WO2004064467A1

WO2004064467A1 - 多層配線基板、その製造方法、および、ファイバ強化樹脂基板の製造方法

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Publication number: WO2004064467A1
Application number: PCT/JP2003/000325
Authority: WO
Inventors: Tomoyuki Abe; Nobuyuki Hayashi; Motoaki Tani
Original assignee: Fujitsu Limited
Priority date: 2003-01-16
Filing date: 2003-01-16
Publication date: 2004-07-29
Also published as: TW200414860A; US20070186414A1; US7224046B2; CN100477891C; JPWO2004064467A1; US7640660B2; US20050218503A1; JP4199198B2; CN1714608A; TW556466B

Abstract

多層配線基板（Ｘ１）は、コア部（１００）およびコア外配線部（３０）を有する。コア部（１００）は、カーボンファイバ材（１１）および樹脂組成物（１２）からなるカーボンファイバ強化部（１０）、並びに、ガラスファイバ材（２１ａ）を含有する少なくとも１つの絶縁層（２１）と１０～４０ＧＰａの弾性率を有する導体よりなる配線パターン（２２）とによる積層構造を有し且つカーボンファイバ強化部（１０）に接合しているコア内配線部（２０）を含む。コア外配線部（３０）は、少なくとも１つの絶縁層（３１）および配線パターン（３２）による積層構造を有し、コア内配線部（２０）にてコア部（１００）に接合している。

Description

明細書多層配線基板、その製造方法、および、ファイバ強化樹脂基板の製造方法技術分野

本発明は、半導体チップ実装基板、マザ一ボード、プローブカード用基板などに適用することのできる多層配線基板およびその製造方法、並びに、多層配線基板の製造に用いることのできるファイバ強化樹脂基板の製造方法に関する。背景技術

近年、電子 «に対する高性能化および小型ィヒなどの要求に伴い、電子機器に組み込まれる電子部品の高密度実装ィ匕が急速に進んでいる。そのような高密度実装化に対応すべく、半導体チップについては、ベアチップの状態で配線基板に面実装される即ちフリップチップ実装される場合が多い。

半導体チップを搭載するための配線基板については、半導体チップの多ピンィ匕に伴って、配線の高密度ィ匕を達成するうえで好適な多層配線基板が採用される傾向にある。このような半導体チップおょぴ多層配線基板による実装構造を有する半導体パッケージは、所定の電子回路の一部を構成すべく、更にマザ一ボードに実装される。マザ一ボードについても、配線の高密度ィ匕を達成するうえで好適な多層配線基板が採用される場合がある。一方、複数の半導体素子が造り込まれた半導体ウェハや単一の半導体チップを検査する際に当該ウェハやチップが搭載されるプローブカードの基板においても、素子やチップの多ピン化に応じて多層配 '線基板が採用されている。

フリップチップ実装においては、一般に、配線基板とこれに搭載された半導体チップの間の隙間に対してアンダーフィル剤が充填される。アンダーフィル剤が充填されな!/ヽ状態では、配線基板および半導体チップにおける面内方向の熱膨張率の差に起因して、配線基板および半導体チップの間の電気的接続の信頼性は低 Vヽが多!/ヽ。一般的な半導体材料による半導体チップにおける面内方向の熱膨張率は約 3 . 5 p p mZ°Cであって、コア基板としてガラスエポキシ基板を採用する一般的な配線基板における面内方向の熱膨張率は 1 2〜2 0 p p m/°Cであり、両者の熱膨張率の差は比較的大きい。そのため、環境温度の変ィ匕により、或は、環境温度の変ィ匕を経ることにより、配線基板とこれに搭載されている半導体チップとの間における電気的接続部には応力が発生しやすい。 '電気的接続部にて所定以上の応力が発生すると、当該接続部における半導体チップのバンプと配線基板の電極パッドとの界面などにて、クラックや剥がれが生じやすくなる。フリップチップ実装における半導体チップと配線基板の間に充填されるアンダーフィル剤は、電気的接続部に発生するこのような応力を緩和する機能を有する。この応力緩和機能により、電気的接続部におけるクラックや剥れが抑制され、フリツプチップ実装における接続信頼性の確保が図られる。

しかしながら、大型の半導体チップを配線基板に実装する場合には、アンダーフィル剤の応力緩和機能のみでは、充分な接続信頼性を確保できなレ、 ^が多レ、。配線基板および半導体チップの熱膨張率の差に起因する両者の熱膨張差の絶対量は、チップが大型であるほど大きくなるためである。熱膨張差が大きいほど、電気的接続部にて発生する応力も大きくなる。

また、半導体ウェハや比較的大型の半導体チップをプローブカードに搭載し、これらの所機能をプロ一ビングしながら検査する際には、ウェハまたはチップとプローブカードとの間で熱膨張率差が大きいと、当該ウェハまたはチップの電極とプローブカードのプローブピンとの位置ずれが大きくなる。その結果、適切なテストを実行できない事態を招く場合がある。

配線基板および半導体チップにおける面内方向の熱膨張率差に起因する上述の不具合を解消ないし軽減するための手法の一つとして、熱膨張率の小さな配線基板を採用することが考えられる。熱膨張率の小さな配線基板としては、従来より、低熱膨張率の金属材料をコア基板として採用する配線基板が知られている。金属コア基板を構成する金属材料としては、一般に、アルミニウム、鲖、ケィ素鋼、' ニッケル一鉄合金、 C I C (銅 Zインパー/銅の積層構造を有するクラッド材）などが採用される。しかしながら、金属材料は比重が相当程度に大きいので、得られる配線基板の重量が大きくなり、金属コア基板を採用するのは好ましくない場合がある。また、金属コア基板は、微細なプロセスによる加工性に乏しく、例えば、穴開けや薄板化が困難なが多い。

一方、配線基板の熱膨張率を低減する手法として、炭素糸維材料を利用する技術が知られている。そのような技術は、例えば、特開昭 60—140898号公報、特開平 11—40902号公報、および特開 2001— 332828号公報に開示されている。

特開昭 60-140898号公報には、炭素灘シートを含有する絶縁層であるグラフアイト層と銅配線とが交互に積層された多層配線構造を有する多層配線基板が開示されている。炭素繊維の熱膨張率は、一般に、一 1〜1 p pm/°C (2 5 °C) 程度であり、このように熱膨張率の小さ 1/ヽ炭素 ¾锥シートを含有するダラフアイト層を備えるため、当該多層配線基板の熱膨張率は小さい。しかしながら、特開昭 60— 140898号公報によると、このような配線基板の多層配線構造は、いわゆる一括積層法により形成される。一括積層法では、微細な多層配線構造ひいては微細なピッチの外部接続用電極を形成することが困難であることが知られている。そのため、特開昭 60-140898号公報に開示されている配線基板は、外部接続用の電極力 S微細なピッチで形成された半導体チップを搭載するのには適していない。

特開平 11—40902号公報には、基材として炭素維維シートを含有するコァ基板の両面に、ガラス繊維を含有するプリプレダによる絶縁層と銅配線とが積層された多層配線構造を有する多層配線基板が開示されている。コァ基板が炭素繊維シートを含有するため、当該配線基板の熱膨張率は小さい。しかしながら、特開平 1 1—40902号公報によると、このような配線基板の多層配線構造は、一括積層法により形成される。そのため、特開平 11—40902号公報に開示されて Vヽる配線基板は、外部接続用の電極が微細なピッチで形成された半導体チップを搭載するのには適していない。

特開 2001— 332828号公報には、炭素鏃锥を含有する絶縁層からなるコア基板の両面に、ガラス練離を含有しないプリプレダによる絶縁層と銅配線の積層構造を有する配線基板が開示されている。しかしながら、炭素系条»を含有する絶縁層からなるコァ基板と、ガラス ¾維を含有しなヽプリプレダとの熱膨張率の差は、相当程度に大きい。熱膨張率差が大きいと、コア基板と絶縁層とは剥離しやすい。コア基板から絶縁層が剥離すると、絶縁層上に形成されている配線に対して不当な応力が作用して当該配線が断線してしまう場合がある。したがつて、特開 2 0 0 1— 3 3 2 8 2 8号公報に開示されている技術によると、全体の熱膨張率が小さな配線基板を適切に作製することが困難な場合がある。発明の開示

本発明は、このような事情のもとで考え出されたものであって、微細な配線構造を具備することができ且つ適切に低熱膨張率ィ匕を図ることのできる多層配線基板およびその製造方法、並びに、多層配線基板の製造に用いることのできるファィパ強化樹脂基板の製造方法を、提供することを目的とする。

本発明の第 1の側面によると多層配線基板が提供される。この多層配線基板は、カーボンフアイノ材および樹脂組成物からなるカーボンフアイバ強ィヒ部、並びに、ガラスフアイパ材を含有する少なくとも 1つの絶縁層と 1 0〜4 0 G P aの弾性率を有する導体よりなる配線パターンとによる積層構造を有し且つカーポンファィパ強ィ匕部に接合しているコア内配線部、を含むコア部と、少なくとも 1つの絶縁層および配線パターンによる積層構造を有し且つコァ内配線部にてコァ部に接合しているコア外配線部と、による積層構造を備える。

このような構成の多層配線基板においては、微細な配線構造を具備することができる。本発明の第 1の側面に係る多層配線基板におけるコア外配線部は、絶縁層と配線パターンとの積層構造を有する。当該絶縁層は、カーポンファィパ材やガラスファイノ材などの繊維部材を含有しない。そのため、コア外配線部は、いわゆるビルドアップ法により形成することが可能である。ビルドアップ法による多層配線構造などの積層配線構造の形成においては、微細な配線パターンを高密度で形成できることが知られている。したがって、本発明におけるコア外配線部については、ビルドアップ法により微細配線を高密度で形成することができる。コア外配線部にて微細配線を具備することができるため、コア外配線部の最上位な!/ヽし最外の配線パターンにおいて、外部接続用の電極部を微細なピッチで設けることができる。この場合、本発明の第 1の側面に係る多層配線基板に対しては、外部接続用の電極が微細なピッチで形成された半導体チップを実装なヽし搭載することが可能となる。このように、本発明の第 1の側面に係る多層配線基板は、微細な配線を具備することができるので、半導体チップの多ピン化、すなわち高密度実装に適切に対応することが可能なのである。

