表实际产品的尺寸;对于本领域技术人员来说,附图中某些公知结构及其说明可能省略是可以理解的。
此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中,“多个”的含义是两个或两个以上,除非另有明确具体的限定。
在本发明中,除非另有明确的规定和限定,属于“安装”、“相连”“连接”、“固定”等术语应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或成一体;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
在一个实施例中,提供一种激光拼接方法,参考图1,图1为分步蚀刻区域的示意图,所述方法应用于导电膜,包括:
将导电膜划分为多个相拼接的分步蚀刻区域;
依次在各个所述分步蚀刻区域内通过激光进行蚀刻,以形成拼接的非导电图案,所述非导电图案包括若干个呈多边形的单元图案1;
所述分步蚀刻区域由沿第一方向设置在相邻两个单元图案1相交处的第一拼接线2和沿第二方向设置的第二拼接线3围绕而成,相邻两个单元图案1的轮廓线相交且与第一拼接线2成锐角,其中,所述第一方向与所述第二方向互成一定角度。
具体的,在第一方向上设置若干条第一拼接线2,在第二方向上设置若干条第二拼接线3,第一拼接线2与第二拼接线3相交将导电膜划分为多个相拼接的分步蚀刻区域,每个分步蚀刻区域的大小相等;依次在各个分步蚀刻区域内通过激光进行蚀刻,以形成拼接的非导电图案,非导电图案包括若干个呈多边形的单元图案1,具体的,单元图案1可以为菱形或类菱形,也可以为六边形,第一拼接线2设置在相邻两个单元图案1相交处,相邻两个单元图案1的轮廓线相交且与第一拼接线2成锐角;具体的,第一方向与第二方向互成一定角度,其中第一方向与第二方向互成90°为最优;以平面坐标轴为基准,第一方向为Y轴方向,第二方向为X轴方向,或者,第一方向为X轴方向,第二方向为Y轴方向;当导电膜作为触控模组中的发射层即TX层时,第一方向为Y轴方向,第二方向为X 轴方向,当导电膜作为触控模组中的接收层即RX层时,第一方向为X轴方向,第二方向为Y轴方向,或者,当导电膜作为触控模组中的发射层即TX层时,第一方向为X轴方向,第二方向为Y轴方向,当导电膜作为触控模组中的接收层即 RX层时,第一方向为Y轴方向,第二方向为X轴方向。
如图2所示为现有技术中两个分步蚀刻区域拼接处的局部示意图,由于两个分步蚀刻区域的拼接处即拼接线放置在单元图案1上且与单元图案1的其中一外轮廓线垂直,当完成一个分步蚀刻区域后移动到下一个分步蚀刻区域进行激光蚀刻时发生了偏移,会导致拼接处错位,具体如图3所示,图3为根据图2所示的拼接处进行激光蚀刻后的导电膜局部示意图,当在分布蚀刻区域A1完成激光蚀刻后移动到分步蚀刻区域A2进行激光蚀刻发生偏移时,会导致拼接处a两侧单元图案1的轮廓线发生错位,使得两侧的轮廓线在拼接处a无法连接,导致导电膜短路;如图4和图5所示,图4为第一方向上相邻两个分步蚀刻区域相交处的局部示意图,如图5为第一方向上相邻两个分步蚀刻区域相交处激光蚀刻后的示意图,其中,图5中的虚线为第二拼接线2,在实际蚀刻后的导电膜中并不存在,通过将第一拼接线2设置在相邻两个单元图案1相交处,相邻两个单元图案1 的轮廓线相交且与第一拼接线2成锐角,从而即使在完成一个分步蚀刻区域B1 后移动到下一个分步蚀刻区域B2进行激光蚀刻时发生了偏移,相邻两个分步蚀刻区域的单元图案1在拼接处b依旧相交,解决了在进行激光蚀刻时发生偏移导致位于相邻两个分步蚀刻区域的单元图案1在拼接处a有拼接错位,从而导致导电膜短路的问题,提高了对激光偏移的容忍度。
