JPWO2003017290A1 - 導電性ペーストの製造方法およびプリント配線基板の製造方法 - Google Patents
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- H01F1/055—Alloys characterised by their composition containing rare earth metals and magnetic transition metals, e.g. SmCo5
- H01F1/058—Alloys characterised by their composition containing rare earth metals and magnetic transition metals, e.g. SmCo5 and IVa elements, e.g. Gd2Fe14C
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
- H01L21/563—Encapsulation of active face of flip-chip device, e.g. underfilling or underencapsulation of flip-chip, encapsulation preform on chip or mounting substrate
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- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
- H01L23/3121—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
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- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/49811—Additional leads joined to the metallisation on the insulating substrate, e.g. pins, bumps, wires, flat leads
- H01L23/49816—Spherical bumps on the substrate for external connection, e.g. ball grid arrays [BGA]
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- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
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- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
- H05K1/092—Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks
- H05K1/095—Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks for polymer thick films, i.e. having a permanent organic polymeric binder
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K3/4038—Through-connections; Vertical interconnect access [VIA] connections
- H05K3/4053—Through-connections; Vertical interconnect access [VIA] connections by thick-film techniques
- H05K3/4069—Through-connections; Vertical interconnect access [VIA] connections by thick-film techniques for via connections in organic insulating substrates
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F2999/00—Aspects linked to processes or compositions used in powder metallurgy
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/11—Manufacturing methods
- H01L2224/113—Manufacturing methods by local deposition of the material of the bump connector
- H01L2224/1133—Manufacturing methods by local deposition of the material of the bump connector in solid form
- H01L2224/1134—Stud bumping, i.e. using a wire-bonding apparatus
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
- H01L2224/73203—Bump and layer connectors
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- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
- H01L2224/73203—Bump and layer connectors
- H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
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- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/831—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector the layer connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus
- H01L2224/83101—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector the layer connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus as prepeg comprising a layer connector, e.g. provided in an insulating plate member
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- H01L2924/0104—Zirconium [Zr]
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- H01L2924/01041—Niobium [Nb]
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- H01L2924/01042—Molybdenum [Mo]