本発明の第 1の側面に係る多層配線基板においては、適切に低熱膨張率ィ匕を図ることができる。具体的には、第 1の側面の多層配線基板によると、カーボンフアイパ強化部とコア内配線部の間、および、コア内配線部とコア外配線部の間において、良好な接合状態を達成しつつ、多層配線基板全体の正味の熱膨張率を適切に低減することができる。

カーボンファイバ強化部は、カーポンファイノ材を基材として含有する。カーボンファイバ材としては、例えば、カーボンファイバメッシュ、カーボンフアイパクロス、カーポンファィパ不織布、チョップドファイバの形態のカーポンファィパが挙げられる。或は、カーボンファイバ材としては、一方向性カーポンファィパシート交差積層構造を有するカーボンファイバが挙げられる。カーポンファイノ材は、一般に、一:！〜 1 p p mZ°C ( 2 5 °C)程度の小さな熱膨張率を示す。カーボンファイバ強化部の内部においては、このように熱膨張率の小さなカーボンフアイパ材が、当該樹脂部の面内方向に展延している。そのため、カーボンフアイバ強化部の面内方向における熱膨張率については、カーポンファイノ材の形態の選択、および、カーボンファイバ強化部におけるーボンファイバ材の含有率の調節により、相当程度に小さく設定することができる。多層配線基板全体における面内方向の熱膨張率は、カーボンファイバ強ィ匕部の熱膨張率に強く依存するため、例えばカーボンファィバ強化部におけるカーポンファィバ材の含有率を調節することによって、多層配線基板における面内方向の熱膨張率を半導体チップのそれに近似する値に設定することも可能である。

一方、コア内配線部においては、絶縁層はガラスファイバ材を含有し、且つ、導体パターンは、 1 0〜4 0 G P aの弾性率を有する導体よりなる。当該弾性率は、いわゆる縦弾性率（ヤング率）である。このような構成によると、コア內配線部の熱膨張率にっヽて、上述のカーボンファィパ強化部の熱膨張率と上述のコァ外配線部の熱膨張率の間に適切に調節することが可能である。

ガラスフアイノ材は、カーボンファイバ材ょりも大きな熱膨張率を有し、且つ、樹脂材料よりも小さな熱膨張率を有する。また、当該ガラスファイノく材は、コア内配線部における絶縁層の内部にて当該絶縁層の面広がり方向に展延している。したがって、コア内配線部の絶縁層自体の熱膨張率は、カーボンファイバ強化部の熱膨張率と、を含有しない樹脂材料よりなる絶縁層が有意な体積を占めるコァ外配線部の熱膨張率との間の値をとる。

また、コア内配線部における配線パターンは、 1 0〜4 0 G P aの低レ、弾性率を有する導体よりなる。このような低弹性率の配線パターンはコア内配線部における絶縁層の熱膨張に適切に追随するほどに軟質であり、従って、コア内配線部全体の熱膨張率においては絶縁層の熱膨張率が支配的となる。具体的には、コア内配線部において配線パターンが接合している絶縁層が当該配線パターンよりも小さな熱膨張率を有する場合、加熱時における当該配線パターンの膨張は、絶縁層の熱膨張と同程度に小さく、絶縁層の熱膨張を不当に助長しない。配線パターンが充分に軟質（低弾性）であるため、力 P熱時において、配線パターンの膨張は、より小さな熱膨張率を有する絶縁層により抑制されるのである。配線パターンが接合している絶縁層が当該配線パターンよりも大きな熱膨張率を有する場合、加熱時における当該配線パターンの膨張は、絶縁層と熱膨張と同程度に大きく、絶縁層の熱膨張を不当に阻まない。配線パターンが充分に軟質（低弾性）であるため、加熱時において、配線パターンは、より大きく膨張する絶縁層に追随するのである。このように、 1 0〜4 0 G P aの低い弾性率を有する導体よりなる配線パターンは、コア内配線部にぉレヽて有意な体積を占める絶縁層の熱膨張を阻害しない。したがって、コア内配線部の正味の熱膨張率については、配線パターンの熱膨張率に不当に左右されずに、カーポンファィバ強化部の熱膨張率おょぴコア外配線部の熱膨張率の間において、高い自由度で適切に設定することができる。本発明の第 1の側面に係る多層配線基板は、上述のように、基板全体の熱膨張率を充分に低下せしめる低熱膨張率のカーボンファィパ強化部と、微細配線を形成することは可能であるがカーボンファィバ強化部との熱膨張率差が比較的大きなコァ外配線部と、配線パターンからの不当な影響を受けずにカーポンファィパ強ィ匕部の熱膨張率とコア外配線部の熱膨張率の中間の熱膨張率を有するように適切に熱膨張率を設定することのできるコア内配線部と、を備える。したがって、第 1の側面に係る多層配線基板によると、カーボンファイバ強化部とコア内配線部との間における接合状態、および、コア内配線部とコア外配線部との間における接合状態は良好を維持しつつ、多層配線基板全体の正味の熱膨張率を低減することができる。

このように、本発明の第 1の側面によると、多層配線基板にお!、て、微細な配線構造を具備することができ、且つ、適切に低熱膨張率化を図ることができるのである。このような多層配線基板は、外部接続用の電極部が微細なピッチで設けられ且つ本来的に低熱膨張率の半導体チップを搭載するうえで好適である。

本発明の第 2の側面によると他の多層配線基板が提供される。この多層配線基板は、ガラスファイバ材を含有する少なくとも 1つの絶縁層と 1 0〜4 0 G P a の弾性率を有する導体よりなる配線パターンとによる積層構造を各々が有する第 1およぴ第 2のコア内配泉部、並びに、カーボンフアイバ材ぉよぴ榭脂組成物からなり且つ第 1のコア内配線部と第 2のコア内配線部の間に介在するカーボンフアイパ強化部、を含むコア部と、少なくとも 1つの絶縁層および配線パターンによる積層構造を有し且つ第 1のコア内配線部にてコア部に接合している第 1のコァ外配線部と、少なくとも 1つの絶縁層および配線パターンによる積層構造を有し且つ第 2のコア内配線部にてコァ部に接合して、る第 2のコァ外配,線部と、による積層構造を備える。

このような構成の多層配線基板は、本発明の第 1の側面に係る多層配線基板の構成を含んでいる。したがって、本発明の第 2の側面によっても、第 1の側面に関して上述したのと同様の効果が奏される。加えて、第 2の側面に係る多層配線基板は対称的な積層構造を有する。具体的には、 2つのコア内配線部がカーボンファイバ強化部の両側に配設されており、且つ、 2つのコア外配線部がカーボンファイバ強ィ匕部の両側に配設されている。したがって、第 2の側面に係る構成は、多層配線基板の反り量を低減するうえで好適である。

本発明の第 3の側面によると他の多層配線基板が提供される。この多層配線基板は、各々がカーボンフアイノ材およぴ樹脂組成物からなる第 1およぴ第 2の力一ボンファイバ強化部、ガラスファイバ材およぴ榭脂組成物からなり第 1のカーポンファィパ強ィ匕部と第 2のカーボンフアイバ強化部の間に介在するガラスファィパ強化部、ガラスファイバ材を含有する少なくとも 1つの絶縁層と 1 0〜4 0 G P aの弾性率を有する導体よりなる配線パターンとによる積層構造を有し且つガラスフアイパ強化部とは反対の側にて第 1のカーボンフアイパ強ィ匕部に接合している第 1のコア内配線部、並びに、ガラスファイノく材を含有する少なくとも 1 つの絶縁層と 1 0〜4 0 G P aの弾性率を有する導体よりなる配線パターとによる積層構造を有し且つガラスフアイバ強化部とは反対の側にて第 2のカーボンファイバ強化部に接合している第 2のコア内配線部、を含むコア部と、少なくとも 1つの絶縁層および配線パターンによる積層構造を有し且つ第 1のコア内配線部にてコア部に接合している第 1のコア外配線部と、少なくとも 1つの絶縁層およぴ配線パターンによる積層構造を有し且つ第 2のコア内配線部にてコア部に接合している第 2のコァ外配線部と、による積層構造を備える。

このような配線基板は、本発明の第 1の側面に係る配線基板の構成を含んでいる。したがって、本発明の第 3の側面によっても、第 1の側面に関して上述したのと同様の効果が奏される。加えて、第 3の側面に係る構成は、対称的な積層構造を有するため、配線基板の反り量を低減するうえで好適である。

好ましくは、カーボンファイバ強化部は、当該カーボンファイバ強化部の厚み方向に延ぴ且つ絶縁材料で被覆されているスルーホールビアを有する。このような構成によると、コア外配線部の配線パターンは、スルーホールビアを介して、カーボンファイバ強化部の反対側に電気的に引き出すことが可能である。また、スルーホールビアが絶縁材料により被覆されているので、カーボンファイバ強化部内において、カーボンファイバ材とスルーホールビアとの絶縁状態を適切に確保することができる。

好ましくは、配線パターンを構成する導体は、電解銅箔または圧延銅箔である。電解銅箔や圧延銅箔は、絶縁層と積層構造を成す配線パターンを形成する材料として好適に用いることができる。

好ましくは、カーボンファイバ強化部の樹脂組成物はフイラ一を含有する。この場合、樹脂組成物におけるフィラーの含有率は、 5〜3 O vol%であるのが好ましい。また、フイラ一は、例えば、 S i O ₂、 S i ₃ N₄、 A l ₂ O ₃、 A 1 N、 Z r 0₂、ムライト、ホウケィ酸ガラス、ァノレミノケィ酸ガラス、ァノレミノホウケィ酸ガラス、石英ガラス、またはカーボンブラックよりなる。カーボンファイバ強ィ匕部の樹脂組成物がフィラーを含有する場合、当該樹脂組成物において等方的に熱膨張率が低下する。'したがって、樹脂組成物へのフィラーの添加は、カーボンファイバ強化部の熱膨張率を低下せしめるうえで好ましい場合が多い。