在一个实施例中,所述非导电图案包括若干个沿第一方向平行间隔排布的单元图案组,单元图案组由若干个单元图案1沿第二方向依次连接形成;第二拼接线3设置在相邻两个单元图案组之间的区域上。
通过将第二拼接线3设置在相邻两个单元图案组之间的区域上,相邻两个单元图案组之间的区域没有单元图案1,从而避免了两个分步蚀刻区域在第二方向上的拼接错位问题,有效地避免了因拼接错位导致导电膜短路的问题。
在又一个实施例中,单元图案1为具有斜线网格的多边形轴对称图案,其至少具有沿所述第二方向的对称轴;所述非导电图案包括若干个沿第一方向平行间隔排布的单元图案组,单元图案组由若干个单元图案1沿第二方向依次连接形成;第二拼接线3设置在单元图案组沿所述第二方向的对称轴上,所述斜线与第二拼接线3之间的夹角为锐角。
具体的,单元图案1由轮廓线和多条斜线互相相交形成的沿第二方向的多边形轴对称图案,其可以为仅沿第二方向轴对称的单元图案1,也可以为既沿第一方向轴对称又沿第二方向轴对称的单元图案1;若干个单元图案1沿第二方向依次连接形成单元图案组,从而单元图案组沿第二方向轴对称,若干个单元图案组沿第一方向平行间隔排布形成非导电图案,第二拼接线3设置在单元图案组在第二方向上的对称轴上,第二拼接线3与斜线相交且成锐角,或者,第二拼接线3 设置在相邻两个单元图案组之间的区域上。
当单元图案1中的网格为由与第一方向平行的若干线段和与第二方向垂直的若干线段构成的网格,而第二拼接线2位于单元图案组中时,由于与第二方向垂直的线段与第二拼接线2垂直,因此当进行激光蚀刻发生偏移时,第二拼接线 2两侧的垂直线段在拼接处无法连接,即发生了拼接错位,从而导致了导电膜短路;而本实施例通过将第二拼接线3设置在相邻两个单元图案组之间的区域或设置在单元图案组沿第二方向的对称轴上,斜线与第二拼接线3之间的夹角为锐角,从而即使在完成一个分步蚀刻区域后移动到下一个分步蚀刻区域进行激光蚀刻时发生了偏移,相邻两个分步蚀刻区域的单元图案1在拼接处依旧相交,从而避免了两个分步蚀刻区域在第二方向上的拼接错位问题,有效地避免了因拼接错位导致导电膜短路的问题。
在一个实施例中,所述依次在各个所述分步蚀刻区域内通过激光进行蚀刻,以形成拼接的非导电图案,所述非导电图案包括若干个呈多边形的单元图案1,具体包括:
将需要蚀刻在导电膜上的所述非导电图案输入激光机;
根据所述分步蚀刻区域设定所述激光机的运动区域,以使所述激光机根据所述非导电图案、第一拼接线2和第二拼接线3对所述导电膜进行蚀刻。
具体的,非导电图案采用AUTO CAD、CORELDRAW或CAM软件绘制,将绘制好的需要蚀刻在导电膜上的非导电图案输入激光机中,然后根据分步蚀刻区域设定激光机的运动区域,其中,激光机的运动区域为激光机中一个激光头的加工幅面,由于一个激光头的蚀刻范围是有限的,在实际中,一个激光头的蚀刻范围为17cm*17cm,故分步蚀刻区域的大小小于或等于一个激光头的蚀刻范围,即分步蚀刻区域的大小小于或等于17cm*17cm,但随着科技的进步,当一个激光头的蚀刻范围增大时,本实施例中的分步蚀刻区域的大小也随着增大;激光机根据输入的非导电图案和设定的运动区域在导电膜上的各个分步蚀刻区域上依次进行蚀刻以形成拼接的非导电图案,具体的,如图4所示,当一个激光头完成一个分步蚀刻区域的激光蚀刻后,移动到下一个分步蚀刻区域进行蚀刻时,两个分步蚀刻区域相接的地方会出现激光线的拼接,即两个单元图案1的拼接,由于第一拼接线2位于相邻两个单元图案1相交处,相邻两个单元图案1的轮廓线相交且与第一拼接线2成锐角,从而即使激光机在完成一个分步蚀刻区域后移动到下一个分步蚀刻区域进行激光蚀刻时发生了偏移,相邻两个分步蚀刻区域的单元图案1在拼接处依旧相交,即相邻两个单元图案1的轮廓线、斜线依旧相交,解决了在激光机进行激光蚀刻时发生偏移导致位于相邻两个分步蚀刻区域的单元图案1在拼接处有拼接错位,从而导致导电膜短路的问题,提高了对激光偏移的容忍度。
