JP5474097B2 - タッチスクリーンおよびその製造方法 - Google Patents

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Description

本発明は、タッチスクリーンおよびその製造方法に関する。本出願は２００９年２月６日および２００９年１２月２１日に韓国特許庁に提出された韓国特許出願第１０−２００９−０００９７５０号および第１０−２００９−０１２７７５６号の出願日の利益を主張し、その内容の全ては本明細書に含まれる。また、本出願は２００９年７月１６日に韓国特許庁に提出された韓国特許出願第１０−２００９−００６５１０３号および第１０−２００９−００６５１０６号の出願日の利益を主張し、その内容の全ては本明細書に含まれる。
一般的に、タッチスクリーンはＩＴＯ基盤の導電性膜をパターニングして使っているが、このようなＩＴＯは大面積タッチスクリーンに適用する時に自体的なＲＣ遅延によって認識速度が低いという問題がある。このような問題点を克服するために、多くのメーカーが印刷方式を利用してＩＴＯを代替するための技術を開発中であるが、このような技術は視認性の側面で目立たなく精密度の高い微細パターンを作り難いという短所を有する。
本発明は、前記のような従来技術の問題点を解決するためのものであり、本発明は、精密度が高く、超微細線幅を有する導電性パターンを含むタッチスクリーンを経済的で且つ効率的に製造できる製造方法およびその方法により製造されたタッチスクリーンを提供することを目的とする。
本発明の一実施形態は、
ａ）基板上に導電性膜を形成するステップ；
ｂ）前記導電性膜上にエッチングレジストパターンを形成（ｆｏｒｍｉｎｇ）するステップ；および
ｃ）前記エッチングレジストパターンを利用して前記導電性膜をオーバーエッチング（ｏｖｅｒ−ｅｔｃｈｉｎｇ）することによって、前記エッチングレジストパターンの幅より小さい線幅を有する第１導電性パターンを形成するステップ
を含むタッチスクリーンの製造方法を提供する。
本発明によるタッチスクリーンの製造方法は、
ｄ１）導電性膜を基板ではない前記第１導電性パターン上に形成したことを除いては、前記ａ）ステップ〜前記ｃ）ステップと同一に実施して、第２導電性パターンを形成するステップ、
ｄ２）前記基板の前記第１導電性パターンが形成された面の反対側面において、前記ａ）ステップ〜前記ｃ）ステップと同一に実施して、前記基板上に第２導電性パターンを形成するステップ、または
ｄ３）別途の基板上に前記ａ）ステップ〜前記ｃ）ステップと同一に実施して第２導電性パターンを形成した後、前記第２導電性パターンが形成された基板の基板面を前記第１導電性パターンが備えられた基板の基板面または第１導電性パターンが形成された面にラミネーションするステップ
をさらに含むことができる。
前記製造方法は、前記ｃ）ステップ後に、ｅ）前記エッチングレジストパターンを除去するステップ；またはｆ）前記導電性パターンを覆うように（ｃｏｖｅｒｉｎｇ）前記エッチングレジストパターンを再形成（ｒｅｆｏｒｍｉｎｇ）するステップをさらに含むことができる。前記ｅ）ステップを行う場合には、前記第１導電性パターン上に絶縁層を形成するステップをさらに含むことができる。
前記ｄ１）ステップ〜ｄ３）ステップにおいて、ａ）ステップ〜ｃ）ステップと同一に実施して第２導電性パターンを形成した後、前記第２導電性パターン上に追加の絶縁層を形成することができる。
本発明のまた他の一実施様態は、基板、前記基板の少なくとも一面に形成された導電性パターンおよび前記導電性パターンを覆う絶縁層パターンを含み、前記タッチスクリーンの製造方法によって製造されたタッチスクリーンを提供する。
本発明のまた他の一実施様態は、基板、前記基板の少なくとも一面に形成された導電性パターンおよび前記導電性パターンを覆う絶縁層パターンを含み、前記導電性パターンのテーパー角が小さいことを特徴とするタッチスクリーンを提供する。前記導電性パターンのテーパー角は０超過９０度未満であってもよく、０超過４５度以下であることが好ましく、０超過３０度以下であることがより好ましい。
本発明のまた他の一実施形態は、基板、前記基板の少なくとも一面に形成された導電性パターンおよび前記導電性パターンを覆う絶縁層パターンを含み、前記絶縁層パターンのテーパー角が小さいことを特徴とするタッチスクリーンを提供する。前記絶縁層パターンのテーパー角は０超過９０度未満であってもよく、０超過７０度以下であることが好ましく、０超過３０度以下であることがより好ましい。
本発明のまた他の一実施形態は、基板、前記基板の少なくとも一面に形成された導電性パターンおよび前記導電性パターンを覆う絶縁層パターンを含み、前記絶縁層パターンのテーパー角が前記導電性パターンのテーパー角より大きいことを特徴とするタッチスクリーンを提供する。前記絶縁層パターンのテーパー角が前記導電性パターンのテーパー角より大きいものであれば特に限定されないが、０度超過４５度以下より大きいものがより好ましい。
本発明のまた他の一実施様態は、基板、前記基板の少なくとも一面に形成された導電性パターンおよび前記導電性パターンを覆う絶縁層パターンを含み、前記導電性パターンと前記絶縁層パターンとの間にボイドを含むことを特徴とするタッチスクリーンを提供する。
本発明のまた他の一実施様態は、基板、前記基板の少なくとも一面に形成された、線幅が１００マイクロメートル以下、好ましくは０．１〜３０マイクロメートル、より好ましくは０．５〜１０マイクロメートル、さらに好ましくは１〜５マイクロメートルである導電性パターンを含むタッチスクリーンを提供する。この実施形態によるタッチスクリーンは、前記導電性パターン上に前記導電性パターンを覆う絶縁層パターンをさらに含むことができる。また、前記タッチスクリーンは、前記導電性パターンに相応するパターンを有するが、導電性パターンの線幅より長い線幅を有する絶縁層パターンをさらに含むことができる。
本発明のまた他の一実施様態は、基板、前記基板の少なくとも一面に形成された導電性パターン、および前記導電性パターンを覆う絶縁層パターンまたは前記導電性パターンに相応するパターンを有するが導電性パターンの線幅より長い線幅を有する絶縁層パターンを含み、前記導電性パターンの線幅方向の断面において、前記導電性パターンの一側端部から前記絶縁層パターンまでの距離（ａ）と前記導電性パターンの他側端部から前記絶縁層パターンまでの距離（ｂ）の百分比（ａ／ｂ＊１００）が９０〜１１０の範囲内であることを特徴とするタッチスクリーンを提供する。
本発明によるタッチスクリーンは、精密度が高く、超微細線幅を有する導電性パターンを含むことができるため、性能が優れるだけでなく、その製造方法が非常に効率的で且つ経済的である。また、本発明によるタッチスクリーンの導電性パターンは、精密度が高く、超微細線幅を有するだけでなく、大面積を有し得る。
本発明による方法の実施形態を例示したものである。 本発明による方法の実施形態を例示したものである。 本発明による方法の実施形態を例示したものである。 本発明による方法の実施形態を例示したものである。 本発明による方法の実施形態を例示したものである。 オーバーエッチングの程度に応じた導電性パターンの線幅を示す写真である。 本発明の一実施形態によるタッチスクリーンにおいて、エッチングレジストパターンが残りの領域と硬化度が相異なる領域を含む場合の写真を例示したものである。 導電性パターン上に前記導電性パターンの線幅より長い線幅を有するエッチングレジストパターンが備えられた構造を例示したものである。 導電性パターン上に前記導電性パターンの線幅より長い線幅を有するエッチングレジストパターンが備えられた構造を例示したものである。 導電性パターン上に前記導電性パターンの線幅より長い線幅を有するエッチングレジストパターンが備えられた構造を例示したものである。 導電性パターン上に前記導電性パターンの線幅より長い線幅を有するエッチングレジストパターンが備えられた構造を例示したものである。 絶縁層パターンが前記導電性パターンに対して対称的な構造に配置されたものを例示したものである。 絶縁層パターンが前記導電性パターンに対して対称的な構造に配置されたものを例示したものである。 絶縁層パターンが前記導電性パターンに対して対称的な構造に配置されたものを例示したものである。 絶縁層パターンが前記導電性パターンに対して対称的な構造に配置されたものを例示したものである。 本発明による方法を用いる場合のショート誘発原因の除去効果を図式化したものである。 本発明の一実施形態によるタッチスクリーンの構造の側面構造を例示したものである。 本発明の一実施形態によるタッチスクリーンの構造の側面構造を例示したものである。 本発明の一実施形態によるタッチスクリーンの構造の側面構造を例示したものである。 本発明の一実施形態によるタッチスクリーンの製造方法を例示したものである。 本発明の一実施形態によるタッチスクリーンの製造方法を例示したものである。 本発明の一実施形態によるタッチスクリーンの導電性パターンが分割された状態を例示したものである。 本発明の一実施形態によるタッチスクリーンの導電性パターンが分割された状態を例示したものである。 本発明の一実施形態によるタッチスクリーンが外部電圧に連結された構造を例示したものである。 本発明の一実施形態によるタッチスクリーンが外部電圧に連結された構造を例示したものである。 本発明の一実施形態によるタッチスクリーンの導電性パターンを例示したものである。 本発明の一実施形態によるタッチスクリーンの導電性パターンを例示したものである。 本発明の一実施形態によるタッチスクリーンの導電性パターンを例示したものである。 本発明の一実施形態によるタッチスクリーンの導電性パターンを例示したものである。 ボロノイ図ジェネレータを用いたパターン形成を例示したものである。 本発明の一実施形態によるタッチスクリーンの導電性パターンを例示したものである。 本発明の一実施形態によるタッチスクリーンの導電性パターンを例示したものである。 本発明の一実施形態によるタッチスクリーンの導電性パターンを例示したものである。 ドローネパターンの形成例を図示したものである。 ドローネパターンの例を図示したものである。 ドローネパターンの例を図示したものである。 ドローネパターンの例を図示したものである。 メッシュ形態の導電性パターンを分割した場合とメッシュ形態の導電性パターン上に導電線を置いた場合の視認性の評価結果を例示したものである。 メッシュ形態の導電性パターンを分割した場合とメッシュ形態の導電性パターン上に導電線を置いた場合の視認性の評価結果を例示したものである。 線幅およびピッチに応じたモアレ現象を例示したものである。 実施例１で製造された導電性パターンを示すものである。 実施例１で製造された導電性パターンを示すものである。 実施例１で製造された導電性パターンを示すものである。 実施例２で製造された導電性パターンを示すものである。 導電性パターンを形成するための、不規則で且つ均質な基準点を生成する方法を例示したものである。