好ましくは、カーボンファイバ材は、メッシュ、織布、不織布、またはチヨップドファイノ布の形態、若しくは、一方向性カーボンファイバシート交差積層構造を有する。一方向性カーボンファイバシート交差積層構造においては、複数の + カーボンファイバが一方向に並列した複数のシートが、隣接シート間で並列方向が交差するように積層している。好ましくは、カーボンファイバ強化部におけるカーボンファイバ材の含有率は、 3 0〜8 O vol%である。カーボンファイバ材の形態の選択、および、カーボンファイバ強化部におけるカーボンファイバ材の含有率の調節により、カーボンファイバ強化部の熱膨張率を調節することができる。本発明の第 4の側面によると多層配線基板の製造方法が提供される。この製造方法は、第 1配線パターン形成用の導体箔を、当該導体箔の弾性率が 1 0〜4 0 G P aとなるようにァニーノレするための、ァニール工程と、ガラスファイバ材を含有する少なくとも 1つの絶縁層と導体箔から形成された第 1配線パターンとによる積層構造を有する第 1配線部を、カーポンファィパ材ぉよび樹脂組成物からなるカーボンファイバ強化部の上に形成するための工程と、少なくとも 1つの絶縁層および第 2配線パターンによる積層構造を有する第 2配線部を、第 1配線部の上に形成するための工程と、を含む。

このような方法によると、第 1の側面に係る多層配線基板を適切に製造することができる。したがって、本発明の第 4の側面によると、製造される多層配線基板において、第 1の側面に関して上述したのと同様の効果が奏される。 .

本発明の第 4の側面において、好ましくは、導体箔は電解銅箔であり、ァニール工程では、電解銅箔は 2 0 0〜3 0 0 °Cでァニールされる。ァニール工程におけるこのようなカロ熱温度範囲は、電解銅箔の弾性率を 1 0〜 4 0 G P aにまで低下せしめるうえで好適である。導体箔としては、電解銅箔に代えて圧延銅箔を用いることができる。この^、ァニーノレ工程では、圧延銅箔は 1 5 0〜2 5 0 °C でァニールされる。ァニール工程におけるこのような加熱温度範囲は、圧延銅箔の弹十生率を、配線形成前に 1 0〜4 0 G P aにまで低下せしめるうえで好適である。

本発明の第 5の側面においては多層配線基板の他の製造方法が提供される。この製造方法は、ガラスファイバ材を含有する少なくとも 1つの絶縁層と圧延銅箔力形成された第 1配線パターンとによる積層構造を有する第 1配線部を、カーボンフアイノ材およぴ樹脂組成物からなるカーボンフアイバ強化部の上に形成するための、 1 5 0 °C以上の加熱処理を含む工程と、少なくとも 1つの絶縁層および第 2配線パターンによる積層構造を有する第 2配線部を、前記第 1配線部の上に形成するための工程と、を含む。

圧延銅箔は、 1 5 0 °C以上の力！]熱温度で弾性率が有意に低下し得る。また、第 1配線部ないしコア内配線部を形成する際のいわゆる一括積層法におけるプレス時の加熱温度は、 1 5 0 °Cを越える場合が多い。したがって、本発明の第 5の側面によると、第 1配線部の第 1配線パターンを形成するための導体箔として圧延銅箔を用いる場合には、当該導体箔に対して事前にァニール処理を施さずとも、第 1配線部において、 1 0〜4 0 G P aの低弹性率の配線パターンを形成することができる。

本発明の第 6の側面によるとフアイパ強化樹脂基板の製造方法が提供される。この製造方法は、カーポンファイノ材ぉよび樹脂組成物からなり且つ第 1貫通孔を有する第 1のカーポンファィパ強化板と、カーボンフアイノ材および樹脂組成物からなり且つ第 1貫通孔に対応する第 2貫通孔を有する第 2のカー

パ強化板との間に、樹脂組成物を含む樹脂材を介在させるための、

程と、第 1のカーボンファイバ強化板および第 2のカーボンファイバ強化板を、. 樹脂材における樹脂組成物が第 1貫通孔および第 2貫通孔を填塞するように、榭月旨材を介して圧着するための工程と、を含む。

このような方法によると、カーボンファイバ強化部を含むコア部ないしコア基板を製造するのに用いることができるフアイパ強化樹脂基板を適切に製造することができる。本発明の第 6の側面においては、 2枚のカーボンファイバ強化板に設けられている、スルーホールビア形成用の各貫通孔には、樹脂組成物が、積層構造体の厚み方向の内側から気泡を押し出しつつ進入する。したがって、本発明の第 6の側面によると、カーボンファイバ強ィヒ部における貫通孔への気泡の混入を抑制しつつ、当該貫通孔を適切に填塞することができるのである。

本発明の第 6の側面において、好ましくは、樹脂材は、ガラスファイバおよび樹脂組成物からなるガラスファイバ強化板である。このような構成によると、力一ボンファイバ強化部およびガラスファイバ強化部よりなる積層構造を有する基板を製造することができる。当該基板は、本発明の第 3の側面におけるコア部を形成するのに好適に用いることができる。図面の簡単な説明

図 1は、本発明の第 1の実施形態に係る多層配線基板の部分断面図である。図 2 Aおよび図 2 Bは、図 1に示す多層配線基板の製造方法における一部のェ程を表す。

図 3 A〜図 3。は、図 2 Bに続く工程を表す。

図 4 Aおよぴ図 4 Bは、図 3 Cに続く工程を表す。

図 5 A〜図 5 Bは、図 4 Bに続く工程を表す。

図 6は、図 5 Bに続く工程を表す。

図 7 A〜図 7 Dは、図 6に続く工程を表す。

図 8は、各種銅箔の物理的性質が掲げられた表である。

図 9は、本発明の第 2の実施形態に係る多層配線基板の部分断面図である。図 1 0 A〜図 1 0 Dは、図 9に示す多層配線基板の製造方法における一部のェ程を表す。発明を実施するための最良の形態

図 1は、本発明の第 1の実施形態に係る多層配線基板 X 1の部分断面図である。多層配線基板 X Iは、カーボンファイバ強ィ匕（C F R) 部 1 0および 2つのコア内酉 Βϋ部 2 0による積層構造を有するコァ基板 1 0 0と、当該コア基板 1.0 0の両面に積層形成された 2つのビルドアップ部 3 0とを備える。コア基板 1 0 0には、その厚み方向に延びるスルーホールビア 4 0が設けられている。

C F R部 1 0は、カーボンファイバ強化プラスチック（C F R P) の板材から加工されたものであり、カーボンファイバ材 1 1と、これを包容して硬ィヒしている樹月旨材料 1 2と、絶縁樹 S旨咅 15 1 3とからなる。

カーボンファイノ材 1 1は、本実施形態では、カーボンファイバを束ねたカーボンファイバ糸により織られたカーボンファイバクロスであり、 C F R部 1 0の面広がり方向に展延するように配されている。本実施形態では、 5枚の力ボンプアイノく材 1 1が、厚み方向に積層して樹脂材料 1 2に埋設されている。カーボンファイバ材 1 1としては、カーボンファイバクロスに代えて、カーボンフアイバメッシュ、カーポンファィパ不織布、または、チョップドファイバの形態の力一ポンファィパを使用してもよい。或は、カーボンファイバ材としては、一方向性カーボンファイバシート交差積層構造を有するカーボンファイバを使用してもよい。 C F R部 1 0におけるカーボンファイバ材 1 1の含有率は、 3 0〜8 0 vol%である。本実施形態では、これらの構成によって、〇 1¾部1 0の面広がり方向における 2 5 °Cから 1 5 0 °Cまでの平均熱膨張率は一 1 p p m/°C以上であつて 1 0 p p mZ°C未満とされている。 .

カーボンファイバ材 1 1を包容する榭脂材料 1 2としては、例えば、ポリサルホン、ポリエーテルサルホン、ポリフエニルサルホン、ポリフタルァミド、ポリアミドイミド、ポリケトン、ポリアセタール、ポリイミド、ポリカーボネート、変性ポリフエ二レンエーテル、ポリフエ二レンオキサイド、ポリブチレンテレフタレート、ポリアタリレート、ポリスノレホン、ポリフエ二レンスノレフイド、ポリエーテルエーテルケトン、テトラフルォロエチレン、エポキシ、シァネートエステル、ビスマレイミドなどが挙げられる。

絶縁樹脂部 1 3は、 C F R部 1 0のカーボンファィパ材 1 1とスルーホールビァ 4 0との間の電気的絶縁を確保するためのものである。絶縁樹脂部 1 3を構成するための材料としては、樹脂材料 1 2に関して上掲した樹脂を採用することができる。

コア内配線部 2 0は、いわゆる一括積層法により配線が多層化された部位であり、絶縁層 2 1および配線パターン 2 2による積層構造を有する。

絶縁層 2 1は、ガラスクロス 2 1 aに樹脂材料 2 1 bを含浸させてなるプリプレグを用いて形成されたものであって、当該樹脂は硬ィ匕されている。図の簡潔化の観点より、図 1において、ガラスクロス 2 l aは、 C F R部 1 0の側から 3段目の絶縁層 2 1についてのみ表し、他の絶縁層 2 1については省略する。絶縁層 2 1を構成するための樹脂材料 2 1 bとしては、例えば、樹脂材料 1 2に関して上掲した樹脂を採用することができる。本実施形態では、絶縁層 2 1の面広がり方向における 2 5°Cから 1 5 0°Cまでの平均熱膨張率は、 1 0 p p