具体的,单元图案1还包括沿其轮廓线走线的内部走线,相邻两个单元图案 1的内部走线相交且与第一拼接线2相交成锐角。
在一个实施例中,在所述根据所述分步蚀刻区域设定所述激光机的运动区域之前,还包括:
设定所述激光机在所述导电膜上蚀刻所述非导电图案的基本参数,以使所述激光机根据所述基本参数对所述导电膜进行蚀刻。
具体的,基本参数包括但不限于激光机的激光参数、激光脉冲频率脉宽、激光蚀刻线速度、在一个分步蚀刻区域的蚀刻次数和激光图层,其中,激光图层包括发射层和接收层,当设置的激光图层为发射层时,第一方向为Y轴方向,第二方向为X轴方向,非导电图案包括若干个沿Y轴平行间隔排布的单元图案组,单元图案组包括若干个沿X轴方向依次连接的单元图案1。
在一个实施例中,所述基本参数包括所述激光机的移动方向,所述激光机根据所述移动方向依次在各个分步蚀刻区域上进行蚀刻,以形成拼接的所述非导电图案。
具体的,激光机的移动方向为完成一个分步蚀刻区域后的移动方向,其中,激光机的移动方向可以为先沿第一方向移动再沿第二方向移动,也可以为先沿第二方向移动再沿第一方向移动。
在一个实施例中,还包括:将所述导电膜固定在所述激光机的激光头的下方,并对所述导电膜进行定位。
具体的,导电膜上设有定位靶标,激光机自动抓取定位靶标实现导电膜的定位。
通过对导电膜进行定位,从而提高了激光机在导电膜上进行激光蚀刻形成拼接的非导电图案激光蚀刻的精度。
在一个实施例中,所述将所述导电膜固定在所述激光机的下方具体包括:
在所述导电膜的底部采用吸风的方式将所述导电膜进行固定。
具体的,将导电膜放置在激光机下方的平台上,并在导电膜的底部采用吸风的方式将导电膜进行固定。
通过采用吸风的方式将所述导电膜进行固定,从而避免了在进行激光蚀刻时因导电膜移动导致蚀刻错误的问题,提高了非导电图案激光蚀刻的精度。
在基于同一个发明构思,在又一个实施例中,提供一种触控模组,包括基板和如上所述的导电膜。
具体的,包括两个导电膜,分别为第一导电膜和第二导电膜,第一导电膜即接收层设置在基板的上表面,第二导电膜即发射层设置在基板的下表面,或者第一导电膜即接收层、第二导电膜即发射层由上至下依次设置。
具体的,基板可以为但不限于玻璃基板,导电膜采用ITO、纳米银、金属网格、导电聚合物等导电材料制成;导电膜和基板之间通过光学胶(OCA)粘合,导电膜之间通过光学胶(OCA)粘合。
基于上述同样的理由,所述触控模组避免了在激光机进行激光蚀刻时发生偏移导致位于相邻两个分步蚀刻区域的单元图案1在拼接处有拼接错位,从而导致导电膜短路的问题,提高了对激光偏移的容忍度。
基于同一个发明构思,在一个实施例中,提供一种电容屏,包括保护盖板、显示模组和如上所述的触控模组,所述保护盖板、所述触控模组和所述显示模组从上至下依次设置。
具体的,保护盖板可以为玻璃盖板,触控模组和显示模组之间还设有贴合层,其中,贴合层可以为光学胶或空气。
基于上述同样的理由,所述电容屏避免了在激光机进行激光蚀刻时发生偏移导致位于相邻两个分步蚀刻区域的单元图案1在拼接处有拼接错位,从而导致导电膜短路的问题,提高了对激光偏移的容忍度。
基于同一个发明构思,在一个实施例中,提供一种电子设备,包括采用如上所述激光拼接方法加工而成的导电膜。具体的,电子设备可以但不限于为手机、平板电脑、显示器、笔记本电脑等任何具有显示功能的产品或部件。基于上述同样的理由,其避免了在激光机进行激光蚀刻时发生偏移导致位于相邻两个分步蚀刻区域的单元图案1在拼接处有拼接错位,从而导致导电膜短路的问题,提高了对激光偏移的容忍度。