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- H01L2924/01046—Palladium [Pd]
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- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01047—Silver [Ag]
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- H01L2924/01049—Indium [In]
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- H01L2924/0105—Tin [Sn]
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- H01L2924/01059—Praseodymium [Pr]
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- H01L2924/0106—Neodymium [Nd]
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- H01L2924/01065—Terbium [Tb]
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- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01066—Dysprosium [Dy]
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- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01072—Hafnium [Hf]
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- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01073—Tantalum [Ta]
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01078—Platinum [Pt]
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
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- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
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- H—ELECTRICITY
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- H01L2924/01088—Radium [Ra]
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- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12042—LASER
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- H—ELECTRICITY
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- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/30105—Capacitance
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/03—Conductive materials
- H05K2201/0332—Structure of the conductor
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- H05K2201/0355—Metal foils
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/03—Conductive materials
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/14—Related to the order of processing steps
- H05K2203/1461—Applying or finishing the circuit pattern after another process, e.g. after filling of vias with conductive paste, after making printed resistors
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
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Abstract
本発明は、導電体粒子に応力を加えて変形度が1.01〜1.5となるように導電体粒子を変形させる工程と、変形させた導電体粒子と熱硬化性樹脂を主成分とするバインダーとを混合する工程と、を含む導電性ペーストの製造方法を提供する。ここで、変形度とは、レーザー回折法により測定した平均粒径について、変形後の導電体粒子の平均粒径を変形前の導電体粒子の平均粒径で除した値をいう。この導電性ペーストを、被圧縮性を制限したプリプレグシートに適用すれば、ビアホール間の短絡や絶縁性の低下を抑制できる。
Description
【0001】
[技術分野]
本発明は、導電性ペーストおよびプリント配線基板の製造方法に関する。この導電性ペーストは、多層配線基板において、各層間の配線パターンを接続するビアホール充填用ペーストとして適している。
【0002】
[背景技術]
電子機器の急速な小型化・高密度化に伴い、電子部品を搭載するプリント配線基板についても、高密度プリント配線基板の開発が行われている。
【0003】
プリント配線基板では、配線の高密度化を妨げる要因となっていたメッキスルーホールに代えて、導電性ペーストを用いたインナービアホール接続が提案されている(例えば、特開平6−268345号公報)。この接続によれば、効率よく高密度プリント配線基板を提供できる。
【0004】
この高密度プリント配線基板は、以下のようにして作製される。まず、両面に離型性を有する離型性フィルム(高分子フィルム)を貼り付けた被圧縮性で多孔質のプリプレグシート(絶縁基板)に貫通孔を設ける。次に、貫通孔に導電性ペーストを充填し、フィルムを剥離する。引き続き、プリプレグシートの両面に金属箔を貼り付けて加熱および加圧することにより、絶縁基板の両面の金属箔をビアホール導体(硬化した導電性ペースト)によって電気的に接続する。さらに、回路を形成するために、金属箔を選択的にエッチングする。
【0005】
以下、この製造方法を、図面を参照しながら具体的に説明する。
【0006】
まず、図6Aに示すように、離型性フィルム11を両面に貼り合わせた多孔質のプリプレグシート12を準備する。多孔質のプリプレグシート12は、例えば、芳香族ポリアミド繊維の不織布にエポキシ樹脂を含浸させた複合材である。
【0007】