あって 2 0 p p mZ°C未満とされている。

配線パターン 2 2は、弾性率 1 0〜4 0 G P a ( 2 5 0 °C) の導体より、各々所望の形状を有している。当該導体は、例えば、電解銅箔や圧延銅箔を所定の条件下でァニールすることによって得ることができる。各層の配線パターン 2 2は、スルーホールビア 4 0によって相互に電気的に接続している _p

ビルドアップ部 3 0は、いわゆるビルドアップ法により配線が多層化された部位であり、絶縁層 3 1および配線パターン 3 2による積層構造を有する。

絶縁層 3 1は、例えば、樹脂材料 1 2に関して上掲した樹脂により構成することができる。本実施形態では、絶縁層 3 1の面広がり方向における 2 5でから 1 5 0 °Cまでの平均熱膨張率は、 2 0 p p mZ°C以上であって 1 0 0 p p mZ°C未満とされている。

配線パターン 3 2は、本実施形態では銅めつきにより構成されており、各々、所望の形状を有している。隣接する層に形成されている配線パターン 3 2は、ビァ 3 3により相互に電気的に接続している。最上位ないし最外の配線パターン 3 2には、外部接続用の電極パッド 3 2 aが形成されている。ビルドアップ部 3 0 の最上表面には、電極パッド 3 2 aに対応して開口しているオーバーコート層 3 4が設けられている。

スルーホールビア 4 0は、ア基板 1 0 0の両側に設けられている配線構造、即ち、コア内配線部 2 0の配線パターン 2 2およびビルドアップ部 3 0の配線パターン 3 2による配線構造を、電気的に接続するためのものである。スルーホールビア 4 0は、コア基板 1 0 0を貫通するように形成されたスルーホール 1 0 0 aにおいて、例えば銅めつきにより形成されている。本発明では、銅めつきに代えて、或は銅めつきにカ卩えて、銀粉末や銅粉末を含有する導電ペーストをスルーホール 1 0 0 aに対して充填することによってスルーホールビアを形成してもよ図 2 A〜図 7 Dは、多層配線基板 X 1の製造方法を表す。 '図 2 A〜図 7 Dにおいては、多層配線基板 X 1の製造過程を部分断面図により表す。

多層配線基板 X 1の製造においては、まず、図 2 に示すょぅな〇？1 ?板1 0，を用意する。 CFRP板 10' は、本実施形態においては、 5枚のカーボンファイバ材 11と、これを包容して硬ィ匕している樹脂材料 12と力らなる。 CF RP板 10，の作製においては、例えば、まず、 1枚のカーポンファィパ材 1· 1 に対して液状の樹脂材料 12を含浸させる。次に、未硬化状態を維持しつつ樹脂材料 12を乾燥させることによって、カーボンファイバ強化プリプレダを作製する。次に、このようにして作製したプリプレダを 5枚積層し、力 Π熱下で積層方向に加圧することによって、 5枚のプリプレダを一体ィ匕させる。このようにして、 CFRP板 10' を作製することができる。図の簡潔ィ匕の観点より、多層配 ,镍基板 XIの製造方法に関する以降のェ図においては、カーボンファイバ材 11を省略する。

次に、図 2Bに示すように、 CFRP板 10，における所定の箇所に貫通孔 1 0 aを形成する。貫通孔 10 aは、上述のスルーホールビア 40の横断面の直径よりも大きな開口径で形成される。具体的には、貫通孔 10 aの開口径は、スル一ホーノレビア 40の直径よりも 0. 2〜： 1. 0 mmの範囲で大きい。貫通孔 10 aを形成する手法としては、ドリルによる切削加工、パンチング金型による打ち抜き加工、或は、レーザによるァプレーシヨン加工を採用することができる。次に、このようにして加工された CFRP板 10' と、プリプレダ 21' と、銅箔 22，とを、図 3 Aに示す順序でレイァップする。

プリプレダ 2 は、ガラスクロス 2 l aと、これを包容する未硬ィ匕の樹脂材料 2 l bとからなる。プリプレダ 21' は、例えば、ガラスクロス 2 l aに対して液状の樹脂材料 21 bを含浸させた後、未硬化状態を維持しつつ樹脂材料 21 bを乾燥させることによって、作製することができる。図の簡潔化の観点より、多層配線基板 X 1の製造に関する図 3 Aから後の図においては、ガラスクロス 2 1 aを省略する。

銅箔 22，は、電解銅箔または圧延銅箔であり、 10〜40GPaの弾性率（ャング率）を有する。銅箔 22' の厚みは例えば 18μπιである。本実施形態では、銅箔 22' には、図 3 Αに示すレイアップ工程の前に、その弾性率が 10〜40 GP aとなるように、ァニール処理が施される。電解銅箔の場合、ァニール処理にお！/、て加熱温度を 200〜300°Cとし、加熱時間を 0. 5〜 2時間とするのが好ましい。また、圧延銅箔の場合、カロ熱温度を 150〜250°Cとし、加熱時間を 0. 5〜 2時間とするのが好ましい。図 8は、各種銅箔の物理的諸性質の一例を示す。図 8に示されているように、電解銅箔および圧延銅箔は、ァニール処理により、 10〜40GPaの範囲の弾性率を示し得る。これに対し、ァニール処理を経ていなヽ市販の電解銅箔および圧延銅箔は、 60 G P a以上の高弾性率ないし高剛性を示す。

銅塊の弾性率は一般に 130 G P a程度であり、一般的に市販されている電解銅箔およぴ圧延銅箔の弾性率は、この値に準じて 60 G P a以上の高弾性率を示す。本実施形態では、このように高弾性率ないし高剛性の銅箔を、ー且ァニール処理することにより、当該銅箔の弾性率を低下せしめる。ァニール処理により銅の再結晶化が進み、その結果、当該銅の結晶性が向上して弾性率が低下すること力知られている。

本発明においては、銅箔 22' として圧延銅箔を用いる場合には、ァニール処理を別途行なわなくてもよい場合がある。圧延銅箔は、 150°C以上の加熱温度で弾性率が有意に低下し得るので、例えばコア内配線部 20の形成過程において、 150°C以上にて充分な時間、銅箔 22' が加熱される場合には、事前にァニール処理を施さずとも、銅箔 22 ' において 10〜40GPaの低弾性率を達成することができる。

多層配線基板 X 1の製造においては、次に、図 3 Aに示す順序でレイアップされた積層構造体を加熱下にて厚み方向にプレスする。これにより、図 3 Bに示すように、プリプレダ 21' の樹脂材料 21 bが熱硬ィ匕することによって CFRP 板 10' と銅箔 22，とが一体ィ匕される。このとき、 CFRP板 10，の貫通孔 10 aは、プリプレダ 21 ' に由来する樹脂材料 21 bにより填塞される。貫通孔 10 aの填塞については、このような一括積層前に、プリプレダ 21，由来の樹脂材料 21 bとは別の樹脂材料を穴埋め樹脂として用いて予め行っておいてもよい。このようにして、 C F R部 1 0と、コア内配線部 2 0における最下位ないし最内の絶縁層 2 1とが形成される。

次に、銅箔 2 2 ' をパター-ングすることによ-り、図 3 Cに示すように、コア内配線部 2 0における最下位なレヽし最内の配線パターン 2 2を形成する。配線パターン 2 2の形成においては、まず、同箔2 2 ' の上にレジストパターンを形成する。当該レジストパターンは、配線パターン 2 2に対応する所定のマスクパターン形状を有する。次に、当該レジストパターンをマスクとして銅箔 2 2 ' に対してエッチング処理を施すことにより、配線パターン 2 2を形成する。.エツチング液としては、塩化第二銅水溶液を使用することができる。以降の銅エッチングについても、このエッチング液を使用することができる。この後、レジストパターンを剥離する。

次に、このようにして形成された積層構造体と、プリプレダ 2 1 ' と、積層板 2 0，と、銅箔 3 2 ' とを、図 4 Aに示す厦序でレイァップする。

各積層板 2 0 ' は、両面銅張板から加工されたものであって、ガラスクロス 2 1 aと、これを包容して硬ィヒしている樹脂材料 2 1 bと、所定の配線パターン 2 2とからなる。積層板 2 0，の作製においては、例えば、まず、ガラスクロス 2 1 aに対して液状の樹脂材料 2 1 bを含浸させる。次に、未硬ィヒ状態を維持しつつ樹脂材料 2 1 bを乾燥させることによって、ガラスクロス強ィ匕プリプレダを作製する。次に、このようにして得られたプリプレダを加圧して加熱することによつて熱硬化させつつ、両面に銅箔を圧着させる。本実施形態では、当該銅箔は、その弾性率が 1 0〜 4 0 G P aとなるように、予めァニール処理が施されたものである。次に、配線形成を目的とする銅箔の上にレジストパターンを形成した後、当該レジストパターンをマスクとして銅箔に対してエッチング処理を施すことによって、配線パターン 2 2を形成する。この後、レジストパターンを剥離する。このようにして、各々が所定の配線パターン' 2 2を有する積層板 2 0，が作製される。

プリプレダ 2 1 ' は、最内の絶縁層 2 1を形成する際に使用したものと同様にして、作製される。また、銅箔 3 2，は、例えば 5 mの厚みを有する。銅箔 3 2，は、ビルドアップ部 3 0における最下位の配線パターン 3 2を形成する際に利用されることとなる。

多層配線基板 X 1の製造においては、次に、図 4 Aに示す順序でレイァップされた積層構造体を加熱下にて厚み方向にプレスする。これにより、図 4 Bに示すように、プリプレダ 2 1，の樹脂材料 2 1 bが熱硬化することによって C F R部 1 0と、積層板 2 0 ' と、銅箔 3 2 > とが一体ィ匕される。このようにして、コア内配線部 2 0を有するコァ基板 1 0 0が形成される。