以下、本発明をより具体的に説明する。
本発明によるタッチスクリーンの製造方法は、ａ）基板上に導電性膜を形成するステップ；ｂ）前記導電性膜上にエッチングレジストパターンを形成するステップ；およびｃ）前記エッチングレジストパターンを利用して前記導電性膜をオーバーエッチングすることによって、前記エッチングレジストパターンの幅より小さい線幅を有する第１導電性パターンを形成するステップを含むことを特徴とする。本明細書において、オーバーエッチング（ｏｖｅｒ−ｅｔｃｈｉｎｇ）とは、前記導電性膜を前記エッチングレジストパターンの線幅より小さい線幅を有するようにエッチングすることを意味する。
本発明によるタッチスクリーンが２以上の導電性パターンを含む場合、本発明によるタッチスクリーンの製造方法は、下記ｄ１）〜ｄ３）ステップのうちのいずれか１つをさらに含むことができる。
ｄ１）導電性膜を基板ではない前記第１導電性パターン上に形成したことを除いては、前記ａ）ステップ〜前記ｃ）ステップと同一に実施して、第２導電性パターンを形成するステップ、
ｄ２）前記基板の前記第１導電性パターンが形成された面の反対側面において、前記ａ）ステップ〜前記ｃ）ステップと同一に実施して、前記基板上に第２導電性パターンを形成するステップ、または
ｄ３）別途の基板上に前記ａ）ステップ〜前記ｃ）ステップと同一に実施して第２導電性パターンを形成した後、前記第２導電性パターンが形成された基板の基板面を前記第１導電性パターンが備えられた基板の基板面または第１導電性パターンが形成された面にラミネーションするステップ。
本明細書において、後述する導電性パターンの形成方法や材料は、前記第１導電性パターンおよび前記第２導電性パターンに適用することができる。
前記製造方法は、前記ｃ）ステップ後に、ｅ）前記エッチングレジストパターンを除去するステップ；またはｆ）前記導電性パターンを覆うように（ｃｏｖｅｒｉｎｇ）前記エッチングレジストパターンを再形成（ｒｅｆｏｒｍｉｎｇ）するステップをさらに含むことができる。前記ｅ）ステップを行う場合には、前記第１導電性パターン上に絶縁層を形成するステップをさらに含むことができる。前記ｅ）ステップを利用した例を図１および図３に、前記ｆ）ステップを利用した例を図２および図４に例示したが、本発明の範囲が図面に示された工程に限定されるものではなく、図１〜図４に記載された工程中、必要な場合には、一部工程を省略または付加して遂行することができる。
前記ｄ）ステップにおいて、ａ）ステップ〜ｃ）ステップと同一に実施して第２導電性パターンを形成した後、前記第２導電性パターン上に追加の絶縁層を形成することができる。
本明細書において、前記エッチングレジストパターンが絶縁性を有する場合、絶縁層パターンに対する説明が適用される。
前記基板の材料は、本発明による導電性パターンの製造方法を適用しようとする分野に応じて適切に選択することができ、好ましい例としては、ガラスあるいは無機材料基板、プラスチック基板またはその他のフレキシブル基板などが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
また、前記導電性膜の材料は特に限定されないが、金属膜が好ましい。前記導電性膜材料の具体的な例としては、銀、アルミニウム、銅、ネオジム、モリブデンまたはこれらの合金を含む単一膜または多層膜が好ましい。ここで、前記導電性膜の厚さは特に限定されないが、０．０１〜１０μｍであることが導電層の伝導度および形成工程の経済性の側面で好ましい。
前記導電性膜の形成方法は特に限定されず、蒸着、スパッタリング、湿式コーティング、蒸発、電解メッキまたは無電解メッキ、金属箔のラミネーションなどの方法を利用することができる。本発明の方法によれば、ディスプレイ用電子部品の有効画面部に含まれる導電性パターンとこれの信号印加のための配線部を同時に形成することができるという長所がある。特に、前記導電性膜の形成方法として、有機金属、ナノ金属またはこれらの複合体溶液を基板上にコーティングした後、焼成および／または乾燥によって伝導度を付与する方法を利用することができる。前記有機金属としては有機銀を用いることができ、前記ナノ金属としてはナノ銀粒子などを用いることができる。
本発明において、前記導電性膜の形成前に、基板上に付着力を向上させるためのバッファ層をさらに形成することもできる。
本発明による方法は、前記ａ）ステップ後に洗浄ステップをさらに含むことができる。
本発明者らは、前記ｂ）ステップで形成されるエッチングレジストパターンのラインエッジラフネス（ｌｉｎｅ ｅｄｇｅ ｒｏｕｇｈｎｅｓｓ、ＬＥＲ）が、オーバーエッチングによって断線なしに形成することができる導電性パターンの最小線幅のクリティカルディメンジョン（Ｃｒｉｔｉｃａｌ ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ）を決定するということを明らかにした。エッチングレジストパターンのラインエッジラフネス（ｌｉｎｅ ｅｄｇｅ ｒｏｕｇｈｎｅｓｓ、ＬＥＲ）が大きすぎる場合には、オーバーエッチング時、所望の線幅の導電性パターンを得る前に導電性パターンが断線し得る。エッチングレジストパターンのラインエッジラフネス（ｌｉｎｅ ｅｄｇｅ ｒｏｕｇｈｎｅｓｓ、ＬＥＲ）は前記導電性パターンの最小線幅の１／２になり得る。よって、前記エッチングレジストパターンのラインエッジラフネス（ＬＥＲ）は、目的とする導電性パターンの線幅の１／２以下に調節することができる。したがって、エッチングレジストパターンのラインエッジラフネス（ｌｉｎｅ ｅｄｇｅ ｒｏｕｇｈｎｅｓｓ、ＬＥＲ）は０．１〜５マイクロメートルであることが好ましく、０．２〜５マイクロメートルであることがより好ましい。この範囲にある場合、１０マイクロメートル、好ましくは５マイクロメートル以下の超微細線幅の導電性パターンを形成するのに有利である。ここで、ラインエッジラフネス（ｌｉｎｅ ｅｄｇｅ ｒｏｕｇｈｎｅｓｓ、ＬＥＲ）とは、エッチングレジストパターンのラインエッジにおいて、最も深く窪んだ地点を基準に最も突出した地点の高さを意味する。
前記ｂ）ステップにおいて、前記エッチングレジストパターンを形成する方法は、印刷法、フォトリソグラフィ法、フォトグラフィ法、マスクを用いた方法またはレーザー転写、例えば熱転写イメージ（ｔｈｅｒｍａｌ ｔｒａｎｓｆｅｒ ｉｍａｇｉｎｇ）であることが好ましく、印刷法またはフォトリソグラフィ法がより好ましい。
前記印刷法は、エッチングレジスト材料を含むペーストあるいはインクを導電性膜が形成された基板上に目的とするパターン形態に転写した後に焼成する方式で行うことができる。前記転写方法は特に限定されないが、凹版またはスクリーンなどのパターン転写媒体にパターンを形成し、これを利用して所望のパターンを導電性膜上に転写することができる。前記パターン転写媒体にパターン形態を形成する方法は当技術分野で知られている方法を利用することができる。
前記印刷法は特に限定されず、グラビアオフセット印刷、リバースオフセット印刷、スクリーン印刷、グラビア印刷などの印刷法を使用することができるが、特に前述したラインエッジラフネス（ｌｉｎｅ ｅｄｇｅ ｒｏｕｇｈｎｅｓｓ、ＬＥＲ）範囲内のエッチングレジストパターンを形成することによって超微細線幅を有する導電性パターンを得るためにグラビアオフセット印刷またはリバースオフセット印刷法を使用することがより好ましい。
リバースオフセット印刷は、ロール型ブランケットにペーストを塗布した後、これを凹凸を有するクリシェと密着させ、ブランケット上に目的とするパターンを形成し、次にブランケット上に形成されたパターンを導電性膜に転写する方式で行うことができる。このような印刷方法を図１および図２に例示する。または、グラビアオフセット印刷は、パターンが彫られた凹版にペーストを満たした後、ブランケット（ｂｌａｎｋｅｔ）と呼ばれるシリコンゴムに１次転写をした後、前記ブランケットと導電性膜が形成された基板を密着させて２次転写をする方式で行うことができる。このような印刷方法を図３〜図５に例示する。但し、図１〜図５は本発明を実施する方法を例示するものであって、これによって本発明の範囲が限定されるのではない。図１〜図５に記載された工程中、必要な場合には、一部工程を省略または付加して遂行することができる。
グラビアオフセット印刷法またはリバースオフセット印刷法の場合、ブランケットが有する離型特性により、インクあるいはペーストが、導電性膜が形成された基板にほぼ大部分転写されるため、別途のブランケット洗浄工程が必要ではない。前記凹版は基板を精密エッチングして製造することができる。前記凹版は金属板をエッチングして製造することができ、あるいは高分子樹脂による光学的パターニングを通じて製造することもできる。