次に、図6Bに示すように、プリプレグシート12の所定の位置にレーザー光等のエネルギービームを照射して貫通孔13を形成する。引き続き、図6Cに示すように、印刷機(図示省略)のテーブル上で、導電性ペースト14を離型性フィルム11上からプリプレグシート12に塗布し、貫通孔13の内部に充填する。このとき、離型性フィルム11はプリプレグシート12の汚染防止膜として機能する。
【0008】
さらに、図6Dに示すように、離型性フィルム11を剥離し、図6Eに示すように、プリプレグシート12の両面に、例えば銅箔である金属箔15を貼り付ける。この状態で、シート12を加熱しながら両側から加圧して圧縮する。こうして、図6Fに示すように、プリプレグシート12と金属箔15とを接着し、同時に、プリプレグシート12を圧縮することにより、導電性ペースト14が充填された貫通孔13を介して両面の金属箔を電気的に接続する(ビアホール接続)。このとき同時に、プリプレグシート12に含まれるエポキシ樹脂および導電性ペースト14が硬化する。
【0009】
その後、図6Gに示すように、両面の金属箔15を選択的にエッチングして配線パターン16を形成する。こうして、プリント配線基板が作製される。
【0010】
しかし、上述の製造方法には、以下のような課題があった。
【0011】
図7Aに示すように、プリプレグシート12は、ラミネート工法により熱硬化性樹脂に含浸させた不織布17が多用され、加熱前は半硬化状態にある(例えば、特開平7−106760号公報)。通常、プリプレグシート12の表面には、表面に露出した不織布や表面近傍に存在する不織布17に起因する凹部18が存在する。この凹部18は、離型性フィルム11とプリプレグシート12との間の空隙として残存する。
【0012】
この状態で貫通孔13に導電性ペースト14を充填してプリプレグシート12を圧縮すると、図7Bに示したように、凹部18に導電性ペースト14が入り込み、隣接するビアホール間に短絡部分20が発生したり、配線間の絶縁信頼性が低下したりすることがある。
【0013】
特に、高密度プリント配線基板では、ビアホールも高密度に形成されるため、ビアホール間の短絡が生じやすい。
【0014】
高密度プリント配線基板では、配線層間の良好な電気的な導通を得るために、図7Aに示したように、内部に空隙19を散在させた被圧縮性のプリプレグシート12が用いられる。しかし、この空隙19にも、導電性ペースト14が流れ込むことがあるため、凹部18と同様、空隙19も、配線パターンの高密度化に伴って、短絡をもたらす原因となっていた。
【0015】
これらの問題を解決するためには、プリプレグシート12の表面を平滑にして凹部18を抑制することが考えられる。また、プリプレグシート12中の空隙19を低減させることも考えられる。しかし、このようなプリプレグシートは被圧縮性に乏しいため、貫通孔内に充填された導電性ペーストを十分圧縮できない。このため、配線層の間の良好な電気導通を確保することが困難となる。
【0016】
[発明の開示]
本発明は、上記問題に鑑みて、導電体粒子に応力を加えて変形度が1.01〜1.5となるように、導電体粒子を変形させる工程と、変形させた導電体粒子と熱硬化性樹脂を主成分とするバインダーとを混合する工程と、を含む導電性ペーストの製造方法を提供する。
【0017】
ここで、変形度とは、レーザー回折法により測定した平均粒径について、変形後の導電体粒子の平均粒径R2を変形前の導電体粒子の平均粒径R1で除した値(R2/R1)をいう。
【0018】
本発明による導電性ペーストを用いれば、良好な層間接続を確保しやすくなる。このため、被圧縮性に乏しいプリプレグシートに適用しても、低い基板抵抗値が得られやすい。
【0019】
本発明は、プリント配線基板の製造方法も提供する。この製造方法は、本発明により導電性ペーストを製造する工程と、少なくとも一方の面に離形性フィルムを貼り合わせたプリプレグシートに貫通孔を形成する工程と、この貫通孔に上記導電性ペーストを充填する工程と、上記プリプレグシートを上記離型性フィルムおよび上記導電性ペーストとともに圧縮する圧縮工程と、この圧縮工程の後に、上記離型性フィルムを上記プリプレグから剥離させる工程と、を含む。
【0020】
上記プリプレグシートとしては、補強繊維と樹脂とを含み、その表面に補強繊維が存在しない樹脂層が存在し、圧縮工程の前において、樹脂層の厚みが1μm以上30μm以下であるプリプレグシートが適している。
【0021】
[発明の実施の形態]
レーザー光を用いられるレーザー回折法では、粒子を投影した状態でその粒径が測定される。このため、粒子を扁平化すると、体積が同じであっても測定される粒径は増加する。本発明では、変形の尺度として上記変形度を用い、その値が1.01〜1.5、好ましくは1.02〜1.30となるように、導電体粒子に応力を加え、粒子を扁平化することとした。扁平化により、導電体粒子同士の接触面積は増加し、その結果、基板抵抗値は低下する。
【0022】
この変形により、導電体粒子の比表面積は、0.05m2/g〜1.5m2/gとすることが好ましい。比表面積の増大に伴い、導電性ペーストの粘度は上昇する。導電性ペーストは、その粘度が高すぎると、貫通孔に充填しにくくなり、離型性フィルムの剥離時に貫通孔の両端のペーストがフィルムとともに剥がされる現象(いわゆる「ペースト取られ」)が発生することもある。かかる観点からは、比表面積を1.0m2/g未満とすることがより好ましい。
【0023】
導電体粒子は、レーザー回折法により測定した平均粒径が0.2μm〜20μmとなるように変形させることが好ましい。平均粒径が0.2μm未満であると、比表面積を1.5m2/g以下とすることが困難となる。このため、ペーストの粘度が高くなり過ぎ、さらには導電体粒子を高濃度で分散させることも困難となる。一方、平均粒径が20μmを超えると、1つのビアホール内に充填される導電体粒子の数が減少する。導電体粒子の数が少ないと、導電体粒子の接触面積が減少して、十分に低い基板抵抗値が得られない。
【0024】
なお、比表面積が0.05m2/g未満である導電体粒子は、平均粒径が大きいため、上記と同様の理由により、低い基板抵抗を実現しにくくなる。
【0025】
導電性ペーストには、導電体粒子に加え、少なくとも熱硬化性樹脂を主成分とするバインダーが含まれる。導電性ペーストは、導電体粒子が30〜70体積%、バインダーが70〜30体積%となるように、混合するとよい。この混合比を採用した場合、導電性ペーストの好ましい粘度は1000Pa・s以下である。
【0026】
導電体粒子は、金、白金、銀、パラジウム、銅、ニッケル、錫、鉛、インジウム、亜鉛およびクロムから選ばれる少なくとも1種、特に、金、白金、銀、パラジウム、銅、ニッケル、錫、鉛およびインジウムから選ばれる少なくとも1種を含むことが好ましい。導電体粒子は、例えば、下記(I)〜(IV)のいずれかとするとよい。
(I)金、白金、銀、パラジウム、銅、ニッケル、錫、鉛またはインジウム、
(II)金、白金、銀、パラジウム、銅、ニッケル、錫、鉛、インジウム、亜鉛およびクロムから選ばれる任意の組み合わせの合金粒子、
(III)導電性または非導電性粒子を核とし、金、白金、銀、パラジウム、銅、ニッケル、錫、鉛およびインジウムから選ばれる少なくとも1種の金属で被覆された粒子、
(IV)導電性または非導電性粒子を核とし、金、白金、銀、パラジウム、銅、ニッケル、錫、鉛、インジウム、亜鉛およびクロムから選ばれる任意の組み合わせの合金で被覆された粒子。
【0027】
以下、導電体粒子の変形処理について説明する。
【0028】
導電体粒子の変形には、機械的な応力が加わればよく、用いる装置等に制限はないが、ボールミル、ジェットミル等のミルを用いるとよい。ミルを用いる場合、変形度は、セラミックボールの径と投入量、ボールミルの回転速度、処理時間等の諸条件によって制御できる。
【0029】
導電体粒子の変形処理は、酸素や水分から粒子を隔離しながら行うことが好ましい。導電体粒子の表面に存在する酸素や水分は、導電性ペーストの粘度を引き上げる要因となるからである。酸素や水分による粘度の上昇は、粒子表面へのバインダー樹脂の吸着量の増加や水分子によるバインダー樹脂の架橋反応によると考えられる。