コア内配線部 2 0の多層配線構造の形成においては、本実施形態の工法に代えて、全ての配線パターン 2 2について、図 3 A〜図 3 Cを参照して上述したように一層ごとに形成してもよレ、。或は、全ての配線パターン 2 2について、図 4 A および図 4 Bを参照して上述したように、既に配線パターン 2 2が形成された積層板 2 0 ' を利用して一括で形成してもよい。

多層配線基板 X 1の製造においては、次に、図 5 Aに示すように、コア基板 1 0 0に対して、スルーホール 1 0 0 aを形成する。スルーホール 1 0 0 aは、貫通孔 1 0 aを通過するように形成される。スノレーホ一ノレ 1 0 0 aの形成手法については、貫通孔 1 0 aに関して上述したのと同様の加工手法を採用することができる。

次に、図 5 Bに示すように、コァ基板 1 0 0の両面にぉ、て、ビルドアップ部 3 0の最内の酉 B禄パターン 3 2を形成するとともに、スルーホール 1 0 0 aにてスルーホールビア 4 0を形成する。具体的には、例えば、まず、必要に応じてスルーホール内壁のデスミア処理を行なった後、無電解めつき法により、スルーホール内壁に無電解銅めつき膜を形成する。このとき、銅箔 3 2 ' 上にも薄い無電解銅めつき膜が形成される。次に、銅箔 3 2，の上に配線パターン 3 2に対応する所定のレジストパターンを形成する。次に、当該レジストパターンをマスクとして、電気めつき法により、無電解銅めつき膜をシード層として利用して、当該無電解銅めつき膜上に電気銅めつき膜を成長させる。これにより、スルーホール 1 0 0 aにてスルーホールビア 4 0が形成される。次に、レジストパターンを除去した後、電気銅めつき膜により覆われていない銅箔 3 2，とこの上の無電角銅めっき膜とをエッチング除去する。これにより、配線パターン 3 2が形成される。次に、図 6に示すように、コア基板 1 0 0の両面において、ビルドアップ部 3 0の最内の絶縁層 3 1を形成する。具体的には、コア基板 1 0 0の表面に所定の樹脂材料を成膜する。このとき、例えばスルーホールビア 4 0が形成されたスル一ホール 1◦ 0 a内を減圧することによって、当該樹脂材料をスルーホール 1 0 0 a内に引込み、当該樹脂材料によりスルーホール 1 0 0 aを填塞する。スルーホール 1 0 0 aの填塞にっレ、ては、ビルドアップ部 3 0の形成の前に、ビルドアップ部 3 0における最下の絶縁層 3 1を形成するための樹脂材料とは別の樹脂材料を穴埋め樹脂として用いて行ってもよい。

次に、図 7 Aに示すように、絶縁層 3 1に対してビアホール 3 1 aを形成する。ビアホール 3 1 aは、 UV— YAGレーザ、炭酸ガスレーザ、'エキシマレーザ、プラズマを利用するドライエッチング法などにより形成することができる。或は、ビアホール 3 1 aは、絶縁層 3 1が感光性樹脂により形成されている場合にはフオトリソグラフィにより形成することができる。図 7 A以降においては、片方のビルドアップ部 3 0の形成過程を表す。

次に、図 7 Bに示すように、セミアディティブ法により、絶縁層 3 1の上に配線パターン 3 2を形成するとともに、ビアホーゾレ 3 1 aにてビア 3 3を形成する。具体的には、まず、必要に応じてデスミア処理を行って絶縁層 3 1およびビアホール 3 1 aの表面を粗化した後、無電解めつき法により、絶縁層 3 1およびビアホール 3 1 aの表面に無電解銅めつき膜を形成する。次に、無電解銅めつき膜上にフォトレジストを成膜した後、これを露光おょぴ現像することによって、レジストパターンを形成する。当該レジストパターンは、形成を目的とする配線パターン 3 2に対応する非マスク領域を絶縁層 3 1上に残して形成される。次に、電気めつき法により、当該非マスク領域に対して、無電解銅めつき膜をシード層として利用して電気 §同めつきを堆積させる。次に、レジストパターンをエッチング除去した後、それまでレジストパターンで被覆されていた無電解銅めつき膜をェツチング除去する。このようにして、配線パターン 3 2およびビア 3 3を形成することが: きる。

多層配線基板 X 1の製造にお！/ヽては、このようなビルドアップ法による、絶縁層 3 1の形成、並びに、配線パターン 3 2およびビア 3 3の形成を所定の回数繰り返すことにより、図 7 Cに示すようなビルドアップ多層配線構造を形成する。本実施形態では、配線パターン 3 2の積層数は 6であり、最外の配線パターン 3 2には、外部接続用の電極パッド 3 2 aが形成されている。

次に、図 7 Dに示すように、ビルドアップ多層配線構造の表面にオーバーコート層 3 4を形成する。オーバーコート層 3 4は、電極パッド 3 2 aに対応して開口している。オーバーコート層 3 4の形成においては、まず、印刷技術により、オーバーコート層用の樹脂材料をビルドアップ多層配線構造の上に成膜する。次に、.フォトリソグラフィにより、所定の開口部を形成する。このようにして、ビルドアップ多層配線を有して表面がオーバーコート層.3 4により被覆されたビルドアップ部 3 0が形成される。図 7 A〜図 7 Dを参照して上述した工程は、コア基板 1 0 0の両側において並行して行われる。

このようにして、 C F R部 1 0およびコア内配線部 2 0による積層構造を有するコア基板 1 0 0と、当該コア基板 1 0 0の两面に積層形成されたビルドアップ部 3 0とを備える、多層配線基板 X 1が製造される。

多層配線基板 X 1は、ビルドアップ部 3 0におレ、て微細力つ高密度な配線構造を有しており、ビノレドアップ部 3 0における最外の配線パターン 3 2においては、外部接続用の電極パッド 3 2 aを微細なピッチで設けることが可能である。したがって、多層配線基板 X Iは、'外部接続用の電極が微細なピッチで形成された半導体チップを実装ないし搭載するうえで好適である。

多層配線基板 X 1の C F R部 1 0は、熱膨張率の極めて小さなカーボンフアイノ材 1 1を含んで構成されている。このような C F R部 1 0を有する多層配線基板 X 1の全体の、 2 5 °Cから 1 5 0°Cまでの平均熱膨張率は、本実施形態では 3 〜5 p p mZ°Cである。このような低熱膨張率の多層配線基板 X Iは、半導体チップとの間で熱膨張率の差が小さいので、半導体チップを搭載した状態において、熱膨張率差に起因する接続信頼性の低下を抑制することができる。

多層配線基板 X 1においては、 C F R部 1 0とコア内配線部 2 0との間、および、コア内配線部 2 0とビルドアップ部 3 0との間において、良好な接合状態が達成されている。多層配線基板 X Iは、基板全体の熱膨張率を充分に低下せしめる低熱膨張率を有する C F R部 1 0と、ビルドアップ法により微細配線が形成されて且つ熱膨張率の比較的大きなビルドアップ部 3 0とを備える。仮に、 C F R 部 1 0とビルドアップ部 3 0とを直接的に接合すると、両者の熱膨張率の差が比較的大きいため、両者の間で剥離が生じやすい。多層配線基板 X Iでは、熱膨張率について C F R部 1 0とビルドアップ部 3 0の中間の値を示すコア内配線部 2

0が、 C F R部 1 0とビルドアップ部 3 0の間に介在して！/、る。

多層配線基板 X 1におレヽては、配線パターン 2 2が 1 0〜4 0 G P aの弾性率を有して軟質であるので、コア内配線部 2 0の正味の熱膨張率は、配線パターン

2 2の熱膨張率に不当に左右されずに、カーボンファイバ強化部 1 0の熱膨張率およぴコァ外配線部 2 0の熱膨張率の間に適切に設定されている。コア内配線部

2 0のように、いわゆる一括積層法により形成される多層配線構造においては、熱膨張率については、一般に、配線パターンを構成する導体よりも絶縁層の方が大きく、弾性率については、絶縁層よりも当該導体の方が大きい。配線パターンを構成する導体が例えば 6 O G P a以上の過大な弾性率を有する場合、高弾性率の配線パターンは熱膨張の際に比較的に大きな応力を発生させるので、当該多層配線構造の正味の熱膨張率においては配線パターンの熱膨張率が支配的となる。その結果、当該多層配線構造の正味の熱膨張率を所望に調節するのが困難となる場合がある。これに対し、本発明では、コア內配線部 2 0における配線パターン 2 2は、 1 0〜4 0 G P aの低い弾性率を有する導体よりなる。このような低弹性率の配線パターン 2 2はコア内配線部 2 0における絶縁層 2 1の熱膨張に適切に追随するほどに軟質であり、その結果、コア内配線部 2 0の全体の熱膨張率にぉレ、ては絶縁層 2 1の熱膨張率が支配的となる。したがって、コア内配線部 2 0 の正味の熱 B彭張率は、配線パターン 2 2の熱膨張率に不当に左右されずに、カーボンファイバ強化部 1 0の熱膨張率おょぴコア外配線部 2 0の熱膨張率の間に高い自由度で適切に設定され得るのである。熱膨張率を高い自由度で適切に設定されたコア内配線部 2 0を備える多層配線基板 X 1においては、環境温度が変化しても、或は、環境温度の変ィ匕を経ても、 C F R部 1 0とコア内配線部 2 0との間における接合状態、および、コア内配線部 2 0とビルドアップ部 3 0との間における接合状態は良好に維持され得る。

図 9は、本発明の第 2の実施形態に係る多層配線基板 X 2の部分断面図である。多層配線基板 X 2は、ガラスファイバ強化（G F R) 部 5 0、 2つの C F R部 1 0、および 2つのコア內配線部 2 0による積層構造を有するコァ基板 2 0 0と、当該コ.ァ基板 2 0 0の両面に積層形成された 2つのビルドアップ部 3 0とを備える。コア基板 2-0 0には、その厚み方向に延びるスルーホールビア 4 0が設けられている。

