CN112040662A - 线路基材的制备方法、线路基材以及电路板 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种线路基材的制备方法、该方法制得的线路基材以及包括该线路基材的电路板。线路基材的制备方法包括如下步骤：在基材上形成树脂层，并且将所述树脂层半固化；将金属纳米混合物分散到半固化后的所述树脂层上，加热后形成层叠在所述树脂层上的金属导电膜；将所述金属导电膜烧结。这种线路基材的制备方法通过在半固化后的树脂层上形成金属导电膜，接着将金属导电膜烧结，使得金属导电膜转变为金属导电膜，从而得到线路基材。与传统的真空蒸发电镀制备线路基材的方法相比，这种线路基材的制备方法不需要使用到昂贵的蒸镀设备，因而生产成本较低。

Description

线路基材的制备方法、线路基材以及电路板
技术领域
本发明涉及电路板技术领域，尤其是涉及一种线路基材的制备方法、上述方法制备的线路基材以及包括该线路基材的电路板。
背景技术
传统的线路基材是通过真空蒸发电镀的工艺，以卷绕的方式在PET上面蒸发电镀一层厚度为100nm～5μm的铜膜得到。
然而真空蒸发电镀需要采用昂贵的蒸镀设备，这就导致生产成本较高。
发明内容
基于此，有必要提供一种成产成本较低的线路基材的制备方法。
此外，还有必要提供一种上述线路基材的制备方法制得的线路基材。
最后，还有必要提供一种包括上述线路基材的电路板。
一种线路基材的制备方法，包括如下步骤：
在基材上形成树脂层，并且将所述树脂层半固化；以及
将金属纳米混合物分散到半固化后的所述树脂层上，加热后形成层叠在所述树脂层上的金属导电膜，其中，所述金属纳米混合物包括金属纳米材料；以及
将所述金属导电膜烧结。
一种线路基材，所述线路基材采用上述的线路基材的制备方法制得。
一种电路板，包括上述的线路基材。
这种线路基材的制备方法通过在半固化后的树脂层上形成金属导电膜，接着将金属导电膜烧结，使得金属导电膜转变为高导电性低阻的金属导电膜，从而得到线路基材。
与传统的真空蒸发电镀制备线路基材的方法相比，这种线路基材的制备方法不需要使用到昂贵的蒸镀设备，因而生产成本较低。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
其中：
图1为一实施方式的线路基材的制备方法的流程图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
如图1所示的一实施方式的线路基材的制备方法，包括如下步骤：
S10、在基材上形成树脂层，并且将树脂层半固化。
一般来说，基材可以为PET膜、PI膜或PEN膜。
优选的，按照质量百分数，树脂层的材料包括35％～85％的不饱和聚苯醚树脂、5％～48％的SBS树脂和2％～38％马来酰亚胺树脂。
S10中，将树脂层半固化的操作可以为：加热使得树脂半固化。
具体来说，加热的条件可以为：50℃～280℃加热。
优选的，树脂层的厚度可以为3μm～16μm。
S20、将金属纳米混合物分散到半固化后的树脂层上，加热后形成层叠在树脂层上的金属导电膜。
S20中，将金属纳米混合物分散到半固化后的树脂层上的操作为：通过夹缝涂布或微凹涂布的方式将金属纳米混合物分散到半固化后的树脂层上。
金属纳米混合物包括金属纳米材料。
具体来说，金属纳米混合物还包括有机溶剂和分散剂。
优选的，金属纳米混合物中，有机溶剂的质量百分浓度为2％～20％。
优选的，金属纳米混合物中，分散剂的质量百分浓度为0.1％～10％。
优选的，有机溶剂选自乙醇、异丙醇、丁醇、乙二醇独丁醚和乙二醇独甲醚中的至少一种。
优选的，分散剂选自六偏磷酸钠、聚乙烯吡咯烷酮、聚酰氨化合物、聚乙二醇、阿拉伯树胶和聚噻吩化合物中的至少一种。
S20中，加热的目的在于将金属纳米混合物中的有机溶剂和分散剂去除。
一般来说，加热的温度可以为130℃～380℃。
优选的，金属纳米材料可以为纳米铜。
优选的，金属纳米材料的粒径可以为5nm～900nm。
优选的，金属导电膜的厚度可以为100nm～15μm。
S30、将金属导电膜烧结。
S30中，将金属导电膜烧结的操作为：用高光强设备照射金属导电膜，金属导电膜在高光强设备的照射下烧结。
高光强设备照射金属导电膜，使得金属导电膜转变为高导电性低阻的金属导电膜，金属导电膜烧结成整体，提高了金属导电膜的结构致密性与导电性能，便于后续形成需要的线路。