【0030】
したがって、導電体粒子は、例えば、非水系溶媒、具体的には有機溶媒中で変形させるとよい。有機溶媒としては、例えばエタノール等のアルコールを用いることができる。有機溶媒は、必要に応じ、窒素等の非酸化性ガスを吹き込んで溶存酸素を低減しておくとよい。有機溶媒中の溶存酸素は、1mg/Lが好適である。また、溶媒に接するミル内の雰囲気は、非酸化雰囲気に保持することが好ましい。非酸化雰囲気としては、減圧雰囲気とともに、窒素雰囲気、不活性ガス雰囲気等の非酸化性ガス雰囲気が挙げられる。酸素や水の吸着を抑えるために、導電体粒子の変形は、なるべく短時間で終了させることが好ましい。
【0031】
本発明者が検討したところによると、ペースト粘度を低減するためには、導電体粒子の表面の吸着水は1000ppm以下が好適であった。また、導電体粒子の表面の酸素濃度は1.0重量%以下が好適であった。
【0032】
導電体粒子の表面の酸素濃度や吸着水濃度を低くするためには、導電体粒子の乾燥処理を追加するとよい。乾燥処理は、上記に例示した非酸化雰囲気を用いるとよい。乾燥処理における好ましい雰囲気温度は、50℃〜200℃である。乾燥処理は、変形処理の前後いずれか、必要であれば変形処理の前後において実施すればよい。
【0033】
変形させる前の導電体粒子は、特に制限されないが、略球形とするとよい。ここで、略球形とは、厳密に言えば、粒子の最短径に対する最長径の比率が1〜2.0、より好ましくは1〜1.5である粒子をいい、理想的な球形を含む概念である。
【0034】
変形後の導電体粒子の比表面積が高過ぎる場合には、変形に先立って導電体粒子の表面を平滑化してもよい。上述の変形処理によっても、導電体粒子は、互いに接触するため、その表面はある程度平滑化される。しかし、この平滑化で十分ではない場合には、例えばニーダやプラネタリーミキサー等の粉体分散機を用いて予め導電体粒子の平滑化処理を行うとよい。平滑化処理についても、非水系溶媒中、非酸化性ガス雰囲気中等の非酸化雰囲気中で行うことが好ましい。
【0035】
上記で説明したように、導電体粒子に対しては、変形処理の前後において、適宜、乾燥処理、平滑化処理等を実施すればよい。また、変形処理の後に、凝集した粒子を分離するために解砕処理を行ってもよい。導電体粒子は、例えば、乾燥、変形、(再)乾燥、解砕、の各処理を経て製造される。この一連の処理の間、導電体粒子が接する気相は、非酸化雰囲気(例えば窒素雰囲気)に保持することが好ましい。
【0036】
本発明の導電性ペーストを用いれば、配線間の短絡を避けるためにプリプレグシートの被圧縮性を制限しても、配線層の間の抵抗が十分に小さいプリント配線基板を得ることができる。これは導電性粒子の扁平化により粒子同士の接触面積が増大することによる。従来知られていた導電体粒子には、電解法により作製されたいわゆる鱗片状導電体粒子があるが、この導電体粒子は、その作製法に起因するデンドライト状の形状を有するため、比表面積が過大となる。このため、導電性ペーストの粘度が高くなって、貫通孔に導電性ペーストを充填する際の充填不足や、離型性フィルムを剥離する際にフィルムに導電性ペーストが取られる欠陥等を招きやすい。
【0037】
図5A〜図5Fを参照して、プリント配線基板の製造方法の好ましい一例について説明する。
【0038】
図5Aに示したプリプレグシート2では、例えばアラミド繊維である補強繊維7はシートの内部に集中して配置されている。シートの両面には、実質的に樹脂成分のみからなる樹脂層8が形成されている。この樹脂層には繊維がないため、このプリプレグシート2の表面には、短絡を誘発する凹部が生じにくい。樹脂層の厚みは、好ましくは1〜30μm、特に5〜15μmである。このシート2の表面粗さRaは、好ましくは10μm以下である。また、プリプレグシート2の全体の厚みは、特に制限されないが、好ましくは50〜150μmである。
【0039】
このプリプレグシート2では、表面の凹部とともに内部の空隙を少なくするか、又は全くなくしてもよい。被圧縮性を制限すると、従来の球形の導電体粒子を用いると十分に電気的導通を確保できなかった。しかし、本発明の導電体粒子はプリプレグシートの圧縮率が低くても、低い基板抵抗値を実現できる。
【0040】
図5B〜図5Fに示した工程は、図6C〜図6Gに示した工程と基本的に同一である。プリプレグシート2には、離型性フィルム1がその両面に貼り付けられた状態で貫通孔3が形成される(図5B)。貫通孔3には、導電性ペースト4が充填される(図5C)。離型性フィルム1が剥がされ(図5D)、プリプレグシート2は、金属箔5がその両面に配置された状態で圧縮され(図5E)、金属箔5がパターニングされて配線パターン6が形成される(図5F)。
【0041】
変形処理を適用して得た銅粒子を走査型電子顕微鏡(SEM)で観察した状態を、図1〜図3に例示する。これらの粒子は、略球状の銅粒子(図4)を変形度がそれぞれ1.20、1.02、1.11となるように変形させて得たものである。図4の銅粒子は、湿式反応によって析出させた銅を、平滑化処理した後に、篩にかけて粒度調整して得たものである。
【0042】
これらの銅粒子は、いずれも、小判状(平面視で楕円状の金貨)ないし柿の種状の形状を呈していた。
【0043】
これらの銅粒子は、略球状の銅粒子をエタノールとともにボールミルに投入し、セラミックボールにより変形させて得たものである。変形度は、ミルの回転速度と回転時間とを適宜変更して調整した。なお、変形処理中、ボールミル内の雰囲気は窒素置換した。
【0044】
変形度は、変形させた銅粒子の一部を水中に分散させ、日機装社製の「マイクロトラックHRA、モデル9320−100」(レーザー波長780nm、レーザー出力3mW)を用いたレーザー回折法により測定した。導電性ペーストの調製には、変形させた銅粒子の残部を使用した。
【0045】
こうして得られた銅粒子に対してバインダーを添加して3本ロール機によって混練して導電性ペーストを得た。具体的には、銅粒子65体積%に対し、ビスフェノールF型エポキシ樹脂(ジャパンエポキシレジン社製「エピコート807」)10体積%、ダイマー酸ジグリシジルエステル型エポキシ樹脂(ジャパンエポキシレジン社製エピコート871)20体積%よりなるエポキシ主剤に、アミンアダクト型硬化剤(味の素製アミキュアMY−24)5体積%を添加した。
【0046】
なお、バインダーに用いる熱硬化性樹脂は、ビスフェノールF型エポキシ樹脂等に限らず、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールAD型エポキシ樹脂等のグリシジルエーテル型のエポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂等のエポキシ基を2つ以上含有するエポキシ樹脂、等であってもよい。
【0047】
エポキシ基が1つのエポキシ化合物を反応希釈剤として上記エポキシ樹脂主剤に含有させてもよい。さらに、上記エポキシ樹脂以外に、ポリイミド樹脂、シアネートエステル樹脂、フェノールレゾール樹脂等をバインダーの主剤として用いて導電性ペーストを形成しても構わない。
【0048】
上記で説明した導電性ペーストは、いわゆる無溶剤型となっているが印刷特性の調整のため、必要に応じてブチルセルソルブ、エチルセルソルブ、ブチルカルビトール、エチルカルビトール、ブチルカルビトールアセテート、エチルカルビトールアセテート、α−ターピネオール等の溶剤や、分散剤等の添加剤をさらに加えてもよい。
【0049】
上記導電性ペーストとともに、プリプレグシートを準備した。このプリプレグシートは、図5Aに示したように、補強繊維(アラミド繊維)をシートの内部に集中させ、シート両側の表面にそれぞれ厚さ約5μmのエポキシ樹脂からなる樹脂層を形成したものである。