G F R部 5 0は、ガラスファイバ強化プラスチック（G F R P) の板材から加ェされたものであり、ガラスファイバ材 5 1と、これを包容して硬化している榭脂材料 5 2とからなる。

ガラスファイノ材 5 1は、例えばガラスクロスであり、 G F R部 5 0の面広がり方向に展延するように配されている。本実施形態では、 3枚のガラスファイバ材 5 1力厚み方向に積層して樹脂材料 5 2に埋設されている。 G F R部 5 0におけるガラスファイバ材 5 1の含有率は、 2 0〜5 O vol%である。

ガラスファイノ材 5 1を包容する樹脂材料 5 2としては、例えば、上述の樹脂材料 1 2に関して上掲した材料を採用することができる。

C F R部 1 0は、カーボンファイバ強化プラスチック（C F R P) の板材から加工されたものであり、カーポンファイノ材 1 1と、これを包容して硬ィ匕している樹脂材料 1 2と、絶縁樹脂部 1 3とからなる。本実施形態における各 C F R部 1 0は、カーボンファイバ材 1 1の積層数が 3であるという点を除いては、第 1 の実施形態における C F R咅 1 0と同様の構成を有する。

コア内配線部 2 0は、いわゆる一括積層法により配線が多層化された部位であり、絶縁層 2 1および配線パターン 2 2による積層構造を有する。ビルドアップ部 3 0は、いわゆるビルドアップ法により配線が多層化された部位であり、絶縁層 3 1および配線パターン 3 2による積層構造を有する。ビルドアップ部 3 0の最上表面には、オーバーコート層 3 4が設けられている。スルーホールビア 4 0 は、コア基板 2 0 0の両側に設けられている配線構造、即ち、コア内配線部 2 0 の配線パターン 2 2およびビルドアップ部 3 0の配線パターン 3 2による配線構造を、相互に電気的に接続するためのものである。スルーホールビア 4 0は、コァ基板 2 0 0を貫通するように形成されたスルーホール 2 0 0 aにおいて、例えば銅めつきにより形成されている。

コァ内配線部 2 0、ビルドアップ部 3 0、およぴ、スルーホールビア 4 0の他の構成については、第 1の実施形態に関して上述したのと同様である。図の簡潔化の観点より、図 9において、コア内配線部 20における絶縁層 21に含まれるガラスクロス 21 aは、 C-FR部 10の側から 3段目の絶縁層 21についてのみ表し、他の絶縁層 21については省略する。

図 10は、多層配線基板 X 2の製造工程の一部を表す。図 10においては、多層配線基板 X 2の製造過程を部分断面図により表す。

多層配線基板 X 2の製造においては、まず、図 1 OAに示すような CFRP板 10，を用意する。 CFRP板 10，は、本実施形態においては 3枚のカーボンファイバ材 11と、これを包容して硬化している樹脂材料 12より.なる。

次に、図 10Bに示すように、 CFRP板 10，における所定の箇所に貫通孔 10 aを形成する。貫通孔 10 aは、上述のスルーホールビア 40の横断面の直径よりも大きな開口径で形成される。具体的には、貫通孔 10 aの開口径は、スルーホールビア 40の直径よりも 0. 2〜 1. 0 mmの範囲で大きい。貫通孔 1 0 aを形成する手法としては、ドリルによる切削加工、パンチング金型による打ち抜き加工、或は、レーザによるアブレーシヨン加工を採用することができる。次に、このようにして作製した 2枚の CFRP板 10' と、 3枚の GFRP板 50' とを、図 10Cに示す順序でレイ'ァップする。 G F R P板 50 ' は、各々、ガラスファイノく材 51、および、 .未硬ィ匕状態でこれを包容している樹脂材料 52 よりなる。

次に、図 10Dに示すように、所定の加圧および温度の条件下において、 3枚の GFRP板 50，を介して CFRP板 10，を圧着させる。このとき、 CFR P板 10' の貫通孔 10 aは、 GFRP板 50' の榭脂材料 52により填塞される。本実施形態では、 CFRP板 10'板に設けられている各貫通孔 10 aには、樹脂材料 52が、積層構造体の厚み方向の内側から気泡を押し出しつつ進入する。そのため、 CFR部 10部における貫通孔 10 aへの気泡の混入を抑制しつつ、当該貫通孔 10 aを適切に填塞することができる。貫通孔 10 aを填塞する樹脂材料 52の一部は、後に、 CFR部 10の絶縁樹脂部 13へと加工される。このようにして、 G F R部 50および C F R部 10よりなる.積層構造体が形成される。次に、図 10Dに示す積層構造体を CFRP板 10' に代えて用い、第 1の実施形態において図 3 Aおよび図 3 Bを参照して上述した工程を行う。これにより、図 3 Bに示すのと略同様に、当該積層構造体に対して、コア内配線部 2 0における最内の絶縁層 2 1および銅箔 2 2 ' とが積層される。ただし、このとき、貫通孔 1 0 aには既に樹脂材料が充填されているので、プリプレダ 2 1 ' に由来する樹脂材料 1 2は、当該貫通孔 1 0 aを填塞しない。

この後、第 1の実施形態に関して図 3 C〜図 7 Dを参照して上述したのと同様の工程を経ることによって、本実施形態の多層配線基板 X 2を製造することがでさる。

多層配線基板 X 2は、多層配線基板 X Iと同様に、外部接続用端子として微細なピッチで設けることが可能な電極パッド 3 2 aを有するビルドアップ部 3 0を具備する。したがって、多層酉己線基板 X 2は、外部接続用の電極が微細なピッチで形成された半導体チップを実装ないし搭載するうえで好適である。

多層配線基板 X 2の C F R部 1 0は、熱膨張率の極めて小さなカーボンファィノ材 1 1を含んで構成されている。このような C F R部 1 0を有する多層配線基板 X 2の全体の、 2 5 °Cから 1 5 0 °Cまでの平均熱膨張率は、本実施形態では 3 〜 5 p p πχΖΤである。このような低熱膨張率の多層配線基板 X 2は、半導体チップとの間で熱膨張率の差が小さいので、半導体チップを搭載した状態にぉレ、て、熱膨張率差に起因する接続信頼性の低下を抑制することができる。

本実施形態では、上述のように、 C F R部 1 0における貫通孔 1 0 aへの気泡の混入は、適切に抑制される。貫通孔 1 0 aを樹脂材料で填塞する際に気泡が混入すると、カーポンファィパ材 1 1とスルーホールビア 4 0との間の電気的絶縁を確保できない場合がある。具体的には、貫通孔 1 0 aを樹脂材料で填塞する際に気泡が？昆入すると、当該樹脂材料を通過するスルーホール 1 0 0 aを形成する際に、それまでクローズされていた気泡がオープンしてスルホール 1 0 0 aにてカーポンファイノく材 1 1が露出する場合がある。カーボンファイバ材 1 1がこのように露出すると、スルーホール 1 0 0 aにて形成されるスルーホールビア 4 0とカーボンファイバ材 1 1が撤してショートしてしまうのである。

また、多層配線基板 X 2においては、多層配線基板 X Iと同様に、 C F R部 1 0とコア内酉 3；線部 2 0との間、および、コア内配線部 2 0とビノレドアップ部 3 0 との間において、良好な接合状態が達成されている。

〔実施例 1〕

<多層配線基板の作製 >

本実施例では、 CFRP材として、カーポンファィパクロスとエポキシ樹脂とを複合ィ匕したものを使用した。本実施例の CFRP板の作製においては、まず、カーボンファイバクロス (商品名： TORAYCA、東レ製）にエポキシ樹脂ヮニス（エポキシ樹脂へと高分子ィ匕するモノマー等を含有するワニス）を含浸させた後にこれを乾燥し、厚さ 0. 2 mmのプリプレダを作製した。このカーボンフアイパクロスは、断面直径 10 以下のカーボンファイバを平均本数 1000 本以上で束ねたカーボンファイバ糸を平織りしたものである。このようにして用意したプリプレダを 5枚積層し、真空プレスにより、ピーク温度 200°Cで 30 分、積層方向に加圧することによって、厚さ約 1. Ommの未加工の CFRP板を作製した。このときのカロ圧圧力は 40 k g f Zcm²とした。この CFRP板の面広がり方向における 25 °Cから 150°Cまでの平均熱膨張率は、 1 p p m /°Cであった。

次に、この CFRP板の所定の箇所に対して、ドリルにより、開 P径◦. 8m mの貫通孔を形成した。

次に、 CFRP板の両面に対して、 CFRP板の側から、厚さ 0. 1mmのプリプレダと、厚さ 18 zmの銅箔とを、真空プレスを使用して一括積層し、一体化させた。プリプレダは、ガラスクロスとエポキシ樹脂とが複合化された FR— 4材のプリプレダ（商品名： R— 1650、松下電工製）である。銅箔は、ァニール処理を施すことによって弾性率を 22 G P aとした電解銅箔（商品名： F 1 — WS、古河サーキットフオイル（株）製）である。プレス条件については、ピーク温度を 185°Cとし、プレス時間を 2時間とし、圧力を 30 k g f Zcm² とした。このとき、 CFRP板の両表面に接合されるプリプレダの樹月旨の一部により、 CFRP板の貫通孔を填塞した。

次に、上述のようにして得られた積層構造体の両面に対して、積層構造体の側カら、厚さ 0. 1mmのプリプレダと、厚さ 0. 1mmであって所定の配線パターンを両面に有する積層板と、厚さ 0. 1mmのプリプレダと、厚さの銅箔とを、真空プレスを使用して一括積層し、一体化させた。プリプレダは、ガラスクロスとエポキシ樹月旨とが複合ィ匕された FR— 4材のプ.リプレダ（商品名： R — 1650、松下電工製）である。積層板は、ガラスクロスとエポキシ樹脂と力複合ィ匕された FR— 4材のプリプレダ（商品名： R— 1650、松下電工製）の両面に、ァニール処理を経て弾性率が 10〜40GPaとされた電解銅箔（商品名： F 1—WS、古河サーキットフオイル（株）製）を張り合わせ、当該銅箔から所定の配線パターンを形成したものである。プレス条件については、ピーク温度を 185°Cとし、.プレス時間を 30分とし、圧力を 30kg f Zcm²とした。このようして、 CFR部およびこの両面に接合する 2つのコア内配線部を含むコァ基板（厚さ約 1. 8mm)を作製した。コア基板の面広がり方向における 25 °C から 150°Cまでの平均熱膨張率は、 2. Op pmZ°Cであった。