スクリーン印刷は、パターンがあるスクリーン上にペーストを位置させた後、スクイージーを押しながら、空間が空いているスクリーンを通じて直接的に導電性膜が形成された基板にペーストを位置させる方式で行うことができる。グラビア印刷は、ロール上にパターンが彫られたブランケットを巻き、ペーストをパターンの中に満たした後、導電性膜が形成された基板に転写する方式で行うことができる。本発明においては、前記方式を各々単独で使用できるだけでなく、前記方式を複合的に使用することもできる。また、その他の当業者らに知られた印刷方式を使用することもできる。
本発明においては、印刷法を使用することが好ましく、その中でもオフセット印刷法、リバースオフセット印刷法またはグラビア印刷法を使用することが好ましい。
リバースオフセット印刷法を使用する場合、前記エッチングレジストパターンの材料が含まれた印刷用インクの粘度は０ｃｐｓ超過１０００ｃｐｓ以下であることが好ましく、５ｃｐｓ〜１０ｃｐｓであることがより好ましい。また、グラビア印刷法を使用する場合、前記インクの粘度が６０００ｃｐｓ〜１２０００ｃｐｓであることが好ましく、７０００ｃｐｓ〜８０００ｃｐｓの範囲であることがより好ましい。インクの粘度が前記範囲である時に、各印刷法において、インクのコーティングが適切になされつつ、工程中にインクの安定性（インクの工程維持能力）が維持される。
本発明において、前記エッチングレジストパターンを形成する方法は、前述した印刷法に限定されず、フォトリソグラフィ法を使用することもできる。例えば、導電性膜上に感光性と耐酸性（エッチングに対する耐性）を有するレジスト層を形成し、これを選択的な露光および現像によってパターン化する方法で行うことができる。
前記エッチングレジストパターンをマスクとして利用して導電性膜をエッチングした後、前記エッチングレジストパターンを導電性パターンを覆うように再形成する場合、前記エッチングレジストパターンのテーパー角（ｔａｐｅｒ ａｎｇｌｅ）は０度超過９０度未満であることが好ましく、１０度以上７０度以下であることがより好ましい。エッチングレジストパターンのテーパー角が前記範囲である時、前記エッチングレジストパターンの再形成が容易に起こり、エッチングレジストパターンが導電性パターンを十分にカバーすることができる。
前記エッチングレジストパターンは、導電性膜のエッチング時に用いられるエッチング液に反応しない耐酸性および導電性膜との十分な接着力を有する材料を用いて形成することが好ましい。さらに、前記エッチングレジストパターンをマスクとして利用して導電性膜をエッチングした後、前記エッチングレジストパターンを導電性パターンを覆うように再形成する場合、前記エッチングレジストパターン材料は絶縁性を有することが好ましい。また、ｆ）ステップにおいて、エッチングレジストパターンの再形成時に用いる条件、例えば、熱、溶媒、蒸気（溶媒の蒸気）またはプラズマなどの処理によって流動性（ｍｏｂｉｌｉｔｙ）を示しつつ耐酸性を有する高分子材料を用いることが好ましく、架橋性を有する高分子材料を用いることがより好ましい。
前記エッチングレジスト材料は、漏れ電流１０−１アンペア以下である絶縁性を有することが好ましい。前記エッチングレジスト材料の漏れ電流は１０−１６アンペア以上であってもよい。前記エッチングレジスト材料は該当方法に用いられる導電性膜のエッチング液に対して耐酸性を有することが好ましく、例えば、該当導電性膜のエッチング液に対して浸漬またはスプレーの方法で接触する時に１０分以上形態の変化がないものが好ましい。
また、前記エッチングレジスト材料は、後述するｆ）ステップのための加工条件において流動性を有することが好ましい。具体的には、前記エッチングレジスト材料としては可塑性または硬化性を有する高分子材料を用いることができる。本発明においては、前記エッチングレジスト材料として、熱硬化性樹脂だけでなく、ＵＶ硬化性樹脂を用いることもできる。ＵＶ硬化性樹脂は、熱硬化性樹脂とは異なって溶媒を使わないことができるため、溶媒蒸発に伴う問題点がなく、安定した形態の微細なパターンの形成に有利である。図５は、ＵＶ硬化性樹脂を用いてエッチングレジストパターンを製造した場合を例示したものである。
具体的には、前記エッチングレジスト材料の例としては、イミド系高分子、ビスフェノール系高分子、エポキシ系高分子、アクリル系高分子、エステル系高分子、ノボラック（Ｎｏｖｏｌａｃ）系高分子またはその組み合わせを用いることができる。この中でもアクリル系、イミド系またはノボラック（Ｎｏｖｏｌａｃ）系樹脂が好ましい。また、前記エッチングレジスト材料の例としては、イミド系単量体、ビスフェノール系単量体、エポキシ系単量体、アクリル系単量体およびエステル系単量体のうちの２以上の組み合わせまたは共重合体、例えば、エポキシ化アクリル樹脂またはエポキシとアクリル系単量体の共重合体を用いることができる。
前記エッチングレジストパターンを印刷法によって形成する場合、固形分の含量を調節するか、溶媒を適切に選択することによってプロセスマージンを増加させることができる。
前記エッチングレジストパターン形成用印刷組成物の固形分の含量は、印刷法の種類やエッチングレジストパターンの厚さに応じて異に調節することができる。例えば、グラビア印刷法を使用する場合、前記エッチングレジストパターン組成物の固形分の含量は７０〜８０重量％であることが好ましい。また、リバースオフセット印刷法を使用して、１００ｎｍ〜１０マイクロメートル、より好ましくは５００ｎｍ〜２マイクロメートルの厚さを有するエッチングレジストパターンを形成する場合、前記エッチングレジストパターン組成物の固形分の含量は１０重量％〜２５重量％であることが好ましい。しかし、本発明の範囲が前記例に限定されず、エッチングレジストパターン組成物の固形分の含量はその他の材料や工程条件に応じて当業者が調節することができる。
前記エッチングレジストパターン組成物に添加できる溶媒としては当技術分野で使われる溶媒を用いることができ、１種の単独または２種以上の混合溶媒を用いることができる。例えば、印刷法に用いられるブランケット材料、例えば、ＰＤＭＳに損傷（ｄａｍａｇｅ）を与えない溶媒であれば、特に限定されない。例えば、ＰＧＭＥＡ（ｐｒｏｐｙｌｅｎｅ ｇｌｙｃｏｌ ｍｅｔｈｙｌ ｅｔｈｅｒ ａｃｅｔａｔｅ）、エタノール、プロピレンカーボネート、ブチルセロソルブ、ＤＭＡｃ（ｄｉｍｅｔｈｙｌ ａｃｅｔａｍｉｄｅ）、ＭＥＫ（ｍｅｔｈｙｌ ｅｔｈｙｌ ｋｅｔｏｎｅ）、ＭＩＢＫ（ｍｅｔｈｙｌ ｉｓｏｂｕｔｙｌ ｋｅｔｏｎｅ）などを用いることができる。
前記エッチングレジストパターン形成用組成物は、接着促進剤（ａｄｈｅｓｉｏｎ ｐｒｏｍｏｔｅｒ）、界面活性剤などをさらに含むことができる。
前記エッチングレジストパターンをマスクとして利用して導電性膜をエッチングした後、前記エッチングレジストパターンを導電性パターンを覆うように再形成する場合、前記エッチングレジストパターンが導電線を十分に覆うようにするためには、前記エッチングレジストパターンの厚さは前記導電線の厚さより厚いことが好ましいが、これに限定されるものではない。また、前記エッチングレジストパターンの幅は本発明の方法が適用される分野に応じて当業者が適切に選択することができ、特に限定されない。例えば、前記エッチングレジストパターンの下部幅は導電線の上面と側面を全て覆うことができる寸法を有することが好ましい。
前記ｃ）ステップにおいて、前記導電性パターンの形成は、前記エッチングレジストパターンをマスクとして利用してオーバーエッチングすることによって、前記エッチングレジストパターンの線幅より小さい線幅を有する導電性パターンを形成することを特徴とする。
前記エッチング方式は、エッチング液を用いる湿式エッチングまたはプラズマやレーザーを用いる乾式エッチングであってもよいが、これらに限定されるものではない。
湿式エッチングを使用する場合、エッチング液としては、硝酸（ＨＮＯ３）溶液、リン酸／硝酸／酢酸の混合酸溶液、過酸化水素、過塩素酸、塩酸、フッ酸およびシュウ酸のうちの１つまたは２つ以上またはその水溶液を用いることができ、必要な場合、所望の導電性膜をエッチングするための添加剤およびその他の元素を添加することができるが、これに限定されず、一般的に該当導電性膜のエッチング溶液として知られているものを用いてもよい。
前記ｃ）ステップにおいて、導電性膜をエッチングする時、オーバーエッチングを行うことによって、前記エッチングレジストパターンの縁の下部にアンダーカット（ｕｎｄｅｒｃｕｔ）が形成される。
前記「アンダーカット（ｕｎｄｅｒｃｕｔ）」という用語は、基板上に第１層を形成し、その上に第２層を形成した後、第２層をマスクとして利用して第１層だけを選択的にエッチングする時に、第１層の側面が過度にエッチングされて、第２層の面積より第１層の面積が狭くなった形態を意味する。ここで、「第２層をマスクとして利用して」という用語は、第２層がエッチングによって変形または除去されずにそのまま残っていることを意味する。
一般的なエッチング工程においては、第２層をマスクとして利用して第１層をエッチングする場合、第１層のパターンが第２層のパターンと同一の形状で実現されることを目標とし、アンダーカットが発生することは止揚する。
しかし、本発明においては、エッチングレジストパターンの下部にアンダーカットが形成されるように導電性膜をエッチングすることによって、エッチングレジストパターンの線幅よりさらに小さい線幅の導電性パターンを得ることができる。
前記ｃ）ステップにおいて、オーバーエッチングによってアンダーカットが発生する場合、エッチングレジストパターンの線幅または長さは、導電性パターンの線幅または長さより長くなる。
また、アンダーカットが発生する場合、導電性パターンのテーパー角は０度超過９０度未満、より好ましくは０度超過４５度以下、さらに好ましくは０度超過３０度以下であるが、これらだけに限定されるものではない。ここで、テーパー角は、導電性パターンの端部がその下部層、すなわち、基板の表面となす角度を意味する。前記テーパー角は、前記導電性パターンの末端地点から前記導電性パターンの上面が平滑になり始まる地点までの接線の平均傾きを有する直線とその下部層表面との間の角度として測定することができる。本発明においては、前記のような方法を利用することによって従来技術とは異なってテーパー角が小さい導電性パターンを提供することができる。