【0050】
なお、プリプレグシートを補強する繊維は、アラミド繊維に限らず、PBO(ポリパラフェニレンベンゾビスオキサゾール)繊維、PBI(ポリベンゾイミダゾール)繊維、PTFE(ポリテトラフルオロエチレン)繊維、PBZT(ポリパラフェニレンベンゾビスチアゾール)繊維、全芳香族ポリエステル繊維等の有機繊維、あるいはガラス繊維等の無機繊維を用いてもよい。また、樹脂としても、エポキシ樹脂に代えて、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、フッ素樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、PPE(ポリフェニレンエーテル)樹脂、シアネートエステル樹脂等の熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂を用いてもよい。
【0051】
以降、図5B〜図5Fに示した手順に従って、プリント配線基板を作製した。離型性フィルム1は、厚さ約20μmのPET(ポリエチレンテレフタレート)である高分子フィルムの片面に、シリコーン系の離型層が形成された積層体とした。金属箔5としては銅箔を用いた。圧縮条件は、プレス温度200℃、圧力50kg/cm2、圧縮時間60分とした。
【0052】
図1〜図3に示した導電体粒子に加え、変形度を適宜調整した導電体粒子を用いてプリント配線基板を作製し、基板抵抗値を測定した(サンプル1〜8)。さらに、変形処理を行わない球形の導電体粒子をそのまま用いた(サンプル9、10)。サンプル9では、平滑化処理を行わない球状の導電体粒子を用い、サンプル10では、平滑化処理を行った球状の導電体粒子を用いた。
【0053】
こうして得た各導電体粒子およびプリント配線基板について、導電体粒子の変形度、比表面積、平均粒径、およびプリント配線基板のペースト粘度および基板抵抗値を測定した。
【0054】
変形度および平均粒径は、いずれも、上述のレーザー回折法により測定した。また、比表面積は、BET−1点法を用いた比表面積測定計により測定した。この際に吸着質としては窒素を用いた。ペーストの粘度は、E型粘度計を用い、常温、0.5rpmの条件で測定した。
【0055】
基板抵抗値とは、孔径100μmのビアホール導体500個の直列抵抗値であり、配線抵抗0.7Ωを含む値である。
【0056】
なお、サンプル1〜7の吸着水濃度を測定したところ、いずれの導電体粒子についても、吸着水濃度は、1000ppm以下であった。吸着水濃度は、カールフィッシャー水分計を用いて400℃まで熱したときの水分量を計測して定めた。サンプル8については、処理時間が長かったため、吸着水濃度が上昇したものと思われる。
【0057】
また、サンプル1〜8の酸素濃度を測定したところ、いずれの導電体粒子についても、酸素濃度は1.0重量%以下であった。酸素濃度は、るつぼ内で加熱し、発生した二酸化炭素を赤外吸収法で定量することにより定めた(日本工業規格(JIS)Z 2613に準拠)。
【0058】
測定結果を表1に示す。
【0059】
【表1】
【0060】
表1に示したとおり、変形度を1.50以下とした扁平状の導電体粒子を用いることにより、基板抵抗値は十分に低く(3Ω以下;サンプル1〜7では2.42〜2.78Ω)となった。従来の略球状の導電体粒子では、基本的に点接触により電気的導通が確保されているのに対し、扁平状の導電体粒子では粒子同士の面接触が抵抗値の低減に寄与していると考えられる。
【0061】
変形処理した導電体粒子は、外部応力により塑性変形させたものであるが、その結晶格子には応力が残存していると考えられる。結晶内部に蓄積された内部応力は、加熱および加圧の際における原子の再配列を容易にする。上記の例でも、導電体粒子に蓄積された内部応力が、粒子同士の凝集をより容易に、かつより強固にする要因となったと考えられる。
【0062】
本発明によれば、例えば、平均粒径が0.2〜20μm、より好ましくは0.5μm以上、例えば6〜20μmであり、比表面積が0.05〜1.5m2/g、より好ましくは0.2m2/g以上、さらに好ましくは1.0m2/g未満である扁平状の導電体粒子と、熱硬化性樹脂を主成分とするバインダーとを含み、導電体粒子の含有率が30〜70体積%、バインダーの含有率が70〜30体積%であり、かつ、その粘度が1000Pa・s以下である導電性ペーストを提供できる。
【0063】
また、本発明は、その別の側面によれば、導電体粒子を比表面積が0.05〜1.5m2/g、好ましくは0.2m2/g以上1.0m2/g未満となるように変形する工程を含む導電体ペーストの製造方法である。
【0064】
以上説明したように、本発明によれば、電気的導通を確保しやすい導電性ペーストを提供できる。この導電性ペーストを用いれば、被圧縮性に乏しいプリプレグシートを用いても配線層間の抵抗を低く保つことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は変形させた導電体粒子の一例を走査型電子顕微鏡(SEM)で観察した状態を示す図である。
【図2】図2は変形させた導電体粒子の別の一例をSEMで観察した状態を示す図である。
【図3】図3は変形させた導電体粒子のまた別の一例をSEMで観察した状態を示す図である。
【図4】図4は変形させる前の導電体粒子の一例をSEMで観察した状態を示す図である。
【図5】図5A〜図5Fは、それぞれ、本発明のプリント配線基板の製造方法の一例を示すための断面図である。
【図6】図6A〜図6Gは、それぞれ、従来のプリント配線基板の製造方法を示すための断面図である。
【図7】図7A、図7Bは、従来の方法によるプリント配線基板における短絡を示すための図であり、図7Aはプリント配線基板における凹部や空隙の存在を示し、図7Bは凹部に起因する短絡を示す図である。
[技術分野]
本発明は、導電性ペーストおよびプリント配線基板の製造方法に関する。この導電性ペーストは、多層配線基板において、各層間の配線パターンを接続するビアホール充填用ペーストとして適している。
【0002】
[背景技術]
電子機器の急速な小型化・高密度化に伴い、電子部品を搭載するプリント配線基板についても、高密度プリント配線基板の開発が行われている。
【0003】
プリント配線基板では、配線の高密度化を妨げる要因となっていたメッキスルーホールに代えて、導電性ペーストを用いたインナービアホール接続が提案されている(例えば、特開平6−268345号公報)。この接続によれば、効率よく高密度プリント配線基板を提供できる。
【0004】
この高密度プリント配線基板は、以下のようにして作製される。まず、両面に離型性を有する離型性フィルム(高分子フィルム)を貼り付けた被圧縮性で多孔質のプリプレグシート(絶縁基板)に貫通孔を設ける。次に、貫通孔に導電性ペーストを充填し、フィルムを剥離する。引き続き、プリプレグシートの両面に金属箔を貼り付けて加熱および加圧することにより、絶縁基板の両面の金属箔をビアホール導体(硬化した導電性ペースト)によって電気的に接続する。さらに、回路を形成するために、金属箔を選択的にエッチングする。
【0005】
以下、この製造方法を、図面を参照しながら具体的に説明する。
【0006】
まず、図6Aに示すように、離型性フィルム11を両面に貼り合わせた多孔質のプリプレグシート12を準備する。多孔質のプリプレグシート12は、例えば、芳香族ポリアミド繊維の不織布にエポキシ樹脂を含浸させた複合材である。
【0007】
次に、図6Bに示すように、プリプレグシート12の所定の位置にレーザー光等のエネルギービームを照射して貫通孔13を形成する。引き続き、図6Cに示すように、印刷機(図示省略)のテーブル上で、導電性ペースト14を離型性フィルム11上からプリプレグシート12に塗布し、貫通孔13の内部に充填する。このとき、離型性フィルム11はプリプレグシート12の汚染防止膜として機能する。