此外，由于金属纳米材料表面容易形成氧化层，金属导电膜烧结时还可以将氧化层还原成单质金属，从而提高了烧结后的金属导电膜的质量。
优选的，高光强设备可以为脉冲式高光强氙气灯、激光灯或高温灯。
本实施方式中，脉冲式高光强氙气灯的照射参数可以根据实际需求而调整。
优选的，还包括在将金属导电膜烧结的操作之后，对金属导电膜进行防氧化处理的操作。
优选的，还包括在将金属导电膜烧结的操作之后，对金属导电膜进行高温加压，以提高金属导电膜和树脂层之间的附着力的操作。
具体来说，对金属导电膜进行高温加压的操作为：在60℃～180℃下，上下滚轮加压传动覆合，滚轮可为金属滚轮或者耐高温橡胶滚轮。
上述线路基材的制备方法还包括在将金属导电膜烧结的操作之后，通过涂布光学胶，通过掩模版或者菲林曝光形成线路，并通过显影、蚀刻、脱膜和黑化，形成产品图形的操作。
这种线路基材的制备方法通过在半固化后的树脂层上形成金属导电膜，接着将金属导电膜烧结，使得金属导电膜转变为高导电性低阻的金属导电膜，从而得到线路基材。
与传统的真空蒸发电镀制备线路基材的方法相比，这种线路基材的制备方法不需要使用到昂贵的蒸镀设备，因而生产成本较低。
这种线路基材的制备方法可以用于制备线路宽幅为1μm～25μm，金属导电膜厚度为100nm～15μm，产品透过率为55％～99.5％的线路材料。
本发明还公开了一种线路基材，线路基材采用上述的线路基材的制备方法制得。
这种线路基材的制备方法可以用于制备线路宽幅为1μm～25μm，金属导电膜厚度为100nm～15μm，产品透过率为55％～99.5％的线路材料。
线路材料可以应用在微细线路领域。
本发明还公开了一种电路板，包括上述的线路基材。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对申请专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种线路基材的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
在基材上形成树脂层，并且将所述树脂层半固化；
将金属纳米混合物分散到半固化后的所述树脂层上，加热后形成层叠在所述树脂层上的金属导电膜，其中，所述金属纳米混合物包括金属纳米材料；以及
将所述金属导电膜烧结。
2.根据权利要求1所述的线路基材的制备方法，其特征在于，将所述金属导电膜烧结的操作为：用高光强设备照射所述金属导电膜，所述金属导电膜在高光强设备的照射下烧结。
3.根据权利要求2所述的线路基材的制备方法，其特征在于，所述高光强设备为脉冲式高光强氙气灯、激光灯或高温灯。
4.根据权利要求1所述的线路基材的制备方法，其特征在于，所述金属纳米混合物还包括有机溶剂和分散剂；
所述金属纳米混合物中，所述有机溶剂的质量百分浓度为2％～20％；
所述金属纳米混合物中，所述分散剂的质量百分浓度为0.1％～10％；
所述金属纳米材料为纳米铜，所述金属纳米材料的粒径为5nm～900nm；
所述基材为PET膜、PI膜或PEN膜。
5.根据权利要求1所述的线路基材的制备方法，其特征在于，将所述树脂层半固化的操作为：加热使得所述树脂半固化；
按照质量百分数，所述树脂层的材料包括35％～85％的不饱和聚苯醚树脂、5％～48％的SBS树脂和2％～38％马来酰亚胺树脂。
6.根据权利要求1所述的线路基材的制备方法，其特征在于，还包括在将所述金属导电膜烧结的操作之后，对层叠在所述树脂层上的所述金属导电膜进行高温覆合加压的操作。
7.根据权利要求6所述的线路基材的制备方法，其特征在于，对所述金属导电膜进行高温覆合加压的操作为：在60℃～180℃下，采用上下滚轮加压传动覆合，所述滚轮为金属滚轮或者耐高温橡胶滚轮。
8.根据权利要求1～7中任意一项所述的线路基材的制备方法，其特征在于，还包括在将所述金属导电膜烧结的操作之后，通过涂布光学胶，通过掩模版或者菲林曝光形成线路，并通过显影、蚀刻、脱膜和黑化，形成产品图形的操作。
9.一种线路基材，其特征在于，所述线路基材采用如权利要求1～8中任意一项所述的线路基材的制备方法制得。
10.一种电路板，其特征在于，包括如权利要求9所述的线路基材。
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