前記ｃ）ステップにおいて、導電性パターンの形成のためのエッチング時間に応じて導電性パターンの線幅を調節することができる。エッチング時間が長くなるほど、導電性パターンの線幅を小さく形成することができる。
本発明において、前記導電性パターンの形成のためのエッチング時間は、導電性パターンの形成時に用いられるエッチング液の種類や濃度、導電性膜の種類、エッチング温度などの条件によって変わる。例えば、前記エッチング時間は、ジャストエッチングタイム（ｊｕｓｔ−ｅｔｃｈｉｎｇ ｔｉｍｅ、ＪＥＴ）〜ジャストエッチングタイムより２０００％延びた時間、好ましくはジャストエッチングタイムより１％〜１０００％延びた時間、より好ましくはジャストエッチングタイムより１％〜５００％延びた時間、さらに好ましくはジャストエッチングタイムより５％〜１００％延びた時間であることが好ましい。ここで、ジャストエッチングタイムとは、マスクの形態と同一の形態にパターンをエッチングするのに必要な時間を意味する。エッチング時間に応じた導電性パターンの線幅を図６に例示する。
前記導電性膜のエッチング温度も、導電性膜のパターニングに用いられるエッチング液の種類や濃度、導電性膜の種類、エッチング温度などの条件によって異なり、例えば、常温〜８０度、好ましくは３０度〜７０度で遂行することができる。
エッチング方式はディップエッチング方式またはスプレー方式などが可能であるが、均一なエッチングのためにはスプレー方式がより好ましい。
前記導電性膜が多層膜である場合、多層膜が同時にほぼ同一の速度でエッチングされるためのエッチング液を用いることが好ましい。
前記エッチングレジストパターンをマスクとして利用して導電性膜をエッチングした後、前記ｅ）ステップのように前記エッチングレジストパターンは除去することもできるが、前記エッチングレジストパターンを除去せずにそのままタッチスクリーンに用いることもできる。また、前記ｆ）ステップのように、前記エッチングレジストパターンを再形成して前記導電性パターンを覆うようにすることができる。
前記ｅ）ステップにおいて、前記エッチングレジストパターンの除去は、エッチングレジストパターン材料の種類に応じて当技術分野で知られた方法を利用することができる。
前記ｆ）ステップにおいて、「覆う（ｃｏｖｅｒｉｎｇ）」という用語は、エッチングレジストパターンの形態が変化しながらリフロー（ｒｅｆｌｏｗ）して、導電性パターンの側面と基板に密着して導電性膜を外部と絶縁させることを意味する。また、本発明において、「再形成（ｒｅｆｏｒｍｉｎｇ）」という用語は、本明細書で定義される用語であって、エッチングレジストパターンが流動性を示しつつ形態が変化して、下部にある導電性パターンを覆う現象を意味する。
前記ｆ）ステップにおいて、前記エッチングレジストパターンの再形成は、例えば、熱、溶媒あるいはその蒸気（溶媒の蒸気）、プラズマ処理などによってエッチングレジストパターンに流動性を付与して変形を起こした後、熱またはプラズマの追加処理または溶媒の除去によって前記エッチングレジストパターンが硬化する化学的な現象を利用することができる。あるいは、前記エッチングレジストパターンに圧力を加えて物理的に変形を起こすこともできる。
前記エッチングレジストパターンの再形成は熱または溶媒（または溶媒の蒸気）を利用することがより好ましく、この時、前記で記述したようにエッチングレジストパターン材料として可塑性または硬化性高分子材料を用いることが好ましい。
熱を利用してエッチングレジストパターンを再形成する場合、熱を加えることによってエッチングレジストパターン材料が、流動性を示し、基板とエッチングレジストパターンとの間の空間に落ちた後、熱をさらに加えれば、前記材料が硬化し流動性がなくなるようにする方法が好ましい。この時、加熱温度は、エッチングレジストパターン材料に応じて当業者が適切に選択することができる。前記加熱条件は、エッチングレジストパターンが所望の架橋度、例えば１０％〜１００％や、所望の絶縁特性、例えば漏れ電流１０−１アンペア以下を有するように調節することが好ましい。例えば、１２０℃〜３５０℃の温度で加熱して、５℃／分〜６０℃／分で昇温するようにすることが好ましい。また、同一の温度の熱処理またはそれぞれ異なる温度における重複熱処理も可能である。具体的な例として、エッチングレジストパターン材料としてイミド系樹脂を用いる場合には、２５０℃〜３００℃の温度で熱処理することができる。また他の例として、エッチングレジストパターン材料としてノボラック系樹脂を用いる場合には、１２０℃〜１４０℃の温度で熱処理することができる。
また、溶媒または溶媒の蒸気を利用してエッチングレジストパターンを再形成する場合、エッチングレジストパターンに溶媒の蒸気（ｆｕｍｅ）雰囲気に露出させることができる（ｓｏｌｖｅｎｔ ａｎｎｅａｌｉｎｇ）。これにより、溶媒とエッチングレジストパターン材料が反応すれば、エッチングレジストパターン材料が流動性を示し、これによってエッチングレジストパターンが変形して基板と接触する。次に、溶媒が乾燥するほどの一定の温度で加熱して溶媒を除去すれば、前記エッチングレジストパターン材料が硬化して流動性がなくなる再形成方法が好ましい。この時、溶媒はエッチングレジストパターン材料に応じて当業者が適切に選択することができ、エッチングレジストパターン材料が溶解され得る溶媒群から選択することが好ましい。例えば、エッチングレジストパターン材料としてノボラック樹脂を用いる場合には、溶媒としてＩＰＡを用いることができる。また、乾燥温度は、選択された溶媒の沸点の近くが適切であり、常温〜３００℃の間が好ましいが、これに限定されるものではない。
本発明において、前記エッチングレジストパターンを形成するｂ）ステップの途中または以後には、ベーク工程を遂行することが好ましい（図１および図４）。具体的には、前記ベーク工程は、ｂ）ステップの途中、基板上にエッチングレジスト層を形成した後、エッチングレジストパターンを形成した後、またはｃ）ステップにおける導電性パターンの形成前に遂行することが好ましい。ベークとは、前記エッチングレジストパターンとこれに隣接する層との間の接着力を付与すると同時に、エッチングレジストパターンを少なくとも一部硬化させることによって、ベークステップまたはその後のステップにおけるエッチングレジストパターンの変形を防止し、必要な場合、その後に遂行されるエッチングレジストパターンの再形成ステップにおいて、エッチングレジストパターンがリフローする形状を安定的に形成できるように遂行することが好ましい。ベーク工程によって達成しようとするエッチングレジストパターンの硬化度はエッチングレジストパターンの材料や、必要な場合、その後に遂行される再形成条件に応じて当業者が決定することができ、例えば、硬化度は０％〜１００％の範囲内であってもよい。
前記ベーク工程の条件は、エッチングレジストパターンの材料、エッチングレジストパターンの厚さ、導電線の形成に用いられるエッチング条件、例えば、エッチング液の種類、エッチング時間、エッチング温度などに応じて当業者が選択することができる。ベーク温度が高すぎると、エッチングレジストパターンの架橋度が高すぎて変形、例えばパターン領域の歪みなどが生じる。
一例として、エッチングレジストパターンをノボラック系高分子を用いてフォトリソグラフィ方法によって形成する場合、前記ベーク温度は８０度〜１５０度で２分〜３分間遂行することが好ましい。また他の一例として、エッチングレジストパターンをノボラック系高分子を用いて印刷法によって形成する場合、前記ベークは１２５度〜１３０度で２分〜３分間遂行することが好ましい。また他の一例として、エッチングレジストパターンをアクリル系高分子を用いて形成する場合、前記ベークは１７０度〜２３０で５分〜６０分間遂行することが好ましい。また他の一例として、エッチングレジストパターンをＰＳＰＩ高分子を用いて形成する場合、前記ベーク温度は１２０度〜３００度で１分〜６０分間遂行することが好ましい。
前記ベーク温度が低すぎる場合には、ベークを遂行するのに伴う架橋効果を得ることが難しく、前記ベーク温度が高すぎる場合には、エッチングレジストパターンの歪みなどによって形状が変形する。前記ベーク時間は前述した材料または工程条件によって異なり、例えば、２分〜３分程度遂行することができるが、これに限定されるものではない。
本発明において、前記エッチングレジストパターン材料としてＵＶ硬化性樹脂を用いる場合には、ｂ）ステップの途中または以後には露光および焼成を遂行することもできる。このような例を図５に例示する。
本発明による方法は、前記ｃ）ステップ、ｅ）ステップまたはｆ）ステップ後に洗浄ステップをさらに含むことができる。この洗浄ステップにおいては、前記ｃ）ステップで用いたエッチング液を用いることができる。この洗浄ステップを遂行することによって異物を除去することができる。
本発明の一実施形態によるタッチスクリーンは前記導電性パターンのテーパー角が低いことを特徴とし、前記テーパー角は９０度未満、好ましくは４５度以下、より好ましくは３０度以下である。
本発明において、ｆ）ステップを行う場合には、本発明によるタッチスクリーンは、エッチングレジストパターンの材料に応じ、エッチングレジストパターンが残りの領域と硬化度が相異なる領域を含むことができる。前記残りの領域と硬化度が相異なる領域は、前記エッチングレジストパターンが再形成されない領域と再形成された領域の境界部分において発生し、前記境界部分に帯状で形成される。前記帯は前記断面において残りの部分に比べて上部に突出した形状を有する。図７において、帯状を観察することができる。