【0008】
さらに、図6Dに示すように、離型性フィルム11を剥離し、図6Eに示すように、プリプレグシート12の両面に、例えば銅箔である金属箔15を貼り付ける。この状態で、シート12を加熱しながら両側から加圧して圧縮する。こうして、図6Fに示すように、プリプレグシート12と金属箔15とを接着し、同時に、プリプレグシート12を圧縮することにより、導電性ペースト14が充填された貫通孔13を介して両面の金属箔を電気的に接続する(ビアホール接続)。このとき同時に、プリプレグシート12に含まれるエポキシ樹脂および導電性ペースト14が硬化する。
【0009】
その後、図6Gに示すように、両面の金属箔15を選択的にエッチングして配線パターン16を形成する。こうして、プリント配線基板が作製される。
【0010】
しかし、上述の製造方法には、以下のような課題があった。
【0011】
図7Aに示すように、プリプレグシート12は、ラミネート工法により熱硬化性樹脂に含浸させた不織布17が多用され、加熱前は半硬化状態にある(例えば、特開平7−106760号公報)。通常、プリプレグシート12の表面には、表面に露出した不織布や表面近傍に存在する不織布17に起因する凹部18が存在する。この凹部18は、離型性フィルム11とプリプレグシート12との間の空隙として残存する。
【0012】
この状態で貫通孔13に導電性ペースト14を充填してプリプレグシート12を圧縮すると、図7Bに示したように、凹部18に導電性ペースト14が入り込み、隣接するビアホール間に短絡部分20が発生したり、配線間の絶縁信頼性が低下したりすることがある。
【0013】
特に、高密度プリント配線基板では、ビアホールも高密度に形成されるため、ビアホール間の短絡が生じやすい。
【0014】
高密度プリント配線基板では、配線層間の良好な電気的な導通を得るために、図7Aに示したように、内部に空隙19を散在させた被圧縮性のプリプレグシート12が用いられる。しかし、この空隙19にも、導電性ペースト14が流れ込むことがあるため、凹部18と同様、空隙19も、配線パターンの高密度化に伴って、短絡をもたらす原因となっていた。
【0015】
これらの問題を解決するためには、プリプレグシート12の表面を平滑にして凹部18を抑制することが考えられる。また、プリプレグシート12中の空隙19を低減させることも考えられる。しかし、このようなプリプレグシートは被圧縮性に乏しいため、貫通孔内に充填された導電性ペーストを十分圧縮できない。このため、配線層の間の良好な電気導通を確保することが困難となる。
【0016】
[発明の開示]
本発明は、上記問題に鑑みて、導電体粒子に応力を加えて変形度が1.01〜1.5となるように、導電体粒子を変形させる工程と、変形させた導電体粒子と熱硬化性樹脂を主成分とするバインダーとを混合する工程と、を含む導電性ペーストの製造方法を提供する。
【0017】
ここで、変形度とは、レーザー回折法により測定した平均粒径について、変形後の導電体粒子の平均粒径R2を変形前の導電体粒子の平均粒径R1で除した値(R2/R1)をいう。
【0018】
本発明による導電性ペーストを用いれば、良好な層間接続を確保しやすくなる。このため、被圧縮性に乏しいプリプレグシートに適用しても、低い基板抵抗値が得られやすい。
【0019】
本発明は、プリント配線基板の製造方法も提供する。この製造方法は、本発明により導電性ペーストを製造する工程と、少なくとも一方の面に離形性フィルムを貼り合わせたプリプレグシートに貫通孔を形成する工程と、この貫通孔に上記導電性ペーストを充填する工程と、上記プリプレグシートを上記離型性フィルムおよび上記導電性ペーストとともに圧縮する圧縮工程と、この圧縮工程の後に、上記離型性フィルムを上記プリプレグから剥離させる工程と、を含む。
【0020】
上記プリプレグシートとしては、補強繊維と樹脂とを含み、その表面に補強繊維が存在しない樹脂層が存在し、圧縮工程の前において、樹脂層の厚みが1μm以上30μm以下であるプリプレグシートが適している。
【0021】
[発明の実施の形態]
レーザー光を用いられるレーザー回折法では、粒子を投影した状態でその粒径が測定される。このため、粒子を扁平化すると、体積が同じであっても測定される粒径は増加する。本発明では、変形の尺度として上記変形度を用い、その値が1.01〜1.5、好ましくは1.02〜1.30となるように、導電体粒子に応力を加え、粒子を扁平化することとした。扁平化により、導電体粒子同士の接触面積は増加し、その結果、基板抵抗値は低下する。
【0022】
この変形により、導電体粒子の比表面積は、0.05m2/g〜1.5m2/gとすることが好ましい。比表面積の増大に伴い、導電性ペーストの粘度は上昇する。導電性ペーストは、その粘度が高すぎると、貫通孔に充填しにくくなり、離型性フィルムの剥離時に貫通孔の両端のペーストがフィルムとともに剥がされる現象(いわゆる「ペースト取られ」)が発生することもある。かかる観点からは、比表面積を1.0m2/g未満とすることがより好ましい。
【0023】
導電体粒子は、レーザー回折法により測定した平均粒径が0.2μm〜20μmとなるように変形させることが好ましい。平均粒径が0.2μm未満であると、比表面積を1.5m2/g以下とすることが困難となる。このため、ペーストの粘度が高くなり過ぎ、さらには導電体粒子を高濃度で分散させることも困難となる。一方、平均粒径が20μmを超えると、1つのビアホール内に充填される導電体粒子の数が減少する。導電体粒子の数が少ないと、導電体粒子の接触面積が減少して、十分に低い基板抵抗値が得られない。
【0024】
なお、比表面積が0.05m2/g未満である導電体粒子は、平均粒径が大きいため、上記と同様の理由により、低い基板抵抗を実現しにくくなる。
【0025】
導電性ペーストには、導電体粒子に加え、少なくとも熱硬化性樹脂を主成分とするバインダーが含まれる。導電性ペーストは、導電体粒子が30〜70体積%、バインダーが70〜30体積%となるように、混合するとよい。この混合比を採用した場合、導電性ペーストの好ましい粘度は1000Pa・s以下である。
【0026】
導電体粒子は、金、白金、銀、パラジウム、銅、ニッケル、錫、鉛、インジウム、亜鉛およびクロムから選ばれる少なくとも1種、特に、金、白金、銀、パラジウム、銅、ニッケル、錫、鉛およびインジウムから選ばれる少なくとも1種を含むことが好ましい。導電体粒子は、例えば、下記(I)〜(IV)のいずれかとするとよい。
(I)金、白金、銀、パラジウム、銅、ニッケル、錫、鉛またはインジウム、
(II)金、白金、銀、パラジウム、銅、ニッケル、錫、鉛、インジウム、亜鉛およびクロムから選ばれる任意の組み合わせの合金粒子、
(III)導電性または非導電性粒子を核とし、金、白金、銀、パラジウム、銅、ニッケル、錫、鉛およびインジウムから選ばれる少なくとも1種の金属で被覆された粒子、
(IV)導電性または非導電性粒子を核とし、金、白金、銀、パラジウム、銅、ニッケル、錫、鉛、インジウム、亜鉛およびクロムから選ばれる任意の組み合わせの合金で被覆された粒子。
【0027】
以下、導電体粒子の変形処理について説明する。
【0028】
導電体粒子の変形には、機械的な応力が加わればよく、用いる装置等に制限はないが、ボールミル、ジェットミル等のミルを用いるとよい。ミルを用いる場合、変形度は、セラミックボールの径と投入量、ボールミルの回転速度、処理時間等の諸条件によって制御できる。
【0029】
導電体粒子の変形処理は、酸素や水分から粒子を隔離しながら行うことが好ましい。導電体粒子の表面に存在する酸素や水分は、導電性ペーストの粘度を引き上げる要因となるからである。酸素や水分による粘度の上昇は、粒子表面へのバインダー樹脂の吸着量の増加や水分子によるバインダー樹脂の架橋反応によると考えられる。
【0030】