显然,本发明的上述实施例仅仅是为清楚地说明本发明技术方案所作的举例,而并非是对本发明的具体实施方式的限定。凡在本发明权利要求书的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本发明权利要求的保护范围之内。

Claims (12)

1.一种激光拼接方法,所述方法应用于导电膜,包括:
将导电膜划分为多个相拼接的分步蚀刻区域;
依次在各个所述分步蚀刻区域内通过激光进行蚀刻,以形成拼接的非导电图案,所述非导电图案包括若干个呈多边形的单元图案;
其特征在于,所述分步蚀刻区域由沿第一方向设置在相邻两个所述单元图案相交处的第一拼接线和沿第二方向设置的第二拼接线围绕而成,相邻两个所述单元图案的轮廓线相交且与所述第一拼接线成锐角,其中,所述第一方向与所述第二方向互成一定角度。
2.根据权利要求1所述的一种激光拼接方法,其特征在于,所述非导电图案包括若干个沿第一方向平行间隔排布的单元图案组,所述单元图案组由若干个所述单元图案沿第二方向依次连接形成;所述第二拼接线设置在相邻两个所述单元图案组之间的区域上。
3.根据权利要求1所述的一种激光拼接方法,其特征在于,所述单元图案为具有斜线网格的多边形轴对称图案,其至少具有沿所述第二方向的对称轴;所述非导电图案包括若干个沿第一方向平行间隔排布的单元图案组,所述单元图案组由若干个所述单元图案沿第二方向依次连接形成;所述第二拼接线设置在所述单元图案组沿所述第二方向的对称轴上,所述斜线与所述第二拼接线之间的夹角为锐角。
4.根据权利要求1-3任一项所述的一种激光拼接方法,其特征在于,所述依次在各个所述分步蚀刻区域内通过激光进行蚀刻,以形成拼接的非导电图案,所述非导电图案包括若干个呈多边形的单元图案,具体包括:
将需要蚀刻在导电膜上的所述非导电图案输入激光机;
根据所述分步蚀刻区域设定所述激光机的运动区域,以使所述激光机根据所述非导电图案、所述第一拼接线和所述第二拼接线对所述导电膜进行蚀刻。
5.根据权利要求4所述的一种激光拼接方法,其特征在于,在所述根据所述分步蚀刻区域设定所述激光机的运动区域之前,还包括:
设定所述激光机在所述导电膜上蚀刻所述非导电图案的基本参数,以使所述激光机根据所述基本参数对所述导电膜进行蚀刻。
6.根据权利要求4所述的一种激光拼接方法,其特征在于,还包括:将所述导电膜固定在所述激光机的激光头的下方,并对所述导电膜进行定位。
7.根据权利要求6所述的一种激光拼接方法,其特征在于,所述将所述导电膜固定在所述激光机的下方具体包括:
在所述导电膜的底部采用吸风的方式将所述导电膜进行固定。
8.根据权利要求5所述的一种激光拼接方法,其特征在于,所述基本参数包括所述激光机的移动方向,所述激光机根据所述移动方向依次在各个分步蚀刻区域上进行蚀刻,以形成拼接的所述非导电图案。
9.一种导电膜,其特征在于,包括导电膜本体和采用如权利要求1-8任一项所述的激光拼接方法在所述导电膜本体上蚀刻形成的非导电图案。
10.一种触控模组,其特征在于,包括基板和如权利要求9所述的导电膜。
11.一种电容屏,其特征在于,包括保护盖板、显示模组和如权利要求10所述的触控模组,所述保护盖板、所述触控模组和所述显示模组从上至下依次设置。
12.一种电子设备,其特征在于,包括采用如权利要求1-8任一项所述激光拼接方法加工而成的导电膜。
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