本発明においては、前記エッチングレジストパターンが再形成されることによって、前記導電性パターンの末端地点と前記エッチングレジストパターンの末端地点との間の距離が０〜１マイクロメートルまたは５マイクロメートル以上に制御される。特に、エッチングレジストパターン材料として熱硬化性樹脂を用いる場合には、前記導電性パターンの末端地点と前記エッチングレジストパターンの末端地点との間の距離が０〜１マイクロメートルと非常に短い。一方、エッチングレジストパターン材料として熱可塑性樹脂を用いる場合には、前記導電性パターンの末端地点と前記エッチングレジストパターンの末端地点との間の距離が５マイクロメートル以上と比較的長い。
本発明において、前記エッチングレジストパターンの再形成を行う場合、導電性パターンと前記エッチングレジストパターンとの間にボイドが観察される。これは、従来に導電性パターン上に絶縁層を形成する場合にはボイドが観察されないこととは相異なる。本発明において、前記ボイドの厚さ（最も長い辺と最も短い辺の最短距離）は０超過、前記導電性パターンの厚さ以下であることが好ましく、０超過、導電性パターン厚さの０．７以下であることがより好ましい。
本発明の一実施形態によるタッチスクリーンにおいては、前記再形成されたエッチングレジストパターンのテーパー角が導電性パターンのテーパー角より大きくてもよい。
本発明による方法によって製造されたタッチスクリーンにおいて、前記再形成されたエッチングレジストパターンの断面形状は、例えば半円形であってもよい。
本発明の一実施様態によるタッチスクリーンにおいて、前記導電性パターンの線幅は特に制限されないが、前記導電性パターンは１００マイクロメートル以下、好ましくは０．１〜３０マイクロメートル、より好ましくは０．５〜１０マイクロメートル、さらに好ましくは１〜５マイクロメートルの微細線幅を有することができる。特に、前述した方法において、エッチングレジストパターンをマスクとして利用して導電性膜をエッチングする時、オーバーエッチングを遂行してアンダーカットが形成されるようにすることによって、より微細な線幅を実現することができる。
本発明によるタッチスクリーンは導電性パターン上に配置され、前記導電性パターンを覆う絶縁層パターン、または導電性パターンに相応するパターンを有するが、導電性パターンの線幅より長い線幅を有するエッチングレジストパターンをさらに含むことができる。前記導電性パターンを覆う絶縁層パターンは図１２および図１３のような構造を有し、導電性パターンに相応するパターンを有するが、導電性パターンの線幅より長い線幅を有するエッチングレジストパターンは図８〜図１１のような構造を有する。しかし、図面によって本発明の範囲が限定されるものではない。
このような構造は、前述した方法により導電性パターンを形成した後、前記導電性パターンを形成するためにマスクとして用いたエッチングレジストパターンを除去しないことによって製造することができる。この時、前記エッチングレジストパターンは絶縁性を有することが好ましい。
前記導電性パターン上にエッチングレジストパターンが備えられた場合には、エッチングレジストパターンの物質の種類およびその３次元的形状の制御を通じて追加的な光学的特性の付与が可能である。本発明による導電性パターン上に前記導電性パターンの線幅より長い線幅を有するエッチングレジストパターンが備えられた構造を図８〜図１１に例示する。しかし、これらの図面に例示された構造だけに限定されるものではなく他の構造を有することもでき、前記エッチングレジストパターンを除去することもできる。
本発明の一実施形態によるタッチスクリーンは、基板、前記基板の少なくとも一面に形成された導電性パターン、および前記導電性パターンを覆う絶縁層パターンまたは前記導電性パターンに相応するパターンを有するが導電性パターンの線幅より長い線幅を有する絶縁層パターンを含み、前記導電性パターンの線幅方向の断面において、前記導電性パターンの一側端部から前記絶縁層パターンまでの距離（ａ）と前記導電性パターンの他側端部から前記絶縁層パターンまでの距離（ｂ）の百分比（ａ／ｂ＊１００）が９０〜１１０の範囲内であることを特徴とする。前記百分比は９５〜１０５が好ましく、９９〜１０１がより好ましい。本発明による方法において、前記絶縁層パターンと導電性パターンを別個のマスクを利用して形成するか、別個の印刷方法を利用して形成せずに、絶縁層パターンをマスクとして利用して導電性パターンを形成した後、前記絶縁層パターンを再形成して利用することによって、導電性パターン上に位置した絶縁層パターンが前記導電性パターンに対して対称的な構造で存在し得る。このような対称的な構造を図１２〜および図１５に例示したが、このような構造に本発明の範囲が限定されるものではない。
本発明の方法によれば、タッチスクリーンの製造過程の途中、エッチングレジストパターンまたは導電性パターンの形成時にパターン不良が発生する場合にもショートが発生しない絶縁された導電性パターンを提供することができる。ここで、パターン不良とは、パターン形態以外の部分に導電性パターンを形成するための絶縁性パターンが形成された場合を意味する。本発明においては、導電性パターンの形成時に用いたエッチングレジストパターンを除去せず、エッチングレジストパターンの形態を再形成（ｒｅｆｏｒｍｉｎｇ）することによって導電性パターンを絶縁させるのに利用する。このため、前記絶縁性パターンによって絶縁されない導電性パターンが存在しなくなる。したがって、エッチングレジストパターンまたは導電性パターンの形成時にパターン不良が発生する場合にも、基板に導電性物質のような異質物が残らないのでショートが発生しない。従来技術においては、絶縁層パターンのパターン不良で導電性パターンを全て覆うことができなかったり、導電性パターンのパターン不良で絶縁層パターンによって覆われていない導電性パターンが存在する場合にショートが発生し得る。これに反し、本発明においては、前述した理由で不良率を大幅に減らすことができ、従来技術に必要であった導電性パターン不良領域の除去のための追加的な洗浄またはエッチング工程が導入される必要がない。このような本発明の効果を図１６に示す。したがって、本発明の方法によれば、パターン不良によるショートが実質的に発生しない絶縁された導電性パターンを提供することができる。
本発明の実施形態による導電性パターンを含むタッチスクリーンの例を図１７および図１８に示す。図１７は単層または多層の基材の一面に導電性パターンが備えられた構造であり、図１８は単層または多層の基材の両面に導電性パターンが備えられた構造である。
本発明の一実施形態による電子素子の一例であるタッチスクリーンの構造を図１９に示す。図１９によるタッチスクリーンは、基板、基板上に備えられた第１導電性パターン、前記第１導電性パターン上に備えられた第１絶縁層、前記第１絶縁層上に備えられた第２導電性パターンおよび前記第２導電性パターン上に備えられた第２絶縁層を含む。
しかし、本発明の範囲が図１７〜図１９に限定されるものではない。
本発明によるタッチスクリーンの製造方法を図２０および図２１に例示する。図２０は単一基板を利用してタッチスクリーンを製造した例であり、図２１は２枚の基板を利用して導電性パターンを形成した後にこれをラミネーションすることによってタッチスクリーンを製造した例である。
本発明によるタッチスクリーンの導電性パターンは直線または曲線によって分割されることができる。ここで、分割とは、導電性パターンが特定パターンによって途切れていることを意味する。このような分割によって外部タッチの認識度を高めることができ、透明度を向上させることができる。分割された形態は特に限定されず、製造工程上の容易性を考慮して直線、曲線またはジグザグなどを利用することができ、例えば図２２および図２３のような形態を有することができる。線幅１５マイクロメートル、ピッチ２００マイクロメートルのメッシュを、各々、線幅を５〜９０まで変化させた線で分割した場合と、導電線をメッシュ上に置いた場合の視認性の評価結果を図３８に示す。また、線幅３０マイクロメートル、ピッチ２００マイクロメートルのメッシュを、各々、線幅を５〜９０まで変化させた線で分割した場合と、導電線をメッシュ上に置いた場合の視認性の評価結果を図３９に示す。視認性の評価結果（右側）中、陰影表示領域は人が容易に認知できない領域に該当する。
本発明によるタッチスクリーンは外部電圧に連結されることができ、この時、図２４および図２５のような構造を有するが、特に限定されるものではない。外部電圧が連結される導線のＰＡＤ部は絶縁層を除去することが好ましい。
本発明によるタッチスクリーンの導電性パターンの面抵抗は２００オーム／スクエア〜０．００１オーム／スクエアであることが好ましい。
本発明によるタッチスクリーンの導電性パターンは、厚さが１０マイクロメートル以下であることが好ましく、３００ｎｍ以下であることがより好ましく、１００〜３００ｎｍであることがさらに好ましい。前記導電性パターンの構成物質の種類に応じて比抵抗値が決定され、導電性パターンの厚さに応じて面抵抗値が調節される。本発明においては、前述したようにエッチングレジストパターンをマスクとして利用して導電性パターンを形成する方法を利用することによって、直接導電性パターンを印刷する場合に比べて厚さが薄い導電性パターンを得ることができる。
本発明による導電性パターンは、開口率が８５％〜９８％であり、面抵抗が１オーム〜２００オームであり、厚さが１００〜３００ｎｍであり、線幅が０．１〜１０マイクロメートルであり、下記式１を満足することが好ましい。
［式１］
ａ／（１−開口率）＝Ａ
前記式１において、
ａは、導電性パターンを構成する物質からなる層の厚さｔにおける面抵抗であり、
Ａは、導電性パターンの厚さｔにおける面抵抗である。
本発明による導電性パターンは下記式２および式３を満足することが好ましい：
［式２］
ａ／［１−（Ｒ−Ｌ）２／Ｒ２］＝Ａ
［式３］
（Ｒ−Ｌ）２／Ｒ２×Ｔｓ＝Ｔｃ
前記式２および式３において、
Ｒは、導電性パターンのピッチであり、
Ｌは、導電性パターンの線幅であり、
ａは、導電性パターンを構成する物質からなる層の厚さｔにおける面抵抗であり、