したがって、導電体粒子は、例えば、非水系溶媒、具体的には有機溶媒中で変形させるとよい。有機溶媒としては、例えばエタノール等のアルコールを用いることができる。有機溶媒は、必要に応じ、窒素等の非酸化性ガスを吹き込んで溶存酸素を低減しておくとよい。有機溶媒中の溶存酸素は、1mg/Lが好適である。また、溶媒に接するミル内の雰囲気は、非酸化雰囲気に保持することが好ましい。非酸化雰囲気としては、減圧雰囲気とともに、窒素雰囲気、不活性ガス雰囲気等の非酸化性ガス雰囲気が挙げられる。酸素や水の吸着を抑えるために、導電体粒子の変形は、なるべく短時間で終了させることが好ましい。
【0031】
本発明者が検討したところによると、ペースト粘度を低減するためには、導電体粒子の表面の吸着水は1000ppm以下が好適であった。また、導電体粒子の表面の酸素濃度は1.0重量%以下が好適であった。
【0032】
導電体粒子の表面の酸素濃度や吸着水濃度を低くするためには、導電体粒子の乾燥処理を追加するとよい。乾燥処理は、上記に例示した非酸化雰囲気を用いるとよい。乾燥処理における好ましい雰囲気温度は、50℃〜200℃である。乾燥処理は、変形処理の前後いずれか、必要であれば変形処理の前後において実施すればよい。
【0033】
変形させる前の導電体粒子は、特に制限されないが、略球形とするとよい。ここで、略球形とは、厳密に言えば、粒子の最短径に対する最長径の比率が1〜2.0、より好ましくは1〜1.5である粒子をいい、理想的な球形を含む概念である。
【0034】
変形後の導電体粒子の比表面積が高過ぎる場合には、変形に先立って導電体粒子の表面を平滑化してもよい。上述の変形処理によっても、導電体粒子は、互いに接触するため、その表面はある程度平滑化される。しかし、この平滑化で十分ではない場合には、例えばニーダやプラネタリーミキサー等の粉体分散機を用いて予め導電体粒子の平滑化処理を行うとよい。平滑化処理についても、非水系溶媒中、非酸化性ガス雰囲気中等の非酸化雰囲気中で行うことが好ましい。
【0035】
上記で説明したように、導電体粒子に対しては、変形処理の前後において、適宜、乾燥処理、平滑化処理等を実施すればよい。また、変形処理の後に、凝集した粒子を分離するために解砕処理を行ってもよい。導電体粒子は、例えば、乾燥、変形、(再)乾燥、解砕、の各処理を経て製造される。この一連の処理の間、導電体粒子が接する気相は、非酸化雰囲気(例えば窒素雰囲気)に保持することが好ましい。
【0036】
本発明の導電性ペーストを用いれば、配線間の短絡を避けるためにプリプレグシートの被圧縮性を制限しても、配線層の間の抵抗が十分に小さいプリント配線基板を得ることができる。これは導電性粒子の扁平化により粒子同士の接触面積が増大することによる。従来知られていた導電体粒子には、電解法により作製されたいわゆる鱗片状導電体粒子があるが、この導電体粒子は、その作製法に起因するデンドライト状の形状を有するため、比表面積が過大となる。このため、導電性ペーストの粘度が高くなって、貫通孔に導電性ペーストを充填する際の充填不足や、離型性フィルムを剥離する際にフィルムに導電性ペーストが取られる欠陥等を招きやすい。
【0037】
図5A〜図5Fを参照して、プリント配線基板の製造方法の好ましい一例について説明する。
【0038】
図5Aに示したプリプレグシート2では、例えばアラミド繊維である補強繊維7はシートの内部に集中して配置されている。シートの両面には、実質的に樹脂成分のみからなる樹脂層8が形成されている。この樹脂層には繊維がないため、このプリプレグシート2の表面には、短絡を誘発する凹部が生じにくい。樹脂層の厚みは、好ましくは1〜30μm、特に5〜15μmである。このシート2の表面粗さRaは、好ましくは10μm以下である。また、プリプレグシート2の全体の厚みは、特に制限されないが、好ましくは50〜150μmである。
【0039】
このプリプレグシート2では、表面の凹部とともに内部の空隙を少なくするか、又は全くなくしてもよい。被圧縮性を制限すると、従来の球形の導電体粒子を用いると十分に電気的導通を確保できなかった。しかし、本発明の導電体粒子はプリプレグシートの圧縮率が低くても、低い基板抵抗値を実現できる。
【0040】
図5B〜図5Fに示した工程は、図6C〜図6Gに示した工程と基本的に同一である。プリプレグシート2には、離型性フィルム1がその両面に貼り付けられた状態で貫通孔3が形成される(図5B)。貫通孔3には、導電性ペースト4が充填される(図5C)。離型性フィルム1が剥がされ(図5D)、プリプレグシート2は、金属箔5がその両面に配置された状態で圧縮され(図5E)、金属箔5がパターニングされて配線パターン6が形成される(図5F)。
【0041】
変形処理を適用して得た銅粒子を走査型電子顕微鏡(SEM)で観察した状態を、図1〜図3に例示する。これらの粒子は、略球状の銅粒子(図4)を変形度がそれぞれ1.20、1.02、1.11となるように変形させて得たものである。図4の銅粒子は、湿式反応によって析出させた銅を、平滑化処理した後に、篩にかけて粒度調整して得たものである。
【0042】
これらの銅粒子は、いずれも、小判状(平面視で楕円状の金貨)ないし柿の種状の形状を呈していた。
【0043】
これらの銅粒子は、略球状の銅粒子をエタノールとともにボールミルに投入し、セラミックボールにより変形させて得たものである。変形度は、ミルの回転速度と回転時間とを適宜変更して調整した。なお、変形処理中、ボールミル内の雰囲気は窒素置換した。
【0044】
変形度は、変形させた銅粒子の一部を水中に分散させ、日機装社製の「マイクロトラックHRA、モデル9320−100」(レーザー波長780nm、レーザー出力3mW)を用いたレーザー回折法により測定した。導電性ペーストの調製には、変形させた銅粒子の残部を使用した。
【0045】
こうして得られた銅粒子に対してバインダーを添加して3本ロール機によって混練して導電性ペーストを得た。具体的には、銅粒子65体積%に対し、ビスフェノールF型エポキシ樹脂(ジャパンエポキシレジン社製「エピコート807」)10体積%、ダイマー酸ジグリシジルエステル型エポキシ樹脂(ジャパンエポキシレジン社製エピコート871)20体積%よりなるエポキシ主剤に、アミンアダクト型硬化剤(味の素製アミキュアMY−24)5体積%を添加した。
【0046】
なお、バインダーに用いる熱硬化性樹脂は、ビスフェノールF型エポキシ樹脂等に限らず、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールAD型エポキシ樹脂等のグリシジルエーテル型のエポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂等のエポキシ基を2つ以上含有するエポキシ樹脂、等であってもよい。
【0047】
エポキシ基が1つのエポキシ化合物を反応希釈剤として上記エポキシ樹脂主剤に含有させてもよい。さらに、上記エポキシ樹脂以外に、ポリイミド樹脂、シアネートエステル樹脂、フェノールレゾール樹脂等をバインダーの主剤として用いて導電性ペーストを形成しても構わない。
【0048】
上記で説明した導電性ペーストは、いわゆる無溶剤型となっているが印刷特性の調整のため、必要に応じてブチルセルソルブ、エチルセルソルブ、ブチルカルビトール、エチルカルビトール、ブチルカルビトールアセテート、エチルカルビトールアセテート、α−ターピネオール等の溶剤や、分散剤等の添加剤をさらに加えてもよい。
【0049】
上記導電性ペーストとともに、プリプレグシートを準備した。このプリプレグシートは、図5Aに示したように、補強繊維(アラミド繊維)をシートの内部に集中させ、シート両側の表面にそれぞれ厚さ約5μmのエポキシ樹脂からなる樹脂層を形成したものである。
【0050】