次に、このコア基板に対して、 CFRP板の貫通孔の略中央を通過するように、ドリルにより、開口径 0. 35 nunのスルーホールを形成した。

次に、スルーホールにスルーホールビアを形成するとともに、コア基表面にセミアディティブ法により所定の配線パターンを形成した。具体的には、まず、スルーホール内壁のデスミア処理を行なった後、無電解めつき法により、スルーホール内壁上および未加工銅箔上に無電解銅めつき膜を形成した。次に、未加工銅箔の上に所定の配線パターンに対応するパターン形状を有するレジストパターンを形成した。レジストパターンの形成においては、まず、銅箔表面にドライフィルムレジスト（商品名： N I T _ 240、日合モートン製）を貼り合わせた後、露光おょぴ現像を経て、形成目的の配線パターンに対応するパターン形状を有するレジストパターンを形成した。次に、電気めつき法により、無電解銅めつき膜をシード層として利用して、当該無電解銅めつき膜上に電気銅めつき膜を成長させた。これにより、スルーホールにてスルーホールビアが形成された。次に、レジストパターンを除去した後、電気銅めつき膜により覆われていない銅箔およびその上の無電解銅めつき膜をエッチング除去した。エッチング液としては、塩化第二銅水溶液を用いた。この後、 3 w t %の水酸化ナトリゥム水溶液を用いて、レジストパターンを剥離した。これにより、コア基板表面にて、ビルドアップ部における最下位ないし最内の配線パターンを形成した。次に、上述のようにしてスルーホールビアが既に形成されたスルーホールをエポキシ樹脂により填塞した。次に、コァ基板の両面にビルドアップ絶縁層を形成した。ビルドアップ絶縁層の形成においては、まず、真空プレスにより、ピーク温度 2 0 0 °Cおよび 3 0分の条件で、厚さ 0 . 0 5 mmとなるように、熱可塑性ポリイミド樹脂シート（商品名：エスパネッタス、新日鉄化学製）を、コア基板の両面にラミネートした。このポリイミド層の 2 5 °Cから 1 5 0°Cまでの平均熱膨張率は 6 0 p p m/ であった。次に、ビルドアップ絶縁層の所定箇所に対して、 UV—YAGレーザによりビアホーノレを形成した。

次に、セミアディティブ法により、絶縁層上に銅配線パターンを形成した。このとき、ビアホール表面にも銅を堆積させることにより、銅配線パターンとともにビアも形成した。具体的には、まず、絶縁層表面およびビアホール表面にデスミア処理を施した後、無電解めつき法により、絶縁層およびビアホールの表面に無電解銅めつき膜を形成した。次に、無電解銅めつき膜上にフォトレジストを成膜した後、これを露光および現像することによって、レジストパターン^形成した。当該レジストパターンは、形成を目的とする配線パターンに対応するパターン形状を有する。次に、電気めつき法により、レジストパターンによりマスクされていない無電解めつき膜上に、無電解銅めつき膜をシード層として利用して電気銅めつきを堆積させた。次に、レジストパターンをエッチング除去した後、それまでレジストパターンで被覆されて V、た無電解銅めつき膜をエツチング除去した。このようなセミアディティブ法により、ビルドアップ絶縁層上にお!/ヽて配線パターンおよびビアを形成した。

この後、ビルドアップ絶縁層の積層形成から配線パターンおよびビアの形成までの一連の工程を、コア基板の両面にて更に 3回繰り返すことにより、コア基板の両面にぉ、て 5層配線構造のビルドアップ部を形成した。

次に、スクリーン印刷およびフォトリソグラフィにより、ビドアップ部の表面にオーバーコート層を形成した。オーバーコート層の所定箇所には、ビルドアップ部における最上位の配線パターンの一部が電極パッドとして臨むように開口部を設けた。このようにして作製した多層配線基板の面広がり方向における 2 5 °Cから 1 5 0 °Cまでの平均熱膨張率は 4. O p p m/°Cであった。熱膨張率の測定においては、示差膨張方式の熱機械分析装置（商品名： TMA 6 0 0 0、セイコーインスツルメンツインダストリー製）を使用した。また、本実施例の多層配線基板について反り量を測定したところ、多層配線基板表面に設けたチップ搭載エリアの 2 0 mmスパンにおいて 1 0 ^ m以下であった。

<温度サイクル試験 >

本実施例の多層配線基板に対して、外部接続用の複数のバンプ電極を有する所定の半導体チップを、アンダーフィル剤を使用せずに搭載し、温度サイクル試験により、半導体チップ一多層配線基板間の接続信頼性を調べた。具体的には、まず、半導体チップと多層配線基板の間の各電気的接続部にっレ、て初期導通抵抗を測定した。次に、ー6 5 °C〜1 2 5°Cの範囲で温度サイクル試験を行った後、各電気的接続部の導通抵抗を再び測定した。温度サイクル試験は、一 6 5 °Cでの 3 0分間の冷却および 1 2 5 °Cでの 3 0分間の加熱を 1サイクルとし、このサイクルを 1 0 0 0回繰り返した。その結果、各電気的接続部における抵抗変ィ匕率は 1 0 %未満であり、良好な接続が維持されていることが確認された。 1 0 0 0サイクル後において、半導体チップのバンプ電極と多層配線基板の電極パッドとの間には、クラックや剥がれは生じなかった。

また、 1 0 0 0サイクル後において、本実施例の多層配線基板を研磨してその断面を露出させ、当該露出断面を光学顕微鏡により観察したところ、 C F R部とコア内配線部との間においても、コア内配線部とビルドアップ部（コア外配線部）との間においても、剥離は観察されなかった。〔実施例 2〕

ぐ多層配線基板の作製 >

本実施例では、 C F R P材として、カーボンファイバクロスとエポキシ樹脂とを複合化したものを使用した。本実施例の C F R P板の作製にぉレ、ては、まず、カーボンファイバクロス（商品名： TO RAY CA、東レ製）にエポキシ樹脂ヮニス（エポキシ樹脂へと高分子化するモノマー等を含有するワニス）を含浸させた後にこれを乾燥し、厚さ 0. 2 mmのプリプレダを作製した。このカーボンフアイパクロスは、実施例 1のそれと同一のものである。このようにして用意したプリプレダを 3枚積層し、真空プレスにより、ピーク温度 200°Cで 30分、積層方向に加圧することによって、厚さ約 0· 6 mmの未加工の CFRP板を作製した。このときの加圧圧力は 40 k g f /cm²とした。この CFRP板の面広がり方向における 25 °Cから 150 °Cまでの平均熱膨張率は、 0. 5 p p m/°C であった。この後、この CFRP板の所定の箇所に対して、ドリノレにより、開口径 0. 8 mmの貫通孔を形成した。このようにして、厚さ 0. 6 mmで複数の貫通孔 (φ 0. 8mm) が設けられた C F R P板を、 2枚作製した。

次に、このようにして作製した 2枚の CFRP板を、 3枚の GFRP板を介して、真空プレスにより、ピーク温度 185°Cで 30分、積層方向に加圧することによって圧着した。 GFRP板は、.各々、ガラスクロスとエポキシ樹脂とが車合化された FR— 4材のプリプレダ（商品名： R— 1650、松下電工製）であり、 0. 1mmの厚さを有する。このとき、 CFRP板の貫通孔を、 GFRI⁵板に由来するエポキシ樹脂により填塞した。

次に、 CFRP板の両面に対して、 CFRP板の側から、厚さ 1mmのプリプレダと、厚さ 18 μιηの銅箔とを、真空プレスを使用して一括積層し、一体化させた。当該プリプレダは、ガラスクロスとエポキシ樹脂とが複合ィ匕された F R— 4材のプリプレダ（商品名： R—1650、松下電工製）である。銅箔は、ァニール処理を施すことによって弾性率を 22GP aとした電解銅箔（商品名： F l— WS、古河サーキットフオイル（株）製）である。プレス条件については、ピーク温度を 185 °Cとし、プレス時間を 2時間とし、圧力を 30 k g f / c m 2とした。次に、実施例 1と同様にして、上述のようにして得られた積層構造体の両面に対して、積層構造体の側から、厚さ 0. 1mmのプリプレダと、厚さ 0. 1 mmであって所定の配線パターンを両面に有する積層板と、厚さ 0. 1 mmのプリプレダと、厚さ 5 mの銅箔とを、真空プレスを使用して一括積層し、一体ィ匕させることによって、コア基板を作製した。本実施例のコア基板の面広がり方向における 25 °Cから 150°Cまでの平均熱膨張率は、 2. 0 p pm/^Cであつた。

' 次に、このコア基板に対して、 C F R P板の貫通孔の略中央を通るように、ドリルにより、 .開口径 0 . 3 5 mmのスルーホールを形成した。

この後、実施例 1と同様にして、コア基板表面の配線パターンおよびスルーホ一ルビアの形成から、オーバーコート層の形成までを行うことによって、 G F R 部、 C F R部、コア内配線部、ビルドアップ部による積層構造を有する、本実施例の多層配線基板を作製した。

本実施例の多層配線基板の面広がり方向における 2 5 °Cから 1 5 0 °Cまでの平均熱膨張率は 4 . 0 p p m/°Cであった。熱膨張率の測定においては、示彭張方式の熱機械分析装置（商品名： TMA 6 0 0 0、セイコーィンスツルメンツインダストリー製）を使用した。また、本実施例の多層配線基板について反り量を測定したところ、多層配線基板表面に設けたチップ搭載ェリアの 2 0 mmスパンにおいて 1 0 /i m以下であった。 <温度サイクル試験 >