Ａは、導電性パターンの厚さｔにおける面抵抗であり、
Ｔｓは、基板そのものの透過率であり、
Ｔｃは、導電性パターンを有する基板の透過率である。
本明細書において、開口率とは、積層体の全面において、導電性パターンが形成されない面積の比率を意味し、透過率とは、可視光が基板を通過しながら表れる光の透過比率を意味する。
本発明によるタッチスクリーンの導電性パターンは、位置別導電性パターンの厚さ偏差が３％以内であることが好ましく、２％以内であることがより好ましい。本発明による導電性パターンは、位置別導電性パターンの線幅の偏差が３０％以内であることが好ましく、２０％以内であることがより好ましい。本発明においては、導電性パターンの形成時にエッチングレジストパターンをマスクとして利用することによって、導電性インクまたはペーストを直接印刷して形成する従来技術に比べて、導電性パターンの厚さおよび／または線幅の偏差を減らすことができる。
本発明によるタッチスクリーンの導電性パターンは、７インチ（ｉｎｃｈ）以上の面積に連続的に形成されたパターン形態を有することが好ましく、１０インチ〜５０インチの面積を有することが好ましい。ここで、連続的に形成されたパターン形態ということは連結跡がないことを意味する。本発明においては、前述したオーバーエッチング方法を利用することによって、超微細線幅を有する導電性パターンを連結跡なしで大面積に形成することができる。このような大面積の超微細線幅を有する導電性パターンは、従来技術によって達成することができなかったものである。前記連結跡とは、小面積に製作した導電性パターンを連結して大面積を実現するための痕跡であり、例えば、小面積の導電性パターンを、パッド部を利用して連結する方法を利用することができる。この時、透過率は８５％〜９８％であることが好ましく、伝導度は０．１オーム〜１００オームであることが好ましい。これは、最小限の電気的伝導度を有しつつ、これを用いた電子機器がディスプレイのような電子素子に付着された時、これを大きく認知できないようにするための設計的なデザイン数値である。
前記タッチスクリーンに含まれる導電性パターンは規則的であってもよく、非規則的であってもよい。規則的なパターンのピッチは数〜２０００マイクロメートルであってもよく、５００マイクロメートル以下であることが好ましく、２５０マイクロメートル以下であることがより好ましい。タッチスクリーンの導電性パターンのピッチはディスプレイのペクセルの大きさより小さいことが好ましい。
一実施形態において、前記タッチスクリーンに含まれる導電性パターンは基板の全体面積の３０％以上、好ましくは７０％以上、より好ましくは９０％以上が、分布が連続的な閉鎖図形からなり、前記閉鎖図形の面積の平均値に対する標準偏差の比率（面積分布比率）が２％以上である形態を有し得る。これにより、モアレ現象を防止すると同時に優れた電気伝導度と光学的特性を満足することができる。
前記閉鎖図形は少なくとも１００個存在することが好ましい。
前記閉鎖図形の面積の平均値に対する標準偏差の比率（面積分布比率）が２％以上であることが好ましく、１０％以上であることがより好ましく、２０％以上であることがさらに好ましい。
面積の平均値に対する標準偏差の比率（面積分布比率）が２％以上である閉鎖図形からなるパターンは、基板の全体面積に対して３０％以上であることが好ましい。前記のような導電性パターンが備えられた基板の表面の少なくとも一部には他の形態の導電性パターンに備えられることもできる。
図２６は、本発明の一実施形態によるタッチスクリーンの導電性パターンを例示したものである。このようなパターンの面積分布比率は２０％以上、例えば２０％〜３５％である。
また他の一実施形態において、前記タッチスクリーンに含まれる導電性パターンは基板の全体面積の３０％以上、好ましくは７０％以上、より好ましくは９０％以上が、前記導電性パターンと交差する直線を描いた時、前記直線と前記導電性パターンの隣接する交点間の距離の平均値に対する標準偏差の比率（距離分布比率）が２％以上である形態を有し得る。これによってもモアレ現象を防止すると同時に優れた電気伝導度と光学的特性を満足することができる。
前記導電性パターンと交差する直線は、前記導電性パターンとの隣接する交点間の距離の標準偏差が最も小さい線であることが好ましい。あるいは、前記導電性パターンと交差する直線は、前記導電性パターンのある一点の接線に対して垂直した方向に延びた直線であることが好ましい。
前記導電性パターンと交差する直線は、前記導電性パターンとの交点が８０個以上であることが好ましい。
前記導電性パターンと交差する直線と前記導電性パターンの隣接する交点間の距離の平均値に対する標準偏差の比率（距離分布比率）が２％以上であることが好ましく、１０％以上であることがより好ましく、２０％以上であることがさらに好ましい。
前記導電性パターンと交差する直線と前記導電性パターンの隣接する交点間の距離の平均値に対する標準偏差の比率（距離分布比率）が２％以上であるパターンは、基板の全体面積に対して３０％以上であることが好ましい。前記のような導電性パターンが備えられた基板の表面の少なくとも一部には他の形態の導電性パターンが備えられることもできる。
図２７および図２８は導電性パターンに任意の線を描いた時を示すものである。しかし、本発明の範囲がこれらに限定されるものではない。図２７は導電性パターンが互いに交差しない１次元の形態であり、図２８は電気導電性パターンが互いに交差して少なくとも一部領域に閉鎖図形の形態が形成された２次元の形態である。また１つの前記導電性パターンの例を図２９に図示したが、本発明の範囲がこれらだけに限定されるものではない。
本発明によるタッチスクリーンにおいて、均一な伝導度および視覚性のためにパターンの開口率が単位面積において一定であることが好ましい。前記導電性パターンが備えられた基板は、有効画面部内の直径０．５ｃｍの任意の円内部およびタッチスクリーン内の任意のｎ個の位置において測定した透過率偏差（人為的パターン断線部を含まない領域基準）が５％以下であることが好ましい。この場合、前記導電性パターンが備えられた基板の局部的な導電性を防止することができる。
本発明において、前記導電性パターンは直線からなってもよいが、曲線、波線、ジグザグ線などの多様な変形が可能である。また、前記形態の線のうちの少なくとも２種類が混在された形態であってもよい。
本発明の一実施形態によれば、前記導電性パターンは、ボロノイ図（Ｖｏｒｏｎｏｉ ｄｉａｇｒａｍ）をなす図形の境界線形態であってもよい。
本発明において、前記導電性パターンを、ボロノイ図をなす図形の境界線形態に形成することによってモアレ現象を防止することができる。ボロノイ図（Ｖｏｒｏｎｏｉ ｄｉａｇｒａｍ）とは、満たそうとする領域にボロノイ図ジェネレータ（Ｖｏｒｏｎｏｉ ｄｉａｇｒａｍ ｇｅｎｅｒａｔｏｒ）という点を配置すれば、各点が他の点からの距離に比べ、該当点との距離が最も近い領域を満たす方式でなされるパターンである。例えば、全国の大型割引店を点で表示し、消費者が最も近い大型割引店に行くとする時、各割引店の商圏を表示するパターンを例に挙げることができる。すなわち、正六角形で空間を満たし、正六角形の各点をボロノイジェネレータに選定すれば、ハチの巣（ｈｏｎｅｙｃｏｍｂ）構造が前記導電性パターンになり得る。本発明において、ボロノイ図ジェネレータを利用して導電性パターンを形成する場合、他の規則的なパターンとの干渉によって生じ得るモアレ現象を防止できる複雑なパターン形態を容易に決定できるという長所がある。図３０にボロノイ図ジェネレータを用いたパターン形成が示されている。前記導電性パターンの一例を図３１〜図３３に示したが、本発明の範囲がこれらだけに限定されるものではない。
本発明においては、ボロノイ図ジェネレータの位置を規則または不規則に位置させることによって前記ジェネレータから派生したパターンを利用することができる。
導電性パターンを、ボロノイ図をなす図形の境界線形態に形成する場合にも、前述したような視覚的な認知性の問題を解決するために、ボロノイ図ジェネレータを生成する時に規則性と不規則性を適切に調和させることができる。例えば、パターンが入る面積に一定大きさの面積を基本単位（ｕｎｉｔ）に指定した後、基本単位の中における点の分布が不規則性を有するように点を生成した後にボロノイパターンを製作することもできる。このような方法を利用すれば、線の分布がある一地点に偏らないようにするので視覚性を補完することができる。
前述したように、均一な導電性および視覚性のためにパターンの開口率を単位面積において一定にする場合、ボロノイ図ジェネレータの単位面積当たり個数を調節することができる。この時、ボロノイ図ジェネレータの単位面積当たり個数を均一に調節する時、前記単位面積は５ｃｍ２以下であることが好ましく、１ｃｍ２以下であることがより好ましい。前記ボロノイ図ジェネレータの単位面積当たり個数は２５〜２，５００個／ｃｍ２であることが好ましく、１００〜２，０００個／ｃｍ２であることがより好ましい。
前記単位面積内のパターンを構成する図形のうちの少なくとも１つは残りの図形とは相異なる形態を有することが好ましい。
本発明のまた他の一実施形態によれば、前記導電性パターンは、ドローネパターンをなす少なくとも１つの三角形からなる図形の境界線形態であってもよい。具体的には、前記導電性パターンの形態は、ドローネパターンを構成する三角形の境界線形態であるか、ドローネパターンを構成する少なくとも２個の三角形からなる図形の境界線形態であるか、これらの組み合わせ形態である。