なお、プリプレグシートを補強する繊維は、アラミド繊維に限らず、PBO(ポリパラフェニレンベンゾビスオキサゾール)繊維、PBI(ポリベンゾイミダゾール)繊維、PTFE(ポリテトラフルオロエチレン)繊維、PBZT(ポリパラフェニレンベンゾビスチアゾール)繊維、全芳香族ポリエステル繊維等の有機繊維、あるいはガラス繊維等の無機繊維を用いてもよい。また、樹脂としても、エポキシ樹脂に代えて、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、フッ素樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、PPE(ポリフェニレンエーテル)樹脂、シアネートエステル樹脂等の熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂を用いてもよい。
【0051】
以降、図5B〜図5Fに示した手順に従って、プリント配線基板を作製した。離型性フィルム1は、厚さ約20μmのPET(ポリエチレンテレフタレート)である高分子フィルムの片面に、シリコーン系の離型層が形成された積層体とした。金属箔5としては銅箔を用いた。圧縮条件は、プレス温度200℃、圧力50kg/cm2、圧縮時間60分とした。
【0052】
図1〜図3に示した導電体粒子に加え、変形度を適宜調整した導電体粒子を用いてプリント配線基板を作製し、基板抵抗値を測定した(サンプル1〜8)。さらに、変形処理を行わない球形の導電体粒子をそのまま用いた(サンプル9、10)。サンプル9では、平滑化処理を行わない球状の導電体粒子を用い、サンプル10では、平滑化処理を行った球状の導電体粒子を用いた。
【0053】
こうして得た各導電体粒子およびプリント配線基板について、導電体粒子の変形度、比表面積、平均粒径、およびプリント配線基板のペースト粘度および基板抵抗値を測定した。
【0054】
変形度および平均粒径は、いずれも、上述のレーザー回折法により測定した。また、比表面積は、BET−1点法を用いた比表面積測定計により測定した。この際に吸着質としては窒素を用いた。ペーストの粘度は、E型粘度計を用い、常温、0.5rpmの条件で測定した。
【0055】
基板抵抗値とは、孔径100μmのビアホール導体500個の直列抵抗値であり、配線抵抗0.7Ωを含む値である。
【0056】
なお、サンプル1〜7の吸着水濃度を測定したところ、いずれの導電体粒子についても、吸着水濃度は、1000ppm以下であった。吸着水濃度は、カールフィッシャー水分計を用いて400℃まで熱したときの水分量を計測して定めた。サンプル8については、処理時間が長かったため、吸着水濃度が上昇したものと思われる。
【0057】
また、サンプル1〜8の酸素濃度を測定したところ、いずれの導電体粒子についても、酸素濃度は1.0重量%以下であった。酸素濃度は、るつぼ内で加熱し、発生した二酸化炭素を赤外吸収法で定量することにより定めた(日本工業規格(JIS)Z 2613に準拠)。
【0058】
測定結果を表1に示す。
【0059】
【表1】
【0060】
表1に示したとおり、変形度を1.50以下とした扁平状の導電体粒子を用いることにより、基板抵抗値は十分に低く(3Ω以下;サンプル1〜7では2.42〜2.78Ω)となった。従来の略球状の導電体粒子では、基本的に点接触により電気的導通が確保されているのに対し、扁平状の導電体粒子では粒子同士の面接触が抵抗値の低減に寄与していると考えられる。
【0061】
変形処理した導電体粒子は、外部応力により塑性変形させたものであるが、その結晶格子には応力が残存していると考えられる。結晶内部に蓄積された内部応力は、加熱および加圧の際における原子の再配列を容易にする。上記の例でも、導電体粒子に蓄積された内部応力が、粒子同士の凝集をより容易に、かつより強固にする要因となったと考えられる。
【0062】
本発明によれば、例えば、平均粒径が0.2〜20μm、より好ましくは0.5μm以上、例えば6〜20μmであり、比表面積が0.05〜1.5m2/g、より好ましくは0.2m2/g以上、さらに好ましくは1.0m2/g未満である扁平状の導電体粒子と、熱硬化性樹脂を主成分とするバインダーとを含み、導電体粒子の含有率が30〜70体積%、バインダーの含有率が70〜30体積%であり、かつ、その粘度が1000Pa・s以下である導電性ペーストを提供できる。
【0063】
また、本発明は、その別の側面によれば、導電体粒子を比表面積が0.05〜1.5m2/g、好ましくは0.2m2/g以上1.0m2/g未満となるように変形する工程を含む導電体ペーストの製造方法である。
【0064】
以上説明したように、本発明によれば、電気的導通を確保しやすい導電性ペーストを提供できる。この導電性ペーストを用いれば、被圧縮性に乏しいプリプレグシートを用いても配線層間の抵抗を低く保つことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は変形させた導電体粒子の一例を走査型電子顕微鏡(SEM)で観察した状態を示す図である。
【図2】図2は変形させた導電体粒子の別の一例をSEMで観察した状態を示す図である。
【図3】図3は変形させた導電体粒子のまた別の一例をSEMで観察した状態を示す図である。
【図4】図4は変形させる前の導電体粒子の一例をSEMで観察した状態を示す図である。
【図5】図5A〜図5Fは、それぞれ、本発明のプリント配線基板の製造方法の一例を示すための断面図である。
【図6】図6A〜図6Gは、それぞれ、従来のプリント配線基板の製造方法を示すための断面図である。
【図7】図7A、図7Bは、従来の方法によるプリント配線基板における短絡を示すための図であり、図7Aはプリント配線基板における凹部や空隙の存在を示し、図7Bは凹部に起因する短絡を示す図である。
Claims (9)
- 導電体粒子に応力を加えて変形度が1.01〜1.5となるように前記導電体粒子を変形させる工程と、変形させた導電体粒子と熱硬化性樹脂を主成分とするバインダーとを混合する工程と、を含む導電性ペーストの製造方法。
ここで、変形度とは、レーザー回折法により測定した平均粒径について、変形後の導電体粒子の平均粒径を変形前の導電体粒子の平均粒径で除した値をいう。 - 比表面積が0.05m2/g〜1.5m2/gとなるように導電体粒子を変形させる請求項1に記載の導電性ペーストの製造方法。
- レーザー回折法により測定した平均粒径が0.2μm〜20μmとなるように導電体粒子を変形させる請求項1に記載の導電性ペーストの製造方法。
- 導電体粒子が30〜70体積%、熱硬化性樹脂を主成分とするバインダーが70〜30体積%となるように、前記導電体粒子と前記バインダーとを混合する請求項1に記載の導電性ペーストの製造方法。
- 導電体粒子が、金、白金、銀、パラジウム、銅、ニッケル、錫、鉛、インジウム、亜鉛およびクロムから選ばれる少なくとも1種を含む導電性ペーストの製造方法。
- 有機溶媒中で導電体粒子に応力を加える請求項1に記載の導電性ペーストの製造方法。
- 非酸化雰囲気中で導電体粒子を乾燥させる工程をさらに含む請求項1に記載の導電性ペーストの製造方法。
- 請求項1に記載の方法により導電性ペーストを製造する工程と、
少なくとも一方の面に離形性フィルムを貼り合わせたプリプレグシートに貫通孔を形成する工程と、
前記貫通孔に前記導電性ペーストを充填する工程と、
前記プリプレグシートを前記離型性フィルムおよび前記導電性ペーストとともに圧縮する圧縮工程と、
前記圧縮工程の後に、前記離型性フィルムを前記プリプレグシートから剥離する工程と、を含むプリント配線基板の製造方法。 - プリプレグシートが補強繊維と樹脂とを含み、前記プリプレグシートの表面に前記補強繊維が存在しない樹脂層が存在し、圧縮工程の前において、前記樹脂層の厚みが1μm以上30μm以下である請求項8に記載のプリント配線基板の製造方法。
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