本実施例の多層酉^ ¾板に対して、外部接の複数のバンプ電極を有する所定の半導体チップを、アンダーフィル剤を使用せずに搭載し、 ¾サイクル試験により、実施例 1と同様にして半導体チップ一多層酉 BH¾¾間の接樹 t 生を調べた。その結果、各電気的接続部における抵抗変ィ匕率は 1 0 %未満であり、良好な接続部が形成されていることが確認された。また、 1 0 0 0サイクル後において、半導体チップのバンプ電極と多層配線基板の電極パッドとの間には、クラックや剥がれは生じなかった。

また、 1 0 0 0サイクルを経た本実施例の多層配線基板の断面を、実施例 1と同様にして観察したところ、 C F R部とコア内配線部との間においても、コア内配線部とビルドアップ部との間においても、剥離は観察されなかった。

〔比較例 1〕

実施例 1のコア基板に代えて、同サイズの有機コナ基板を用意し、当該有機コァ基板に対して実施例 1と同様にビルドアップ部を形成することによって、本比較例の多層配線基板を作製した。有機コア基板は、 B Tレジン基板の両面に対して、実施例 1と同酉 a /線層数のコア内配線部を形成したものである。当該コア内配線部における銅配線パターンは、ァニール処理を経ていなヽ電解銅箔から形成されたものであって、その弾性率は 7 2 G P aである。本比較例の有機コア多層配線基板の反り量を測定したところ、チップ搭載エリアの 2 O mmスパンにおいて約 3 0 であった。また、本比較例の有機コア多層酉 Β^¾¾に対して、外部接続用の複数のバンプ電極を有する所定の半導体チップを、ァンダーフィル剤を使用せずに ί荅載し、 SJ サイクノレ難により、例 1と同様にして半導体チップ一多層酉 ¾線基板間の接続信頼性を調べた。.その結果、 1 0 0 0サイクルにて、半導体チップのバンプ電極と多層配線基板の電極パッドとの界面にクラックが観察される接合部が存在した。

〔評価〕

半導体チップ搭載状態の温度サイクル試験によると、カーボンフアイパクロスを含有することにより面内方向の熱膨張率が良好に小さくされている C F. R部と、 2 2 G P aという低弾性率の電解銅箔から形成された配線パターンを有するコア内配線部と、を備える実施例 1および実施例 2の多層配線基板は、比較例 1に係る従来の有機コア多層配線基板よりも、半導体チップとの間における接続信頼性が高いことが判る。極めて熱膨張率の低い C F R部が存在するとともに、コア内配線部の配線パターンがァ基板の低熱膨張率性を阻害しないように充分に低弾性率であるため、当該コァ基板ひ!/ヽては多層配線基板における面内方向の熱膨張率が適切に小さく制御され、その結果、実施例 1および実施例 2の多層配線基板において高い接続信頼性を得ることができると考えられる。

このように、本発明によると、多層配線基板にお！/ヽて低熱膨張率化を適切に達成することができる。このような配線基板は、本来的に低熱膨張率の半導体チップを搭載するうえで好適であり、半導体チップ実装基板、マザ一ボード、プロ一プカード用基板などに適用することができる。

Claims

1 . カーポンファイノ材および樹脂組成物からなるカーボンファイバ強化部、並びに、ガラスファイバ材を含有する少なくとも 1つの絶縁層と 1 0〜4 O G P a の弾性率を有する導体よりなる配線パターンとによる積層構造を有し且つ前記力一ポンファィパ強化部に接合しているコァ内配線部、を含むコア部と、

少なくとも 1つの絶縁層および配線パターンによる積層構造を有し、前記コァ内配線部にて前記コァ部に接合しているコァ外配線部と、による積層構造を備える、多層配線基板。

2 . ガラスフアイノ材を含有する少なくとも 1つの絶縁層と 1 0〜4 O G P aの弾性率を有する導体よりなる配線パターンとによる積層構造を各々が有する第 1 およぴ第 2のコア内配線部、並びに、カーボンフアイノ材および樹脂組成物からなり且つ前記第 1のコア内配線部と前記第 2のコア内配線部の間に介在するカーポンファィパ強化部、を含むコア部と、

少なくとも 1つの絶縁層および配線パターンによる積層構造を有し、前記第 1のコア内配線部にて前記コア部に接合している第 1のコァ外配線部と、

少なくとも 1つの絶縁層および配線パターンによる積層構造を有し、前記第 2のコア内配線部にて前記コア部に接合してヽる第 2のコァ外配線部と、による積層構造を備える、多層配線基板。

3 . 各々がカーポンファィパ材ぉよび樹脂組成物からなる第 1および第 2のカーポンファィパ強化部、ガラスフアイノ材および樹脂組成物からなり前記第 1の力一ボンフアイバ強化部と前記第 2のカーポンファィパ強化部の間に介在するガラスフアイパ強化部、ガラスフアイバ材を含有する少なくとも 1つの絶縁層と 1 0 〜4 0 G P aの弾性率を有する導体よりなる配線パターンとによる積層構造を有し且つ前記ガラスフアイバ強化部とは反対の側にて前記第 1のカーボンファイバ強化部に接合している第 1のコア内配線部、並びに、ガラスファイバ材を含有する少なくとも 1つの絶縁層と 1 0〜4 0 G P aの弾性率を有する導体よりなる配線パターンとによる積層構造を有し且つ前記ガラスブアイパ強化部とは反対の側にて前記第 2のカーポンファィパ強化部に接合して!/ヽる第 2のコア内配線部、を含むコア部と、

少なくとも 1つの絶縁層および配線パターンによる積層構造を有し、前記第 1のコア内配線部にて前記コア部に接合している第 1のコア外酉 Βϋ部と、

少なくとも 1つの絶縁層おょぴ配線パターンによる積層構造を有し、前記第 2のコア内配線部にて前記コア部に接合している第 2のコァ外配線部と、による積層構造を備える、多層配線基板。

4. 前記コア部は、当該コア部の厚み方向に延ぴ且つ絶縁材料で被覆されているスルーホールビアを有する、請求項 1に記載の多層配線基板。

5 . 前記導体は、電解銅箔または圧延銅箔である、請求項 1に記載の多層配線基板。

6 . 前記カーボンファイバ強化部の前記樹脂組成物はフイラ一を含有する、請求項 1に記載の多層配線基板。

7. 前記樹脂組成物における前記フィラーの含有率は、 5〜3 O vol%でる、請求項 6に記載の多層配線基板。

8 . 前記フイラ一は、 S i 0₂、 S i ₃N₄、 A 1 ₂0₃、 A l N、 Z r 0₂、ムライト、ホウケィ酸ガラス、アルミノケィ酸ガラス、ァ《^レミノホウケィ酸ガラス、石英ガラス、または力"ボンブラックよりなる、請求項 6に記載の多層配線基板。

9. 前記カーボンファイバネオは、メッシュ、クロス、不織布、または、チョップドファイバの形態、若しくは、一方向性カーボンファイバシート交差積層構造を有する、請求項 1に記載の多層配線基板。

1 0 .前記カーボンファィパ強化部における前記カーボンファィパ材の含有率は、 3 0 - 8 0 vol%である、請求項 1に記載の多層配線基板。

1 1 . 第 1配線パターン形成用の導体箔を、当該導体箔の弾性率が 1 0〜4 0 G P aとなるようにァニールするための、ァニーノレ工程と、

ガラスファイノ材を含有する少なくとも 1つの絶縁層と前記導体箔から形成された第 1配線パターンとによる積層構造を有する第 1配線部を、カーボンファィバ材ぉよぴ樹脂組成物かちなるカーボンフアイバ強化部の上に形成するための工程と、

少なくとも 1つの絶縁層おょぴ第 2配線パターンによる積層構造を有する第 2配線部を、前記第 1配線部の上に形成するための工程と、を含む、多層配線基板の製造方法。

1 2 . 前記導体箔は電解銅箔であり、前記ァニール工程では、当該電解銅箔は、 2 0 0〜 3 0 0 °Cでァニールされる、請求項 1 1に記載の多層配線基板の造方法。

1 3 . 前記導体箔は圧延銅箔であり、前記ァニール工程では、当該圧延銅箔は、 1 5 0〜2 5 0 °Cでァニールされる、請求項 1 1に記載の多層配線基板の製造方法。

1 4. ガラスファイバ材を含有する少なくとも 1つの絶縁層と圧延銅箔から形成された第 1配線パターンとによる積層構造を有する第 1配線部を、カーポンファィバ材および樹脂組成物からなるカーボンフアイバ強化部の上に形成するための、 1 5 0 °C以上の加熱処理を含む工程と、

少なくとも 1つの絶縁層および第 2配線パターンによる積層構造を有する第 2配線部を、前記第 1配線部の上に形成するための工程と、を含む、多層配線基板の製造方法。

1 5. カーポンファイノ材および樹脂組成物からなり且つ第 1貫通孔を有する第 1のカーボンファイバ強化板と、カーポンファィパ材および樹脂組成物からなり且つ前記第 1貫通孔に対応する第 2貫通孔を有する第 2のカーボンファイバ強化板との間に、樹脂組成物を含む樹脂材を介在させるための、レイアップ工程と、 .前記第 1のカーポンファィパ強化板およぴ前記第 2のカーボンフアイパ強ィ匕板を、前記樹脂材における前記樹脂組成物が前記第 1貫通孔ぉよぴ前記第 2貫通孔を填塞するように、前記樹脂材を介して圧着するための工程と、を含む、ファィパ強化樹脂基板の製造方法。

1 6 . 前記樹脂材は、ガラスファイバ材ぉよび樹脂組成物からなるガラスフアイパ強化板である、請求項 1 5に記載のフアイパ強化樹脂基板の製造方法。