前記導電性パターンを、ドローネパターンをなす少なくとも１つの三角形からなる図形の境界線形態に形成することによって、光の回折および干渉による副作用を最小化することができる。ドローネパターン（Ｄｅｌａｕｎａｙ ｐａｔｔｅｒｎ）とは、パターンを満たそうとする領域にドローネパターンジェネレータ（ｇｅｎｅｒａｔｏｒ）という点を配置し、周辺に位置した３個の点を互いに連結して三角形を描くが、三角形の全ての頂点を含む円（ｃｉｒｃｕｍｃｉｒｃｌｅ）を描いた時、前記円内には他の点が存在しないように三角形を描くことによって形成されたパターンである。このようなパターンを形成するために、ドローネパターンジェネレータに基づいてドローネ三角形分割（Ｄｅｌａｕｎａｙ ｔｒｉａｎｇｕｌａｔｉｏｎ）と円描き（ｃｉｒｃｕｌａｔｉｏｎ）を繰り返すことができる。前記ドローネ三角形分割は、三角形の全ての角の最小角度を最大化して、細型の三角形を避ける方式で遂行される。前記ドローネパターンの概念はＢｏｒｉｓ Ｄｅｌａｕｎａｙによって１９３４年に提案された。前記ドローネパターンの形成例を図３４に示す。また、ドローネパターンの例を図３５〜図３７に示す。しかし、本発明の範囲がこれらだけに限定されるものではない。
前記ドローネパターンをなす少なくとも１つの三角形からなる図形の境界線形態のパターンは、ドローネパターンジェネレータの位置を規則または不規則に位置させることによって、前記ジェネレータから派生したパターンを利用することができる。本発明において、ドローネパターンジェネレータを利用して導電性パターンを形成する場合、モアレ現象を防止できる複雑なパターン形態を容易に決定できるという長所がある。
導電性パターンを、ドローネパターンをなす少なくとも１つの三角形からなる図形の境界線形態に形成する場合にも、視覚的な認知性の問題および局部的な導電性の問題を解決するために、ドローネパターンジェネレータを生成する時に規則性と不規則性を適切に調和させることができる。例えば、先ず、パターンが入る面積に不規則でありつつ均質な基準点を生成する。この時、不規則であるということは、各点間の距離が一定ではないことを意味し、均質であるということは、単位面積当たりに含まれる点の個数が同一であることを意味する。
上記のように不規則でありつつ均質な基準点を生成する方法を例に挙げれば次の通りである。図４５の１に示すように、全面積に任意の点を生成する。その次、生成された点の間隔を測定し、点の間隔が既に設定された値より小さい場合には点を除去する。また、点に基づいてドローネ三角形パターンを形成し、その三角形の面積が既に設定された値より大きい場合には三角形の内部に点を追加する。前記過程を繰り返し行えば、図４５の２に示すように不規則でありつつ均質な基準点が生成される。次に、生成された基準点を１つずつ含むドローネ三角形を生成する。このステップはドローネパターンを利用してなされる。このような方法を利用すれば、線の分布がある一地点に偏らないようにするので視覚性を補完することができる。
前述したように、均一な導電性および視覚性のためにパターンの開口率を単位面積において一定にする場合、ドローネパターンジェネレータの単位面積当たり個数を調節することが好ましい。この時、ドローネパターンジェネレータの単位面積当たり個数を均一に調節する時、前記単位面積は５ｃｍ２以下であることが好ましく、１ｃｍ２以下であることがより好ましい。前記ドローネパターンジェネレータの単位面積当たり個数は２５〜２，５００個／ｃｍ２であることが好ましく、１００〜２，０００個／ｃｍ２であることがより好ましい。
前記単位面積内のパターンを構成する図形のうちの少なくとも１つは残りの図形とは相異なる形態を有することが好ましい。
本発明の一実施形態によれば、人為的に前記導電性パターンの少なくとも一部を残りのパターンとは異に形成することができる。このような構成によって所望の導電性パターンを得ることができる。例えば、目的により、一部領域が残りの面積に比べて導電性がより高いことが要求されるか、一部領域にタッチの認知がより敏感に要求される場合、該当領域と残りの領域の導電性パターンを異にすることができる。導電性パターンの少なくとも一部を残りの印刷パターンと異にするために印刷パターンの線幅や線間隔を異にすることができる。一例として、静電容量式タッチスクリーンの場合、側面のパッド（ｐａｄ）と連結される部分は高導電性の有無が大きい核心となっている。
本発明の一実施形態によれば、前記伝導体は、導電性パターンが形成されない領域を含むことができる。
本発明の一実施形態によれば、前記導電性パターンは黒化することができる。高温で金属材料を含むペーストを焼成すれば、金属光沢が発現され、光の反射などによって視認性が悪くなり得る。このような問題は、前記導電性パターンを黒化させることによって防止することができる。前記導電性パターンを黒化させるために、導電性パターン形成のためのペーストに黒化物質を添加するか、前記ペーストを印刷および焼成後黒化処理を行うことによって導電性パターンを黒化させることができる。
前記ペーストに添加できる黒化物質としては、金属酸化物、カーボンブラック、カーボンナノチューブ、黒色顔料、着色されたガラスフリットなどが挙げられる。この時、前記ペーストの組成は、導電性パターン材料５０〜９０重量％、有機バインダー１〜２０重量％、黒化物質１〜１０重量％、ガラスフリット０．１〜１０重量％、溶媒１〜２０重量％にすることが好ましい。
前記焼成後黒化処理をする時、ペーストの組成は、導電性パターン材料５０〜９０重量％、有機バインダー１〜２０重量％、ガラスフリット０．１〜１０重量％、溶媒１〜２０重量％にすることが好ましい。焼成後黒化処理は、酸化溶液、例えばＦｅまたはＣｕイオン含有溶液に浸漬、塩素イオンなどのハロゲンイオン含有溶液に浸漬、過酸化水素、硝酸などへの浸漬、ハロゲンガスでの処理などがある。
前記モアレ現象の防止効果を極大化するために、前記導電性パターンを、非対称構造の図形からなるパターン面積が、全体パターン面積に対して１０％以上になるように形成することができる。また、ボロノイ図をなすある１つの図形の中心点を前記図形と境界をなす隣接図形の中心点と連結した線のうちの少なくとも１つが残りの線と長さが相異なる図形の面積が、全体導電性パターン面積に対して１０％以上になるように形成することができる。また、前記ドローネパターンをなす少なくとも１つの三角形からなる図形をなす少なくとも1辺が残りの辺と長さが相異なる図形からなるパターン面積が、全体導電性パターンが形成された面積に対して１０％以上になるように形成することができる。
前記のようなパターンによってモアレ現象を回避することができるが、前記導電性パターンの線幅およびピッチを調節することによってモアレ現象の回避を極大化することができる。具体的には、前記導電性パターンは１００マイクロメートル以下、好ましくは０．１〜３０マイクロメートル、より好ましくは０．５〜１０マイクロメートル、さらに好ましくは１〜５マイクロメートルの微細線幅を有することによって細かいモアレ現象まで防止することができる。また、前記導電性パターンのピッチをディスプレイのピクセルの大きさ単位と一致させないことによって、例えば、長軸方向に２５０マイクロメートルのサブピクセル（Ｓｕｂ Ｐｉｘｅｌ）を有するディスプレイの場合、導電性パターンのピッチ間隔が２５０ピッチを避けることによってピクセル干渉によるディスプレイの色の歪み現象まで防止することができる。線幅およびピッチによるモアレ現象を図４０に示す。１０マイクロメートル以下の線幅およびピッチ変化によるモアレを評価した結果、１、３マイクロメートルの場合、細かいモアレの発生がなくなることを確認することができる。また、２５０ピッチの場合、虹色の光が観察された。これにより、ＬＣＤのようなディスプレイのピクセル（ｐｉｘｅｌ）長軸長さとの関連性を確認することができる。
以下、実施例を通じて本発明を例示する。但し、以下の実施例は本発明を例示するためのものであって、これによって本発明の範囲が限定されるのではない。
実施例
（実施例１）
タッチスクリーン製作のために０．５ｔガラス上にＭｏＴｉ合金を３０ｎｍの厚さで蒸着した後、その上に再びＣｕを２００ｎｍの厚さで、再びその上にＭｏを３０ｎｍの厚さでスパッタリング工程を利用して蒸着したガラス基板を製造した。
次に、リバースオフセットプリンティングを利用し、線幅８ミクロン／ピッチ２００ミクロンの大きさを有するボロノイ不規則パターンを有するクリシェ（Ｃｌｉｃｈｅ）を利用して、エッチングレジストインク（ノボラック樹脂組成物（韓国、（株）ＬＧ化学社製の商品名ＬＧ４１２ＤＦ））を印刷した。その後、印刷されたサンプルを１３０度で３分間ベーク工程を経た後、ＥＮＦ社製（韓国）のＣｕ ｅｔｃｈａｎｔ（ＥＬＣＥ−１００）を利用して、４０度で約１１０秒間エッチング（ｊｕｓｔ ｅｔｃｈｉｎｇ ｔｉｍｅ ３０ｓｅｃ）した。次に、前記ボロノイパターンのエッチングレジストインクを除去した。
これによって製造された導電性パターンは図４１の通りであり、導電性パターンの線幅は２．６５マイクロメートルであった。前記エッチング後エッチングレジスト除去前の写真を図４２に示し、前記エッチングレジストインクの除去後の導電性パターンの写真を図４３に示す。
次に、絶縁層のエッチングレジストで覆われた電極のＰＡＤ部をＬＧ化学社製のＬＧＳ１００ストリッパーを利用して部分除去した。
このような工程を１５０ミクロン厚さのＰＥＴ上に蒸着した同一金属に対して繰り返し行った後、これを１００厚さの粘着フィルム（アクリル樹脂系）を利用して接合し（この時、ＡＣＦ連結位置は付着時に粘着剤を除去しておく）、その次にＡＣＦを付着することによってタッチスクリーンを完成した。
（実施例２）
タッチスクリーン製作のために０．５ｔガラス上にＮｉ金属を２０ｎｍの厚さで蒸着した後、その上に再びＡｇを２００ｎｍの厚さで、再びその上にＮｉを２０ｎｍの厚さでスパッタリング工程を利用して蒸着したガラス基板を製造した。
次に、グラビアオフセットプリンティングを利用し、線幅８ミクロン／ピッチ２００ミクロンの大きさを有するボロノイ不規則パターンをクリシェ（Ｃｌｉｃｈｅ）を利用して、ＵＶ硬化型インク（ナトコ社（日本）ＬＧＰ−７）を印刷した。
次に、印刷されたサンプルを、ＵＶ硬化を約５００ｍＪ／ｃｍ２で露光した後、再び基板を１３０度で３０分間ベーク工程を遂行した。次に、ＺＥＵＳ社製（韓国）のＡｌ ｅｔｃｈａｎｔ（リン酸、硝酸、酢酸および水の混合溶液）を利用して、４０度で約６０秒間エッチング（ｊｕｓｔ ｅｔｃｈｉｎｇ ｔｉｍｅ ２０ｓｅｃ）した。これによって製造された導電性パターンは図１５の通りである。ＵＶ硬化型インクが透明であるので内部線幅の測定が可能であり、導電性パターンの線幅は３．７４マイクロメートルであり、絶縁層パターンの線幅は７．６１マイクロメートルであった。前記導電性パターンの写真を図４４に示す。
次に、絶縁層のエッチングレジストで覆われた電極のＰＡＤ部を、ＫＯＨ ３０％溶液を用いて部分除去した。
このような工程を１５０ミクロン厚さのＰＥＴ上に蒸着した同一金属に対して繰り返し行った後、これを１００厚さの粘着フィルム（アクリル樹脂系）を利用して接合し（この時、ＡＣＦ連結位置は付着時に粘着剤を除去しておく）、その次にＡＣＦを付着することによってタッチスクリーンを完成した。

Claims (29)

  1. ａ）基板上に導電性膜を形成するステップ；
    ｂ）前記導電性膜上にエッチングレジストパターンを形成するステップ；および
    ｃ）前記エッチングレジストパターンを利用して前記導電性膜をオーバーエッチングすることによって、前記エッチングレジストパターンの幅より小さい線幅を有する第１導電性パターンを形成するステップ
    を含み、
    前記ｂ）ステップにおいて、前記エッチングレジストパターンのラインエッジラフネス（ＬＥＲ）は、前記ｃ）ステップで形成しようとする前記第１導電性パターンの線幅の１／２以下に調節される、タッチスクリーンの製造方法。
  2. 前記ｃ）ステップ後に、ｄ）第２導電性パターンを形成するステップとして、ｄ１）導電性膜を基板ではない前記第１導電性パターン上に形成したことを除いては、前記ａ）ステップ〜前記ｃ）ステップと同一に実施して、第２導電性パターンを形成するステップをさらに含む、請求項１に記載のタッチスクリーンの製造方法。
  3. 前記ｃ）ステップ後に、ｄ）第２導電性パターンを形成するステップとして、ｄ２）前記基板の前記第１導電性パターンが形成された面の反対側面において、前記ａ）ステップ〜前記ｃ）ステップと同一に実施して、前記基板上に第２導電性パターンを形成するステップをさらに含む、請求項１に記載のタッチスクリーンの製造方法。
  4. 前記ｃ）ステップ後に、ｄ）第２導電性パターンを形成するステップとして、ｄ３）別途の基板上に前記ａ）ステップ〜前記ｃ）ステップと同一に実施して第２導電性パターンを形成した後、前記第２導電性パターンが形成された基板の基板面を前記第１導電性パターンが備えられた基板の基板面または第１導電性パターンが形成された面にラミネーションするステップをさらに含む、請求項１に記載のタッチスクリーンの製造方法。
  5. 前記ｃ）ステップにおいて、導電性膜のエッチング時間は、ジャストエッチングタイム（ｊｕｓｔ−ｅｔｃｈｉｎｇ ｔｉｍｅ）〜ジャストエッチングタイムより２０００％延びた時間である、請求項１〜４のうちのいずれか1項に記載のタッチスクリーンの製造方法。
  6. 前記ｃ）ステップ後に、ｅ）前記エッチングレジストパターンを除去するステップ；またはｆ）前記第１導電性パターンを覆うように（ｃｏｖｅｒｉｎｇ）前記エッチングレジストパターンを再形成（ｒｅｆｏｒｍｉｎｇ）するステップをさらに含む、請求項１〜４のうちのいずれか1項に記載のタッチスクリーンの製造方法。
  7. 前記ｆ）ステップにおいて、前記エッチングレジストパターンの再形成方法は、熱処理、溶媒または溶媒の蒸気との接触、プラズマ処理、または加圧を含む、請求項６に記載のタッチスクリーンの製造方法。
  8. ｂ）ステップの途中または以後にベークステップをさらに含む、請求項１に記載のタッチスクリーンの製造方法。
  9. 前記ｅ）ステップを遂行した後、前記第１導電性パターン上に絶縁層を形成するステップをさらに含む、請求項６に記載のタッチスクリーンの製造方法。
  10. 前記ｄ）ステップ後に、前記第２導電性パターン上に絶縁層を形成するステップをさらに含む、請求項２〜４のうちのいずれか1項に記載のタッチスクリーンの製造方法。
  11. 基板、前記基板の少なくとも一面に形成された導電性パターンおよび前記導電性パターンを覆う絶縁層パターンを含み、請求項１〜１０のうちのいずれか１項によるタッチスクリーンの製造方法によって製造され、前記導電性パターンの線幅が０．１から１０マイクロメートルであり、前記導電性パターンの厚さが３００ｎｍ以下である、タッチスクリーン。
  12. 基板、前記基板の少なくとも一面に形成された導電性パターンおよび前記導電性パターンを覆う絶縁層パターンを含み、前記導電性パターンのテーパー角が０度超過９０度未満であり、前記導電性パターンの線幅が０．１から１０マイクロメートルであり、前記導電性パターンの厚さが３００ｎｍ以下であることを特徴とするタッチスクリーン。
  13. 基板、前記基板の少なくとも一面に形成された導電性パターンおよび前記導電性パターンを覆う絶縁層パターンを含み、前記絶縁層パターンのテーパー角が０度超過９０度未満であり、前記導電性パターンの線幅が０．１から１０マイクロメートルであり、前記導電性パターンの厚さが３００ｎｍ以下であることを特徴とするタッチスクリーン。
  14. 基板、前記基板の少なくとも一面に形成された導電性パターンおよび前記導電性パターンを覆う絶縁層パターンを含み、前記絶縁層パターンのテーパー角が前記導電性パターンのテーパー角より大きく、前記導電性パターンの線幅が０．１から１０マイクロメートルであり、前記導電性パターンの厚さが３００ｎｍ以下であることを特徴とするタッチスクリーン。
  15. 基板、前記基板の少なくとも一面に形成された導電性パターンおよび前記導電性パターンを覆う絶縁層パターンを含み、前記導電性パターンと前記絶縁層パターンとの間にボイドを含み、前記導電性パターンの線幅が０．１から１０マイクロメートルであり、前記導電性パターンの厚さが３００ｎｍ以下であることを特徴とするタッチスクリーン。
  16. 基板、前記基板の少なくとも一面に形成された導電性パターン、および前記導電性パターンを覆う絶縁層パターンまたは前記導電性パターンに相応するパターンを有するが導電性パターンの線幅より長い線幅を有する絶縁層パターンを含み、前記導電性パターンの線幅方向の断面において、前記導電性パターンの一側端部から前記絶縁層パターンまでの距離（ａ）と前記導電性パターンの他側端部から前記絶縁層パターンまでの距離（ｂ）の百分比（ａ／ｂ＊１００）が９０〜１１０の範囲内であり、前記導電性パターンの線幅が０．１から１０マイクロメートルであり、前記導電性パターンの厚さが３００ｎｍ以下であることを特徴とするタッチスクリーン。
  17. 基板、前記基板の少なくとも一面に形成された線幅が０．１から１０マイクロメートル以下である導電性パターンを含み、前記導電性パターンの厚さが３００ｎｍ以下であるタッチスクリーン。
  18. 前記タッチスクリーンは、前記導電性パターン上に備えられた絶縁層パターンをさらに含み、前記絶縁層パターンは、前記導電性パターンを覆っているか、前記導電性パターンの線幅より長い線幅を有する、請求項１７に記載のタッチスクリーン。
  19. 前記導電性パターンのテーパー角が０度超過９０度未満であることを特徴とする、請求項１８に記載のタッチスクリーン。
  20. 前記絶縁層パターンのテーパー角が０度超過９０度未満であることを特徴とする、請求項１８に記載のタッチスクリーン。
  21. 前記絶縁層パターンのテーパー角が前記導電性パターンのテーパー角より大きいことを特徴とする、請求項１８に記載のタッチスクリーン。
  22. 前記導電性パターンと前記絶縁層パターンとの間にボイドを含むことを特徴とする、請求項１８に記載のタッチスクリーン。
  23. 前記導電性パターンの線幅方向の断面において、前記導電性パターンの一側端部から前記絶縁層パターンまでの距離（ａ）と前記導電性パターンの他側端部から前記絶縁層パターンまでの距離（ｂ）の百分比（ａ／ｂ＊１００）が９０〜１１０の範囲内であることを特徴とする、請求項１８に記載のタッチスクリーン。
  24. 前記導電性パターンの面抵抗は、１００オーム／スクエア〜０．００１オーム／スクエアである、請求項１７に記載のタッチスクリーン。
  25. 前記導電性パターンは、開口率が８５％〜９８％であり、面抵抗が１オーム〜２００オームであり、厚さが１００〜３００ｎｍであり、線幅が０．１〜１０マイクロメートルであり、下記の式１を満足する、請求項１７に記載のタッチスクリーン：
    ［式１］
    ａ／（１−開口率）＝Ａ
    前記式１において、
    ａは、導電性パターンを構成する物質からなる層の厚さｔにおける面抵抗であり、
    Ａは、導電性パターンの厚さｔにおける面抵抗である。
  26. 前記導電性パターンは下記式２および式３を満足する、請求項１７に記載のタッチスクリーン：
    ［式２］
    ａ／［１−（Ｒ−Ｌ）２／Ｒ２］＝Ａ
    ［式３］
    （Ｒ−Ｌ）２／Ｒ２×Ｔｓ＝Ｔｃ
    前記式２および式３において、
    Ｒは、導電性パターンのピッチであり、
    Ｌは、導電性パターンの線幅であり、
    ａは、導電性パターンを構成する物質からなる層の厚さｔにおける面抵抗であり、
    Ａは、導電性パターンの厚さｔにおける面抵抗であり、
    Ｔｓは、基板そのものの透過率であり、
    Ｔｃは、導電性パターンを有する基板の透過率である。
  27. 前記導電性パターンは、位置別厚さ偏差が３％以内である、請求項１７に記載の導電性パターン。
  28. 前記導電性パターンは、位置別線幅の偏差が３０％以内である、請求項１７に記載の導電性パターン。
  29. 前記導電性パターンは、７インチ（ｉｎｃｈ）以上の面積に連続的に形成されたパターン形態を有する、請求項１７に記載のタッチスクリーン。
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